JP2000314904A - 光論理素子および光論理回路並びに光発振回路 - Google Patents

光論理素子および光論理回路並びに光発振回路

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JP2000314904A
JP2000314904A JP2000052350A JP2000052350A JP2000314904A JP 2000314904 A JP2000314904 A JP 2000314904A JP 2000052350 A JP2000052350 A JP 2000052350A JP 2000052350 A JP2000052350 A JP 2000052350A JP 2000314904 A JP2000314904 A JP 2000314904A
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optical
light
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JP2000052350A
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English (en)
Inventor
Yoshihisa Usami
由久 宇佐美
Masayuki Naya
昌之 納谷
Yoshio Inagaki
由夫 稲垣
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Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構成が簡単で安価に形成できる光論理素子を
得る。 【解決手段】 駆動光Ldがその内部を経て一面1aに
全反射角で入射するように配された誘電体ブロック1
と、この誘電体ブロック1の前記一面1a上に形成され
た金属膜2と、制御光Lcの照射を受けるように前記金
属膜2の上に形成された、光照射によって屈折率が変化
する光機能性膜3とによって光論理素子を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光論理素子、特に詳
細には、表面プラズモン共鳴の発生を利用して論理演算
を行なう光論理素子に関するものである。
【0002】また本発明は、上述のような光論理素子を
用いた光論理回路並びに光発振回路に関するものであ
る。
【0003】
【従来の技術】光はその伝達速度が非常に大であること
から、通信や演算の分野への応用が広く検討されてい
る。この種の分野においては、光論理回路等の光回路を
利用して、様々な応用が検討されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来は、安価な
光スイッチング素子が存在しないことから光回路の構成
には制約が多く、簡単な構成の光回路は実現されていな
かった。より具体的に言えば、光回路の基本要素となる
ANDやOR等の論理素子、さらには、それらを組み合
わせてなる光論理回路や光発振回路を実現するのは非常
に困難となっていた。また、光発振回路を実現し得たと
しても、発振周波数が十分に高いものを得るのは困難と
なっていた。
【0005】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、構成が簡単で安価に形成できる光論理素子や、
さらには、そのような光論理素子を組み合わせてなる安
価かつ高速動作可能な光論理回路および光発振回路を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による光論理素子
は、1つまたは複数の入力光に対して論理演算を行なう
光論理素子において、駆動光がその内部を経て一面に全
反射角で入射するように配された誘電体ブロックと、こ
の誘電体ブロックの前記一面上に形成された金属膜と、
制御光の照射を受けるように前記金属膜の上に形成され
た、光照射によって屈折率が変化する光機能性膜とから
構成されたことを特徴とするものである。
【0007】この本発明による光論理素子において、誘
電体ブロックの前記一面に対する駆動光の入射角は、例
えば、前記光機能性膜に前記制御光が照射されたとき前
記金属膜に表面プラズモン共鳴が比較的強く励起され、
照射されないとき表面プラズモン共鳴が比較的弱く励起
されるかまたは励起されない角度に設定される。このよ
うに構成された光論理素子を、以下、aモードの光論理
素子と称する。
【0008】あるいは、上記とは反対に、誘電体ブロッ
クの前記一面に対する駆動光の入射角は、前記光機能性
膜に前記制御光が照射されないとき前記金属膜に表面プ
ラズモン共鳴が比較的強く励起され、照射されたとき表
面プラズモン共鳴が比較的弱く励起されるかまたは励起
されない角度に設定されてもよい。このように構成され
た光論理素子を、以下、bモードの光論理素子と称す
る。
【0009】本発明は、上記aモードの光論理素子を1
つ用いたNOT回路を提供するものであり、この回路
は、光論理素子の光機能性膜に入射する1つの制御光を
入力光として受け、誘電体ブロックと金属膜との界面で
全反射した駆動光をNOT演算結果である出力光として
発することを特徴とするものである。
【0010】また本発明は、上記aモードの光論理素子
を1つ用いたexNOR回路を提供するものであり、こ
の回路は、光論理素子の光機能性膜に入射する2つの制
御光を入力光として受け、誘電体ブロックと金属膜との
界面で全反射した駆動光をexNOR演算結果である出
力光として発することを特徴とするものである。
【0011】さらに本発明は、上記bモードの光論理素
子を1つ用いたAND回路を提供するものであり、この
回路は、光論理素子の光機能性膜に入射する1つの制御
光および誘電体ブロックの一面に入射する前の1つの駆
動光を2つの入力光として受け、該誘電体ブロックと金
属膜との界面で全反射した駆動光をAND演算結果であ
る出力光として発することを特徴とするものである。
【0012】また本発明は、上記bモードの光論理素子
を1つ用いたOR回路を提供するものであり、この回路
は、光論理素子の光機能性膜に入射する2つの制御光を
入力光として受け、誘電体ブロックと金属膜との界面で
全反射した駆動光をOR演算結果である出力光として発
することを特徴とするものである。
【0013】以上、本発明の光論理素子を1つ用いた光
論理回路について説明したが、この光論理素子を複数用
い、それらを、1つの光論理素子の誘電体ブロックと金
属膜との界面で全反射した駆動光が、他の光論理素子に
対して前記制御光として入射するように組み合わせるこ
とにより、その他の論理演算を行なう種々の光論理回路
やフリップ・フロップ等を形成することができる。
【0014】より具体的に本発明は、aモードの光論理
素子を2つ用いたexOR回路を提供するものであり、
この回路は、aモードの光論理素子1つが、その光機能
性膜に入射する2つの制御光を入力光として受ける前段
の光論理素子として配されるとともに、aモードの別の
光論理素子1つが、上記前段の光論理素子の誘電体ブロ
ックと金属膜との界面で全反射した駆動光を1つの制御
光として受ける後段の光論理素子として配されてなり、
後段の光論理素子の誘電体ブロックと金属膜との界面で
全反射した駆動光をexOR演算結果である出力光とし
て発することを特徴とするものである。
【0015】また本発明は、aモードの光論理素子とb
モードの光論理素子を1つずつ用いたNAND回路を提
供するものであり、この回路は、bモードの光論理素子
1つが、その光機能性膜に入射する1つの制御光および
誘電体ブロックの一面に入射する前の1つの駆動光を2
つの入力光として受ける前段の光論理素子として配され
るとともに、aモードの光論理素子1つが、上記前段の
光論理素子の誘電体ブロックと金属膜との界面で全反射
した駆動光を1つの制御光として受ける後段の光論理素
子として配されてなり、後段の光論理素子の誘電体ブロ
ックと金属膜との界面で全反射した駆動光をNAND演
算結果である出力光として発することを特徴とするもの
である。
【0016】さらに本発明は、aモードの光論理素子と
bモードの光論理素子を1つずつ用いたNOR回路を提
供するものであり、この回路は、bモードの光論理素子
1つが、その光機能性膜に入射する2つの制御光を入力
光として受ける前段の光論理素子として配されるととも
に、aモードの光論理素子1つが、上記前段の光論理素
子の誘電体ブロックと金属膜との界面で全反射した駆動
光を1つの制御光として受ける後段の光論理素子として
配されてなり、後段の光論理素子の誘電体ブロックと金
属膜との界面で全反射した駆動光をNOR演算結果であ
る出力光として発することを特徴とするものである。
【0017】なお、以上説明した本発明の光論理回路に
おいて、1つの光論理素子に入射させる複数の光として
は、互いに波長の異なる光が使用されるのが望ましい。
【0018】さらに本発明は、本発明の光論理素子を1
つあるいは複数用いた光発振回路を提供するものであ
る。具体的に、本発明による1つの光発振回路は、aモ
ードの光論理素子1つと、この光論理素子の誘電体ブロ
ックと金属膜との界面で全反射した駆動光を、該光論理
素子の光機能性膜に入射させる光学系とから構成された
ものである。
【0019】また本発明による別の光発振回路は、bモ
ードの光論理素子1つと、この光論理素子の誘電体ブロ
ックと金属膜との界面で全反射した駆動光を光機能性膜
で受けるように配されたaモードの光論理素子1つと、
このaモードの光論理素子の誘電体ブロックと金属膜と
の界面で全反射した駆動光を、bモードの光論理素子の
光機能性膜に入射させる光学系とから構成されたもので
ある。
【0020】以上説明した本発明の光発振回路において
も、1つの光論理素子に入射させる複数の光としては、
互いに波長の異なる光が使用されるのが望ましい。
【0021】本発明において誘電体ブロックは、被変調
光の波長に対して透明である誘電体で形成される。特に
被変調光の波長に対する屈折率が1.2〜3の範囲にあ
る材質からなるものが好ましい。具体的にはBK7、高
屈折率ガラス、ポリカーボネート等が挙げられる。
【0022】また、本発明で用いる金属膜の厚みは、3
50nm〜2000nmの範囲のいずれかの波長の光で
表面プラズモン共鳴が生じる膜厚であるが、通常10n
m〜70nmの範囲が好適である。また、誘電体ブロッ
クと金属膜の間には両者の良好な密着性を得るためにC
r、Ge等からなるアンカー材料の薄層(好ましくは5
nm以下)を設けることもできる。
【0023】なお、本発明の光論理素子を構成する光機
能性膜としては、下記の一般式(I)で示される化合物
からなるものを好適に用いることができる。
【0024】
【化7】 〔式中、DYEは、一価のシアニン色素陽イオンを
表し、nは1以上の整数を表し、R 及びR は、各
々独立に置換基を表し、R 及びR は、各々独立に
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル
基、アリール基または複素環基を表し、R
、RとR 、RとR 又はR とR
は各々互いに連結して環を形成してもよく、r及び
sは、各々独立に0〜4の整数を表し、そしてrとsが
2以上の場合には、複数のr及びsは各々互いに同じで
あっても異なっていてもよい。〕 本発明においては、一般式(I)のシアニン色素陽イオ
ンが、下記の一般式(I−1)で表される陽イオンであ
ることが好ましい。
【0025】
【化8】 〔式中、Za及びZbは各々独立に5員もしくは6員の
含窒素複素環を形成するために必要な原子群を表し、R
およびR は各々独立に、アルキル基またはアリ
ール基を表し、L 、L 、L 、L 及びL
は各々独立に、置換又は無置換のメチン基を表し(但
し、L 〜L 上に置換基がある場合には互いに連結
して環を形成しても良い)、jは0、1又は2を表し、
kは0又は1を表す。〕 Za及びZbで表される5員もしくは6員の含窒素複素
環(核)としては、例えば、チアゾール核、ベンゾチア
ゾール核、ナフトチアゾール核、チアゾリン核、オキサ
ゾール核、ベンゾオキサゾール核、ナフトオキサゾール
核、オキサゾリン核、セレナゾール核、ベンゾセレナゾ
ール核、ナフトセレナゾール核、セレナゾリン核、テル
ラゾール核、ベンゾテルラゾール核、ナフトテルラゾー
ル核、テルラゾリン核、イミダゾール核、ベンゾイミダ
ゾール核、ナフトイミダゾール核、ピリジン核、キノリ
ン核、イソキノリン核、イミダゾ〔4,5−b〕キノキ
サリン核、オキサジアゾール核、チアジアゾール核、テ
トラゾール核、及びピリミジン核などを挙げることがで
きる。
【0026】これらの中では、ベンゾチアゾール核、イ
ミダゾール核、ナフトイミダゾール核、キノリン核、イ
ソキノリン核、イミダゾ〔4,5−b〕キノキサリン
核、チアジアゾール核、テトラゾール核、及びピリミジ
ン核が好ましい。
【0027】これらの環には、更にベンゼン環、ナフト
キノン環が縮合していても良い。
【0028】上記の5員又は6員の含窒素複素環は置換
基を有していても良い。好ましい置換基(原子)の例と
しては、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、
アリール基を挙げることができる。ハロゲン原子として
は、塩素原子が好ましい。アルキル基は、炭素原子数1
〜6の直鎖状のアルキル基が好ましい。またアルキル基
の置換基の例としては、アルコキシ基(例、メトキ
シ)、アルキルチオ基(例、メチルチオ)を挙げること
ができる。アリール基としては、フェニルが好ましい。
【0029】上記R およびRで表されるアルキ
ル基は置換基を有していてもよく、好ましくは炭素原子
数1〜18(更に好ましくは1〜8、特に1〜6)の直
鎖状、環状、もしくは分岐状のアルキル基である。
【0030】R およびR で表されるアリール基
は置換基を有していても良く、好ましくは炭素原子数6
〜18の置換基を有していても良いアリール基である。
【0031】R およびR で表されるアルキル基
またはアリール基の有する好ましい置換基の例として
は、以下のものを挙げることができる。
【0032】炭素原子数6〜18の置換又は無置換のア
リール基(例えば、フェニル、クロロフェニル、アニシ
ル、トルイル、2,4−ジ−t−アミル、1−ナフチ
ル)、アルケニル基(例えば、ビニル、2−メチルビニ
ル)、アルキニル基(例えば、エチニル、2−メチルエ
チニル、2−フェニルエチニル)、ハロゲン原子(例え
ば、F、Cl、Br、I)、シアノ基、ヒドロキシル
基、カルボキシル基、アシル基(例えば、アセチル、ベ
ンゾイル、サリチロイル、ピバロイル)、アルコキシ基
(例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキ
シ)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ、1−ナ
フトキシ)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ、ブ
チルチオ、ベンジルチオ、3−メトキシプロピルチ
オ)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ、4−ク
ロロフェニルチオ)、アルキルスルホニル基(例えば、
メタンスルホニル、ブタンスルホニル)、アリールスル
ホニル基(例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエン
スルホニル)、炭素原子数1〜10のカルバモイル基、
炭素原子数1〜10のアミド基、炭素原子数2〜10の
アシルオキシ基、炭素原子数2〜10のアルコキシカル
ボニル基、ヘテロ環基(例えば、ピリジル、チエニル、
フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの
複素芳香族環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリ
ン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオ
ラン環などの脂肪族ヘテロ環)。
【0033】本発明において、上記R およびR
は、それぞれ無置換の炭素原子数1〜8(好ましくは、
炭素原子数1〜6、特に炭素原子数1〜4)の直鎖状の
アルキル基、あるいはアルコキシ基(特に、メトキシ)
又はアルキルチオ基(特に、メチルチオ)で置換された
