JP2000315425A - Conductive fine particles and conductive connection structure - Google Patents

Conductive fine particles and conductive connection structure

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JP2000315425A
JP2000315425A JP11125958A JP12595899A JP2000315425A JP 2000315425 A JP2000315425 A JP 2000315425A JP 11125958 A JP11125958 A JP 11125958A JP 12595899 A JP12595899 A JP 12595899A JP 2000315425 A JP2000315425 A JP 2000315425A
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fine particles
coating layer
resin base
layer
plating
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Japanese (ja)
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Kazuhiko Kamiyoshi
和彦 神吉
Yoshiaki Kodera
嘉秋 小寺
Kazuo Ukai
和男 鵜飼
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Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent generation of crack or wrinkle of a metallic coating layer and separation of it from a resin base-material particle, by forming the metallic coating layer around a graft polymeric layer formed around the resin base- material particle. SOLUTION: An average grain size and a grain size variation coefficient of a spherical or spheroidal resin base-material particle 11 made of a linear polymer, a net polymer, a resin material such as thermo-setting resin, or organic or inorganic hybrid material are set in ranges for facilitating formation of a uniform metallic coating layer 13 and joining between micro electrodes. A graft, polymeric layer 12 made of one or more kinds of monomer such as styrene. The metallic coating layer 13 with a single layer or a plurality of layers has a thickness in a range that does not cause high resistance or high cost, and is formed by electroless or electrolytic plating, vacuum deposition, or sputtering of Cu or Ni. The metallic coating layer 13 is engaged with the graft polymeric layer 12 to improve adhesiveness, and is highly reliably used for a conductive connection structure such as a semiconductor element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電極間の接続に用
いられる導電性微粒子及び該導電性微粒子が用いられた
導電接続構造体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to conductive fine particles used for connection between electrodes and a conductive connection structure using the conductive fine particles.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュ
ータ、携帯通信機器等のエレクトロニクス製品におけ
る、フリップチップ・ボンディングやボールグリッドア
レイ(BGA)等を用いた接続等、電子部品や電子部品
素子と電極基板との導電接続においては、はんだ、ニッ
ケル、銅等からなる金属微粒子が用いられてきた。しか
しながら、これらの金属微粒子は、硬すぎたり、弾力性
に乏しいという欠点を有しており、これらの金属微粒子
を用いた導電接続構造体は、冷熱サイクル試験を行った
際に接続部にクラックが発生し易い等の問題点を有して
いた。
2. Description of the Related Art In electronic products such as a liquid crystal display, a personal computer, and a portable communication device, the electrical connection between an electronic component or an electronic component element and an electrode substrate, such as flip-chip bonding or connection using a ball grid array (BGA). In connection, metal fine particles made of solder, nickel, copper, or the like have been used. However, these metal fine particles have the drawback of being too hard or poor in elasticity, and the conductive connection structure using these metal fine particles has cracks in the connection part when a cooling / heating cycle test is performed. There were problems such as easy occurrence.

【0003】このような問題点を解決するために、樹脂
基材粒子の周囲に無電解メッキにより金属被覆層を設け
た導電性微粒子を用いて異方性導電膜を作製し、この異
方性導電膜を電子部品や電子部品素子と電極基板との導
電接続に用いることが提案されている。(特開昭61−
064882号公報、特開昭61−277105号公
報、特開昭63−190204号公報、特開平01−2
42782号公報及び特開平09−137289号公報
参照)。しかしながら、従来の樹脂基材粒子の周囲に無
電解メッキや電解メッキにより金属被覆層を設けた導電
性微粒子は以下のような問題点を有していた。
In order to solve such a problem, an anisotropic conductive film is prepared by using conductive fine particles having a metal coating layer provided around the resin base particles by electroless plating. It has been proposed to use a conductive film for conductive connection between an electronic component or an electronic component element and an electrode substrate. (Japanese Patent Laid-Open No. 61-
JP-A-664882, JP-A-61-277105, JP-A-63-190204, JP-A-01-2
No. 42782 and JP-A-09-137289). However, the conventional conductive fine particles provided with a metal coating layer around the resin base particles by electroless plating or electrolytic plating have the following problems.

【0004】即ち、従来の導電性微粒子においては、ニ
ッケル、金等からなる金属被覆層と樹脂基材粒子との密
着性が不足しているため、例えば、導電性微粒子により
接続された2枚の基板間に圧力を加えたり、ずり応力を
加えたりした場合に金属被覆層が、樹脂基材粒子表面か
ら剥離したり、脱離したりしやすかった。
That is, in the conventional conductive fine particles, the adhesion between the metal coating layer made of nickel, gold or the like and the resin base material particles is insufficient. When pressure was applied between the substrates or shear stress was applied, the metal coating layer was easily peeled off or detached from the surface of the resin base material particles.

【0005】また、従来の導電性微粒子を用いた導電接
続構造体を用いて、冷熱サイクル試験を行った際には、
金属被覆層にひび割れが生じたり、皺が発生したりしや
すかった。更に、従来の導電性微粒子は、上記のような
問題点を有するため、導電接続構造体の接合部におい
て、導電性微粒子の抵抗値が増大し、得られた導電接続
構造体は充分な信頼性を有していなかった。
[0005] Further, when a thermal cycle test is performed using a conventional conductive connection structure using conductive fine particles,
Cracks and wrinkles were easily generated in the metal coating layer. Further, since the conventional conductive fine particles have the above-described problems, the resistance value of the conductive fine particles increases at the junction of the conductive connection structure, and the obtained conductive connection structure has a sufficient reliability. Did not have.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑
み、ひび割れや皺が発生せず、樹脂基材粒子からの剥離
や脱離のない金属被覆層を有する導電性微粒子を提供す
ることを目的とする。また、上記導電性微粒子を用いて
作製された信頼性の高い導電接続構造体を提供すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and has as its object to provide conductive fine particles having a metal coating layer which does not crack or wrinkle and which does not peel off or detach from resin base particles. Aim. Another object is to provide a highly reliable conductive connection structure manufactured using the conductive fine particles.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂基材粒子
の周囲にグラフト重合層が形成され、上記グラフト重合
層の周囲に更に金属被覆層が形成されていることを特徴
とする導電性微粒子である。以下に、本発明の導電性微
粒子について、図面を参照しながら説明する。
The present invention is characterized in that a graft polymer layer is formed around resin base particles and a metal coating layer is further formed around the graft polymer layer. Fine particles. Hereinafter, the conductive fine particles of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0008】図1(a)及び(b)は、本発明の導電性
微粒子の一実施形態を示す断面図である。本発明の導電
性微粒子は、図1(a)に示すように樹脂基材粒子11
の周囲にグラフト重合層12が形成されており、更に、
その周囲に金属被覆層13が形成されている。
FIGS. 1A and 1B are sectional views showing one embodiment of the conductive fine particles of the present invention. As shown in FIG. 1A, the conductive fine particles of the present invention have resin base particles 11
A graft polymerization layer 12 is formed around the
A metal coating layer 13 is formed around the periphery.

【0009】樹脂基材粒子11としては、樹脂材料、又
は、有機・無機ハイブリット材料からなる粒子が挙げら
れる。上記樹脂材料としては、例えば、ポリスチレン、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリア
ミド等の線状重合体;ジビニルベンゼン、ヘキサトリエ
ン、ジビニルエーテル、ジビニルスルホン、ジアリルカ
ルビノール、アルキレンジアクリレート、オリゴ又はポ
リアルキレングリコールジアクリレート、オリゴ又はポ
リアルキレングリコールジメタクリレート、アルキレン
トリアクリレート、アルキレンテトラアクリレート、ア
ルキレントリメタクリレート、アルキレンテトラメタク
リレート、アルキレンビスアクリルアミド、アルキレン
ビスメタクリルアミド、両末端アクリル変性ポリブタジ
エンオリゴマー等を単独又は他の重合性モノマーと重合
させて得られる網状重合体;フェノールホルムアルデヒ
ド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナ
ミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂
等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。
The resin base particles 11 include particles made of a resin material or an organic / inorganic hybrid material. As the resin material, for example, polystyrene,
Linear polymers such as polymethyl methacrylate, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polysulfone, polycarbonate, and polyamide; divinylbenzene, hexatriene, divinyl ether, divinyl sulfone, diallyl carbinol, alkylene diacrylate, oligo or poly Alkylene glycol diacrylate, oligo or polyalkylene glycol dimethacrylate, alkylene triacrylate, alkylene tetraacrylate, alkylene trimethacrylate, alkylene tetramethacrylate, alkylene bisacrylamide, alkylene bismethacrylamide, acryl-modified polybutadiene oligomer at both ends alone or other Network obtained by polymerizing with polymerizable monomer Polymer; phenol formaldehyde resins, melamine formaldehyde resins, benzoguanamine-formaldehyde resins, and thermosetting resins such as urea-formaldehyde resins.

