JP2000304806A - 半導体機器のテスト用ソケット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトと外部接続端子の良好な電気的接
触を安定且つ継続的に行うことができ、外部接続端子の
表面に塵埃が付着されたままの状態で出荷されるのを防
止することが可能な半導体機器のテスト用ソケットを提
供する。 【解決手段】 半導体機器６の外部接続端子６ａに接触
し且つ接触面上を摺動する第１のコンタクト８と、外部
接続端子６ａの第１のコンタクト８が接触する接触面上
に第１のコンタクト８より遅れて接触する第２のコンタ
クト９とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体機器の電
気的特性のテストを行うためのテスト用ソケットに係
り、特に半導体機器の外部接続端子に接触して電気的接
触を得るコンタクトの構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種従来の半導体機器のテスト用ソケ
ットは、ばね性を有する部材をプレス加工により所定の
形状に打ち抜き、例えば図９に示すように折曲させて緩
衝部１ａを形成したコンタクト１と、絶縁部材でなりコ
ンタクト１を保持して固定するハウジング２とで構成さ
れ、テストを行うには、台座３で支持される半導体機器
４から導出された外部接続端子４ａに、コンタクト１の
先端を当接させ、これに外部接続端子４ａを押え治具５
で押し付けるようにしてなされている。

【０００３】ところで、半導体機器４の外部接続端子４
ａの表面には塵埃が付着していることが多く、その場
合、この塵埃がコンタクト１と外部接続端子４ａの間の
電気的接触を妨げ、良好な電気的接触を安定して得るこ
とができなかった。又、塵埃が介在しない場合でも、外
部接続端子４ａの表面には酸化被膜が存在し且つその電
気抵抗は高い。このため、コンタクト１を外部接続端子
４ａに対して十分摺動させることにより、酸化被膜を破
壊して接触面積の拡大を図り、良好な電気的接触を得る
ようになされている。

【０００４】さらに又、特開昭５８−１９９５４５号公
報では、コンタクトの先端に尖鋭な突起体を複数形成す
ることにより、塵埃が付着していてもこれを避けるとと
もに、酸化被膜の破壊、接触面積の拡大を図り、コネク
タと外部接続端子の間の良好な電気的接触を可能にする
ことが開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体機器のテ
スト用ソケットでは、塵埃が付着している場合はこれを
避け、表面に酸化被膜が存在している場合はこれを破壊
して接触面積の拡大を図ってテストを行うことにより、
良好な電気的接触を得て良品と判別され、外部接続端子
の表面に塵埃が付着したままの状態で出荷される場合が
生じる。一方、客先すなわち半導体機器を購入した業者
では、製品に対してデータの書き込みを行うことがある
が、この時に、付着されたままの塵埃が良好な電気的接
触を妨げ、データの書き込みが適切に行えない場合が発
生するという問題点がある。

【０００６】又、テストによりコンタクトと外部接続端
子の間の摺動による摩擦が繰り返されると、主に外部接
続端子を構成する部材やそれらの酸化物等でなる凝着物
がコンタクトの表面に堆積していき、これら凝着物が良
好な電気的接触を妨げる。そのため、コンタクトの表面
が清浄な状態では良好な電気的接触が得られるが、テス
トを繰り返すうちに良好な電気的接触が得られなくなる
ため、良品であるにもかかわらず不良品と判別してしま
い、良好な電気的接触を継続的に得ることができないと
いう問題点があった。

【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、コンタクトと外部接続端子の良
好な電気的接触を安定且つ継続的に行うことができ、外
部接続端子の表面に塵埃が付着されたままの状態で出荷
されるのを防止することが可能な半導体機器のテスト用
ソケットを提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体機器のテスト用ソケットは、半導体機器の外部
接続端子に接触し且つ接触面上を摺動する第１のコンタ
クトと、外部接続端子の第１のコンタクトが接触する接
触面上に第１のコンタクトより遅れて接触する第２のコ
ンタクトとを備えたものである。

【０００９】又、この発明の請求項２に係る半導体機器
のテスト用ソケットは、請求項１において、第２のコン
タクトの外部接続端子と接触する部分を球状に形成した
ものである。