炭素原子数1〜8(好ましくは、炭素原子数1〜6、特
に炭素原子数1〜4)の直鎖状のアルキル基であること
が好ましい。
【0034】L 〜L で表されるメチン基は、置換
基を有していても良い。好ましい置換基の例としては、
炭素原子数1〜18のアルキル基、アラルキル基、およ
び前記R およびR で表されるアルキル基またはア
リール基の有する好ましい置換基の例として挙げたもの
を挙げることができる。これらの中では、アルキル基
(例、メチル)、アリール基(例、フェニル)、ハロゲ
ン原子(例、Cl、Br)、アラルキル基(例、ベンジ
ル)が好ましい。
【0035】本発明においては、j、kは各々独立に0
又は1であることが好ましい。
【0036】上記L 〜L 上の置換基は互いに連結
して環を形成しても良い。好ましい環員数は5員環また
は6員環であり、これらの環が2個以上縮合していても
良い。連結位置は、形成されるメチン鎖の数によって異
なる。例えば、L 〜Lで形成されるメチン鎖がペ
ンタメチン鎖の場合には、その好ましい連結位置は、L
とL 、L とL 、及びL とLであ
る。また二重縮合環を形成する場合の連結位置は、L
とL とL である。またこの場合、L とR
、L とR 、更にLとR は互いに連結し
て環を形成していても良く、その環員数は好ましくは5
員環または6員環である。
【0037】本発明においては、L 〜L上の置
換基で形成される環は、シクロヘキセン環であることが
好ましい。
【0038】一般式(I−1)で表わされるシアニン色
素陽イオンの中でも、下記の一般式(I−2)で表わさ
れる陽イオンが更に好ましい。
【0039】
【化9】 〔式中、Z及びZ は各々独立に、インドレニン核
もしくはベンゾインドレニン核を形成するために必要な
原子群を表し、RおよびR は各々独立に、アルキ
ル基又はアリール基を表し、R 、R、R 及び
は各々独立に、アルキル基を表し、L、L
、L 及びL は各々独立に、置換又は無置換
のメチン基を表し(但し、L 〜L 上に置換基があ
る場合には互いに連結して環を形成しても良い)、jは
0、1又は2を表し、kは0又は1を表す。〕 上記Z 及びZ で表されるインドレニン核もしくは
ベンゾインドレニン核は、置換基を有していても良い。
置換基(原子)としては、ハロゲン原子、又はアリール
基を挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子が好ましい。またアリール基としては、フェニルが
好ましい。
【0040】上記R 、R 、R およびR で表
されるアルキル基は、好ましくは炭素原子数1〜18の
直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基である。ま
たR とR 、及びR とR はそれぞれ連結して
環を形成しても良い。
【0041】R 、R 、R およびR で表され
るアルキル基は、置換基を有していても良い。置換基と
して好ましいものは、前記R およびR で表される
アルキル基またはアリール基の有する好ましい置換基の
例として挙げたものを挙げることができる。
【0042】本発明においては、R 、R 、R
及びR で表されるアルキル基は、それぞれ炭素原子
数1〜6の直鎖状の無置換のアルキル基(特に、メチ
ル、エチル)であることが好ましい。
【0043】一般式(I−2)において、R及びR
、L 、L 、L 、L 及びL 、j及び
k、そしてXn−及びnは、それぞれ一般式(I−1)
において説明したそれらと同じ意味を表す。またそれら
の好ましい例示も前記一般式(I−1)において説明し
たものと同じである。
【0044】〔DYE 〕-(SO n+1
(SO ) 基は、一般式(I−1)および一般式(I
−2)のR 、R の末端に結合することが好まし
い。
【0045】以下に本発明の一般式(I)における〔D
YE 〕-(SO n+1 部分の具体例を列記す
る。
【0046】
【化10】
【化11】
【化12】
【化13】
【化14】
【化15】
【化16】
【化17】 一般式(I)における下記の部分構造(一般式(I−3)
という)について詳述する。
【0047】
【化18】 式中、R及びR は、各々独立に置換基を表し、
及びR は、各々独立にアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基または複
素環基を表し、R とR 、R とR 、R
又はRとR は各々互いに連結して環を形成し
てもよく、r及びsは、各々独立に0〜4の整数を表
し、そしてrとsが2以上の場合には、複数のr及びs
は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。
【0048】上記R およびR で表されるアルキル
基は、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル
基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜8の置換もし
くは無置換のアルキル基である。これらは、直鎖状、分
岐鎖状、あるいは環状であってもよい。これらの例とし
ては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、
n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、
ネオペンチル、シクロヘキシル、アダマンチル及びシク
ロプロピル等が挙げられる。
【0049】アルキル基の置換基の例としては、以下の
ものを挙げることができる。
【0050】炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜
8)の置換もしくは無置換のアルケニル基(例、ビニ
ル);炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置
換もしくは無置換のアルキニル基(例、エチニル);炭
素数6〜10の置換もしくは無置換のアリール基(例、
フェニル、ナフチル);ハロゲン原子(例、F、Cl、
Br等);炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)
の置換もしくは無置換のアルコキシ基(例、メトキシ、
エトキシ);炭素数6〜10の置換もしくは無置換のア
リールオキシ基(例、フェノキシ、p−メトキシフェノ
キシ);炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の
置換もしくは無置換のアルキルチオ基(例、メチルチ
オ、エチルチオ);炭素数6〜10の置換もしくは無置
換のアリールチオ基(例、フェニルチオ); 炭素数2
〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置
換のアシル基(例、アセチル、プロピオニル);炭素数
1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無
置換のアルキルスルホニル基またはアリールスルホニル
基(例、メタンスルホニル、p−トルエンスルホニ
ル);炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置
換もしくは無置換のアシルオキシ基(例、アセトキシ、
プロピオニルオキシ);炭素数2〜18(好ましくは炭
素数2〜8)の置換もしくは無置換のアルコキシカルボ
ニル基(例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル);炭素数7〜11の置換もしくは無置換のアリール
オキシカルボニル基(例、ナフトキシカルボニル);無
置換のアミノ基、もしくは炭素数1〜18(好ましくは
炭素数1〜8)の置換アミノ基(例、メチルアミノ、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、アニリノ、メトキシフ
ェニルアミノ、クロロフェニルアミノ、ピリジルアミ
ノ、メトキシカルボニルアミノ、n−ブトキシカルボニ
ルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、メチルカルバ
モイルアミノ、エチルチオカルバモイルアミノ、フェニ
ルカルバモイルアミノ、アセチルアミノ、エチルカルボ
ニルアミノ、エチルチオカルバモイルアミノ、シクロヘ
キシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、クロロア
セチルアミノ、メチルスルホニルアミノ);炭素数1〜
18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換
のカルバモイル基(例、無置換のカルバモイル、メチル
カルバモイル、エチルカルバモイル、n−ブチルカルバ
モイル、t−ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイ
ル、モルホリノカルバモイル、ピロリジノカルバモイ
ル);無置換のスルファモイル基、もしくは炭素数1〜
18(好ましくは炭素数1〜8)の置換スルファモイル
基(例、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイ
ル);シアノ基;ニトロ基;カルボキシ基;水酸基;ヘ
テロ環基(例、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール
環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール
環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン
環、ピペリジン環、ピロリジン環、モルホリン環、スル
ホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピ
ロール環、クロマン環、クマリン環)。上記R およ
びR で表されるアルケニル基は、炭素数2〜18の
置換もしくは無置換のアルケニル基が好ましく、より好
ましくは炭素数2〜8の置換もしくは無置換のアルケニ
ル基であり、例えば、ビニル、アリル、1−プロペニ
ル、1,3−ブタジエニル等が挙げられる。
【0051】アルケニル基の置換基としては、前記アル
キル基の置換基として挙げたものが好ましい。
【0052】上記R およびR で表されるアルキニ
ル基は、炭素数2〜18の置換もしくは無置換のアルキ
ニル基が好ましく、より好ましくは炭素数2〜8の置換
もしくは無置換のアルキニル基であり、例えば、エチニ
ル、2−プロピニル等が挙げられる。
【0053】アルキニル基の置換基は、前記アルキル基
の置換基として挙げたものが好ましい。
【0054】上記R及びR で表されるアラルキル
基は、炭素数7〜18の置換もしくは無置換のアラルキ
ル基が好ましく、例えば、ベンジル、メチルベンジル等
が好ましい。
【0055】上記R 及びR で表されるアリール基
は、炭素数6〜18の置換もしくは無置換のアリール基
が好ましく、例えば、フェニル、ナフチル等が挙げられ
る。
【0056】アリール基の置換基は前記アルキル基の置
換基として挙げたものが好ましい。またこれらの他に、
アルキル基(例えば、メチル、エチル等)も好ましい。
【0057】上記R 及びR で表される複素環基
は、炭素原子、窒素原子、酸素原子、あるいは硫黄原子
から構成される5〜6員環の飽和又は不飽和の複素環で
あり、これらの例としては、オキサゾール環、ベンゾオ
キサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イ
ミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン
環、ピリジン環、ピペリジン環、ピロリジン環、モルホ
リン環、スルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラ
ゾール環、ピロール環、クロマン環、及びクマリン環が
挙げられる。複素環基は置換されていてもよく、その場
合の置換基としては、前記アルキル基の置換基として挙
げたものが好ましい。
【0058】R 及びR で表される置換基は、前記
アルキル基の置換基として挙げたものと同義である。ま
たこれらの他に、アルキル基(例えばメチル、エチル
等)も挙げることができる。
【0059】本発明においては、R 及びR で表さ
れる置換基は、水素原子またはアルキル基であることが
好ましい。特に好ましくは、水素原子である。
【0060】一般式(I−3)で表される部分構造は、
下記一般式(I−4)又は(I−5)で表されることが
特に好ましい。
【0061】
【化19】 式中、R17及びR18は、それぞれ前述したR
びR で表される置換基と同義であり、またそれぞれ
について、その好ましい範囲も同一である。R 及び
20は、それぞれ前述したR 及びRで表され
る置換基と同義であり、またそれぞれについて、その好
ましい範囲も同一である。r及びsは、各々独立に0〜
4の整数を表し、そしてrとsが2以上の場合には、複
数のr及びsは各々互いに同じであっても異なっていて
もよい。
【0062】
【化20】 式中、R21及びR22は、それぞれ前述したR
びR で表される置換基と同義であり、またそれぞれ
について、その好ましい範囲も同一である。R とR
22は、それぞれ互いに連結して炭素環または複素環を
形成している場合も好ましく、特に好ましくは、R21
とR22がそれぞれ結合しているピリジン環との縮合芳
香環である。r及びsは、各々独立に0〜4の整数を表
し、そしてrとsが2以上の場合には、複数のr及びs
は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。
【0063】本発明で用いられる一般式(I)で表され
る色素化合物中の一般式(I−3)で表される部分
(「B」で表示)の例を以下に具体的に記載する。
【0064】
【化21】
【化22】
【化23】
【化24】
【化25】
【化26】
【化27】
【化28】
【化29】
【化30】 本発明で用いられる好ましい具体的な化合物例を下記の
表1および2に示す。表1および2において、化合物例
は、〔DYE 〕-(SO ) n+1 で表されるア
ニオン部と一般式(I−3)で表されるカチオン部との
組み合わせてなるものである。例えば、以下に、化合物
No.1の例を挙げて説明する。化合物No.1〔アニオン部
(A−1)/カチオン部(B−5)〕で示される化合物
例は、それぞれ下記の式で示される。
【0065】
【化31】 なお、化合物No. 2以降の化合物についても同様な意味
である。
【0066】
【表1】
【表2】 本発明で用いる上記一般式(I)で表される化合物は、
単独で用いても良いし、あるいはまた二種以上を併用し
ても良い。
【0067】なお、本発明で用いる一般式(I)で表さ
れる化合物は、既に公知の下記の文献の記載を参考にし
て容易に合成することができる。
【0068】これらの文献としては、たとえば、エフ・
エム・ハーマー著「ザ・シアニン・ダイズ・アンド・リ
レイテッド・コンパウンズ5(インターサイエンス・パ
ブリシャーズ、N.Y.1964年)55頁以降;ニコ
ライ・チュチュルコフ、ユルゲン・ファビアン、アキム
・メールホルン、フィリッツ・ディエツ・アリア・タジ
エール(Nikolai Tyutyulkov, Jurgen Fabian, Achim U
lehlhorn, Fritz Dietz, Alia Tadjer) 共著「ポリメチ
ン・ダイズ」、セントクリメント・オーリズキ・ユニバ
シティ・プレス、ソフィア(St. Kliment Ohridski Uni
versity Press,Sophia)、23頁ないし38頁;デー・
エム・スターマー(D.M.Sturmer)著、「ヘテロサイクリ
ック、コンパウンズ−スペシャル・トピックス・イン・
ヘテロサイクリック・ケミストリー(Heterocyclic Com
pounds-Special topics in heterocyclic chemistr
y)」、第18章、第14節、第482〜515頁、ジョ
ン・ウィリー・アンド・サンズ(John Wiley & Sons)
社、ニューヨーク、ロンドン、(1977年刊);「ロ
ッズ・ケミストリー・オブ・カーボン・コンパウンズ
(Rodd's Chemistry of Carbon Compounds) 」、(2nd.
