JPH05247641A - ターゲット部材およびその製造方法 - Google Patents
ターゲット部材およびその製造方法Info
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- JPH05247641A JPH05247641A JP8141792A JP8141792A JPH05247641A JP H05247641 A JPH05247641 A JP H05247641A JP 8141792 A JP8141792 A JP 8141792A JP 8141792 A JP8141792 A JP 8141792A JP H05247641 A JPH05247641 A JP H05247641A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ法により磁気記録用磁性膜を作製す
るのに供するターゲット部材において、均一な磁気特性
の磁性膜を作製できるようにした。 【構成】 原子%でCr、MoおよびWのうち一種以上
を4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hfおよ
びRuのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、残部
Coからなる合金で、組成が均一でかつ相対密度が98
%以上ある焼結体に形成したターゲット部材である。タ
ーゲット部材を製造する場合、急冷凝固法により作製し
た粒径32メッシュ以下の合金粉末を金属製容器に充填
封入した後、加圧焼結する。
るのに供するターゲット部材において、均一な磁気特性
の磁性膜を作製できるようにした。 【構成】 原子%でCr、MoおよびWのうち一種以上
を4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hfおよ
びRuのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、残部
Coからなる合金で、組成が均一でかつ相対密度が98
%以上ある焼結体に形成したターゲット部材である。タ
ーゲット部材を製造する場合、急冷凝固法により作製し
た粒径32メッシュ以下の合金粉末を金属製容器に充填
封入した後、加圧焼結する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録用のCoを主
体とする磁性膜をスパッタ法により作成するためのター
ゲット部材、およびその製造方法に関するものである。
体とする磁性膜をスパッタ法により作成するためのター
ゲット部材、およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】スパッタ法による磁性膜にCo−Ni、
Co−CrあるいはCo−Ni−Crが従来から工業的
に使用されてきた。そして近年、磁性膜に起因するノイ
ズの低減、スパッタ膜(磁性膜)の高保磁力化の要求に
より、Co−Ni、Co−CrあるいはCo−Ni−C
rにTaやPtを添加した合金が磁性膜に使用されるよ
うになり、現在では記録媒体の主流となっている(特開
平1−133217号参照)。一方、含有されるTa量
は初期には1原子%であったが、最近では2原子%以上
と、高保磁力化のため増加しつつある。またPt量は、
高保磁力化のために5〜15原子%含有されている。こ
のスパッタ膜形成に使用するターゲット部材は、従来、
溶解、鋳造後そのまま、あるいは熱間や冷間加工して薄
板に形成し、それから加工採取されていた。
Co−CrあるいはCo−Ni−Crが従来から工業的
に使用されてきた。そして近年、磁性膜に起因するノイ
ズの低減、スパッタ膜(磁性膜)の高保磁力化の要求に
より、Co−Ni、Co−CrあるいはCo−Ni−C
rにTaやPtを添加した合金が磁性膜に使用されるよ
うになり、現在では記録媒体の主流となっている(特開
平1−133217号参照)。一方、含有されるTa量
は初期には1原子%であったが、最近では2原子%以上
と、高保磁力化のため増加しつつある。またPt量は、
高保磁力化のために5〜15原子%含有されている。こ
のスパッタ膜形成に使用するターゲット部材は、従来、
溶解、鋳造後そのまま、あるいは熱間や冷間加工して薄
板に形成し、それから加工採取されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】合金の工業的な溶解、
鋳造においては、鋳型に接して冷却され、凝固する鋼塊
の外周部と、中央部では、組成に差が生じる。CoCr
にTaを加えたCo−Cr−Ta3元合金では、鋼塊の
中央部はTaが合金全体の平均値より富化し、Co2 T
aがミクロ的に偏析する。また、Cr濃度が増加すると
