JP2000309865A - Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000309865A JP2000309865A JP2000015367A JP2000015367A JP2000309865A JP 2000309865 A JP2000309865 A JP 2000309865A JP 2000015367 A JP2000015367 A JP 2000015367A JP 2000015367 A JP2000015367 A JP 2000015367A JP 2000309865 A JP2000309865 A JP 2000309865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- target
- sputtering target
- less
- oxygen content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 27
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング中の異常放電を抑制し、成膜
中へのパーティクルの発生及び混入を防止し、さらにス
パッタリング中のターゲット割れ等を効果的に低減又は
防止する。 【解決手段】 酸素含有量１０ｗｔｐｐｍ以下のＮｉ−
Ｐ合金地金を溶解し、不活性ガス雰囲気中でアトマイズ
加工して、平均粒径１００μｍ以下のＮｉ−Ｐ合金アト
マイズ加工粉とした後、ホットプレス（HP）又は熱間静
水圧プレス（HIP）加工する、Ｐ１２〜２４ａｔ％、酸
素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であり、残部Ｎｉ及び
不可避的不純物からなるＮｉ−Ｐ合金スパッタリングタ
ーゲット及びその製造方法。
中へのパーティクルの発生及び混入を防止し、さらにス
パッタリング中のターゲット割れ等を効果的に低減又は
防止する。 【解決手段】 酸素含有量１０ｗｔｐｐｍ以下のＮｉ−
Ｐ合金地金を溶解し、不活性ガス雰囲気中でアトマイズ
加工して、平均粒径１００μｍ以下のＮｉ−Ｐ合金アト
マイズ加工粉とした後、ホットプレス（HP）又は熱間静
水圧プレス（HIP）加工する、Ｐ１２〜２４ａｔ％、酸
素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であり、残部Ｎｉ及び
不可避的不純物からなるＮｉ−Ｐ合金スパッタリングタ
ーゲット及びその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
の記録媒体磁性膜の下地膜であるＮｉ−Ｐ合金膜形成の
ために特に有用な、スパッタリング中の異常放電、成膜
中へのパーティクルの混入、スパッタリング中のターゲ
ット割れ等を効果的に低減又は防止できるＮｉ−Ｐ合金
スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
の記録媒体磁性膜の下地膜であるＮｉ−Ｐ合金膜形成の
ために特に有用な、スパッタリング中の異常放電、成膜
中へのパーティクルの混入、スパッタリング中のターゲ
ット割れ等を効果的に低減又は防止できるＮｉ−Ｐ合金
スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、記録密度の向上のために、磁気デ
ィスク（ハードディスク）等の磁気記録媒体は、従来の
塗布型の磁気記録媒体に替わってスパッタリング法等で
形成された薄膜型記録媒体が多く使用されるようになっ
てきた。スパッタリング法は周知のように、荷電粒子を
ターゲットに向けて照射し、その粒子衝撃力によりター
ゲットから粒子を叩き出して、これをターゲットに対向
させた例えばガラスやアルミニウム等の基板に、ターゲ
ット材料から構成される物質を基本成分とする薄膜を形
成する成膜方法である。スパッタリング中にターゲット
材料が高エネルギー状態で基板表面に衝突し、堆積する
ため、基板に対する密着強度が高く、かつ緻密な膜を形
成することができる。一方、ターゲットは荷電粒子の大
量の衝撃を受けるので、ターゲットに投入される熱量が
次第に増大蓄積されてくる。このため、ターゲットの裏
面に純銅や銅合金等の熱伝導性の良い材料（バッキング
プレート）をろう付け等の手段により接合し、かつこの
バッキングプレートを外部からの冷却手段を通じて冷却
し、ターゲットの熱を吸収するようにしている。
ィスク（ハードディスク）等の磁気記録媒体は、従来の
塗布型の磁気記録媒体に替わってスパッタリング法等で
形成された薄膜型記録媒体が多く使用されるようになっ
てきた。スパッタリング法は周知のように、荷電粒子を
ターゲットに向けて照射し、その粒子衝撃力によりター
ゲットから粒子を叩き出して、これをターゲットに対向
させた例えばガラスやアルミニウム等の基板に、ターゲ
ット材料から構成される物質を基本成分とする薄膜を形
成する成膜方法である。スパッタリング中にターゲット
材料が高エネルギー状態で基板表面に衝突し、堆積する
ため、基板に対する密着強度が高く、かつ緻密な膜を形
成することができる。一方、ターゲットは荷電粒子の大
量の衝撃を受けるので、ターゲットに投入される熱量が
次第に増大蓄積されてくる。このため、ターゲットの裏
面に純銅や銅合金等の熱伝導性の良い材料（バッキング
プレート）をろう付け等の手段により接合し、かつこの
バッキングプレートを外部からの冷却手段を通じて冷却
し、ターゲットの熱を吸収するようにしている。
【０００３】基板にコバルト合金等の磁性膜を形成する
前に、磁気的・電気的特性を向上させ、均一性を持たせ
るために非磁性膜が形成される。従来このような下地膜
としてクロム膜などが提案されてきたが、最近ではＮｉ
−Ｐ合金膜がより高品質の磁気特性をもつ記録媒体が得
られるということから注目されている。しかし、Pが酸
化し易いためにＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット
に含まれる酸素が３０００ｐｐｍ以上になり、これを用
いてスパッタリングすると下地膜に酸素が多量に存在す
ることになる。このような酸素の多量の存在は、磁性膜
がエピタキシャル成長できず、保磁力が低下するという
問題を生じた。このため、焼結用粉末を予め還元処理
し、Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット中に含まれ
る酸素含有量を２０００ｐｐｍ以下（８４０〜１９８０
ｐｐｍ）とする提案がなされた（特開平６−１３６５２
６号、特開平６−２５８４２号）。
前に、磁気的・電気的特性を向上させ、均一性を持たせ
るために非磁性膜が形成される。従来このような下地膜
としてクロム膜などが提案されてきたが、最近ではＮｉ
−Ｐ合金膜がより高品質の磁気特性をもつ記録媒体が得
られるということから注目されている。しかし、Pが酸