Ed. vol.IV, part B, 1977年刊)、第15章、第3
69〜422頁、(2nd. Ed. vol.IV, part B, 1985
年刊)、第15章、第267〜296頁、エルスバイヤ
ー・サイエンス・パブリック・カンパニー・インク(El
svier Science Public Company Inc.)、ニューヨークな
どが挙げられる。
【0069】更に具体的には、〔DYE 〕-(SO
n+1 (M ) 、(ただし、Mはナトリウ
ムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、ピリ
ジニウムイオン、トリエチルアンモニウムイオン、N−
エチルピリジニウムイオンなどの陽イオンを表わす)で
表される塩と、一般式(I−3)で表される陽イオンが
Cl 、Br 、I 、パラトルエンスルホネート
などの陰イオンと組合されて形成される塩とを、適当な
溶媒中、例えばメタノール、水、もしくはこれらの混合
物などの中で混合した後、結晶として析出させることに
より得ることができる。
【0070】その一例として、化合物41は、A−28
のN−エチルピリジニウム塩のメタノール溶液とB−5
4の臭化物のメタノール溶液とを混合することにより析
出する結晶を濾取し、メタノールで洗い、乾燥すること
によって、融点213−217度の褪色粉末として得ら
れる。
【0071】また本発明においては、下記の一般式(II
−1)、(II−2)で示される色素化合物をそれぞれ単
独で、あるいは組み合わせて形成された光機能性膜も好
適に用いることができる。
【0072】
【化32】 式中、A,A,B及びBは置換基を表し、
,L,L,L及びLはメチン基を表し、X
は=O,=NR,=C(CN)を表し(ここでRは
置換基を表す)、Xは−O,−NR,−C(CN)
を表し(ここでRは置換基を表す)、m,nは0〜2の
整数を表す。YとEは炭素環または複素環を形成する
のに必要な原子または原子群を表し、ZとGは炭素環
または複素環を形成するのに必要な原子または原子群を
表す。x及びyはそれぞれ独立に0または1を表す。M
k+はオニウムイオンを表す。kは電荷数を表す。
【0073】以下に、本発明に用いられる上記色素化合
物について説明する。
【0074】本発明に用いられる色素化合物は、アニオ
ン部(色素成分)とカチオン部(オニウム成分)からな
る。
【0075】まず、アニオン部について詳述する。
【0076】上記式において、A 、A 、B
びB で表される置換基としては、例えば以下のもの
を挙げることができる。
【0077】炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜
8)の置換もしくは無置換の直鎖状、分岐鎖状または環
状のアルキル基(例、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、
t−ブチル、シクロヘキシル、メトキシエチル、エトキ
シカルボニルエチル、シアノエチル、ジエチルアミノエ
チル、ヒドロキシエチル、クロロエチル、アセトキシエ
チル、トリフルオロメチル等);炭素数7〜18(好ま
しくは炭素数7〜12)の置換もしくは無置換のアラル
キル基(例、ベンジル、カルボキシベンジル等);炭素
数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のアルケニル基
(例、ビニル等);炭素数2〜18(好ましくは炭素数
2〜8)のアルキニル基(例、エチニル等);炭素数6
〜18(好ましくは炭素数6〜10)の置換もしくは無
置換のアリール基(例、フェニル、4−メチルフェニ
ル、4−メトキシフェニル、4−カルボキシフェニル、
3、5−ジカルボキシフェニル等);炭素数2〜18
(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のア
シル基(例、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ク
ロロアセチル等);炭素数1〜18(好ましくは炭素数
1〜8)の置換もしくは無置換のアルキルまたはアリー
ルスルホニル基(例、メタンスルホニル、p−トルエン
スルホニル等);炭素数1〜18(好ましくは炭素数1
〜8)のアルキルスルフィニル基(例、メタンスルフィ
ニル、エタンスルフィニル、オクタンスルフィニル
等);炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のア
ルコキシカルボニル基(例、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル等);炭素数7〜18(好ましくは炭素
数7〜12)のアリールオキシカルボニル基(例、フェ
ノキシカルボニル、4−メチルフェノキシカルボニル、
4−メトキシフェニルカルボニル等);炭素数1〜18
(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のア
ルコキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、n−ブトキ
シ、メトキシエトキシ等);炭素数6〜18(好ましく
は炭素数6〜10)の置換もしくは無置換のアリールオ
キシ基(例、フェノキシ、4−メトキシフェノキシ
等);炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のア
ルキルチオ基(例、メチルチオ、エチルチオ等);炭素
数6〜10のアリールチオ(例、フェニルチオ等);炭
素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしく
は無置換のアシルオキシ基(例、アセトキシ、エチルカ
ルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルキシ、ベン
ゾイルオキシ、クロロアセチルオキシ等);炭素数1〜
18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換
のスルホニルオキシ基(例、メタンスルホニルオキシ
等);炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置
換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基(例、メチル
カルバモイルオキシ、ジエチルカルバモイルオキシ
等);炭素数0〜18(好ましくは炭素数0〜8)の置
換もしくは無置換のアミノ基(例、無置換のアミノ、メ
チルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、アニリ
ノ、メトキシフェニルアミノ、クロロフェニルアミノ、
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピリジルアミ
ノ、メトキシカルボニルアミノ、n−ブトキシカルボニ
ルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、メチルカルバ
モイルアミノ、フェニルカルバモイルアミノ、エチルチ
オカルバモイルアミノ、メチルスルファモイルアミノ、
フェニルスルファモイルアミノ、アセチルアミノ、エチ
ルカルボニルアミノ、エチルチオカルボニルアミノ、シ
クロヘキシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、ク
ロロアセチルアミノ、メタンスルホニルアミノ、ベンゼ
ンスルホニルアミノ等);炭素数1〜18(好ましくは
炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のカルバモイル基
(例、無置換のカルバモイル、メチルカルバモイル、エ
チルカルバモイル、n−ブチルカルバモイル、t−ブチ
ルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、モルホリノカ
ルバモイル、ピロリジノカルバモイル等);炭素数0〜
18(好ましくは炭素数0〜8)の置換もしくは無置換
のスルファモイル基(例、無置換のスルファモイル、メ
チルスルファモイル、フェニルスルファモイル等);ハ
ロゲン原子(例、フッ素、塩素、臭素等);水酸基;ニ
トロ基;シアノ基;カルボキシル基;ヘテロ環基(例、
オキサゾール、ベンゾオキサゾール、チアゾール、ベン
ゾチアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、イ
ンドレニン、ピリジン、スルホラン、フラン、チオフェ
ン、ピラゾール、ピロール、クロマン、クマリンな
ど)。
【0078】A 及びA で表される置換基は、ハメ
ットの置換基定数(σp )値が0.2以上のものである
ことが好ましい。ハメットの置換基定数は例えば、Ch
em.Rev.91,165(1991)に記載されて
いる。特に好ましい置換基は、シアノ基、ニトロ基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基、カルバモイル基、ス
ルファモイル基、アルキルスルホニル基及びアリールス
ルホニル基である。
【0079】B 及びBで表される置換基は、ア
ルキル基、アリール基、アルコキシ基、又はアミノ基で
あることが好ましい。
【0080】Y に結合する〔−C(=L )−
(E)x −C(=X )−〕(以下、便宜的に、W1
と称する。)と、Z に結合する〔−C(−L )=
(G)y=C(−X ) −〕(以下、便宜的に、W
2と称する)とはそれぞれ共役状態にあるため、Y
とW1とで形成される炭素環もしくは複素環、及びZ
とW2とで形成される炭素環もしくは複素環はそれぞ
れ共鳴構造の1つとして考えられる。
【0081】上記YとW1、及びZ とW2とで
形成される炭素環もしくは複素環は、4〜7員環が好ま
しく、特に好ましくは、5員環または6員環である。こ
れらの環は更に他の4〜7員環と縮合環を形成していて
も良い。またこれらは置換基を有していてもよい。置換
基としては、例えば、A、A 、B 及びBで表
される置換基として示したものが挙げられる。複素環を
形成するヘテロ原子として好ましいものは、B、N、
O、S、Se、及びTeである。特に好ましくは、N、
O及びSである。
【0082】x及びyは、それぞれ独立に0または1で
あり、好ましくは共に0である。
【0083】X は、=O、=NR又は=C(CN)
を表す。またX は、−O、−NR又は−C(C
N) を表す。Rは置換基を表す。Rで表される置換
基は、前述したA 、A 、B 及びB で表され
る置換基として示したものが挙げられる。Rは、アリー
ル基であることが好ましい。特に好ましくはフェニルで
ある。
【0084】本発明においては、X は、=Oであ
り、またX は、−Oである場合が好ましい。
【0085】Y とW1、およびZとW2で形成さ
れる炭素環としては例えば、以下のものが挙げられる。
なお、例示中、Ra 及びRb は各々独立に、水素原子ま
たは置換基を表す。
【0086】
【化33】 好ましい炭素環は、A−1、及びA−4で示される炭素
環である。
【0087】Y とW1、およびZ とW2で形成さ
れる複素環としては例えば、以下のものが挙げられる。
なお、例示中、Ra 、Rb 及びRc は各々独立に、水素
原子または置換基を表す。
【0088】
【化34】
【化35】
【化36】
【化37】
【化38】 好ましい複素環は、A−5、A−6、及びA−7で示さ
れる複素環である。
【0089】Ra 、Rb 及びRc で表される置換基は、
前記A 、A 、B及びBで表される置換基とし
て挙げたものと同義である。
【0090】またRa 、Rb 及びRc はそれぞれ互いに
連結して炭素環又は複素環を形成してもよい。
【0091】L 、L 、L 、L 及びL
表されるメチン基は各々独立に、置換基を有していても
よいメチン基である。その置換基としては、例えば、前
述したA 、A2 、B及びB2 で表される置換基
とした挙げたものが挙げられる。好ましい置換基は、ア
ルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、
ハロゲン原子、アミノ基、カルバモイル基及びヘテロ環
基である。又置換基同志が連結して5〜7員環(例、シ
クロペンテン環、1−ジメチルアミノシクロペンテン
環、1−ジフェニルアミノシクロペンテン環、シクロヘ
キセン環、1−クロロシクロヘキセン環、イソホロン
環、1−モルホリノシクロペンテン環、シクロヘプテン
環)を形成してもよい。
【0092】本発明においては、m及びnが共に1であ
るか、あるいはmが0でnが2、又はmが2でnが0で
ある場合が好ましい。
【0093】次に、カチオン部について詳述する。
【0094】Mk+で表されるオニウムイオンは、下記
一般式(II−3)または一般式(II−4)で示されるも
のが最も好ましい。
【0095】
【化39】
【化40】 式中、R 、R 、R及びRは各々独立に、
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリー
ル基を表す。R 、R 、R 及びR は、各々独
立に置換基(置換原子を含む)を表す。R とR
とR 、R とR 、そしてR とR は、
それぞれが互いに連結して環を形成してもよく、あるい
はまたRとR 、R とR 、R とR
そしてR とRは、それぞれが互いに連結して環
を形成してもよい。q1及びq2、そしてr1及びr2
はそれぞれ0から4の整数を表し、q1、q2、r1及
びr2が各々2以上の場合には、それらの複数のR
、R 、R及びRはそれぞれ互いに同じであ
っても異なってもよい。
【0096】R 、R 、R およびRで表さ
れるアルキル基は、炭素数1〜18の置換もしくは無置
換のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜
8の置換もしくは無置換のアルキル基であり、例えば、
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、イソブチル、n−ヘキシル等が挙げられる。
【0097】アルキル基の置換基の例としては、以下の
ものを挙げることができる。
【0098】ハロゲン原子(例、F、Cl、Br等);
炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もし
くは無置換のアルコキシ基(例、メトキシ、エトキ
シ);炭素数6〜10の置換もしくは無置換のアリール
オキシ(例、フェノキシ、p−メトキシフェノキシ);
炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もし
くは無置換のアルキルチオ基(例、メチルチオ、エチル
チオ);炭素数6〜10の置換もしくは無置換のアリー
ルチオ(例、フェニルチオ);炭素数2〜18(好まし
くは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のアシル基
(例、アセチル、プロピオニル);炭素数1〜18(好
ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のアルキ
ルスルホニル基またはアリールスルホニル基(例、メタ
ンスルホニル、p−トルエンスルホニル);炭素数2〜
18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換
のアシルオキシ基(例、アセトキシ、プロピオニルオキ
シ);炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置
換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(例、メト
キシカルボニル、エトキシカルボニル);炭素数2〜1
8(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換の
アルケニル基(例、ビニル);炭素数2〜18(好まし
くは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のアルキニル
基(例、エチニル);炭素数6〜10の置換もしくは無
置換のアリール基(例、フェニル、ナフチル);炭素数
7〜11の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボ
ニル基(例、ナフトキシカルボニル);炭素数0〜18
(好ましくは炭素数0〜8)の置換もしくは無置換のア
ミノ基(例、無置換のアミノ、メチルアミノ、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ、アニリノ、メトキシフェニル
アミノ、クロロフェニルアミノ、モリホリノ、ピペリジ
ノ、ピロリジノ、ピリジルアミノ、メトキシカルボニル
アミノ、n−ブトキシカルボニルアミノ、フェノキシカ
ルボニルアミノ、メチルカルバモイルアミノ、エチルチ
オカルバモイルアミノ、フェニルカルバモイルアミノ、
アセチルアミノ、エチルカルボニルアミノ、エチルチオ
カルバモイルアミノ、シクロヘキシルカルボニルアミ
ノ、ベンゾイルアミノ、クロロアセチルアミノ、メチル
スルホニルアミノ);炭素数1〜18(好ましくは炭素
数1〜8)の置換もしくは無置換のカルバモイル基
(例、無置換のカルバモイル、メチルカルバモイル、エ
チルカルバモイル、n−ブチルカルバモイル、t−ブチ
ルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、モルホリノカ
ルバモイル、ピロリジノカルバモイル);炭素数0〜1
8(好ましくは炭素数0〜8)の置換もしくは無置換の
スルファモイル基(例、無置換のスルファモイル、メチ
ルスルファモイル、フェニルスルファモイル);シアノ
基;ニトロ基;カルボキシ基;水酸基;ヘテロ環基
(例、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、チアゾー
ル、ベンゾチアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾ
ール、インドレニン、ピリジン、スルホラン、フラン、
チオフェン、ピラゾール、ピロール、クロマン、クマリ
ン)。
【0099】R、R 、R およびR で表さ
れるアルケニル基は、炭素数2〜18の置換もしくは無
置換のアルケニル基が好ましく、より好ましくは炭素数
2〜8の置換もしくは無置換のアルケニル基であり、例
えば、ビニル、アリル、1−プロペニル、1,3−ブタ
ジエニル等が挙げられる。
【0100】アルケニル基の置換基としては、前記アル
キル基の置換基として挙げたものが好ましい。
【0101】R、R 、R およびRで表され
るアルキニル基は、炭素数2〜18の置換もしくは無置
換のアルケニル基が好ましく、より好ましくは炭素数2
〜8の置換もしくは無置換のアルケニル基であり、例え
ば、エチニル、2−プロピニル等が挙げられる。
【0102】アルキニル基の置換基は、前記アルキル基
の置換基として挙げたものが好ましい。
【0103】R、R 、R およびR で表さ
れるアリール基は、炭素数6〜18の置換もしくは無置
換のアリール基が好ましく、例えば、フェニル、ナフチ
ル等が挙げられる。
【0104】アリール基の置換基は前記アルキル基の置
換基として挙げたものが好ましい。またこれらの他に、
アルキル基(例えば、メチル、エチル等)も好ましい。
【0105】R 、R 、R 及びRで表され
る置換基は、前記A 、A、B 及びB で表
される置換基として挙げたものと同義である。
【0106】本発明においては、R 、R 、R
及びRで表される置換基は、水素原子またはアルキル
基であることが好ましい。特に好ましくは、水素原子で
ある。
【0107】本発明においては、R とR が互いに
連結して環を形成している場合が好ましい。形成される
環は5〜7員環が好ましく、より好ましくは6員環であ
る。
【0108】またR とR 、及びR とR はそ
れぞれ互いに連結して炭素環または複素環を形成してい
る場合も好ましい。更に好ましくは炭素環であり、特に
好ましくは、R 、R 、R 及びRがそれぞれ
結合しているピリジン環との縮合芳香環である。
【0109】本発明で用いられる一般式(II−1)又は
(II−2)で表される色素化合物のアニオン部とカチオ
ン部について以下に具体的に記載する。
【0110】
【化41】
【化42】
【化43】
【化44】
【化45】
【化46】
【化47】
【化48】
【化49】
【化50】
【化51】
【化52】
【化53】
【化54】
【化55】
【化56】
【化57】
【化58】
【化59】
【化60】
【化61】
【化62】
【化63】
【化64】 本発明で用いられる好ましい具体的な化合物例を下記の
表3に示す。
【0111】表3において、化合物例は、アニオン部と
カチオン部とを組み合わせてなるものである。例えば、
以下に、No.3の例を挙げて説明する。化合物No.
