JP2000307188A - 発光素子の劣化検出装置 - Google Patents

発光素子の劣化検出装置

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JP2000307188A
JP2000307188A JP2000040054A JP2000040054A JP2000307188A JP 2000307188 A JP2000307188 A JP 2000307188A JP 2000040054 A JP2000040054 A JP 2000040054A JP 2000040054 A JP2000040054 A JP 2000040054A JP 2000307188 A JP2000307188 A JP 2000307188A
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Toshio Kasai
敏夫 笠井
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Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子(LD:レーザダイオード)の発光
の応答性を低下させることなく、発光素子の劣化を適切
に検出することを可能にしたLDの劣化検出装置を提供
する。 【解決手段】 LD11と、LDに電流を供給して発光
動作を行うLD駆動部26と、LD11の発光出力を検
出するPD(フォトダイオード)12と、PD12で検
出したLD11の発光出力に基づいて第1コンパレータ
21で基準電圧Vref1との比較を行い、その比較結果に
基づいて発光出力に対応する電圧Vcを出力し、かつそ
の電圧Vcに基づいてLD駆動部26を制御し、LD1
1の発光出力を一定に保持するAPC回路21と、第2
コンパレータ32において電圧Vcを予め設定した設定
電圧Vref2と比較し、電圧Vcが設定電圧Vref2を越え
たときにLD11の劣化信号を出力するLD劣化検出回
路23とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はLD(レーザダイオ
ード)等の発光素子の劣化を検出する装置に関し、特に
LDの出力パワーの劣化を検出するための装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】LDを光源とするLD走査装置では、均
一な画像パターンを形成するためには光強度を一定に保
持することが必要であり、そのためにLDの発光出力を
監視し、LDが劣化してその発光出力が低下した場合に
は適切な処置を施す必要がある。LDは、通常、図4に
実線Sで示すように、所定のしきい値Ithの電流−光強
度特性を有しているが、LDが劣化すると前記特性が同
図の破線で示すように変化される。例えば、Aに示す特
性では、γが低下され、Bに示す特性ではしきい値Ith
が高電流側に変動されており、いずれにしても、同じ電
流ILDをLDに供給してもLDの発光出力が低下される
ことになる。このような、LDの劣化の要因としては、
LDを構成する半導体接合における特性の経時的な変化
や、LDを構成する半導体構造での静電破壊等が考えら
れる。そのため、例えば、LDの発光出力を一定に保持
するために、LDの発光出力を検出し、その検出に基づ
いてLDの供給電流をフィードバック制御するAPC回
路を備えるLD回路では、APCレベルを保持するため
のLDの供給電流ILDが、同図の駆動電流IA ,IB
のように異常に増大されてしまい、そのためにLDに過
大電流が流れて発火し、あるいは消費電力が異常に増大
される原因となる。
【0003】このようなLDの劣化に伴う前記したよう
な問題を未然に防止するために、LDの劣化を検出する
検出装置が提案されている。図5はその一例を示す回路
であり、LD11に供給される電流ILDを検出し、こ
の電流値に基づいて劣化を検出する構成とされている。
すなわち、LD11を発光させるために電流を駆動する
LD駆動回路100に接続される電流供給路に抵抗Rs
を介挿し、この抵抗Rsを流れる電流ILDによる抵抗