化し易いためにＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット
に含まれる酸素が３０００ｐｐｍ以上になり、これを用
いてスパッタリングすると下地膜に酸素が多量に存在す
ることになる。このような酸素の多量の存在は、磁性膜
がエピタキシャル成長できず、保磁力が低下するという
問題を生じた。このため、焼結用粉末を予め還元処理
し、Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット中に含まれ
る酸素含有量を２０００ｐｐｍ以下（８４０〜１９８０
ｐｐｍ）とする提案がなされた（特開平６−１３６５２
６号、特開平６−２５８４２号）。
【０００４】また、同様に溶解鋳造法によるＮｉ−Ｐ合
金ターゲットの製造に替えて焼結法を採用し、スパッタ
リングによりＮｉ−Ｐ合金下地（アモルファス）膜を形
成した場合に、製造工程中の熱影響を受けてＮｉ−Ｐ合
金膜が結晶化するのを防止するために、前記Ｎｉ−Ｐ合
金ターゲットにＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の
高融点金属を含有させ、さらに焼結原料粉末混合物の均
一性を高めるためにアトマイズ粉を用いるという提案が
なされている（特開平７−２９２４６３号）。
金ターゲットの製造に替えて焼結法を採用し、スパッタ
リングによりＮｉ−Ｐ合金下地（アモルファス）膜を形
成した場合に、製造工程中の熱影響を受けてＮｉ−Ｐ合
金膜が結晶化するのを防止するために、前記Ｎｉ−Ｐ合
金ターゲットにＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の
高融点金属を含有させ、さらに焼結原料粉末混合物の均
一性を高めるためにアトマイズ粉を用いるという提案が
なされている（特開平７−２９２４６３号）。
【０００５】Ｎｉ−Ｐ合金膜は基板に磁性膜を形成する
前の下地膜として磁気的、電気的特性を向上させ、均一
性を持たせるために有効であることが認識され、それな
りの改善が施されているが、上記のような改善では必ず
しも満足できる膜が形成されているわけではない。特
に、Ｎｉ−Ｐ合金ターゲットを用いてスパッタリングす
ると、スパッタリング中に異常放電現象が見られ、さら
にこれが主たる原因と見られるパーティクルが発生し、
これがＮｉ−Ｐ合金膜に混入することである。このパー
ティクルの混入はハードディスク等磁気媒体の特性の悪
化を引き起こし、製品歩留りを低下させる原因となっ
た。また、前記のようにスパッタリング中にバッキング
プレートを介してターゲットを冷却する構造となってい
るが、このターゲットとバッキングプレートとの熱膨張
の差から反りや割れが発生するという問題を生じた。ま
た、最近ＨＤ用スパッタマシンはバッキングプレートを
使用しない間接冷却タイプが主流となってきており、こ
の場合はターゲットの割れの問題が一層深刻になってい
る。ターゲットの割れや変形は成膜を不安定にし、成膜
不全の重大な問題に至る。
前の下地膜として磁気的、電気的特性を向上させ、均一
性を持たせるために有効であることが認識され、それな
りの改善が施されているが、上記のような改善では必ず
しも満足できる膜が形成されているわけではない。特
に、Ｎｉ−Ｐ合金ターゲットを用いてスパッタリングす
ると、スパッタリング中に異常放電現象が見られ、さら
にこれが主たる原因と見られるパーティクルが発生し、
これがＮｉ−Ｐ合金膜に混入することである。このパー
ティクルの混入はハードディスク等磁気媒体の特性の悪
化を引き起こし、製品歩留りを低下させる原因となっ
た。また、前記のようにスパッタリング中にバッキング
プレートを介してターゲットを冷却する構造となってい
るが、このターゲットとバッキングプレートとの熱膨張
の差から反りや割れが発生するという問題を生じた。ま
た、最近ＨＤ用スパッタマシンはバッキングプレートを
使用しない間接冷却タイプが主流となってきており、こ
の場合はターゲットの割れの問題が一層深刻になってい
る。ターゲットの割れや変形は成膜を不安定にし、成膜
不全の重大な問題に至る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者はターゲッ
ト、特にハードディスク等の記録媒体である磁性膜の下
地膜として使用されるＮｉ−Ｐ合金膜の形成のために有
用なＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットを提供する
ものであり、スパッタリング中の異常放電を抑制し、成
膜中へのパーティクルの発生及び混入を防止し、さらに
スパッタリング中のターゲット割れ等を効果的に低減又
は防止することを課題とする。
ト、特にハードディスク等の記録媒体である磁性膜の下
地膜として使用されるＮｉ−Ｐ合金膜の形成のために有
用なＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットを提供する
ものであり、スパッタリング中の異常放電を抑制し、成
膜中へのパーティクルの発生及び混入を防止し、さらに
スパッタリング中のターゲット割れ等を効果的に低減又
は防止することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）Ｐ１２
〜２４ａｔ％、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であ
り、残部Ｎｉ及び不可避的不純物からなることを特徴と
するＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット、（２）酸
素含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする
前記（１）記載のＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲッ
ト、（３）２００μｍ角エリア内に、ＮｉとＮｉ３Ｐが
共存する組織を持ち、一つのNｉ粒の断面積サイズが１
５０００μｍ２以下の均一微細組織をもつ前記（１）又
は（２）記載のＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲッ
ト、（４）不純物であるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＭｎの含
有量がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴と
する前記（１）〜（３）のそれぞれに記載のＮｉ−Ｐ合
金スパッタリングターゲット、（５）５ＭＰａｍ１／２
以上の破壊靭性値（ＳＥＶＮＢ法）を有することを特徴
とする（１）〜（４）のそれぞれに記載のＮｉ−Ｐ合金
スパッタリングターゲット（６）酸素含有量１０ｗｔｐ
ｐｍ以下のＮｉ−Ｐ合金地金を溶解し、不活性ガス雰囲
気中でアトマイズ加工して、平均粒径１００μｍ以下の
Ｎｉ−Ｐ合金アトマイズ加工粉とした後、ホットプレス