【0010】上記有機・無機ハイブリット材料として
は、例えば、側鎖にシリル基を有する(メタ)アクリレ
ートとスチレン、メチルメタクリレート等のビニルモノ
マーとの共重合体を作製した後、上記シリル基を縮合反
応させたもの;有機重合体共存下でテトラエトキシシラ
ン、トリエトキシシラン、ジエトキシシラン等をゾル−
ゲル反応させたもの;テトラエトキシシラン、トリエト
キシシラン、ジエトキシシラン等をゾル−ゲル反応させ
た後、低温で焼成を行うことにより有機成分を残留させ
たもの等が挙げられる。
As the organic / inorganic hybrid material, for example, a copolymer of (meth) acrylate having a silyl group in a side chain and a vinyl monomer such as styrene or methyl methacrylate is prepared, and then the silyl group is subjected to a condensation reaction. What was made; tetraethoxysilane, triethoxysilane, diethoxysilane, etc. in the presence of an organic polymer
Gel-reacted ones include those obtained by performing a sol-gel reaction of tetraethoxysilane, triethoxysilane, diethoxysilane, and the like, and then firing at low temperature to leave organic components.

【0011】上記樹脂材料や有機・無機ハイブリット材
料の合成方法としては特に限定されず、懸濁重合法、シ
ード重合法、分散重合法、ゾル−ゲル反応によるステー
バー法等の従来公知の合成方法を適宜選択して用いれば
よい。
The method for synthesizing the above-mentioned resin material and organic / inorganic hybrid material is not particularly limited, and a conventionally known synthesis method such as a suspension polymerization method, a seed polymerization method, a dispersion polymerization method, and a Steber method by a sol-gel reaction is used. It may be appropriately selected and used.

【0012】樹脂基材粒子11の形状は、球状又は回転
楕円体状である。樹脂基材粒子11の平均粒子径、即
ち、樹脂基材粒子11が球状の場合はその直径、回転楕
円体状の場合はその長直径は、1〜1000μmが好ま
しく、2〜500μmがより好ましい。平均粒子径が1
μm未満では、樹脂基材粒子に均一な被覆層を形成しに
くくなり、1000μmを超えると、微細電極間の接合
がしにくくなるからである。上記平均粒子径は、任意の
樹脂基材粒子300個を電子顕微鏡で観察・測定するこ
とにより得られる値である。
The shape of the resin base particles 11 is spherical or spheroidal. The average particle diameter of the resin base particles 11, that is, the diameter thereof when the resin base particles 11 are spherical and the long diameter thereof when the resin base particles 11 are spheroidal are preferably from 1 to 1000 µm, more preferably from 2 to 500 µm. Average particle size is 1
If it is less than μm, it is difficult to form a uniform coating layer on the resin base particles, and if it is more than 1000 μm, it is difficult to bond the fine electrodes. The average particle diameter is a value obtained by observing and measuring 300 arbitrary resin base material particles with an electron microscope.

【0013】樹脂基材粒子11の粒子径分布の変動係数
(CV値)は5%以下が好ましく、3%以下がより好ま
しい。上記CV値が5%を超えると、樹脂基材粒子の粒
子径が不揃いとなるため、この樹脂基材粒子を用いて製
造した導電性微粒子を介して電極同士を接続させる際
に、接続に関与しない導電性微粒子が発生して、隣接電
極間でのリーク現象が生じる場合がある。
The coefficient of variation (CV value) of the particle size distribution of the resin base particles 11 is preferably 5% or less, more preferably 3% or less. If the CV value is more than 5%, the particle diameter of the resin base particles becomes uneven. Therefore, when the electrodes are connected via the conductive fine particles produced using the resin base particles, the electrodes are involved in the connection. Undesired conductive fine particles may be generated, and a leak phenomenon may occur between adjacent electrodes.

【0014】上記CV値とは、下記の式(1); CV値(%)=(σ/Dn)×100・・・・(1) (式中、σは、粒子径の標準偏差を表し、Dnは、数平
均粒子径を表す)で表される値である。上記標準偏差及
び上記数平均粒子径は、任意の樹脂基材粒子300個を
電子顕微鏡で観察・測定することにより得られる値であ
る。
The CV value is defined by the following equation (1): CV value (%) = (σ / Dn) × 100 (1) (where σ represents the standard deviation of the particle diameter) , Dn represent the number average particle diameter). The standard deviation and the number average particle diameter are values obtained by observing and measuring 300 arbitrary resin base particles with an electron microscope.

【0015】本発明の導電性微粒子10は、樹脂基材粒
子11の周囲にグラフト重合層12が形成されている。
グラフト重合層12の厚さは、0.001〜10μmが
好ましく、0.01〜1μmがより好ましい。
In the conductive fine particles 10 of the present invention, a graft polymerization layer 12 is formed around resin base particles 11.
The thickness of the graft polymerization layer 12 is preferably from 0.001 to 10 μm, more preferably from 0.01 to 1 μm.

【0016】グラフト重合層12を形成させる際に用い
る単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチ
レン、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、メタク
リル酸イソブチル、アクリロニトリル、ビニルピロリド
ン、グリシジルメタクリレート、ヒドロキシエチルメタ
クリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ラウ
リルメタクリレート、酢酸ビニル、塩化ビニル、エチレ
ン、プロピレン、ブタジエン、イソプレン、アリルフタ
レート、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メ
タクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ポリアルキ
レングリコールモノメタクリレート、アクリル酸、メタ
クリル酸、リン酸エチルメタクリレート、リン酸プロピ
ルメタクリレート、リン酸ブチルメタクリレート、メタ
クリル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジメチル
アミノエチルメチルクロライド塩、アクリルアミド、メ
タクリルアミド等が挙げられる。これらの単量体は単独
で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
The monomers used for forming the graft polymerized layer 12 include, for example, styrene, α-methylstyrene, methyl acrylate, methyl methacrylate, isobutyl methacrylate, acrylonitrile, vinylpyrrolidone, glycidyl methacrylate, hydroxyethyl Methacrylate, hydroxypropyl methacrylate, lauryl methacrylate, vinyl acetate, vinyl chloride, ethylene, propylene, butadiene, isoprene, allyl phthalate, methacryloxymethyltrimethoxysilane, methacryloxypropyltriethoxysilane, polyalkylene glycol monomethacrylate, acrylic acid, methacryl Acid, ethyl phosphate methacrylate, propyl phosphate methacrylate, butyl phosphate methacrylate, dimethyl methacrylate Minoechiru, dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride salt, acrylamide, methacrylamide. These monomers may be used alone or in combination of two or more.

【0017】これらのなかでは、少量のカルボキシル
基、リン酸基及び/又はアミノ基を含むものが好まし
い。また、グラフト鎖同士を架橋させることができる点
から、モノマー中に少量のジビニルベンゼン、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメ
タンテトラアクリレート等の多官能性モノマーを含有さ
せることも好ましい。更に、グラフト重合層12には、
ポリアミド、ポリエステル、ポリビニルアルコール等の
重合体が高分子反応により結合されていてもよい。
Of these, those containing a small amount of a carboxyl group, a phosphate group and / or an amino group are preferred. It is also preferable to include a small amount of a polyfunctional monomer such as divinylbenzene, trimethylolpropane triacrylate, or tetramethylolmethanetetraacrylate in the monomer, since the graft chains can be crosslinked. Further, the graft polymerization layer 12 includes
Polymers such as polyamides, polyesters, and polyvinyl alcohols may be bonded by a polymer reaction.

【0018】グラフト重合層12を樹脂基材粒子11の
周囲に形成させる方法としては、従来公知の方法(「グ
ラフト重合とその応用」井出文雄著、高分子刊行会、1
984;特開平9−244034号公報等)を用いるこ
とができる。具体的には、例えば、樹脂基材粒子の表面
に存在する二重結合等の不飽和結合をラジカル重合開始
剤を用いて開裂させ、ビニルモノマーをグラフト重合さ
せる方法;セリウム塩(IV)、過ヨウ素酸塩等の酸化
剤により、アルコール性水酸基等の還元性基を表面に持
つ樹脂基材粒子の表面にラジカルを発生させ、これを起
点としてビニルモノマーをグラフト重合させる方法;過
硫酸塩−ハロゲン化リチウム系、過硫酸塩−酸性亜硫酸
塩系、過硫酸塩−Ag系、過硫酸塩−水酸基系、過酸化
水素−金属塩系等のレドックス系触媒を用いてグラフト
重合させる方法;パーエステル基、メルカプト基、ジア
ゾ基等の官能基を起点としてグラフト重合させる方法;
低温プラズマ、電子線、ガンマー線照射等の物理的手段
で樹脂基材粒子の表面を活性化した後、重合性モノマー
をグラフト重合させる方法;樹脂基材粒子の表面に存在
するアミノ基、水酸基等の反応性基に高分子反応により
グラフトポリマーを結合させる方法等が挙げられる。
As a method for forming the graft polymerization layer 12 around the resin substrate particles 11, a conventionally known method ("Graft Polymerization and Its Application" by Fumio Ide, Polymer Publishing Association, 1
984; Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-244034). Specifically, for example, a method in which an unsaturated bond such as a double bond existing on the surface of the resin base material particles is cleaved using a radical polymerization initiator to graft-polymerize a vinyl monomer; cerium salt (IV), A method in which radicals are generated on the surface of resin base particles having a reducing group such as an alcoholic hydroxyl group on the surface thereof with an oxidizing agent such as iodate, and a vinyl monomer is graft-polymerized from the radicals; persulfate-halogen Method for graft polymerization using a redox catalyst such as lithium fluoride, persulfate-acid sulfite, persulfate-Ag, persulfate-hydroxyl, hydrogen peroxide-metal salt, etc .; perester group Graft polymerization starting from a functional group such as a mercapto group or a diazo group;
A method of activating the surface of resin base particles by physical means such as low-temperature plasma, electron beam, or gamma-ray irradiation and then graft-polymerizing a polymerizable monomer; amino groups, hydroxyl groups, etc. present on the surface of the resin base particles A method in which a graft polymer is bonded to the reactive group by a polymer reaction.

