JP2000304517A - 半導体装置のリード検査装置 - Google Patents
半導体装置のリード検査装置Info
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- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95684—Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラットリードパッケージについてのリード
検査を確実に行う。 【解決手段】 被検査対象の半導体装置１のリード２の
上面及び下面から光源３及び４によりリード２フラット
部上面及び下面を照明し、フラット部からの反射光を撮
像装置７にて撮像する。これによりリード２の上下方向
の曲がりを検出する。また、光源３及び４からの照明光
のリード２のフラット部からの反射光をビームスプリッ
タ５及び６で撮像装置側へ反射させ、リード２の上下方
向曲がり検出と同時にフラット部キズやリード曲がりを
検査する。 【効果】 複数の角度からのリード像を１台の撮像装置
で撮影することができる。被検査対象の半導体装置をリ
ードではなくモールド下面で保持するので、検査による
リード曲げが生じない。
検査を確実に行う。 【解決手段】 被検査対象の半導体装置１のリード２の
上面及び下面から光源３及び４によりリード２フラット
部上面及び下面を照明し、フラット部からの反射光を撮
像装置７にて撮像する。これによりリード２の上下方向
の曲がりを検出する。また、光源３及び４からの照明光
のリード２のフラット部からの反射光をビームスプリッ
タ５及び６で撮像装置側へ反射させ、リード２の上下方
向曲がり検出と同時にフラット部キズやリード曲がりを
検査する。 【効果】 複数の角度からのリード像を１台の撮像装置
で撮影することができる。被検査対象の半導体装置をリ
ードではなくモールド下面で保持するので、検査による
リード曲げが生じない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリード検査装置に関
し、特に半導体装置のリード成形状態を検査する装置に
関する。
し、特に半導体装置のリード成形状態を検査する装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の表面実装化・小型化に伴い
リード成形状態の高精度外観検査の必要性が増してい
る。中でも工程中へインライン化可能で検査によりリー
ドに不良を生じさせない構成をとる、簡易外観検査装置
の提供が必要である。
リード成形状態の高精度外観検査の必要性が増してい
る。中でも工程中へインライン化可能で検査によりリー
ドに不良を生じさせない構成をとる、簡易外観検査装置
の提供が必要である。
【０００３】従来のこの種の半導体装置リード検査装置
が特開平７−５５４４１号公報に記載されている。同公
報に記載されているリード検査装置について図９を参照
して説明する。同図に示されているように従来のリード
検査装置は、半導体装置１のリード２を搭載する置台１
０と、この置台１０よりも内側に取り付けられ、照明光
源４からの照明光のリード２による影像を図中下方へ反
射させるプリズム９０と、この投影光を受光するための
撮像装置７とから構成されている。
が特開平７−５５４４１号公報に記載されている。同公
報に記載されているリード検査装置について図９を参照
して説明する。同図に示されているように従来のリード
検査装置は、半導体装置１のリード２を搭載する置台１
０と、この置台１０よりも内側に取り付けられ、照明光
源４からの照明光のリード２による影像を図中下方へ反
射させるプリズム９０と、この投影光を受光するための
撮像装置７とから構成されている。
【０００４】この検査装置においては、半導体装置１の
リード２側面に照射された照明光源４からの照明光の影
を、プリズム９０により図中下方に導き、半導体装置１
下面に設置された撮像装置７で読取り、リードの浮きや
コプラナリティを検出する装置である。
リード２側面に照射された照明光源４からの照明光の影
を、プリズム９０により図中下方に導き、半導体装置１
下面に設置された撮像装置７で読取り、リードの浮きや
コプラナリティを検出する装置である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した公報
に記載されている検査装置では、リード成形によるスタ
ンドオフがないデバイスに対して検査適用は困難であ
る。これを解決するために、特開平７−９８２１６号公
報に記載されている検査装置では、スタンドオフがない
デバイスに関しても検査適用可能である。
に記載されている検査装置では、リード成形によるスタ
ンドオフがないデバイスに対して検査適用は困難であ
る。これを解決するために、特開平７−９８２１６号公
報に記載されている検査装置では、スタンドオフがない
デバイスに関しても検査適用可能である。
【０００６】同公報に記載されている検査装置は、図１
０に示されているように、半導体装置１のリード２を搭
載する置台１０と、図示せぬ照明光源からの照明光のリ
ード２による影像を図中上方へ反射させるプリズム９０
と、この投影光を受光するための撮像装置７とから構成
されている。
０に示されているように、半導体装置１のリード２を搭
載する置台１０と、図示せぬ照明光源からの照明光のリ
ード２による影像を図中上方へ反射させるプリズム９０
と、この投影光を受光するための撮像装置７とから構成
されている。
【０００７】しかしながら、同図の検査装置において
は、フラットリードパッケージ等、リード成形によるス
タンドオフが半導体装置１にない場合、置台１０とリー
ド２のフラット部実装面とが接触してしまう。このた
め、撮像装置７でのリード識別が困難であるという欠点
がある。
は、フラットリードパッケージ等、リード成形によるス