【００１０】又、この発明の請求項３に係る半導体機器
のテスト用ソケットは、請求項２において、球状部の表
面に根元に空洞を有する多数の凸部を形成したものであ
る。

【００１１】又、この発明の請求項４に係る半導体機器
のテスト用ソケットは、請求項３において、凸部先端の
曲率半径を外部接続端子の最表層を形成する部材の厚さ
とほぼ同様の値で形成したものである。

【００１２】又、この発明の請求項５に係る半導体機器
のテスト用ソケットは、請求項１において、第１のコン
タクトが外部接続端子の接触面上を摺動する際に、その
一部が第２のコンタクトの外部接続端子と接触する部分
に接触するように構成したものである。

【００１３】又、この発明の請求項６に係る半導体機器
のテスト用ソケットは、請求項５において、第１のコン
タクトの第２のコンタクトと接触する部分に多数の凹凸
を形成したものである。

【００１４】又、この発明の請求項７に係る半導体機器
のテスト用ソケットは、請求項１ないし６のいずれかに
おいて、両コンタクトの外部接続端子と接触する部分に
導電性を有する硬質被膜を形成したものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態を図に基づいて説明する。図１はこの発明の
実施の形態１における半導体機器のテスト用ソケットの
コンタクト部の構成を示す正面図、図２は図１における
コンタクト部の動作を示す正面図、図３は図１における
第２のコンタクトの先端部の形状を示す斜視図、図４は
図３における第２のコンタクトの先端部に凝着物が堆積
する状態を従来のコンタクトにおける状態と比較して示
す模式図、図５は図３における第２のコンタクトの先端
部の形状の一例を拡大して示す断面図、図６は図５にお
ける第２のコンタクトの先端部に凝着物が堆積した状態
を模式して示す断面図である。

【００１６】図において、６は台座（図示せず）に支持
された例えばＩＣ等でなる半導体機器で、板厚が２００
μｍの４２アロイ材でなり、表面に厚さ１０μｍのはん
だめっき被膜が形成された外部接続端子６ａが周囲から
導出されている。７は板状のベリウムをプレス加工にて
所定の形状に打ち抜いて形成されるコンタクトで、撓み
部８ａを介して先端部８ｂが半導体機器６の外部接続端
子６ａに接触し、且つ接触面上を摺動可能に形成された
第１のコンタクト８と、この第１のコンタクト８と一体
に連結され、先端部９ａが第１のコンタクト８の先端部
８ｂが接触する接触面上に、第１のコンタクト８の先端
部８ｂより遅れて接触可能に形成された第２のコンタク
ト９とで構成され、第２のコンタクト９が絶縁部材でな
るハウジング（図示せず）により保持して固定されてい
る。

【００１７】そして、第２のコンタクト９の外部接続端
子６ａと接触する先端部９ａは球状に形成され、その球
状部は放電加工により表面粗さ１０μｍＲｙ程度の粗面
として、その表面に厚さ２μｍ〜３μｍのＮｉめっきを
行い、粗面の突起部にめっきを優先的に成長させること
により、図３に示すように根元部に空洞１０ａをそれぞ
れ有する多数の凸部１０を形成した後、さらにその上に
厚さ０．２μｍ〜０．３μｍのＡｕめっきを行ってい
る。

【００１８】上記のようにコンタクト７が構成されるこ
の発明の実施の形態１におけるテスト用ソケットで半導
体機器６のテストを行う場合、まず、半導体機器６をテ
スト用ソケットと対応する位置に設置し、次いで、図示
しない押え治具を下降させて半導体機器６の外部接続端
子６ａを下方に押し付けると、図２（Ａ）に示すように
外部接続端子６ａがコンタクト７の第１のコンタクト８
の先端部８ｂと接触して先端部８ｂを下方に押圧するた
め、第１のコンタクト８の撓み部８ａが撓んで先端部８
ｂは外部接続端子６ａとの接触面上を摺動して外方に移
動する。

