JP2000306971A - 半導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生産方法 - Google Patents
半導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生産方法Info
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- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3406—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door or cover
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を収納したポッド（主にミニエンバイロ
メント方式のポッド）を半導体製造装置に装着する際に
生じる開口部から電磁波が外部に漏洩するのを防止する
対策が半導体製造装置側に施されたことを特徴とする半
導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生
産方法を提供する。 【解決手段】 電磁波漏洩防止対策が半導体製造装置側
に施されている。さらに、電磁波遮蔽板がポッドの周囲
を覆うように設けられ、アースされている。
メント方式のポッド）を半導体製造装置に装着する際に
生じる開口部から電磁波が外部に漏洩するのを防止する
対策が半導体製造装置側に施されたことを特徴とする半
導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生
産方法を提供する。 【解決手段】 電磁波漏洩防止対策が半導体製造装置側
に施されている。さらに、電磁波遮蔽板がポッドの周囲
を覆うように設けられ、アースされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク、レ
チクルまたはウエハ、ガラスプレートなど（ウエハ、ガ
ラスプレートなどは以下ウエハと称す）の基板やそれら
を収納したポッドを自動的に搬送する搬送装置が組み込
まれた、露光、洗浄、検査等を行う半導体製造装置に関
するものである。
チクルまたはウエハ、ガラスプレートなど（ウエハ、ガ
ラスプレートなどは以下ウエハと称す）の基板やそれら
を収納したポッドを自動的に搬送する搬送装置が組み込
まれた、露光、洗浄、検査等を行う半導体製造装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置、一例としてここ
では露光装置のウエハ搬送について図８を用いて説明す
る。
では露光装置のウエハ搬送について図８を用いて説明す
る。
【０００３】図８に示す如き、露光装置では、基板４を
複数枚収納したキャリア２から順次搬送ロボット１で基
板４を取出し、メカプリアライメントステーション（以
下ＰＡステーション３９と称す）へロードする。ＰＡス
テーション３９では、基板４のエッジに設けられたオリ
エンテーションフラット４ａの位置合わせが行われる。
この位置合わせは、基板４をメカプリアライメントチャ
ック（以下ＰＡチャック８と称す）で保持した後、メカ
プリアライメントθステージ（以下ＰＡθステージ７と
称す）によって基板４を回転させながら基板４のオリエ
ンテーションフラット４ａの位置をメカプリアライメン
ト光学系（以下ＰＡ光学系９、１０、１１と称す）によ
って検出し、オリエンテーションフラット４ａの位置お
よび基板４の偏心量を演算し、メカプリアライメントＸ
ステージ（以下ＰＡＸステージ５と称す）、メカプリア
ライメントＹステージ（以下ＰＡＹステージ６と称
す）、ＰＡθステージ７によって所定位置に位置決めす
る。その後、基板4を不図示の基板保持手段（ハンド）
で保持し、ウエハチャック１２まで搬送する。さらにそ
の後、ウエハチャック１２によってチャッキングされた
基板４は処理ステーション１３によってステップ送りを
し、不図示の光学系によって露光が行われる。また、露
光終了後の基板４は搬送ロボット１によってウエハチャ
ック１２上から取出され、キャリヤ３に回収される。
複数枚収納したキャリア２から順次搬送ロボット１で基
板４を取出し、メカプリアライメントステーション（以
下ＰＡステーション３９と称す）へロードする。ＰＡス
テーション３９では、基板４のエッジに設けられたオリ
エンテーションフラット４ａの位置合わせが行われる。
この位置合わせは、基板４をメカプリアライメントチャ
ック（以下ＰＡチャック８と称す）で保持した後、メカ
プリアライメントθステージ（以下ＰＡθステージ７と
称す）によって基板４を回転させながら基板４のオリエ
ンテーションフラット４ａの位置をメカプリアライメン
ト光学系（以下ＰＡ光学系９、１０、１１と称す）によ
って検出し、オリエンテーションフラット４ａの位置お
よび基板４の偏心量を演算し、メカプリアライメントＸ
ステージ（以下ＰＡＸステージ５と称す）、メカプリア
ライメントＹステージ（以下ＰＡＹステージ６と称
す）、ＰＡθステージ７によって所定位置に位置決めす
る。その後、基板4を不図示の基板保持手段（ハンド）
で保持し、ウエハチャック１２まで搬送する。さらにそ
の後、ウエハチャック１２によってチャッキングされた
基板４は処理ステーション１３によってステップ送りを
し、不図示の光学系によって露光が行われる。また、露
光終了後の基板４は搬送ロボット１によってウエハチャ
ック１２上から取出され、キャリヤ３に回収される。
【０００４】ここで、従来は基板を複数枚収納するキャ
リアには、キャリアがクリーンボックスに入らない状態
で半導体製造装置にセットするオープンキャリアタイプ
（外部の雰囲気から基板を隔離する容器がないタイプ。
以下オープンカセットと称す）を使用していた。このオ
ープンカセットは、クリーンルーム内全てがパーティク
ルの少ない環境の場合には問題が無いが、パーティクル
の多い環境の場合では基板にパーティクルが付着してし
まうという問題があった。
リアには、キャリアがクリーンボックスに入らない状態
で半導体製造装置にセットするオープンキャリアタイプ
（外部の雰囲気から基板を隔離する容器がないタイプ。
以下オープンカセットと称す）を使用していた。このオ
ープンカセットは、クリーンルーム内全てがパーティク
ルの少ない環境の場合には問題が無いが、パーティクル
の多い環境の場合では基板にパーティクルが付着してし
まうという問題があった。
【０００５】当然のことながら、パーティクルの付着防
止のためにクリーンルーム内全てをパーティクルの少な
い環境に保つことは、非常にコストがかかる。
止のためにクリーンルーム内全てをパーティクルの少な
い環境に保つことは、非常にコストがかかる。
【０００６】そこで、このコストの問題を解決するた
め、クリーンルーム内はある程度パーティクルがあって
も、基板がクリーンな状態に保てるような方法が考えら
れるようになった。この方式はミニエンバイロメント方
式と呼ばれている。これは、基板を収納したキャリア全
体を容器で覆っておき、半導体製造装置に装着する際に
はこの容器のドアが開けられ、この開口部を通して容器
内部と半導体製造装置内部がつながるように構成されて
いる。このため、クリーンルームはある程度パーティク
ルが多くても、容器で隔離されているため基板にパーテ
ィクルが付着することがなくなるものである。
め、クリーンルーム内はある程度パーティクルがあって
も、基板がクリーンな状態に保てるような方法が考えら
れるようになった。この方式はミニエンバイロメント方
式と呼ばれている。これは、基板を収納したキャリア全
体を容器で覆っておき、半導体製造装置に装着する際に
はこの容器のドアが開けられ、この開口部を通して容器
内部と半導体製造装置内部がつながるように構成されて
いる。このため、クリーンルームはある程度パーティク
