JP2000311732A - 薄膜状金属体のリード線接続構造 - Google Patents
薄膜状金属体のリード線接続構造Info
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- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜状金属体にリード線を接続した際にも接
続部の酸化を防止し、且つ高い接続強度を得る。 【解決手段】 金属基板1を被覆する絶縁膜2の表面に
形成された薄膜状金属体4に対してろう材8を介在させ
てリード線6を接続する接続構造において、薄膜状金属
体4とリード線6との接続部7を、導電性材料を含有す
る接着剤9により被覆して固着する。
続部の酸化を防止し、且つ高い接続強度を得る。 【解決手段】 金属基板1を被覆する絶縁膜2の表面に
形成された薄膜状金属体4に対してろう材8を介在させ
てリード線6を接続する接続構造において、薄膜状金属
体4とリード線6との接続部7を、導電性材料を含有す
る接着剤9により被覆して固着する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜状金属体に対
してリード線を接続する接続構造に関するものである。
してリード線を接続する接続構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、薄膜センサを用いて試験体の温度
測定、歪測定、あるいは試験体の表面に沿って流れる気
流状態の測定等が実施されている。
測定、歪測定、あるいは試験体の表面に沿って流れる気
流状態の測定等が実施されている。
【0003】図2は、薄膜センサの一例を示す断面図で
ある。この薄膜センサは、試験体(金属基板)1の表面
測定部位を被覆するように形成された絶縁膜2と、該絶
縁膜2の表面に形成されたセンサ部3と、該センサ部3
に導通するように前記絶縁膜2の表面に形成された電極
部(薄膜状金属体)4と、これら絶縁膜2、センサ部
3、電極部4を保護するための保護膜5とによって構成
されている。
ある。この薄膜センサは、試験体(金属基板)1の表面
測定部位を被覆するように形成された絶縁膜2と、該絶
縁膜2の表面に形成されたセンサ部3と、該センサ部3
に導通するように前記絶縁膜2の表面に形成された電極
部(薄膜状金属体)4と、これら絶縁膜2、センサ部
3、電極部4を保護するための保護膜5とによって構成
されている。
【0004】上記の絶縁膜2は、アルミナ等のセラミッ
クス材料(絶縁材料)を、スパッタリングやCVD等の
真空蒸着技術によって厚さが1〜5μm程度になるよう
に試験体1の表面に固着することによって形成されてい
る。センサ部3および電極部4は、金属材料を、スパッ
タリングやCVD等の真空蒸着技術によって厚さが1μ
m程度になるように絶縁膜2の表面に固着することによ
って形成されている。
クス材料(絶縁材料)を、スパッタリングやCVD等の
真空蒸着技術によって厚さが1〜5μm程度になるよう
に試験体1の表面に固着することによって形成されてい
る。センサ部3および電極部4は、金属材料を、スパッ
タリングやCVD等の真空蒸着技術によって厚さが1μ
m程度になるように絶縁膜2の表面に固着することによ
って形成されている。
【0005】上記の構成の薄膜センサでは、電極部4に
リード線6を接続してセンサ部3に通電し、試験体1の
周囲の温度変化や試験体1の歪みによって変化する電流
値、電圧値、抵抗値の何れかを計測することによって、
これらの計測値から温度や歪みを測定している。
リード線6を接続してセンサ部3に通電し、試験体1の
周囲の温度変化や試験体1の歪みによって変化する電流
値、電圧値、抵抗値の何れかを計測することによって、
これらの計測値から温度や歪みを測定している。
【0006】ところで、上記リード線を薄膜センサに接
続する方法としては、例えば抵抗溶接法が採用されてい
る。これは、数ミリ角の薄い板状の高融点アモルファス
ろう材を、リード線と薄膜センサとの間に挟み込み、抵
抗溶接法によってリード線を加熱し、その熱で高融点ア
モルファスろう材を溶かして薄膜センサとリード線とを
接続するものである。
続する方法としては、例えば抵抗溶接法が採用されてい
る。これは、数ミリ角の薄い板状の高融点アモルファス
ろう材を、リード線と薄膜センサとの間に挟み込み、抵
抗溶接法によってリード線を加熱し、その熱で高融点ア
モルファスろう材を溶かして薄膜センサとリード線とを
接続するものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の薄膜状金属体のリード線接続構造には、
以下のような問題が存在する。薄膜センサを600℃以
上の高温環境下で使用する場合、抵抗溶接法で溶接した
接続部が高温で酸化して劣化するために、リード線の接
続強度が低下したり、電気抵抗が大きくなるという問題
があった。また、抵抗溶接法では、接続部の面積がリー
ド線の直径で決まるため、例えば直径0.2mm程度の
極めて細いリード線を利用した場合、接合面積が小さい
ためにリード線の接続強度が低下するという問題もあっ
