JP2000311322A - 磁気ヘッド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハードディスクの内部転送速度を向上させ
る。 【解決手段】 ハードディスク用薄膜記録ヘッドの記録
ヘッドチップ１３と記録プリアンプ３とを結線するため
の高周波電流伝送配線において、上記高周波電流伝送配
線を、３本以上の複数本により構成するとともに、平行
状態に配設するもしくは編み込んだ状態で配設する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ等の外部記憶装置としての
ハードディスクドライブにおいては、近年、大容量化を
図るために記録密度の高密度化が求められている。そし
て、最近では高密度化に伴う高転送速度化の要求が強
く、それに使用される記録ヘッドにおいても高速駆動に
対応可能なものが望まれている。

【０００３】記録ヘッドの高速駆動においては、駆動電
流として高周波を用いることが有効であり、このような
記録ヘッドの高周波電流による駆動としては、現在、１
００ＭＨｚ程度の周波数の電流による駆動が実現されて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、今後、
益々増加するであろうハードディスクドライブの高密度
化の要求を考えると、駆動電流の周波数としては１００
ＭＨｚという数値は十分なものとは言えない。そこで、
より高速駆動が可能な記録ヘッドの研究・開発が盛んに
進められている。

【０００５】このような高周波電流による駆動を行う場
合、２つの問題が生じる。

【０００６】１つ目の問題は、高周波電流は交流電流で
あるため交流電流を流すと交流抵抗が発生し、交流抵抗
が大きくなると高周波電流が流せなくなるということで
ある。この交流抵抗は、高周波電流の周波数が大きくな
るのに比例して大きくなる。交流抵抗値は次式（１）で
表される。

【０００７】

【数１】

【０００８】式（１）からわかるように、交流抵抗を低
減させるには、インダクタンスを小さくすることが必要
となる。

【０００９】２つ目の問題は、記録媒体に高密度で信号
を書き込む場合、隣接する磁化遷移が互いに干渉し、ノ
ンリニア・トランジション・シフト(Nonlinear Transi
tionShift：ＮＬＴＳ)と呼ばれる信号の書き込み位置の
ずれが記録媒体に生じ、これが信号の再生時に読みとり
エラーを増加させるということである。

【００１０】記録ヘッドは、インダクタンスが大きくな
るとインピーダンスが大きくなるので、高周波電流に
は、そのインピーダンスにより遅れが生じる。この遅れ
が大きくなると、図３１に示すような通常の高周波電流
波形に対し、図３２のように、高周波電流の方形波に歪
みが生じ、高周波電流のプラスとマイナスが反転する時
間、即ち立ち上がり時間が大きくなる。この高周波電流
の立ち上がり時間が大きいと、磁気変換ギャップに発生
する磁束の向きが反転する時間、即ち磁束の立ち上がり
時間が大きくなる。磁束の立ち上がり時間τは、次式
（２）で表される。

【００１１】

【数２】

【００１２】この現象は、高周波になると更に顕著にな
り、磁束の立ち上がり時間とＮＬＴＳには、相関関係が
あるため、ＮＬＴＳを低減させるためには、インダクタ
ンスを小さくして磁束の立ち上がり時間を小さくするこ
とが必要となる。

【００１３】以上のことより、高周波電流による駆動を
実現するには、インダクタンスを小さくすることが必要
となる。インダクタンスは記録ヘッドを構成するコイ
ル、記録ヘッドと記録プリアンプとを結線するための高
周波電流伝送配線及びチップに存在するが、その中でも
高周波電流伝送配線のインダクタンスは、インダクタン
ス全体のおよそ６割を占める。したがって、高周波電流
伝送配線のインダクタンスを小さくすることが非常に重
要となる。

【００１４】ハードディスク用薄膜記録ヘッドにおいて
記録ヘッドと記録プリアンプとを結線するための高周波
電流伝送配線としては、通常、２本のワイヤを編み込ん
だツイストペア線や配線同士の配置間隔の広い薄膜配線
が用いられている。しかし、ツイストペア線の場合、ツ
イストペア線に流される駆動電流により発生する磁束が
交錯する２本のワイヤ間の面積を小さくすることができ
ず、インダクタンスを低減するには、限界がある。ま
た、薄膜配線の場合、配線のよじれを低減することはで
きるが、インダクタンスの低減には効果を奏していな
い。