ルが多くても、容器で隔離されているため基板にパーテ
ィクルが付着することがなくなるものである。
【０００７】このミニエンバイロメント方式には主に２
つのタイプが提案されている。この２つのタイプはドア
を開閉する方向で分類される。すなわち、第１のタイプ
は正面のドアを水平方向に開閉するタイプで、ＳＥＭＩ
規格にて３００ｍｍ基板で標準化されている、フロント
オープン一体型ポッド（以下ＦＯＵＰ（ＦｒｏｎｔＯｐ
ｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）と称す）と呼ばれ
るものである。一方、第２のタイプは底面のドアを下方
向に開閉するタイプで、Ｂｏｔｔｏｍ Ｏｐｅｎｉｎｇ
と呼ばれるものであり、このタイプとしては標準メカニ
カルインターフェイスポッド（以下ＳＭＩＦＰＯＤと称
す）がある。
つのタイプが提案されている。この２つのタイプはドア
を開閉する方向で分類される。すなわち、第１のタイプ
は正面のドアを水平方向に開閉するタイプで、ＳＥＭＩ
規格にて３００ｍｍ基板で標準化されている、フロント
オープン一体型ポッド（以下ＦＯＵＰ（ＦｒｏｎｔＯｐ
ｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）と称す）と呼ばれ
るものである。一方、第２のタイプは底面のドアを下方
向に開閉するタイプで、Ｂｏｔｔｏｍ Ｏｐｅｎｉｎｇ
と呼ばれるものであり、このタイプとしては標準メカニ
カルインターフェイスポッド（以下ＳＭＩＦＰＯＤと称
す）がある。
【０００８】一方、半導体製造装置においては、電磁波
漏洩防止対策が必要になってきている。半導体製造装置
の外部に電磁波が漏洩しないような規制がかけられてい
る。この規制には、半導体製造装置を電磁波妨害特性
（電磁放射妨害）の限度値以内にすることが決められて
いる。例えば、この規制としては、ヨーロッパの有害電
磁波規制、所謂ＣＩＳＰＲ Ｐｕｂ． １１がある。
漏洩防止対策が必要になってきている。半導体製造装置
の外部に電磁波が漏洩しないような規制がかけられてい
る。この規制には、半導体製造装置を電磁波妨害特性
（電磁放射妨害）の限度値以内にすることが決められて
いる。例えば、この規制としては、ヨーロッパの有害電
磁波規制、所謂ＣＩＳＰＲ Ｐｕｂ． １１がある。
【０００９】一般に、半導体製造装置本体の周囲は金属
製のチャンバで覆われており、電磁波が外部に漏洩しな
いようになっているが、半導体製造装置内部の様子を見
たい部分にはアクリル等の樹脂が使用されている。その
ため、そこから電磁波が漏洩してしまうおそれがあり、
従来はその部分には網目状金属を張り付けて電磁波を遮
蔽している。このとき、網目状金属部材はアースされて
いないと電磁波を遮蔽できないので、この網目状金属部
材はチャンバに導通され、アースされている。
製のチャンバで覆われており、電磁波が外部に漏洩しな
いようになっているが、半導体製造装置内部の様子を見
たい部分にはアクリル等の樹脂が使用されている。その
ため、そこから電磁波が漏洩してしまうおそれがあり、
従来はその部分には網目状金属を張り付けて電磁波を遮
蔽している。このとき、網目状金属部材はアースされて
いないと電磁波を遮蔽できないので、この網目状金属部
材はチャンバに導通され、アースされている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体製造装置に、ＦＯＵＰ、ＳＭＩＦＰＯＤといった
ミニエンバイロメント方式のポッドを使用する場合、以
下のような改良すべき点がある。
半導体製造装置に、ＦＯＵＰ、ＳＭＩＦＰＯＤといった
ミニエンバイロメント方式のポッドを使用する場合、以
下のような改良すべき点がある。
【００１１】従来の半導体製造装置ではオープンカセッ
トを半導体製造装置内部に入れて使用するため、半導体
製造装置自体に電磁波漏洩防止対策が施されていれば良
かった。ところが、ＦＯＵＰまたはＳＭＩＦＰＯＤタイ
プでは半導体製造装置外部にポッドを装着し、ポッドの
正面または底面のドアが半導体製造装置側の開閉扉とと
もに開けられ、ポッド内部に収納されている基板を取出
すことになる。通常半導体製造装置が稼動している間、
ポッドの正面または底面のドアと半導体製造装置側の開
閉扉は開いたままの状態であるので、ポッドの容器が半
導体製造装置外壁の一部となる。そのため、前述のよう
にチャンバ、網目状金属部材により半導体製造装置自体
に電磁波漏洩防止対策が施されていたとしても、この容
器自体に電磁波漏洩防止対策が施こされていなければ、
電磁波がそこから半導体製造装置外部に漏洩することに
なる。
トを半導体製造装置内部に入れて使用するため、半導体
製造装置自体に電磁波漏洩防止対策が施されていれば良
かった。ところが、ＦＯＵＰまたはＳＭＩＦＰＯＤタイ
プでは半導体製造装置外部にポッドを装着し、ポッドの
正面または底面のドアが半導体製造装置側の開閉扉とと
もに開けられ、ポッド内部に収納されている基板を取出
すことになる。通常半導体製造装置が稼動している間、
ポッドの正面または底面のドアと半導体製造装置側の開
閉扉は開いたままの状態であるので、ポッドの容器が半
導体製造装置外壁の一部となる。そのため、前述のよう
にチャンバ、網目状金属部材により半導体製造装置自体
に電磁波漏洩防止対策が施されていたとしても、この容
器自体に電磁波漏洩防止対策が施こされていなければ、
電磁波がそこから半導体製造装置外部に漏洩することに
なる。
【００１２】本発明の目的は、このような開口部から電
磁波が半導体製造装置外部に漏洩するのを防止する対策
が半導体製造装置側に施された、半導体製造装置および
ポッド装着方法を提供することにある。
磁波が半導体製造装置外部に漏洩するのを防止する対策
が半導体製造装置側に施された、半導体製造装置および
ポッド装着方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、以下の（１）〜（２８）である。 （１）基板を収納したポッドを半導体製造装置に装着す
る際に生じる開口部から電磁波が外部に漏洩するのを防
止する対策が半導体製造装置側に施されたことを特徴と
する半導体製造装置。 （２）電磁波漏洩防止対策として半導体製造装置側に前
記電磁波遮蔽板が設けられていることを特徴とする上記
（１）に記載の半導体製造装置。 （３）前記ポッドがミニエンバイロメント方式のポッド
である上記（１）または（２）に記載の半導体製造装
置。 （４）前記ポッドがフロントオープン一体型ポッドまた
は標準メカニカルインターフェイスポッドである上記
（３）に記載の半導体製造装置。 （５）前記電磁波遮蔽板が装着した前記ポッドの周囲を
覆うように設けられていることを特徴とする上記（１）
〜（４）のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 （６）前記電磁波遮蔽板が前記標準メカニカルインター
フェイスポッドを半導体製造装置に装着する際に生じる
開口部を塞ぐように開閉移動することを特徴とする上記
（１）〜（５）のいずれか１つに記載の半導体製造装
置。 （７）第１の前記電磁波遮蔽板の他に、開閉可能なスリ
ットを備えた第２の電磁波遮蔽板が前記標準メカニカル
インターフェイスポッド内のキャリアを下降させるイン
デクサと基板を搬送する搬送ロボット間に設けられてい
ることを特徴とする上記（６）に記載の半導体製造装
置。 （８）漏洩防止対策が前記電磁波遮蔽板の内壁面、外壁
面あるいは前記電磁波遮蔽板材料内に施されたことを特
徴とする上記（１）〜（７）のいずれか１つに記載の半
導体製造装置。 （９）電磁波漏洩防止対策が、前記電磁波遮蔽板を閉め
た際に、前記電磁波遮蔽板の半導体製造装置本体周囲を
覆っているチャンバと接触する面に施されていることを
特徴とする上記（８）に記載の半導体製造装置。 （１０）電磁波漏洩防止対策として網目状金属を使用し