3〔アニオン部(B−3)/カチオン部(C−20)〕
で示される化合物例は、下記の式で示される。
【0112】
【化65】 なお、化合物No.4以降の化合物例についても同様な
意味である。
【0113】
【表3】
【化66】 上記一般式(II−1)および一般式(II−2)で表され
る化合物は、下記の一般式(II−9)および一般式(II−
10)で表される色素化合物のアルカリ金属塩(例、Li
塩、Na塩、K塩など)、アンモニウム塩(NH
4+塩)、あるいはトリエチルアンモニウム塩(Et
NH 塩)などの塩化合物と、下記一般式(II−11)
で表されるオニウム塩との水または有機溶媒中(メタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、ジメチルホルム
アミドなど)における塩交換反応によって容易に合成で
きる。
【0114】
【化67】 式中、A 及びA 、B 及びB 、Y 及びZ
、並びにL11、L12、L13、L14およびL
15、X 及びX4 、E1及びG1、m3及びn3、
並びにx1及びy1は、それぞれ前述した一般式(II−
1)または一般式(II−2)におけるA 、A
及びB 、Y およびZ 、L 、L
、L 及びL 、X 及びX 、E及びG、
m及びn、並びにx及びyとそれぞれ同義である。
【0115】
【化68】 式中、Xr−は陰イオンを表し、rは整数(好ましくは
1〜4、更に好ましくは1〜2の整数)を表す。
【0116】陰イオンとしては、例えば、ハライドイオ
ン(Cl 、Br 、I )、スルホナートイオン
(CH3 SO3 、p−トルエンスルホナートイオ
ン、ナフタレン−1,5−ジスルホナートイオン)、C
lO 、BF 、及びPF を挙げることがで
きる。
【0117】なお、一般式(II−9)および一般式(II−1
0)で表される色素化合物は、一般に該当する活性メチ
レン化合物(例、ピラゾロン、チオバルビツール酸、バ
ルビツール酸、インダンジオン、ヒドロキシフェナレン
オン等)とメチン染料にメチン基またはポリメチン基を
導入するためのメチン源との縮合反応によって合成する
ことができる。この種の化合物についての詳細は、特公
昭39−22069号、同43−3504号、同52−
38056号、同54−38129号、同55−100
59号、同58−35544号、特開昭49−9962
0号、同52−92716号、同59−16834号、
同63−316853号、及び同64−40827号各
公報、並びに英国特許第1133986号、米国特許第
3247127号、同4042397号、同41812
25号、同5213956号、及び同5260179号
各明細書を参照することができる。
【0118】具体的には、モノメチン基の導入には、オ
ルトギ酸エチル、オルト酢酸エチルなどのオルトエステ
ル類またはN,N−ジフェニルホルムアミジン塩酸塩等
が、トリメチン鎖の導入には、トリメトキシプロペン、
1,1,3,3−テトラメトキシプロパンまたはマロン
アルデヒドジアニル塩酸塩(あるいはこれらの誘導体)
等が、またペンタメチン鎖の導入には、グルタコンアル
デヒドジアニル塩酸塩または1−(2,4−ジニトロフ
ェニル)−ピリジニウムクロリド(あるいはこれらの誘
導体)等がそれぞれ使用される。
【0119】以下に、一般式(II−1)又は一般式(II
−2)で表される色素化合物の合成例を記載する。
【0120】(合成例1)化合物No.5の合成 0.1Nの水酸化ナトリウム水溶液20mLの中に下記
の化合物a1gを室温にて添加し撹拌した。この溶液に
下記の化合物b0.5gを水5mLに溶解した水溶液を
添加した。同温度で30分撹拌後、析出した結晶を濾過
し、水及びエタノールで洗浄後乾燥して、目的物0.2
3gを得た。λmax =654nm(メタノール中)。
【0121】
【化69】 上記一般式(II−1)で示される化合物並びに一般式
(II−2)で示される化合物は、それぞれ単独で用いて
もよいし、あるいは二種以上を併用してもよい。また、
一般式(II−1)で示される化合物並びに一般式(II−
2)で示される化合物を組み合わせて用いてもよい。
【0122】さらに本発明においては、光機能性膜とし
て、下記の一般式(III)で示される有機色素からなる
ものも好適に用いることができる。
【0123】
【化70】 式中、ZおよびZは5員または6員の含窒素複素環
を形成するに必要な原子群を表し、R30,R31は各
々独立にアルキル基を表し、L,L,L,L
よびLはメチン基を表し、n1,n2は各々0〜2の
整数を表し、p,qは各々独立に0〜2の整数を表し、
M1は電荷均衡対イオンを表す。
【0124】また本発明において、上記一般式(III)
で示される有機色素と下記の一般式(IV)で示される有
機酸化剤との組み合わせからなる光機能性膜は、さらに
好適なものとなる。
【0125】
【化71】 式中、m,nは各々独立に0〜2の整数を表し、X
は=NRまたは=CRを表し(R
,Rは置換基を表す)、LおよびLは各々独
立に2価の連結基を表す。
【0126】以下に、本発明で使用される有機酸化剤及
び有機色素について説明する。
【0127】まず、有機酸化剤について説明する。一般
式(IV)において、m、nは共に1である場合が好まし
い。
【0128】X 、X は=NR または=CR
を表す。上記R 、R 及びR で表される
置換基は、ハロゲン原子、または炭素原子、酸素原子、
窒素原子又は硫黄原子が組み合わされてなる置換基であ
り、具体的には、アルキル基、アルケニル基、アラルキ
ル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、アシルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、
アミド基、スルホンアミド基、スルファモイルアミノ
基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシスルホ
ニルアミノ基、ウレイド基、チオウレイド基、アシル
基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキ
ルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、スルファモ
イル基、カルボキシル基(塩を含む)、スルホ基(塩を
含む)を挙げることができる。これらは、更に、これら
の置換基で置換されていてもよい。
【0129】上記R 、R 及びR で表される置
換基の例について更に詳しく説明する。
【0130】アルキル基は、炭素数1〜18(好ましく
は炭素数1〜6)の直鎖、分岐鎖または環状の置換基を
有していてもよいアルキル基であり、例えば、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、t−ブチル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル、2−ヒドロキシエチル、3
−ヒドロキシプロピル、4−ヒドロキシブチル、3−メ
トキシプロピル、2−アミノエチル、アセトアミドメチ
ル、2−アセトアミドエチル、カルボキシメチル、2−
カルボキシエチル、2−スルホエチル、ウレイドメチ
ル、2−ウレイドエチル、カルバモイルメチル、2−カ
ルバモイルエチル、3−カルバモイルプロピル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、ヘキサデシル、オクタデシルを挙げることができ
る。
【0131】アルケニル基は、炭素数2〜18(好まし
くは炭素数2〜6)の直鎖、分岐鎖または環状のアルケ
ニル基であり、例えば、ビニル、アリル、1−プロペニ
ル、2−ペンテニル、1,3−ブタジエニル、2−オク
テニル、3−ドデセニルを挙げることができる。
【0132】アラルキル基は、炭素数7〜10のアラル
キル基であり、例えば、ベンジルを挙げることができ
る。
【0133】アリール基は、置換基を有していてもよい
炭素数6〜10のアリール基であり、例えば、フェニ
ル、ナフチル、p−ジブチルアミノフェニル、p−メト
キシフェニルを挙げることができる。
【0134】ヘテロ環基は、炭素原子、窒素原子、酸素
原子、あるいは硫黄原子から構成される5〜6員環の飽
和または不飽和のヘテロ環基であり、環を構成するヘテ
ロ原子の数及び元素の種類は1つでも複数であってもよ
く、例えば、フリル、ベンゾフリル、ピラニル、ピロリ
ル、イミダゾリル、イソオキサゾリル、ピラゾリル、ベ
ンゾトリアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジニ
ル、チエニル、インドリル、キノリル、フタラジニル、
キノキサリニル、ピロリジニル、ピロリニル、イミダゾ
リジニル、イミダゾリニル、ピラゾリジニル、ピペリジ
ル、ピペラジニル、インドリニル、モルホリニルを挙げ
ることができる。
【0135】ハロゲン原子としては例えば、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子を挙げることができる。
【0136】アルコキシ基は、炭素数1〜18(好まし
くは炭素数1〜6)の置換基を有していてもよいアルコ
キシ基であり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、2−メトキシエトキ
シ、2−メタンスルホニルエトキシ、ペンチルオキシ、
ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ウンデシルオキシ、
ドデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、オクタデシルオ
キシを挙げることができる。
【0137】アリールオキシ基は、炭素数6〜10の置
換基を有していてもよいアリールオキシ基であり、例え
ば、フェノキシ、pーメトキシフェノキシを挙げること
ができる。
【0138】アルキルチオ基は、炭素数1〜18(好ま
しくは炭素数1〜6)のアルキルチオ基であり、例え
ば、メチルチオ、エチルチオ、オクチルチオ、ウンデシ
ルチオ、ドデシルチオ、ヘキサデシルチオ、オクタデシ
ルチオを挙げることができる。
【0139】アリールチオ基は、炭素数6〜10の置換
基を有していてもよいアリールチオ基で例えば、フェニ
ルチオ、4−メトキシフェニルチオを挙げることができ
る。アシルオキシ基は、炭素数1〜18(好ましくは炭
素数1〜6)のアシルオキシ基で例えば、アセトキシ、
プロパノイルオキシ、ペンタノイルオキシ、オクタノイ
ルオキシ、ドデカノイルオキシ、オクタデカノイルオキ
シを挙げることができる。
【0140】アルキルアミノ基は、炭素数1〜18(好
ましくは炭素数1〜6)のアルキルアミノ基であり、例
えば、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノ、ジブチルアミノ、オクチルアミノ、ジオクチルアミ
ノ、ウンデシルアミノを挙げることができる。
【0141】アミド基は、炭素数1〜18(好ましくは
炭素数1〜6)のアミド基であり、例えば、アセトアミ
ド、アセチルメチルアミノ、アセチルオクチルアミノ、
アセチルデシルアミノ、アセチルウンデシルアミノ、ア
セチルオクタデシルアミノ、プロパノイルアミノ、ペン
タノイルアミノ、オクタノイルアミノ、オクタノイルメ
チルアミノ、ドデカノイルアミノ、ドデカノイルメチル
アミノ、オクタデカノイルアミノを挙げることができ
る。
【0142】スルホンアミド基は、炭素数1〜18(好
ましくは炭素数1〜6)の置換基を有していてもよいス
ルホンアミド基であり、例えば、メタンスルホンアミ
ド、エタンスルホンアミド、プロピルスルホンアミド、
2−メトキシエチルスルホンアミド、3−アミノプロピ
ルスルホンアミド、2−アセトアミドエチルスルホンア
ミド、オクチルスルホンアミド、ウンデシルスルホンア
ミドを挙げることができる。
【0143】アルコキシカルボニルアミノ基は、炭素数
2〜18(好ましくは炭素数2〜6)のアルコキシカル
ボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルア
ミノ、エトキシカルボニルアミノ、オクチルオキシカル
ボニルアミノ、ウンデシルオキシカルボニルアミノを挙
げることができる。
【0144】アルコキシスルホニルアミノ基は、炭素数
1〜18(好ましくは炭素数1〜6)のアルコキシスル
ホニルアミノ基であり、例えば、メトキシスルホニルア
ミノ、エトキシスルホニルアミノ、オクチルオキシスル
ホニルアミノ、ウンデシルオキシスルホニルアミノを挙
げることができる。
【0145】スルファモイルアミノ基は、炭素数0〜1
8(好ましくは炭素数0〜6)のスルファモイルアミノ
基であり、例えば、メチルスルファモイルアミノ、ジメ
チルスルファモイルアミノ、エチルスルファモイルアミ
ノ、プロピルスルファモイルアミノ、オクチルスルファ
モイルアミノ、ウンデシルスルファモイルアミノを挙げ
ることができる。
【0146】ウレイド基は、炭素数1〜18(好ましく
は、炭素数1〜6)の置換基を有していてもよいウレイ
ド基であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、N,
N−ジメチルウレイド、オクチルウレイド、ウンデシル
ウレイドを挙げることができる。
【0147】チオウレイド基は、炭素数1〜18(好ま
しくは炭素数1〜6)の置換基を有していてもよいチオ
ウレイド基であり、例えば、チオウレイド、メチルチオ
ウレイド、N,N−ジメチルチオウレイド、オクチルチ
オウレイド、ウンデシルチオウレイドを挙げることがで
きる。
【0148】アシル基は、炭素数1〜18(好ましくは
炭素数1〜6)のアシル基であり、例えばアセチル、ベ
ンゾイル、オクタノイル、デカノイル、ウンデカノイ
ル、オクタデカノイルを挙げることができる。
【0149】アルコキシカルボニル基は、炭素数2〜1
8(好ましくは、炭素数2〜6)のアルコキシカルボニ
ル基であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、オクチルオキシカルボニル、ウンデシルオキ
シカルボニルを挙げることができる。
【0150】カルバモイル基は、炭素数1〜18(好ま
しくは、炭素数1〜6)の置換基を有していてもよいカ
ルバモイル基であり、例えば、カルバモイル、N, N−
ジメチルカルバモイル、N−エチルカルバモイル、N−
オクチルカルバモイル、N,N−ジオクチルカルバモイ
ル、N−ウンデシルカルバモイルを挙げることができ
る。
【0151】アルキルスルホニル基は、炭素数1〜18
(好ましくは炭素数1〜6)の置換基を有していても良
いアルキルスルホニル基であり、例えば、メタンスルホ
ニル、エタンスルホニル、2ークロロエタンスルホニ
ル、オクタンスルホニル、ウンデカンスルホニルを挙げ
ることができる。
【0152】アルキルスルフィニル基は、炭素数1〜1
8(好ましくは炭素数1〜6)のアルキルスルフィニル
基であり、例えば、メタンスルフィニル、エタンスルフ
ィニル、オクタンスルフィニルを挙げることができる。
【0153】スルファモイル基は、炭素数0〜18(好
ましくは炭素数0〜6)の置換基を有していてもよいス
ルファモイル基であり、例えば、スルファモイル、ジメ
チルスルファモイル、エチルスルファモイル、オクチル
スルファモイル、ジオクチルスルファモイル、ウンデシ
ルスルファモイルを挙げることができる。
【0154】L 及びL は、各々独立に2価の連結
基を表す。ここで、2価の連結基とは、炭素原子、窒素
原子、酸素原子あるいは硫黄原子から構成され、X
、X が結合している炭素原子と共同で4〜8員環
を構成する。
【0155】L 、及びL の具体例としては、−C
(R)(R)−、−C(R)=、−N(R)−、−
N=、−O−、及び−S−を組み合わせて構成される2
価の連結基を挙げることができる。ここで、R 、R
、R 及びR は各々独立に、水素原子または置
換基を表し、その詳細は、前記R 、R 、Rにて
説明したものに同義である。また、この4〜8員環には
飽和あるいは不飽和の縮合環を形成してもよく、その縮
合環の例としては、シクロアルキル環、アリール環また
はヘテロ環を挙げることができ、その詳細は、前記R
、R 、R にて説明したものに同義である。
【0156】上記4〜8員環について更に詳細に説明す
る。
【0157】4員環の例としては、シクロブタンジオ
ン、シクロブテンジオン、ベンゾシクロブテンキノンを
挙げることができる。
【0158】5員環の例としては、シクロペンタンジオ
ン、シクロペンテンジオン、シクロペンタントリオン、
シクロペンテントリオン、インダンジオン、インダント
リオン、テトラヒドロフランジオン、テトラヒドロフラ
ントリオン、テトラヒドロピロールジオン、テトラヒド
ロピロールトリオン、テトラヒドロチオフェンジオン、
テトラヒドロチオフェントリオンを挙げることができ
る。
【0159】6員環の例としては、ベンゾキノン、キノ
メタン、キノジメタン、キノンイミン、キノンジイミ
ン、チオベンゾキノン、ジチオベンゾキノン、ナフトキ
ノン、アントラキノン、ジヒドロクロメントリオン、ジ
ヒドロピリジンジオン、ジヒドロピラジンジオン、ジヒ
ドロピリミジンジオン、ジヒドロピリダジンジオン、ジ
ヒドロフタラジンジオン、ジヒドロイソキノリンジオ
ン、テトラヒドロキノリントリオンを挙げることができ
る。
【0160】7員環の例としては、シクロヘプタンジオ