【００１５】したがって、本発明は、上述した実情に鑑
みて創案されたものであり、ハードディスクの内部転送
速度を向上させることを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ヘッド
装置は、記録ヘッドと記録プリアンプとが高周波電流伝
送配線により結線されてなる磁気ヘッド装置であって、
上記高周波電流伝送配線は、３本以上の複数本により構
成されるとともに、該高周波電流伝送配線中に流される
高周波電流の方向が反対方向である高周波電流伝送配線
同士が隣り合うように平行状態に配設されるもしくは編
み込んだ状態で配設されることを特徴とする。

【００１７】上記磁気ヘッド装置においては、高周波電
流伝送配線は、３本以上の複数本により構成されるとと
もに、該高周波電流伝送配線中に流される高周波電流の
方向が反対方向である高周波電流伝送配線同士が隣り合
うように平行状態に配設されるもしくは編み込んだ状態
で配設される。これにより、高周波電流伝送配線のイン
ダクタンスは低下し、記録ヘッド全体としてのインダク
タンスが低下する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面を参照して説明する。

【００１９】本実施の形態においては、ハードディスク
に本発明を適用した場合について説明する。また、以下
に示す図面においては、特徴となる部分を拡大して図示
してあるため、実際の尺度とは異なる場合がある。

【００２０】まず図１を参照してハードディスクの概要
を説明する。シャーシ１には、一面に回動型ヘッドアク
チュエータ２が回動自在に取り付けられ、その横に記録
プリアンプ３が取り付けられ、また、他面側に駆動機構
を構成するスピンドルモータ（図示せず）が支持され
る。

【００２１】シャーシ１は、金属材料により平板な矩形
状に形成され、ハードディスクを構成する部材が搭載さ
れるフレームとなるものである。

【００２２】スピンドルモータ（図示せず）は、駆動軸
４がシャーシ１の一面側に突出するように配される。駆
動軸４の先端には、円環状の記録媒体支持面（図示せ
ず）が形成されており、磁気ディスク５、記録媒体支持
面（図示せず）で支持されるとともに、クランプ部材６
と固定部材７とにより記録媒体支持面とクランプ部材６
の間に狭着されて駆動軸４に連結固定される。

【００２３】回動型ヘッドアクチュエータ２は、駆動装
置８とアーム９とサスペンション１０とからなり、サス
ペンション１０の先端には、記録ヘッドチップ（図示せ
ず）及び再生ヘッドチップ（図示せず）が取り付けられ
たヘッドスライダ１１が設けられている。そして回動型
ヘッドアクチュエータ２は、駆動装置８により、磁気デ
ィスク５の略半径方向に回動自在とされている。

【００２４】ハードディスクの記録ヘッドを高周波駆動
させる場合、高周波電流は、通常高周波電流伝送配線１
２により記録プリアンプ３からアーム９、サスペンショ
ン１０を通じて記録ヘッドチップ１３へと伝送される。
図２に高周波電流の伝送経路を模式的に表す図を示す。

【００２５】本発明を適用したハードディスクにおいて
は、上記高周波電流伝送配線１２を配設する際に、高周
波電流伝送配線１２を３本以上の複数本により構成する
とともに、該高周波電流伝送配線１２中に流される高周
波電流の方向が反対方向である高周波電流伝送配線１２
同士が隣り合うように平行状態に配設するもしくは編み
込んだ状態で配設する。

【００２６】図３に、本発明を適用して、被覆付き導線
による３本配線を用いて高周波電流伝送配線１２を構成
した場合の概念図を示す。本発明を適用した３本配線の
場合、図３に示すように、高周波電流が図面上において
手前側から奥側に流されるとともに３本中の真ん中に配
される中央高周波電流伝送配線（以下、中央配線１５と
称する。）と、高周波電流が図面上において奥側から手
前側に流されるとともに該中央配線の両外側に配される
外側高周波電流伝送配線（以下、外側配線１６と称す
る。）とにより構成され、該３本の高周波電流伝送配線
１２は互いに平行状態に配設される。また、高周波電流
を流す向きは、上述した方向と逆の方向でも良く、中央
配線１５と、中央配線１５の両外側に配される２本の外
側配線１６とにおいて流される高周波電流の向きが反対
方向とされれば良い。