【0019】本発明の導電性微粒子10では、グラフト
重合層12の周囲に更に金属被覆層13が形成されてい
る。金属被覆層13の厚さは、0.05〜100μmが
好ましく、0.1〜50μmがより好ましい。金属被覆
層13の厚さが0.05μm未満であると、導電性微粒
子の抵抗値が高くなり、充分な導電性が得られない場合
がある。一方、金属被覆層13の厚さは100μmを超
えても導電性微粒子の抵抗値はほとんど変化しないた
め、コスト面で不利になる。
In the conductive fine particles 10 of the present invention, a metal coating layer 13 is further formed around the graft polymerization layer 12. The thickness of the metal coating layer 13 is preferably 0.05 to 100 μm, and more preferably 0.1 to 50 μm. If the thickness of the metal coating layer 13 is less than 0.05 μm, the resistance value of the conductive fine particles may increase, and sufficient conductivity may not be obtained. On the other hand, even if the thickness of the metal coating layer 13 exceeds 100 μm, the resistance value of the conductive fine particles hardly changes, which is disadvantageous in cost.

【0020】金属被覆層13の構造は、単層構造であっ
てもよいし、2層以上の複層構造であってもよい。金属
被覆層が図1(b)に示すように2層からなる複層構造
の場合には、外側の金属被覆層13bは、融着のし易さ
の点から低融点金属からなる金属被覆層であることが好
ましい。また、金属被覆層が3層以上からなる複層構造
の場合も最外層は低融点金属からなる金属被覆層である
ことが好ましい。なお、上記低融点金属とは、内側の金
属被覆層を構成する金属よりも融点の低い金属を意味す
る。
The structure of the metal coating layer 13 may be a single layer structure or a multilayer structure of two or more layers. When the metal coating layer has a multilayer structure composed of two layers as shown in FIG. 1 (b), the outer metal coating layer 13b is formed of a low-melting-point metal from the viewpoint of easy fusion. It is preferred that Also in the case of a multilayer structure having three or more metal coating layers, the outermost layer is preferably a metal coating layer made of a low melting point metal. The low-melting-point metal means a metal having a lower melting point than the metal constituting the inner metal coating layer.

【0021】金属被覆層13を形成させる際に用いる金
属としては、例えば、周期律表におけるIB族、VII
I族、IIB族、IIIB族、IVB族、VB族等に属
する金属が挙げられる。これらのなかでは、IB族とし
ては、銅、銀、金、VIII族としては、ニッケル、パ
ラジウム、白金、IIB族としては、亜鉛、IIIB族
としては、ガリウム、アルミニウム、インジウム、IV
B族としては、錫、鉛、VB族としては、ビスマスがそ
れぞれ好ましい。これらの金属は単独で用いてもよい
し、2種以上の合金で用いてもよい。
Examples of the metal used for forming the metal coating layer 13 include IB group and VII in the periodic table.
Examples include metals belonging to Group I, Group IIB, Group IIIB, Group IVB, Group VB, and the like. Among them, group IB includes copper, silver and gold, group VIII includes nickel, palladium and platinum, group IIB includes zinc, group IIIB includes gallium, aluminum, indium, and IV.
As group B, tin and lead are preferable, and as group VB, bismuth is preferable. These metals may be used alone or in combination of two or more alloys.

【0022】金属被覆層13を形成する方法としては特
に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
具体的には、例えば、無電界メッキ法、電解メッキ法、
真空蒸着法、スパッタリングによる物理蒸着法等が挙げ
られる。
The method for forming the metal coating layer 13 is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.
Specifically, for example, electroless plating, electrolytic plating,
Examples thereof include a vacuum evaporation method and a physical evaporation method using sputtering.

【0023】以下に、このような方法を用いて形成する
金属被覆層の一例であるニッケル−金メッキについて説
明する。上記ニッケル−金メッキでは、グラフト重合層
が形成された樹脂基材粒子の表面に、無電解ニッケルメ
ッキを行った後、その表面部分に置換メッキにより金メ
ッキ層を形成する。上記無電解ニッケルメッキは触媒付
与工程とニッケル還元メッキ工程とからなる。
Hereinafter, nickel-gold plating, which is an example of a metal coating layer formed by using such a method, will be described. In the above-mentioned nickel-gold plating, after electroless nickel plating is performed on the surface of the resin substrate particles on which the graft polymerized layer is formed, a gold plating layer is formed on the surface by displacement plating. The electroless nickel plating includes a catalyst application step and a nickel reduction plating step.

【0024】上記触媒付与工程においては、グラフト重
合層が形成された樹脂基材粒子の表面に、メッキの核と
なる触媒を析出又は吸着させるが、この際、白金族の金
属化合物を用いることが好ましい。具体的には塩化第一
錫の塩酸溶液にグラフト重合層を有する樹脂基材粒子を
浸漬した後、更に、塩化パラジウムの塩酸溶液に浸漬加
熱し、水洗する。このようにして得た粒子では、パラジ
ウムがグラフト重合層中及びグラフト重合層表面に粒子
径50nm以下の超微粒子として析出している。
In the catalyst application step, a catalyst serving as a plating nucleus is deposited or adsorbed on the surface of the resin base material particles on which the graft polymerization layer is formed. In this case, a platinum group metal compound may be used. preferable. Specifically, after immersing the resin base particles having the graft polymerization layer in a hydrochloric acid solution of stannous chloride, the resin substrate particles are further immersed in a hydrochloric acid solution of palladium chloride, heated and washed with water. In the particles thus obtained, palladium is precipitated as ultrafine particles having a particle diameter of 50 nm or less in the graft polymerization layer and on the surface of the graft polymerization layer.

【0025】また、塩化錫と塩化パラジウムとの混合溶
液にグラフト重合層を有する樹脂基材粒子を浸漬し、そ
の後、塩酸又は硫酸水溶液を用いて錫を溶出、除去して
もよい。この場合も上記と同様、グラフト重合層中及び
グラフト重合層表面にパラジウムの超微粒子が析出して
いる。
Alternatively, the resin base particles having the graft polymerization layer may be immersed in a mixed solution of tin chloride and palladium chloride, and then tin may be eluted and removed using an aqueous solution of hydrochloric acid or sulfuric acid. Also in this case, similarly to the above, ultrafine particles of palladium are precipitated in the graft polymerization layer and on the surface of the graft polymerization layer.

【0026】更に、塩化パラジウムと、ポリビニルピロ
リドン、ポリアクリルアミド、ポリビニルピリジン等の
水溶性モノマーと、アスコルビン酸との混合水溶液にグ
ラフト重合層を有する樹脂基材粒子を浸漬してもよい
(特開昭61−166977号公報参照)。この場合も
上記と同様、グラフト重合層中及びグラフト重合層表面
にパラジウムの超微粒子が析出している。
Further, resin base particles having a graft polymerization layer may be immersed in a mixed aqueous solution of palladium chloride, a water-soluble monomer such as polyvinylpyrrolidone, polyacrylamide, polyvinylpyridine, and the like, and ascorbic acid (Japanese Patent Application Laid-Open (JP-A) no. 61-166977). Also in this case, similarly to the above, ultrafine particles of palladium are precipitated in the graft polymerization layer and on the surface of the graft polymerization layer.

【0027】次に、上記の方法により触媒の付与された
グラフト重合層を有する樹脂基材粒子を用いて、ニッケ
ル還元メッキを行う。上記ニッケル還元メッキを行う方
法としては、従来公知の方法(「最新無電解めっき技
術」 発行;総合技術センター、1986年、43頁
等)を用いることができ、酸性メッキ、アルカリ性メッ
キのいずれをも用いることができる。上記ニッケル還元
メッキとして、酸性メッキを用いる場合には、塩化ニッ
ケル又は硫酸ニッケル溶液に触媒処理された粒子を浸漬
し、PH4〜6の条件下で次亜リン酸ナトリウム溶液を
滴下しながらニッケルの還元を行うことにより、粒子表
面にニッケルメッキ層を形成することができる。
Next, nickel reduction plating is performed using the resin base particles having the graft polymerized layer provided with the catalyst by the above method. As a method for performing the nickel reduction plating, a conventionally known method ("Latest Electroless Plating Technology"published; General Technology Center, 1986, p. 43, etc.) can be used. Can be used. When acid plating is used as the nickel reduction plating, the catalyst-treated particles are immersed in a nickel chloride or nickel sulfate solution, and the nickel reduction is performed while dropping a sodium hypophosphite solution under conditions of pH 4 to 6. By performing the above, a nickel plating layer can be formed on the particle surface.