た。
たような従来の薄膜状金属体のリード線接続構造には、
以下のような問題が存在する。薄膜センサを600℃以
上の高温環境下で使用する場合、抵抗溶接法で溶接した
接続部が高温で酸化して劣化するために、リード線の接
続強度が低下したり、電気抵抗が大きくなるという問題
があった。また、抵抗溶接法では、接続部の面積がリー
ド線の直径で決まるため、例えば直径0.2mm程度の
極めて細いリード線を利用した場合、接合面積が小さい
ためにリード線の接続強度が低下するという問題もあっ
た。
【0008】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、薄膜状金属体にリード線を接続した際にも
接続部の酸化を防止し、且つ高い接続強度が得られる接
続構造を提供することを目的とするものである。
れたもので、薄膜状金属体にリード線を接続した際にも
接続部の酸化を防止し、且つ高い接続強度が得られる接
続構造を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、以下の構成を採用している。請求項1記
載の薄膜状金属体のリード線接続構造は、金属基板を被
覆する絶縁膜の表面に形成された薄膜状金属体に対して
ろう材を介在させてリード線を接続する接続構造におい
て、前記薄膜状金属体と前記リード線との接続部が、導
電性材料を含有する接着剤により被覆されて固着される
ことを特徴とするものである。
めに本発明は、以下の構成を採用している。請求項1記
載の薄膜状金属体のリード線接続構造は、金属基板を被
覆する絶縁膜の表面に形成された薄膜状金属体に対して
ろう材を介在させてリード線を接続する接続構造におい
て、前記薄膜状金属体と前記リード線との接続部が、導
電性材料を含有する接着剤により被覆されて固着される
ことを特徴とするものである。
【0010】従って、本発明の薄膜状金属体のリード線
接続構造では、薄膜状金属体とリード線との接続部が接
着剤で被覆されているため、接続部が空気に触れず、従
って接続部の酸化を防止することができる。また、接着
剤により接続部の接合面積が増大することで、接続強度
を高くすることもできる。さらに、接着剤が導電性材料
を含有しているので、低い電気抵抗値を確保できる。
接続構造では、薄膜状金属体とリード線との接続部が接
着剤で被覆されているため、接続部が空気に触れず、従
って接続部の酸化を防止することができる。また、接着
剤により接続部の接合面積が増大することで、接続強度
を高くすることもできる。さらに、接着剤が導電性材料
を含有しているので、低い電気抵抗値を確保できる。
【0011】請求項2記載の薄膜状金属体のリード線接
続構造は、請求項1記載の薄膜状金属体のリード線接続
構造において、前記導電性材料が貴金属であることを特
徴とするものである。
続構造は、請求項1記載の薄膜状金属体のリード線接続
構造において、前記導電性材料が貴金属であることを特
徴とするものである。
【0012】従って、本発明の薄膜状金属体のリード線
接続構造では、導電性材料自体が酸化して劣化すること
を防止できるとともに、低い電気抵抗値を得ることがで
きる。
接続構造では、導電性材料自体が酸化して劣化すること
を防止できるとともに、低い電気抵抗値を得ることがで
きる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の薄膜状金属体のリ
ード線接続構造の実施の形態を、図1を参照して説明す
る。この図において、従来例として示した図2と同一の
構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図
1は、本発明の接続構造を図2に示す薄膜センサの電極
部4とリード線6との接続部7に適用した断面図であ
る。
ード線接続構造の実施の形態を、図1を参照して説明す
る。この図において、従来例として示した図2と同一の
構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図
1は、本発明の接続構造を図2に示す薄膜センサの電極
部4とリード線6との接続部7に適用した断面図であ
る。
【0014】この図に示すように、接続部7は、電極部
4とリード線6とが箔状の高融点アモルファスろう材
(ろう材)8を介在させ、且つ抵抗溶接法により高融点
アモルファスろう材8を溶融後、固化させることで固着
されている。この高融点アモルファスろう材8は、溶融
温度が980〜1200℃程度であり、添加元素として
Fe(鉄)、Si(ケイ素)、B(ホウ素)、P(リ
ン)、Cr(クロム)、Mo(モリブデン)、W(タン
グステン)、Co(コバルト)等を適宜加えたニッケル
基合金である。この合金の組成については、例えば、特
願平6−011814号に記載されているものと同様で
あるのでここでは省略する、
4とリード線6とが箔状の高融点アモルファスろう材
(ろう材)8を介在させ、且つ抵抗溶接法により高融点
アモルファスろう材8を溶融後、固化させることで固着
されている。この高融点アモルファスろう材8は、溶融
温度が980〜1200℃程度であり、添加元素として