タンドオフが半導体装置１にない場合、置台１０とリー
ド２のフラット部実装面とが接触してしまう。このた
め、撮像装置７でのリード識別が困難であるという欠点
がある。
【０００８】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的はフラットリー
ドパッケージについてのリード検査を確実に行うことの
できるリード検査装置を提供することである。
るためになされたものであり、その目的はフラットリー
ドパッケージについてのリード検査を確実に行うことの
できるリード検査装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるリード検査
装置は、自パッケージの底面と略同一の面内に引出され
たリードを有し、このリードと基板上の配線とが電気的
に接続されることにより、前記基板に表面実装される半
導体装置についてのリード検査装置であって、前記リー
ドの第１及び第２主面に光を照射する光照射手段と、こ
の光が照射されたリードをその引出し方向から撮像する
撮像手段とを含み、前記撮像手段の撮像内容によって前
記リードの検査をするようにしたことを特徴とする。
装置は、自パッケージの底面と略同一の面内に引出され
たリードを有し、このリードと基板上の配線とが電気的
に接続されることにより、前記基板に表面実装される半
導体装置についてのリード検査装置であって、前記リー
ドの第１及び第２主面に光を照射する光照射手段と、こ
の光が照射されたリードをその引出し方向から撮像する
撮像手段とを含み、前記撮像手段の撮像内容によって前
記リードの検査をするようにしたことを特徴とする。
【００１０】本発明による他のリード検査装置は、上記
の構成に、前記リードの第１及び第２主面によってそれ
ぞれ反射された光を反射してその反射光をも前記撮像手
段に撮像させるための光反射手段を更に含むことを特徴
とする。
の構成に、前記リードの第１及び第２主面によってそれ
ぞれ反射された光を反射してその反射光をも前記撮像手
段に撮像させるための光反射手段を更に含むことを特徴
とする。
【００１１】また、前記光反射手段は、前記リードの第
１主面の近傍及び第２主面の近傍にそれぞれ設けられ該
リードへの光を通過させかつ該リードからの光を前記撮
像手段側に反射する第１及び第２のビームスプリッタで
あることを特徴とする。そして、前記撮像手段により前
記リードをその引出し方向から撮像した画像と前記光反
射手段及び前記撮像手段により前記リードの第１及び第
２主面を撮像した画像とを同一画面に表示する画像表示
手段を更に含むことを特徴とする。
１主面の近傍及び第２主面の近傍にそれぞれ設けられ該
リードへの光を通過させかつ該リードからの光を前記撮
像手段側に反射する第１及び第２のビームスプリッタで
あることを特徴とする。そして、前記撮像手段により前
記リードをその引出し方向から撮像した画像と前記光反
射手段及び前記撮像手段により前記リードの第１及び第
２主面を撮像した画像とを同一画面に表示する画像表示
手段を更に含むことを特徴とする。
【００１２】本発明による更に他のリード検査装置は、
上記の構成に、前記リードと前記撮像手段との間に設け
られ前記リードからの光を前記撮像手段に導くように補
正する光路補正板を更に含むことを特徴とする。
上記の構成に、前記リードと前記撮像手段との間に設け
られ前記リードからの光を前記撮像手段に導くように補
正する光路補正板を更に含むことを特徴とする。
【００１３】本発明による更に他のリード検査装置は、
自パッケージの底面と略同一の面内に引出されたリード
を有し、このリードと基板上の配線とが電気的に接続さ
れることにより、前記基板に表面実装される半導体装置
についてのリード検査装置であって、前記パッケージを
その上面方向から撮像する撮像手段と、第１の光源と、
この光源からの光を反射して前記リードの第１主面に照
射し該第１主面からの反射光を通過させて前記撮像手段
に導く第１のビームスプリッタと、第２の光源と、この
光源からの光を通過させて前記リードの第２主面に照射
し該第２主面からの反射光を反射させて前記撮像手段に
導く第２のビームスプリッタと、前記第２のビームスプ
リッタからの反射光及び前記リードの側面からの反射光
を前記撮像手段に導く第３のビームスプリッタとを含む
ことを特徴とする。
自パッケージの底面と略同一の面内に引出されたリード
を有し、このリードと基板上の配線とが電気的に接続さ
れることにより、前記基板に表面実装される半導体装置
についてのリード検査装置であって、前記パッケージを
その上面方向から撮像する撮像手段と、第１の光源と、
この光源からの光を反射して前記リードの第１主面に照
射し該第１主面からの反射光を通過させて前記撮像手段
に導く第１のビームスプリッタと、第２の光源と、この
光源からの光を通過させて前記リードの第２主面に照射
し該第２主面からの反射光を反射させて前記撮像手段に
導く第２のビームスプリッタと、前記第２のビームスプ
リッタからの反射光及び前記リードの側面からの反射光
を前記撮像手段に導く第３のビームスプリッタとを含む
ことを特徴とする。
【００１４】要するに本リード検査装置は、リード端子
が樹脂部からフラットに引き出されている形状の半導体
装置、例えばパワーミニモールドＳＯＴ−８９パッケー
ジにおいて、半導体装置リードの上面及び下面より照明
し、リードフラット部からの反射を半導体装置リード引
出し側から撮像することによりリード浮き・跳ね上げの
ような半導体装置実装面に対し上下方向の曲がりを検査
可能なリード外観検査装置である。
が樹脂部からフラットに引き出されている形状の半導体
装置、例えばパワーミニモールドＳＯＴ−８９パッケー
ジにおいて、半導体装置リードの上面及び下面より照明
し、リードフラット部からの反射を半導体装置リード引
出し側から撮像することによりリード浮き・跳ね上げの