たことを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれか１つ
に記載の半導体製造装置。 （１１）電磁波漏洩防止対策として金属コートが施され
たことを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれか１つ
に記載の半導体製造装置。 （１２）周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対し
て限度値が１００ｄＢ（μＶ）以下になるような電磁波
漏洩防止対策を施したことを特徴とする上記（１）〜
（１１）のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 （１３）前記電磁波遮蔽板は、前記チャンバに導通し、
アースされていることを特徴とする上記（１）〜（１
２）のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 （１４）半導体製造装置が露光装置であることを特徴と
する上記（１）〜（１３）のいずれか１つに記載の半導
体製造装置。 （１５）基板を収納したポッドを半導体製造装置に装着
する際に生じる開口部から電磁波が外部に漏洩するのを
防止する対策が半導体製造装置側に施されたことを特徴
とするポッド装着方法。 （１６）電磁波漏洩防止対策として半導体製造装置側に
前記電磁波遮蔽板が設けられていることを特徴とする上
記（１５）に記載のポッド装着方法。 （１７）前記ポッドがミニエンバイロメント方式のポッ
ドである上記（１５）または（１６）に記載のポッド装
着方法。 （１８）前記ポッドがフロントオープン一体型ポッドま
たは標準メカニカルインターフェイスポッドである上記
（１７）に記載のポッド装着方法。 （１９）前記電磁波遮蔽板が装着した前記ポッドの周囲
を覆うように設けられていることを特徴とする上記（１
５）〜（１８）のいずれか１つに記載のポッド装着方
法。 （２０）前記電磁波遮蔽板が前記標準メカニカルインタ
ーフェイスポッドを半導体製造装置に装着する際に生じ
る開口部を塞ぐように開閉移動することを特徴とする上
記（１５）〜（１９）のいずれか１つに記載のポッド装
着方法。 （２１）第１の前記電磁波遮蔽板の他に、開閉可能なス
リットを備えた第２の電磁波遮蔽板が前記標準メカニカ
ルインターフェイスポッド内のキャリアを下降させるイ
ンデクサと基板を搬送する搬送ロボット間に設けられて
いることを特徴とする上記（２０）に記載のポッド装着
方法。 （２２）電磁波漏洩防止対策が前記電磁波遮蔽板の内壁
面、外壁面あるいは前記電磁波遮蔽板材料内に施された
ことを特徴とする上記（１５）〜（２１）のいずれか１
つに記載のポッド装着方法。 （２３）電磁波漏洩防止対策が、前記電磁波遮蔽板を閉
めた際に、前記電磁波遮蔽板の半導体製造装置本体周囲
を覆っているチャンバと接触する面に施されていること
を特徴とする上記（２２）に記載のポッド装着方法。 （２４）電磁波漏洩防止対策として網目状金属を使用し
たことを特徴とする上記（１５）〜（２３）のいずれか
１つに記載のポッド装着方法。 （２５）電磁波漏洩防止対策として金属コートが施され
たことを特徴とする上記（１５）〜（２４）のいずれか
１つに記載のポッド装着方法。 （２６）周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対し
て限度値が１００ｄＢ（μＶ）以下になるような電磁波
漏洩防止対策を施したことを特徴とする上記（1５）〜
（２５）のいずれか１つに記載のポッド装着方法。 （２７）前記電磁波遮蔽板は、前記チャンバに導通し、
アースされていることを特徴とする上記（1５）〜（２
６）のいずれか１つに記載のポッド装着方法。 （２８）上記（1）〜（１４）のいずれか１つに記載の
半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造すること
を特徴とする半導体デバイス生産方法。
め、本発明は、以下の（１）〜（２８）である。 （１）基板を収納したポッドを半導体製造装置に装着す
る際に生じる開口部から電磁波が外部に漏洩するのを防
止する対策が半導体製造装置側に施されたことを特徴と
する半導体製造装置。 （２）電磁波漏洩防止対策として半導体製造装置側に前
記電磁波遮蔽板が設けられていることを特徴とする上記
（１）に記載の半導体製造装置。 （３）前記ポッドがミニエンバイロメント方式のポッド
である上記（１）または（２）に記載の半導体製造装
置。 （４）前記ポッドがフロントオープン一体型ポッドまた
は標準メカニカルインターフェイスポッドである上記
（３）に記載の半導体製造装置。 （５）前記電磁波遮蔽板が装着した前記ポッドの周囲を
覆うように設けられていることを特徴とする上記（１）
〜（４）のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 （６）前記電磁波遮蔽板が前記標準メカニカルインター
フェイスポッドを半導体製造装置に装着する際に生じる
開口部を塞ぐように開閉移動することを特徴とする上記
（１）〜（５）のいずれか１つに記載の半導体製造装
置。 （７）第１の前記電磁波遮蔽板の他に、開閉可能なスリ
ットを備えた第２の電磁波遮蔽板が前記標準メカニカル
インターフェイスポッド内のキャリアを下降させるイン
デクサと基板を搬送する搬送ロボット間に設けられてい
ることを特徴とする上記（６）に記載の半導体製造装
置。 （８）漏洩防止対策が前記電磁波遮蔽板の内壁面、外壁
面あるいは前記電磁波遮蔽板材料内に施されたことを特
徴とする上記（１）〜（７）のいずれか１つに記載の半
導体製造装置。 （９）電磁波漏洩防止対策が、前記電磁波遮蔽板を閉め
た際に、前記電磁波遮蔽板の半導体製造装置本体周囲を
覆っているチャンバと接触する面に施されていることを
特徴とする上記（８）に記載の半導体製造装置。 （１０）電磁波漏洩防止対策として網目状金属を使用し
たことを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれか１つ
に記載の半導体製造装置。 （１１）電磁波漏洩防止対策として金属コートが施され
たことを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれか１つ
に記載の半導体製造装置。 （１２）周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対し
て限度値が１００ｄＢ（μＶ）以下になるような電磁波
漏洩防止対策を施したことを特徴とする上記（１）〜
（１１）のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 （１３）前記電磁波遮蔽板は、前記チャンバに導通し、
アースされていることを特徴とする上記（１）〜（１
２）のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 （１４）半導体製造装置が露光装置であることを特徴と
する上記（１）〜（１３）のいずれか１つに記載の半導
体製造装置。 （１５）基板を収納したポッドを半導体製造装置に装着
する際に生じる開口部から電磁波が外部に漏洩するのを
防止する対策が半導体製造装置側に施されたことを特徴
とするポッド装着方法。 （１６）電磁波漏洩防止対策として半導体製造装置側に
前記電磁波遮蔽板が設けられていることを特徴とする上
記（１５）に記載のポッド装着方法。 （１７）前記ポッドがミニエンバイロメント方式のポッ
ドである上記（１５）または（１６）に記載のポッド装
着方法。 （１８）前記ポッドがフロントオープン一体型ポッドま
たは標準メカニカルインターフェイスポッドである上記
（１７）に記載のポッド装着方法。 （１９）前記電磁波遮蔽板が装着した前記ポッドの周囲
を覆うように設けられていることを特徴とする上記（１