【００１９】そして、この動作により外部接続端子６ａ
の表面に存在する塵埃等の異物は除去される。次いで、
さらに押え治具が下降すると、図２（Ｂ）に示すように
外部接続端子６ａの塵埃等の異物が除去され清浄となっ
た接触面は、第１のコンタクト８の先端部８ｂに続いて
第２のコンタクト９の先端部９ａに接触し、半導体機器
６の外部接続端子６ａとコンタクト７の第２のコンタク
ト９との間に良好な電気的接触が得られる。なお、第１
のコンタクト８の先端部８ｂの摺動により外部接続端子
６ａの表面から除去される塵埃等の異物が飛散して第２
のコンタクト９の先端部９ａに到達しても、先端部９ａ
が球状に形成されているため異物が自重で脱落し表面に
載って電気接触を妨げることもない。なお、空洞１０ａ
は図６に示すように凸部１０の根元部に食い込むように
形成された形状に限定されるものではなく、要するに各
凸部１０間に形成され内部に凝着物１１を堆積し得る形
状のものであれば良いことは言うまでもない。

【００２０】又、第２のコンタクト９の先端部９ａの表
面に形成された凸部１０は、外部接続端子６ａの表面に
接触すると、図６に示すように表面に形成されたはんだ
めっき被膜にくい込み、はんだめっき被膜表面に存在す
る酸化被膜を破壊するとともに、はんだめっき被膜との
接触面積を拡大する。そして、先端部９ａの表面には凸
部１０が多数形成されているので、いずれかの凸部１０
が酸化被膜の破壊と接触面積の拡大をなすことができる
ため、外部接続端子６ａと第２のコンタクト９との間
を、十分に摺動させずとも良好な接触を得ることがで
き、凝着物の発生が抑制され長期にわたって良好な電気
的接触を得ることができる。

【００２１】又、図６に示すように凸部１０がはんだめ
っき被膜にくい込むと、くい込んだ部分のはんだおよび
酸化被膜の一部は凸部１０の根元部に存在する空洞１０
ａ内に排出されて堆積していく。この堆積の様子を図４
において説明すると、第２のコンタクト９の先端部９ａ
に凸部１０が形成されていない場合には、図４（Ｂ）に
示すように先端部９ａの表面のうち外部接続端子６ａと
接触する領域全体に凝着物１１が堆積する。そして、テ
ストを繰り返すにつれて、凝着物１１が堆積している領
域の面積および厚みが増加し、良好な電気的接触が得ら
れなくなる。

【００２２】これに対して、第２のコンタクト９の先端
部９ａに根元部に空洞１０ａを有する凸部１０が形成さ
れている場合には、図４（Ａ）に示すように凝着物１１
は先端部９ａの表面に疎らに堆積される。これは、凝着
物１１は空洞１０ａに溜まるが、空洞１０ａが多数存在
するからであり、仮に空洞１０ａに凝着物１１が堆積し
たいくつかの凸部１０があったとしても、空洞１０ａに
凝着物１１が堆積していない凸部１０が他に必ず存在し
ているため、第２のコンタクト９の先端部９ａの表面の
うちいずれかの領域を介して外部接続端子６ａとの間で
良好な電気的接触を得ることができる。

【００２３】次に、上記のように第２のコンタクト９の
先端部９ａの表面に形成された凸部１０についてもう少
し詳しく説明する。まず凸部１０の頂部の曲率半径Ｒ
は、接触面積を最も効率良く得ることができる条件か
ら、外部接続端子６ａの最表層を構成する部材の厚さ、
すなわち本実施の形態１においては、はんだめっき被膜
の厚さと同程度の値にすることが望ましく、又、この凸
部１０の根元部に形成される空洞１０ａの深さＤは、浅
すぎると直ぐに埋まってしまうので、外部接続端子６ａ
の最表層を構成する部材の厚さ以上の値にすることが妥
当と考えられるため、実際には凸部１０の頂部の曲率半
径Ｒはほぼ１０μｍ、空洞１０ａの深さＤは２０μｍに
それぞれ形成されている。なお、これら凸部１０および
空洞１０ａは滑らかな曲面で構成すると凝着物１１が堆
積しにくく好ましい。