ン、シクロヘプタントリオン、アザシクロヘプタントリ
オン、ジアザシクロヘプタントリオン、オキソシクロヘ
プタントリオン、ジオキソシクロヘプタントリオン、オ
キソアザシクロヘプタントリオンを挙げることができ
る。
【0161】8員環の例としては、シクロオクタンジオ
ン、シクロオクタントリオン、アザシクロオクタントリ
オン、ジアザシクロオクタントリオン、オキソシクロオ
クタントリオン、ジオキソシクロオクタントリオン、オ
キソアザシクロオクタントリオン、シクロオクテンジオ
ン、シクロオクタジエンジオン、ジベンゾシクロオクテ
ンジオンを挙げることができる。
【0162】L 、Lが、X 、X が結合し
ている炭素原子と共同で構成する環としては、好ましく
は6員環である。
【0163】有機酸化剤は、下記の一般式(IV−1)で
表される化合物であることが更に好ましい。
【0164】
【化72】 式中 X11、X22で表される=NR 、及び=C
10は、それぞれ前記一般式(IV)におけるX
、X で表される=NR 、及び=CR
同義であり、その好ましい範囲も同一である。またR
、R及びR 10で表される置換基は、前記一般式
(IV)におけるR 、R 及びRで表される置換
基と同義であり、またその好ましい範囲も同一である。
【0165】R11、R12、R13及びR14は各々
独立に水素原子または置換基を表す。R11、R12
るいはR13、R14が同時に置換基となる場合、これ
らは、各々連結して不飽和縮合環を形成してもよい。こ
の不飽和縮合環は置換基を有していてもよく、その置換
基としては、前記R 〜R にて説明したものと同じ
ものが挙げられる。
【0166】上記X11、X22は、各々独立に、酸素
原子あるいは=CR10基であることが好まし
く、同時に酸素原子あるいは同時に=CR10
となることがより好ましい。ここで、R 、R10
各々独立にハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルコ
キシカルボニル基又はアルキルスルホニル基であること
が好ましい。
【0167】X11、X22が同時に酸素原子となる場
合について説明する。
【0168】X11、X22が同時に酸素原子となる場
合、R11、R12、R13及びR 14の少なくとも2
つが電子吸引性基であることが更に好ましい。ここで電
子吸引性基とは、ハメットのσp値がプラスの置換基を
意味し、具体的には、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基、アルキルスルホニル基、及びアルキルスルフィニル
基を挙げることができる。
【0169】X11、X22が同時に酸素原子となる場
合の特に好ましい組み合わせとしては、R11
12、R13及びR14は、各々独立に水素原子、ア
ルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アミノ基、アルキルアミノ
基、アミド基、スルホンアミド基、スルファモイルアミ
ノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシスル
ホニルアミノ基、ウレイド基、チオウレイド基、アシル
基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキ
ルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、及びスルフ
ァモイル基であって、このうち少なくとも2つが電子吸
引性基である場合である。
【0170】最も好ましい組み合わせとしては、
11、R12、R13及びR14は各々独立に、水素
原子、炭素数1〜6のアルキル基、ハロゲン原子、シア
ノ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のア
ルキルチオ基、炭素数1〜6のアミド基、炭素数1〜6
のスルホンアミド基、炭素数1〜6のウレイド基、炭素
数1〜6のアシル基、炭素数2〜6のアルコキシカルボ
ニル基、炭素数1〜6のカルバモイル基、炭素数1〜6
のアルキルスルホニル基、炭素数1〜6のアルキルスル
フィニル基であって、このうち少なくとも2つがハロゲ
ン原子、シアノ基、アルキルスルホニル基またはアルキ
ルスルフィニル基である。
【0171】X11、X22が同時に=CR10
基となる場合、有機酸化剤は、下記の一般式(IV−2)
で表される化合物であることが特に好ましい。
【0172】
【化73】 式中、R15、R16、R17、R18は、各々独立
に、前記R11〜R14について説明したものに同義で
ある。
【0173】有機酸化剤は、下記の一般式(IV−3)ま
たは一般式(IV−4)で表される化合物であることが最
も好ましい。
【0174】
【化74】
【化75】 一般式(IV−3)中、R19はハロゲン原子、シアノ
基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミド基、スルホ
ンアミド基、ウレイド基、アシル基、又はアルコキシカ
ルボニル基を表す。R20は、前記R 〜R にて説
明したものと同じものを意味する。m4は、1〜4の整
数を表し、m4または4−m4が2以上の整数を表すと
き、複数のR31と複数のR32はそれぞれ同じであっ
ても異なっていてもよい。
【0175】一般式(IV−4)中、R21は水素原子ま
たは置換基を表す。ここで、置換基とは、前記R
にて説明したものと同じものを意味する。m5は
0〜6の整数を表し、m5が2以上の整数を表すとき、
複数のR21はぞれぞれ同じであっても異なっていても
よい。
【0176】一般式(IV−3)において、R19とR
20の好ましい組み合わせについて述べる。
【0177】R19はハロゲン原子、シアノ基、炭素数
1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜8のアシル基、炭素
数2〜6のアルコキシカルボニル基であり、R20は水
素原子、炭素数1〜6のアルキル基である組み合わせが
好ましく、最も好ましい組み合わせは、R19が炭素数
1〜6のアルコキシ基で、かつR20が水素原子であ
る。
【0178】一般式(IV−3)で表される有機酸化剤
は、下記式で示される化合物であることが特に好まし
い。
【0179】
【化76】 一般式(IV−4)において、R21は好ましくは、水素
原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキ
シ基、アルキルチオ基、アミド基、スルホンアミド基、
ウレイド基、又はアシル基であり、更に好ましくは、水
素原子、炭素数1〜6のアルキル基、ハロゲン原子、シ
アノ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6の
アルキルチオ基、炭素数1〜6のアミド基、炭素数1〜
6のスルホンアミド基、炭素数1〜6のウレイド基、炭
素数1〜6のアシル基であり、特に好ましくは、水素原
子、炭素数1〜6のアルキル基、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、シアノ基、炭素数1〜6のアルコキシ基
であり、最も好ましくは、水素原子である。
【0180】本発明に用いる有機酸化剤の具体的な化合
物例を以下に記載する。
【0181】
【化77】
【化78】
【化79】
【化80】
【化81】
【化82】
【化83】
【化84】
【化85】
【化86】
【化87】
【化88】
【化89】
【化90】
【化91】
【化92】
【化93】 一般式(IV)で表される化合物は、例えば、J. Chem. S
oc. Perkin Trans. 1,611(1992)、Synthesis, 546(197
1)などの一般的合成法に準じて容易に合成可能である。
また、下記合成例やそれに準じた方法を採ることもでき
る。
【0182】合成例 下記式に従い、本発明に係る例示化合物(A−22) を
合成した。
【0183】
【化94】 (A−22a)の合成 1,4−ジブロモ−2,5−ジフルオロベンゼン2.7
2g、沃化カリウム24.9g、沃化銅9.53g、及
びHMPA(ヘキサメチルホスホリックトリアミド)3
0mlを混合し、窒素下、150〜160℃に加熱し
た。反応終了後、反応液に希塩酸水、エーテルを注入
し、銅塩を濾過した後、有機層を抽出した。有機層を亜
硫酸水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、濾過し、濾
液を減圧濃縮することにより(A−22a)の黄色結晶
2.93gを得た。
【0184】(A−22b)の合成 (A−22a)3.66g、マロノニトリル2.64
g、水素化ナトリウム1.44g、及びビストリフェニ
ルホスフィンパラジウムクロライド0.21gにTHF
(テトラヒドロフラン)60mlを加え、12時間加熱
環流した。反応終了後、反応液を1N塩酸に注ぎ、白色
沈殿を濾別し、乾燥することにより(A−22b)の白
色固体2.68gを得た。
【0185】(A−22)の合成 (A−22b)3.36gに水100mlを加え、この
懸濁液に過剰量の臭素水をゆっくり滴下した。一夜放置
後、得られた赤色沈殿を濾別し、冷水で洗浄後、塩化メ
チレン60mlに溶解した。この溶液を硫酸ナトリウム
で乾燥後、活性炭処理し、溶媒を留去することにより目
的物とする例示化合物(A−22)の黄色結晶3.11
gを得た。
【0186】下記式に従い、本発明に係る例示化合物
(A−58)を合成した。
【0187】
【化95】 (A−58a)の合成 クロラニル25.0gをアセトニトリル60mlに溶か
し、この懸濁液にアンモニアガスを連続導入した。得ら
れた茶固体を濾取し、水、次いでアセトニトリル100
mlで洗浄し、減圧下乾燥して(A−58a)19.6
gを得た。
【0188】(A−58)の合成 (A−58a)2.1g、ラウリル酸クロライド4.4
g、およびトリエチルアミン2.8mlにDMF100
mlを加え、70℃で加熱した。7時間加熱した後、冷
水300mlに注ぎ、酢酸エチルで抽出した。硫酸ナト
リウムで乾燥後濃縮し、アセトニトリルで再結晶するこ
とによって目的物とする例示化合物(A−58)の黄色
結晶1.7gを得た。
【0189】一般式(IV)で表される有機酸化剤は、単
独で使用しても良いし、あるいはまたは他の公知のクエ
ンチャーと併用することもできる。
【0190】組み合わせるクエンチャーの代表例として
は、特開平3−224793号公報に記載の一般式(II
I)、(IV)、もしくは(V)で表される金属錯体、ジ
インモニウム塩、アミニウム塩、特開平2−30028
7号公報及び特開平2−300288号公報に記載され
ているニトロソ化合物などを挙げることができる。組み
合わせるクエンチャーとして特に好ましいものは、金属
錯体(例えば、PA−1006(三井東圧ファイン
(株)))あるいはジインモニウム塩(例えば、IRG−
023、IRG−022(以上日本化薬(株)))であ
り、最も好ましいものは、ジインモニウム塩である。こ
れらのクエンチャーは目的に応じて2種以上併用するこ
ともできる。
【0191】一般式(IV)で表される有機酸化剤の添加
量は、有機色素100重量部に対して1〜100重量部
の範囲であることが好ましく、1〜50重量部の範囲で
あることが更に好ましく、特に好ましくは1〜25重量
部の範囲であり、最も好ましくは1〜10重量部の範囲
である。
【0192】上記クエンチャーの添加量は、有機色素1
00重量部に対して1〜100重量部の範囲であること
が好ましく、更に好ましくは1〜50重量部の範囲であ
り、特に好ましくは1〜25重量部の範囲であり、最も
好ましくは1〜10重量部の範囲である。
【0193】次に、本発明で用いられる有機色素につい
て説明する。
【0194】使用可能な有機色素としては、例えば、シ
アニン系色素、メロシアニン系色素、フタロシアニン系
色素、オキソノール系色素、ピリリウム系色素、チオピ
リリウム系色素、トリアリールメタン系色素、ポリメチ
ン系色素、スクアリウム系色素、アズレニウム系色素、
ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフ
ェノール系色素、インドアニリン系色素、アミニウム系
・ジインモニウム系色素、及びピラン系色素を挙げるこ
とができる。
【0195】次に、前記一般式(III)で表される対称
型あるいは非対称型シアニン色素について説明する。一
般式(III)中、Z 、Z によって形成される核と
しては、3,3−ジアルキルインドレニン核、3,3−
ジアルキルベンゾインドレニン核、チアゾール核、ベン
ゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、チアゾリン核、
オキサゾール核、ベンゾオキサゾール核、ナフトオキサ
ゾール核、オキサゾリン核、セレナゾール核、ベンゾセ
レナゾール核、ナフトセレナゾール核、セレナゾリン
核、テルラゾール核、ベンゾテルラゾール核、ナフトテ
ルラゾール核、テルラゾリン核、イミダゾール核、ベン
ゾイミダゾール核、ナフトイミダゾール核、ピリジン
核、キノリン核、イソキノリン核、イミダゾ〔4,5−
b〕キノキザリン核、オキサジアゾール核、チアジアゾ
ール核、テトラゾール核、ピリミジン核などを挙げるこ
とができる。 ここで挙げられた5員または6員の含窒
素複素環は、可能な場合は、置換基を有していてもよ
く、ここで置換基としては、前述の一般式(IV)におい
て説明したR 、R 及びR と同じものを挙げる
ことができる。
【0196】上記置換基の例を更に詳しく説明する。
【0197】アルキル基は、炭素数1〜18(好ましく
は炭素数1〜8)の直鎖、分岐鎖または環状の置換基を
有していてもよいアルキル基であり、例えば、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、ペンチル、2−ヒドロキシエチル、4−カルボキシ
ブチル、ヘキシル、オクチル、ベンジル及びフェネチル
を挙げることができる。
【0198】アルケニル基は、炭素数2〜18(好まし
くは炭素数2〜8)の直鎖、分岐鎖または環状のアルケ
ニル基であり、例えば、ビニル、アリル、1−プロペニ
ル、2−ペンテニル、1,3−ブタジエニル、及び2−
オクテニルを挙げることができる。
【0199】アラルキル基は、炭素数7〜10のアラル
キル基であり、例えば、ベンジルを挙げることができ
る。
【0200】アリール基は、炭素数6〜10の置換基を
有していてもよいアリール基であり、例えば、フェニ
ル、ナフチル、4−カルボキシフェニル、3−カルボキ
シフェニル、3,5−ジカルボキシフェニル、4−メタ
ンスルホンアミドフェニル、及び4−ブタンスルホンア
ミドフェニルを挙げることができる。
【0201】ヘテロ環基は、炭素原子、窒素原子、酸素
原子、あるいは硫黄原子から構成される5〜6員環の飽
和または不飽和のヘテロ環基であり、環を構成するヘテ
ロ原子の数及び元素の種類は1つでも複数であってもよ
く、例えば、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、
5−カルボキシベンゾオキサゾール環、チアゾール環、
イミダゾール環、ピリジン環、スルホラン環、フラン
環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマ
ン環及びクマリン環を挙げることができる。
【0202】ハロゲン原子としては例えば、フッ素原
子、塩素原子、及び臭素原子を挙げることができる。
【0203】アルコキシ基は、炭素数1〜18(好まし
くは炭素数1〜8)のアルコキシ基であり、例えば、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、及びブトキシを挙げる
ことができる。
【0204】アリールオキシ基は、炭素数6〜10の置
換基を有していてもよいアリールオキシ基であり、例え
ば、フェノキシ、及びp−メトキシフェノキシを挙げる
ことができる。
【0205】アルキルチオ基は、炭素数1〜18(好ま
しくは炭素数1〜8)のアルキルチオ基であり、例え
ば、メチルチオ及びエチルチオを挙げることができる。
【0206】アリールチオ基は、炭素数6〜10のアリ
ールチオ基であり、例えば、フェニルチオを挙げること
ができる。
【0207】アシルオキシ基は、炭素数1〜18(好ま
しくは炭素数1〜8)のアシルオキシ基であり、例え
ば、アセトキシ、プロパノイルオキシ、ペンタノイルオ
キシ、オクタノイルオキシを挙げることができる。
【0208】アルキルアミノ基は、炭素数1〜18(好
ましくは炭素数1〜8)のアルキルアミノ基であり、例
えば、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノ、ジブチルアミノ及びオクチルアミノを挙げることが
できる。
【0209】アミド基は、炭素数1〜18(好ましく
は、炭素数1〜8)のアミド基であり、例えば、アセト
アミド、プロパノイルアミノ、ペンタノイルアミノ、オ
クタノイルアミノ、オクタノイルメチルアミノ、及びベ
ンズアミドを挙げることができる。
【0210】スルホンアミド基は、炭素数1〜18(好
ましくは炭素数1〜8)のスルホンアミド基であり、例
えば、メタンスルホンアミド、エタンスルホンアミド、
プロピルスルホンアミド、ブタンスルホンアミド、およ
びベンゼンスルホンアミドを挙げることができる。
【0211】アルコキシカルボニルアミノ基は、炭素数