５）〜（１８）のいずれか１つに記載のポッド装着方
法。 （２０）前記電磁波遮蔽板が前記標準メカニカルインタ
ーフェイスポッドを半導体製造装置に装着する際に生じ
る開口部を塞ぐように開閉移動することを特徴とする上
記（１５）〜（１９）のいずれか１つに記載のポッド装
着方法。 （２１）第１の前記電磁波遮蔽板の他に、開閉可能なス
リットを備えた第２の電磁波遮蔽板が前記標準メカニカ
ルインターフェイスポッド内のキャリアを下降させるイ
ンデクサと基板を搬送する搬送ロボット間に設けられて
いることを特徴とする上記（２０）に記載のポッド装着
方法。 （２２）電磁波漏洩防止対策が前記電磁波遮蔽板の内壁
面、外壁面あるいは前記電磁波遮蔽板材料内に施された
ことを特徴とする上記（１５）〜（２１）のいずれか１
つに記載のポッド装着方法。 （２３）電磁波漏洩防止対策が、前記電磁波遮蔽板を閉
めた際に、前記電磁波遮蔽板の半導体製造装置本体周囲
を覆っているチャンバと接触する面に施されていること
を特徴とする上記（２２）に記載のポッド装着方法。 （２４）電磁波漏洩防止対策として網目状金属を使用し
たことを特徴とする上記（１５）〜（２３）のいずれか
１つに記載のポッド装着方法。 （２５）電磁波漏洩防止対策として金属コートが施され
たことを特徴とする上記（１５）〜（２４）のいずれか
１つに記載のポッド装着方法。 （２６）周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対し
て限度値が１００ｄＢ（μＶ）以下になるような電磁波
漏洩防止対策を施したことを特徴とする上記（1５）〜
（２５）のいずれか１つに記載のポッド装着方法。 （２７）前記電磁波遮蔽板は、前記チャンバに導通し、
アースされていることを特徴とする上記（1５）〜（２
６）のいずれか１つに記載のポッド装着方法。 （２８）上記（1）〜（１４）のいずれか１つに記載の
半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造すること
を特徴とする半導体デバイス生産方法。
【００１４】上記構成によって、基板を収納したポッド
を半導体製造装置に装着する際に生じる開口部から電磁
波が外部に漏洩するのを防止することができる。
を半導体製造装置に装着する際に生じる開口部から電磁
波が外部に漏洩するのを防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】＜第１の実施例＞本発明の第１の
実施例を説明する。図1に示す如き、電磁波遮蔽板３５
を不図示の開閉機構により開けた後、ＦＯＵＰ２０は人
間の手（以下ＰＧＶ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅｄ
Ｖｅｈｉｃｌｅ）と称す）または不図示の自動搬送ロボ
ット（以下ＡＧＶ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ
Ｖｅｈｉｃｌｅ）と称す）によりロードポート３４の上
に載せられる。このとき、ＦＯＵＰ２０の位置決めはキ
ネマティックカップリング３３により行われる。この位
置決めは、ＦＯＵＰ２０側に構成されている３カ所のＶ
溝４１（図４、図５参照）とロードポート３４側に構成
されている３カ所のピン４２（図４、図５参照）が合わ
さることにより、正確な位置決めが行われる。図５は、
Ｖ溝４１とピン４２が合わさった状態を示したものであ
る。
実施例を説明する。図1に示す如き、電磁波遮蔽板３５
を不図示の開閉機構により開けた後、ＦＯＵＰ２０は人
間の手（以下ＰＧＶ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅｄ
Ｖｅｈｉｃｌｅ）と称す）または不図示の自動搬送ロボ
ット（以下ＡＧＶ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ
Ｖｅｈｉｃｌｅ）と称す）によりロードポート３４の上
に載せられる。このとき、ＦＯＵＰ２０の位置決めはキ
ネマティックカップリング３３により行われる。この位
置決めは、ＦＯＵＰ２０側に構成されている３カ所のＶ
溝４１（図４、図５参照）とロードポート３４側に構成
されている３カ所のピン４２（図４、図５参照）が合わ
さることにより、正確な位置決めが行われる。図５は、
Ｖ溝４１とピン４２が合わさった状態を示したものであ
る。
【００１６】図1に示す如き、この位置決めが行われ、
電磁波遮蔽板３５を不図示の開閉機構により閉めた後、
ＦＯＵＰ２０は装置側に移動され、オープナーフランジ
２１に押付けられる。
電磁波遮蔽板３５を不図示の開閉機構により閉めた後、
ＦＯＵＰ２０は装置側に移動され、オープナーフランジ
２１に押付けられる。
【００１７】この後、ＦＯＵＰ２０正面のＦＯＵＰドア
２２は、ＦＯＵＰ開閉扉２３に設けられたドアロック解
除機構２４により不図示のロックを解除することで開放
される。
２２は、ＦＯＵＰ開閉扉２３に設けられたドアロック解
除機構２４により不図示のロックを解除することで開放
される。
【００１８】さらにこの後、ＦＯＵＰドア２２は、ＦＯ
ＵＰ開閉扉２３と密着した状態でスイングアーム３１と
ドア上下機構３２により下降させられる。このことによ
り、ＦＯＵＰ２０内部に収納されている基板４は半導体
製造装置装置本体側へ搬送可能となるものである。
ＵＰ開閉扉２３と密着した状態でスイングアーム３１と
ドア上下機構３２により下降させられる。このことによ
り、ＦＯＵＰ２０内部に収納されている基板４は半導体
製造装置装置本体側へ搬送可能となるものである。
【００１９】このとき、電磁波遮蔽板３５が無い場合に
は、ＦＯＵＰ２０の容器が半導体製造装置外壁の一部と
なるので、この容器自体に電磁波漏洩防止対策が施され
ていなければ、通常半導体製造装置が稼動している間は
常に電磁波が半導体製造装置外部に漏洩していることに
なる。本実施例では、ＦＯＵＰ２０に電磁波漏洩防止対
策が施されていない場合でも、ＦＯＵＰ２０の容器から
漏洩している電磁波を電磁波遮蔽板３５によって限度値
以内に収めることができる。
は、ＦＯＵＰ２０の容器が半導体製造装置外壁の一部と
なるので、この容器自体に電磁波漏洩防止対策が施され
ていなければ、通常半導体製造装置が稼動している間は
常に電磁波が半導体製造装置外部に漏洩していることに
なる。本実施例では、ＦＯＵＰ２０に電磁波漏洩防止対
策が施されていない場合でも、ＦＯＵＰ２０の容器から
漏洩している電磁波を電磁波遮蔽板３５によって限度値
以内に収めることができる。
【００２０】そしてこの後、基板４は搬送ロボット１に
より処理ステーション１３上にあるウエハチャック１２
に搬送され、不図示の光学系により露光され、再び搬送
ロボット1によりＦＯＵＰ２０に回収される。
より処理ステーション１３上にあるウエハチャック１２
に搬送され、不図示の光学系により露光され、再び搬送
ロボット1によりＦＯＵＰ２０に回収される。
【００２１】次に、本実施例の電磁波遮蔽板３５につい
て説明する。図2は電磁波遮蔽板３５の断面を示したも
のである。電磁波遮蔽板３５は樹脂でできており、この
電磁波遮蔽板３５の内壁に網目状金属４０が所定のピッ
チで配置されている。この網目状金属４０の部分は太線
で示している。この網目のピッチは、細かければ細かい
ほど効果があるが、周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの
範囲に対して１００ｄＢ（μＶ）以下になるように設定
すればよい。
て説明する。図2は電磁波遮蔽板３５の断面を示したも
のである。電磁波遮蔽板３５は樹脂でできており、この
電磁波遮蔽板３５の内壁に網目状金属４０が所定のピッ
チで配置されている。この網目状金属４０の部分は太線
で示している。この網目のピッチは、細かければ細かい
ほど効果があるが、周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの
範囲に対して１００ｄＢ（μＶ）以下になるように設定
すればよい。
【００２２】この内壁の網目状金属４０と樹脂は同一の
面になっていて、金属だけが表面に浮出ないようになっ
ている。また、この網目状金属４０は、電磁波遮蔽板３
５のチャンバと接触する面まで配置されており、電磁波
遮蔽板３５を閉めた時にチャンバと接触し、導通される
ことになるので、アースが取れることになる。この構成
により周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対して
問題となる値の電磁波が半導体製造装置外部に漏洩する
のを防止することができる。また、樹脂に網目状金属４
０を配置した構造により、ユーザは半導体製造装置内部
の様子を見ることができるので、使用上好ましいと考え
られる。
面になっていて、金属だけが表面に浮出ないようになっ
ている。また、この網目状金属４０は、電磁波遮蔽板３
５のチャンバと接触する面まで配置されており、電磁波
遮蔽板３５を閉めた時にチャンバと接触し、導通される
ことになるので、アースが取れることになる。この構成
により周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対して
問題となる値の電磁波が半導体製造装置外部に漏洩する
のを防止することができる。また、樹脂に網目状金属４
０を配置した構造により、ユーザは半導体製造装置内部
の様子を見ることができるので、使用上好ましいと考え
られる。
【００２３】上記説明では電磁波遮蔽板３５の内壁に網
目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３５の内壁と
チャンバと接触する面に金属コートを施しても同様な効
果が得られる。さらに、電磁波遮蔽板３５自体の材料に
電磁波が限度値以下しか漏洩しないようなものを使用し
てもよい。
目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３５の内壁と
チャンバと接触する面に金属コートを施しても同様な効
果が得られる。さらに、電磁波遮蔽板３５自体の材料に
電磁波が限度値以下しか漏洩しないようなものを使用し
てもよい。
【００２４】以上のような構成にすれば、電磁波漏洩防
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
【００２５】＜第２の実施例＞本発明の第２の実施例を
図３を用いて説明する。本実施例では第１の実施例との
共通点が多いため異なる点のみ説明する。
図３を用いて説明する。本実施例では第１の実施例との
共通点が多いため異なる点のみ説明する。
【００２６】本実施例と第１の実施例との違いは、網目
状金属４０が電磁波遮蔽板３５の外壁に配置されている
点である。このとき、この外壁の網目状金属４０と樹脂
は同一の面になっていて、金属だけが表面に浮出ないよ
うになっている。また、この網目状金属４０は、電磁波
遮蔽板３５のチャンバと接触する面まで配置されてお
り、電磁波遮蔽板３５を閉めた時にチャンバと接触し、
導通されることになるので、アースが取れることにな
る。この構成により周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの
範囲に対して問題となる値の電磁波が半導体製造装置外
部に漏洩するのを防止することができる。
状金属４０が電磁波遮蔽板３５の外壁に配置されている
点である。このとき、この外壁の網目状金属４０と樹脂
は同一の面になっていて、金属だけが表面に浮出ないよ
うになっている。また、この網目状金属４０は、電磁波
遮蔽板３５のチャンバと接触する面まで配置されてお
り、電磁波遮蔽板３５を閉めた時にチャンバと接触し、
導通されることになるので、アースが取れることにな
る。この構成により周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの
範囲に対して問題となる値の電磁波が半導体製造装置外
部に漏洩するのを防止することができる。
【００２７】上記説明では電磁波遮蔽板３５の外壁に網
目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３５の外壁と
チャンバと接触する面に金属コートを施しても同様な効
果が得られる。さらに、電磁波遮蔽板３５自体の材料に
電磁波が限度値以下しか漏洩しないようなものを使用し
てもよい。
目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３５の外壁と
チャンバと接触する面に金属コートを施しても同様な効
果が得られる。さらに、電磁波遮蔽板３５自体の材料に
電磁波が限度値以下しか漏洩しないようなものを使用し
てもよい。
【００２８】以上のような構成にすれば、電磁波漏洩防
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
【００２９】＜第３の実施例＞本発明の第３の実施例を
図６を用いて説明する。本実施例ではＳＭＩＦＰＯＤ２
６を半導体製造装置に装着する場合の電磁波漏洩防止対
策について説明する。
図６を用いて説明する。本実施例ではＳＭＩＦＰＯＤ２
６を半導体製造装置に装着する場合の電磁波漏洩防止対
策について説明する。
【００３０】図６に示す如き、電磁波遮蔽板３５を不図
示の開閉機構により開けた後、ＳＭＩＦＰＯＤ２６は、
ＰＧＶまたはＡＧＶにより半導体製造装置に装着され
る。
示の開閉機構により開けた後、ＳＭＩＦＰＯＤ２６は、
ＰＧＶまたはＡＧＶにより半導体製造装置に装着され
る。
【００３１】次に、電磁波遮蔽板３５を不図示の開閉機
構により閉めた後、ＳＭＩＦＰＯＤ２６の底面のＳＭＩ
ＦＰＯＤドア２８はＳＭＩＦＰＯＤ開閉扉２７に設けら
れた不図示のドアロック解除機構により不図示のロック
を解除することでを開放される。
構により閉めた後、ＳＭＩＦＰＯＤ２６の底面のＳＭＩ
ＦＰＯＤドア２８はＳＭＩＦＰＯＤ開閉扉２７に設けら
れた不図示のドアロック解除機構により不図示のロック
を解除することでを開放される。
【００３２】この後、ＳＭＩＦＰＯＤドア２８はＳＭＩ
ＦＰＯＤ開閉扉２７と密着した状態でインデクサ２９に
より下降させられる。このことにより、ＳＭＩＦＰＯＤ
２６内部のキャリア３０は半導体製造装置内部に入り、
キャリア３０に収納されている基板４は半導体製造装置
本体側へ搬送可能となる。
ＦＰＯＤ開閉扉２７と密着した状態でインデクサ２９に
より下降させられる。このことにより、ＳＭＩＦＰＯＤ
２６内部のキャリア３０は半導体製造装置内部に入り、
キャリア３０に収納されている基板４は半導体製造装置
本体側へ搬送可能となる。
【００３３】このとき、電磁波遮蔽板３５が無い場合に
は、ＳＭＩＦＰＯＤ２６の容器が半導体製造装置外壁の
一部となるので、この容器自体に電磁波漏洩防止対策が
施していなければ、通常半導体製造装置が稼動している
間は常に電磁波が半導体製造装置外部に漏洩しているこ
とになる。本実施例では、ＳＭＩＦＰＯＤ２６に電磁波
漏洩防止対策が施されていない場合でも、ＳＭＩＦＰＯ
Ｄ２６の容器から漏洩している電磁波を電磁波遮蔽板３
５によって限度値以内に収めることができる。
は、ＳＭＩＦＰＯＤ２６の容器が半導体製造装置外壁の
一部となるので、この容器自体に電磁波漏洩防止対策が
施していなければ、通常半導体製造装置が稼動している
間は常に電磁波が半導体製造装置外部に漏洩しているこ
とになる。本実施例では、ＳＭＩＦＰＯＤ２６に電磁波
漏洩防止対策が施されていない場合でも、ＳＭＩＦＰＯ
Ｄ２６の容器から漏洩している電磁波を電磁波遮蔽板３
５によって限度値以内に収めることができる。
【００３４】そしてこの後、基板４は搬送ロボット１に
より処理ステーション１３上にあるウエハチャック１２
に搬送され、不図示の光学系により露光され、再び搬送
ロボット１によりキャリア３０に回収される。