ような半導体装置実装面に対し上下方向の曲がりを検査
可能なリード外観検査装置である。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の一形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、以下の説明におい
て参照する各図においては、他の図と同等部分には同一
符号が付されている。
いて図面を参照して説明する。なお、以下の説明におい
て参照する各図においては、他の図と同等部分には同一
符号が付されている。
【００１６】図１は本発明によるリード検査装置の実施
の一形態を示すブロック図である。同図において、本検
査装置は、半導体装置１のリード２に対しそのフラット
部上面に光を照射する光源３と、リード２のフラット部
下面に光を照射する光源４と、光源３からの照明光を透
過し、光源３の照明光によるリード２のフラット部から
の反射光を撮像装置７側へ反射するビームスプリッタ５
と、光源４からの照明光を透過し、光源４の照明光によ
るリード２のフラット部からの反射光を撮像装置７側に
反射するビームスプリッタ６と、検査中において検査対
象である半導体装置装置１を保持する置台１０とを含ん
で構成されている。
の一形態を示すブロック図である。同図において、本検
査装置は、半導体装置１のリード２に対しそのフラット
部上面に光を照射する光源３と、リード２のフラット部
下面に光を照射する光源４と、光源３からの照明光を透
過し、光源３の照明光によるリード２のフラット部から
の反射光を撮像装置７側へ反射するビームスプリッタ５
と、光源４からの照明光を透過し、光源４の照明光によ
るリード２のフラット部からの反射光を撮像装置７側に
反射するビームスプリッタ６と、検査中において検査対
象である半導体装置装置１を保持する置台１０とを含ん
で構成されている。
【００１７】また、本検査装置は、リード２のフラット
部の反射光とビームスプリッタ５及び６でそれぞれ反射
されるリード２のフラット部上下面の反射光とを撮像す
る撮像装置７と、この撮像結果について所定の画像処理
を行う画像処理装置８と、この画像処理後の画像を画面
に表示するモニタ９とを含んで構成されている。
部の反射光とビームスプリッタ５及び６でそれぞれ反射
されるリード２のフラット部上下面の反射光とを撮像す
る撮像装置７と、この撮像結果について所定の画像処理
を行う画像処理装置８と、この画像処理後の画像を画面
に表示するモニタ９とを含んで構成されている。
【００１８】なお本装置は、リード端子が樹脂部からフ
ラットに引き出されている形状の半導体装置、すなわち
パッケージの底面と略同一の面内に引出されたリードを
有し、このリードと基板上の配線とが電気的に接続され
ることにより、基板に表面実装される半導体装置に対し
て適用することができる。例えば、パワーミニモールド
ＳＯＴ（ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉｎｅ）−８９パッケー
ジについて、そのリードを検査することができる。
ラットに引き出されている形状の半導体装置、すなわち
パッケージの底面と略同一の面内に引出されたリードを
有し、このリードと基板上の配線とが電気的に接続され
ることにより、基板に表面実装される半導体装置に対し
て適用することができる。例えば、パワーミニモールド
ＳＯＴ（ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉｎｅ）−８９パッケー
ジについて、そのリードを検査することができる。
【００１９】ここでビームスプリッタ５、６と光源３、
４とは、互いに偏光方向が異なるもの同士を組合わせる
ものとする。すなわち、図２に示されているように、ビ
ームスプリッタ５は光源３からの照明光を透過し、リー
ド２フラット部から光源３側への反射光は撮像装置７側
へ反射する。これにより、撮像装置７側への光路Ａの光
が導出される。このとき、リード２で反射しない成分は
ビームスプリッタ６を透過して、光路Ｃの光となる。
４とは、互いに偏光方向が異なるもの同士を組合わせる
ものとする。すなわち、図２に示されているように、ビ
ームスプリッタ５は光源３からの照明光を透過し、リー
ド２フラット部から光源３側への反射光は撮像装置７側
へ反射する。これにより、撮像装置７側への光路Ａの光
が導出される。このとき、リード２で反射しない成分は
ビームスプリッタ６を透過して、光路Ｃの光となる。
【００２０】また、ビームスプリッタ６による光源３か
らの照明光の撮像装置７側への反射は最小限とする。な
お、ビームスプリッタ５は光源４からの照明光を透過
し、撮像装置７側への反射は最小限とする。
らの照明光の撮像装置７側への反射は最小限とする。な
お、ビームスプリッタ５は光源４からの照明光を透過
し、撮像装置７側への反射は最小限とする。
【００２１】図１に戻り、撮像装置７の出力信号は画像
処理装置８で画像処理した後、モニタ９にて画像表示さ
れる。画像処理装置８は、撮像装置７の撮像信号の２値
化及び事前に登録された正常信号との一致度検出（マッ
チング）、マッチングパターン間の距離計測ができるも
のとする。
処理装置８で画像処理した後、モニタ９にて画像表示さ
れる。画像処理装置８は、撮像装置７の撮像信号の２値
化及び事前に登録された正常信号との一致度検出（マッ
チング）、マッチングパターン間の距離計測ができるも
のとする。
【００２２】次に、本発明の半導体装置リード検査装置
の撮像例について説明する。ここでは、図１の構成の装
置で、例えば図３に示されている片側４ピン構成の半導
体装置の検査を行う場合について説明する。図３（ａ）
は半導体装置の底面図、同図（ｂ）は半導体装置の側面
図である。
の撮像例について説明する。ここでは、図１の構成の装
置で、例えば図３に示されている片側４ピン構成の半導