Rsの両端電圧Vsを電圧検出器101で検出し、その
検出電圧Vsをコンパレータ102において予め設定し
た設定電圧Vref と比較し、その比較結果に基づいてL
D11の劣化を検出する構成となっている。このLD劣
化検出装置では、例えば、LD11の劣化に伴ってLD
の供給電流ILDが異常に増加し、その検出電圧Vsが
設定電圧Vref よりも増大したときに、LD11の劣化
を検出している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このL
D劣化検出装置では、LD11の電流供給路に直列に抵
抗Rsが介挿されているため、この抵抗Rsによる電圧
降下によって消費電力に対するLD11の発光出力であ
るLDの発光効率が低下するという問題がある。また、
前記抵抗Rsがダンピング抵抗としても働くのでLD発
光の応答性が悪くなり、特に高速でLDの発光制御を行
うレーザ走査装置の場合、例えば、描画パターン信号に
基づいてLDの電流供給路をオン、オフしてLDの発光
をパルス幅制御するPWM方式のレーザ走査装置では、
オン、オフ制御されたLDを駆動するための供給電流に
対するLD発光の応答性が低下し、描画するパターン精
度が低下される要因となる。
【0005】本発明の目的は、LD等の発光素子の発光
の応答性を低下させることなく、発光素子の劣化を適切
に検出することを可能にした発光素子の劣化検出装置を
提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の発光素子の劣化
検出装置は、レーザダイオード等の発光素子と、前記発
光素子に電力を供給して発光動作を行う発光素子駆動部
と、前記発光素子の発光出力を検出する受光素子と、前
記受光素子で検出した前記発光素子の発光出力に基づい
て前記発光出力に対応するデータを出力するデータ出力
部とを備え、前記出力されたデータに基づいて前記発光
素子駆動部を制御し、前記発光素子の発光出力を一定に
保持する発光出力制御回路と、前記出力データを予め設
定した設定データと比較し、前記出力データが前記設定
データと特定の関係になったときに前記発光素子の劣化
信号を出力する劣化検出回路とを備えることを特徴とし
ている。
【0007】ここで、本発明の好ましい形態としては、
前記データ出力部は、前記受光素子から出力される電流
を電圧に変換する電流電圧変換部と、前記変換された電
圧を基準電圧と比較してその比較結果を出力する第1比
較部と、前記第1比較部の比較結果に基づいて、前記変
換された電圧が前記基準電圧と等しくなるような電圧を
前記出力データとして生成する電圧生成部とを備え、前
記発光出力制御回路は、前記電圧生成部で生成される電
圧を電流に変換して前記発光素子に供給する電圧電流変
換部を備える。また、前記電圧生成部は、前記第1比較
部からの出力に基づいて選択的に動作される一対のスイ
ッチと、前記スイッチの選択動作により充電又は放電さ
れる蓄電手段とを備え、前記蓄電手段の蓄電した電圧を
前記データ値として生成する。さらに、前記劣化検出回
路は、前記電圧生成部から出力される電圧を予め設定し
た電圧と比較し、前記出力電圧が前記設定電圧を越えた
ときに前記劣化信号を出力する第2比較部を備えてい
る。
【0008】本発明においては、発光素子の発光出力を
一定に制御するための出力制御回路において生成されか
つ出力されるデータに基づいて、発光素子を駆動するた
めの供給電流の異常な増加を検出して発光素子の劣化を
検出しているので、発光素子の供給電流を検出するため
にその電流供給路に抵抗を介挿する必要がなくなり、こ
の抵抗が要因とされる発光素子の発光効率が低下すると
いう問題と、発光素子の発光の応答性が悪くなるという
問題を解消することが可能になる。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明にかかるLD劣化検出
装置をレーザ走査装置に適用した実施形態の構成配置で
ある。レーザ走査装置1は、内部にモニタ用のPD(フ
ォトダイオード)12を一体化したLD11を光源とし
て備えており、前記LD11で発光したレーザビームL
Bをコリメートレンズ13で平行ビームにし、シリンド