Fe(鉄)、Si(ケイ素)、B(ホウ素)、P(リ
ン)、Cr(クロム)、Mo(モリブデン)、W(タン
グステン)、Co(コバルト)等を適宜加えたニッケル
基合金である。この合金の組成については、例えば、特
願平6−011814号に記載されているものと同様で
あるのでここでは省略する、
【0015】そして、上記接続部7は、接着剤9により
被覆(オーバーコート)された状態で固着されている。
この接着剤9は、導電性材料としての金(貴金属)ペー
ストが80〜90重量%、バインダが20〜10重量%
の組成を有するものである。
被覆(オーバーコート)された状態で固着されている。
この接着剤9は、導電性材料としての金(貴金属)ペー
ストが80〜90重量%、バインダが20〜10重量%
の組成を有するものである。
【0016】上記の構成の薄膜センサの電極部4とリー
ド線6とを接続する手順を説明する。まず、抵抗溶接法
により、電極部4とリード線6とを高融点アモルファス
ろう材8を介在させて固着する。次に、筆等により、接
着剤9を接続部7に塗布する。このとき、接続部7の全
体が接着剤9で被覆されるように塗布する。
ド線6とを接続する手順を説明する。まず、抵抗溶接法
により、電極部4とリード線6とを高融点アモルファス
ろう材8を介在させて固着する。次に、筆等により、接
着剤9を接続部7に塗布する。このとき、接続部7の全
体が接着剤9で被覆されるように塗布する。
【0017】続いて、これらを炉に入れて、600〜7
00℃で焼くと、接着剤9の内、バインダは除去されて
金属ペーストは焼結する。これにより、電極部4とリー
ド線6とは、高融点アモルファスろう材8を介在させ接
着剤9で被覆された状態で接着される。
00℃で焼くと、接着剤9の内、バインダは除去されて
金属ペーストは焼結する。これにより、電極部4とリー
ド線6とは、高融点アモルファスろう材8を介在させ接
着剤9で被覆された状態で接着される。
【0018】本実施の形態の薄膜状金属体のリード線接
続構造では、接着剤9により接続部7を被覆しているの
で接続部7が空気と接触せず、薄膜センサを600℃以
上の高温環境下で使用しても接続部7の酸化および劣化
を防止することができる。また、接続部7を接着剤9で
被覆することで、電極部4と高融点アモルファスろう材
8との隙間にも接着剤9が充填され、電極部4とリード
線6との接合面積も増大するため、これらを高い接続強
度で接続することが可能になる。
続構造では、接着剤9により接続部7を被覆しているの
で接続部7が空気と接触せず、薄膜センサを600℃以
上の高温環境下で使用しても接続部7の酸化および劣化
を防止することができる。また、接続部7を接着剤9で
被覆することで、電極部4と高融点アモルファスろう材
8との隙間にも接着剤9が充填され、電極部4とリード
線6との接合面積も増大するため、これらを高い接続強
度で接続することが可能になる。
【0019】さらに、接着剤9が導電性材料を含有して
いるため、高温で高融点アモルファスろう材8が劣化し
て高融点アモルファスろう材8の電気抵抗値が大きくな
っても、接着剤9において通電することになり接続部7
としては低い電気抵抗値を確保することができる。加え
て、高融点アモルファスろう材8は、接着剤9で被覆さ
れていても内部の成分が拡散し、電極部4からも拡散し
た成分と酸化被膜を形成することで劣化することもある
が、この場合でも接着剤9で通電することで低い電気抵
抗値を確保することが可能になる。
いるため、高温で高融点アモルファスろう材8が劣化し
て高融点アモルファスろう材8の電気抵抗値が大きくな
っても、接着剤9において通電することになり接続部7
としては低い電気抵抗値を確保することができる。加え
て、高融点アモルファスろう材8は、接着剤9で被覆さ
れていても内部の成分が拡散し、電極部4からも拡散し
た成分と酸化被膜を形成することで劣化することもある
が、この場合でも接着剤9で通電することで低い電気抵
抗値を確保することが可能になる。
【0020】また、接着剤9は、導電性材料として金を
含有しているので、化学的に安定していることに加え
て、高い接着力および低電気抵抗値を得ることができ
る。
含有しているので、化学的に安定していることに加え
て、高い接着力および低電気抵抗値を得ることができ
る。
【0021】なお、上記実施の形態において、導電性材
料として金を用いる構成としたが、これに限られず、銀
等の他の貴金属や、貴金属以外の他の金属を用いる構成
であってもよい。
料として金を用いる構成としたが、これに限られず、銀
等の他の貴金属や、貴金属以外の他の金属を用いる構成
であってもよい。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る薄
膜状金属体のリード線接続構造は、薄膜状金属体とリー
ド線との接続部が導電性材料を含有する接着剤で被覆さ
れて固着される構成となっている。これにより、この薄
膜状金属体のリード線接続構造では、薄膜センサを60
0℃以上の高温環境下においても高強度でリード線との
接続が可能になり、従来では困難とされていた高温域で
の計測が可能になるという効果が得られる。また、接着