1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアルコキシカル
ボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルア
ミノ、及びエトキシカルボニルアミノを挙げることがで
きる。
【0212】アルコキシスルホニルアミノ基は、炭素数
1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアルコキシスル
ホニルアミノ基であり、例えば、メトキシスルホニルア
ミノ、及びエトキシスルホニルアミノを挙げることがで
きる。
【0213】スルファモイルアミノ基は、炭素数0〜1
8(好ましくは炭素数0〜8)の置換基を有していても
よいスルファモイルアミノ基で例えば、メチルスルファ
モイルアミノ、ジメチルスルファモイルアミノ、エチル
スルファモイルアミノ、プロピルスルファモイルアミ
ノ、オクチルスルファモイルアミノを挙げることができ
る。
【0214】ウレイド基は、炭素数1〜18(好ましく
は炭素数1〜8)の置換基を有していてもよいウレイド
基であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、N,N
−ジメチルウレイド、オクチルウレイドを挙げることが
できる。
【0215】チオウレイド基は、炭素数1〜18(好ま
しくは炭素数1〜8)の置換基を有していてもよいチオ
ウレイド基であり、例えば、チオウレイド、メチルチオ
ウレイド、N,N−ジメチルチオウレイド、オクチルチ
オウレイドを挙げることができる。
【0216】アシル基は、炭素数1〜18(好ましくは
炭素数1〜8)のアシル基であり、例えばアセチル、ベ
ンゾイル、及びプロパノイルを挙げることができる。
【0217】アルコキシカルボニル基は、炭素数1〜1
8(好ましくは炭素数1〜8)のアルコキシカルボニル
基であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、及びオクチルオキシカルボニルを挙げることが
できる。
【0218】カルバモイル基は、炭素数1〜18(好ま
しくは炭素数1〜8)の置換基を有していてもよいカル
バモイル基であり、例えば、カルバモイル、N, N−ジ
メチルカルバモイル、及びN−エチルカルバモイルを挙
げることができる。
【0219】アルキル又はアリールスルホニル基は、炭
素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアルキル又
はアリールスルホニル基で例えば、メタンスルホニル、
エタンスルホニル、及びベンゼンスルホニルを挙げるこ
とができる。
【0220】アルキルスルフィニル基は、炭素数1〜1
8(好ましくは炭素数1〜8)のアルキルスルフィニル
基であり、例えば、メタンスルフィニル、エタンスルフ
ィニル、及びオクタンスルフィニルを挙げることができ
る。
【0221】スルファモイル基は、炭素数0〜18(好
ましくは炭素数0〜8)の置換基を有していていも良い
スルファモイル基であり、例えば、スルファモイル、ジ
メチルスルファモイル、エチルスルファモイル、ブチル
スルファモイル、オクチルスルファモイル、及びフェニ
ルスルファモイルを挙げることができる。
【0222】Z およびZ は、置換または無置換の
3,3−ジアルキルインドレニン核、3,3−ジアルキ
ルベンゾインドレニン核であることが好ましい。
【0223】R30、R31は各々独立にアルキル基を
表す。
【0224】R30、R31で表されるアルキル基は、
炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換また
は無置換の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基であ
り、その置換基としては、含窒素複素環の置換基として
挙げたものに同義であり、またその好ましい範囲も同一
である。好ましくは、無置換のアルキル基、あるいはア
リール基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ
基、アシルオキシ基、アミド基、スルホンアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基又はスルホ基で
置換されたアルキル基である。これらの例としては、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、2−エ
チルヘキシル、オクチル、ベンジル、2−フェニルエチ
ル、2−ヒドロキシエチル、3−ヒドロキシプロピル、
2−カルボキシエチル、3−カルボキシプロピル、4−
カルボキシブチル、カルボキシメチル、2−メトキシエ
チル、2−(2−メトキシエトキシ)エチル、2−スル
ホエチル、3−スルホプロピル、3−スルホブチル、4
−スルホブチル、2−(3−スルホプロポキシ)エチ
ル、2−ヒドロキシ−3−スルホプロピル、3−スルホ
プロポキシエトキシエチル、2−アセトキシエチル、カ
ルボメトキシメチル、及び2−メタンスルホニルアミノ
エチルを挙げることができる。
【0225】L 、L 、L 、L 及びL
表されるメチン基は、各々独立に無置換または置換メチ
ン基であり、その置換基の詳細としては、含窒素複素環
の置換基としてに説明したものに同義であり、その好ま
しい範囲も同一である。また、置換基を有する場合に
は、置換基同士が連結して5〜7員環を形成してもよ
く、あるいは助色団と環を形成することもできる。ここ
で5〜7員環としては、例えばシクロペンテン環、1−
ジメチルアミノシクロペンテン環、1−ジフェニルアミ
ノシクロペンテン環、シクロヘキセン環、1−クロロシ
クロヘキセン環、イソホロン環、1−モルホリノシクロ
ペンテン環、及びシクロヘプテン環を挙げることができ
る。
【0226】n1及びn2は、n1が0でn2が1であ
るか、あるいはn1が2でn2が0であるかのいずれか
であることが好ましい。
【0227】M1は電荷均衡対イオンを表す。M1は陽
イオンでも陰イオンでも良い。
【0228】陽イオンとしては、例えば、ナトリウムイ
オン、カリウムイオン、リチウムイオンなどのアルカリ
金属イオン、テトラアルキルアンモニウムイオン、ピリ
ジニウムイオンなどの有機イオンが挙げられる。
【0229】陰イオンは無機陰イオンあるいは有機陰イ
オンのいずれであってもよく、ハロゲン陰イオン(例え
ば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イ
オンなど)、スルホネートイオン(例えば、メタンスル
ホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、
メチル硫酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、p
−クロロベンゼンスルホン酸イオン、1,3−ベンゼン
ジスルホン酸イオン、1,5−ナフタレンジスルホン酸
イオン、2,6−ナフタレンジスルホン酸イオンな
ど)、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオ
ン、テトラフルオロほう酸イオン、ピクリン酸イオン、
酢酸イオン、下記式で示される金属錯体イオン:
【化96】 および、リン酸イオン(例えば、ヘキサフルオロリン酸
イオン、下記式で示されるリン酸イオン:
【化97】 を挙げることができる。
【0230】m1は電荷を均衡させるのに必要な数(0
以上、好ましくは0〜4の数)を表し、分子内で塩を形
成する場合には0である。pおよびqはそれぞれ独立に
0または1を表す。pおよびqは、好ましくは共に0で
ある。
【0231】一般式(III)で表される化合物は、任意
の炭素原子上で2種が結合して、ビス型構造を形成して
もよい。
【0232】有機色素は、下記の一般式(III−1)で
表されるシアニン色素であることが好ましい。
【0233】
【化98】 一般式(III−1)で表されるシアニン色素化合物は、
以下の組み合わせからなる化合物であることが更に好ま
しい。
【0234】X 及びX は各々独立に、酸素原子、
−C(R34)(R35)−、または−N(R36)−
であり、R32及びR33は各々独立に、無置換または
アルコキシ基もしくはアルキルチオ基で置換された炭素
数1〜6のアルキル基であり、R34、R35及びR
36は各々独立に炭素数1〜6の無置換のアルキル基で
あり、R37は水素原子または置換基を有してもよい、
炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、ピリジル基、
ピリミジル基、スクシンイミド基、ベンソオキサゾール
基又はハロゲン原子であり、Z11及びZ22は各々独
立に無置換のベンゼン環、ナフタレン環あるいはキノキ
サリン環を形成するために必要な原子団、またはメチル
基、塩素原子、フッ素原子、メトキシ基又はエトキシ基
から選ばれる1または2個の基で置換されたベンゼン環
を形成するために必要な原子団であり、M2は過塩素酸
イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、下記式で示され
る金属錯体イオン:
【化99】 又は下記式で示されるスルホネートイオン:
【化100】 である組み合わせが好ましい。m2はM2の価数を表
す。
【0235】一般式(III−1)において、その最も好
ましい組み合わせは、X およびX は同時に−C
(R34)(R35)−、又は同時に−N(R36)−
であり、R32およびR33は各々独立に、無置換のア
ルキル基(好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基)であり、R34、R
35及びR36は各々独立に、メチル基、エチル基であ
り、R37は水素原子、メチル基、エチル基、塩素原子
又は臭素原子であり、Z11及びZ22は同時に無置換
のベンゼン環、ナフタレン環あるいはキノキサリン環を
形成するために必要な原子団である。
【0236】本発明で用いられる一般式(III)で表さ
れる有機色素の具体的な化合物例を以下に記載する。
【0237】
【化101】
【化102】
【化103】
【化104】
【化105】
【化106】
【化107】
【化108】
【化109】
【化110】
【化111】 一般式(III)で表される化合物は、エフ・エム・ハー
マー(F.M.Hamer)著「ヘテロサイクリック・
コンパウンズーシアニン・ダイズ・アンド・リレイテッ
ド・コンパウンズ(Heterocyclic Compounds-Cyanine D
yes and Related Compounds)」, ジョン・ウィリー・ア
ンド・サンズ(John Wiley & Sons)社−ニューヨーク、
ロンドン、1964年刊;デー・エム・スターマー
(D.M.Sturmer)著「ヘテロサイクリック・
コンパウンズースペシャル・トピックス・イン・ヘテロ
サイクリック・ケミストリー(Heterocyclic Compounds-
Special topics in heterocyclic chemistry) 」、第1
8章、第14節、第482から515頁、ジョン・ウィ
リー・アンド・サンズ(John Wiley & Sons)社−ニュー
ヨーク、ロンドン、1977年刊;「ロッズ・ケミスト
リー・オブ・カーボン・コンパウンズ(Rodd's Chemistr
y of Carbon Compounds)」 2nd.Ed.vol.IV,partB, 19
77刊、第15章、第369から422頁、エルセビア
・サイエンス・パブリック・カンパニー・インク(Elsev
ir Science Publishing Company Inc.) 社刊、ニューヨ
ーク、などに記載の方法に基づいて合成することができ
る。
【0238】本発明の光機能性膜としては下記の一般式
(V)で表されるアゾ色素の金属錯体からなるものを好
適に用いることができる。
【0239】
【化112】 式中、Mは金属原子を表し、Xは酸素原子、硫黄原子、
または=NR21を表し、R21は、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アシル基、アルキルスルホニル基、
またはアリールスルホニル基を表し、Z11は5員また
は6員の含窒素複素環を完成するために必要な原子団を
表し、Z12は、芳香環または複素芳香環を完成するた
めに必要な原子団を表す。
【0240】一般式(V)の化合物の中でも下記一般式
(V−1)で表される化合物が好ましい。
【0241】
【化113】 式中、Mは、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、パラ
ジウム、白金、または金を表し、R21は、アルキルス
ルホニル基、アリールスルホニル基、炭素原子数1〜1
2の置換基を有しても良いアルキル基もしくは炭素原子
数6〜16の置換基を有しても良いフェニル基またはナ
フチル基を表し、Yは、酸素原子、硫黄原子、または=
NR22を表し、R22、R23およびR24は、各々
独立に、炭素原子数1〜12の置換基を有しても良いア
ルキル基を表し、R23とR24は互いに連結して環を
形成していても良く、R25とR26は各々独立に、水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シア
ノ基、アシル基、アルキルスルホニル基、またはアリー
ルスルホニル基を表し、R27,R28およびR
各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ヒド
ロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ
基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、シアノ基、
ハロゲン原子、アシル基、アルキルスルホニル基、また
はアリールスルホニル基を表す。
【0242】一般式(V−1)の中でも、下記一般式(V
−2)で表される化合物が好ましい。
【0243】
【化114】 式中、式中、Mは、鉄、コバルトまたはニッケルである
ことが好ましく、特にニッケルが好ましい。R21は、
置換基を有しても良い炭素原子数1〜4のアルキルスル
ホニル基、または置換基を有しても良い炭素原子数6〜
10のアリールスルホニル基であることが好ましく、特
に無置換またはフッ素原子で置換された炭素原子数1〜
4のアルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル
基、トリフルオロメチルスルホニル基)、または無置換
の炭素原子数6〜10のアリールスルホニル基(例え
ば、フェニルスルホニル基)であることが好ましい。R
22、R23およびR24は、各々独立に、置換基を有
しても良い炭素原子数1〜4のアルキル基であることが
好ましい。この置換基の好ましい例としては、ハロゲン
原子、ヒドロキシ基、シアノ基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アルキルスルホ
ニル基およびアリールスルホニル基を挙げることができ
る。更に好ましくは、R22、R23およびR24は、
各々独立に、炭素原子数1〜4の無置換のアルキル基で
ある。またR23とR24は互いに連結して環(例え
ば、ピロリジン環、モルホリン環)を形成する場合も好
ましい。R 25とR26は各々独立に、シアノ基、アシ
ル基、アルキルスルホニル基、またはアリールスルホニ
ル基であることが好ましく、特に好ましくは共にシアノ
基である。R27,R28およびR29は各々独立に、
水素原子、アルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、カルボンア
ミド基、スルホンアミド基であることが好ましく、更に
好ましくは水素原子である。
【0244】本発明で用いられるアゾ色素の金属錯体の
具体例を以下に述べる。
【0245】
【化115】 一般式(V)で表されるアゾ色素の金属錯体の合成方法
は特開平9−277703号、特にその実施例1ないし
3に記載されている。
【0246】また、本発明において、下記一般式(VI)
で表されるアゾ色素からなる光機能性膜も好適に用いら
れる。
【0247】
【化116】 式中、k、Mは前記一般式(II−1)もしくは一般式
(II−2)におけるk、Mとそれぞれ同義であり、X、
11,Z12は一般式(V)におけるX、Z ,Z
12とそれぞれ同義である。
【0248】一般式(VI)で表されるアゾ色素の具体例
を以下に示す。
【0249】
【化117】 一般式(VI)で表わされるアゾ化合物は、定法にしたが
い芳香族ジアゾニウムのアゾカップリング反応により合
成できる。
【0250】本発明においては、有機色素などが結晶化
せずに非晶質状態を保ち易くするために高分子化合物を
併用してもよい。このような高分子化合物の例として
は、ゼラチン、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然
高分子物質、ニトロセルロース、セルロースアセテー
ト、セルロースアセテートブチレートなどのセルロース
誘導体、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、ポリイソブチレンなどの炭化水素系樹脂、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル−ポリ酢