【0028】また、アルカリ性メッキを用いる場合に
は、PH8〜10の条件下でホウ酸又はホウ砂溶液を滴
下しながらニッケルの還元を行うことにより、粒子表面
にニッケルメッキ層を形成することができる。これらの
ニッケル還元メッキにおけるニッケル還元反応は、グラ
フト重合層及びグラフト重合層表面に存在するパラジウ
ムの超微粒子上で進行し、これによりニッケルメッキ層
が形成される。
When alkaline plating is used, a nickel plating layer can be formed on the particle surfaces by reducing nickel while dropping boric acid or borax solution under conditions of pH 8 to 10. . The nickel reduction reaction in the nickel reduction plating proceeds on the graft polymerization layer and the ultrafine particles of palladium existing on the surface of the graft polymerization layer, whereby a nickel plating layer is formed.

【0029】次に、ニッケルメッキ層の形成された粒子
に、置換メッキにより金メッキ層を形成する。上記金メ
ッキは、ニッケルを部分的に溶出させると同時に金をニ
ッケルメッキ層の表面部に析出させることにより行う。
具体的には、シアン化合金カリウム、EDTA及び塩化
アンモニウムからなる溶液にニッケルメッキ層が形成さ
れた粒子を投入し、加熱することにより行う。
Next, a gold plating layer is formed on the particles having the nickel plating layer formed thereon by displacement plating. The gold plating is performed by partially eluting nickel and simultaneously depositing gold on the surface of the nickel plating layer.
Specifically, the method is carried out by charging the particles having the nickel plating layer formed therein into a solution comprising potassium cyanide alloy, EDTA and ammonium chloride, and heating the solution.

【0030】このような構成からなる導電性微粒子10
では、金属被覆層13がグラフト重合層12に食い込ん
だ状態で形成されているため、樹脂基材粒子と金属被覆
層との密着性は極めて良好であり、両者が容易に剥離す
ることがない。そのため、本発明の導電性微粒子を用い
ることにより、信頼性の高い導電接続構造体を作製する
ことができる。
The conductive fine particles 10 having such a configuration
In this case, since the metal coating layer 13 is formed so as to bite into the graft polymerization layer 12, the adhesion between the resin base particles and the metal coating layer is extremely good, and the two are not easily separated. Therefore, a highly reliable conductive connection structure can be manufactured by using the conductive fine particles of the present invention.

【0031】上記導電接続構造体とは、基板若しくは電
子部品素子の電極部に導電性微粒子を固定することによ
り、又は、基板若しくは電子部品素子の電極部と他の基
板若しくは電子部品素子の電極部との間を導電性微粒子
を用いて接続することにより形成されたものである。
The above-mentioned conductive connection structure may be obtained by fixing conductive fine particles to a substrate or an electrode part of an electronic component element, or by connecting an electrode part of a substrate or an electronic part element to an electrode part of another substrate or an electronic part element. Are formed by using conductive fine particles to connect between them.

【0032】上記導電接続構造体に用いる基板として
は、例えば、紙フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、
ガラスポリイミド樹脂等をベースとするプリント配線基
板、ポリイミド、飽和ポリエステル樹脂等からなるフレ
キシブルプリント配線基板、セラミック基板等が挙げら
れる。上記基板の構造としては、単層構造であってもよ
いし、複層構造であってもよい。
As the substrate used for the conductive connection structure, for example, paper phenol resin, glass epoxy resin,
Examples include a printed wiring board based on a glass polyimide resin or the like, a flexible printed wiring board made of polyimide, a saturated polyester resin, or the like, a ceramic substrate, and the like. The structure of the substrate may be a single-layer structure or a multi-layer structure.

【0033】上記基板には、金、銀、銅、アルミニウ
ム、カーボン等の材料からなる配線が設けられており、
この配線の特定の位置に電極部が形成されている。上記
電極部は、これに接続する電子部品素子や他の基板の電
極部に対応した位置に形成されている。
The substrate is provided with wiring made of a material such as gold, silver, copper, aluminum and carbon.
An electrode portion is formed at a specific position of this wiring. The electrode portion is formed at a position corresponding to an electrode portion of an electronic component element or another substrate connected thereto.

【0034】また、上記電極部には、本発明の導電性微
粒子が固定されていてもよい。上記導電性微粒子を上記
電極部に固定するには、ボールマウンターや粒子散布機
を用いて、導電性微粒子を電極部に載置又は散布した
後、導電性微粒子の金属被覆層と基板の電極部とをはん
だ等の低融点金属を溶融させて接合したり、金、銀、イ
ンジウム等の軟質金属を圧接接合したり、樹脂ペース
ト、導電ペースト等を用いることにより固定する方法な
どを用いることができる。
Further, the conductive fine particles of the present invention may be fixed to the electrode portion. In order to fix the conductive fine particles to the electrode portion, using a ball mounter or a particle disperser, the conductive fine particles are placed or sprayed on the electrode portion, and then the metal coating layer of the conductive fine particles and the electrode portion of the substrate are used. And a method in which a low-melting metal such as solder is melted and joined, a soft metal such as gold, silver, and indium is pressed and joined, or a resin paste, a conductive paste, or the like is used for fixing. .

【0035】上記導電接続構造体に用いる電子部品素子
としては、例えば、半導体素子、抵抗素子、コンデンサ
ー素子、薄膜メモリー素子、水晶発振子等が挙げられ
る。上記半導体素子の具体例としては、例えば、ダイオ
ード、トランジスター、IC、LSI、SCR、光電素
子、大陽電池、LED等が挙げられる。更に、上記IC
の具体例としては、ベアーチップ、パッケージタイプI
C、チップサイズパッケージ(CSP)等が挙げられ
る。
Examples of the electronic component element used for the conductive connection structure include a semiconductor element, a resistance element, a capacitor element, a thin film memory element, a crystal oscillator, and the like. Specific examples of the semiconductor element include a diode, a transistor, an IC, an LSI, an SCR, a photoelectric element, a solar cell, an LED, and the like. Further, the above IC
Specific examples of bare chip, package type I
C, a chip size package (CSP), and the like.

【0036】本発明の導電接続構造体における電子回路
素子の電極作製は、蒸着法、スパッタ法等を用いて行う
ことができる。上記電子回路素子の電極の材質として
は、例えば、アルミニウム、銅、ニッケルクロム−金
(又は銅)、クロム−金、ニッケルクロム−パラジウム
−金、ニッケルクロム−銅−パラジウム−金、モリブテ
ン−金、チタン−パラジウム−金、チタン−白金−金等
の組合せが挙げられる。上記電子回路素子の電極の配置
としては、ペリフェラル型、エリア型、これらの混在型
が挙げられる。
The electrodes of the electronic circuit element in the conductive connection structure of the present invention can be produced by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. Examples of the material of the electrodes of the electronic circuit element include aluminum, copper, nickel chrome-gold (or copper), chromium-gold, nickel chromium-palladium-gold, nickel chromium-copper-palladium-gold, molybdenum-gold, Combinations of titanium-palladium-gold, titanium-platinum-gold and the like can be mentioned. Examples of the arrangement of the electrodes of the electronic circuit element include a peripheral type, an area type, and a mixed type thereof.

【0037】また、上記電子部品素子の電極部には、本
発明の導電性微粒子が固定されていてもよい。上記導電
性微粒子を上記電極部に固定する方法としては、上記基
板上の電極部に導電性微粒子を固定する方法と同様の方
法を用いることができる。
The conductive fine particles of the present invention may be fixed to the electrode part of the electronic component element. As a method of fixing the conductive fine particles to the electrode portion, a method similar to the method of fixing the conductive fine particles to the electrode portion on the substrate can be used.

【0038】このような構成からなる導電接続構造体を
作製する方法としては、例えば、以下の方法を用いるこ
とができる。即ち、上述した方法により基板又は電子部
品素子の電極部に導電性微粒子を固定させた後、上記導
電性微粒子と他の基板又は電子部品素子の電極部とを接
続することにより作製することができる。なお、接続の
際には、補助的にクリームはんだ、樹脂ペースト、導電
ペースト等を用いてもよい。
As a method for manufacturing the conductive connection structure having such a configuration, for example, the following method can be used. That is, after the conductive fine particles are fixed to the electrode portion of the substrate or the electronic component element by the above-mentioned method, the conductive fine particles can be manufactured by connecting the conductive fine particles to the electrode portion of another substrate or the electronic component element. . At the time of connection, cream solder, resin paste, conductive paste, or the like may be used as an auxiliary.