【００２４】又、これら凸部１０および空洞１０ａの形
成方法としては、プレス加工にて打ち抜いたコンタクト
において、第２のコンタクト９の先端部９ａを、放電加
工、サンドブラスト、液体ホーニング、エッチング等の
ように、加工面がある程度の粗面となる加工およびこれ
らの複合加工によりある程度の粗面に加工してその表面
にめっきを施し、粗面に存在する突起部にめっきを優先
的に成長させる方法、あるいはプレス加工でできた比較
的平滑な面に例えばＣｏ−Ｐめっきを施して、径２０μ
ｍ程度の粒状部材を固定して得る等の方法が考えられ、
又、バルク状の部材の一部領域にコイニング加工により
微小な凹凸を形成した後に、１枚１枚スライスすること
により安定した微小凹凸を形成する方法も考えられる。

【００２５】さらに又、半導体機器６の外部接続端子６
ａの表面に形成されたはんだめっき被膜の厚みは１０μ
ｍであるため、この発明の趣旨にのっとりこれと同様の
値、すなわち曲率半径Ｒが１０μｍの球状部材１２を準
備し、図５に示すようにまずプレス加工によりコンタク
ト部材を打ち抜き、図中二点鎖線で示したように比較的
平滑な面を得、次いでサンドブラスト加工あるいは局所
的に放電加工する等の手法で図中太実線で示すように粗
面化し、この面に準備された球状部材１２を電気めっき
あるいは無電解めっき等の方法で固着するようにしても
良く、このようにすればアンカ効果により球状部材１２
の固着がより確実となる。

【００２６】上記のように構成されたこの発明の実施の
形態１における半導体機器のテスト用ソケットのコンタ
クト７の性能を検証するため、コンタクト７（コンタク
トＡ）、図９に示す従来のコンタクト１（コンタクト
Ｃ）、図示はしないがコンタクトＣの先端を尖らせたコ
ンタクト（コンタクトＢ）を比較してテストを行った。
下記の表１はこれら３種類のコンタクトＡ、Ｂ、Ｃの不
良率を示す。まず、ロットを３分割して各コンタクト
Ａ、Ｂ、Ｃでそれぞれ約３０００個の半導体機器６（Ｉ
Ｃ）のテストを行ったところ、コンタクトＡ、Ｂにおけ
る不良率は同程度であるが、コンタクトＣにおける不良
率は大幅に上回った。これは、コンタクトＣでは外部接
続端子６ａとの間に塵埃をかみ込んだ状態でテストが行
われるため、良好な電気的接触が得られず、良品である
にもかかわらず不良品と判別されたことが原因と推察さ
れる。

【００２７】

【表１】

【００２８】次いで、データ書き込みを模擬する実験を
行った。データ書き込みには通例従来のコンタクト（コ
ンタクトＣ）が用いられる。そこで、先にコンタクト
Ａ、Ｂを用いてテストし良品と判別されたＩＣをコンタ
クトＣを用いて再度テストを行った。これによると良品
と判別されたＩＣの外部接続端子６ａに付着した塵埃の
量を間接的に評価することができる。その結果は下記の
表２に示すように、コンタクトＢでテストし良品と判別
されたＩＣをコンタクトＣで再度テストした場合は不良
率が大幅に上昇するのに対して、コンタクトＡでテスト
し良品と判別されたＩＣをコンタクトＣで再度テストし
た場合の不良率はわずかしか上昇しない。これは、コン
タクトＡにおいては第１のコンタクト８で外部接続端子
６ａに付着した塵埃を除去しているのに対して、コンタ
クトＢでは外部接続端子６ａに付着した塵埃を避けただ
けであるため、テストした後の外部接続端子６ａには塵
埃が付着したままであり、それをコンタクトＣで再度テ
ストしたので、塵埃をかみ込んだ状態でテストが行われ
良好な電気的接触が得られなかったためである。

【００２９】

【表２】

【００３０】この推察を確認するため、上記表１に示す
テストにおいて良品と判別されたＩＣの中から約１０
％、すなわち３０個をランダムに抜き取り、外部接続端
子６ａに付着した塵埃の総数を数えた結果を下記表３に
示す。コンタクトＡでテストし良品と判別されたＩＣの
外部接続端子６ａに付着している塵埃の数は少ないのに
対して、コンタクトＢでテストし良品と判別されたＩＣ
の外部接続端子６ａに付着してる塵埃の数は多いことが
判った。