Crの偏析が進み、鋼塊の外周部にCr富化CoCr層
が生じる。Co−Cr−Pt−B4元合金では、CoP
t、CoB等の異相が生じてしまう。Co−Cr−Mo
−Ta−Pt−B6元合金ではさらにTaB、CrMo
等の異相が生じる。このように、多元合金では種々の異
相が生じるため、これらの合金鋼塊を、圧延等の熱間加
工する際に、均一な圧延が困難であったり、圧延した薄
板にそりが生じることがあった。また、作成したターゲ
ット部材も組成が不均一となるため、これらのターゲッ
ト部材を用いて得られたスパッタ膜の磁気特性が均一な
ものとならないという問題点があった。本発明の目的
は、均一な磁気特性を有するスパッタ膜を生成するター
ゲット部材およびその製造方法を提供するものである。
鋳造においては、鋳型に接して冷却され、凝固する鋼塊
の外周部と、中央部では、組成に差が生じる。CoCr
にTaを加えたCo−Cr−Ta3元合金では、鋼塊の
中央部はTaが合金全体の平均値より富化し、Co2 T
aがミクロ的に偏析する。また、Cr濃度が増加すると
Crの偏析が進み、鋼塊の外周部にCr富化CoCr層
が生じる。Co−Cr−Pt−B4元合金では、CoP
t、CoB等の異相が生じてしまう。Co−Cr−Mo
−Ta−Pt−B6元合金ではさらにTaB、CrMo
等の異相が生じる。このように、多元合金では種々の異
相が生じるため、これらの合金鋼塊を、圧延等の熱間加
工する際に、均一な圧延が困難であったり、圧延した薄
板にそりが生じることがあった。また、作成したターゲ
ット部材も組成が不均一となるため、これらのターゲッ
ト部材を用いて得られたスパッタ膜の磁気特性が均一な
ものとならないという問題点があった。本発明の目的
は、均一な磁気特性を有するスパッタ膜を生成するター
ゲット部材およびその製造方法を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明のターゲット部材
は、Coを主体としてCr、MoおよびWのうち一種以
上を4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hfお
よびRuのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、残
部実質的にCoと不可避的不純物からなる合金で、組成
が均一でかつ相対密度が98%以上ある焼結体で構成さ
れる。また、Coを主体としてPtを0.5〜16%、
Cr、MoおよびWのうち一種以上を4〜18%、V、
Nb、Ta、Ti、Zr、HfおよびRuのうち少なく
とも一種以上を0.1〜8%、残部実質的にCoと不可
避的不純物からなる合金、あるいは、Coを主体として
Ptを0.5〜16%、Cr、MoおよびWのうち一種
以上を4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf
およびRuのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、
B、C、SiおよびAlのうち一種以上を0.1〜10
%、残部実質的にCoと不可避的不純物からなる合金
で、組成が均一でかつ相対密度が98%以上ある焼結体
で構成される。本発明のターゲット部材の製造方法は、
上記記載の合金組成よりなる粒径32メッシュ以下の急
冷凝固法により製造された合金粉末を金属容器に充填し
た後、加圧焼結して組成が均一で、かつ相対密度が98
%以上あるターゲット部材を製造する。
は、Coを主体としてCr、MoおよびWのうち一種以
上を4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hfお
よびRuのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、残
部実質的にCoと不可避的不純物からなる合金で、組成
が均一でかつ相対密度が98%以上ある焼結体で構成さ
れる。また、Coを主体としてPtを0.5〜16%、
Cr、MoおよびWのうち一種以上を4〜18%、V、
Nb、Ta、Ti、Zr、HfおよびRuのうち少なく
とも一種以上を0.1〜8%、残部実質的にCoと不可
避的不純物からなる合金、あるいは、Coを主体として
Ptを0.5〜16%、Cr、MoおよびWのうち一種
以上を4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf
およびRuのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、
B、C、SiおよびAlのうち一種以上を0.1〜10
%、残部実質的にCoと不可避的不純物からなる合金
で、組成が均一でかつ相対密度が98%以上ある焼結体
で構成される。本発明のターゲット部材の製造方法は、