剤が通電可能なので、低い電気抵抗値を確保できるとい
う効果も得られる。
膜状金属体のリード線接続構造は、薄膜状金属体とリー
ド線との接続部が導電性材料を含有する接着剤で被覆さ
れて固着される構成となっている。これにより、この薄
膜状金属体のリード線接続構造では、薄膜センサを60
0℃以上の高温環境下においても高強度でリード線との
接続が可能になり、従来では困難とされていた高温域で
の計測が可能になるという効果が得られる。また、接着
剤が通電可能なので、低い電気抵抗値を確保できるとい
う効果も得られる。
【0023】請求項2に係る薄膜状金属体のリード線接
続構造は、導電性材料が貴金属である構成となってい
る。これにより、この薄膜状金属体のリード線接続構造
では、化学的に安定していることに加えて、高い接着力
および低電気抵抗値が得られるという効果を奏する。
続構造は、導電性材料が貴金属である構成となってい
る。これにより、この薄膜状金属体のリード線接続構造
では、化学的に安定していることに加えて、高い接着力
および低電気抵抗値が得られるという効果を奏する。
【図1】 本発明の実施の形態を示す図であって、薄膜
センサとリード線との接続部が接着剤で被覆されて固着
する断面図である。
センサとリード線との接続部が接着剤で被覆されて固着
する断面図である。
【図2】 従来技術による薄膜センサのリード線接続構
造の一例を示す断面図である。
造の一例を示す断面図である。
1 試験体(金属基板) 2 絶縁膜 4 電極部(薄膜状金属体) 6 リード線 7 接続部 8 高融点アモルファスろう材(ろう材) 9 接着剤
Claims (2)
- 【請求項1】 金属基板を被覆する絶縁膜の表面に形成
された薄膜状金属体に対してろう材を介在させてリード
線を接続する接続構造において、 前記薄膜状金属体と前記リード線との接続部が、導電性
材料を含有する接着剤により被覆されて固着されること
を特徴とする薄膜状金属体のリード線接続構造。 - 【請求項2】 請求項1記載の薄膜状金属体のリード線
接続構造において、 前記導電性材料は、貴金属であることを特徴とする薄膜
状金属体のリード線接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11118779A JP2000311732A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | 薄膜状金属体のリード線接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11118779A JP2000311732A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | 薄膜状金属体のリード線接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311732A true JP2000311732A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14744881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11118779A Pending JP2000311732A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | 薄膜状金属体のリード線接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000311732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164616A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 導電性パッドおよび導電性パッドを有するセンサー並びに導電性パッドの製造方法 |
| CN115255832A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-11-01 | 中物院成都科学技术发展中心 | 非晶态钎料箔带的加工工艺及薄膜传感器 |
-
1999
- 1999-04-26 JP JP11118779A patent/JP2000311732A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164616A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 導電性パッドおよび導電性パッドを有するセンサー並びに導電性パッドの製造方法 |
| CN115255832A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-11-01 | 中物院成都科学技术发展中心 | 非晶态钎料箔带的加工工艺及薄膜传感器 |
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|
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