【００２７】３本の高周波電流伝送配線１２が、中央配
線１５と中央配線１５の両外側に配される２本の外側配
線１６とにおいて流される高周波電流の向きが反対方向
となるように、そして互いに平行状態に配設されること
により、高周波電流伝送配線１２におけるインダクタン
スを低減することができる。これは、図４に示すよう
に、中央配線を流れる高周波電流による電流磁界の方向
１７と、外側配線を流れる高周波電流による電流磁界の
一部の方向１８とが互いに相殺する方向であるため、中
央配線１５と外側配線１６との間の空間を交錯する磁束
量が減少し、外側配線１６と中央配線１５との間の空間
を交錯する磁束量に比例するインダクタンスが低減する
からである。

【００２８】上記においては、高周波電流伝送配線１２
として被覆付き導線の３本配線を平行状態に配設した場
合について説明したが、３本配線を編み込んだ状態にし
ても良く、その場合においても上記と同様の効果が得ら
れる。

【００２９】また、上記においては高周波電流伝送配線
１２として被覆付き導線を用いた場合について説明した
が、高周波電流伝送配線１２には薄膜プロセス等を用い
て銅や金等で例えば板厚の薄いステンレス基板上に作製
された薄膜配線等も用いることができ、上記と同様の効
果が得られる。

【００３０】ハードディスクにおける本発明の適用箇所
は、上述した記録プリアンプ３と記録ヘッドチップ１３
との間の配線の全ての部位でも良く、また、その一部の
みでも良い。ただし、インダクタンス低減効果は、本発
明を適用した配線の長さに比例するため、上述した記録
プリアンプ３と記録ヘッドチップ１３との間の配線の全
ての部位に適用することが好ましい。

【００３１】また、本発明は、記録ヘッドチップ１３が
搭載された基板上においても適用することができ、上記
と同様のインダクタンス低減効果を得ることができる。
具体的には、端子１４からコイル１９に結線する高周波
電流伝送配線１２にも適用することができる。

【００３２】また、記録プリアンプ３が搭載された基板
上においても、記録ヘッドチップ１３と同様に本発明を
適用することができ、インダクタンス低減効果を得るこ
とができる。

【００３３】そして、本発明を適用したハードディスク
において高周波電流伝送配線１２として薄膜配線を用い
る場合、薄膜配線同士の位置関係は、薄膜配線の幅方向
及び膜厚方向に平行な平面上においては特に限定される
ことはなく、例えば薄膜配線同士が積層状態に配設され
ても良い。

【００３４】実施例１乃至実施例５に本発明の適用箇所
２１の例を示す。

【００３５】実施例１ 図５に示すように、本発明を適用した一構成例であり、
被覆付き銅線による配線で記録ヘッドチップ１３の端子
１４から記録プリアンプ３の端子１４まで直接結線した
場合である。

【００３６】実施例２ 図６に示すように、本発明を適用した一構成例であり、
薄いステンレス基板上に薄膜配線を薄膜プロセスを用い
て作製し、サスペンション１０上に張り付け、サスペン
ション１０のベース２０から記録ヘッドチップ１３の端
子１４まで別途配線した場合である。

【００３７】実施例３ 図７に示すように、本発明を適用した一構成例であり、
薄いステンレス基板上に薄膜配線を薄膜プロセスを用い
て作製し、サスペンション１０上に張り付け、直接記録
ヘッドチップ１３の端子１４から記録プリアンプ３の端
子１４まで結線した場合である。

【００３８】実施例４ 図８に示すように、本発明を適用した一構成例であり、
記録プリアンプ３をサスペンション１０のベース２０上
に配置し、薄いステンレス基板上に薄膜配線を薄膜プロ
セスを用いて作製し、サスペンション１０上に張り付
け、直接記録ヘッドチップ１３の端子から記録１４アン
プ３の端子１４まで結線した場合である。