【0039】また、ボールマウンター又は粒子散布機を
用いて、導電性微粒子を少なくとも基板又は電子部品素
子の電極部に載置又は散布した後、もう一方の基板又は
電子部品素子を互いの電極部が相対向する位置におき、
重ね合わせる。その後、ボンディングマシーンを用い
て、熱及び/又は圧力を加えることにより、導電性微粒
子の金属被覆層を形成する低融点金属を溶融させたり、
金、銀、インジウム等の軟質金属を圧接させたりするこ
とにより作製することができる。なお、接続の際には、
補助的にクリームはんだ、樹脂ペースト、導電ペースト
等を用いてもよい。
Further, after the conductive fine particles are placed or sprayed on at least the substrate or the electrode portion of the electronic component element using a ball mounter or a particle disperser, the other substrate or the electronic component element is connected to the other electrode section. At opposite positions,
Overlap. Then, using a bonding machine, by applying heat and / or pressure, to melt the low melting point metal forming the metal coating layer of the conductive fine particles,
It can be produced by pressing a soft metal such as gold, silver or indium. When connecting,
A cream solder, a resin paste, a conductive paste, or the like may be used as an auxiliary.

【0040】更に、導電性微粒子を樹脂バインダー溶液
に分散させた後、これをキャスティング成型することに
より膜を得、この膜を基板又は電子部品素子に載せた
後、もう一方の基板又は電子部品素子を互いの電極部が
相対向する位置に置き、重ね合わせる。なお、上記膜の
代わりに、導電性微粒子を液状樹脂バインダーに混合、
分散させて導電ペーストを作製し、これを基板又は電子
部品素子の電極側表面に塗布してもよい。次に、この状
態でボンディングマシーンを用いて、熱及び/又は圧力
を加えることにより導電接続構造体を作製することがで
きる。なお、通常、基板又は電子部品素子の何れか一方
の電極部にバンプと称される導電突起物が予め形成され
るが、このようなバンプがなくても差し支えない。
Further, after dispersing the conductive fine particles in a resin binder solution, the film is cast by casting to obtain a film. The film is placed on a substrate or an electronic component element, and then the other substrate or the electronic component element. Are placed at positions where the electrode portions face each other, and are superposed. In addition, instead of the above film, conductive fine particles are mixed with a liquid resin binder,
A conductive paste may be prepared by dispersing the paste, and the paste may be applied to the substrate or the electrode-side surface of the electronic component element. Next, in this state, a conductive connection structure can be manufactured by applying heat and / or pressure using a bonding machine. In general, a conductive protrusion called a bump is formed in advance on one of the electrodes of the substrate or the electronic component element, but such a bump may be omitted.

【0041】これらの導電接続構造体のパッケージ方式
としては、図2に断面図で示すフリップチップや図3に
断面図で示すボールグリッドアレイが好適に用いられ
る。図2に示すフリップチップでは、半導体素子22に
設けられた電極部24aと基板23に設けられた電極部
24bとが導電性微粒子21を介して接続されており、
半導体素子22と基板23との間隙には樹脂バインダー
であるアンダーフィル材25が充填されている。
As a package system of these conductive connection structures, a flip chip shown in a sectional view in FIG. 2 and a ball grid array shown in a sectional view in FIG. 3 are preferably used. In the flip chip shown in FIG. 2, an electrode portion 24a provided on a semiconductor element 22 and an electrode portion 24b provided on a substrate 23 are connected via conductive fine particles 21,
The gap between the semiconductor element 22 and the substrate 23 is filled with an underfill material 25 as a resin binder.

【0042】図3に示すボールグリッドアレイでは、基
板33の一面には、上記フリップチップ等のパッケージ
方式により半導体素子32が接続され、半導体素子32
は封止樹脂36により覆われており、基板33の他面に
は、導電性微粒子31の固定された電極部34が設けら
れている。なお、導電性微粒子31は他の基板の電極部
等と接続されるが、ここでは図示していない。
In the ball grid array shown in FIG. 3, a semiconductor element 32 is connected to one surface of a substrate 33 by a package method such as the above-mentioned flip chip.
Is covered with a sealing resin 36, and the other surface of the substrate 33 is provided with an electrode portion 34 to which the conductive fine particles 31 are fixed. Note that the conductive fine particles 31 are connected to an electrode portion of another substrate or the like, but are not illustrated here.

【0043】上記導電接続構造体に用いる導電性微粒子
としては、上記フリップチップの場合には、粒子径が1
〜200μmのものが好ましく、上記ボールグリッドア
レイの場合には、粒子径が50〜700μmのものが好
ましい。
As the conductive fine particles used in the conductive connection structure, in the case of the flip chip, the particle diameter is 1
In the case of the ball grid array, those having a particle diameter of 50 to 700 μm are preferable.

【0044】上記導電接続構造体において、上記導電性
微粒子は、電極部あたり1個又は複数個配置される。ま
た、通常、電子部品素子と基板との間の隙間には、樹脂
バインダーであるアンダーフィル材が充填されるが、上
記アンダーフィル材の使用は省略しても特に問題はな
い。
In the conductive connection structure, one or a plurality of the conductive fine particles are arranged per electrode portion. Usually, the gap between the electronic component element and the substrate is filled with an underfill material as a resin binder. However, there is no particular problem even if the use of the underfill material is omitted.

【0045】このようにして得られる導電接続構造体
は、ひび割れや皺が発生せず、樹脂基材粒子からの剥離
や脱離のない金属被覆層を有する導電性微粒子を用いて
作製されているため、その信頼性が高い。上記導電接続
構造体もまた本発明の1つである。
The conductive connection structure thus obtained is produced using conductive fine particles having a metal coating layer which does not crack or wrinkle and does not peel off or detach from the resin base particles. Therefore, its reliability is high. The above-described conductive connection structure is also one aspect of the present invention.

【0046】[0046]

【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0047】実施例1樹脂基材粒子の作製 ポリビニルアルコールの3%溶液800gに、ジビニル
ベンゼン100g及び過酸化ベンゾイル2gの混合液を
加え、緩やかに攪拌を行い、モノマー液滴の中心粒子径
がほぼ100μmになるように粒度調整を行った。その
後、攪拌しながら80℃まで昇温し、15時間反応を行
うことにより微粒子を得た。得られた微粒子を熱水によ
り洗浄した後、分級した。その結果、粒子表面にポリビ
ニルアルコールの水酸基を有する微粒子を得た。この微
粒子の平均粒子径は42.0μmであり、標準偏差は
0.5μmであり、ほぼ正規分布の粒径分布を有してい
た。上記操作で得られた微粒子を樹脂基材粒子として、
次の操作を行った。
Embodiment 1Preparation of resin base particles  800 g of a 3% solution of polyvinyl alcohol in divinyl
A mixture of 100 g of benzene and 2 g of benzoyl peroxide
In addition, gently agitate to reduce the center particle diameter of the monomer droplet.
Was adjusted to about 100 μm. That
Thereafter, the temperature was raised to 80 ° C. while stirring, and the reaction was carried out for 15 hours.
To obtain fine particles. The obtained fine particles are
After washing, it was classified. As a result, the polyvinyl chloride
Fine particles having a hydroxyl group of nyl alcohol were obtained. This fine
The average particle size of the particles is 42.0 μm, and the standard deviation is
0.5 μm and has a substantially normal particle size distribution.
Was. Using the fine particles obtained by the above operation as resin base particles,
The following operations were performed.

【0048】グラフト重合層を有する樹脂基材粒子の作
セパラブルフラスコに、イオン交換水250g、ヒドロ
キシメチルメタクリレート5g及び上記樹脂基材粒子5
gを加えて、充分分散させた後、攪拌を続けた。これ
に、1Nの硝酸水溶液で調製した0.1mol/lの硝
酸第二セリウムアンモニウム溶液12.5gを添加し、
5時間反応させることによりグラフト重合層の形成され
た樹脂基材粒子を得た。得られた樹脂基材粒子を充分洗
浄し、乾燥した。乾燥終了後、上記樹脂基材粒子の断面
を電子顕微鏡で観察したところ、厚さ0.08μmのグ
ラフト重合層が形成されていた。
[0048]Preparation of resin base particles having a graft polymerization layer
Made  In a separable flask, add 250 g of ion-exchanged water,
5 g of xymethyl methacrylate and the resin base particles 5
g was added and sufficiently dispersed, followed by stirring. this
0.1 mol / l nitric acid prepared with 1N nitric acid aqueous solution
12.5 g of ceric ammonium salt solution was added,
A graft polymerization layer is formed by reacting for 5 hours.
Resin base particles were obtained. Wash the obtained resin base particles thoroughly
Purified and dried. After drying, the cross section of the resin base particles
When observed with an electron microscope, a 0.08 μm thick
A raft polymerized layer was formed.