より処理ステーション１３上にあるウエハチャック１２
に搬送され、不図示の光学系により露光され、再び搬送
ロボット１によりキャリア３０に回収される。
【００３５】次に、本実施例の電磁波遮蔽板３５につい
て図２、図３を用いて説明する。本発明の第１、第２の
実施例と同様に、電磁遮蔽板３５は樹脂でできており、
この電磁波遮蔽板３５の内壁または外壁に網目状金属４
０が所定のピッチで配置されている。そして、この網目
状金属４０は、電磁波遮蔽板３５のチャンバと接触する
面まで配置されており、電磁波遮蔽板３５を閉めた時に
チャンバと接触し、導通されることになるので、アース
が取れることになる。この構成により周波数が９ｋＨｚ
〜４００ＧＨｚの範囲に対して問題となる値の電磁波が
半導体製造装置外部に漏洩するのを防止することができ
る。
て図２、図３を用いて説明する。本発明の第１、第２の
実施例と同様に、電磁遮蔽板３５は樹脂でできており、
この電磁波遮蔽板３５の内壁または外壁に網目状金属４
０が所定のピッチで配置されている。そして、この網目
状金属４０は、電磁波遮蔽板３５のチャンバと接触する
面まで配置されており、電磁波遮蔽板３５を閉めた時に
チャンバと接触し、導通されることになるので、アース
が取れることになる。この構成により周波数が９ｋＨｚ
〜４００ＧＨｚの範囲に対して問題となる値の電磁波が
半導体製造装置外部に漏洩するのを防止することができ
る。
【００３６】上記説明では電磁波遮蔽板３５の内壁また
は外壁に網目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３
５の内壁または外壁とチャンバと接触する面に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。さらに、電磁波遮
蔽板３５自体の材料に電磁波が限度値以下しか漏洩しな
いようなものを使用してもよい。
は外壁に網目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３
５の内壁または外壁とチャンバと接触する面に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。さらに、電磁波遮
蔽板３５自体の材料に電磁波が限度値以下しか漏洩しな
いようなものを使用してもよい。
【００３７】以上のような構成にすれば、電磁波漏洩防
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
【００３８】＜第４の実施例＞本発明の第４の実施例を
図７を用いて説明する。
図７を用いて説明する。
【００３９】まず初期状態として、電磁波は第２電磁波
遮蔽板３８とスリット３７により搬送ロボット１側から
インデクサ２９側へ漏洩しないようになっている。
遮蔽板３８とスリット３７により搬送ロボット１側から
インデクサ２９側へ漏洩しないようになっている。
【００４０】次に、電磁波遮蔽板３５が電磁波遮蔽板開
閉機構３６により開けられ、その状態で、ＳＭＩＦＰＯ
Ｄ２６の底面のＳＭＩＦＰＯＤドア２８はＳＭＩＦＰＯ
Ｄ開閉扉２７に設けられた不図示のドアロック解除機構
により不図示のロックを解除することでを開放される。
閉機構３６により開けられ、その状態で、ＳＭＩＦＰＯ
Ｄ２６の底面のＳＭＩＦＰＯＤドア２８はＳＭＩＦＰＯ
Ｄ開閉扉２７に設けられた不図示のドアロック解除機構
により不図示のロックを解除することでを開放される。
【００４１】この後、ＳＭＩＦＰＯＤドア２８はＳＭＩ
ＦＰＯＤ開閉扉２７と密着した状態でインデクサ２９に
より下降させられる。このことにより、ＳＭＩＦＰＯＤ
２６内部のキャリア３０は半導体製造装置内部に入り、
キャリア３０に収納されている基板４は半導体製造装置
本体側へ搬送可能となる。
ＦＰＯＤ開閉扉２７と密着した状態でインデクサ２９に
より下降させられる。このことにより、ＳＭＩＦＰＯＤ
２６内部のキャリア３０は半導体製造装置内部に入り、
キャリア３０に収納されている基板４は半導体製造装置
本体側へ搬送可能となる。
【００４２】さらにこの後、電磁波遮蔽板３５は電磁波
遮蔽板開閉機構３６によりＳＭＩＦＰＯＤ底部の開口部
を遮蔽する。ここで、電磁波遮蔽板３５の上面は開口部
側に密着した状態になっている。
遮蔽板開閉機構３６によりＳＭＩＦＰＯＤ底部の開口部
を遮蔽する。ここで、電磁波遮蔽板３５の上面は開口部
側に密着した状態になっている。
【００４３】このとき、電磁波遮蔽板３５が無い場合に
は、ＳＭＩＦＰＯＤ２６の容器が半導体製造装置外壁の
一部となるので、この容器自体に電磁波漏洩防止対策が
施していなければ、通常半導体製造装置が稼動している
間は常に電磁波が半導体製造装置外部に漏洩しているこ
とになる。本実施例では、ＳＭＩＦＰＯＤ２６に電磁波
漏洩防止対策が施されていない場合でも、ＳＭＩＦＰＯ
Ｄ２６の容器から漏洩している電磁波を電磁波遮蔽板３
５によって限度値以内に収めることができる。
は、ＳＭＩＦＰＯＤ２６の容器が半導体製造装置外壁の
一部となるので、この容器自体に電磁波漏洩防止対策が
施していなければ、通常半導体製造装置が稼動している
間は常に電磁波が半導体製造装置外部に漏洩しているこ
とになる。本実施例では、ＳＭＩＦＰＯＤ２６に電磁波
漏洩防止対策が施されていない場合でも、ＳＭＩＦＰＯ
Ｄ２６の容器から漏洩している電磁波を電磁波遮蔽板３
５によって限度値以内に収めることができる。
【００４４】そしてさらにこの後、スリット３７は不図
示の開閉機構により開けられ、キャリア３０に収納され
ている基板４は半導体製造装置本体側へ搬送可能とな
る。ここで、基板４は搬送ロボット１により処理ステー
ション１３上にあるウエハチャック１２に搬送され、不
図示の光学系により露光され、再び搬送ロボット１によ
りキャリア３０に回収される。
示の開閉機構により開けられ、キャリア３０に収納され
ている基板４は半導体製造装置本体側へ搬送可能とな
る。ここで、基板４は搬送ロボット１により処理ステー
ション１３上にあるウエハチャック１２に搬送され、不
図示の光学系により露光され、再び搬送ロボット１によ
りキャリア３０に回収される。
【００４５】そしてその後、スリット３７は不図示の開
閉機構により閉じられ、電磁波遮蔽板３５は電磁波遮蔽
板開閉機構３６により開けられた後、キャリア３０はイ
ンデクサ２９によりＳＭＩＦＰＯＤ２６内部に収納され
る。
閉機構により閉じられ、電磁波遮蔽板３５は電磁波遮蔽
板開閉機構３６により開けられた後、キャリア３０はイ
ンデクサ２９によりＳＭＩＦＰＯＤ２６内部に収納され
る。
【００４６】次に、本実施例の電磁波遮蔽板３５につい
て図２、図３を用いて説明する。本発明の第１、第２、
第３の実施例と同様に、電磁遮蔽板３５は樹脂でできて
おり、この電磁波遮蔽板３５の内壁または外壁に網目状
金属４０が所定のピッチで配置されている。そして、こ
の網目状金属４０は、電磁波遮蔽板３５のチャンバと接
触する面まで配置されており、電磁波遮蔽板３５を閉め
た時にチャンバと接触し、導通されることになるので、
アースが取れることになる。この構成により周波数が９
ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対して問題となる値の電
磁波が半導体製造装置外部に漏洩するのを防止すること
ができる。
て図２、図３を用いて説明する。本発明の第１、第２、
第３の実施例と同様に、電磁遮蔽板３５は樹脂でできて
おり、この電磁波遮蔽板３５の内壁または外壁に網目状
金属４０が所定のピッチで配置されている。そして、こ
の網目状金属４０は、電磁波遮蔽板３５のチャンバと接
触する面まで配置されており、電磁波遮蔽板３５を閉め
た時にチャンバと接触し、導通されることになるので、
アースが取れることになる。この構成により周波数が９
ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範囲に対して問題となる値の電