上記記載の合金組成よりなる粒径32メッシュ以下の急
冷凝固法により製造された合金粉末を金属容器に充填し
た後、加圧焼結して組成が均一で、かつ相対密度が98
%以上あるターゲット部材を製造する。
【0005】本発明のターゲット部材は、Coを主体と
し、原子%でCr、MoおよびWのうち一種以上を4〜
18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、およびR
uのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、Ptを
0.5〜16%、B、C、SiおよびAlのうち一種以
上を0.1〜10%、と限定したのは、Cr、Mo、お
よびWの総量が18%を越えると合金鋼塊を熱間加工す
る際に割れ易くなり、ターゲット部材の製造に適さなく
なるからである。また、Cr、MoおよびWの総量が4
%以下では、作製したスパッタ膜が十分な磁気特性を有
さないためである。V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf
およびRuの総量が8%を越えると鋼塊を圧延する際に
異相が析出してしまうからである。Ptの量が16%を
越えるとターゲット部材として表面の仕上げのための研
削加工においてターゲット部材にそりが発生するためで
ある。Ptの量が、0.5%以下では磁気特性に及ぼす
添加効果が認められないからである。B、C、Siおよ
びAlの総量が10%を越えると鋼塊を加工する際に割
れ易くなるためである。
し、原子%でCr、MoおよびWのうち一種以上を4〜
18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、およびR
uのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、Ptを
0.5〜16%、B、C、SiおよびAlのうち一種以
上を0.1〜10%、と限定したのは、Cr、Mo、お
よびWの総量が18%を越えると合金鋼塊を熱間加工す
る際に割れ易くなり、ターゲット部材の製造に適さなく
なるからである。また、Cr、MoおよびWの総量が4
%以下では、作製したスパッタ膜が十分な磁気特性を有
さないためである。V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf
およびRuの総量が8%を越えると鋼塊を圧延する際に
異相が析出してしまうからである。Ptの量が16%を
越えるとターゲット部材として表面の仕上げのための研
削加工においてターゲット部材にそりが発生するためで
ある。Ptの量が、0.5%以下では磁気特性に及ぼす
添加効果が認められないからである。B、C、Siおよ
びAlの総量が10%を越えると鋼塊を加工する際に割
れ易くなるためである。
【0006】上記製造方法の特徴は、ガスアトマイズ法
等の急冷凝固法により製造した所定組成の合金粉末を用
いることである。すなわち、この粉末は凝固に対する冷
却速度が大きいため、偏析を抑えて組成の均一な組織を
有する。この為、これを用いて得られるターゲット部材
は、ターゲット部材の表面、板厚中央部とも従来の溶
解、鋳造法によるものと異なり、均一な組成を有する。
急冷凝固法としては、前述のガスアトマイズ法の他に真
空アトマイズ法、回転ロール法、回転電極法等の公知の
粉末製造法が適用できる。回転ロール法、回転電極法等
においても合金の酸化防止のために、雰囲気は真空、不
活性ガス雰囲気とするのが望ましい。なお、急冷凝固法
のなかでは高いタップ密度が得られる球状粉を形成しや
すく、かつ生産コストの有利なガスアトマイズ法が望ま
しい。以上の急冷凝固法により得られた合金粉末のう
ち、粒径が32メッシュ以下のものを用いる。このよう
に粉末の粒径を32メッシュ以下としたのは、焼結時過
飽和固溶体の組成の均質性が劣ってくるためである。次
いで、この合金粉末を加圧焼結し、相対密度が98%以
上の焼結体を得る。相対密度を98%以上とするのは、
これ未満の密度で気泡が存在するとスパッタ作業中異常
放電を起こすためである。
等の急冷凝固法により製造した所定組成の合金粉末を用
いることである。すなわち、この粉末は凝固に対する冷
却速度が大きいため、偏析を抑えて組成の均一な組織を
有する。この為、これを用いて得られるターゲット部材
は、ターゲット部材の表面、板厚中央部とも従来の溶
解、鋳造法によるものと異なり、均一な組成を有する。
急冷凝固法としては、前述のガスアトマイズ法の他に真
空アトマイズ法、回転ロール法、回転電極法等の公知の
粉末製造法が適用できる。回転ロール法、回転電極法等
においても合金の酸化防止のために、雰囲気は真空、不
活性ガス雰囲気とするのが望ましい。なお、急冷凝固法
のなかでは高いタップ密度が得られる球状粉を形成しや