【0049】メッキ触媒の付与 上記グラフト重合層の形成された樹脂基材粒子5gを錫
及びパラジウムの複塩からなる触媒溶液(奥野製薬社
製、キャタリストC液)10ml、37%塩酸10ml
及びメタノール10mlに浸漬した後、濾過した。濾過
終了後、濾紙上の残渣を5%硫酸で洗浄し、更に、水洗
することによりメッキ触媒の付与された微粒子を得た。
得られた微粒子は淡褐色を呈し、グラフト重合層中には
パラジウムの超微粒子が析出していた。
[0049]Applying plating catalyst  5 g of the resin base particles having the graft polymerized layer formed thereon was tin
Solution consisting of a double salt of palladium and palladium (Okuno Pharmaceutical Company)
10%, 37% hydrochloric acid 10ml
And immersed in 10 ml of methanol, followed by filtration. filtration
After completion, the residue on the filter paper is washed with 5% sulfuric acid and further washed with water.
As a result, fine particles provided with a plating catalyst were obtained.
The obtained fine particles exhibit a light brown color, and are contained in the graft polymerization layer.
Ultra fine particles of palladium were precipitated.

【0050】ニッケル還元メッキ 硫酸ニッケル17g/100ml及びピロリン酸ナトリ
ウム34g/100mlからなる組成のニッケルメッキ
液を調整し、この液に上記メッキ触媒の付与された微粒
子を投入し、70℃で60分間、攪拌しながら次亜リン
酸ナトリウム17g/100mlを滴下しながらニッケ
ルメッキを行うことにより、表面がニッケルメッキされ
た微粒子を得た。
[0050]Nickel reduction plating  Nickel sulfate 17g / 100ml and sodium pyrophosphate
Plating with a composition of 34g / 100ml
Adjust the solution and add the fine particles with the plating catalyst
And then stirred at 70 ° C. for 60 minutes while stirring
While dropping 17g / 100ml of sodium acid
Nickel plating on the surface
Fine particles were obtained.

【0051】金置換メッキ 得られた表面がニッケルメッキされた微粒子を水に懸濁
させ、攪拌しながらシアン化金カリウム5%からなる金
置換メッキ液を滴下しながら70℃に加温することによ
り金置換反応を行い、導電性微粒子を得た。なお、金置
換反応の進行は、粒子が黒灰色から金色に変化すること
により確認した。金置換反応終了後、得られた導電性微
粒子の断面を電子顕微鏡で観察したところ、厚さ0.3
5μmのニッケルメッキ層と、厚さ0.09μmの金メ
ッキ層が形成されていた。また、この微粒子に5%圧縮
歪みを与えた条件での抵抗を測定したところ0.08Ω
であり、良好な導電性を示した。
[0051]Gold displacement plating  The resulting nickel-plated particles are suspended in water
And with stirring, gold consisting of potassium gold cyanide 5%
By heating to 70 ° C while dropping the displacement plating solution
A metal replacement reaction was performed to obtain conductive fine particles. In addition,
The progress of the conversion reaction is when the particles change from black gray to gold
Confirmed by After completion of the gold substitution reaction, the resulting conductive fine
Observation of the cross section of the particles with an electron microscope revealed that the thickness was 0.3
5μm nickel plating layer and 0.09μm thick gold plating
A stick layer was formed. In addition, 5% compression
It was 0.08Ω when the resistance was measured under the condition that strain was given.
And showed good conductivity.

【0052】金属被覆層の樹脂基材粒子表面への密着性
評価 得られた導電性微粒子を、厚さ1.1mmの2枚のガラ
ス板の間に、1平方mmあたり60個並べた状態で挟
み、ガラス板の端部をテープでシールした。次に、ガラ
ス板の表面を5kgの荷重を掛けたゴムローラを50回
往復させることによりしごきを与えた。しごき終了後、
倍率が50倍の拡大鏡で導電性微粒子を観察したとこ
ろ、導電性微粒子の金属被覆層はなんら損傷を受けてお
らず、剥離もみられず、樹脂基材粒子に対して強固な密
着性を有していた。
[0052]Adhesion of metal coating layer to resin substrate particle surface
Evaluation  The obtained conductive fine particles were placed in two pieces of glass having a thickness of 1.1 mm.
60 pieces per square mm between
The end of the glass plate was sealed with tape. Next, the gala
50 times of rubber roller with a load of 5 kg applied to the surface of the plate
Ironing was given by reciprocating. After ironing,
Observation of conductive fine particles with a magnifying glass of 50x magnification
Of course, the metal coating layer of conductive fine particles is not damaged at all.
And no peeling was observed.
It had adhesive properties.

【0053】比較例1 グラフト重合層の形成を行わなかった以外は、実施例1
と同様にして導電性微粒子を得た。得られた導電性微粒
子について、実施例1と同様にして金属被覆層の樹脂基
材粒子表面への密着性評価を行ったところ金属被覆層の
剥離がみられた。
Comparative Example 1 Example 1 was repeated except that no graft polymerization layer was formed.
In the same manner as in the above, conductive fine particles were obtained. With respect to the obtained conductive fine particles, the adhesion of the metal coating layer to the resin base material particle surface was evaluated in the same manner as in Example 1, and peeling of the metal coating layer was observed.

【0054】実施例2 実施例1と同様にしてグラフト重合層の形成された微粒
子を得た。得られた微粒子に実施例1と同様にしてメッ
キ触媒を付与し、更に、ニッケル還元メッキを行った。
なお、上記ニッケル還元メッキ終了後のニッケル膜厚
は、0.10μmであった。次に、得られた表面がニッ
ケルメッキされた微粒子10gをとり、図4に断面図で
示す電気メッキ装置40を用いて、その表面に電気メッ
キを行った。
Example 2 Fine particles having a graft polymerization layer formed thereon were obtained in the same manner as in Example 1. A plating catalyst was applied to the obtained fine particles in the same manner as in Example 1, and further, nickel reduction plating was performed.
The nickel film thickness after the completion of the nickel reduction plating was 0.10 μm. Next, 10 g of the obtained fine particles whose surface was nickel-plated were taken, and the surface was subjected to electroplating using an electroplating apparatus 40 shown in a sectional view in FIG.

【0055】電気メッキ装置40は、垂直な駆動軸50
の上端部に固定された円盤状の底板47と、底板47の
外周上面に配され、メッキ液のみを通す円環形状の多孔
体49と、多孔体49上面に配された通電用の接触リン
グ48と、円環形状の下部外周部が接触リング48上に
配された中央に開口部46を有する略円錐形状の中空カ
バー41と、中空カバー41の下部外周部と底板47と
の間に、多孔体49と接触リング48とを狭持して形成
された回転可能なメッキ槽51と、メッキ槽51の開口
部46から挿入されてメッキ液に接触する電極42と、
開口部46よりメッキ液を上記メッキ槽51に供給する
供給管44と、多孔体49の孔から飛散したメッキ液を
受ける容器43と、容器43に溜まったメッキ液を排出
する排出管45とを有している。
The electroplating apparatus 40 includes a vertical drive shaft 50.
A disk-shaped bottom plate 47 fixed to the upper end of the bottom plate 47, an annular porous body 49 disposed on the outer peripheral upper surface of the bottom plate 47 and passing only the plating solution, and an energizing contact ring disposed on the upper surface of the porous body 49 48, a substantially conical hollow cover 41 having an opening 46 in the center where an annular lower outer peripheral portion is disposed on the contact ring 48, and between the lower outer peripheral portion of the hollow cover 41 and the bottom plate 47. A rotatable plating tank 51 formed by sandwiching a porous body 49 and a contact ring 48, an electrode 42 inserted through an opening 46 of the plating tank 51 and contacting a plating solution,
A supply pipe 44 for supplying a plating solution from the opening 46 to the plating tank 51, a container 43 for receiving the plating solution scattered from the holes of the porous body 49, and a discharge pipe 45 for discharging the plating solution accumulated in the container 43. Have.

【0056】電気メッキ装置40では、微粒子をメッキ
槽51に投入し、供給管44からメッキ槽51内にメッ
キ液を供給する。メッキ液は駆動軸50の回転に伴って
多孔体49を通してメッキ槽51の外部へ出ていくの
で、その減少量を供給管44から補給する。
In the electroplating apparatus 40, fine particles are charged into the plating tank 51, and a plating solution is supplied from the supply pipe 44 into the plating tank 51. Since the plating solution flows out of the plating tank 51 through the porous body 49 with the rotation of the drive shaft 50, the reduced amount is supplied from the supply pipe 44.

【0057】微粒子は、メッキ槽51の回転による遠心
力の作用により接触リング48に押しつけられた状態で
通電されメッキされる。通電停止と同時に回転も減速
し、停止するため、微粒子は重力とメッキ液の慣性によ
る流れに引きずられて、底板47中央部方向へ移動する
が、次にメッキ槽51が回転すると、微粒子は、メッキ
液と混ざり合いながら別の姿勢で接触リング48に押さ
えつけられメッキされる。このサイクルを繰り返すこと
によって、メッキ槽51に存在する全ての微粒子に均一
な厚さのメッキ層が形成される。
The fine particles are energized and plated while being pressed against the contact ring 48 by the action of centrifugal force due to the rotation of the plating tank 51. Since the rotation is also decelerated and stopped simultaneously with the stop of energization, the fine particles are dragged by the flow due to gravity and the inertia of the plating solution and move toward the center of the bottom plate 47. While being mixed with the plating solution, it is pressed against the contact ring 48 in another posture and plated. By repeating this cycle, a plating layer having a uniform thickness is formed on all the fine particles present in the plating tank 51.