【００３９】実施例５ 図９に示すように、本発明を適用した一構成例であり、
記録プリアンプ３をサスペンション１０上に配置し、薄
いステンレス基板上に薄膜配線を薄膜プロセスを用いて
作製し、サスペンション１０上に張り付け、直接記録ヘ
ッドチップ１３の端子１４から記録プリアンプ３の端子
１４まで結線した場合である。

【００４０】以上、何点か例を挙げたが、本発明の適用
箇所は、上記に限定されるものではなく、種々のレイア
ウトにおいて適用可能である。

【００４１】そして上記においては、高周波電流伝送配
線１２の本数を３本にした３本配線の場合について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではない。即ち
本発明によれば、高周波電流伝送配線１２は、３本以上
の複数本により構成され、隣り合う高周波電流伝送配線
１２には互いに反対向きの高周波電流を流すようにすれ
ば良い。これにより、上記と同様の効果を得ることがで
きる。

【００４２】高周波電流伝送配線１２の長さは、通常、
記録プリアンプ３を磁気ディスク５の外側に配置する場
合は、ハードディスクに用いられる磁気ディスク５のサ
イズに応じて規定される。例えば直径が３．５インチの
磁気ディスク５を用いる場合、高周波電流伝送配線の長
さは、およそ６０ｍｍとなる。

【００４３】長さ６０ｍｍの被覆付き銅線からなる高周
波電流伝送配線１２に表１のように条件を変えて実施例
６、実施例７及び実施例８を作製し、１ＭＨｚの高周波
電流を流した場合のそれぞれの高周波電流伝送配線１２
のインダクタンスを、表１に併せて示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】実施例６ 図１０に示すように、被覆付き導線３本を編み込んだ高
周波電流伝送配線１２である。

【００４６】実施例７ 図１１に示すように、被覆付き導線３本を平行状態に配
置した高周波電流伝送配線１２である。

【００４７】比較例１ 図１２に示すように、被覆付き導線２本を編み込んだ従
来のツイストペア線の高周波電流伝送配線１２である。

【００４８】なお、被覆付き導線は、被覆込みでの断面
直径が１ｍｍのものを使用している。

【００４９】表１より、被覆付き導線２本を編み込むこ
とにより高周波電流伝送配線１２を作製したサンプル２
の場合、従来のツイストペア線に比べ、１２％程度イン
ダクタンスが低減することがわかる。また、被覆付き導
線３本を平行状態に配置した場合、従来のツイストペア
線に比べ、２６％程度インダクタンスが低減することが
わかる。

【００５０】次に、上述した３本配線により高周波電流
伝送配線１２を構成した場合の、高周波電流伝送配線１
２の端子１４の接続方法について説明する。

【００５１】ハードディスクにおいては、記録ヘッドチ
ップ１３側も記録プリアンプ３側も高周波電流伝送配線
１２接続する端子１４は２本であるので、高周波電流伝
送配線１２として記録プリアンプ３と記録ヘッドチップ
１３との間に３本配線を適用した場合、３本配線から２
本配線に変換する部位が必ず必要となる。また、これら
の変換は、記録プリアンプ側及び記録ヘッドチップ側に
おいてそれぞれ行われる必要がある。

【００５２】３本配線から２本配線への変換は、下記の
ような２つの方法により行うことができる。

【００５３】第１の方法は、高周波電流伝送配線１２
が、隣り合う高周波電流伝送配線１２の上部もしくは下
部を跨ることにより電気的に接続し、３本配線から２本
配線に変換する方法である。即ち、外側配線１６が、中
央配線１５の上部もしくは下部を跨ることにより電気的
に接続し、３本配線から２本配線へ変換する。

【００５４】第２の方法は、薄膜配線を用いた高周波電
流伝送配線１２において、高周波電流伝送配線１２が、
該高周波電流伝送配線１２中に流される高周波電流の方
向が同方向である２本が該高周波電流伝送配線１２中に
流される高周波電流の方向が逆方向である高周波電流伝
送配線１２の外側を配線の両端部において回り込む形状
を有することにより電気的に接続し、３本配線から２本
配線へ変換する方法である。即ち、外側配線１６が中央
配線１５の両端部において中央配線１５の外側を回り込
む形状を有することにより電気的に接続し、３本配線か
ら２本配線へ変換する。この場合、外側配線１６は、周
囲をポリイミド等の絶縁膜により覆われていることが好
ましい。外側配線１６は、周囲を絶縁膜により覆われる
ことにより、中央配線１５と絶縁され、短絡が生じるこ
とが防がれるからである。

