JPH10255239A

JPH10255239A - インダクティブ／ｍｒ複合型薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH10255239A
Application number: JP9067506A
Authority: JP
Inventors: Fuminori Higami; 文範樋上; Masayuki Takagishi; 雅幸高岸
Original assignee: Read Rite SMI Corp
Current assignee: Read Rite SMI Corp
Priority date: 1997-03-06
Filing date: 1997-03-06
Publication date: 1998-09-25
Also published as: US5969911A

Abstract

(57)【要約】【課題】高速・高密度記録の実現と同時に、ＮＬＴＳ
を低減させて読取りエラーの発生を防止する。【解決手段】１対の上部及び下部磁性膜３３、２４の
間に、磁気ギャップ層２８と導体コイル３２と絶縁層２
９、３０、３１とを積層した書込み用のインダクティブ
ヘッド２７と、下部磁性膜を兼用する上シールド２４と
下シールド２３との間に挟まれたＭＲ素子２５からなる
読出し用の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッド２６とを備えるイン
ダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、導体
コイルを、多数のセグメントからなる下側コイル部分３
２ａを第１の絶縁層２９の上に形成し、かつ下側コイル
部分の上に積層した第２の絶縁層３０、上部磁性膜、及
び第３の絶縁層３１の上から、その各端部が下側コイル
部分のセグメントの各端部と交互に接続されるように、
多数のセグメントからなる上側コイル部分３２ｂを形成
して、上部磁性膜の周囲にソレノイド状に巻回した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、書込み用のインダ
クティブヘッドと読出し用の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドと
を一体的に備え、例えばハードディスク装置など、コン
ピュータ・ワードプロセッサ等の様々な機器の記録再生
装置に使用されるインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気
ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】最近は、コンピュータ等の磁気ディスク
装置に使用される薄膜磁気ヘッドにおいて、書込み用の
インダクティブヘッドと読出し用のＭＲヘッドと一体化
した複合型薄膜磁気ヘッドが採用されている。この複合
型薄膜磁気ヘッドは、ＭＲヘッドは再生感度が大きくか
つその再生出力が記録媒体との相対速度に依存しないた
め、トラック幅の縮小及びコイル巻数の低減による低イ
ンピーダンス化が可能となり、磁気記録の高密度化、装
置の小型化および高出力化を達成することができる。

【０００３】従来の複合型薄膜磁気ヘッドは、例えば図
７及び図８に示されるように、絶縁下地膜を被着したセ
ラミック基板１上に、下シールド２及び上シールド３で
挟まれたＭＲ素子４からなるＭＲヘッド５を形成し、そ
の上に前記上シールドを下部磁性膜として磁気ギャップ
膜６、有機絶縁層７、８、導体コイル９及び上部磁性膜
１０を積層したインダクティブヘッド１１を形成する。
導体コイル９は、一般にホトリソグラフィ技術を用いた
導電材料のめっきにより、バックギャップ１２を中心と
した渦巻状に形成される。

【０００４】信号の記録媒体１３への記録は、図９Ａに
示すような方形波の書込み電流を、コイル１０に引出線
１４、１５を通じて印加して、前記両磁性膜先端の上下
ポール部分間の磁気変換ギャップ１６に磁束を発生さ
せ、書込み電流のプラスとマイナスが入れ換わるタイミ
ングで、磁化遷移（トランジション）と呼ばれる磁化反
転領域を生じさせることにより行う。記録された信号
は、この磁化遷移が前記上下シールドの間を通過するタ
イミングで、ＭＲ素子４を通る記録媒体からの磁束が変
化し、それがＭＲ素子の抵抗を変化させることにより、
電気信号として忠実に再生される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような複合型薄膜
磁気ヘッドにおいて高速・高密度記録を実現するために
は、優れた記録能力を有する書込みヘッドが必要であ
る。しかしながら、記録媒体に高密度で信号を書き込む
場合、隣接する磁化遷移が互いに干渉して、ノンリニア
・トランジション・シフト（nonlinear transition shi
ft＝ＮＬＴＳ）と呼ばれる書込み位置の非線形なずれが
記録媒体に生じ、これが信号の再生時に読取りエラーを
増加させるという問題がある。