体装置の検査を行う場合について説明する。図３（ａ）
は半導体装置の底面図、同図（ｂ）は半導体装置の側面
図である。
【００２３】同図（ａ）を参照すると、半導体装置１
は、パッケージの底面側において、長辺の長さが５．０
８［ｍｍ］、リードのピッチが１．２７［ｍｍ］であ
る。また、リードの幅が０．４［ｍｍ］、リードの長さ
が０．６［ｍｍ］である。そして、同図（ｂ）に示され
ているように、パッケージの底面と略同一の面内に厚さ
０．１５［ｍｍ］のリードが引出されている。このリー
ドと図示せぬ基板上の配線や電極等とが電気的に接続さ
れることによって、半導体装置１が基板表面に実装され
ることになる。
は、パッケージの底面側において、長辺の長さが５．０
８［ｍｍ］、リードのピッチが１．２７［ｍｍ］であ
る。また、リードの幅が０．４［ｍｍ］、リードの長さ
が０．６［ｍｍ］である。そして、同図（ｂ）に示され
ているように、パッケージの底面と略同一の面内に厚さ
０．１５［ｍｍ］のリードが引出されている。このリー
ドと図示せぬ基板上の配線や電極等とが電気的に接続さ
れることによって、半導体装置１が基板表面に実装され
ることになる。
【００２４】この図３に示されている形状の半導体装置
１を検査した場合、撮像装置７に取込まれる像は図４に
示されているようになる。同図（ａ）に示されている撮
像例において得られる像は、半導体装置１の上方から見
た像をビームスプリッタ５で反射して導出したリードフ
ラット部上面像３１ａと、リード２からの反射光による
リード浮き検出像３０ａ、半導体装置１の下方から見た
像をビームスプリッタ６で反射して導出したリードフラ
ット部下面像３２ａとから構成される。なお、ここで
は、撮像装置７に取付られた光学系や画像処理装置８に
よる、レンズ入射像の反転・回転は無きものとする。
１を検査した場合、撮像装置７に取込まれる像は図４に
示されているようになる。同図（ａ）に示されている撮
像例において得られる像は、半導体装置１の上方から見
た像をビームスプリッタ５で反射して導出したリードフ
ラット部上面像３１ａと、リード２からの反射光による
リード浮き検出像３０ａ、半導体装置１の下方から見た
像をビームスプリッタ６で反射して導出したリードフラ
ット部下面像３２ａとから構成される。なお、ここで
は、撮像装置７に取付られた光学系や画像処理装置８に
よる、レンズ入射像の反転・回転は無きものとする。
【００２５】半導体装置１のリード２のフラット部上面
像３１を参照すると、リード曲がり、フラット部形状、
キズ及びメッキ状態を検査することができる。リード曲
がりは図５（ａ）に示されているように、リード２のモ
ールド側付け根のセンタＣ０とリード先端のセンタＣ１
との間の距離ΔＬを計測することで判定できる。この距
離の測定は、画像処理装置８に予め登録したマッチング
パターンと類似するパターンを撮像装置７の出力像から
検出することによって行う。
像３１を参照すると、リード曲がり、フラット部形状、
キズ及びメッキ状態を検査することができる。リード曲
がりは図５（ａ）に示されているように、リード２のモ
ールド側付け根のセンタＣ０とリード先端のセンタＣ１
との間の距離ΔＬを計測することで判定できる。この距
離の測定は、画像処理装置８に予め登録したマッチング
パターンと類似するパターンを撮像装置７の出力像から
検出することによって行う。
【００２６】半導体装置１については、実装対象によっ
て距離ΔＬの許容範囲が予め設定されているものとす
る。そして、画像処理装置８は距離ΔＬの計測値が許容
範囲外である場合には、不良品であると判定する。
て距離ΔＬの許容範囲が予め設定されているものとす
る。そして、画像処理装置８は距離ΔＬの計測値が許容
範囲外である場合には、不良品であると判定する。
【００２７】また、リード表面のキズや欠けは、撮像装
置７の出力の二値化信号を参照して判定する。この場
合、良品を用いて予め計測しておいたリード２のフラッ
ト部の標準面積範囲（画素数）を設定しておき、画像処
理装置８は検査対象のリード面積が入らない場合に不良
品であると判定する。
置７の出力の二値化信号を参照して判定する。この場
合、良品を用いて予め計測しておいたリード２のフラッ
ト部の標準面積範囲（画素数）を設定しておき、画像処
理装置８は検査対象のリード面積が入らない場合に不良
品であると判定する。
【００２８】同様に、リード２のフラット部下面像３２
を参照すれば、半導体装置実装面側のフラット部キズ、
メッキ状態を検査することができる。
を参照すれば、半導体装置実装面側のフラット部キズ、
メッキ状態を検査することができる。
【００２９】一方、リード浮き検出像３０を参照すれ
ば、リードフラット部の浮き・跳ね上げ状態を検査する
ことができる。例えば、図２に示されているように、フ
ラット部が実装面側（図中下側）に曲がっている場合に
は、光源３による反射光に撮像装置７側への成分が生じ
る。ここで、例えばリード２の長さをＬとし曲がり角度
をθとすると、Ｌ×ｓｉｎθに比例した高さを持つ反射
像が得られることになる。同様に、リード２が実装面と
反対側（図中上側）に曲がっている場合には、光源４に
よる反射光が撮像装置７側に生じる。
ば、リードフラット部の浮き・跳ね上げ状態を検査する
ことができる。例えば、図２に示されているように、フ
ラット部が実装面側（図中下側）に曲がっている場合に
は、光源３による反射光に撮像装置７側への成分が生じ
る。ここで、例えばリード２の長さをＬとし曲がり角度
をθとすると、Ｌ×ｓｉｎθに比例した高さを持つ反射
像が得られることになる。同様に、リード２が実装面と
反対側（図中上側）に曲がっている場合には、光源４に
よる反射光が撮像装置７側に生じる。
【００３０】図４（ａ）のように導出されて撮像装置７
で撮像された像は、画像処理装置８で二値化処理される
ことによって、同図（ｂ）に示されているような画像と
なる。同図（ｂ）には、同図（ａ）の各像３０ａ〜３２