（HP）又は熱間静水圧プレス（HIP）加工することを特
徴とする、Ｐ１２〜２４ａｔ％、酸素含有量が１００ｗ
ｔｐｐｍ以下であり、残部Ｎｉ及び不可避的不純物から
なるＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットの製造方
法、を提供するものである。
〜２４ａｔ％、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であ
り、残部Ｎｉ及び不可避的不純物からなることを特徴と
するＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット、（２）酸
素含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする
前記（１）記載のＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲッ
ト、（３）２００μｍ角エリア内に、ＮｉとＮｉ３Ｐが
共存する組織を持ち、一つのNｉ粒の断面積サイズが１
５０００μｍ２以下の均一微細組織をもつ前記（１）又
は（２）記載のＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲッ
ト、（４）不純物であるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＭｎの含
有量がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴と
する前記（１）〜（３）のそれぞれに記載のＮｉ−Ｐ合
金スパッタリングターゲット、（５）５ＭＰａｍ１／２
以上の破壊靭性値（ＳＥＶＮＢ法）を有することを特徴
とする（１）〜（４）のそれぞれに記載のＮｉ−Ｐ合金
スパッタリングターゲット（６）酸素含有量１０ｗｔｐ
ｐｍ以下のＮｉ−Ｐ合金地金を溶解し、不活性ガス雰囲
気中でアトマイズ加工して、平均粒径１００μｍ以下の
Ｎｉ−Ｐ合金アトマイズ加工粉とした後、ホットプレス
（HP）又は熱間静水圧プレス（HIP）加工することを特
徴とする、Ｐ１２〜２４ａｔ％、酸素含有量が１００ｗ
ｔｐｐｍ以下であり、残部Ｎｉ及び不可避的不純物から
なるＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットの製造方
法、を提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】スパッタリング中に異常放電現象
やこれが主たる原因と見られるパーティクルの発生及び
スパッタリング中の割れ発生の原因を究明すると、Ｎｉ
−Ｐ合金スパッタリングターゲット中に含まれる微量な
酸化物に起因することが分かった。またスパッタリング
中の割れ発生を引き起こすターゲットの強度の問題も、
ターゲットに局所的に存在する酸化物と内部のポアに原
因があることが分かった。上記従来技術にも示すよう
に、Pが酸化し易いためにＮｉ−Ｐ合金スパッタリング
ターゲットに含まれる酸素が３０００ｐｐｍ以上になる
こと、そしてこれを改良するために、Ｎｉ−Ｐ合金スパ
ッタリングターゲット中に含まれる酸素含有量を２００
０ｐｐｍ以下（８４０〜１９８０ｐｐｍ）とする提案が
なされた。
やこれが主たる原因と見られるパーティクルの発生及び
スパッタリング中の割れ発生の原因を究明すると、Ｎｉ
−Ｐ合金スパッタリングターゲット中に含まれる微量な
酸化物に起因することが分かった。またスパッタリング
中の割れ発生を引き起こすターゲットの強度の問題も、
ターゲットに局所的に存在する酸化物と内部のポアに原
因があることが分かった。上記従来技術にも示すよう
に、Pが酸化し易いためにＮｉ−Ｐ合金スパッタリング
ターゲットに含まれる酸素が３０００ｐｐｍ以上になる
こと、そしてこれを改良するために、Ｎｉ−Ｐ合金スパ
ッタリングターゲット中に含まれる酸素含有量を２００
０ｐｐｍ以下（８４０〜１９８０ｐｐｍ）とする提案が
なされた。
【０００９】しかし、このような酸素レベルでは上記の
ような問題は一向に解決できないことがわかった。Ｎｉ
−Ｐ合金スパッタリングターゲットを低酸素にする製造
方法自体が、従来の通常の焼結方法では実現できない難
しい工程ではあるが、このような酸素が原因となる成膜
の欠陥に気づくことが必要である。従来技術においては
残念ながらこのような認識に至っていなかった。すなわ
ち、Ｐ１２〜２４ａｔ％、残部ＮｉからなるＮｉ−Ｐ合
金スパッタリングターゲットにおいて、不純物である酸
素含有量が１００ｗｔｐｐｍ未満とすることにより初め
て解決できた。さらに酸素含有量が５０ｗｔｐｐｍ未満
であることがより望ましい。Ｐの下限値１２ａｔ％は成
膜の非磁性を維持し、スパッタリングターゲット及び成
膜の硬度及び強度を維持するために該下限値以上のPの
含有が必要である。しかし、上限値Ｐ２４ａｔ％を超え
ると基板への密着強度が低下し、場合によっては剥離す
るなどの問題を生じ、また例えば上限値Ｐ２４ａｔ％を
超えたＮｉ−２５ａｔ％Ｐでは非常に脆いＮｉ３Ｐ単一
相となるので、スパッタリング成膜に重大なトラブルを
発生する可能性が高くなる。以上から、上限値をＰ２４
ａｔ％とした。
ような問題は一向に解決できないことがわかった。Ｎｉ
−Ｐ合金スパッタリングターゲットを低酸素にする製造
方法自体が、従来の通常の焼結方法では実現できない難
しい工程ではあるが、このような酸素が原因となる成膜
の欠陥に気づくことが必要である。従来技術においては
残念ながらこのような認識に至っていなかった。すなわ
ち、Ｐ１２〜２４ａｔ％、残部ＮｉからなるＮｉ−Ｐ合
金スパッタリングターゲットにおいて、不純物である酸
素含有量が１００ｗｔｐｐｍ未満とすることにより初め
て解決できた。さらに酸素含有量が５０ｗｔｐｐｍ未満
であることがより望ましい。Ｐの下限値１２ａｔ％は成
膜の非磁性を維持し、スパッタリングターゲット及び成
膜の硬度及び強度を維持するために該下限値以上のPの
含有が必要である。しかし、上限値Ｐ２４ａｔ％を超え
ると基板への密着強度が低下し、場合によっては剥離す
るなどの問題を生じ、また例えば上限値Ｐ２４ａｔ％を
超えたＮｉ−２５ａｔ％Ｐでは非常に脆いＮｉ３Ｐ単一
相となるので、スパッタリング成膜に重大なトラブルを
発生する可能性が高くなる。以上から、上限値をＰ２４
ａｔ％とした。
【００１０】上記従来技術において、Ｎｉ−Ｐ合金ター
ゲットにＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の高融点
金属を含有させ、製造工程中の熱影響によるＮｉ−Ｐ合
金膜の結晶化防止の提案がなされている例があるが、成
分系が増えるため合金の製造過程における成分コントロ
ールが煩雑となり、また酸素を取り込んで酸化物の発生
原因となり易く、これらの第三成分に含まれる酸素が全
体の酸素レベルを上げてしまう問題もあり、必ずしも得
策と言えない。本発明に示す通り、不純物である酸素含
有量を１００ｗｔｐｐｍ以下とする、特に酸素含有量を