すく、かつ生産コストの有利なガスアトマイズ法が望ま
しい。以上の急冷凝固法により得られた合金粉末のう
ち、粒径が32メッシュ以下のものを用いる。このよう
に粉末の粒径を32メッシュ以下としたのは、焼結時過
飽和固溶体の組成の均質性が劣ってくるためである。次
いで、この合金粉末を加圧焼結し、相対密度が98%以
上の焼結体を得る。相対密度を98%以上とするのは、
これ未満の密度で気泡が存在するとスパッタ作業中異常
放電を起こすためである。
【0007】加圧焼結の方法としては、熱間静水圧プレ
ス(HIP)、ホットプレス、熱間パック圧延、鍛造等
が適用できるが、98%以上の高密度を得るためにはH
IPが最も望ましい。このHIPは、温度1000〜1
250℃、圧力500atm以上の条件で実施される必
要がある。ここで温度の上限を1250℃としたのは、
Co−Ptの共晶温度が1276℃であり、粉末内でミ
クロ的にPt豊化の部分に融液が生じる為である。一
方、温度の下限を1000℃としたのは、これ未満では
焼結密度が98%以上に上がらないためである。また、
圧力を500atm以上とするのは、やはりこれ未満で
は、焼結体の相対密度を98%以上にすることが困難だ
からである。さらに、熱間静水圧プレス等による加圧焼
結に続いて熱間加工を行なうと、相対密度が向上し、よ
りスパッタ特性の安定したターゲット部材が得られる。
ス(HIP)、ホットプレス、熱間パック圧延、鍛造等
が適用できるが、98%以上の高密度を得るためにはH
IPが最も望ましい。このHIPは、温度1000〜1
250℃、圧力500atm以上の条件で実施される必
要がある。ここで温度の上限を1250℃としたのは、
Co−Ptの共晶温度が1276℃であり、粉末内でミ
クロ的にPt豊化の部分に融液が生じる為である。一
方、温度の下限を1000℃としたのは、これ未満では
焼結密度が98%以上に上がらないためである。また、
圧力を500atm以上とするのは、やはりこれ未満で
は、焼結体の相対密度を98%以上にすることが困難だ
からである。さらに、熱間静水圧プレス等による加圧焼
結に続いて熱間加工を行なうと、相対密度が向上し、よ
りスパッタ特性の安定したターゲット部材が得られる。
【0008】
(実施例1)原子%で12Cr−4Pt−2V−3B、
残部Co組成の合成粉末をガスアトマイズで製作した。
続いて、この粉末を分級し32メッシュ以下の粉末を7
kg秤量した。この粉末を軟鋼製の缶に充填し、脱気、
封止した後、熱間静水圧プレスで1200℃、500a
tmで焼結を行なった。次ぎに、この箱体を熱間圧延に
より厚さ8mmに仕上げ、両側の鉄皮をはいで6mmの
板材を採取した。一方、原子%で12Cr−4Pt−2
V−3B、残部Co組成の合金を真空溶解した後、30
kg鋼塊を製造し、ハンマー分塊と熱間圧延により6m
mの板材を作製したところ、割れてしまい、200×2
00mm以上の大きさの板材を得ることができなかっ
た。次ぎに粉末法および従来の溶解法でそれぞれ製造し
た板材より、厚さ5mm、直径102mmのターゲット
部材を採取した。このターゲット部材を使用して、軟質
ガラス基板上に純Cr下地膜を0.1μm成膜した上
に、高周波出力300w、Ar操作圧力3×10- 3 t
orrの条件下で50nm成膜し、振動磁力計で膜の保
磁力を測定した。
残部Co組成の合成粉末をガスアトマイズで製作した。
続いて、この粉末を分級し32メッシュ以下の粉末を7
kg秤量した。この粉末を軟鋼製の缶に充填し、脱気、
封止した後、熱間静水圧プレスで1200℃、500a
tmで焼結を行なった。次ぎに、この箱体を熱間圧延に
より厚さ8mmに仕上げ、両側の鉄皮をはいで6mmの
板材を採取した。一方、原子%で12Cr−4Pt−2
V−3B、残部Co組成の合金を真空溶解した後、30
kg鋼塊を製造し、ハンマー分塊と熱間圧延により6m
mの板材を作製したところ、割れてしまい、200×2
00mm以上の大きさの板材を得ることができなかっ
た。次ぎに粉末法および従来の溶解法でそれぞれ製造し
た板材より、厚さ5mm、直径102mmのターゲット
部材を採取した。このターゲット部材を使用して、軟質
ガラス基板上に純Cr下地膜を0.1μm成膜した上
に、高周波出力300w、Ar操作圧力3×10- 3 t
orrの条件下で50nm成膜し、振動磁力計で膜の保
磁力を測定した。
【0009】表1にターゲット部材表面層と中心部のE
PMAによる組成の分析値(at%)とターゲット部材
のその位置に対応するスパッタ膜の磁性値を示す。表1
からわかるように粉末法で作製したターゲット部材は表
面および板厚中心で組成に変動がなく、スパッタリング
により成膜した膜の磁性値もほとんど変動が認められな
い。一方、従来の溶解法で製造したターゲット部材は表
面層は平均値より若干Crが多く、Ptは少ない組成と