【０００６】図７及び８に示す従来のインダクティブヘ
ッドは、渦巻状コイル１０のコイル長に対応した抵抗及
びインダクタンスを有するが、インダクタンスは、前記
コイルの最外周により囲まれる面積に関して正の相関関
係を有する。しかもインダクタンスは、その周囲に存在
する上部磁性膜１１や上シールド４など磁性体の影響
で、コイル単体の場合より大きくなる。前記コイル抵抗
及びインダクタンスが大きくなると、インピーダンスが
大きくなるので、コイルを流れる書込み電流には、その
インピーダンスによる遅れ成分が生じる。

【０００７】この遅れが大きくなると、図９Ｂに示すよ
うに、書込み電流の方形波に「なまり」と呼ばれる歪み
が生じ、書込み電流のプラスとマイナスが入れ換わる時
間、即ち立ち上がり時間が大きくなる。書込み電流の立
ち上がり時間が大きいと、磁気変換ギャップに発生する
磁束の向きが反転する時間、即ち磁束の立ち上がり時間
が大きくなる。磁束の立ち上がり時間とＮＬＴＳとの間
に、図１０に示すような正の相関関係があるので、ＮＬ
ＴＳを低減させるためには、前記コイルのインダクタン
スを小さくして、書込み電流の立ち上がり時間を小さく
することが重要である。

【０００８】また、上側及び下側磁性膜のヨーク部分に
は、コイルを流れる書込み電流による渦電流損が生じ、
これが上下ポール部分間に発生する磁場の高周波成分に
遅れを生じさせる。従って、前記両磁性膜における渦電
流損を減少させれば、同様に磁束の立ち上がり時間を短
くしてＮＬＴＳを低減させることができる。前記両磁性
膜の渦電流損は、そのヨーク長即ち磁路長Ｌ’を短くす
れば減少できるが、そのためには、前記コイルの１ター
ン当たりのピッチを小さくする必要がある。

【０００９】ところが、上述したホトリソグラフィ技術
による従来の渦巻状コイルは、その縦横比（アスペクト
比）に製造技術上制限があることから、コイルピッチを
小さくする場合、コイルの厚さが制限される。このた
め、コイル抵抗には、磁路長との間に図３に破線で示す
ような反比例の関係がある。他方、コイル抵抗は、前記
引出線及びコイルなどで構成される電気回路上の制約か
ら、或る上限値以上に大きくできない。このため、磁路
長即ち前記両磁性膜のヨーク長は、コイル抵抗の設定値
により最小値が決定される。従って、上側及び下側磁性
膜の渦電流損を減少させることによりＮＬＴＳを低減さ
せることには限界がある。

【００１０】そこで、本発明は、上述した従来の問題点
を考慮してなされたものであり、その目的は、高速・高
密度記録を実現しつつ、ＮＬＴＳを低減して読取りエラ
ーの発生を防止することができるインダクティブ／ＭＲ
複合型薄膜磁気ヘッドを提供することである。

【００１１】更に本発明の目的は、従来の製造技術をそ
のまま利用して、比較的安価にかつ簡単に製造すること
ができるインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドを
提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のインダクティブ
／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドは、上述した目的を達成す
るためのものであり、１対の上部及び下部磁性膜の間に
磁気ギャップ層と導体コイルと絶縁層とを積層した書込
み用のインダクティブヘッドと、前記下部磁性膜を兼用
する上シールドと下シールドとの間に挟まれたＭＲ素子
からなる読出し用の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドとを備え、
前記導体コイルが、上部又は下部磁性膜の周囲に絶縁層
を介して巻回したソレノイド状に形成されていることを
特徴とする。

【００１３】このようなソレノイド状の導体コイルを書
込み用ヘッドに用いるにより、渦巻き状のコイルを用い
た従来のインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドに
比して、仮令コイル長が同じであっても、コイルの最外
周により囲まれる面積が大幅に減少するので、そのイン
ダクタンスを大幅に小さくすることができ、書込み電流
の立ち上がり時間が大幅に縮小される。しかも、上部及
び下部磁性膜のヨーク長即ち磁路長を大幅に短縮できる
ので、該磁性膜を流れる書込み電流の渦電流損を大幅に
減少させることができ、磁束の立ち上がり時間を大幅に
縮小することができる。

【００１４】この場合に、少なくとも導体コイルを巻回
した部分の上部又は下部磁性膜の幅を磁路長以下にする
と好都合であり、好適には磁路長の１／２以下に、特に
３０μｍ以下にすると、より一層好都合である。