５０ｗｔｐｐｍ以下とすることにより、Ｎｉ−Ｐ合金タ
ーゲットによるスパッタリング成膜を安定させ、また下
地膜として形成されたＮｉ−Ｐ合金薄膜が均一かつ緻密
な組織を有しているという優れた特徴を有する。
ゲットにＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の高融点
金属を含有させ、製造工程中の熱影響によるＮｉ−Ｐ合
金膜の結晶化防止の提案がなされている例があるが、成
分系が増えるため合金の製造過程における成分コントロ
ールが煩雑となり、また酸素を取り込んで酸化物の発生
原因となり易く、これらの第三成分に含まれる酸素が全
体の酸素レベルを上げてしまう問題もあり、必ずしも得
策と言えない。本発明に示す通り、不純物である酸素含
有量を１００ｗｔｐｐｍ以下とする、特に酸素含有量を
５０ｗｔｐｐｍ以下とすることにより、Ｎｉ−Ｐ合金タ
ーゲットによるスパッタリング成膜を安定させ、また下
地膜として形成されたＮｉ−Ｐ合金薄膜が均一かつ緻密
な組織を有しているという優れた特徴を有する。
【００１１】さらに本発明のＮｉ−Ｐ合金スパッタリン
グターゲットは、２００μｍ角エリア内に、ＮｉとＮｉ
３Ｐが共存する組織を持ち、一つのNｉ粒の断面積サイ
ズが１５０００μｍ２以下の均一微細組織であることが
望ましい。これによってハードディスク等の記録媒体で
ある磁性膜の下地膜として使用できる安定したＮｉ−Ｐ
合金成膜が得られる。さらに、安定したスパッタリング
を継続するためにはターゲットに割れが入らない適度な
強度が必要であり、５ＭＰａｍ１／２以上の破壊靭性値
を有することが望ましい。また、酸素を極力低減させる
と同時に、Ｎｉ−Ｐ合金に混入しかつ該合金中で酸化物
を形成し易いＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＭｎの不純物含有量
がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることが望ましい。
従来はこのような酸化物がターゲット中に存在し、これ
らが見過ごされていたために、特にこれらが局在すると
原因不明の異常放電が生じ、パーティクルの発生や割れ
の原因となっていた。これらを低減することにより、こ
れらの欠陥発生が著しく減少した。
グターゲットは、２００μｍ角エリア内に、ＮｉとＮｉ
３Ｐが共存する組織を持ち、一つのNｉ粒の断面積サイ
ズが１５０００μｍ２以下の均一微細組織であることが
望ましい。これによってハードディスク等の記録媒体で
ある磁性膜の下地膜として使用できる安定したＮｉ−Ｐ
合金成膜が得られる。さらに、安定したスパッタリング
を継続するためにはターゲットに割れが入らない適度な
強度が必要であり、５ＭＰａｍ１／２以上の破壊靭性値
を有することが望ましい。また、酸素を極力低減させる
と同時に、Ｎｉ−Ｐ合金に混入しかつ該合金中で酸化物
を形成し易いＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＭｎの不純物含有量
がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることが望ましい。
従来はこのような酸化物がターゲット中に存在し、これ
らが見過ごされていたために、特にこれらが局在すると
原因不明の異常放電が生じ、パーティクルの発生や割れ
の原因となっていた。これらを低減することにより、こ
れらの欠陥発生が著しく減少した。
【００１２】本発明における酸素を低減した高純度のＮ
ｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットの製造は粉末焼結
法による。まず酸素含有量１０ｗｔｐｐｍ以下のＮｉ−
Ｐ合金地金準備し、これを溶解する。次にこの高純度Ｎ
ｉ−Ｐ合金溶湯をアルゴン、ヘリウム、窒素ガス等の不
活性ガス雰囲気中で噴霧・急速冷却・凝固させる、いわ
ゆるアトマイズ加工して、平均粒径１００μｍ以下のＮ
ｉ−Ｐ合金アトマイズ加工粉を製造する。本発明のアト
マイズ加工粉はほぼ球状を呈しており、比表面積を最小
限に抑えることができる。これによって、酸素の取り込
みを抑制でき、酸素含有量の増加があっても４０ｗｔｐ
ｐｍ以下にすることができる。
ｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットの製造は粉末焼結
法による。まず酸素含有量１０ｗｔｐｐｍ以下のＮｉ−
Ｐ合金地金準備し、これを溶解する。次にこの高純度Ｎ
ｉ−Ｐ合金溶湯をアルゴン、ヘリウム、窒素ガス等の不
活性ガス雰囲気中で噴霧・急速冷却・凝固させる、いわ
ゆるアトマイズ加工して、平均粒径１００μｍ以下のＮ
ｉ−Ｐ合金アトマイズ加工粉を製造する。本発明のアト
マイズ加工粉はほぼ球状を呈しており、比表面積を最小
限に抑えることができる。これによって、酸素の取り込
みを抑制でき、酸素含有量の増加があっても４０ｗｔｐ
ｐｍ以下にすることができる。
【００１３】次に、このアトマイズ加工粉を用いてホッ
トプレス（HP）又は熱間静水圧プレス（HIP）加工す
る。ホットプレスの場合は７５０°C〜８５０°C（合金
の融点は８７０°Cであり、それ以下の温度に加熱す
る）、１００〜３００Kｇｆ／ｃｍ ２、３０分〜５時間
の条件下で行う。また熱間静水圧プレスの場合は、同様
に７５０°C〜８５０°C、１０００〜１５００Kｇｆ／
ｃｍ２、３０分〜５時間の条件下で行う。これによっ
て、Ｐ１２〜２４ａｔ％、酸素含有量が１００ｗｔｐｐ
ｍ以下であり、残部Ｎｉ及び不可避的不純物からなるＮ
ｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット材料が得られる。
これをさらにターゲット形状に切断、研削・研磨、バッ
キングプレートへのボンディング等通常の加工を行い、
高純度Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットを得る。
トプレス（HP）又は熱間静水圧プレス（HIP）加工す
る。ホットプレスの場合は７５０°C〜８５０°C（合金
の融点は８７０°Cであり、それ以下の温度に加熱す
る）、１００〜３００Kｇｆ／ｃｍ ２、３０分〜５時間
の条件下で行う。また熱間静水圧プレスの場合は、同様
に７５０°C〜８５０°C、１０００〜１５００Kｇｆ／
ｃｍ２、３０分〜５時間の条件下で行う。これによっ
て、Ｐ１２〜２４ａｔ％、酸素含有量が１００ｗｔｐｐ
ｍ以下であり、残部Ｎｉ及び不可避的不純物からなるＮ
ｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット材料が得られる。
これをさらにターゲット形状に切断、研削・研磨、バッ
キングプレートへのボンディング等通常の加工を行い、
高純度Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲットを得る。
【００１４】
【実施例１】次に、本発明の実施例に基づいて説明す
る。なお、以下の実施例はあくまで一例であり、この例