【0058】この操作におけるメッキ条件としては、メ
ッキ液の温度を50℃、電流を36A、電流密度を0.
36A/dm2 電圧を15〜16Vとし、両電極間に2
0分間通電した。また、メッキ槽51の周速は250m
/分とし、11秒毎に回転方向を逆転させた。この電気
メッキを行うことにより、ニッケル膜厚2.0μmのニ
ッケルメッキ微粒子を得た。
The plating conditions in this operation were as follows: the temperature of the plating solution was 50 ° C., the current was 36 A, and the current density was 0.
36 A / dm 2 voltage is set to 15 to 16 V, and 2
The electricity was supplied for 0 minutes. The peripheral speed of the plating tank 51 is 250 m
/ Min, and the rotation direction was reversed every 11 seconds. By performing this electroplating, nickel-plated fine particles having a nickel film thickness of 2.0 μm were obtained.

【0059】次に、得られたニッケルメッキ微粒子10
gをとり、電気メッキ装置40を用いて、共晶はんだメ
ッキを行った。
Next, the obtained nickel-plated fine particles 10
g, and eutectic solder plating was performed using an electroplating apparatus 40.

【0060】この操作におけるメッキ条件としては、電
極42に錫(Sn):鉛(Pb)=6:4の合金を用
い、メッキ液として、酸性浴(石原薬品社製、537
A)を用いた。また、メッキ液の温度を20℃、電流を
24.8A、電流密度を0.5A/dm2 とした。な
お、上記メッキ液は、トータル金属濃度21.39g/
l、浴中の金属比率Sn%=65.3%、アルカノール
スルホン酸106.4g/l、添加剤40mLを含有す
る。
The plating conditions in this operation were as follows. An alloy of tin (Sn): lead (Pb) = 6: 4 was used for the electrode 42, and an acidic bath (537 manufactured by Ishihara Chemical Co., Ltd.) was used as a plating solution.
A) was used. The temperature of the plating solution was 20 ° C., the current was 24.8 A, and the current density was 0.5 A / dm 2 . The plating solution had a total metal concentration of 21.39 g /
1, containing 65.3% of metal ratio Sn% in the bath, 106.4 g / l of alkanolsulfonic acid, and 40 mL of additive.

【0061】メッキ終了後、はんだ被膜を有する導電性
微粒子が得られた。この導電性微粒子のはんだ被膜を原
子吸光法で分析したところ、Snが61.3%であり、
融点は187℃であった。また、この微粒子に5%圧縮
歪みを与えた条件での抵抗を測定したところ0.02Ω
であり、良好な導電性を示した。更に、得られた導電性
微粒子について、実施例1と同様にして金属被覆層の樹
脂基材粒子表面への密着性評価を行ったところ、金属被
覆層はなんら損傷を受けておらず、剥離もみられず、樹
脂基材粒子に対して強固な密着性を有していた。
After plating, conductive fine particles having a solder coating were obtained. When the solder coating of the conductive fine particles was analyzed by an atomic absorption method, Sn was 61.3%,
Melting point was 187 ° C. The resistance under the condition where 5% compression strain was applied to the fine particles was 0.02Ω.
And showed good conductivity. Further, with respect to the obtained conductive fine particles, the adhesion of the metal coating layer to the surface of the resin substrate particles was evaluated in the same manner as in Example 1. The metal coating layer was not damaged at all. However, it had strong adhesion to the resin base particles.

【0062】比較例2 グラフト重合層の形成を行わなかった以外は、実施例2
と同様にして導電性微粒子を得た。得られた導電性微粒
子について、実施例1と同様にして金属被覆層の樹脂基
材粒子表面への密着性評価を行ったところ金属被覆層の
剥離がみられた。
Comparative Example 2 Example 2 was repeated except that no graft polymerization layer was formed.
In the same manner as in the above, conductive fine particles were obtained. With respect to the obtained conductive fine particles, the adhesion of the metal coating layer to the resin base material particle surface was evaluated in the same manner as in Example 1, and peeling of the metal coating layer was observed.

【0063】実施例3樹脂基材粒子の作製 ポリビニルピロリドン2.4g、アニオン界面活性剤
(和光純薬工業社製、エアゾールOT)1.2g、及
び、アゾビスイソブチロニトリル2.8gをエタノール
180gに溶解させた溶液を攪拌しながら、窒素気流下
でスチレン30gを投入し、70℃に昇温し、24時間
重合反応を行った。このようにして、平均粒径1.6μ
m、標準偏差0.032μmのシード粒子を得た。得ら
れたシード粒子5gにイオン交換水200g及びラウリ
ル硫酸ナトリウム0.13gを加えて均一に分散させ、
シード粒子分散液を得た。
Embodiment 3Preparation of resin base particles  2.4 g of polyvinylpyrrolidone, anionic surfactant
(Aerosol OT, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 1.2 g
2.8 g of azobisisobutyronitrile in ethanol
Under a nitrogen stream while stirring the solution dissolved in 180 g
30 g of styrene is added, and the temperature is raised to 70 ° C. for 24 hours.
A polymerization reaction was performed. Thus, the average particle size is 1.6 μm.
m, and seed particles having a standard deviation of 0.032 μm were obtained. Get
200 g of ion-exchanged water and lauri
0.13 g of sodium sulphate is added and dispersed uniformly,
A seed particle dispersion was obtained.

【0064】また、別途、スチレン30重量部、グリシ
ジルメタクリレート20重量部、及び、ジビニルベンゼ
ン50重量部からなるモノマー混合物340gに、過酸
化ベンゾイル5.1gを加えて、ホモジナイザーで粗分
散した後、超音波処理によりモノマー液滴の平均粒子径
が0.2μmの乳化液を得た。次に、この乳化液を上記
シード粒子分散液に加え、25℃で3時間攪拌した。そ
の結果、モノマー混合物は、完全にシード粒子に吸収さ
れた。
Separately, 5.1 g of benzoyl peroxide was added to 340 g of a monomer mixture consisting of 30 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of glycidyl methacrylate, and 50 parts by weight of divinylbenzene, and the mixture was roughly dispersed with a homogenizer. An emulsion having an average particle diameter of the monomer droplets of 0.2 μm was obtained by sonication. Next, this emulsion was added to the seed particle dispersion and stirred at 25 ° C. for 3 hours. As a result, the monomer mixture was completely absorbed by the seed particles.

【0065】更に、この分散液にポリビニルアルコール
の3%溶液850gを加えた後、70℃で12時間重合
反応を行うことにより樹脂基材粒子を得た。得られた樹
脂基材粒子を水、及び、エタノールで洗浄した後、乾燥
した。この結果、平均粒子径6.5μm、標準偏差0.
14μmの樹脂基材粒子を得た。
Further, 850 g of a 3% solution of polyvinyl alcohol was added to this dispersion, followed by carrying out a polymerization reaction at 70 ° C. for 12 hours to obtain resin base particles. The obtained resin base particles were washed with water and ethanol, and then dried. As a result, the average particle diameter was 6.5 μm, and the standard deviation was 0.1.
14 μm resin base particles were obtained.

【0066】グラフト重合層を有する樹脂基材粒子の作
上記樹脂基材粒子10gに、メチルエチルケトン200
g及びメタクリロイルイソシアネート30gを加え、室
温で60分間反応させることより、粒子表面に重合性ビ
ニル基を導入し、この粒子10gに対して、メチルエチ
ルケトン200g、メタクリル酸イソブチル50g、メ
タクリル酸メチル45g、リン酸ブチルメタクリレート
5g及びベンゾイルパーオキサイド0.5gを加え、攪
拌しながら窒素気流中で70℃に昇温させ、2時間グラ
フト重合反応を行うことによりグラフト重合層の形成さ
れた樹脂基材粒子を得た。得られた樹脂基材粒子を充分
洗浄し、乾燥した。乾燥終了後、得られた微粒子の断面
を電子顕微鏡で観察したところ、厚さ0.06μmのグ
ラフト重合層が形成されていた。
[0066]Preparation of resin base particles having a graft polymerization layer
Made  To 10 g of the resin base particles, methyl ethyl ketone 200
g and 30 g of methacryloyl isocyanate.
Reaction at 60 ° C for 60 minutes, polymerizable
And 10 g of the particles are introduced with methyl ethyl group.
Ketone 200 g, isobutyl methacrylate 50 g,
Methyl acrylate 45g, Butyl phosphate methacrylate
5 g and benzoyl peroxide 0.5 g were added and stirred.
The temperature was raised to 70 ° C in a nitrogen stream with stirring, and
The formation of the graft polymerization layer
The obtained resin base particles were obtained. Sufficiently obtained resin base particles
Washed and dried. After drying is completed, the cross section of the obtained fine particles
Was observed with an electron microscope.
A raft polymerized layer was formed.