【００５５】３本配線から２本配線への変換は、上記の
方法の他に、周知の方法により行われても良い。

【００５６】また、３本配線から２本配線へ変換する部
位としては、高周波電流伝送配線１２上において変換し
ても良く、また、高周波電流伝送配線１２と記録プリア
ンプ３との接続時に変換しても良い。そして、記録ヘッ
ドチップ１３上において変換しても良く、同様に記録プ
リアンプ３の搭載された基板上において変換しても良
い。

【００５７】３本配線から２本配線への変換の具体的な
例として、図１３に実施例８を、図１４に実施例９を、
図１５に実施例１０を、図１６に実施例１１を、図１７
に実施例１２を、図１８に実施例１３をそれぞれ示す。

【００５８】実施例８ ３本の薄膜配線により高周波電流伝送配線１２を構成
し、外側配線１６が、高周波電流伝送配線１２の両端部
において中央配線１５の外側を回り込む形状を有するこ
とにより電気的に接続し、３本配線から２本配線へ変換
する例である。

【００５９】実施例９ ３本の薄膜配線により高周波電流伝送配線１２を構成
し、外側配線１６が、中央配線１５の上部もしくは下部
を跨ることにより電気的に接続し、３本配線から２本配
線へ変換する例である。

【００６０】実施例１０ ３本の薄膜配線により高周波電流伝送配線１２を構成
し、外側配線１６が、中央配線１５の片端部において中
央配線１５の外側を回り込む形状を有することにより電
気的に接続し、３本配線から２本配線へ変換するととも
に、中央配線１５の反対側の片端部においては外側配線
１６が２端子と中央配線１５が１端子との３端子を有
し、２端子を有する記録プリアンプ３との接続時に、記
録プリアンプ３の１端子から接続用の配線を２本用意
し、そのそれぞれを外側配線１６の２端子に接続するこ
とにより、３本配線から２本配線へ変換する例である。

【００６１】実施例１１ ３本の薄膜配線により高周波電流伝送配線１２を構成
し、外側配線１６が、中央配線１５の片端部において中
央配線１５の外側を回り込む形状を有することにより電
気的に接続し、３本配線から２本配線へ変換するととも
に、中央配線１５の反対側の片端部においては外側配線
１６の２端子と中央配線１５の１端子との３端子を有
し、外側配線１６の２端子を別配線により電気的に接続
することにより、３本配線から２本配線へ変換する例で
ある。

【００６２】実施例１２ ３本の薄膜配線により高周波電流伝送配線１２を構成
し、記録ヘッドチップ１３上の端子１４とコイル１９と
の間において外側配線１６が中央配線１５の上部を跨る
ことにより電気的に接続し、３本配線から２本配線へ変
換する例である。

【００６３】実施例１３ ３本の薄膜配線により高周波電流伝送配線１２を構成
し、記録ヘッドチップ１３上において外側配線１６の２
本をコイル１９の最外周部に接続することにより３本配
線から２本配線へ変換する例である。