のみに制限されるものではない。すなわち、本発明の技
術思想に含まれる他の態様または変形を包含するもので
ある。酸素含有量１０ｗｔｐｐｍ以下であるＮｉ−Ｐ合
金地金を溶解する。次に、ガスアトマイズ法を用いて、
Ｎｉ−１９ａｔＰ合金後アトマイズ加工粉を得た。アト
マイズ加工粉はほぼ球状であり、酸素含有量は３０ｗｔ
ｐｐｍであった。また、この原料粉の比表面積は０．０
１ｍ２／ｇで、みかけ密度は５．２ｇ／ｃｍ３であっ
た。次に、このアトマイズ加工粉を軟鋼製カプセルに充
填後真空密封し、８３０°C、１５００Kｇｆ／ｃｍ２、
２時間の条件下で熱間静水圧プレスを行った。
る。なお、以下の実施例はあくまで一例であり、この例
のみに制限されるものではない。すなわち、本発明の技
術思想に含まれる他の態様または変形を包含するもので
ある。酸素含有量１０ｗｔｐｐｍ以下であるＮｉ−Ｐ合
金地金を溶解する。次に、ガスアトマイズ法を用いて、
Ｎｉ−１９ａｔＰ合金後アトマイズ加工粉を得た。アト
マイズ加工粉はほぼ球状であり、酸素含有量は３０ｗｔ
ｐｐｍであった。また、この原料粉の比表面積は０．０
１ｍ２／ｇで、みかけ密度は５．２ｇ／ｃｍ３であっ
た。次に、このアトマイズ加工粉を軟鋼製カプセルに充
填後真空密封し、８３０°C、１５００Kｇｆ／ｃｍ２、
２時間の条件下で熱間静水圧プレスを行った。
【００１５】これによって得られたＮｉ−１９ａｔ％Ｐ
の焼結体は、密度が９９％以上、酸素含有量は４０ｗｔ
ｐｐｍであった。この焼結体は、均一微細な組織を持
ち、２００μｍ角エリア内に、ＮｉとＮｉ ３Ｐが共存
し、Nｉ粒の断面積サイズが約１００００μｍ２以内の
良好なものであった。次に、このＮｉ−Ｐ合金焼結体か
ら作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、
Ｐ酸化物量（個／５００ｍｍ２）、破壊靭性値（ＳＥＶ
ＮＢ法）、異常放電の回数、パーティクルの発生量を調
べた。なお、Ｐ酸化物量は約１００ｍｍ２の研磨サンプ
ルを５個作製し、ＥＰＭＡにて確認した結果である。下
記の比較例においても同様に調査した。以上の結果を表
１に示す。
の焼結体は、密度が９９％以上、酸素含有量は４０ｗｔ
ｐｐｍであった。この焼結体は、均一微細な組織を持
ち、２００μｍ角エリア内に、ＮｉとＮｉ ３Ｐが共存
し、Nｉ粒の断面積サイズが約１００００μｍ２以内の
良好なものであった。次に、このＮｉ−Ｐ合金焼結体か
ら作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、
Ｐ酸化物量（個／５００ｍｍ２）、破壊靭性値（ＳＥＶ
ＮＢ法）、異常放電の回数、パーティクルの発生量を調
べた。なお、Ｐ酸化物量は約１００ｍｍ２の研磨サンプ
ルを５個作製し、ＥＰＭＡにて確認した結果である。下
記の比較例においても同様に調査した。以上の結果を表
１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【比較例１】次に、比較例１について説明する。酸素含
有量１０ｗｔｐｐｍ未満であるＮｉ−Ｐ合金地金を溶解
する。次に、水アトマイズ法を用いて、Ｎｉ−１９ａｔ
Ｐ合金後アトマイズ加工粉を得た。アトマイズ加工粉は
十分な真球状には作製できず、酸素含有量は１１００ｗ
ｔｐｐｍであった。また、この原料粉の比表面積は０．
０４ｍ２／ｇで、みかけ密度は４．０ｇ／ｃｍ３、平均
粒径は約１００μｍであった。次に、このアトマイズ加
工粉を軟鋼製カプセルに充填後真空密封し、８３０°
C、１５００Kｇｆ／ｃｍ２、２時間の条件下で熱間静水
圧プレスを行った。これによって得られたＮｉ−１９ａ
ｔ％Ｐの焼結体は、密度が９９％以上、酸素含有量は８
６０ｗｔｐｐｍであった。実施例１と同様に、このＮｉ
−Ｐ合金焼結体から作製したターゲットを用いてスパッ
タリングを行い、Ｐ酸化物量（個／５００ｍｍ２）、破
壊靭性値、異常放電の回数、パーティクルの発生量を調
べた。この結果を実施例と対比して表１に示す。
有量１０ｗｔｐｐｍ未満であるＮｉ−Ｐ合金地金を溶解
する。次に、水アトマイズ法を用いて、Ｎｉ−１９ａｔ
Ｐ合金後アトマイズ加工粉を得た。アトマイズ加工粉は
十分な真球状には作製できず、酸素含有量は１１００ｗ
ｔｐｐｍであった。また、この原料粉の比表面積は０．
０４ｍ２／ｇで、みかけ密度は４．０ｇ／ｃｍ３、平均
粒径は約１００μｍであった。次に、このアトマイズ加
工粉を軟鋼製カプセルに充填後真空密封し、８３０°
C、１５００Kｇｆ／ｃｍ２、２時間の条件下で熱間静水
圧プレスを行った。これによって得られたＮｉ−１９ａ
ｔ％Ｐの焼結体は、密度が９９％以上、酸素含有量は８
６０ｗｔｐｐｍであった。実施例１と同様に、このＮｉ
−Ｐ合金焼結体から作製したターゲットを用いてスパッ
タリングを行い、Ｐ酸化物量（個／５００ｍｍ２）、破
壊靭性値、異常放電の回数、パーティクルの発生量を調
べた。この結果を実施例と対比して表１に示す。
【００１８】
【比較例２】次に、比較例２について説明する。酸素含
有量１０ｗｔｐｐｍ未満であるＮｉ−Ｐ合金地金を溶解
する。次に、水アトマイズ法を用いて、Ｎｉ−１９ａｔ
Ｐ合金後アトマイズ加工粉を得た。アトマイズ加工粉は
ほぼ球状ではあるが、酸素含有量は２１０ｗｔｐｐｍで
あった。また、この原料粉の比表面積は０．０１ｍ２／
ｇで、みかけ密度は４．８ｇ／ｃｍ３、平均粒径は約１
００μｍであった。次に、このアトマイズ加工粉を軟鋼
製カプセルに充填後真空密封し、８３０°C、１５００K
ｇｆ／ｃｍ２、２時間の条件下で熱間静水圧プレスを行
った。これによって得られたＮｉ−１９ａｔ％Ｐの焼結
体は、密度が９９％以上、酸素含有量は２２０ｗｔｐｐ
ｍであった。実施例１と同様に、このＮｉ−Ｐ合金焼結
体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを行
い、Ｐ酸化物量（個／５００ｍｍ２）、破壊靭性値、異
常放電の回数、パーティクルの発生量を調べた。この結
果を実施例と対比して同様に表１に示す。
有量１０ｗｔｐｐｍ未満であるＮｉ−Ｐ合金地金を溶解
する。次に、水アトマイズ法を用いて、Ｎｉ−１９ａｔ
Ｐ合金後アトマイズ加工粉を得た。アトマイズ加工粉は
ほぼ球状ではあるが、酸素含有量は２１０ｗｔｐｐｍで
あった。また、この原料粉の比表面積は０．０１ｍ２／
ｇで、みかけ密度は４．８ｇ／ｃｍ３、平均粒径は約１
００μｍであった。次に、このアトマイズ加工粉を軟鋼
製カプセルに充填後真空密封し、８３０°C、１５００K
ｇｆ／ｃｍ２、２時間の条件下で熱間静水圧プレスを行
った。これによって得られたＮｉ−１９ａｔ％Ｐの焼結
体は、密度が９９％以上、酸素含有量は２２０ｗｔｐｐ
ｍであった。実施例１と同様に、このＮｉ−Ｐ合金焼結
体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを行
い、Ｐ酸化物量（個／５００ｍｍ２）、破壊靭性値、異
常放電の回数、パーティクルの発生量を調べた。この結
果を実施例と対比して同様に表１に示す。