【0067】メッキ触媒の付与 得られたグラフト重合層の形成された樹脂基材粒子5g
について、実施例1と同様にしてメッキ触媒の付与され
た微粒子を得た。ニッケル還元メッキ 上記メッキ触媒の付与された微粒子について、実施例1
と同様にして表面がニッケルメッキされた微粒子を得
た。
[0067]Applying plating catalyst  5 g of the resin base particles having the obtained graft polymer layer formed thereon
The plating catalyst was applied in the same manner as in Example 1.
Fine particles were obtained.Nickel reduction plating  Example 1 of the fine particles provided with the plating catalyst
To obtain nickel-plated fine particles
Was.

【0068】金置換メッキ 得られた表面がニッケルメッキされた微粒子について、
実施例1と同様にして、金置換メッキを行うことにより
導電性微粒子を得た。得られた導電性微粒子の断面を電
子顕微鏡で観察したところ、厚さ0.35μmのニッケ
ルメッキ層と、厚さ0.09μmの金メッキ層が形成さ
れていた。また、この微粒子に5%圧縮歪みを与えた条
件での抵抗を測定したところ0.08Ωであり、良好な
導電性を示した。
[0068]Gold displacement plating  Regarding the fine particles whose surface is nickel-plated,
By performing gold displacement plating in the same manner as in Example 1,
Conductive fine particles were obtained. The cross section of the obtained conductive fine particles is
When observed with a microscope, a nickel with a thickness of 0.35 μm
A gold plating layer with a thickness of 0.09 μm.
Had been. In addition, a condition where 5% compression strain is applied to the fine particles
The measured resistance was 0.08Ω, which was good.
Showed conductivity.

【0069】金属被覆層の樹脂基材粒子表面への密着性
評価 得られた導電性微粒子について、実施例1と同様にして
金属被覆層の樹脂基材粒子表面への密着性を評価したと
ころ、導電性微粒子の金属被覆層はなんら損傷を受けて
おらず、剥離もみられず、樹脂基材粒子に対して強固な
密着性を有していた。
[0069]Adhesion of metal coating layer to resin substrate particle surface
Evaluation  About the obtained conductive fine particles, it carried out similarly to Example 1.
When the adhesion of the metal coating layer to the resin substrate particle surface was evaluated
At this time, the metal coating layer of conductive fine particles is damaged
No peeling is observed, strong against resin base particles
It had adhesiveness.

【0070】比較例3 グラフト重合層の形成を行わなかった以外は、実施例3
と同様にして導電性微粒子を得た。得られた導電性微粒
子について、実施例1と同様にして金属被覆層の樹脂基
材粒子表面への密着性評価を行ったところ金属被覆層の
剥離がみられた。
Comparative Example 3 Example 3 was repeated except that no graft polymerization layer was formed.
In the same manner as in the above, conductive fine particles were obtained. With respect to the obtained conductive fine particles, the adhesion of the metal coating layer to the resin base material particle surface was evaluated in the same manner as in Example 1, and peeling of the metal coating layer was observed.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明の導電性微粒子は、上述の構成か
らなるので、ひび割れや皺が発生せず、樹脂基材粒子か
らの剥離や脱離のない金属被覆層を有する。また、本発
明の導電接続構造体は、上記導電性微粒子を用いて作製
されており、接続信頼性が高い。
Since the conductive fine particles of the present invention have the above-mentioned structure, they do not have cracks or wrinkles and have a metal coating layer which does not peel off or detach from the resin base particles. Further, the conductive connection structure of the present invention is manufactured using the conductive fine particles, and has high connection reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)、(b)は、本発明の導電性微粒子の一
実施形態を示す断面図である。
FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views showing one embodiment of the conductive fine particles of the present invention.

【図2】本発明の導電接続構造体の一例を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the conductive connection structure of the present invention.

【図3】本発明の導電接続構造体の一例を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the conductive connection structure of the present invention.

【図4】本発明の実施例で使用した電気メッキ装置を示
す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing an electroplating apparatus used in an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 導電性微粒子 11 樹脂基材粒子 12 グラフト重合層 13、13a、13b 金属被覆層 21 導電性微粒子 22 半導体素子 23 基板 31 導電性微粒子 32 半導体素子 33 基板 REFERENCE SIGNS LIST 10 conductive fine particles 11 resin base particles 12 graft polymer layer 13, 13 a, 13 b metal coating layer 21 conductive fine particles 22 semiconductor element 23 substrate 31 conductive fine particles 32 semiconductor element 33 substrate

フロントページの続き Fターム(参考) 4K022 AA13 AA41 BA01 BA02 BA03 BA08 BA10 BA14 BA17 BA18 BA21 BA25 BA28 DA01 5E319 AA03 AB05 BB04 BB16 GG11 5G307 AA02 HA02 HB06 HC01 Continued on the front page F term (reference) 4K022 AA13 AA41 BA01 BA02 BA03 BA08 BA10 BA14 BA17 BA18 BA21 BA25 BA28 DA01 5E319 AA03 AB05 BB04 BB16 GG11 5G307 AA02 HA02 HB06 HC01

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 樹脂基材粒子の周囲にグラフト重合層が
形成され、前記グラフト重合層の周囲に更に金属被覆層
が形成されていることを特徴とする導電性微粒子。
1. A conductive fine particle comprising: a graft polymer layer formed around resin base particles; and a metal coating layer further formed around the graft polymer layer.
【請求項2】 請求項1記載の導電性微粒子を用いて作
製されたことを特徴とする導電接続構造体。
2. A conductive connection structure produced using the conductive fine particles according to claim 1.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002157918A (en) * 2000-11-17 2002-05-31 Jsr Corp Conductive composite particles and applied products using the same
JP2006012709A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Sanyo Chem Ind Ltd Conductive particulate
JP2006078600A (en) * 2004-09-07 2006-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Manufacturing method of electro-optical device
JP2006078599A (en) * 2004-09-07 2006-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Matrix array substrate, liquid crystal display apparatus, data electrode plate for plasma display panel (pdp), and pdp
WO2006075796A1 (en) * 2005-01-13 2006-07-20 Fujifilm Corporation Metal film and formation method of metal film
KR100718726B1 (en) 2005-12-22 2007-05-16 성균관대학교산학협력단 Core / Shell Conductive Particles Using Polydivinylbenzene Spherical Particles and Metals
KR100772358B1 (en) 2006-01-02 2007-11-01 제일모직주식회사 Conductive Fine Particles and Anisotropic Conductive Adhesive Compositions Using the Same
KR100811001B1 (en) 2007-10-04 2008-03-11 플라즈마제닉스(주) Polymer-Metal Composite Particles, Polymer-Metal Nanocomposites, and Manufacturing Methods Thereof
US20080078977A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Nisshinbo Industries, Inc. Conductive particles and method of preparing the same
JP2011047026A (en) * 2009-08-28 2011-03-10 Mitsui Chemicals Inc Plating powder
CN102136314A (en) * 2010-12-06 2011-07-27 苏州纳微生物科技有限公司 Preparation method of composite microspheres, anisotropy conducting material and anisotropy conducting film

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002157918A (en) * 2000-11-17 2002-05-31 Jsr Corp Conductive composite particles and applied products using the same
JP2006012709A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Sanyo Chem Ind Ltd Conductive particulate
JP2006078600A (en) * 2004-09-07 2006-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Manufacturing method of electro-optical device
JP2006078599A (en) * 2004-09-07 2006-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Matrix array substrate, liquid crystal display apparatus, data electrode plate for plasma display panel (pdp), and pdp
WO2006075796A1 (en) * 2005-01-13 2006-07-20 Fujifilm Corporation Metal film and formation method of metal film
KR100718726B1 (en) 2005-12-22 2007-05-16 성균관대학교산학협력단 Core / Shell Conductive Particles Using Polydivinylbenzene Spherical Particles and Metals
KR100772358B1 (en) 2006-01-02 2007-11-01 제일모직주식회사 Conductive Fine Particles and Anisotropic Conductive Adhesive Compositions Using the Same
US20080078977A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Nisshinbo Industries, Inc. Conductive particles and method of preparing the same
JP2008091131A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Nisshinbo Ind Inc Conductive particles and method for producing the same
KR101462909B1 (en) 2006-09-29 2014-11-19 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Conductive particles and method for manufacturing the same
US9093196B2 (en) 2006-09-29 2015-07-28 Nisshinbo Holdings, Inc. Conductive particles and method of preparing the same
KR100811001B1 (en) 2007-10-04 2008-03-11 플라즈마제닉스(주) Polymer-Metal Composite Particles, Polymer-Metal Nanocomposites, and Manufacturing Methods Thereof
JP2011047026A (en) * 2009-08-28 2011-03-10 Mitsui Chemicals Inc Plating powder
CN102136314A (en) * 2010-12-06 2011-07-27 苏州纳微生物科技有限公司 Preparation method of composite microspheres, anisotropy conducting material and anisotropy conducting film
CN102136314B (en) * 2010-12-06 2012-05-23 苏州纳微生物科技有限公司 A kind of preparation method of composite microsphere, anisotropic conductive material and anisotropic conductive film

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