なっている。また、CoPtの異相が熱間加工により圧
延方向に線状に伸びた部分が存在している。また、スパ
ッタ膜の保磁力もターゲット部材表面と板厚中心部で値
が異なることが知られた。
PMAによる組成の分析値(at%)とターゲット部材
のその位置に対応するスパッタ膜の磁性値を示す。表1
からわかるように粉末法で作製したターゲット部材は表
面および板厚中心で組成に変動がなく、スパッタリング
により成膜した膜の磁性値もほとんど変動が認められな
い。一方、従来の溶解法で製造したターゲット部材は表
面層は平均値より若干Crが多く、Ptは少ない組成と
なっている。また、CoPtの異相が熱間加工により圧
延方向に線状に伸びた部分が存在している。また、スパ
ッタ膜の保磁力もターゲット部材表面と板厚中心部で値
が異なることが知られた。
【0010】
【表1】
【0011】(実施例2)前記実施例1で作製したター
ゲットの材料合金として、CoCrPtVBにさらにM
oを2%添加したターゲットを前記実施例と同様に作製
して表1と同様の測定をしたところ、前記本発明の実施
例とほぼ同様の結果となった。またCr12at%、V
とNbのうち少なくとも1種以上を2at%、残部を実
質的にCoよりなるターゲットを前記実施例と同様に作
製し、実施例1と同様の測定をしたところ表2のように
なった。表2より、粉末法で作製したターゲット部材は
表面および板厚中心で組成に変動がなく、スパッタリン
グにより成膜した磁性膜の特性の変動も少ないことがわ
かる。
ゲットの材料合金として、CoCrPtVBにさらにM
oを2%添加したターゲットを前記実施例と同様に作製
して表1と同様の測定をしたところ、前記本発明の実施
例とほぼ同様の結果となった。またCr12at%、V
とNbのうち少なくとも1種以上を2at%、残部を実
質的にCoよりなるターゲットを前記実施例と同様に作
製し、実施例1と同様の測定をしたところ表2のように
なった。表2より、粉末法で作製したターゲット部材は
表面および板厚中心で組成に変動がなく、スパッタリン
グにより成膜した磁性膜の特性の変動も少ないことがわ
かる。
【0012】
【表2】
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、Coを主体とし
て、原子%でCr、MoおよびWのうち一種以上を4〜
18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、HfおよびRu
のうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、残部Coの
ターゲット部材、さらにPtを0.5〜16%含むター
ゲット部材、および、さらにB、C、SiおよびAlの
うち一種以上を0.1〜10%含むターゲット部材を粉
末法で作製した場合、従来の溶解法で作製したターゲッ
ト部材に比較してターゲット部材内部での組成変動が少
なく、スパッタ生成膜の磁気特性の変動も小さい結果が
得られた。磁気特性が一定なスパッタ膜が得られること
は磁気記録媒体として極めて有利であり、粉末法による
本発明のターゲット部材およびその製造方法は、工業上
顕著な効果を有する。
て、原子%でCr、MoおよびWのうち一種以上を4〜
18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、HfおよびRu
のうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、残部Coの
ターゲット部材、さらにPtを0.5〜16%含むター
ゲット部材、および、さらにB、C、SiおよびAlの
うち一種以上を0.1〜10%含むターゲット部材を粉
末法で作製した場合、従来の溶解法で作製したターゲッ
ト部材に比較してターゲット部材内部での組成変動が少
なく、スパッタ生成膜の磁気特性の変動も小さい結果が
得られた。磁気特性が一定なスパッタ膜が得られること
は磁気記録媒体として極めて有利であり、粉末法による
本発明のターゲット部材およびその製造方法は、工業上
顕著な効果を有する。
Claims (4)
- 【請求項1】 スパッタリング用のターゲット部材にお
いて、その組成が原子%で、Coを主体としてCr、M
oおよびWのうち一種以上を4〜18%、V、Nb、T
a、Ti、Zr、HfおよびRuのうち少なくとも一種
以上を0.1〜8%、残部実質的にCoと不可避的不純
物からなる合金で、組成が均一でかつ相対密度が98%
以上ある焼結体であることを特徴とするターゲット部
材。 - 【請求項2】 スパッタリング用のターゲット部材にお
いて、その組成が原子%で、Coを主体としてPtを
0.5〜16%、Cr、MoおよびWのうち一種以上を
4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hfおよび
Ruのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、残部実
質的にCoと不可避的不純物からなる合金で、組成が均
一でかつ相対密度が98%以上ある焼結体であることを
特徴とするターゲット部材。 - 【請求項3】 スパッタリング用のターゲット部材にお
いて、その組成が原子%で、Coを主体としてPtを
0.5〜16%、Cr、MoおよびWのうち一種以上を
4〜18%、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hfおよび
Ruのうち少なくとも一種以上を0.1〜8%、B、
C、SiおよびAlのうち一種以上を0.1〜10%、
残部実質的にCoと不可避的不純物からなる合金で、組
成が均一でかつ相対密度が98%以上ある焼結体である
ことを特徴とするターゲット部材。 - 【請求項4】 請求項1、請求項2および請求項3に記
載のターゲット部材を製造する方法であって、請求項
1、請求項2および請求項3に記載の合金として粒径3
2メッシュ以下の急冷凝固法により製造された合金粉末
を使用し、その合金粉末を金属製容器に充填封入した
後、加圧焼結することを特徴とするターゲット部材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8141792A JPH05247641A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | ターゲット部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8141792A JPH05247641A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | ターゲット部材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05247641A true JPH05247641A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=13745779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8141792A Abandoned JPH05247641A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | ターゲット部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05247641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2055793A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-06 | Heraeus, Inc. | Methodology for recycling RU and RU-alloy deposition targets & targets made of recycled RU and RU-based alloy powders |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP8141792A patent/JPH05247641A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2055793A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-06 | Heraeus, Inc. | Methodology for recycling RU and RU-alloy deposition targets & targets made of recycled RU and RU-based alloy powders |
| US8118906B2 (en) | 2007-10-29 | 2012-02-21 | Heraeus Inc. | Methodology for recycling Ru and Ru-alloy deposition targets and targets made of recycled Ru and Ru-based alloy powders |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A762 | Written abandonment of application |
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