【００３１】

【表３】

【００３２】このように上記実施の形態１によれば、先
端部８ｂが半導体機器６の外部接続端子６ａに接触し、
且つ接触面上を摺動する第１のコンタクト８と、先端部
９ａが外部接続端子６ａの第１のコンタクト８の先端部
８ｂが接触して摺動する接触面上に、第１のコンタクト
８より遅れて接触する第２のコンタクトとでコンタクト
７を構成し、第１のコンタクト８により外部接続端子６
ａに付着している塵埃を除去した後、第２のコンタクト
９が外部接続端子６ａと接触するようにしているので、
コンタクト７と半導体機器６の外部接続端子６ａの良好
な電気的接触を安定且つ継続的に行うことができ、又、
外部接続端子６ａの表面に塵埃が付着されたままの状態
で出荷されるのを防止して、客先でのデータの書き込み
が適切に行えない等の事態が発生するのを回避すること
が可能となる。

【００３３】又、第２のコンタクト９の外部接続端子６
ａと接触する先端部９ａを球状に形成しているので、第
１のコンタクト８の先端部８ｂの摺動により外部接続端
子６ａの表面から除去される塵埃等の異物が、飛散して
先端部９ａに到達しても表面に留まることが無いため、
良好な電気的接触が得られ、又、第２のコンタクト９の
先端部９ａの表面に、根元部に空洞１０ａを有する多数
の凸部１０を形成しているので、先端部９ａが外部接続
端子６ａの表面と接触すると、凸部１０が表面に形成さ
れたはんだめっき被膜にくい込み、酸化被膜を破壊する
とともに接触面積を拡大するため、さらに良好な電気的
接触が得られる。

【００３４】又、この凸部１０は多数形成されているの
で、第２のコンタクト９と外部接続端子６ａの位置合わ
せが不十分な場合であっても、いずれかの凸部１０によ
り酸化被膜の破壊と接触面積の拡大を図ることができる
ため、第２のコンタクト９を十分摺動させずとも良好な
接触ができるので、凝着物の発生が抑制され長期にわた
って良好な電気的接触が得られる。さらに又、凸部１０
の先端の球状の曲率半径Ｒを、外部接続端子６ａの表面
に形成されるはんだめっき被膜の厚さと同じ値にしてい
るので、外部接続端子６ａの表面との接触面積を最も効
率良く得ることが可能になる。

【００３５】実施の形態２．図７はこの発明の実施の形
態２における半導体機器のテスト用ソケットのコンタク
ト部の構成を示す正面図、図８は図７におけるコンタク
ト部の動作を示す正面図である。図において、上記実施
の形態１におけると同様な部分は同一符号を付して説明
を省略する。１３は板状のベリリウムをプレス加工にて
所定の形状に打ち抜いて形成されるコンタクトで、撓み
部１４ａを介して表面に多数の凹凸が形成された先端部
１４ｂが半導体機器６の外部接続端子６ａに接触し、且
つ接触面上を摺動可能であるとともに、摺動の際に後述
の第２のコンタクトの先端部に接触する第１のコンタク
ト１４と、この第１のコンタクト１４と一体に連結さ
れ、先端部１５ａが第１のコンタクト１４の先端部１４
ｂが接触する接触面上に、第１のコンタクト１４の先端
部１４ｂより遅れて接触可能に形成された第２のコンタ
クト１５とで構成され、第２のコンタクト１５が絶縁部
材でなるハウジング（図示せず）により保持固定されて
いる。