酸ビニル共重合体などのビニル系樹脂、ポリエーテル、
ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸メチル、ポリメタ
クリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリエステル、ポ
リウレタン、ポリビニルアルコール、塩素化ポリオレフ
ィン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フ
ェノール−ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初
期重合物などの合成高分子物質を挙げることができる。
【0251】本発明の光機能性膜は、上記一般式(I)
〜(VI)で表される化合物のいずれかをスピンコート、
蒸着、スパッタリング等の公知の方法により金属膜上に
付与することにより得られる。その膜厚は、350nm
〜2000nmの範囲のいずれかの波長の光に対して表
面プラズモン共鳴が生じる条件を含むように制御される
が、通常10nmから1000nmの範囲が好ましい。
【0252】
【発明の効果】金属中においては、自由電子が集団的に
振動して、プラズマ波と呼ばれる粗密波が生じる。そし
て、金属表面に生じるこの粗密波を量子化したものは、
表面プラズモンと呼ばれている。
【0253】従来より、この表面プラズモンが光波によ
って励起される現象を利用して、光を変調する光変調素
子が考えられている。図3は、この光変調素子の基本構
成を示すものである。この光変調素子は、基本的に、被
変調光5がその内部を経て一面1aに全反射角で入射す
るように配された誘電体ブロック1と、この誘電体ブロ
ック1の一面1a上に形成された金属膜2と、この金属
膜2の上に形成された、光照射によって屈折率が変化す
る光機能性膜3と、この光機能性膜3に変調駆動光6を
照射する駆動光源7とから構成されている。
【0254】上記の構成において、誘電体ブロック1の
一面1aに対する被変調光5の入射角θは、例えば、光
機能性膜3に変調駆動光6が照射されたとき金属膜2に
表面プラズモン共鳴が励起され、照射されないとき表面
プラズモン共鳴が励起されない角度に設定される。
【0255】そのようにしておけば、光機能性膜3に変
調駆動光6を照射しない状態では、被変調光5が誘電体
ブロック1と金属膜2との界面で全反射してA方向に進
行する。一方、光機能性膜3に変調駆動光6を照射する
と、金属膜2に表面プラズモン共鳴が励起されて全反射
が解消され、被変調光5の反射光量が著しく低下し、あ
るいは全くゼロとなる。このようにして、変調駆動光6
の照射を制御することにより、A方向に進行する被変調
光5を変調することができる。
【0256】本発明による光論理素子は、上記光変調素
子の光スイッチング作用に着目して得られたものであ
り、その中でも、図1に示すaモードの光論理素子10a
は、誘電体ブロック1の一面1aに対する駆動光Ldの
入射角θが、光機能性膜3に制御光Lcが照射されたと
き金属膜2に表面プラズモン共鳴が比較的強く励起さ
れ、照射されないとき表面プラズモン共鳴が比較的弱く
励起されるかまたは励起されない角度に設定されてい
る。
【0257】そこでこのaモードの光論理素子10aにあ
っては、同図(1)のように光機能性膜3に制御光Lc
が照射されないときは、誘電体ブロック1と金属膜2と
の界面で駆動光Ldが強く全反射する。それに対して、
同図(2)のように光機能性膜3に制御光Lcが照射さ
れたときは、全反射解消現象が生じて駆動光Ldは上記
界面で全く反射しないか、あるいは僅かしか反射しな
い。
【0258】一方、図2に示すbモードの光論理素子10
bは、誘電体ブロック1の一面1aに対する駆動光Ld
の入射角θが、光機能性膜3に制御光Lcが照射されな
いとき金属膜2に表面プラズモン共鳴が比較的強く励起
され、照射されたとき表面プラズモン共鳴が比較的弱く
励起されるかまたは励起されない角度に設定されてい
る。
【0259】そこでこのbモードの光論理素子10bにあ
っては、同図(1)のように光機能性膜3に制御光Lc
が照射されないときは、全反射解消現象が生じて、駆動
光Ldは上記界面で全く反射しないかあるいは僅かしか
反射せず、それに対して、同図(2)のように光機能性
膜3に制御光Lcが照射されたときは、上記界面で駆動
光Ldが強く全反射する。
【0260】上述の通り、aモードの光論理素子10aや
bモードの光論理素子10bにおいては、制御光Lcの入
射、非入射に応じて、素子からの駆動光Ldの出射状態
が変化するので、この制御光Lcや、あるいは誘電体ブ
ロック1の一面1aに入射する前の駆動光Ldを論理演
算のための入力光とし、素子から出射する駆動光Ldを
出力光とすれば、光論理素子単独で、あるいは複数の組
み合わせにより、種々の論理演算をさせることが可能と
なる。
【0261】また、上記のように制御光Lcの入射、非
入射に応じて、素子からの駆動光Ldの出射状態が変化
するので、1つの光論理素子から出射する駆動光Ldを
その素子自身の光機能性膜に入射させたり、別の素子の
光機能性膜に入射させることにより、ある光論理素子か
ら駆動光Ldが出射する状態、出射しない状態を自動的
に切り換えることが可能となる。つまり、この光論理素
子単独で、あるいは複数の組み合わせにより、自励発振
する光発振回路を構成することができる。
【0262】上記構成の本発明による光論理素子は、構
成が極めて簡単であるから、安価に形成可能であり、し
たがって、この光論理素子を用いる本発明の光論理回路
や光発振回路も、安価に形成できるものとなる。
【0263】また、本発明による光論理素子は、化学物
質の光による高速な反応を利用して光スイッチング作用
を果たすものであるから、この光論理素子を用いる本発
明の光論理回路は高速演算が可能なものとなり、またこ
の光論理素子を用いる本発明の光発振回路は、発振周期
が極めて短くて、非常に高い周波数で発振し得るものと
なる。
【0264】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実
施形態である光論理素子10aの概略側面形状を示すもの
である。この光論理素子10aは先に説明したaモード形
のものであって、駆動光Ldがその内部を経て一面1a
に全反射角で入射するように配されたプリズム状の誘電
体ブロック1と、この誘電体ブロック1の一面1a上に
形成された金属膜2と、この金属膜2の上に形成され
た、光照射によって屈折率が変化する光機能性膜3とか
ら構成されている。
【0265】本例において、駆動光Ldは波長が680 n
mの直線偏光であり、誘電体ブロック1はその一面1a
にこの駆動光LdがP偏光として入射するように配設さ
れている。また誘電体ブロック1は高屈折率ガラスから
なり、その波長680 nmに対する屈折率は2.05であ
る。一方金属膜2は一例としてAuからなるもので、膜
厚は15nmとされている。
【0266】光機能性膜3は、例えば、先に詳しく説明
した材料のいずれかを好適に用いて形成することができ
る。本実施形態では、波長680 nmに対する屈折率n
が、波長532 nmの制御光Lcが照射されない状態では
1.60で、制御光Lcが照射されると1.61となる
色素を用いて形成されている。
【0267】以下、この光論理素子10aの作用について
説明する。上述した通り光機能性膜3の波長680 nmに
対する屈折率nは、制御光Lcが照射されないとき、照
射されたときにそれぞれ1.60、1.61となる。誘
電体ブロック1と金属膜2との界面に対する駆動光Ld
の入射角θと、そこでの反射率との関係は、光機能性膜
3の屈折率nが1.60、1.61の場合に、それぞれ
図12に破線、実線で示す特性となる。
【0268】上記入射角θは、本例では52.2°に設
定されている。そこで、光機能性膜3に制御光Lcを照
射しない状態(屈折率nが1.60のとき)では上記反
射率がほぼ100%となり、光機能性膜3に制御光Lc
を照射した状態(屈折率nが1.61のとき)では上記
反射率がほぼ0%となるので、制御光Lcの非入射、入
射に応じて駆動光Ldが反射、無反射することになる。
なお、図1の(1)は光機能性膜3に制御光Lcが全く
照射されない状態を示し、同図(2)は光機能性膜3に
制御光Lcが照射された状態を示している。
【0269】そこで、制御光Lcや、あるいは誘電体ブ
ロック1の一面1aに入射する前の駆動光Ldを論理演
算のための入力光とし、光論理素子10aから出射する駆
動光Ldを出力光とすれば、この光論理素子10a単独
で、あるいは複数の組み合わせにより、種々の論理演算
をさせることが可能となる。
【0270】本発明者等は、光機能性膜として下記に示
す化合物をスピンコートにより160nm厚に設けた図
1の構成の光論理素子を作成し、論理演算が可能なこと
を確認した。
【0271】
【表4】 次に、本発明の第2実施形態について説明する。図2
は、本発明の第2の実施形態である光論理素子10bの概
略側面形状を示すものである。この光論理素子10bは先
に説明したbモード形のものであって、図1のものと同
様の誘電体ブロック1と、金属膜2と、光機能性膜3と
から構成されている。
【0272】この場合も、光機能性膜3の波長680 nm
に対する屈折率nは、制御光Lcが照射されないとき、
照射されたときにそれぞれ1.60、1.61となる。
また、誘電体ブロック1と金属膜2との界面に対する駆
動光Ldの入射角θと、そこでの反射率との関係は、光
機能性膜3の屈折率nが1.60、1.61の場合に、
それぞれ図12に破線、実線で示す特性となる。
【0273】上記入射角θは、本例では51.8°に設
定されている。そこで、光機能性膜3に制御光Lcを照
射しない状態(屈折率nが1.60のとき)では上記反
射率がほぼ0%となり、光機能性膜3に制御光Lcを照
射した状態(屈折率nが1.61のとき)では上記反射
率がほぼ100%となるので、制御光Lcの非入射、入
射に応じて駆動光Ldが無反射、反射することになる。
なお、図2の(1)は光機能性膜3に制御光Lcが全く
照射されない状態を示し、同図(2)は光機能性膜3に
制御光Lcが照射された状態を示している。
【0274】そこで、制御光Lcや、あるいは誘電体ブ
ロック1の一面1aに入射する前の駆動光Ldを論理演
算のための入力光とし、光論理素子10bから出射する駆
動光Ldを出力光とすれば、この光論理素子10b単独
で、あるいは複数の組み合わせにより、種々の論理演算
をさせることが可能となる。
【0275】次に、以上説明した光論理素子10aや光論
理素子10bを利用した光論理回路の実施形態について、
図4〜7を参照して説明する。
【0276】なお、これらの図4〜7において、光論理
素子10a、10bの詳しい構成はそれぞれ図1、2に示し
たものと同様であるから、その詳しい構成については図
示を省き、光論理素子10a、10bを単なる二等辺三角形
で示す(光発振回路を示す図8〜11も同様)。また図
4〜7において、入力光は丸囲みのI、I1あるいはI
2の文字で示し、出力光は同じく丸囲みのOの文字で示
す。
【0277】まず、図4に示すNOT回路について説明
する。ここではaモード形の光論理素子10aが用いら
れ、駆動光Ldがそこに(詳しくは誘電体ブロック1の
一面1aに、ということである。以下、同様)入射す
る。また制御光Lcがこの光論理素子10aに(詳しくは
光機能性膜3に、ということである。以下、同様)遮断
自在にして入射する。
【0278】本実施形態において、制御光Lcはただ1
つの入力光Iとして作用する。aモード形のこの光論理
素子10aでは先に説明した通り、同図(1)のように入
力光Iが入射しない場合は出力光O(全反射した駆動光
Ld)が出射し、同図(2)のように入力光Iが入射し
た場合は出力光Oが出射しない。すなわち、入力光Iや
出力光Oの存在を「1」、非存在を「0」として示せ
ば、入力状態が「0」のとき出力状態が「1」となり、
入力状態が「1」のとき出力状態が「0」となるNOT
回路が構成されている。
【0279】次に、図5に示すexNOR回路について
説明する。ここではaモード形の光論理素子10aが用い
られ、駆動光Ldがそこに入射する。また2つの制御光
Lcがこの光論理素子10aにそれぞれ遮断自在にして入
射する。
【0280】本実施形態において、2つの制御光Lcは
それぞれ入力光I1、I2として作用する。aモード形
のこの光論理素子10aでは先に説明した通り、同図
(1)のように入力光I1、I2が入射しない場合は出
力光O(全反射した駆動光Ld)が出射し、同図
(2)、(3)のように1つの入力光I1あるいはI2
が入射した場合は出力光Oが出射しない。また、同図
(4)のように入力光I1、I2がともに入射した場合
は、制御光の強度が強過ぎることにより全反射解消状態
が崩れ、出力光Oが出射する。
【0281】すなわち、入力光I1、I2や出力光Oの
存在を「1」、非存在を「0」として示せば、入力状態
が「0」「0」のとき出力状態が「1」となり、入力状
態が「1」「0」のとき出力状態が「0」となり、入力
状態が「0」「1」のとき出力状態が「0」となり、そ
して入力状態が「1」「1」のとき出力状態が「1」と
なるexNOR回路が構成されている。
【0282】次に、図6に示すAND回路について説明
する。ここではbモード形の光論理素子10bが用いら
れ、そこに駆動光Ldと1つの制御光Lcがそれぞれ遮
断自在にして入射する。
【0283】本実施形態において、制御光Lcは1つの
入力光I1として作用し、駆動光Ldは別の入力光I2
として作用する。bモード形のこの光論理素子10bでは
先に説明した通り、同図(2)のように2つの入力光I
1、I2の双方が入射した場合のみ出力光O(全反射し
た駆動光Ld)が出射し、同図(1)、(3)および
(4)のように入力光I1、I2の一方でも入射しない
場合は出力光Oが出射しない。
【0284】すなわち、入力光I1、I2や出力光Oの
存在を「1」、非存在を「0」として示せば、入力状態
が「0」「0」のとき、「0」「1」のとき、および
「1」「0」のとき出力状態が「0」となり、入力状態
が「1」「1」のとき出力状態が「1」となるAND回
路が構成されている。
【0285】次に、図7に示すOR回路について説明す
る。ここではbモード形の光論理素子10bが用いられ、
駆動光Ldがそこに入射する。また2つの制御光Lcが
この光論理素子10aにそれぞれ遮断自在にして入射す
る。
【0286】本実施形態において、2つの制御光Lcは
それぞれ入力光I1、I2として作用する。bモード形
のこの光論理素子10bでは先に説明した通り、同図
(1)のように入力光I1、I2が入射しない場合は出
力光O(全反射した駆動光Ld)が出射せず、同図
(2)、(3)のように1つの入力光I1あるいはI2
が入射した場合は出力光Oが出射する。また、同図
(4)のように入力光I1、I2がともに入射した場合
も全反射解消状態が崩れ、出力光Oが出射する。
【0287】すなわち、入力光I1、I2や出力光Oの
存在を「1」、非存在を「0」として示せば、入力状態
が「1」「1」のとき、「1」「0」のとき、および
「0」「1」のとき出力状態が「1」となり、入力状態
が「0」「0」のとき出力状態が「0」となるOR回路
が構成されている。
【0288】なお、以上説明した図5のexNOR回
路、図6のAND回路、図7のOR回路を、それらの各
出力光Oが図4のNOT回路に入力光Iとして入射する
ように該NOT回路と組み合わせれば、それぞれexO
R回路、NAND回路、NOR回路が得られる。
【0289】ここで、本発明の光論理回路において、1
つの光論理素子に入射させる複数の光としては、互いに
波長の異なる光が使用されるのが望ましい。例えば図4
のNOT回路では、制御光Lcによって光論理素子10a
の状態が変化する。光論理素子10aの応答は波長依存性
があるので、制御光Lcとしては、光論理素子10aの応
答特性を良くする波長の光を用いるのが好ましい。一
方、駆動光Ldは光機能性膜3に到達しないような構成
を採用しても、そこに漏れ光が一部到達してしまうこと
があり得る。そこでこの駆動光Ldとして、光論理素子
10aの応答特性が比較的低くなる波長の光を用いておけ
ば、漏れ光があったとしても、光論理素子10aへの影響
を少なく抑えることができる。
【0290】次に、光論理素子10aや光論理素子10bを
利用した光発振回路の実施形態について、図8〜11を
参照して説明する。まず、図8の光発振回路について説
明する。この光発振回路は、1つのbモード形光論理素
子10bと、1つのaモード形光論理素子10aと、ミラー
21、22、23からなる光学系とから構成されたものであ
る。aモード形光論理素子10aは、bモード形光論理素
子10bの誘電体ブロック1と金属膜2との界面(図2参
照)で全反射した駆動光Ld1をその光機能性膜3で受
けるように配されている。
【0291】以下、この光発振回路の作用について説明
する。図8(1)に示されるようにbモード形光論理素
子10b、aモード形光論理素子10aにはそれぞれ、駆動
光Ld1、Ld2が入射される。またbモード形光論理
素子10bには、トリガ光として制御光Lcが入射され
る。bモード形光論理素子10bに制御光Lcが入射する
と、該bモード形光論理素子10bにおいて駆動光Ld1
が全反射し、この駆動光Ld1はaモード形光論理素子
10aに制御光として入射する。
【0292】するとaモード形光論理素子10aにおいて