ａにそれぞれ対応する、リード上面像３１ｂ、リード下
面像３２ｂ、リード浮き検出像３０ｂが示されている。
なお、図中のＨは半導体装置のモールド底面基準線であ
る。
で撮像された像は、画像処理装置８で二値化処理される
ことによって、同図（ｂ）に示されているような画像と
なる。同図（ｂ）には、同図（ａ）の各像３０ａ〜３２
ａにそれぞれ対応する、リード上面像３１ｂ、リード下
面像３２ｂ、リード浮き検出像３０ｂが示されている。
なお、図中のＨは半導体装置のモールド底面基準線であ
る。
【００３１】同図（ｂ）中の（１）及び（４）には上側
に曲がった状態、（２）には下側に曲がった状態が示さ
れている。同図中の（３）には曲がらず、正常な状態が
示されている。
に曲がった状態、（２）には下側に曲がった状態が示さ
れている。同図中の（３）には曲がらず、正常な状態が
示されている。
【００３２】ここで、リード２の浮き・跳ね上げの許容
範囲は、実装時の基板側半田量（半田高さ）によって規
定される。図３に示されている半導体装置を検査する場
合、半田高さを３０［μｍ］とすると、浮き高さ３０
［μｍ］に相当する長さ（画素数）を検出可能な分解能
が画像処理装置８に必要である。例えば、一般的な画像
処理装置の分解能は撮像に対し５１２×５１２画素であ
り、図３に示されている半導体装置の全長を５．０８
［ｍｍ］とすると、１画素あたり約１０［μｍ］の画素
分解能を得ることができる。
範囲は、実装時の基板側半田量（半田高さ）によって規
定される。図３に示されている半導体装置を検査する場
合、半田高さを３０［μｍ］とすると、浮き高さ３０
［μｍ］に相当する長さ（画素数）を検出可能な分解能
が画像処理装置８に必要である。例えば、一般的な画像
処理装置の分解能は撮像に対し５１２×５１２画素であ
り、図３に示されている半導体装置の全長を５．０８
［ｍｍ］とすると、１画素あたり約１０［μｍ］の画素
分解能を得ることができる。
【００３３】この場合、リード浮き・跳ね上げ許容値３
０［μｍ］は３画素分に相当するため充分検出可能であ
り、上記の画像処理装置８を用いた場合にはリードピッ
チが１．２７［ｍｍ］の半導体装置では最大１６ピンま
でのものについて検査をすることができる。
０［μｍ］は３画素分に相当するため充分検出可能であ
り、上記の画像処理装置８を用いた場合にはリードピッ
チが１．２７［ｍｍ］の半導体装置では最大１６ピンま
でのものについて検査をすることができる。
【００３４】ところで、図３に示されている半導体装置
１のリード２においては、下側（実装面側）に、片側４
本のリードが同一状態で曲がっていなければならない
（コプラナリティ）。例えば、３本のリードが下側（実
装面側）に曲がり、１本のリードが上側（実装面と反対
側）に曲がっている場合には、各々のリード曲がりが許
容範囲内でも上側に曲がった１本のリードが実装時に基
板上の配線等と接続できない可能性がある。
１のリード２においては、下側（実装面側）に、片側４
本のリードが同一状態で曲がっていなければならない
（コプラナリティ）。例えば、３本のリードが下側（実
装面側）に曲がり、１本のリードが上側（実装面と反対
側）に曲がっている場合には、各々のリード曲がりが許
容範囲内でも上側に曲がった１本のリードが実装時に基
板上の配線等と接続できない可能性がある。
【００３５】図１に示されている実施例では、撮像装置
１と置台１０との位置関係は固定であるため、図４
（ｂ）の二値化例に示されているモールド底面基準を画
像処理装置８に設定し、基準に対するリード浮き・バラ
ツキの判定を行う。例えば、半田高さを３０［μｍ］と
するときのバラツキの許容範囲は３０［μｍ］とする。
１と置台１０との位置関係は固定であるため、図４
（ｂ）の二値化例に示されているモールド底面基準を画
像処理装置８に設定し、基準に対するリード浮き・バラ
ツキの判定を行う。例えば、半田高さを３０［μｍ］と
するときのバラツキの許容範囲は３０［μｍ］とする。
【００３６】また、半導体装置１のリードは半導体ペレ
ットを実装するアイランド部等と共にリードフレームと
呼ばれるフレームに多数個取りの形態で構成される。そ
して、リードフレーム状態で半導体素子（ペレット）の
実装・ボンディング・樹脂封入を行い、組み立ての最終
段階で個辺に切り出されるのが一般的である。この切り
出し方法には、レーザカット等、カット断面に影響の少
ない方法が知られている。しかしながら一般的には、金
型を用いたシェアによるカッティングが多く用いられて
いる。この金型を用いた場合には、断面へのバリや端面
のダレが生じることがある。
ットを実装するアイランド部等と共にリードフレームと
呼ばれるフレームに多数個取りの形態で構成される。そ
して、リードフレーム状態で半導体素子（ペレット）の
実装・ボンディング・樹脂封入を行い、組み立ての最終
段階で個辺に切り出されるのが一般的である。この切り
出し方法には、レーザカット等、カット断面に影響の少
ない方法が知られている。しかしながら一般的には、金
型を用いたシェアによるカッティングが多く用いられて
いる。この金型を用いた場合には、断面へのバリや端面
のダレが生じることがある。
【００３７】図６には、バリの例が示されている。すな
わち、同図に示されているように、カッティング時の切
断面であるリード端部２２が図中上方に反り返ることに
よってバリ状態になっている。このようなバリやダレが
あるリード端面では、リード２自体にはリードフラット
部の上面２０及び下面２１において、上下方向の曲がり
が無いにも関わらず、照明３、４の反射が生じる可能性
がある。つまり、図中の光路４０のように、リード端部
２２で光源３からの光を撮像装置７方向へ反射すること
がある。
わち、同図に示されているように、カッティング時の切
断面であるリード端部２２が図中上方に反り返ることに
よってバリ状態になっている。このようなバリやダレが