【００３６】上記のように構成されるコンタクト１３に
おいて、第１および第２のコンタクト１４、１５の表面
に厚さ約１μｍの導電性を有する被膜を形成した。特
に、図中破線で示す領域、すなわち半導体機器６の外部
接続端子６ａおよび第２のコンタクト１５の先端部１５
ａと接触する第１のコンタクト１４の先端部１４ｂに形
成すると、凝着物が堆積しにくく効果的である。なお、
硬質被膜の材質としては、外部接続端子６ａを構成する
部材と化学的親和性が低いものであれば良く炭素系もし
くはセラミックス系が好ましく、本実施の形態において
はＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ−Ｃａｒｂｏｎ）
を適用した。ただし、ＤＬＣは本来非導電性であるた
め、比較的高温で成膜してグラファイト成分を湧出させ
ることにより導電性を付与した。他に導電性を付与する
方法として、上記ＤＬＣ膜に金属をドープすることも知
られている。又、第１のコンタクト１４と第２のコンタ
クト１５の間の隙間は非常に狭隘になることが多いが、
上記のように気相合成法により形成された硬質被膜であ
れば、両コンタクト１４、１５間の隙間が短絡されるこ
ともない。

【００３７】上記のようにコンタクト１３が構成される
この発明の実施の形態２におけるテスト用ソケットで半
導体機器６のテストを行う場合、まず、上記実施の形態
１におけると同様に半導体機器６をテスト用ソケットと
対応する位置に設置し、次いで、図示しない押え治具を
下降させて半導体機器６の外部接続端子６ａを下方に押
し付けると、図８（Ａ）に示すように外部接続端子６ａ
がコンタクト１３の第１のコンタクト１４の先端部１４
ｂと接触して先端部１４ｂを下方に押圧するため、第１
のコンタクト１４の撓み部１４ａが撓んで先端部１４ｂ
は外部接続端子６ａとの接触面上を摺動して外方に移動
するとともに、第２のコンタクト１５の先端部１５ａに
接触して摺動する。

【００３８】そして、この動作により外部接続端子６ａ
の表面に存在する塵埃等の異物が除去されるとともに、
第２のコンタクト１５の先端部１５ａに付着する凝着物
等が除去される。次いで、さらに押え治具が下降する
と、外部接続端子６ａの塵埃等の異物が除去され清浄と
なった接触面は、第１のコンタクト１４の先端部１４ｂ
に続いて凝着物等が除去されて清浄となった第２のコン
タクト１５の先端部１５ａに接触し、半導体機器６の外
部接続端子６ａとコンタクト１３の第２のコンタクト１
５との間に良好な電気的接触が得られる。

【００３９】このように上記実施の形態２によれば、第
１のコンタクト１４の先端部１４ｂが外部接続端子６ａ
の接触面上を摺動する際に、先端部１４ｂが第２のコン
タクト１５の先端部１５ａとも接触するようになされて
いるので、外部接続端子６ａの表面の塵埃等の異物を除
去できることは勿論のこと、第２のコンタクト１５の先
端部１５ａの表面に付着している凝着物等の除去もでき
るので、外部接続端子６ａと第２のコンタクト１５の間
でより良好な電気的接触を得ることができ、さらに、第
１のコンタクト１４の先端部１４ｂの表面に多数の凹凸
を形成したので、異物や凝着物等の除去効果を高めるこ
とが可能になる。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、半導体機器の外部接続端子に接触し且つ接触面上
を摺動する第１のコンタクトと、外部接続端子の第１の
コンタクトが接触する接触面上に第１のコンタクトより
遅れて接触する第２のコンタクトとを備えたので、コン
タクトと半導体機器の外部接続端子の良好な電気的接触
を安定且つ継続的に行うことが可能で、又、客先でのデ
ータの書き込みが適切に行えない等の事態が発生するの
を防止することが可能な半導体機器のテスト用ソケット
を提供することができる。

【００４１】又、この発明の請求項２によれば、請求項
１において、第２のコンタクトの外部接続端子と接触す
る部分を球状に形成したので、異物がコンタクトの接触
表面に停留するのを防止して、さらに良好な電気的接触
を得ることが可能な半導体機器のテスト用ソケットを提
供することができる。

【００４２】又、この発明の請求項３によれば、請求項
２において、球面状の表面に根元に空洞を有する多数の
凸部を形成したので、いずれかの凸部で酸化被膜を破壊
して接触面積の拡大を図るとともに、空洞の一部に凝着
物を堆積して、より確実な電気的接触を得ることが可能
な半導体機器のテスト用ソケットを提供することができ
る。