磁波が半導体製造装置外部に漏洩するのを防止すること
ができる。
【００４７】上記説明では電磁波遮蔽板３５の内壁また
は外壁に網目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３
５の内壁または外壁とチャンバと接触する面に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。さらに、電磁波遮
蔽板３５自体の材料に電磁波が限度値以下しか漏洩しな
いようなものを使用してもよい。
は外壁に網目状金属４０を配置したが、電磁波遮蔽板３
５の内壁または外壁とチャンバと接触する面に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。さらに、電磁波遮
蔽板３５自体の材料に電磁波が限度値以下しか漏洩しな
いようなものを使用してもよい。
【００４８】以上のような構成にすれば、電磁波漏洩防
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
止対策が半導体製造装置側に施されているため、半導体
製造装置外部に限度値以上の電磁波が漏洩することがな
くなる。
【００４９】＜半導体デバイス生産方法の実施例＞次に
上記説明した半導体製造装置を利用した半導体デバイス
の生産方法の実施例を説明する。
上記説明した半導体製造装置を利用した半導体デバイス
の生産方法の実施例を説明する。
【００５０】図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステ
ップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成した
マスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）で
はシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出
荷（ステップ７）される。
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステ
ップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成した
マスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）で
はシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出
荷（ステップ７）される。
【００５１】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した半導体製造装置に
よってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した半導体製造装置に
よってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５２】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００５３】
【発明の効果】以上の構成によって、ＦＯＵＰまたはＳ
ＭＩＦＰＯＤといったミニエンバイラメント方式のポッ
ドを半導体製造装置に装着する際に生じる開口部から電
磁波が外部に漏洩するのを防止することができる。した
がって、半導体製造装置を電磁波妨害特性（電磁放射妨
害）の限度値以内にすることが可能である。
ＭＩＦＰＯＤといったミニエンバイラメント方式のポッ
ドを半導体製造装置に装着する際に生じる開口部から電
磁波が外部に漏洩するのを防止することができる。した
がって、半導体製造装置を電磁波妨害特性（電磁放射妨
害）の限度値以内にすることが可能である。
【図１】第１の実施例の説明図。
【図２】内壁に網目状金属が配置された電磁波遮蔽板の
断面図。
断面図。
【図３】外壁に網目状金属が配置された電磁波遮蔽板の
断面図。
断面図。
【図４】キネマティックカップリングのＶ溝とピンの
図。
図。
【図５】キネマティックカップリングの3カ所のＶ溝と
ピンが合わさった図。
ピンが合わさった図。
【図６】第３の実施例の説明図。
【図７】第４の実施例の説明図。
【図８】従来の半導体製造装置を示す図。
【図９】半導体デバイス製造のフロー。
【図１０】ウエハプロセスの詳細なフロー。
１ 搬送ロボット ２，３，３０ キャリア ４ 基板 ４ａ オリエンテーションフラット ５ ＰＡＸステージ ６ ＰＡＹステージ ７ ＰＡθステージ ８ ＰＡチャック ９〜１１ ＰＡ光学系 １２ ウエハチャック １３ 処理ステーション ２０ ＦＯＵＰ ２１ オープナーフランジ ２２ ＦＯＵＰドア ２３ ＦＯＵＰ開閉扉 ２４ ドアロック解除機構 ２６ ＳＭＩＦＰＯＤ ２７ ＳＭＩＦＰＯＤ開閉扉 ２８ ＳＭＩＦＰＯＤドア ２９ インデクサ ３１ スイングアーム ３２ ドア上下機構 ３３ キネマティックカップリング ３４ ロードポート ３５ 電磁波遮蔽板 ３６ 電磁波遮蔽板開閉機構 ３７ スリット ３８ 第２電磁波遮蔽板 ３９ ＰＡステーション ４０ 網目状金属 ４１ Ｖ溝 ４２ ピン
Claims (28)
- 【請求項１】 基板を収納したポッドを半導体製造装置
に装着する際に生じる開口部から電磁波が外部に漏洩す
るのを防止する対策が半導体製造装置側に施されたこと
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 電磁波漏洩防止対策として半導体製造装
置側に前記電磁波遮蔽板が設けられていることを特徴と
する請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記ポッドがミニエンバイロメント方式
のポッドである請求項１または２に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項４】 前記ポッドがフロントオープン一体型ポ
ッドまたは標準メカニカルインターフェイスポッドであ
る請求項３に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記電磁波遮蔽板が装着した前記ポッド
の周囲を覆うように設けられていることを特徴とする請
求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記電磁波遮蔽板が前記標準メカニカル
インターフェイスポッドを半導体製造装置に装着する際
に生じる開口部を塞ぐように開閉移動することを特徴と
する請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体製造装
置。 - 【請求項７】 第１の前記電磁波遮蔽板の他に、開閉可
能なスリットを備えた第２の電磁波遮蔽板が前記標準メ
カニカルインターフェイスポッド内のキャリアを下降さ
せるインデクサと基板を搬送する搬送ロボット間に設け
られていることを特徴とする請求項６に記載の半導体製
造装置。 - 【請求項８】 電磁波漏洩防止対策が前記電磁波遮蔽板
の内壁面、外壁面あるいは前記電磁波遮蔽板材料内に施
されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに
記載の半導体製造装置。 - 【請求項９】 電磁波漏洩防止対策が、前記電磁波遮蔽
板を閉めた際に、前記電磁波遮蔽板の半導体製造装置本
体周囲を覆っているチャンバと接触する面に施されてい
ることを特徴とする請求項８に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１０】 電磁波漏洩防止対策として網目状金属
を使用したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１
つに記載の半導体製造装置。 - 【請求項１１】 電磁波漏洩防止対策として金属コート