あるリード端面では、リード２自体にはリードフラット
部の上面２０及び下面２１において、上下方向の曲がり
が無いにも関わらず、照明３、４の反射が生じる可能性
がある。つまり、図中の光路４０のように、リード端部
２２で光源３からの光を撮像装置７方向へ反射すること
がある。
【００３８】ただし、バリ・ダレによる反射光は、リー
ド曲がりによる反射光よりも撮像装置７方向への反射輝
度が高い。このため、図４（ａ）に示されている撮像例
において撮像結果の高輝度側と低輝度を除去すること
で、同図（ｂ）に示されている二値化例のようにリード
２のフラット部の実際の反射光のみを導出することがで
きる。
ド曲がりによる反射光よりも撮像装置７方向への反射輝
度が高い。このため、図４（ａ）に示されている撮像例
において撮像結果の高輝度側と低輝度を除去すること
で、同図（ｂ）に示されている二値化例のようにリード
２のフラット部の実際の反射光のみを導出することがで
きる。
【００３９】かかる構成において、被検査対象の半導体
装置１のリード２の上面及び下面から光源３及び４によ
りリード２のフラット部上面及び下面を照明し、フラッ
ト部からの反射光を撮像装置７にて撮像する。こうする
ことで、リード２の上下方向の曲がりを検出する。ま
た、光源３及び４からの照明光のリード２フラット部か
らの反射をビームスプリッタ５及び６で撮像装置側へ反
射させることにより、リード２の上下方向曲がり検出と
同時にフラット部キズやリード曲がりを検査することが
できる。図５（ｂ）に示されている正常形状に対し、図
５（ｃ）に示されているようなリード欠け状態や図５
（ｄ）に示されているようなリードキズ状態を検出する
ことができる。
装置１のリード２の上面及び下面から光源３及び４によ
りリード２のフラット部上面及び下面を照明し、フラッ
ト部からの反射光を撮像装置７にて撮像する。こうする
ことで、リード２の上下方向の曲がりを検出する。ま
た、光源３及び４からの照明光のリード２フラット部か
らの反射をビームスプリッタ５及び６で撮像装置側へ反
射させることにより、リード２の上下方向曲がり検出と
同時にフラット部キズやリード曲がりを検査することが
できる。図５（ｂ）に示されている正常形状に対し、図
５（ｃ）に示されているようなリード欠け状態や図５
（ｄ）に示されているようなリードキズ状態を検出する
ことができる。
【００４０】ここで検査に際して半導体装置１は、置台
１０にモールド底面を保持するようにセットされる。撮
像装置７の出力は画像処理装置８で処理した後、モニタ
９に表示される。本構成によれば、リードにダメージを
与えること無く、モールド底面を基準としリードの上下
方向の曲がりを検査することができるのである。
１０にモールド底面を保持するようにセットされる。撮
像装置７の出力は画像処理装置８で処理した後、モニタ
９に表示される。本構成によれば、リードにダメージを
与えること無く、モールド底面を基準としリードの上下
方向の曲がりを検査することができるのである。
【００４１】以上のように本装置によれば、半導体装置
のリード検査、特にフラットリードパッケージ用のリー
ド不良のうち、リード浮き、リード曲がり、フラット部
形状についての検査を行うために、複数の角度からのリ
ード像を１台の撮像装置で撮影することができるのであ
る。また、本装置では、被検査対象の半導体装置をリー
ドではなくモールド下面で保持するので、検査によるリ
ード曲げが生じないのである。さらに、１台のカメラで
複数方向からの検査を同時に行うことができるので、装
置のコストを低減できるのである。
のリード検査、特にフラットリードパッケージ用のリー
ド不良のうち、リード浮き、リード曲がり、フラット部
形状についての検査を行うために、複数の角度からのリ
ード像を１台の撮像装置で撮影することができるのであ
る。また、本装置では、被検査対象の半導体装置をリー
ドではなくモールド下面で保持するので、検査によるリ
ード曲げが生じないのである。さらに、１台のカメラで
複数方向からの検査を同時に行うことができるので、装
置のコストを低減できるのである。
【００４２】そして、本装置においては、撮像装置７に
よりリード２をその引出し方向から撮像した画像と、リ
ード２の上面及び下面を撮像した画像とを、モニタ９の
同一画面に表示しているので、検査が容易に行えるので
ある。
よりリード２をその引出し方向から撮像した画像と、リ
ード２の上面及び下面を撮像した画像とを、モニタ９の
同一画面に表示しているので、検査が容易に行えるので
ある。
【００４３】なお、図１に示されている例では、ビーム
スプリッタ５、６及び撮像装置７を半導体装置のリード
の片側のみに構成している。リード引出方向全ての側に
ビームスプリッタ及び撮像装置を取付ければ、全てのリ
ードを同時に検査できることは明らかである。
スプリッタ５、６及び撮像装置７を半導体装置のリード
の片側のみに構成している。リード引出方向全ての側に
ビームスプリッタ及び撮像装置を取付ければ、全てのリ
ードを同時に検査できることは明らかである。
【００４４】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。図１の実施例のようにリード２のフラット部とビー
ムスプリッタとの距離が長い場合には、撮像装置７への
像光路差が生じる可能性がある。そこで、光路を補正す
るために、リードフラット部からの直接反射光を光路補
正した例が図７に示されている。同図においては、リー
ド２と撮像装置７との間に、光路補正板８が設けられて
いる。この光路補正板８を追加することにより、フラッ
ト部とビームスプリッタとの距離が長い場合でも、リー
ド２からの光が撮像装置７に導かれるように補正され
る。
る。図１の実施例のようにリード２のフラット部とビー
ムスプリッタとの距離が長い場合には、撮像装置７への
像光路差が生じる可能性がある。そこで、光路を補正す