【００１９】表１から明らかなように、酸素含有量３０
ｗｔｐｐｍである実施例１ではＰ酸化物が確認されず
（無し）、破壊靭性値が５．０ＭＰａｍ１／２であり、
また問題となるような異常放電は発生せず、パーティク
ルの発生もない。これに対し、酸素含有量８６０ｗｔｐ
ｐｍである比較例１ではＰ酸化物が２３個／５００ｍｍ
２存在し、破壊靭性値が４．４ＭＰａｍ１／２と低く、
また異常放電やパーティクルの発生が生産上問題となる
程度に増大する。同様に、比較例１よりも少ないが、依
然として２２０ｗｔｐｐｍもの酸素を含有する比較例２
では、Ｐ酸化物が６個／５００ｍｍ２存在し、破壊靭性
値が４．４ＭＰａｍ１／２と低く、また異常放電やパー
ティクルの発生が生産上問題となる程度に多い。
ｗｔｐｐｍである実施例１ではＰ酸化物が確認されず
（無し）、破壊靭性値が５．０ＭＰａｍ１／２であり、
また問題となるような異常放電は発生せず、パーティク
ルの発生もない。これに対し、酸素含有量８６０ｗｔｐ
ｐｍである比較例１ではＰ酸化物が２３個／５００ｍｍ
２存在し、破壊靭性値が４．４ＭＰａｍ１／２と低く、
また異常放電やパーティクルの発生が生産上問題となる
程度に増大する。同様に、比較例１よりも少ないが、依
然として２２０ｗｔｐｐｍもの酸素を含有する比較例２
では、Ｐ酸化物が６個／５００ｍｍ２存在し、破壊靭性
値が４．４ＭＰａｍ１／２と低く、また異常放電やパー
ティクルの発生が生産上問題となる程度に多い。
【００２０】上記の対比から明らかなように、実施例及
び比較例においてＰ酸化物量、破壊靭性値、異常放電発
生数、パーティクル量に違いがみられ、これはターゲッ
トの酸素含有量に依存するものと考えられる。異常放電
発生数及びパーティクル量に関しては、特にＰ酸化物量
に依存するものと考えられる。これらを避けるために
は、酸素含有量を１００ｗｔｐｐｍ以下、好ましくは５
０ｗｔｐｐｍ以下にする必要がある。さらに、酸素を多
量（１０００ｗｔｐｐｍ以上）に含有し、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｍｇ及びＭｎを含有しているＮｉ−Ｐ合金ターゲットで
は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＭｎＯなどがター
ゲット内に存在し、ＨＤ生産上大きな問題となる。破壊
靭性値も酸素を低減させることにより向上する。これ
は、ターゲット内部に局在するＰ酸化物に起因している
と考えられ、局在するＰ酸化物の部分が材料学的に欠陥
になっていることを意味している。したがって、Ｎｉ−
Ｐ合金ターゲットの酸素含有量を低減することは、ター
ゲット加工時及びスパッタリング時の割れを防ぐ意味で
極めて重要である。
び比較例においてＰ酸化物量、破壊靭性値、異常放電発
生数、パーティクル量に違いがみられ、これはターゲッ
トの酸素含有量に依存するものと考えられる。異常放電
発生数及びパーティクル量に関しては、特にＰ酸化物量
に依存するものと考えられる。これらを避けるために
は、酸素含有量を１００ｗｔｐｐｍ以下、好ましくは５
０ｗｔｐｐｍ以下にする必要がある。さらに、酸素を多
量（１０００ｗｔｐｐｍ以上）に含有し、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｍｇ及びＭｎを含有しているＮｉ−Ｐ合金ターゲットで
は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＭｎＯなどがター
ゲット内に存在し、ＨＤ生産上大きな問題となる。破壊
靭性値も酸素を低減させることにより向上する。これ
は、ターゲット内部に局在するＰ酸化物に起因している
と考えられ、局在するＰ酸化物の部分が材料学的に欠陥
になっていることを意味している。したがって、Ｎｉ−
Ｐ合金ターゲットの酸素含有量を低減することは、ター
ゲット加工時及びスパッタリング時の割れを防ぐ意味で
極めて重要である。
【００２１】
【発明の効果】以上から、本発明はＮｉ−Ｐ合金スパッ
タリングターゲット中の不純物である酸素含有量を１０
０ｗｔｐｐｍ以下とする、特に酸素含有量を５０ｗｔｐ
ｐｍ以下とすることにより、特にハードディスク等の記
録媒体である磁性膜の下地膜として使用されるＮｉ−Ｐ
合金膜の形成のために有用であり、スパッタリング中の
異常放電を抑制し、成膜中へのパーティクルの発生及び
混入を防止し、さらにスパッタリング中のターゲット割
れ等を効果的に低減又は防止することができる。また、
これによって記録媒体磁性膜の保持力が向上し、破壊靭
性が大きいという優れた効果を有する。
タリングターゲット中の不純物である酸素含有量を１０
０ｗｔｐｐｍ以下とする、特に酸素含有量を５０ｗｔｐ
ｐｍ以下とすることにより、特にハードディスク等の記
録媒体である磁性膜の下地膜として使用されるＮｉ−Ｐ
合金膜の形成のために有用であり、スパッタリング中の
異常放電を抑制し、成膜中へのパーティクルの発生及び
混入を防止し、さらにスパッタリング中のターゲット割
れ等を効果的に低減又は防止することができる。また、
これによって記録媒体磁性膜の保持力が向上し、破壊靭
性が大きいという優れた効果を有する。
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｐ１２〜２４ａｔ％、酸素含有量が１０
０ｗｔｐｐｍ以下であり、残部Ｎｉ及び不可避的不純物
からなることを特徴とするＮｉ−Ｐ合金スパッタリング
ターゲット。 - 【請求項２】 酸素含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載のＮｉ−Ｐ合金スパッタ
リングターゲット。 - 【請求項３】 ２００μｍ角エリア内に、ＮｉとＮｉ３
Ｐが共存する組織を持ち、一つのNｉ粒の断面積サイズ
が１５０００μｍ２以下の均一微細組織をもつ請求項１
又は２記載のＮｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 不純物であるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＭｎ
の含有量がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特
徴とする請求項１〜３のそれぞれに記載のＮｉ−Ｐ合金
スパッタリングターゲット。 - 【請求項５】 ５ＭＰａｍ１／２以上の破壊靭性値を有
することを特徴とする請求項１〜４のそれぞれに記載の
Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項６】 酸素含有量１０ｗｔｐｐｍ以下のＮｉ−
Ｐ合金地金を溶解し、不活性ガス雰囲気中でアトマイズ
加工して、平均粒径１００μｍ以下のＮｉ−Ｐ合金アト
マイズ加工粉とした後、ホットプレス（HP）又は熱間静
水圧プレス（HIP）加工することを特徴とする、Ｐ１２
〜２４ａｔ％、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であ
