JPH09115983A - 生産システム及びデバイス生産方法 - Google Patents
生産システム及びデバイス生産方法Info
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- JPH09115983A JPH09115983A JP7275557A JP27555795A JPH09115983A JP H09115983 A JPH09115983 A JP H09115983A JP 7275557 A JP7275557 A JP 7275557A JP 27555795 A JP27555795 A JP 27555795A JP H09115983 A JPH09115983 A JP H09115983A
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- processing unit
- production system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光基板のサイズ増大に対応した生産システ
ムを提供すること。 【解決手段】 露光処理ユニット１０と、レジスト塗布
現像処理ユニット２０とを有する生産システムにおい
て、両ユニットの間で基板を受け渡す搬送機構であるハ
ンドを設け、該ハンドは両ユニットのいずれにもアクセ
ス可能であることを特徴とする。
ムを提供すること。 【解決手段】 露光処理ユニット１０と、レジスト塗布
現像処理ユニット２０とを有する生産システムにおい
て、両ユニットの間で基板を受け渡す搬送機構であるハ
ンドを設け、該ハンドは両ユニットのいずれにもアクセ
ス可能であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
パネル等、リソグラフィー技術を用いて製造されるデバ
イスを製作する上で必要な露光装置に関するものであ
る。
パネル等、リソグラフィー技術を用いて製造されるデバ
イスを製作する上で必要な露光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、露光装置には基板搬送系もしくは
オートフィーダーと呼ばれる基板の流れをコントロール
するための専用の機能を持ったユニットが備えられてい
る。この基板搬送系の主な機能としては、１）基板が複
数枚収納された基板カセットの載置、２）基板を一枚ず
つ露光ステージへ搬送するためのハンドリング機能、
３）基板の位置合わせ、４）露光ステージからの基板の
回収機能、等がある。これは、露光装置が単独で使用さ
れる場合（いわゆるスタンドアロン）が前提として想定
されている。
オートフィーダーと呼ばれる基板の流れをコントロール
するための専用の機能を持ったユニットが備えられてい
る。この基板搬送系の主な機能としては、１）基板が複
数枚収納された基板カセットの載置、２）基板を一枚ず
つ露光ステージへ搬送するためのハンドリング機能、
３）基板の位置合わせ、４）露光ステージからの基板の
回収機能、等がある。これは、露光装置が単独で使用さ
れる場合（いわゆるスタンドアロン）が前提として想定
されている。
【０００３】これに対して近年、基板が大型化される状
況の中で、人手による基板カセットのハンドリングが困
難になってきていること、及びデバイス製造の効率向上
を目指して、基板が一枚ずつ レジスト塗布→露光→現
像 といった工程を自動的に流れてゆくような、いわゆ
るインラインシステムの採用が増えつつある。
況の中で、人手による基板カセットのハンドリングが困
難になってきていること、及びデバイス製造の効率向上
を目指して、基板が一枚ずつ レジスト塗布→露光→現
像 といった工程を自動的に流れてゆくような、いわゆ
るインラインシステムの採用が増えつつある。
【０００４】このインラインシステムでの基板の流れを
図７を用いて説明する。まずレジスト塗布現像処理ユニ
ット２０の基板カセット収納部（不図示）に複数枚の基
板が収納された基板カセットがセットされる。この基板
カセットから、レジスト塗布現像装置に備えられている
基板の搬送系により基板が一枚ずつ抜き取られ、レジス
ト塗布用のカップに運ばれる。基板はレジスト塗布、ベ
ーク、冷却等のプロセスを経た後、上記搬送系もしくは
塗布現像装置に備えられた別の基板搬送系２２によりコ
ーターから取り出され、次のプロセスである露光装置の
基板搬送系１２に受け渡される。露光装置内部では、ス
タンドアロンの場合でいう基板搬送系の基板カセット載
置位置付近の基板受け渡し位置１３で、運ばれてきた基
板を一旦受け取り、基板の粗位置決めステージ１４で概
略の位置合わせの後、基板を露光ステージ２に搬送して
露光を行う。露光終了した基板は上記と逆の流れで塗布
現像機の基板搬送系に受け渡し、基板は現像工程に流れ
てゆく。以上が一般的なインラインのシステムの動作で
ある。
図７を用いて説明する。まずレジスト塗布現像処理ユニ
ット２０の基板カセット収納部（不図示）に複数枚の基
板が収納された基板カセットがセットされる。この基板
カセットから、レジスト塗布現像装置に備えられている
基板の搬送系により基板が一枚ずつ抜き取られ、レジス
ト塗布用のカップに運ばれる。基板はレジスト塗布、ベ
ーク、冷却等のプロセスを経た後、上記搬送系もしくは
塗布現像装置に備えられた別の基板搬送系２２によりコ
ーターから取り出され、次のプロセスである露光装置の
基板搬送系１２に受け渡される。露光装置内部では、ス
タンドアロンの場合でいう基板搬送系の基板カセット載
置位置付近の基板受け渡し位置１３で、運ばれてきた基
板を一旦受け取り、基板の粗位置決めステージ１４で概
略の位置合わせの後、基板を露光ステージ２に搬送して
露光を行う。露光終了した基板は上記と逆の流れで塗布
現像機の基板搬送系に受け渡し、基板は現像工程に流れ
てゆく。以上が一般的なインラインのシステムの動作で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体もし
くは液晶の分野において基板サイズは大型化の一途であ
り、特に液晶パネル製造分野においてこの傾向が著し
く、取り扱うガラスプレートのサイズが、この数年の間
に面積比で３倍以上の大きさとなっている。基板サイズ
が大きくなると、当然のことながら露光装置においては
露光ステージや基板の搬送系も大型化する。特に搬送系
については、搬送系の性能、機能に関わらず大きな基板
が移動するためのスペースが必要であるため搬送系の大
型化は避けられない。基板サイズが大型化すると露光装
置に限らず全てのプロセス機器の設置面積は大きくなっ
てゆくが、その主因は搬送系の大型化によるものであ
る。
くは液晶の分野において基板サイズは大型化の一途であ
り、特に液晶パネル製造分野においてこの傾向が著し
く、取り扱うガラスプレートのサイズが、この数年の間
に面積比で３倍以上の大きさとなっている。基板サイズ
が大きくなると、当然のことながら露光装置においては
露光ステージや基板の搬送系も大型化する。特に搬送系
については、搬送系の性能、機能に関わらず大きな基板
が移動するためのスペースが必要であるため搬送系の大
型化は避けられない。基板サイズが大型化すると露光装
置に限らず全てのプロセス機器の設置面積は大きくなっ
てゆくが、その主因は搬送系の大型化によるものであ
る。
【０００６】こういったプロセス機器は、一般にクリー
ンルームに設置される。従ってこれらプロセス機器の設
置面積が増大するとクリーンルームは大型化せざるを得
なくなり、クリーンルームの建設費やランニングコスト
の増大、ひいてはデバイス生産のコスト上昇を招くこと
になる。
ンルームに設置される。従ってこれらプロセス機器の設
置面積が増大するとクリーンルームは大型化せざるを得
なくなり、クリーンルームの建設費やランニングコスト
の増大、ひいてはデバイス生産のコスト上昇を招くこと
になる。
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであり、基板サイズが増大しても上記問題が深刻にな
らないような生産システムを提供する事を目的とするも
のである。
のであり、基板サイズが増大しても上記問題が深刻にな
らないような生産システムを提供する事を目的とするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の好ましい形態の一つは、露光処理ユニットと、他の
処理ユニットとを有する生産システムにおいて、両ユニ
ットの間で基板を受け渡す搬送機構を一方のユニットに
のみ、もしくはユニット間にのみ設けたことを特徴とす
るものである。
明の好ましい形態の一つは、露光処理ユニットと、他の
処理ユニットとを有する生産システムにおいて、両ユニ
ットの間で基板を受け渡す搬送機構を一方のユニットに
のみ、もしくはユニット間にのみ設けたことを特徴とす
るものである。
【０００９】また本発明の別の好ましい形態は、露光処
理ユニットと、他の処理ユニットとを有する生産システ
ムにおいて、両ユニットのいずれにもアクセス可能な搬
送ハンドを設けたことを特徴とするものである。
理ユニットと、他の処理ユニットとを有する生産システ
ムにおいて、両ユニットのいずれにもアクセス可能な搬
送ハンドを設けたことを特徴とするものである。
【００１０】ここで、他の処理ユニットとは、例えばレ
ジスト塗布装置や現像装置などである。
ジスト塗布装置や現像装置などである。
【００１１】また本発明の更なる形態は、上記いずれか
の生産システムを用いてデバイスを生産することを特徴
とするデバイス生産方法である。
の生産システムを用いてデバイスを生産することを特徴
とするデバイス生産方法である。
【００１２】
＜生産システムの実施例＞以下、本発明による基板搬送
システムの一実施例について、図１から図４を用いて説
明する。なお実施例の説明は、液晶基板の露光装置を前
提とし、この露光装置がレジスト塗布現像装置とインラ
インを組んだ場合を例にとるが、本発明はこれに限定さ
れるものなく、例えば半導体ウエハ基板の露光装置であ
っても良い。
システムの一実施例について、図１から図４を用いて説
明する。なお実施例の説明は、液晶基板の露光装置を前
提とし、この露光装置がレジスト塗布現像装置とインラ
インを組んだ場合を例にとるが、本発明はこれに限定さ
れるものなく、例えば半導体ウエハ基板の露光装置であ
っても良い。
【００１３】図１は本発明を実施例の全体構成及び動作
手順を説明する概略図、、図２は各ユニットの結合部付
近の詳細図、図３は露光装置がガラス基板を受け取る際
の斜視図、図４は露光装置からガラス基板を搬出する際
の斜視図を示している。
手順を説明する概略図、、図２は各ユニットの結合部付
近の詳細図、図３は露光装置がガラス基板を受け取る際
の斜視図、図４は露光装置からガラス基板を搬出する際
の斜視図を示している。
【００１４】全体の概略構成及びガラス基板の流れを図
１を用いて説明する。１０は露光処理ユニットで露光装
置本体１１を内蔵している、２０はレジスト塗布現像処
理ユニットでレジスト塗布装置及び現像装置２１を内蔵
している。そして各ユニットはクリーンルーム４内に設
置されている。露光処理ユニット１０と塗布現像ユニッ
ト２１との間には、両者の間でガラス基板１の受け渡し
を行うためのハンドを有する搬送系２２が設けられてい
る。
１を用いて説明する。１０は露光処理ユニットで露光装
置本体１１を内蔵している、２０はレジスト塗布現像処
理ユニットでレジスト塗布装置及び現像装置２１を内蔵
している。そして各ユニットはクリーンルーム４内に設
置されている。露光処理ユニット１０と塗布現像ユニッ
ト２１との間には、両者の間でガラス基板１の受け渡し
を行うためのハンドを有する搬送系２２が設けられてい
る。
【００１５】この構成において、塗布現像処理ユニット
２０によりレジストを塗布されたガラス基板１が基板搬
送系２２により運ばれて、露光処理ユニット１０の露光
ステージ２に載置される。その後、露光ステージ２は投
影光学系３（不図示）の下に移動し、オートフォーカ
ス、精密位置合わせの後露光される。露光終了後、ガラ
ス基板１は露光ステージ２により基板搬送系２２の受け
渡し位置まで運ばれ、基板搬送系２２によってガラス基
板１を回収しガラス基板１は現像工程へと流れてゆくこ
とになる。
２０によりレジストを塗布されたガラス基板１が基板搬
送系２２により運ばれて、露光処理ユニット１０の露光
ステージ２に載置される。その後、露光ステージ２は投
影光学系３（不図示）の下に移動し、オートフォーカ
ス、精密位置合わせの後露光される。露光終了後、ガラ
ス基板１は露光ステージ２により基板搬送系２２の受け
渡し位置まで運ばれ、基板搬送系２２によってガラス基
板１を回収しガラス基板１は現像工程へと流れてゆくこ
とになる。
【００１６】図２を用いて露光処理ユニット塗布現像ユ
ニットの結合部付近の詳細を説明する。露光処理ユニッ
ト１０内には、投影光学系３を挟んで上にマスク４を搭
載するためのマスクステージ５、下にガラス基板１を載
置しＸＹθに移動可能な露光ステージ２があり、この露
光ステージ２は露光装置本体１１の上に搭載される。露
光ステージ２上に運ばれてきたガラス基板１は、投影光
学系３を介してマスク４に対して位置合わせされた後、
マスクステージ５と露光ステージ２を同期して走査露光
を行うことにより、マスクのパターンをガラス基板に転
写する。また、レジスト塗布現像処理ユニット２０内に
は、レジスト塗布及び現像を行う処理装置２１が内蔵さ
れている。また、ハンド２３を有する基板搬送系２２も
レジスト塗布現像処理ユニット２０内に設けられてい
る。
ニットの結合部付近の詳細を説明する。露光処理ユニッ
ト１０内には、投影光学系３を挟んで上にマスク４を搭
載するためのマスクステージ５、下にガラス基板１を載
置しＸＹθに移動可能な露光ステージ２があり、この露
光ステージ２は露光装置本体１１の上に搭載される。露
光ステージ２上に運ばれてきたガラス基板１は、投影光
学系３を介してマスク４に対して位置合わせされた後、
マスクステージ５と露光ステージ２を同期して走査露光
を行うことにより、マスクのパターンをガラス基板に転
写する。また、レジスト塗布現像処理ユニット２０内に
は、レジスト塗布及び現像を行う処理装置２１が内蔵さ
れている。また、ハンド２３を有する基板搬送系２２も
レジスト塗布現像処理ユニット２０内に設けられてい
る。
【００１７】ガラス基板の受け渡しについて更に詳細に
説明する。図３はレジストを塗布されたガラス基板１
が、露光装置に受け渡される状態を示している。ガラス
基板１が基板搬送系２２の基板搬送ハンド２３により露
光装置内に運ばれてきたとき、露光ステージ２はすでに
受け渡し位置で待機しており、露光ステージ２からはガ
ラス基板受け取り用のピン７（リフトピン）が複数本立
ち上がっている。この状態でガラス基板１は基板搬送ハ
ンド２３により、リフトピン７上に載置され真空吸着さ
れる。その後、基板搬送ハンド２３はガラス基板１を残
し、塗布現像装置側へ戻ってゆく。リフトピン７が下が
ると同時に、不図示のガラス基板端面位置の測定機構が
働きガラス基板１の位置を測定する。この測定値に基づ
いてガラス基板１の粗位置合わせを行いながら露光ステ
ージ２が露光位置へ移動し、オートフォーカス、投影光
学系を介した精密位置合わせの後、露光を行う。
説明する。図３はレジストを塗布されたガラス基板１
が、露光装置に受け渡される状態を示している。ガラス
基板１が基板搬送系２２の基板搬送ハンド２３により露
光装置内に運ばれてきたとき、露光ステージ２はすでに
受け渡し位置で待機しており、露光ステージ２からはガ
ラス基板受け取り用のピン７（リフトピン）が複数本立
ち上がっている。この状態でガラス基板１は基板搬送ハ
ンド２３により、リフトピン７上に載置され真空吸着さ
れる。その後、基板搬送ハンド２３はガラス基板１を残
し、塗布現像装置側へ戻ってゆく。リフトピン７が下が
ると同時に、不図示のガラス基板端面位置の測定機構が
働きガラス基板１の位置を測定する。この測定値に基づ
いてガラス基板１の粗位置合わせを行いながら露光ステ
ージ２が露光位置へ移動し、オートフォーカス、投影光
学系を介した精密位置合わせの後、露光を行う。
【００１８】露光が終了したガラス基板１の回収方法を
図４で説明する。露光が終了すると露光ステージ２は、
上記基板の受け渡し位置へ移動する。この位置でガラス
基板１は、露光装置内に設けられた基板回収ハンド６に
より持ち上げられる。その後、基板搬送ハンド２３がガ
ラス基板１の下に進入しガラス基板を吸着後、露光装置
から搬出してゆく。この様にして塗布現像処理ユニット
２０へ回収されたガラス基板は次の現像工程へと流れて
ゆく。
図４で説明する。露光が終了すると露光ステージ２は、
上記基板の受け渡し位置へ移動する。この位置でガラス
基板１は、露光装置内に設けられた基板回収ハンド６に
より持ち上げられる。その後、基板搬送ハンド２３がガ
ラス基板１の下に進入しガラス基板を吸着後、露光装置
から搬出してゆく。この様にして塗布現像処理ユニット
２０へ回収されたガラス基板は次の現像工程へと流れて
ゆく。
【００１９】なお上記実施例では、塗布現像処理ユニッ
ト内に基板搬送系を設けた構成を示したが、逆に露光処
理ユニット側に搬送系を設けて塗布現像装置が基板搬送
系を持たない構成としてもよい。また、露光処理ユニッ
ト及び塗布現像処理ユニットがどちらも基板搬送系を持
たないで、両ユニットの間に基板系を設けるようにして
もよい。いずれにせよ、従来は複数の基板搬送系が設け
られていたのを兼用して、両方にアクセス可能なハンド
を有する搬送系としたことを特徴とするものである。
ト内に基板搬送系を設けた構成を示したが、逆に露光処
理ユニット側に搬送系を設けて塗布現像装置が基板搬送
系を持たない構成としてもよい。また、露光処理ユニッ
ト及び塗布現像処理ユニットがどちらも基板搬送系を持
たないで、両ユニットの間に基板系を設けるようにして
もよい。いずれにせよ、従来は複数の基板搬送系が設け
られていたのを兼用して、両方にアクセス可能なハンド
を有する搬送系としたことを特徴とするものである。
【００２０】また、上に示したような露光装置と塗布現
像装置の間だけでなく、例えば現像装置とエッチング装
置、エッチング装置とアッシャー、アッシャーと成膜装
置など、連続する工程間において、両方にアクセス可能
な搬送系を設けても効果が大きい。
像装置の間だけでなく、例えば現像装置とエッチング装
置、エッチング装置とアッシャー、アッシャーと成膜装
置など、連続する工程間において、両方にアクセス可能
な搬送系を設けても効果が大きい。
【００２１】以上のような生産システムを構成すること
により、従来よりも搬送系が簡略となり、搬送系で必要
とみなされていたスペース分だけトータルの設置面積を
小さくすることが可能となる。またこれに付随する効果
として、基板搬送ライントータルとして故障率が低減す
ることが期待できる。
により、従来よりも搬送系が簡略となり、搬送系で必要
とみなされていたスペース分だけトータルの設置面積を
小さくすることが可能となる。またこれに付随する効果
として、基板搬送ライントータルとして故障率が低減す
ることが期待できる。
【００２２】＜デバイス生産方法の実施例＞次に上記説
明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例
を説明する。
明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例
を説明する。
【００２３】図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２４】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
【００２５】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、各ユニット間の両方に
アクセス可能な搬送系を設けることによって、従来重複
して存在していた基板の搬送系を一つにまとめることが
可能となり、生産システムトータルで考えれば、１）設
置スペースを大幅に削減、２）コストダウン、３）トー
タルとして駆動軸数が大幅に減るため故障率の低減、等
の効果が期待できる。
アクセス可能な搬送系を設けることによって、従来重複
して存在していた基板の搬送系を一つにまとめることが
可能となり、生産システムトータルで考えれば、１）設
置スペースを大幅に削減、２）コストダウン、３）トー
タルとして駆動軸数が大幅に減るため故障率の低減、等
の効果が期待できる。
【００２７】本発明をデバイス生産に適用すれば、低コ
ストで大型高性能なデバイスを生産することが出来る。
ストで大型高性能なデバイスを生産することが出来る。
【図１】実施例の全体概略図
【図２】実施例の部分詳細図
【図３】露光装置への基板の受け渡しの様子を示す斜視
図
図
【図４】露光装置からの基板の回収の様子を示す斜視図
【図５】デバイス生産のフローを示す図
【図６】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図
【図７】従来例を示す平面図
１ ガラス基板 ２ 露光ステージ ３ 投影光学系 ４ クリーンルーム ６ 露光装置の基板回収ハンド ７ 露光装置の露光ステージに設けられたリフトピン １０ 露光処理ユニット １１ 露光装置本体 １２ 露光装置の基板搬送系 ２０ レジスト塗布・現像処理ユニット ２１ レジスト塗布現像装置本体 ２２ レジスト塗布現像装置の基板搬送系 ２３ レジスト塗布現像装置の基板搬送ハンド
Claims (17)
- 【請求項１】 露光処理ユニットと、他の処理ユニット
とを有する生産システムにおいて、両ユニットの間で基
板を受け渡す搬送機構を一方のユニットにのみ、もしく
はユニット間にのみ設けたことを特徴とする生産システ
ム。 - 【請求項２】 他の処理ユニットが、レジスト塗布装
置、現像装置の少なくとも一方を有することを特徴とす
る請求項１記載の生産システム。 - 【請求項３】 各ユニットはクリーンルーム内に設置さ
れることを特徴とする請求項１記載の生産システム。 - 【請求項４】 露光処理ユニットはウエハ基板に対して
回路パターンを露光転写する手段を有することを特徴と
する請求項１記載の生産システム。 - 【請求項５】 露光処理ユニットと、他の処理ユニット
とを有する生産システムにおいて、両ユニットのいずれ
にもアクセス可能な搬送ハンドを設けたことを特徴とす
る生産システム。 - 【請求項６】 他の処理ユニットが、レジスト塗布装
置、現像装置の少なくとも一方を有することを特徴とす
る請求項４記載の生産システム。 - 【請求項７】 各ユニットはクリーンルーム内に設置さ
れることを特徴とする請求項１記載の生産システム。 - 【請求項８】 露光処理ユニットはウエハ基板に対して
回路パターンを露光転写する手段を有することを特徴と
する請求項４記載の生産システム。 - 【請求項９】 請求項１記載の生産システムを用いてデ
バイスを生産することを特徴とするデバイス生産方法。 - 【請求項１０】 請求項２記載の生産システムを用いて
デバイスを生産することを特徴とするデバイス生産方
法。 - 【請求項１１】 請求項３記載の生産システムを用いて
デバイスを生産することを特徴とするデバイス生産方
法。 - 【請求項１２】 請求項４記載の生産システムを用いて
デバイスを生産することを特徴とするデバイス生産方
法。 - 【請求項１３】 請求項５記載の生産システムを用いて
デバイスを生産することを特徴とするデバイス生産方
法。 - 【請求項１４】 請求項６記載の生産システムを用いて
デバイスを生産することを特徴とするデバイス生産方
法。 - 【請求項１５】 請求項７記載の生産システムを用いて
デバイスを生産することを特徴とするデバイス生産方
法。 - 【請求項１６】 請求項８記載の生産システムを用いて
デバイスを生産することを特徴とするデバイス生産方
法。 - 【請求項１７】 請求項９〜１６のいずれか記載の生産
方法を用いて生産されたことを特徴とするデバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7275557A JPH09115983A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 生産システム及びデバイス生産方法 |
| US08/732,718 US5993081A (en) | 1995-10-24 | 1996-10-18 | In-line processing system |
| KR1019960047852A KR100210568B1 (ko) | 1995-10-24 | 1996-10-24 | 인라인처리시스템 및 이를 이용한 디바이스생산방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7275557A JPH09115983A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 生産システム及びデバイス生産方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115983A true JPH09115983A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17557115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7275557A Pending JPH09115983A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 生産システム及びデバイス生産方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115983A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316561A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-12-06 | Nsk Ltd | 露光装置及び露光方法 |
-
1995
- 1995-10-24 JP JP7275557A patent/JPH09115983A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316561A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-12-06 | Nsk Ltd | 露光装置及び露光方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010123 |