【００６４】また、端子における接続方法としては、金
ワイヤボンディング、金ボールボンディング、熱圧着等
通常用いられている種々の方法を用いることができる。

【００６５】また、本発明を適用したハードディスクに
おいては、高周波電流伝送配線１２を３本以上の複数本
により構成するとともに、該高周波電流伝送配線１２中
に流される高周波電流の方向が反対方向である高周波電
流伝送配線１２同士が隣り合うように平行状態に配設す
るもしくは編み込んだ状態で配設する際に、高周波電流
伝送配線１２同士の配置間隔が０．１μｍ以上１５μｍ
以下になるように高周波電流伝送配線１２を配設する。
これにより、高周波電流伝送配線１２のインダクタンス
を更に低減することができる。これは、高周波電流伝送
配線１２同士を、高周波電流伝送配線１２中を流れる高
周波電流の位置をなるべく近い位置になるように配置す
ることにより、高周波電流伝送配線１２同士間の間隙を
通る交錯磁束を低減できるからである。そして、高周波
電流伝送配線１２同士の配置間隔を０．１μｍ以上１５
μｍ以下に設定することにより、より良好なインダクタ
ンス低減効果を得ることができる。高周波電流伝送配線
１２のインダクタンスは、記録ヘッド全体のインダクタ
ンスのおよそ６０％を占めるため、高周波電流伝送配線
１２インダクタンス低減による効果は、非常に大きい。
即ち、高周波電流伝送配線１２のインダクタンスを低減
することにより、記録ヘッド全体のインダクタンスを大
幅に低減することができる。

【００６６】また、高周波電流伝送配線１２として用い
られる配線は、通常用いられている被覆付き導線や薄膜
プロセス等を用いて銅や金等で例えば板厚の薄いステン
レス基板上に作製された薄膜配線等を用いることができ
る。

【００６７】高周波電流伝送配線１２として被覆付き導
線を用いる場合は、被覆付き導線の断面積を小さくし、
即ち被覆付き導線を細くする。そして、被覆付き導線同
士の間の間隔を極力少なくするように密な状態に編み込
むことによりツイストペア線を形成し、これを用いるこ
とによりインダクタンス低減効果を得ることができる。

【００６８】また、高周波電流伝送配線１２として薄膜
配線を用いる場合、上述したように薄膜配線同士の配置
間隔が０．１μｍ以上１５μｍ以下になるように薄膜配
線を配設するとともに、薄膜配線の幅を狭く設定するこ
とにより、更にインダクタンスを低減することができ
る。

【００６９】そして、高周波電流伝送配線１２として薄
膜配線を用いる場合、薄膜配線同士の配置間隔が０．１
μｍ以上１５μｍ以下になるように薄膜配線を配設する
とともに、薄膜配線の膜厚を厚く設定することにより、
更にインダクタンスを低減することができる。

【００７０】更に、高周波電流伝送配線１２として薄膜
配線を用いる場合において、薄膜配線同士の位置間隔が
０．１μｍ以上１５μｍ以下になるように薄膜配線配設
するとともに、薄膜配線の幅を狭く設定する及び／又は
薄膜配線の膜厚を厚く設定することによりインダクタン
ス低減を図る場合、薄膜配線の単位長さ当たりの抵抗値
が６０ｍΩ／ｍｍ以下となるように薄膜配線の幅及び／
又は膜厚を設定する。これにより、より効果的にインダ
クタンス低減効果を得ることができる。

【００７１】高周波電流伝送配線１２として薄膜配線を
用いる場合において、薄膜配線同士の配置間隔Ｓ、薄膜
配線の長さＬ、薄膜配線の幅Ｗ及び薄膜配線の膜厚Ｔを
図１９に示すように定めた時、薄膜配線の抵抗値を決定
する要因である薄膜配線の幅と膜厚との変化による薄膜
配線のインダクタンスの変化を図２０及び図２１に示
す。なお、図２０及び図２１は、長さＬ＝６０ｍｍの薄
膜配線からなる高周波電流伝送配線１２に１ＭＨｚの高
周波電流を流した場合の高周波電流伝送配線１２のイン
ダクタンスである。

【００７２】薄膜配線の長さを６０ｍｍとしたのは、ハ
ードディスクにおいて高周波電流伝送配線１２の長さ
は、記録プリアンプ３を磁気ディスク５の外側に配置す
る場合、ハードディスクに用いられる磁気ディスク５の
サイズに応じて規定され、例えば直径が３．５インチの
磁気ディスク５を用いる場合、ヘッドジンバルアンセン
ブリ（ＨＧＡ）高周波電流伝送配線１２の長さは、およ
そ６０ｍｍとなるからである。

【００７３】図２０は、２本の薄膜配線により高周波電
流伝送配線を構成し、薄膜配線の膜厚を２０μｍに固定
し、薄膜配線の幅を変化させた場合のインダクタンスの
変化を示したものである。

【００７４】図２１は、２本の薄膜配線により高周波電
流伝送配線を構成し、薄膜配線の幅を２０μｍに固定
し、薄膜配線の膜厚を変化させた場合のインダクタンス
の変化を示したものである。

【００７５】図２０及び図２１より、薄膜配線の幅、又
は、薄膜配線の膜厚を変化させることにより、薄膜配線
のインダクタンスが変化することがわかる。即ち、薄膜
配線の抵抗値を変化させることにより、薄膜配線のイン
ダクタンスが変化することがわかる。

【００７６】上記においては、通常の２本配線により高
周波電流伝送配線１２を構成した場合について説明した
が、本発明は、３本以上の複数本により高周波電流伝送
配線１２を構成した場合についても適用することができ
る。即ち、３本以上の複数本により高周波電流伝送配線
を構成した場合に高周波電流伝送配線１２同士の配置間
隔が０．１μｍ以上１５μｍ以下になるように高周波電
流伝送配線１２を配設するとともに薄膜配線の単位長さ
当たりの抵抗値が６０ｍΩ／ｍｍ以下となるように薄膜
配線の幅及び／又は膜厚を設定する。これにより、２本
配線により高周波電流伝送配線を構成し、薄膜配線の単
位長さ当たりの抵抗値が６０ｍΩ／ｍｍ以下となるよう
に薄膜配線の幅及び／又は膜厚を設定した場合に比べ、
更にインダクタンスを低減することができる。

【００７７】高周波電流伝送配線１２として薄膜配線を
用いる場合において、薄膜配線同士の配置間隔Ｓ、薄膜
配線の長さＬ、薄膜配線の幅Ｗ及び薄膜配線の膜厚Ｔを
図１９に示すように定め、実施例１４乃至実施例２１及
び比較例２として表２及び図２２乃至図３０に示した条
件において高周波電流伝送配線を構成した場合の、高周
波電流伝送配線のインダクタンスを表２に併せて示す。
なお、表２に示したインダクタンスは、長さＬ＝６０ｍ
ｍの薄膜配線からなる高周波電流伝送配線１２に１ＭＨ
ｚの高周波電流を流した場合の高周波電流伝送配線１２
のインダクタンスである。

【００７８】

【表２】

【００７９】表２より、２本の薄膜配線により構成され
た高周波電流伝送配線１２同士の配置間隔を０．１μｍ
以上１５μｍ以下になるように配設し、更に薄膜配線の
抵抗値を変化させることにより、薄膜配線のインダクタ
ンスが低減するがわかる。そして、同様に３本の薄膜配
線により構成された高周波電流伝送配線１２同士の配置
間隔を０．１μｍ以上１５μｍ以下になるように配設
し、更に薄膜配線の抵抗値を変化させることにより、薄
膜配線のインダクタンスが低減するがわかる。

【００８０】以上、上記においては、ハードディスク用
高周波電流伝送配線において、３本配線により高周波電
流伝送配線１２を構成した場合について説明したが、本
発明は上記の例に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であり、種々の構成
条件に適用可能である。例えば、記録ヘッド用の配線と
同様の高周波駆動となる再生ヘッド用の配線において
も、上記と全く同様の効果が得られるので適用可能であ
る。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高周
波電流伝送配線の配設方法は、ハードディスク用薄膜記
録ヘッドにおいて記録ヘッドと記録プリアンプとを結線
するための配線の配設方法であって、上記高周波電流伝
送配線は、３本以上の複数本により構成されるととも
に、平行状態に配設されるもしくは編み込んだ状態で配
設されることを特徴とする。

【００８２】上記高周波電流伝送配線の配設方法によれ
ば、高周波電流伝送配線は、３本以上の複数本により構
成されるとともに、平行状態に配設されるもしくは編み
込んだ状態で配設される。これにより、高周波電流伝送
配線のインダクタンスは低下し、記録ヘッド全体として
のインダクタンスが低下する。

【００８３】したがって、本発明に係る高周波電流伝送
配線の配設方法によれば、複雑な工程の変更等を要する
ことなく、安価にかつ安定してハードディスクの内部転
送速度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ハードディスクの概要を示す斜視図である。