るために、リードフラット部からの直接反射光を光路補
正した例が図７に示されている。同図においては、リー
ド２と撮像装置７との間に、光路補正板８が設けられて
いる。この光路補正板８を追加することにより、フラッ
ト部とビームスプリッタとの距離が長い場合でも、リー
ド２からの光が撮像装置７に導かれるように補正され
る。
【００４５】さらに本発明の他の実施例について説明す
る。半導体装置１の樹脂表面状態も検査するために、撮
像装置を半導体装置上面側にセットした例が図８に示さ
れている。同図において、図１の構成と異なる点は、ビ
ームスプリッタ１１を追加すると共に、光源３及び撮像
装置７の位置を変更した点である。同図においては、光
源３を半導体装置１のリード引き出し側面側にセット
し、光源３からの照明光をビームスプリッタ５でリード
２のフラット部側に反射している。そして、リードフラ
ット部からの反射光はビームスプリッタ５を透過する構
成としている。こうすることで、１台のカメラで全ての
リードを検査することができる。
る。半導体装置１の樹脂表面状態も検査するために、撮
像装置を半導体装置上面側にセットした例が図８に示さ
れている。同図において、図１の構成と異なる点は、ビ
ームスプリッタ１１を追加すると共に、光源３及び撮像
装置７の位置を変更した点である。同図においては、光
源３を半導体装置１のリード引き出し側面側にセット
し、光源３からの照明光をビームスプリッタ５でリード
２のフラット部側に反射している。そして、リードフラ
ット部からの反射光はビームスプリッタ５を透過する構
成としている。こうすることで、１台のカメラで全ての
リードを検査することができる。
【００４６】要するに、この実施例では、パッケージを
その上面方向から撮像する位置に撮像装置７を設け、光
源３からの光を反射してリード２のフラット部上面に照
射しその反射光を通過させて撮像装置７に導くビームス
プリッタ５が設けられている。さらに本実施例では、光
源４からの光を通過させてリード２のフラット部下面に
照射しその反射光を反射させて撮像装置７に導くビーム
スプリッタ６と、このビームスプリッタ６からの反射光
及びリード２の側面（端面）からの反射光を撮像装置７
に導くビームスプリッタ１１とを含む構成である。
その上面方向から撮像する位置に撮像装置７を設け、光
源３からの光を反射してリード２のフラット部上面に照
射しその反射光を通過させて撮像装置７に導くビームス
プリッタ５が設けられている。さらに本実施例では、光
源４からの光を通過させてリード２のフラット部下面に
照射しその反射光を反射させて撮像装置７に導くビーム
スプリッタ６と、このビームスプリッタ６からの反射光
及びリード２の側面（端面）からの反射光を撮像装置７
に導くビームスプリッタ１１とを含む構成である。
【００４７】かかる構成により、リードの検査と同時
に、半導体装置１の樹脂表面状態も検査することができ
るのである。
に、半導体装置１の樹脂表面状態も検査することができ
るのである。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光が照射
されたリードをその引出し方向から撮像することによ
り、半導体装置のリード検査、特にフラットリードパッ
ケージ用のリード不良の内、リード浮き、リード曲が
り、フラット部形状の検査において、複数の角度からの
リード像について撮像装置を１台だけ用いて検査するこ
とができるという効果がある。また、被検査対象の半導
体装置をリードではなくモールド下面で保持するため、
検査によるリード曲げが生じないという効果がある。さ
らに、１台のカメラで複数方向からの検査を同時に検査
することができ、装置の低コスト化を実現できるという
効果がある。
されたリードをその引出し方向から撮像することによ
り、半導体装置のリード検査、特にフラットリードパッ
ケージ用のリード不良の内、リード浮き、リード曲が
り、フラット部形状の検査において、複数の角度からの
リード像について撮像装置を１台だけ用いて検査するこ
とができるという効果がある。また、被検査対象の半導
体装置をリードではなくモールド下面で保持するため、
検査によるリード曲げが生じないという効果がある。さ
らに、１台のカメラで複数方向からの検査を同時に検査
することができ、装置の低コスト化を実現できるという
効果がある。
【図１】本発明の実施の一形態によるリード検査装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】リード曲り状態に対する光源からの照射光の光
路を示す図である。
路を示す図である。
【図３】（ａ）は半導体装置の底面図、（ｂ）は半導体
装置の側面図である。
装置の側面図である。
【図４】（ａ）は撮像装置で撮像された像を示す図、
（ｂ）は画像処理装置で二値化処理されることによって
得られる画像である。
（ｂ）は画像処理装置で二値化処理されることによって
得られる画像である。
【図５】（ａ）はリード曲がり状態を示す図、（ｂ）は
正常形状を示す図、（ｃ）はリード欠け状態を示す図、
（ｄ）はリードキズ状態を示す図である。
正常形状を示す図、（ｃ）はリード欠け状態を示す図、
（ｄ）はリードキズ状態を示す図である。
【図６】リードのバリの例を示す図である
【図７】リードフラット部からの直接反射光を光路補正
する機能を追加した実施例の構成を示す図である。
する機能を追加した実施例の構成を示す図である。
【図８】撮像装置を半導体装置上面側にセットした実施
例の構成を示す図である。
例の構成を示す図である。
【図９】従来のリード検査装置の構成を示す図である。
【図１０】従来の他のリード検査装置の構成を示す図で
ある。
ある。
１ 半導体装置 ２ リード ３，４ 光源 ５，６，１１ ビームスプリッタ ７ 撮像装置 ８ 光路補正板 ９ モニタ １０ 置台
Claims (7)
- 【請求項１】 自パッケージの底面と略同一の面内に引
出されたリードを有し、このリードと基板上の配線とが
電気的に接続されることにより、前記基板に表面実装さ
れる半導体装置についてのリード検査装置であって、前
記リードの第１及び第２主面に光を照射する光照射手段
と、この光が照射されたリードをその引出し方向から撮
像する撮像手段とを含み、前記撮像手段の撮像内容によ
って前記リードの検査をするようにしたことを特徴とす
るリード検査装置。 - 【請求項２】 前記リードの第１及び第２主面によって
それぞれ反射された光を反射してその反射光をも前記撮
像手段に撮像させるための光反射手段を更に含むことを
特徴とする請求項１記載のリード検査装置。 - 【請求項３】 前記光反射手段は、前記リードの第１主
面の近傍及び第２主面の近傍にそれぞれ設けられ該リー
ドへの光を通過させかつ該リードからの光を前記撮像手
段側に反射する第１及び第２のビームスプリッタである
ことを特徴とする請求項２記載のリード検査装置。 - 【請求項４】 前記撮像手段により前記リードをその引
出し方向から撮像した画像と前記光反射手段及び前記撮
像手段により前記リードの第１及び第２主面を撮像した
画像とを同一画面に表示する画像表示手段を更に含むこ
とを特徴とする請求項２又は３記載のリード検査装置。 - 【請求項５】 前記リードと前記撮像手段との間に設け
られ前記リードからの光を前記撮像手段に導くように補
正する光路補正板を更に含むことを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載のリード検査装置。 - 【請求項６】 自パッケージの底面と略同一の面内に引
出されたリードを有し、このリードと基板上の配線とが
電気的に接続されることにより、前記基板に表面実装さ
れる半導体装置についてのリード検査装置であって、前
記パッケージをその上面方向から撮像する撮像手段と、
第１の光源と、この光源からの光を反射して前記リード
の第１主面に照射し該第１主面からの反射光を通過させ
て前記撮像手段に導く第１のビームスプリッタと、第２
の光源と、この光源からの光を通過させて前記リードの
第２主面に照射し該第２主面からの反射光を反射させて
前記撮像手段に導く第２のビームスプリッタと、前記第
２のビームスプリッタからの反射光及び前記リードの側
面からの反射光を前記撮像手段に導く第３のビームスプ
リッタとを含むことを特徴とするリード検査装置。 - 【請求項７】 前記撮像手段により撮像した前記パッケ
ージの上面の画像と前記第１〜第３のビームスプリッタ
によって導かれた光による画像とを同一画面に表示する
画像表示手段を更に含むことを特徴とする請求項６記載
のリード検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11300299A JP3444228B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体装置のリード検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11300299A JP3444228B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体装置のリード検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000304517A true JP2000304517A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3444228B2 JP3444228B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=14600992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11300299A Expired - Lifetime JP3444228B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体装置のリード検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3444228B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100929385B1 (ko) * | 2002-10-23 | 2009-12-02 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 검사장치 |
| CN119354050A (zh) * | 2024-12-24 | 2025-01-24 | 德中(深圳)激光智能科技有限公司 | 一种pin针共面度检测设备及其检测方法 |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11300299A patent/JP3444228B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100929385B1 (ko) * | 2002-10-23 | 2009-12-02 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 검사장치 |
| CN119354050A (zh) * | 2024-12-24 | 2025-01-24 | 德中(深圳)激光智能科技有限公司 | 一种pin针共面度检测设备及其检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3444228B2 (ja) | 2003-09-08 |
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