が施されたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１
つに記載の半導体製造装置。 - 【請求項１２】 周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範
囲に対して限度値が１００ｄＢ（μＶ）以下になるよう
な電磁波漏洩防止対策を施したことを特徴とする請求項
１〜１１のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 - 【請求項１３】 前記電磁波遮蔽板は、前記チャンバに
導通し、アースされていることを特徴とする請求項1〜
１２のいずれか１つに記載の半導体製造装置。 - 【請求項１４】 半導体製造装置が露光装置であること
を特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半
導体製造装置。 - 【請求項１５】 基板を収納したポッドを半導体製造装
置に装着する際に生じる開口部から電磁波が外部に漏洩
するのを防止する対策が半導体製造装置側に施されたこ
とを特徴とするポッド装着方法。 - 【請求項１６】 電磁波漏洩防止対策として半導体製造
装置側に前記電磁波遮蔽板が設けられていることを特徴
とする請求項１５に記載のポッド装着方法。 - 【請求項１７】 前記ポッドがミニエンバイロメント方
式のポッドである請求項１５または１６に記載のポッド
装着方法。 - 【請求項１８】 前記ポッドがフロントオープン一体型
ポッドまたは標準メカニカルインターフェイスポッドで
ある請求項１７に記載のポッド装着方法。 - 【請求項１９】 前記電磁波遮蔽板が装着した前記ポッ
ドの周囲を覆うように設けられていることを特徴とする
請求項１５〜１８のいずれか１つに記載のポッド装着方
法。 - 【請求項２０】 前記電磁波遮蔽板が前記標準メカニカ
ルインターフェイスポッドを半導体製造装置に装着する
際に生じる開口部を塞ぐように開閉移動することを特徴
とする請求項１５〜１９のいずれか１つに記載のポッド
装着方法。 - 【請求項２１】 第１の前記電磁波遮蔽板の他に、開閉
可能なスリットを備えた第２の電磁波遮蔽板が前記標準
メカニカルインターフェイスポッド内のキャリアを下降
させるインデクサと基板を搬送する搬送ロボット間に設
けられていることを特徴とする請求項２０に記載のポッ
ド装着方法。 - 【請求項２２】 電磁波漏洩防止対策が前記電磁波遮蔽
板の内壁面、外壁面あるいは前記電磁波遮蔽板材料内に
施されたことを特徴とする請求項１５〜２１のいずれか
１つに記載のポッド装着方法。 - 【請求項２３】 電磁波漏洩防止対策が、前記電磁波遮
蔽板を閉めた際に、前記電磁波遮蔽板の半導体製造装置
本体周囲を覆っているチャンバと接触する面に施されて
いることを特徴とする請求項２２に記載のポッド装着方
法。 - 【請求項２４】 電磁波漏洩防止対策として網目状金属
を使用したことを特徴とする請求項１５〜２３のいずれ
か１つに記載のポッド装着方法。 - 【請求項２５】 電磁波漏洩防止対策として金属コート
が施されたことを特徴とする請求項１５〜２３のいずれ
か１つに記載のポッド装着方法。 - 【請求項２６】 周波数が９ｋＨｚ〜４００ＧＨｚの範
囲に対して限度値が１００ｄＢ（μＶ）以下になるよう
な電磁波漏洩防止対策を施したことを特徴とする請求項
1５〜２５のいずれか１つに記載のポッド装着方法。 - 【請求項２７】 前記電磁波遮蔽板は、前記チャンバに
導通し、アースされていることを特徴とする請求項1５
〜２６のいずれか１つに記載のポッド装着方法。 - 【請求項２８】 請求項1〜１４のいずれか１つに記載
の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造するこ
とを特徴とする半導体デバイス生産方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113533A JP2000306971A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生産方法 |
| US09/551,910 US6800803B1 (en) | 1999-04-21 | 2000-04-19 | Semiconductor manufacturing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113533A JP2000306971A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生産方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306971A true JP2000306971A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14614745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11113533A Pending JP2000306971A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生産方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6800803B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000306971A (ja) |
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| KR20160003079A (ko) | 2013-05-30 | 2016-01-08 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 하전 입자선 장치 |
| WO2020148796A1 (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | 株式会社日立ハイテク | 電磁界遮蔽板、その製造方法、電磁界遮蔽構造、および半導体製造環境 |
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| US8420956B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-04-16 | Leviton Manufacturing Co., Inc. | Electrical device mounting adapter |
| US20110259635A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Leviton Manufacturing Co., Inc. | Electrical device alignment system |
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-
1999
- 1999-04-21 JP JP11113533A patent/JP2000306971A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-19 US US09/551,910 patent/US6800803B1/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6800803B1 (en) | 2004-10-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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