【図２】高周波電流の伝送経路を模式的に示した図であ
る。

【図３】本発明を適用して３本の被覆付き導線を平行状
態に配設することにより高周波電流伝送配線を構成した
状態を示した概念図である。

【図４】本発明を適用して３本の被覆付き導線を平行状
態に配設することにより高周波電流伝送配線を構成した
場合の電流磁界の方向を示した概念図である。

【図５】実施例１の構成例を示した図である。

【図６】実施例２の構成例を示した図である。

【図７】実施例３の構成例を示した図である。

【図８】実施例４の構成例を示した図である。

【図９】実施例５の構成例を示した図である。

【図１０】本発明を適用した実施例６の高周波電流伝送
配線を示した図である。

【図１１】本発明を適用した実施例７の実施例７の高周
波電流伝送配線を示した図である。

【図１２】従来のツイストペア線である比較例１の高周
波電流伝送配線を示した図である。

【図１３】実施例８による配線の変換方法を示した図で
ある。

【図１４】実施例９による配線の変換方法を示した図で
ある。

【図１５】実施例１０による配線の変換方法を示した図
である。

【図１６】実施例１１による配線の変換方法を示した図
である。

【図１７】実施例１２による配線の変換方法を示した図
である。

【図１８】実施例１３による配線の変換方法を示した図
である。

【図１９】薄膜配線における薄膜配線同士の配置間隔、
薄膜配線の長さ、薄膜配線の幅、薄膜配線の膜厚を示し
た図である。

【図２０】薄膜配線の幅とインダクタンスの関係を示し
た特性図である。

【図２１】薄膜配線の膜厚とインダクタンスの関係を示
した特性図である。

【図２２】比較例２による構成例を示した図である。

【図２３】実施例１４による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図２４】実施例１５による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図２５】実施例１６による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図２６】実施例１７による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図２７】実施例１８による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図２８】実施例１９による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図２９】実施例２０による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図３０】実施例２１による構成例を示した薄膜配線の
断面図である。

【図３１】通常の高周波電流の電流波形を示した図であ
る。

【図３２】インダクタンスが大きい場合の高周波電流の
電流波形を示した図である。

【符号の説明】

２ 回動型ヘッドアクチュエータ、３ 記録プリアン
プ、９ アーム、１０サスペンション、１２ 高周波電
流伝送配線、１３記録ヘッドチップ、１４端子、１５
中央配線、１６ 外側配線、２２薄膜配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片倉 亨 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D042 NA01 PA08 TA07 TA09

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録ヘッドと記録プリアンプとが高周波
   電流伝送配線により結線されてなる磁気ヘッド装置にお
   いて、 上記高周波電流伝送配線は、３本以上の複数本により構
   成されるとともに、該高周波電流伝送配線中に流される
   高周波電流の方向が反対方向である高周波電流伝送配線
   同士が隣り合うように平行状態に配設されるもしくは編
   み込んだ状態で配設されることを特徴とする磁気ヘッド
   装置。
2. 【請求項２】 上記高周波電流伝送配線は、隣り合う高
   周波電流伝送配線の上部もしくは下部を跨ることにより
   電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の磁
   気ヘッド装置。
3. 【請求項３】 上記高周波電流伝送配線は、薄膜配線に
   より構成され、該高周波電流伝送配線中に流される高周
   波電流の方向が同方向である複数本が該高周波電流伝送
   配線中に流される高周波電流の方向が逆方向である高周
   波電流伝送配線の外側を高周波電流伝送配線の片端部も
   しくは両端部において回り込む形状を有することにより
   電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の磁
   気ヘッド装置。
4. 【請求項４】 上記記録ヘッドは、薄膜記録再生一体型
   ヘッドであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
   ド装置。
5. 【請求項５】 上記高周波電流伝送配線は、高周波電流
   伝送配線同士の配置間隔が、０．１μｍ以上１５μｍ以
   下になるように配設されることを特徴とする請求項１記
   載の磁気ヘッド装置。
6. 【請求項６】 上記高周波電流伝送配線は、単位長さ当
   たりの抵抗値が、６０ｍΩ／ｍｍ以下となるように厚み
   及び幅が設定されることを特徴とする請求項５記載の磁
   気ヘッド装置。