リカルレンズ14を透過した後、高速回転駆動されるポ
リゴンミラー15に投射する。そして、前記レーザビー
ムLBを前記ポリゴンミラー15の反射面で反射するこ
とによって主走査方向に偏向し、fθレンズ16を通し
て感光ドラム17の感光面に主走査する。また、前記感
光ドラム17は主走査方向に回転軸17aを有してお
り、その回転軸17aの回りに回転駆動することで、前
記レーザビームLBを副走査し、所定のパターンを描画
する。そして、前記LD11にはLD制御回路2が接続
されている。
【0010】図2は前記LD制御回路2の回路図であ
り、前記LD11を一定の光強度で発光するための制御
を行うAPC回路21と、前記レーザ走査装置で描画す
るパターンに応じて前記LD11での発光をオン、オフ
制御していわゆるパルス幅変調を行うためのPWM変調
回路22と、前記LD11での劣化を検出すためのLD
劣化検出回路23で構成されている。前記PD12は、
前記LD11で発光したレーザ光を受光して、光強度に
対応した電流を出力する。前記APC回路21は、前記
PD12の検出電流を電圧に変換するための電流電圧変
換部として、前記PD12の電流路に介挿した抵抗Rを
備えており、前記抵抗Rの両端に発生する電圧Vdを出
力する。また、前記検出された電圧Vdに基づいてLD
11をAPC制御するためのデータを出力する回路とし
て、前記検出された電圧Vdを一方の入力端に入力し、
他方の入力端に基準電圧Vref1を入力する第1コンパレ
ータ24と、前記第1コンパレータ24の出力により相
反的に動作する充放電部25と、前記充放電部25の出
力により充放電されるコンデンサCとを備えた構成とさ
れる。さらに、前記データに基づいて前記LD11を駆
動するための供給電流ILDを制御する制御部として、
前記コンデンサCの両端の電圧Vcを電流に変換して前
記LD11を発光するための前記供給電流を出力するV
/I(電圧/電流)変換部26を備えている。
【0011】前記充放電部25は、前記コンデンサCを
充電するための電力源となる電流源27と、前記第1コ
ンパレータ24の出力極性が「正」のときにオンして前
記電流源27を前記コンデンサCに接続する第1スイッ
チSW1と、前記第1コンパレータ24の出力に接続さ
れたインバータ28の出力によって前記第1コンバレー
タ24の出力極性が「負」のときにオンして前記コンデ
ンサCを抵抗Rxを介して接地に接続する第2スイッチ
SW2とで構成されている。また、前記充放電部25と
前記コンデンサCの間には、通常ではオン状態である
が、APC回路21のループを開いてAPC動作を停止
させるためのAPCオープンスイッチ29が介挿されて
いる。
【0012】前記PWM変調回路22は、前記V/I変
換部26と前記LD11との間に介挿された通常ではオ
ン状態の電子スイッチ30と、描画パターンのデータに
基づいて対応するパルス幅の信号を生成して前記電子ス
イッチ30をオン、オフ制御するPWM生成部31とを
備えている。
【0013】前記LD劣化検出回路23は、前記APC
回路21のコンデンサCの電圧Vcを一方の入力端に入
力し、他方の入力端に設定電圧Vref2を入力し、前記コ
ンデンサCの電圧Vcが前記設定電圧Vref2よりも高く
なったときにLD劣化信号を出力する第2コンパレータ
32と、前記第2コンパレータ32の出力に基づいてL
D劣化に伴う制御を実行するLD劣化制御部33とを備
えている。前記LD劣化制御部33には、LED等で構
成されるLD劣化表示器34と、圧電素子等で構成され
るLD劣化警報ブザー35が接続される。また、前記L
D劣化制御部33は、前記APCオープンスイッチ29
をオフするように接続が行われ、さらに前記PWM生成
部31を強制的に制御するように接続が行われている。
【0014】以上の構成のLD制御回路2における動作
について説明する。先ず、APC回路21では、LD1
1で発光したレーザ光をPD12が受光すると、光強度
に応じた電流が生じるため、抵抗Rにはその電流に応じ
た電圧Vdが発生する。この電圧Vdは第1コンパレー
タ24の一方の入力端に入力され、他方の入力端に入力
されている基準電圧Vref1と比較する。そして、Vdが
Vref1よりも低い場合には、第1コンパレータ24の出
力極性は「正」となるため、第1スイッチSW1はオン
され、第2スイッチSW2はオフされる。これにより、
コンデンサCは第1スイッチSW1を介して充放電部2
5の電流源27に接続されるため、コンデンサCは充電
が開始される。充電の進行に伴ってコンデンサCの電圧
Vcが増加するため、V/I変換部26から出力される
電流が増加され、LD11の供給電流ILDが増加され
る。これにより、LD11の発光出力が増加される。
【0015】一方、LD11の発光出力の増加に伴って
PD12で発生する電流が増加すると、電圧Vdも増加
される。そして、この電圧Vdが第1コンパレータ24
において基準電圧Vref1よりも大きくなると、第1コン
パレータ24の出力極性は「負」となるため、第1スイ
ッチSW1はオフされ、第2スイッチSW2がオンされ
る。これにより、コンデンサCは抵抗Rx及び第2スイ
ッチSW2を介して接地に接続されるため放電が開始さ
れる。放電の進行に伴ってコンデンサCの電圧Vcが低
下するため、V/I変換部26から出力される電流が減
少され、LD11の供給電流ILDが減少され、発光出
力が低減される。これにより、電圧Vdが基準電圧Vre
f1と等しくなるようにLD11の供給電流がフィードバ
ック制御され、結果としてLD11の発光出力が所要の
出力に制御されることになる。
【0016】このようなAPC制御が行われている状況
のもとで、描画するパターンデータがPWM生成部31
に入力されると、PWM生成部31は描画パターンに対
応するパルス幅のパルス信号を生成し、電子スイッチ3
0をパルス幅に対応してオン、オフ制御する。これによ
り、LD11の発光が前記オン、オフによりPWM変調
制御され、図1に示した感光ドラム17上を主走査する
レーザビームLBが当該パターンを描画する。なお、前
記APCはLD11が発光されている間のみ行われる。
LD11が発光していないときにAPC動作を行うと、
必ずLD11の供給電流ILDを増加する方向に動作し
てしまい、APC動作が暴走することになる。
【0017】さらに、前記LD劣化検出回路23では、
前記APC制御されているコンデンサCの電圧Vcを検
出し、これを第2コンパレータ32において設定電圧V
ref2と比較する。ここで、前記設定電圧Vref2は、前記
APC制御におけるLD11の発光出力が図4の出力レ
ベルであるAPCレベルに設定されているときに、LD
11の劣化が始まったとみなす所定の設定電流Ixに対
応したコンデンサ電圧に等しく設定されている。そのた
め、LD11が劣化していないときには、前記APCレ
ベルを保持するためのLD11の供給電流ILDは、前
記設定電流Ixよりも小さいInであるため、コンデン
サCの電圧Vcは設定電圧Vref2よりも低い状態にあ
る。したがって、このときには第2コンパレータ32か
ら劣化信号が出力されることはない。一方、LD11が
劣化して図4のAPCレベルを保持するためにLD11
に供給する電流ILDが増加して設定電流Ixを越える
と、これに伴ってコンデンサCの電圧Vcも増加し、設
定電圧Vref2を越える状態となる。この状態では、第2
コンパレータ32から劣化信号が出力されるため、LD
劣化制御部33は、例えば、警報表示器34を点灯して
LD11が劣化したことを表示する。あるいは、警報ブ
ザー35を鳴動してLD11が劣化したことを報知す
る。
【0018】さらには、この実施形態では、LD11の
劣化を検出したときには、劣化制御部33はAPCオー
プンスイッチ29をオフし、以降のコンデンサCへの充
電を停止する。これにより、コンデンサCは充放電部2
5から遮断され、コンデンサ電圧Vcは自然放電によっ
て徐々に電圧が低下される。したがって、V/I変換部
26の出力電流も徐々に低下されるため、LD11に対
しては徐々に低下される電流ILDをLDに供給する。
【0019】このように、LD11の発光出力を一定に
制御するためのAPC回路21に設けられているLD駆
動回路としてのV/I変換部26の入力電圧Vcを検出
し、この検出した電圧Vcに基づいてLD11の供給電
流ILDの異常な増加を検出してLD11の劣化を検出
しているので、LD11の供給電流ILDを検出するた
めに、図5に示した従来構成のように電流供給路に抵抗
を介挿する必要はなくなる。そのため、抵抗による電圧
降下によって消費電力に対するLDの発光出力であるL
Dの発光効率が低下するという問題が生じることはな
い。また、前記抵抗がダンピングンス抵抗として機能し
てLD発光の応答性が悪くなるようなこともなく、レー
ザ走査装置において描画するパターン精度が低下され、
レーザ走査装置の性能が低下されることもない。
【0020】なお、前記実施形態では、APC回路をア
ナログ回路で構成した例を示したが、APC回路をデジ
タル回路構成とした場合にも本発明を適用することは可
能である。例えば、図3はその概略回路図であり、図2
と等価な部分には同一符号を付してある。この回路で
は、PD12に接続した抵抗Rで検出した電圧VdをA
/D変換器41でA/D変換し、デジタルデータDdと
する。得られたデジタルデータを第1デジタルコンパレ
ータ42で基準電圧のデジタルデータ43と比較して、
その差データΔDを出力する。そして、この差データΔ
Dをアップダウンカウンタ44によりカウントし、その
カウントデータDcをD/A変換器45でアナログ値A
cに変換し、当該アナログ値Acに対応した電流をV/
I変換部26で生成し、LDに供給するように構成す
る。そして、このようにAPC回路21をデジタル回路
構成とした場合には、LD劣化検出回路23のLD劣化
制御部33では、前記カウントデータDcを第2デジタ
ルコンパレータ46によって予め設定したデジタルデー
タ47と比較することにより、LD11の供給電流IL
Dの増加を検出し、LDの劣化を検出することが可能と
なる。このように、APC回路21及びLD劣化検出回
路23をデジタル化することにより、これらの回路の少
なくとも一部をマイクロコンピュータ等によって一体構
成でき、しかもアナログ回路構成で用いられていたスイ
ッチやコンデンサを省略することができ、回路規模を縮
小するとともに、処理の高速化が可能となる。なお、こ
の第2の実施形態では、PWM変調回路は省略してい
る。
【0021】ここで、前記各実施形態では、LD劣化制
御部33の機能として、LD劣化の状態を表示する表示
器、警報ブザーを設けるとともに、APC回路をオープ
ン状態とし、さらにLD劣化を描画する等の機能を備え
るものとして説明したが、LD劣化を表示する機能を備
えてさえいればよく、前記した構成を必ず備えなければ
いけないというものではない。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、発光素子
の発光出力を一定に制御するための出力制御回路から出
力されるデータを、予め発光素子が劣化したときに出力
される値として設定した設定データと比較し、その比較
結果にに基づいて、発光素子を駆動するための供給電流
の異常な増加を検出して発光素子の劣化を検出している
ので、発光素子の供給電流を検出するためにその電流供
給路に抵抗を介挿する必要がなくなり、この抵抗が要因
とされる発光素子の発光効率が低下するという問題と、
発光素子の発光の応答性が悪くなるという問題を解消す
ることができ、発光効率が高く、しかも発光の応答性の
高い発光素子を用いた光走査装置を実現することが可能
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されるレーザ走査装置の概略構成
図である。
【図2】本発明にかかるLD劣化検出装置の第1の実施
形態の回路図である。
【図3】本発明のLD劣化検出装置の第2の実施形態の
回路図である。
【図4】LDの駆動電流とその出力及び劣化状態を示す
特性図である。
【図5】従来のLD劣化検出装置の回路の一部を示す回
路図である。
【符号の説明】