全反射解消現象が生じ、駆動光Ld2がそこで全反射す
ることはなくなる。なお、aモード形光論理素子10aに
おいて全反射解消現象が生じない場合、駆動光Ld2は
この光論理素子10aで全反射してからミラー21、22、23
で次々に反射し、図8(2)に破線で示す光路を辿って
bモード形光論理素子10bに制御光として入射する。
【0293】次にトリガ光である制御光Lcを遮断する
と、bモード形光論理素子10bにおいて全反射解消現象
が生じ、駆動光Ld1がそこで全反射することはなくな
る。すると、駆動光Ld1がaモード形光論理素子10a
に制御光として入射することがなくなるので、駆動光L
d2がこの光論理素子10aで全反射し、bモード形光論
理素子10bに制御光として入射する。
【0294】するとこのbモード形光論理素子10bにお
いて駆動光Ld1が全反射し、この駆動光Ld1はaモ
ード形光論理素子10aに制御光として入射する。それに
より、aモード形光論理素子10aにおいて全反射解消現
象が生じ、駆動光Ld2がそこで全反射することはなく
なる。
【0295】以上の動作が繰り返されることにより、b
モード形光論理素子10bからの駆動光Ld1の出射、非
出射、およびaモード形光論理素子10aからの駆動光L
d2の出射、非出射が自動的かつ継続的に切り替えられ
る。このような自励発振状態が得られているときに、例
えばミラー22とミラー23との間からビームスプリッタ等
により駆動光Ld2の一部を取り出せば、非常に高速で
ON/OFFしている光を取り出すことができる。この発振を
停止させるには、駆動光Ld1あるいは駆動光Ld2を
遮断すればよい。
【0296】なお、上に説明したトリガ光を使用しなく
ても、発振を開始させることができる。例えば、駆動光
Ld1をbモード形光論理素子10bに入射させるよりも
少し早いタイミングで駆動光Ld2をaモード形光論理
素子10aに入射させれば、発振が開始する。
【0297】また、bモード形光論理素子10bとaモー
ド形光論理素子10aとを結合する光学系としては、図8
に示されるものに限らず、その他例えば、図9および1
0にそれぞれ示す光学系も適用可能である。
【0298】図9の実施形態においては、bモード形光
論理素子10bとaモード形光論理素子10aとが互いに若
干ずらした状態に配設され、bモード形光論理素子10b
で全反射した駆動光Ld1がミラー31で反射して、aモ
ード形光論理素子10aに制御光として入射する一方、a
モード形光論理素子10aで全反射した駆動光Ld2がミ
ラー32で反射して、bモード形光論理素子10bに制御光
として入射するようになっている。
【0299】また図10の実施形態においては、bモー
ド形光論理素子10bとaモード形光論理素子10aとが互
いに向き合う状態に配設され、bモード形光論理素子10
bで全反射した駆動光Ld1がミラー41で反射して、a
モード形光論理素子10aに制御光として入射する一方、
aモード形光論理素子10aで全反射した駆動光Ld2が
ミラー42で反射して、bモード形光論理素子10bに制御
光として入射するようになっている。
【0300】次に図11を参照して、本発明による光発
振回路のさらに別の実施形態について説明する。この光
発振回路は、1つのaモード形光論理素子10aと、ミラ
ー51、52、53からなる光学系とから構成されたものであ
る。ミラー51、52、53は、aモード形光論理素子10aの
誘電体ブロック1と金属膜2との界面(図1参照)で全
反射した駆動光Ldを、該光論理素子10aの光機能性膜
3に入射させるように配されている。
【0301】以下、この光発振回路の作用について説明
する。図11(1)に示されるようにaモード形光論理
素子10aには、駆動光Ldが入射される。この駆動光L
dはaモード形光論理素子10aで全反射してそこから出
射した後、上記ミラー51、52、53で次々と反射して、こ
のaモード形光論理素子10aに制御光として入射する。
すると同図(2)に示されるように、aモード形光論理
素子10aにおいて全反射解消現象が生じ、駆動光Ldが
そこで全反射することはなくなる。
【0302】駆動光Ldが全反射しなくなると、この駆
動光Ldがaモード形光論理素子10aに制御光として入
射することもなくなる。すると、全反射解消状態が崩れ
て、駆動光Ldがaモード形光論理素子10aで全反射す
るようになる。
【0303】以上の動作が繰り返されることにより、こ
の場合も、aモード形光論理素子10aからの駆動光Ld
の出射、非出射が自動的かつ継続的に切り替えられて、
自励発振状態が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光論理素子の第1の実施形態を示す概
略側面図
【図2】本発明の光論理素子の第2の実施形態を示す概
略側面図
【図3】本発明に関連する従来の光変調素子を示す概略
側面図
【図4】本発明の光論理回路の一実施形態を示す概略側
面図
【図5】本発明の光論理回路の別の実施形態を示す概略
側面図
【図6】本発明の光論理回路のさらに別の実施形態を示
す概略側面図
【図7】本発明の光論理回路のさらに別の実施形態を示
す概略側面図
【図8】本発明の光発振回路の一実施形態を示す概略側
面図
【図9】本発明の光発振回路の別の実施形態を示す概略
側面図
【図10】本発明の光発振回路のさらに別の実施形態を
示す概略側面図
【図11】本発明の光発振回路のさらに別の実施形態を
示す概略側面図
【図12】図1の光論理素子における、誘電体ブロック
と金属膜との界面に対する駆動光の入射角θと、そこで
の反射率との関係を示すグラフ
【符号の説明】
1 誘電体ブロック 1a 誘電体ブロックの一面 2 金属膜 3 光機能性膜 10a aモード形光論理素子 10b bモード形光論理素子 21、22、23、31、32、41、42、51、52、53 ミラー Lc 制御光 Ld、Ld1、Ld2 駆動光 I、I1、I2 入力光 O 出力光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/355 G02F 1/355

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1つまたは複数の入力光に対して論理演
    算を行なう光論理素子であって、 駆動光がその内部を経て一面に全反射角で入射するよう
    に配された誘電体ブロックと、 この誘電体ブロックの前記一面上に形成された金属膜
    と、 制御光の照射を受けるように前記金属膜の上に形成され
    た、光照射によって屈折率が変化する光機能性膜とから
    なる光論理素子。
  2. 【請求項2】 前記光機能性膜が下記の一般式(I)で
    示される化合物からなることを特徴とする請求項1記載
    の光論理素子。 【化1】 式中、DYEは、一価のシアニン色素陽イオンを表
    し、nは1以上の整数を表し、R 及びR は、各々
    独立に置換基を表し、R 及びR は、各々独立にア
    ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル
    基、アリール基または複素環基を表し、R
    、RとR 、RとR 又はR とR
    は各々互いに連結して環を形成してもよく、r及びs
    は、各々独立に0〜4の整数を表し、そしてrとsが2
    以上の場合には、複数のr及びsは各々互いに同じであ
    っても異なっていてもよい。
  3. 【請求項3】 前記光機能性膜が下記の一般式(II−
    1)で示される色素化合物、一般式(II−2)で示され
    る色素化合物をそれぞれ単独で、あるいは組み合わせて
    形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の
    光論理素子。 【化2】 式中、A,A,B及びBは置換基を表し、
    ,L,L,L及びLはメチン基を表し、X
    は=O,=NR,=C(CN)を表し(ここでRは
    置換基を表す)、Xは−O,−NR,−C(CN)
    を表し(ここでRは置換基を表す)、m,nは0〜2の
    整数を表す。YとEは炭素環または複素環を形成する
    のに必要な原子または原子群を表し、ZとGは炭素環
    または複素環を形成するのに必要な原子または原子群を
    表す。x及びyはそれぞれ独立に0または1を表す。M
    k+はオニウムイオンを表す。kは電荷数を表す。
  4. 【請求項4】 前記光機能性膜が下記の一般式(III)
    で示される有機色素からなることを特徴とする請求項1
    記載の光論理素子。 【化3】 式中、ZおよびZは5員または6員の含窒素複素環
    を形成するに必要な原子群を表し、R30,R31は各
    々独立にアルキル基を表し、L,L,L,L
    よびLはメチン基を表し、n1,n2は各々0〜2の
    整数を表し、p,qは各々独立に0〜2の整数を表し、
    Mは電荷均衡対イオンを表す。
  5. 【請求項5】 前記光機能性膜が前記一般式(III)で
    示される有機色素と、下記の一般式(IV)で示される有
    機酸化剤との組み合わせからなることを特徴とする請求
    項4記載の光論理素子。 【化4】 式中、m,nは各々独立に0〜2の整数を表し、X
    は=NRまたは=CRを表し(R
    ,Rは置換基を表す)、LおよびLは各々独
    立に2価の連結基を表す。
  6. 【請求項6】 前記光機能性膜が下記の一般式(V)で
    示される有機色素からなることを特徴とする請求項1記
    載の光論理素子。 【化5】 式中、Mは金属原子を表し、Xは酸素原子、硫黄原子、
    または=NR21を表し、R21は、水素原子、アルキ
    ル基、アリール基、アシル基、アルキルスルホニル基、
    またはアリールスルホニル基を表し、Z11は5員また
    は6員の含窒素複素環を完成するために必要な原子団を
    表し、Z12は、芳香環または複素芳香環を完成するた
    めに必要な原子団を表す。
  7. 【請求項7】 前記光機能性膜が下記の一般式(VI)で
    示される有機色素からなることを特徴とする請求項1記
    載の光論理素子。 【化6】 式中、k、Mは前記一般式(II−1)もしくは一般式
    (II−2)におけるk、Mとそれぞれ同義であり、X、
    11,Z12は前記一般式(V)におけるX、
    11,Z12とそれぞれ同義である。
  8. 【請求項8】 誘電体ブロックの前記一面に対する駆動
    光の入射角が、前記光機能性膜に前記制御光が照射され
    たとき前記金属膜に表面プラズモン共鳴が比較的強く励
    起され、照射されないとき表面プラズモン共鳴が比較的
    弱く励起されるかまたは励起されない角度に設定されて
    いることを特徴とする請求項1から7いずれか1項記載
    の光論理素子。
  9. 【請求項9】 誘電体ブロックの前記一面に対する駆動
    光の入射角が、前記光機能性膜に前記制御光が照射され
    ないとき前記金属膜に表面プラズモン共鳴が比較的強く
    励起され、照射されたとき表面プラズモン共鳴が比較的
    弱く励起されるかまたは励起されない角度に設定されて
    いることを特徴とする請求項1から7いずれか1項記載
    の光論理素子。
  10. 【請求項10】 請求項8記載の光論理素子を1つ用い
    た光論理回路であって、前記光機能性膜に入射する1つ
    の制御光を入力光として受け、前記誘電体ブロックと金
    属膜との界面で全反射した駆動光をNOT演算結果であ
    る出力光として発することを特徴とする光論理回路。
  11. 【請求項11】 請求項8記載の光論理素子を1つ用い
    た光論理回路であって、前記光機能性膜に入射する2つ
    の制御光を入力光として受け、前記誘電体ブロックと金
    属膜との界面で全反射した駆動光をexNOR演算結果
    である出力光として発することを特徴とする光論理回
    路。
  12. 【請求項12】 請求項9記載の光論理素子を1つ用い
    た光論理回路であって、前記光機能性膜に入射する1つ
    の制御光および前記誘電体ブロックの一面に入射する前
    の1つの駆動光を2つの入力光として受け、該誘電体ブ
    ロックと金属膜との界面で全反射した駆動光をAND演
    算結果である出力光として発することを特徴とする光論
    理回路。
  13. 【請求項13】 請求項9記載の光論理素子を1つ用い
    た光論理回路であって、前記光機能性膜に入射する2つ
    の制御光を入力光として受け、前記誘電体ブロックと金
    属膜との界面で全反射した駆動光をOR演算結果である
    出力光として発することを特徴とする光論理回路。
  14. 【請求項14】 請求項1から9いずれか1項記載の光
    論理素子が複数、1つの光論理素子の誘電体ブロックと
    金属膜との界面で全反射した駆動光が、他の光論理素子
    に対して前記制御光として入射するように組み合わされ
    てなる光論理回路。
  15. 【請求項15】 請求項8記載の光論理素子1つが、そ
    の前記光機能性膜に入射する2つの制御光を入力光とし
    て受ける前段の光論理素子として配されるとともに、 請求項8記載の光論理素子1つが、前記前段の光論理素
    子の誘電体ブロックと金属膜との界面で全反射した駆動
    光を1つの制御光として受ける後段の光論理素子として
    配されてなり、 前記後段の光論理素子の誘電体ブロックと金属膜との界
    面で全反射した駆動光をexOR演算結果である出力光
    として発することを特徴とする光論理回路。
  16. 【請求項16】 請求項9記載の光論理素子1つが、そ
    の前記光機能性膜に入射する1つの制御光および前記誘
    電体ブロックの一面に入射する前の1つの駆動光を2つ
    の入力光として受ける前段の光論理素子として配される
    とともに、 請求項8記載の光論理素子1つが、前記前段の光論理素
    子の誘電体ブロックと金属膜との界面で全反射した駆動
    光を1つの制御光として受ける後段の光論理素子として
    配されてなり、 前記後段の光論理素子の誘電体ブロックと金属膜との界
    面で全反射した駆動光をNAND演算結果である出力光
    として発することを特徴とする光論理回路。
  17. 【請求項17】 請求項9記載の光論理素子1つが、そ
    の前記光機能性膜に入射する2つの制御光を入力光とし
    て受ける前段の光論理素子として配されるとともに、 請求項8記載の光論理素子1つが、前記前段の光論理素
    子の誘電体ブロックと金属膜との界面で全反射した駆動
    光を1つの制御光として受ける後段の光論理素子として
    配されてなり、 前記後段の光論理素子の誘電体ブロックと金属膜との界
    面で全反射した駆動光をNOR演算結果である出力光と
    して発することを特徴とする光論理回路。
  18. 【請求項18】 1つの光論理素子に入射させる複数の
    光として、互いに波長の異なる光が使用されていること
    を特徴とする請求項10から17いずれか1項記載の光
    論理回路。
  19. 【請求項19】 請求項8記載の光論理素子と、 この光論理素子の前記誘電体ブロックと金属膜との界面
    で全反射した駆動光を、該光論理素子の前記光機能性膜
    に入射させる光学系とからなる光発振回路。
  20. 【請求項20】 請求項9記載の光論理素子1つと、 この光論理素子の前記誘電体ブロックと金属膜との界面
    で全反射した駆動光を前記光機能性膜で受けるように配
    された請求項8記載の光論理素子1つと、 この後者の光論理素子の前記誘電体ブロックと金属膜と
    の界面で全反射した駆動光を、前者の光論理素子の前記
    光機能性膜に入射させる光学系とからなる光発振回路。
  21. 【請求項21】 1つの光論理素子に入射させる複数の
    光として、互いに波長の異なる光が使用されていること
    を特徴とする請求項19または20記載の光発振回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014203361A1 (ja) * 2013-06-19 2014-12-24 富士通株式会社 光論理回路
JP2018136489A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 日本電信電話株式会社 線形光論理素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014203361A1 (ja) * 2013-06-19 2014-12-24 富士通株式会社 光論理回路
JPWO2014203361A1 (ja) * 2013-06-19 2017-02-23 富士通株式会社 光論理回路
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JP2018136489A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 日本電信電話株式会社 線形光論理素子

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