【００４３】又、この発明の請求項４によれば、請求項
３において、凸部先端の曲率半径を外部接続端子の最表
層を形成する部材の厚さとほぼ同様の値で形成したの
で、接触面積を効率良く得ることが可能な半導体機器の
テスト用ソケットを提供することができる。

【００４４】又、この発明の請求項５によれば、請求項
１において、第１のコンタクトが外部接続端子の接触面
上を摺動する際に、その一部が第２のコンタクトの外部
接続端子と接触する部分に接触するように構成したの
で、外部接続端子表面の異物および第２のコンタクト表
面の凝着物を除去して、さらに良好な電気的接触を得る
ことが可能な半導体機器のテスト用ソケットを提供する
ことができる。

【００４５】又、この発明の請求項６によれば、請求項
５において、第１のコンタクトの第２のコンタクトと接
触する部分に多数の凹凸を形成したので、異物および凝
着物の除去効果の向上を図ることが可能な半導体機器の
テスト用ソケットを提供することができる。

【００４６】又、この発明の請求項７によれば、請求項
１ないし６のいずれかにおいて、両コンタクトの外部接
続端子と接触する部分に導電性を有する硬質被膜を形成
したので、凝着物の堆積を抑制することが可能な半導体
機器のテスト用ソケットを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１における半導体機器
のテスト用ソケットのコンタクト部の構成を示す正面図
である。

【図２】 図１におけるコンタクト部の動作を示す正面
図である。

【図３】 図１における第２のコンタクトの先端部の形
状を示す斜視図である。

【図４】 図３における第２のコンタクトの先端部に凝
着物が堆積する状態を従来のコンタクトにおける状態と
比較して示す模式図である。

【図５】 図３における第２のコンタクトの先端部の形
状の一例を拡大して示す断面図である。

【図６】 図５における第２のコンタクトの先端部に凝
着物が堆積した状態を模式して示す断面図である。

【図７】 この発明の実施の形態２における半導体機器
のテスト用ソケットのコンタクト部の構成を示す正面図
である。

【図８】 図７におけるコンタクト部の動作を示す正面
図である。

【図９】 従来の半導体機器のテスト用ソケットのコン
タクト部の構成を示す正面図である。

【符号の説明】

６ 半導体機器、６ａ 外部接続端子、７，１３ コン
タクト、８，１４ 第１のコンタクト、８ａ，１４ａ
撓み部、８ｂ，１４ｂ，９ａ，１５ａ 先端部、９，１
５ 第２のコンタクト、１０ 凸部、１０ａ 空洞部、
１１ 凝着物、１２ 球状部材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 繁 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 渡邊 太 熊本県菊池郡大津町大字高尾野272番地10 三菱電機熊本セミコンダクタ株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体機器の外部接続端子に接触し且つ
   接触面上を摺動する第１のコンタクトと、上記外部接続
   端子の上記第１のコンタクトが接触する上記接触面上に
   上記第１のコンタクトより遅れて接触する第２のコンタ
   クトとを備えたことを特徴とする半導体機器のテスト用
   ソケット。
2. 【請求項２】 第２のコンタクトの外部接続端子と接触
   する部分を球状に形成したことを特徴とする請求項１記
   載の半導体機器のテスト用ソケット。
3. 【請求項３】 球状部の表面に根元に空洞を有する多数
   の凸部を形成したことを特徴とする請求項２記載の半導
   体機器のテスト用ソケット。
4. 【請求項４】 凸部先端の曲率半径は外部接続端子の最
   表層を形成する部材の厚さとほぼ同様の値で形成されて
   いることを特徴とする請求項３記載の半導体機器のテス
   ト用ソケット。
5. 【請求項５】 第１のコンタクトが外部接続端子の接触
   面上を摺動する際に、その一部が第２のコンタクトの上
   記外部接続端子と接触する部分に接触するように構成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載の半導体機器の
   テスト用ソケット。
6. 【請求項６】 第１のコンタクトの第２のコンタクトと
   接触する部分に多数の凹凸を形成したことを特徴とする
   請求項５記載の半導体機器のテスト用ソケット。
7. 【請求項７】 両コンタクトの外部接続端子と接触する
   部分に導電性を有する硬質被膜を形成したことを特徴と
   する請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体機器の
   テスト用ソケット。