り、残部Ｎｉ及び不可避的不純物からなるＮｉ−Ｐ合金
スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015367A JP3628575B2 (ja) | 1999-02-25 | 2000-01-25 | Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4736899 | 1999-02-25 | ||
| JP11-47368 | 1999-02-25 | ||
| JP2000015367A JP3628575B2 (ja) | 1999-02-25 | 2000-01-25 | Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000309865A true JP2000309865A (ja) | 2000-11-07 |
| JP3628575B2 JP3628575B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=26387529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000015367A Expired - Fee Related JP3628575B2 (ja) | 1999-02-25 | 2000-01-25 | Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3628575B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008038249A (ja) * | 2007-07-13 | 2008-02-21 | Nikko Kinzoku Kk | ニッケル合金スパッタリングターゲット |
| WO2009133921A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体の中間層膜を製造するためのスパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP2009263757A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP2010024521A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP2015071830A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-04-16 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材 |
| CN106133185A (zh) * | 2014-03-27 | 2016-11-16 | 捷客斯金属株式会社 | 包含Ni‑P合金或Ni‑Pt‑P合金的溅射靶及其制造方法 |
| CN113549782A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-10-26 | 苏州昆腾威新材料科技有限公司 | 镍磷中间合金及其制备方法与应用 |
| CN113684456A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-23 | 湖南稀土金属材料研究院有限责任公司 | La-Ti合金靶及其制备方法 |
| CN113754437A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-12-07 | 江西科泰新材料有限公司 | 磷化钽靶材的生产工艺 |
| CN117051279A (zh) * | 2023-09-14 | 2023-11-14 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种镍铂铈合金靶材及其制备方法 |
-
2000
- 2000-01-25 JP JP2000015367A patent/JP3628575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008038249A (ja) * | 2007-07-13 | 2008-02-21 | Nikko Kinzoku Kk | ニッケル合金スパッタリングターゲット |
| WO2009133921A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体の中間層膜を製造するためのスパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP2009263757A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| US9293166B2 (en) | 2008-04-30 | 2016-03-22 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same |
| JP2010024521A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| US10337100B2 (en) * | 2014-03-27 | 2019-07-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target comprising Ni—P alloy or Ni—Pt—P alloy and production method therefor |
| CN106133185A (zh) * | 2014-03-27 | 2016-11-16 | 捷客斯金属株式会社 | 包含Ni‑P合金或Ni‑Pt‑P合金的溅射靶及其制造方法 |
| KR20160135319A (ko) | 2014-03-27 | 2016-11-25 | 제이엑스금속주식회사 | Ni-P 합금 또는 Ni-Pt-P 합금으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| US20170121811A1 (en) * | 2014-03-27 | 2017-05-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering Target Comprising Ni-P Alloy or Ni-Pt-P Alloy and Production Method Therefor |