1 レーザ走査装置 2 レーザ制御回路 11 LD(レーザダイオード) 12 PD(フォトダイオード) 15 ポリゴンミラー 17 感光ドラム 21 APC回路 22 PWM変調回路 23 LD劣化検出回路 24 第1コンパレータ 25 充放電部 26 V/I変換部 31 PWM生成部 32 第2コンパレータ 33 LD劣化制御部 41 A/D変換器 42 第1デジタルコンパレータ 43 基準データ 44 アップダウンカウンタ 45 D/A変換器 46 第2デジタルコンパレータ 47 設定データ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
    して発光動作を行う発光素子駆動部と、前記発光素子の
    発光出力を検出する受光素子と、前記受光素子で検出し
    た発光出力に基づいて前記発光出力に対応するデータを
    出力するデータ出力部を備え、前記出力されたデータに
    基づいて前記発光素子駆動部を制御し、前記発光素子の
    発光出力を一定に保持する構成の発光出力制御回路と、
    前記出力データを予め設定した設定データと比較し、前
    記出力データが前記設定データと特定の関係になったと
    きに前記発光素子の劣化信号を出力する発光素子劣化検
    出回路とを備えることを特徴とする発光素子の劣化検出
    装置。
  2. 【請求項2】 前記データ出力部は、前記受光素子から
    出力される電流を電圧に変換する電流電圧変換部と、前
    記変換された電圧を基準電圧と比較してその比較結果を
    出力する第1比較部と、前記第1比較部の比較結果に基
    づいて、前記変換された電圧が前記基準電圧と等しくな
    るような電圧を前記出力データとして生成する電圧生成
    部とを備え、前記発光出力制御回路は、前記電圧生成部
    で生成される電圧を電流に変換して前記発光素子に供給
    する電圧電流変換部を備えることを特徴とする請求項1
    に記載の発光素子の劣化検出装置。
  3. 【請求項3】 前記電圧生成部は、前記第1比較部から
    の前記出力に基づいて選択的に動作される一対のスイッ
    チと、前記スイッチの選択動作により充電又は放電され
    る蓄電手段とを備え、前記蓄電手段の蓄電した電圧を前
    記出力データのデータ値として生成することを特徴とす
    る請求項2に記載の発光素子の劣化検出装置。
  4. 【請求項4】 前記劣化検出回路は、前記電圧生成部か
    ら出力される電圧を予め設定した電圧と比較し、前記出
    力電圧が前記設定電圧を越えたときに前記劣化信号を出
    力する第2比較部を備えることを特徴とする請求項1な
    いし3のいずれかに記載の発光素子の劣化検出装置。
  5. 【請求項5】 前記データ出力部は、前記受光素子から
    出力される電流を電圧に変換する電流電圧変換部と、前
    記変換された電圧をデジタルデータに変換するA/D変
    換器と、前記変換されたデジタルデータと基準データと
    の差データを求める第1デジタルコンパレータと、前記
    第1デジタルコンパレータから出力される差データをカ
    ウントして前記出力データとするカウンタと、前記カウ
    ンタの出力を電圧に変換するD/A変換器とを備え、前
    記発光出力制御回路は、前記D/A変換器から出力され
    る電圧を電流に変換して前記発光素子に供給する電圧電
    流変換部を備えることを特徴とする請求項1に記載の発
    光素子の劣化検出装置。
  6. 【請求項6】 前記劣化検出回路は、前記カウンタから
    出力されるデータを予め設定した設定データと比較し、
    前記カウンタの出力データが前記設定データを越えたと
    きに前記劣化信号を出力する第2デジタルコンパレータ
    を備えることを特徴とする請求項5に記載の発光素子の
    劣化検出装置。
  7. 【請求項7】 前記発光素子はレーザダイオードである
    ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の
    発光素子の劣化検出装置。
JP2000040054A 1999-02-18 2000-02-17 発光素子の劣化検出装置 Withdrawn JP2000307188A (ja)

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