【００１５】また、前記導体コイルが、上部及び下部磁
性膜双方の周囲に巻回されると、より一層磁路長を短く
することができ、それにより書込み電流の渦電流損がよ
り一層小さくなるので、好都合である。

【００１６】前記導体コイルは、多数のセグメントから
なる下側コイル部分を第１の絶縁層の上に形成し、下側
コイル部分の上に積層した第２の絶縁層、上部又は下部
磁性膜、及び第３の絶縁層の上から、その各端部が下側
コイル部分のセグメントの各端部と交互に接続されるよ
うに、多数のセグメントからなる上側コイル部分を形成
することにより、従来のインダクティブヘッドの成膜技
術をそのまま利用して製造することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明について添付図面を
参照しつつ実施例を用いて詳細に説明する。図１及び図
２は、本発明によるインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁
気ヘッドの第１実施例を示している。この複合型薄膜磁
気ヘッドは、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミック材料から
なる基板２１表面に、アルミナ又はＳｉなどの絶縁下地
膜２２を被着し、その上にパーマロイ系合金、コバルト
系合金、鉄系センダスト合金などの軟磁性材料をめっき
又はスパッタ蒸着してなる下シールド２３及び上シール
ド２４と、それらの間に挟まれたＭＲ素子２５とを有す
る読出し用のＭＲヘッド２６が形成されている。ＭＲ素
子２５は、アルミナなど絶縁膜からなる上下ギャップ層
の間に設けられたＮiＦeなどからなる磁気抵抗薄膜、再
生信号の歪み低減のためのバイアス膜、磁区安定膜など
で構成される。

【００１８】書込み用のインダクティブヘッド２７は、
その下部磁性膜を兼ねる上シールド２４上に形成され
た、磁気変換ギャップを形成するためのアルミナからな
る磁気ギャップ膜２８と、ノボラック系樹脂からなる有
機絶縁層２９、３０、３１と、Ｃｕからなる書込み用の
導体コイル３２と、ＮiＦeのめっき膜からなる上部磁性
膜３３と、それらの上に積層した上部保護層３４とを有
する。第１及び第２絶縁層２９、３０は下部磁性膜２４
と上部磁性膜３３との間に、第３絶縁層３１は上部磁性
膜３３の上に形成されている。

【００１９】本実施例のコイル３２は、上部磁性膜３３
の周囲に記録媒体対向面３５に垂直な軸線ｉに沿って、
前記両磁性膜先端のポール部付近からバックギャップ３
６付近まで、均等な間隔で多数回巻き付けたソレノイド
状に形成されている。コイル３２の両端には、それぞれ
外部回路に接続するための引出線３７、３８が接続され
ている。

【００２０】このソレノイド状コイルは、図３に示すよ
うに、従来の製造技術を利用して形成することができ
る。先ず、磁気ギャップ膜２８の上に、従来と同様にノ
ボラック樹脂を塗布しかつベークして第１絶縁層２９を
成膜する。次に、第１絶縁層２９の上に、ホトリソグラ
フィ技術を用いてＣｕをパターニングすることにより、
下側コイル部分３２ａを形成する（図３Ａ）。下側コイ
ル部分３２ａは、記録媒体対向面３５に対して概ね平行
に一定の間隔で配置された多数の同一の長さ・幅及び厚
さを有する直線状のセグメントからなる。

【００２１】次に、第２絶縁層３０をコイル３２の幅よ
り狭く、前記各下側セグメントの両端が十分に露出する
ように、ノボラック樹脂を塗布しかつベークして形成す
る。上部磁性膜３３は、第２絶縁層３０上のヨーク部分
が、前記各下側コイル部分の両端を十分に露出させたコ
イル３２の幅より狭い一定の幅で、先端のポール部分が
所定のトラック幅を有するように、従来のホトリソグラ
フィ技術を用いたパターニングにより、所望の形状に形
成する（図３Ｂ）。

【００２２】上部磁性膜３３のヨーク部分の上には、ノ
ボラック樹脂を塗布しかつベークすることにより、第３
絶縁層３１を成膜する。第３絶縁層３１は、少なくとも
前記ヨーク部分を被覆して電気的に絶縁し、かつ下側コ
イル部分３２ａの各セグメント両端が十分に露出するよ
うに、コイル３２の幅より狭く形成する。

【００２３】次に、図３Ｃ及び図３Ｄに示すように、ホ
トリソグラフィ技術を用いてＣｕをパターニングするこ
とにより、第３絶縁層３１の上から上側コイル部分３２
ｂを形成する。上側コイル部分３２ｂは、その両端が下
側コイル部分３２ａの隣接する各セグメントの露出する
端部に交互に接続するように、記録媒体対向面３５に対
して斜めにかつ互いに平行に一定の間隔で配置された、
多数の同一の長さ・幅及び厚さを有する直線状のセグメ
ントからなる。

【００２４】上述したように、本発明によれば、書込み
用のコイル３２を上部磁性膜３３を中心としたソレノイ
ド状に形設したことにより、該コイルが取り巻く面積
が、同じコイル長の従来の渦巻き状コイルに比して小さ
くなり、従ってそのインダクタンスも小さくなる。その
ため、書込み時に、コイル３２両端に電圧を加えた場合
に発生する電流の立ち上がり時間が早くなるので、ＮＬ
ＴＳを有効に低減させることができる。

【００２５】更に本発明によれば、上部磁性膜３３の磁
路長Ｌが、従来の渦巻き状コイルに比して大幅に短くな
るので、コイルを流れる書込み電流により両磁性膜に生
じる渦電流損が減少する。そのため、書込み時に、前記
上下ポール部分間における磁束の立ち上がり時間が小さ
くなる。従って、ＮＬＴＳをより一層改善することがで
きる。

【００２６】更に、本実施例では、コイル３２を流れる
電流により発生する磁場が上部磁性膜３３に集中するの
で、磁束の発生部位から記録媒体対向面３５までの距離
が、従来に比して短くなり、そのために、上述した渦電
流損の減少に加えて、前記ポール部分からの磁束の漏れ
が少なくなる。その結果、書込み磁場が従来よりも大き
くなり、ＮＬＴＳを更に減少させることができる。

【００２７】また、別の実施例では、コイル３２を、上
記実施例のように上部磁性膜３３のポール部分付近から
バックギャップ３６付近まで全長に亘って巻回するので
はなく、ポール部分側に片寄らせて配設することができ
る。これにより、磁束の発生部位から記録媒体対向面３
５までの距離を更に短くすることができる。

【００２８】本願発明者は、上部磁性膜３３の前記ヨー
ク部分の幅をその磁路長Ｌ以下に、好しくは磁路長Ｌの
１／２以下に、より好しくは３０μｍ以下に設定する
と、磁路長に対するコイル３２のコイル抵抗の観点から
好ましいことを確認した。

【００２９】実際に、図１及び図２に示す実施例の複合
型薄膜磁気ヘッドについて、例えば上部磁性膜３３のヨ
ーク部分の幅をＷ＝２０μｍ、１３μｍ、磁路長をＬ＝
６０μｍ、２３μｍなどに設定して、磁路長（ヨーク
長）Ｌとコイル３２の電気抵抗との関係を測定したとこ
ろ、図４に実線で示す結果が得られた。磁路長Ｌ＝２３
μｍの磁気ヘッドの場合、コイル抵抗は約９Ωであっ
た。これに対し、同程度のコイル抵抗を有する従来の渦
巻き状コイルの磁気ヘッドの場合、磁路長はＬ’＝９０
μｍであった。従って、本実施例では、インダクタンス
を約７０ｎＨ小さくすることができ、ターン数１５の渦
巻き状コイルの磁気ヘッドと比較して、ＮＬＴＳを約２
０％改善することができた。

【００３０】図５は、本発明によるインダクティブ／Ｍ
Ｒ複合型薄膜磁気ヘッドの第２実施例を示している。本
実施例では、インダクティブヘッド２７の上側磁性膜３
３及び下側磁性膜即ちＭＲ素子２５の上シールド２４の
両方に、ソレノイド状の導体コイル３９が巻回されてい
る。導体コイル３９は、前記下側磁性膜に巻回した第１
コイル４０と、前記上側磁性膜に巻回した第２コイル４
１とからなる。前記第１及び第２コイルは、一方の端部
において互いに電気的に直列に接続され、かつ他方の端
部において引出線４２（図５に第１コイル側のみを図
示）を介して外部の電気回路に接続されている。別の実
施例では、前記第１及び第２コイルの両端をそれぞれ別
個の引出線で外部回路に接続することもできる。

【００３１】ＭＲヘッド２６は、ＭＲ素子２５が下シー
ルド２３と上シールド２４との間にそれぞれ絶縁膜４
３、４４を介して配置されている。上シールド２４は、
図５に併せて良く示されるように、記録媒体上の磁化遷
移から発生する磁場以外の好ましくない磁場からＭＲ素
子を遮蔽するという機能を発揮し得る十分な大きさを有
するＭＲ素子２５側のシールド部分４５と、それより後
方の第１コイル４０を巻回させた部分４６とからなる。

【００３２】第１コイル４０は、第１実施例の導体コイ
ル３２と同様にして形成される。先ず、シールド部分４
５より後方の絶縁膜４４上にノボラック樹脂の第１絶縁
層４７を成膜し、その上にホトリソグラフィ技術を用い
てＣｕのパターニングにより下側コイル部分４０ａを形
成する。下側コイル部分４０ａも同様に、記録媒体対向
面３５に対して概ね平行に一定の間隔で配置された多数
の同一の長さ・幅及び厚さを有する直線状のセグメント
から構成される。このとき、下側コイル部分４０ａの最
も内側のセグメントには、図５に示すように、後述する
上側コイル部分のセグメントが接続されない方の端部を
延長して、第２コイル４１との接続用端子部４６が設け
られている。

【００３３】次に、同じくノボラック樹脂の第２絶縁層
４９を、第１コイル４０の幅より狭くかつ前記下側コイ
ル部分の各セグメントの両端が十分に露出するように形
成する。そして、軟磁性材料をめっきすることにより、
所定形状の上シールド２４を絶縁膜４４及び第２絶縁層
４９上に形成する。図５の実施例では、上シールドのコ
イル巻回部分４６を、下側コイル部分４０ａの両端を十
分に露出させるべく第１コイル４０より狭幅にして、全
体の形状をＴ字形にした。

【００３４】上シールド２４の上には、従来のインダク
ティブヘッドと同様の手法で、少なくとも下側コイル部
分４０ａの領域においてその各セグメント両端が十分に
露出するように、磁気ギャップ層２８を成膜する。次
に、磁気ギャップ層２８の上にノボラック樹脂の第３絶
縁層５０を、前記コイル巻回部分を電気的に絶縁し、か
つ下側コイル部分４０ａの各セグメント両端を十分に露
出させるように、第１コイル４０の幅より狭く形成す
る。

【００３５】次に、第３絶縁層５０の上からホトリソグ
ラフィ技術を用いてＣｕをパターニングすることによ
り、第１コイル４０の上側コイル部分４０ｂを形成す
る。上側コイル部分４０ｂは、記録媒体対向面３５に対
して斜めにかつ互いに平行に一定の間隔で配置された、
多数の同一の長さ・幅及び厚さを有する直線状のセグメ
ントからなり、その両端が、下側コイル部分４０ａの隣
接する前記セグメントの露出する各端部に交互に接続さ
れて、第１コイル４０を形成する。

【００３６】第１コイル４０の上には、ノボラック樹脂
を塗布しかつベークして、前記第１コイルの接続用端子
部４８が露出するように第４絶縁層５１を形成する。次
に、前記第４絶縁層の上に、図３に関連して説明した第
１実施例の導体コイル３２と同様の製造工程により、第
５及び第６絶縁層５２、５３、それぞれ多数のセグメン
トからなる下側及び上側コイル部分４１ａ、４１ｂ、並
びに上側磁性膜３３を積層して、第２コイル４１を形成
する。このとき、下側コイル部分４１ａの最も内側のセ
グメントは、上側コイル部分４１ｂと接続されない方の
端部を延長させて、第１コイル４０の接続用端子部４８
と結合させる。これにより、第１コイル４０と第２コイ
ル４１とを接続させる。

【００３７】第２実施例の複合型薄膜磁気ヘッドによれ
ば、導体コイルを上側及び下側磁性膜に分けて巻回する
ことにより、磁路長Ｌを第１実施例の場合よりも短くす
ることができる。従って、ＮＬＴＳをより一層改善する
ことができる。図５の実施例において、上シールド２４
のシールド部分４５の幅を８０μｍ、コイル巻回部分４
６の幅を１５μｍとし、磁路長をＬ＝１８μｍとしたと
ころ、ＮＬＴＳを約２５％改善することができた。

【００３８】図７は、上記第２実施例に変更を加えた本
発明の第３実施例を示している。本実施例では、基板２
１上に絶縁下地膜２２を通常よりも厚く形成し、かつ第
１コイル４０を形成する領域付近に予めスパッタリング
などにより凹所５４を設けた後、下シールド２３を形成
する。凹所５４は、下シールド２３が記録媒体上の磁化
遷移から発生する磁場以外の好ましくない磁場のＭＲ素
子への影響を防止し得るように、ＭＲ素子２５から十分
に離隔した位置に設ける。

【００３９】下シールド２３の上に、ＭＲ素子２５及び
それを上下に挟む絶縁膜４３、４４を形成した後、凹所
５４内にノボラック樹脂を塗布しかつベークして、第１
絶縁層４７を形成する。次に、第１絶縁層４７の上に、
第２実施例と同様にＣｕをパターニングすることによ
り、記録媒体対向面３５に概ね平行に一定の間隔で配置
された多数の同一の長さ・幅及び厚さを有する直線状の
セグメントからなる第１コイル４０の下側コイル部分４
０ａを形成する。

【００４０】上側コイル部分４０ｂと接続される下側コ
イル部分４０ａの両端部は、通常凹所５４内に配置され
るが、別の実施例では、凹所から基板表面まで延長させ
ることができる。また、下側コイル部分４０ａの最も内
側のセグメントは、前記上側コイル部分のセグメントが
接続されない方の端部に、第２コイル４１との接続用端
子部が設けられる。

【００４１】凹所５４内には、下側コイル部分４０ａの
上からノボラック樹脂を充填し、ベークして第２絶縁層
４９を形成する。第２絶縁層４９の上面が、前記凹所以
外の基板表面と同一平面をなすと好都合である。次に、
前記基板表面に軟磁性材料をめっきして、上シールド２
４を成膜する。

【００４２】本実施例の上シールド２４も、少なくとも
第１コイル４０が配置される凹所５４の領域では、第１
コイル４０より幅を狭く、前記下側コイル部分の各セグ
メントの両端が十分に露出するように、例えば図６の第
２実施例と同様のＴ字形に形成する。しかし本実施例で
は、第２実施例と異なり、上シールドを平坦な表面上に
形成できる点において、製造上有利である。尚、下側コ
イル部分４０ａは、凹所５４内で第２絶縁層４９により
前記上シールドとの間で十分な電気的絶縁性が確保され
るような高さに予め設定されている。

【００４３】第２実施例の場合と同様に、上シールド２
４の上には、少なくとも下側コイル部分４０ａの領域に
おいてその各セグメント両端が十分に露出するように、
磁気ギャップ層２８を成膜し、かつその上に、ノボラッ
ク樹脂の第３絶縁層５０を、前記上シールドを電気的に
絶縁し、かつ下側コイル部分４０ａの各セグメント両端
を十分に露出させるように、第１コイル４０の幅より狭
く形成する。

【００４４】次に、第３絶縁層５０の上から、同様に記
録媒体対向面３５に対して斜めにかつ互いに平行に一定
の間隔で配置された、多数の同一の長さ・幅及び厚さを
有する直線状のセグメントからなる第１コイル４０の上
側コイル部分４０ｂを形成する。前記上側コイル部分４
０ｂの両端は、下側コイル部分４０ａの隣接する前記セ
グメントの露出する各端部に交互に接続される。

【００４５】第１コイル４０の上には、第２実施例と同
様にして、前記第１コイルの接続用端子部を露出させて
ノボラック樹脂の第４絶縁層５１を形成し、更に、第５
及び第６絶縁層５２、５３、それぞれ多数のセグメント
からなる下側及び上側コイル部分４１ａ、４１ｂ、並び
に上側磁性膜３３を積層して、第２コイル４１を形成す
る。尚、第２コイル４１は、その下側コイル部分４１ａ
の最も内側のセグメントの、上側コイル部分４１ｂと接
続されない方の端部を第１コイル４０の接続用端子部と
結合させて、第１コイル４０と接続させる。

【００４６】本実施例によれば、第２コイル４０の下側
コイル部分を絶縁下地膜２２に設けたことにより、第２
実施例のように上シールド２４に段差を設ける必要が無
い。従って、上側磁性膜３３の先端ポール部分からヨー
ク部分へ移行する領域の段差を小さくできるので、製造
上歩留まりが向上し、有利である。

【００４７】以上、添付図面を用いて本発明の好適な実
施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定さ
れるものでなく、その技術的範囲内において様々な変形
・変更を加えて実施することができる。例えば、上側及
び下側コイル部分の各セグメントは、ジグザグにソレノ
イド状のコイルを形成する限り、媒体対向面に対して平
行にではなく斜めに設けることができる。

【００４８】

【発明の効果】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドによれ
ば、書込み用インダクティブヘッドにソレノイド状の導
体コイルを用いるにより、従来に比して、コイルの最外
周により囲まれる面積を大幅に減少させ、そのインダク
タンスを大幅に小さくして、書込み電流の立ち上がり時
間を大幅に縮小できると共に、上部及び下部磁性膜のヨ
ーク長即ち磁路長を大幅に短くし、書込み電流の渦電流
損を大幅に減少させて、磁束の立ち上がり時間を大幅に
縮小することができるので、ＮＬＴＳを大幅に減少させ
ることができ、高速・高密度記録を実現しつつ、読取り
エラーの発生を有効に防止して、高性能化を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜
磁気ヘッドの第１実施例の構成を示す概略斜視図であ
る。

【図２】図１の複合型薄膜磁気ヘッドの縦断面図であ
る。

【図３】Ａ図乃至Ｃ図は、導体コイルを形成する過程を
工程順に示す断面図、Ｄ図は、Ｃ図のIII−III線におけ
る横断面図である。

【図４】図１の第１実施例における導体コイルのコイル
抵抗と磁路長との関係を、従来構造の薄膜磁気ヘッドの
場合と比較して示す線図である。

【図５】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第２実施
例を示す断面図である。

【図６】図５の第２実施例において、導体コイルの第１
層を形成した状態を示す概略斜視図である。

【図７】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの第３実施例を
示す断面図である。

【図８】従来のインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す概略斜視図である。

【図９】図８の複合型薄膜磁気ヘッドの縦断面図であ
る。

【図１０】Ａ図は、導体コイルに印加する書込み電流の
波形を示す線図、Ｂ図は、導体コイルを流れる書込み電
流の波形を示す線図である。

【図１１】磁気記録媒体における磁化遷移のずれ量を最
小磁化反転間隔で割った値（％）をＮＬＴＳとして、Ｎ
ＬＴＳと書込み磁束の立ち上がり時間との関係を示す線
図である。

【符号の説明】

１基板２下シールド３上シールド４ＭＲ素子５ＭＲヘッド６磁気ギャップ膜７、８有機絶縁層９導体コイル１０上部磁性膜１１インダクティブヘッド１２バックギャップ１３磁気記録媒体１４、１５引出線１６磁気変換ギャップ２１基板２２絶縁下地膜２３下シールド２４上シールド２５ＭＲ素子２６ＭＲヘッド２７インダクティブヘッド２８磁気ギャップ層２９、３０、３１有機絶縁層３２導体コイル３２ａ下側コイル部分３２ｂ上側コイル部分３３上部磁性膜３４上部保護層３５記録媒体対向面３６バックギャップ３７、３８引出線３９導体コイル４０第１コイル４０ａ下側コイル部分４０ｂ上側コイル部分４１第２コイル４２引出線４３、４４絶縁膜４５シールド部分４６コイル巻回部分４７第１絶縁層４８接続用端子部４９〜５３第２〜第６絶縁層５４凹所

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１対の上部及び下部磁性膜の間に磁気ギ
ャップ層と導体コイルと絶縁層とを積層した書込み用の
インダクティブヘッドと、前記下部磁性膜を兼用する上
シールドと下シールドとの間に挟まれたＭＲ素子からな
る読出し用の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドとを備えるインダ
クティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記導体コイルが、前記上部又は下部磁性膜の周囲に前
記絶縁層を介して巻回したソレノイド状に形成されてい
ることを特徴とするインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁
気ヘッド。
【請求項２】前記導体コイルが、前記上部及び下部磁
性膜双方の周囲に前記絶縁層を介して巻回されているこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記導体コイルが、多数のセグメントか
らなる下側コイル部分を第１の前記絶縁層の上に形成
し、前記下側コイル部分の上に積層した第２の前記絶縁
層、前記上部又は下部磁性膜、及び第３の前記絶縁層の
上から、その各端部が前記下側コイル部分のセグメント
の各端部と交互に接続されるように、多数のセグメント
からなる上側コイル部分を形成してなることを特徴とす
る請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記上部又は下部磁性膜の少なくとも前
記導体コイルを巻回した部分の幅が、磁路長以下である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の薄膜
磁気ヘッド。