| EP3106540A4 (en) * | 2014-03-27 | 2017-10-18 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | SPUTTERING TARGET COMPRISING Ni-P ALLOY OR Ni-Pt-P ALLOY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| KR101908334B1 (ko) * | 2014-03-27 | 2018-10-16 | 제이엑스금속주식회사 | Ni-P 합금 또는 Ni-Pt-P 합금으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| JP2015071830A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-04-16 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材 |
| CN113549782A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-10-26 | 苏州昆腾威新材料科技有限公司 | 镍磷中间合金及其制备方法与应用 |
| CN113549782B (zh) * | 2021-08-03 | 2022-02-11 | 苏州昆腾威新材料科技有限公司 | 镍磷中间合金及其制备方法与应用 |
| CN113684456A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-23 | 湖南稀土金属材料研究院有限责任公司 | La-Ti合金靶及其制备方法 |
| CN113754437A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-12-07 | 江西科泰新材料有限公司 | 磷化钽靶材的生产工艺 |
| CN117051279A (zh) * | 2023-09-14 | 2023-11-14 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种镍铂铈合金靶材及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3628575B2 (ja) | 2005-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8430978B2 (en) | Sputtering target and method for production thereof | |
| JP6483803B2 (ja) | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| US20100320085A1 (en) | Sputtering Target for Producing Metallic Glass Membrane and Manufacturing Method Thereof | |
| JP2004100000A (ja) | 珪化鉄スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP3973857B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| US20130206591A1 (en) | Sputtering Target for Magnetic Recording Film and Method for Producing Same | |
| JP2008179892A (ja) | ＡｌＲｕスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP6312009B2 (ja) | Ｃｒ−Ｔｉ合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| WO2015146394A1 (ja) | Ｓｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット | |
| JP3628575B2 (ja) | Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JPH11152528A (ja) | 高純度Ｍｎ材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Ｍｎ材料 | |
| JPWO2006059429A1 (ja) | Ｓｂ−Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲット | |
| US12545976B2 (en) | Aluminum-scandium composite, aluminum-scandium composite sputtering target and methods of making | |
| US9293166B2 (en) | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same | |
| JP3525439B2 (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| US20090064861A1 (en) | Hydrogen Separation Membrane, Sputtering Target for forming said Hydrogen Separation Membrane, and Manufacturing Method Thereof | |
| JP3997527B2 (ja) | Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 | |
| JP2894695B2 (ja) | 希土類金属−鉄族金属ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP7317741B2 (ja) | スパッタリングターゲット、磁性膜、及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末 | |
| JP2007291522A (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲット | |
| JP2021180057A (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
| JPH05247641A (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| JP2009263757A (ja) | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20041207 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20041208 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |