JP2000315868A - ビアホール形成方法及び多層配線板の製造方法 - Google Patents
ビアホール形成方法及び多層配線板の製造方法Info
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】導体配線形成工程等でのエアトラップや導体配
線部の断線の発生を防止でき、工程数を減少でき、かつ
所望の形状のビアホールを形成することができるビアホ
ール形成方法及び多層配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】まず、露光線Ｌを遮る遮光膜４と、その遮
光膜４の外側に配置され、露光線Ｌの透過率を変える透
過調整膜１１とを備えたフォトマスク５を用いてネガ型
レジストの絶縁部３を露光する。次いで、露光後の絶縁
部３を現像液７で現像して、開口側に向かって幅広のビ
アホール８を形成する。
線部の断線の発生を防止でき、工程数を減少でき、かつ
所望の形状のビアホールを形成することができるビアホ
ール形成方法及び多層配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】まず、露光線Ｌを遮る遮光膜４と、その遮
光膜４の外側に配置され、露光線Ｌの透過率を変える透
過調整膜１１とを備えたフォトマスク５を用いてネガ型
レジストの絶縁部３を露光する。次いで、露光後の絶縁
部３を現像液７で現像して、開口側に向かって幅広のビ
アホール８を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板にビア
ホール（via hole）を形成するためのビアホール形成方
法及び多層配線板の製造方法に関し、特に、開口側に向
かって幅広のビアホールを形成するためのビアホール形
成方法及び多層配線板の製造方法に関する。
ホール（via hole）を形成するためのビアホール形成方
法及び多層配線板の製造方法に関し、特に、開口側に向
かって幅広のビアホールを形成するためのビアホール形
成方法及び多層配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置の高集積化、小型化に
伴い、多層配線板に形成されるビアホールの小径化が要
求されている。
伴い、多層配線板に形成されるビアホールの小径化が要
求されている。
【０００３】図４は、多層配線板の構成を示す断面図で
ある。図４に示すように、多層配線板は、基板１と、そ
の基板１上及び各層上に形成された導体配線部２と、基
板１上及び各層上に形成され導体配線部２を絶縁するた
めの絶縁部３と、異なる層の導体配線部２同士を接続す
るために絶縁部３に形成される略垂直形状のビアホール
８とを有する。
ある。図４に示すように、多層配線板は、基板１と、そ
の基板１上及び各層上に形成された導体配線部２と、基
板１上及び各層上に形成され導体配線部２を絶縁するた
めの絶縁部３と、異なる層の導体配線部２同士を接続す
るために絶縁部３に形成される略垂直形状のビアホール
８とを有する。
【０００４】図５は、従来のビアホール形成方法を説明
するための工程図である。従来のビアホール形成方法で
は、まず、基板１又は層上に導体配線部２を形成した
後、その導体配線部２を絶縁するための絶縁部３を形成
する（図５（Ａ）参照）。この絶縁部３はネガ型レジス
ト（感光性材料）で作られている。
するための工程図である。従来のビアホール形成方法で
は、まず、基板１又は層上に導体配線部２を形成した
後、その導体配線部２を絶縁するための絶縁部３を形成
する（図５（Ａ）参照）。この絶縁部３はネガ型レジス
ト（感光性材料）で作られている。
【０００５】次いで、遮光膜４をパターニングしたフォ
トマスク５を用いて、紫外線、Ｘ線、電子ビーム等の露
光線Ｌによって導体配線部２上の絶縁部３に露光を行う
（図５（Ｂ）参照）。露光された被露光材６の絶縁部３
には略垂直形状の非照射領域Ｈとそれ以外の照射領域Ｓ
が形成される（図５（Ｃ）参照）。
トマスク５を用いて、紫外線、Ｘ線、電子ビーム等の露
光線Ｌによって導体配線部２上の絶縁部３に露光を行う
（図５（Ｂ）参照）。露光された被露光材６の絶縁部３
には略垂直形状の非照射領域Ｈとそれ以外の照射領域Ｓ
が形成される（図５（Ｃ）参照）。
【０００６】次いで、上記の被露光材６を現像液７に浸
漬して現像する（図５（Ｄ）参照）。被露光材６の照射
領域Ｓは重合又は架橋して現像液７に不溶性又は難溶性
となり、露光線Ｌの非照射領域Ｈは現像液７によって溶
解される。従って、絶縁部３には略垂直形状のビアホー
ル８が形成される（図５（Ｅ）参照）。
漬して現像する（図５（Ｄ）参照）。被露光材６の照射
領域Ｓは重合又は架橋して現像液７に不溶性又は難溶性
となり、露光線Ｌの非照射領域Ｈは現像液７によって溶
解される。従って、絶縁部３には略垂直形状のビアホー
ル８が形成される（図５（Ｅ）参照）。
【０００７】また、特許第２８３７１３７号公報には、
Ｖ字形状のビアホールの形成方法が提案されている。こ
の従来のビアホール形成方法では、１次絶縁樹脂を露光
及び現像することにより１次ビアホールを形成した後、
２次絶縁樹脂上に１次ビアホールよりも大きい２次ビア
ホールを形成することにより、Ｖ字形状のビアホールを
形成する。
Ｖ字形状のビアホールの形成方法が提案されている。こ
の従来のビアホール形成方法では、１次絶縁樹脂を露光
及び現像することにより１次ビアホールを形成した後、
２次絶縁樹脂上に１次ビアホールよりも大きい２次ビア
ホールを形成することにより、Ｖ字形状のビアホールを
形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ここで、略垂直形状の
ビアホール８の場合、図６（Ａ）に示すように、パター
ニングのために液状レジスト９を塗布すると、その液状
レジスト９の一部がビアホール８内に入り込んでくるた
め、ビアホール８内に空気が閉じ込められるエアトラッ
プが生じる。このようなエアトラップによって閉じ込め
られたビアホール８内の空気は後工程の加熱により膨張
するため、例えば露光工程で正確なパターニングができ
なくなる等の課題があった。なお、このエアトラップに
より、絶縁層形成工程でも同様の課題があった。
ビアホール８の場合、図６（Ａ）に示すように、パター
ニングのために液状レジスト９を塗布すると、その液状
レジスト９の一部がビアホール８内に入り込んでくるた
め、ビアホール８内に空気が閉じ込められるエアトラッ
プが生じる。このようなエアトラップによって閉じ込め
られたビアホール８内の空気は後工程の加熱により膨張
するため、例えば露光工程で正確なパターニングができ
なくなる等の課題があった。なお、このエアトラップに
より、絶縁層形成工程でも同様の課題があった。
【０００９】また、略垂直形状のビアホール８の場合、
開口部分のエッジが鋭角であるため、図６（Ｂ）に示す
ように、開口部分の内壁にスパッタ膜１０が被覆されな
い場合が起こり得る。このような場合、スパッタ膜１０
上の導体配線部２（メッキ膜）に断線部分Ｐが生じると
いう課題があった。かかる課題は、半導体装置の高集積
化、小型化に伴うビアホールの小径化によりさらに深刻
化する。
開口部分のエッジが鋭角であるため、図６（Ｂ）に示す
ように、開口部分の内壁にスパッタ膜１０が被覆されな
い場合が起こり得る。このような場合、スパッタ膜１０
上の導体配線部２（メッキ膜）に断線部分Ｐが生じると
いう課題があった。かかる課題は、半導体装置の高集積
化、小型化に伴うビアホールの小径化によりさらに深刻
化する。
【００１０】一方、特許第２８３７１３７号公報で提案
されているＶ字形状のビアホールの形成方法は、２工程
を必要とするため、多層配線板の製造時間が長くなると
いう課題があった。また、このビアホールの形成方法で
は、例えばＶ字形状の傾斜角度を所望の角度に変えた
り、穏やかな湾曲形状のビアホールにする等、所望の形
状のビアホールを形成することは困難である。
されているＶ字形状のビアホールの形成方法は、２工程
を必要とするため、多層配線板の製造時間が長くなると
いう課題があった。また、このビアホールの形成方法で
は、例えばＶ字形状の傾斜角度を所望の角度に変えた
り、穏やかな湾曲形状のビアホールにする等、所望の形
状のビアホールを形成することは困難である。
【００１１】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、導体配線形成工程等でのエアトラップ
や導体配線部の断線の発生を防止でき、工程数を減少で
き、かつ所望の形状のビアホールを形成することができ
るビアホール形成方法及び多層配線板の製造方法を提供
することを目的とする。
れたものであり、導体配線形成工程等でのエアトラップ
や導体配線部の断線の発生を防止でき、工程数を減少で
き、かつ所望の形状のビアホールを形成することができ
るビアホール形成方法及び多層配線板の製造方法を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のビアホー
ル形成方法は、露光線を遮る遮光膜と、露光線の透過率
を変える透過調整膜とを備えたフォトマスクを用いて感
光性材料の絶縁部を露光することにより、その絶縁部に
開口側に向かって幅広のビアホールを形成することを特
徴とするものである。
ル形成方法は、露光線を遮る遮光膜と、露光線の透過率
を変える透過調整膜とを備えたフォトマスクを用いて感
光性材料の絶縁部を露光することにより、その絶縁部に
開口側に向かって幅広のビアホールを形成することを特
徴とするものである。
【００１３】本発明の第２のビアホール形成方法は、露
光線を遮る遮光膜と、その遮光膜の外側に配置され、露
光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォトマス
クを用いてネガ型レジストの絶縁部を露光する工程と、
前記露光後の絶縁部を現像して、開口側に向かって幅広
のビアホールを形成する工程と、を有することを特徴と
するものである。
光線を遮る遮光膜と、その遮光膜の外側に配置され、露
光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォトマス
クを用いてネガ型レジストの絶縁部を露光する工程と、
前記露光後の絶縁部を現像して、開口側に向かって幅広
のビアホールを形成する工程と、を有することを特徴と
するものである。
【００１４】前記透過調整膜を前記遮光膜から外側に従
って露光線の透過率が高くなるように配置してもよい。
って露光線の透過率が高くなるように配置してもよい。
【００１５】本発明の第３のビアホール形成方法は、露
光線を遮る遮光膜と、その遮光膜の内側に配置され、露
光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォトマス
クを用いてポジ型レジストの絶縁部を露光する工程と、
前記露光後の絶縁部を現像して、開口側に向かって幅広
のビアホールを形成する工程と、を有することを特徴と
するものである。
光線を遮る遮光膜と、その遮光膜の内側に配置され、露
光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォトマス
クを用いてポジ型レジストの絶縁部を露光する工程と、
前記露光後の絶縁部を現像して、開口側に向かって幅広
のビアホールを形成する工程と、を有することを特徴と
するものである。
【００１６】前記透過調整膜を前記遮光膜から内側に従
って露光線の透過率が高くなるように配置してもよい。
って露光線の透過率が高くなるように配置してもよい。
【００１７】前記透過調整膜の材質を変えることによ
り、露光線の透過率を変えてもよく、透過調整膜の膜厚
を変えることにより、露光線の透過率を変えてもよい。
り、露光線の透過率を変えてもよく、透過調整膜の膜厚
を変えることにより、露光線の透過率を変えてもよい。
【００１８】本発明の多層配線板の製造方法は、複数の
層を積層し、一方の層に形成された導体配線部と他方の
層に形成された導体配線部とをビアホールを介して接続
する多層配線板の製造方法において、基板上又は各層上
に導体配線部を形成する工程と、その導体配線部を絶縁
するための感光性材料の絶縁部を形成する工程と、上記
のビアホール形成方法を用いて、前記導体配線部上の絶
縁部に、開口側に向かって幅広のビアホールを形成する
工程と、を有することを特徴とするものである。
層を積層し、一方の層に形成された導体配線部と他方の
層に形成された導体配線部とをビアホールを介して接続
する多層配線板の製造方法において、基板上又は各層上
に導体配線部を形成する工程と、その導体配線部を絶縁
するための感光性材料の絶縁部を形成する工程と、上記
のビアホール形成方法を用いて、前記導体配線部上の絶
縁部に、開口側に向かって幅広のビアホールを形成する
工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１９】本発明によれば、露光線を遮る遮光膜と、
露光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォトマ
スクを用いて露光することにより、絶縁部に開口側に向
かって幅広のビアホールを形成するので、導体配線形成
工程等で開口側からエアが抜けやすくなり、エアトラッ
プの発生を防止できる。また、開口部分のエッジがなだ
らかになるので、スパッタ膜の被覆が良好になり、導体
配線部の断線の発生を防止することができる。また、開
口側に向かって幅広のビアホールを１度の工程で形成で
きる。さらに、遮光膜及び透過調整膜の配置等を適宜変
えることにより、所望の形状のビアホールを形成するこ
とができる。
露光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォトマ
スクを用いて露光することにより、絶縁部に開口側に向
かって幅広のビアホールを形成するので、導体配線形成
工程等で開口側からエアが抜けやすくなり、エアトラッ
プの発生を防止できる。また、開口部分のエッジがなだ
らかになるので、スパッタ膜の被覆が良好になり、導体
配線部の断線の発生を防止することができる。また、開
口側に向かって幅広のビアホールを１度の工程で形成で
きる。さらに、遮光膜及び透過調整膜の配置等を適宜変
えることにより、所望の形状のビアホールを形成するこ
とができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施
の形態を説明するための工程図である。なお、従来の技
術で説明した部材と同一の部材は同一の符号を付して説
明する。
を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施
の形態を説明するための工程図である。なお、従来の技
術で説明した部材と同一の部材は同一の符号を付して説
明する。
【００２１】まず、基板１又は層上にめっき選択法によ
り導体配線部２を形成した後、感光性材料をスピンコー
ティングして乾燥することにより、導体配線部２を絶縁
するための絶縁部３を形成する（図１（Ａ）参照）。こ
の絶縁部３はネガ型レジスト（感光性材料）で作られて
いる。
り導体配線部２を形成した後、感光性材料をスピンコー
ティングして乾燥することにより、導体配線部２を絶縁
するための絶縁部３を形成する（図１（Ａ）参照）。こ
の絶縁部３はネガ型レジスト（感光性材料）で作られて
いる。
【００２２】次いで、紫外線、Ｘ線、電子ビーム等の露
光線Ｌによって導体配線部２上の絶縁部３に露光を行う
（図１（Ｂ）参照）。その際、露光線Ｌを遮る遮光膜４
と、その遮光膜４の外側に配置され、露光線Ｌの透過率
を変える透過調整膜１１とをパターニングしたフォトマ
スク５を用いる。
光線Ｌによって導体配線部２上の絶縁部３に露光を行う
（図１（Ｂ）参照）。その際、露光線Ｌを遮る遮光膜４
と、その遮光膜４の外側に配置され、露光線Ｌの透過率
を変える透過調整膜１１とをパターニングしたフォトマ
スク５を用いる。
【００２３】遮光膜４としては、例えばクロム膜、クロ
ム膜の表面に酸化クロム膜を被覆した複数層膜等が用い
られる。
ム膜の表面に酸化クロム膜を被覆した複数層膜等が用い
られる。
【００２４】透過調整膜１１としては、例えば有機膜等
のように、遮光膜４よりも露光線Ｌを透過しやすい材質
の膜が用いられる。また、透過調整膜１１は１つの膜で
構成してもよく、複数の膜で構成してもよい。透過調整
膜１１を複数の膜で構成する場合、遮光膜４から外側に
従って、露光線Ｌの透過率が徐々に高くなるように配置
すると、よりなだらかな形状のビアホール８を形成でき
るので好ましい。なお、透過調整膜１１の膜厚を変える
ことにより、露光線Ｌの透過率を変えてもよい。
のように、遮光膜４よりも露光線Ｌを透過しやすい材質
の膜が用いられる。また、透過調整膜１１は１つの膜で
構成してもよく、複数の膜で構成してもよい。透過調整
膜１１を複数の膜で構成する場合、遮光膜４から外側に
従って、露光線Ｌの透過率が徐々に高くなるように配置
すると、よりなだらかな形状のビアホール８を形成でき
るので好ましい。なお、透過調整膜１１の膜厚を変える
ことにより、露光線Ｌの透過率を変えてもよい。
【００２５】フォトマスク５を透過した後の露光線Ｌの
照射強度は、遮光膜４が０で、遮光膜４から外側に従っ
て強くなっていく。従って、被露光材６の絶縁部３に
は、非照射領域Ｈと、中間照射領域Ｔと、照射領域Ｓと
が形成される（図１（Ｃ）参照）。
照射強度は、遮光膜４が０で、遮光膜４から外側に従っ
て強くなっていく。従って、被露光材６の絶縁部３に
は、非照射領域Ｈと、中間照射領域Ｔと、照射領域Ｓと
が形成される（図１（Ｃ）参照）。
【００２６】次いで、被露光材６を現像液７に浸漬して
現像する（図１（Ｄ）参照）。絶縁部３の照射領域Ｓは
重合又は架橋して現像液７に不溶性又は難溶性となり、
中間照射領域Ｔは現像液７によって溶解されるが、露光
線Ｌの露光量に応じて一部が溶解されずに残る。露光線
Ｌの非照射領域Ｈは現像液７によって溶解される。
現像する（図１（Ｄ）参照）。絶縁部３の照射領域Ｓは
重合又は架橋して現像液７に不溶性又は難溶性となり、
中間照射領域Ｔは現像液７によって溶解されるが、露光
線Ｌの露光量に応じて一部が溶解されずに残る。露光線
Ｌの非照射領域Ｈは現像液７によって溶解される。
【００２７】図２（Ａ）は、露光量とネガ型レジストの
残膜率との関係を示すグラフである。図２（Ａ）に示す
ように、露光量が上昇すると、それに応じて残膜率が上
昇する。従って、図２（Ｂ）に示すように、フォトマス
ク５の遮光膜４によって露光量が０（ｍＪ／ｃｍ2）の
非照射領域Ｈの残膜率は０％、透過調整膜１１ａによっ
て露光量が５０（ｍＪ／ｃｍ2）の中間照射領域Ｔ１の
残膜率は２５％、透過調整膜１１ｂによって露光量が１
００（ｍＪ／ｃｍ2）の中間照射領域Ｔ２の残膜率は５
０％、透過調整膜１１ｃによって露光量が３００（ｍＪ
／ｃｍ2）の中間照射領域Ｔ３の残膜率は８５％、遮光
膜４及び透過調整膜１１のない照射領域Ｓの残膜率は、
９５％である。
残膜率との関係を示すグラフである。図２（Ａ）に示す
ように、露光量が上昇すると、それに応じて残膜率が上
昇する。従って、図２（Ｂ）に示すように、フォトマス
ク５の遮光膜４によって露光量が０（ｍＪ／ｃｍ2）の
非照射領域Ｈの残膜率は０％、透過調整膜１１ａによっ
て露光量が５０（ｍＪ／ｃｍ2）の中間照射領域Ｔ１の
残膜率は２５％、透過調整膜１１ｂによって露光量が１
００（ｍＪ／ｃｍ2）の中間照射領域Ｔ２の残膜率は５
０％、透過調整膜１１ｃによって露光量が３００（ｍＪ
／ｃｍ2）の中間照射領域Ｔ３の残膜率は８５％、遮光
膜４及び透過調整膜１１のない照射領域Ｓの残膜率は、
９５％である。
【００２８】従って、この被露光材６を現像液７で現像
すると、図２（Ｃ）に示すような段差のある開口部１２
が形成される。
すると、図２（Ｃ）に示すような段差のある開口部１２
が形成される。
【００２９】次いで、この開口部１２をキュアすれば、
絶縁部３に開口側に向かって幅広であり、かつなだらか
な湾曲形状のビアホール８が形成される（図１（Ｅ）参
照）。
絶縁部３に開口側に向かって幅広であり、かつなだらか
な湾曲形状のビアホール８が形成される（図１（Ｅ）参
照）。
【００３０】図３は、本発明の第２の実施の形態を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【００３１】まず、基板１又は層上にめっき選択法によ
り導体配線部２を形成した後、感光性材料をスピンコー
ティングして乾燥することにより、導体配線部２を絶縁
するための絶縁部３を形成する（図３（Ａ）参照）。こ
の絶縁部３はポジ型レジスト（感光性材料）で作られて
いる。
り導体配線部２を形成した後、感光性材料をスピンコー
ティングして乾燥することにより、導体配線部２を絶縁
するための絶縁部３を形成する（図３（Ａ）参照）。こ
の絶縁部３はポジ型レジスト（感光性材料）で作られて
いる。
【００３２】次いで、紫外線、Ｘ線、電子ビーム等の露
光線Ｌによって導体配線部２上の絶縁部３に露光を行う
（図３（Ｂ）参照）。その際、露光線Ｌを遮る遮光膜４
と、その遮光膜４の内側に配置され、露光線Ｌの透過率
を変える透過調整膜１１とをパターニングし、中央部分
には遮光膜４及び透過調整膜１１を被膜していないフォ
トマスク５を用いる。
光線Ｌによって導体配線部２上の絶縁部３に露光を行う
（図３（Ｂ）参照）。その際、露光線Ｌを遮る遮光膜４
と、その遮光膜４の内側に配置され、露光線Ｌの透過率
を変える透過調整膜１１とをパターニングし、中央部分
には遮光膜４及び透過調整膜１１を被膜していないフォ
トマスク５を用いる。
【００３３】遮光膜４としては、例えばクロム膜、クロ
ム膜の表面に酸化クロム膜を被覆した複数層膜等が用い
られる。
ム膜の表面に酸化クロム膜を被覆した複数層膜等が用い
られる。
【００３４】透過調整膜１１としては、例えば有機膜等
のように、遮光膜４よりも露光線Ｌを透過しやすい材質
の膜が用いられる。また、透過調整膜１１は１つの膜で
構成してもよく、複数の膜で構成してもよい。透過調整
膜１１を複数の膜で構成する場合、遮光膜４から内側に
従って、露光線Ｌの透過率が徐々に高くなるように配置
すると、よりなだらかな形状のビアホール８を形成でき
るので好ましい。なお、透過調整膜１１の膜厚を変える
ことにより、露光線Ｌの透過率を変えてもよい。
のように、遮光膜４よりも露光線Ｌを透過しやすい材質
の膜が用いられる。また、透過調整膜１１は１つの膜で
構成してもよく、複数の膜で構成してもよい。透過調整
膜１１を複数の膜で構成する場合、遮光膜４から内側に
従って、露光線Ｌの透過率が徐々に高くなるように配置
すると、よりなだらかな形状のビアホール８を形成でき
るので好ましい。なお、透過調整膜１１の膜厚を変える
ことにより、露光線Ｌの透過率を変えてもよい。
【００３５】フォトマスク５を透過した後の露光線Ｌの
照射強度は、遮光膜４が０で、遮光膜４から内側に従っ
て強くなっていく。従って、被露光材６の絶縁部３に
は、非照射領域Ｈと、中間照射領域Ｔと、照射領域Ｓと
が形成される（図３（Ｃ）参照）。
照射強度は、遮光膜４が０で、遮光膜４から内側に従っ
て強くなっていく。従って、被露光材６の絶縁部３に
は、非照射領域Ｈと、中間照射領域Ｔと、照射領域Ｓと
が形成される（図３（Ｃ）参照）。
【００３６】次いで、被露光材６を現像液７に浸漬して
現像する（図３（Ｄ）参照）。被露光材６の照射領域Ｓ
は分解して現像液７に可溶性となる。中間照射領域Ｔは
現像液７によって溶解されるが、露光線Ｌの露光量に応
じて一部が溶解されずに残る。非照射領域Ｈは現像液７
によって溶解されることはない。
現像する（図３（Ｄ）参照）。被露光材６の照射領域Ｓ
は分解して現像液７に可溶性となる。中間照射領域Ｔは
現像液７によって溶解されるが、露光線Ｌの露光量に応
じて一部が溶解されずに残る。非照射領域Ｈは現像液７
によって溶解されることはない。
【００３７】次いで、上記の現像工程によって形成され
た開口部をキュアすることにより、絶縁部３に開口側に
向かって幅広であり、かつなだらかな湾曲形状のビアホ
ール８が形成される（図３（Ｅ）参照）。本発明の多層
配線板の製造方法では、複数の層を積層していく際に、
上記の第１の実施の形態又は第２の実施の形態に係るビ
アホール形成方法を用いて、開口側に向かって幅広のビ
アホール８を絶縁部３に形成し、一方の層に形成された
導体配線部２と他方の層に形成された導体配線部２とを
ビアホール８を介して接続する。
た開口部をキュアすることにより、絶縁部３に開口側に
向かって幅広であり、かつなだらかな湾曲形状のビアホ
ール８が形成される（図３（Ｅ）参照）。本発明の多層
配線板の製造方法では、複数の層を積層していく際に、
上記の第１の実施の形態又は第２の実施の形態に係るビ
アホール形成方法を用いて、開口側に向かって幅広のビ
アホール８を絶縁部３に形成し、一方の層に形成された
導体配線部２と他方の層に形成された導体配線部２とを
ビアホール８を介して接続する。
【００３８】本発明によれば、露光線Ｌを遮る遮光膜４
と、露光線Ｌの透過率を変える透過調整膜１１とを備え
たフォトマスク５を用いて露光することにより、絶縁部
３に開口側に向かって幅広のビアホール８を形成するの
で、導体配線形成工程等で開口側からエアが抜けやすく
なり、エアトラップの発生を防止できる。また、開口部
分のエッジがなだらかになるので、スパッタ膜を良好に
被覆でき、導体配線部２の断線の発生を防止することが
できる。その結果、信頼性の高い多層配線板を製造する
ことができる。
と、露光線Ｌの透過率を変える透過調整膜１１とを備え
たフォトマスク５を用いて露光することにより、絶縁部
３に開口側に向かって幅広のビアホール８を形成するの
で、導体配線形成工程等で開口側からエアが抜けやすく
なり、エアトラップの発生を防止できる。また、開口部
分のエッジがなだらかになるので、スパッタ膜を良好に
被覆でき、導体配線部２の断線の発生を防止することが
できる。その結果、信頼性の高い多層配線板を製造する
ことができる。
【００３９】また、開口側に向かって幅広のビアホール
８を１度の工程で形成できるので、多層配線板の製造時
間を短縮化できる。
８を１度の工程で形成できるので、多層配線板の製造時
間を短縮化できる。
【００４０】さらに、遮光膜４及び透過調整膜１１の配
置等を適宜変えることにより、所望の形状のビアホール
８を形成することができる。
置等を適宜変えることにより、所望の形状のビアホール
８を形成することができる。
【００４１】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。例えば、本発
明により形成されるビアホール８の形状は、なだらかな
湾曲形状だけでなく、所望の角度に傾斜したＶ字形状で
あってもよい。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。例えば、本発
明により形成されるビアホール８の形状は、なだらかな
湾曲形状だけでなく、所望の角度に傾斜したＶ字形状で
あってもよい。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、露光線を遮る遮光膜
と、露光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォ
トマスクを用いて露光することにより、絶縁部に開口側
に向かって幅広のビアホールを形成するので、導体配線
形成工程等で開口側からエアが抜けやすくなり、エアト
ラップの発生を防止できる。また、開口部分のエッジが
なだらかになるので、スパッタ膜の被覆が良好になり、
導体配線部の断線の発生を防止することができる。その
結果、信頼性の高い多層配線板を製造することができ
る。
と、露光線の透過率を変える透過調整膜とを備えたフォ
トマスクを用いて露光することにより、絶縁部に開口側
に向かって幅広のビアホールを形成するので、導体配線
形成工程等で開口側からエアが抜けやすくなり、エアト
ラップの発生を防止できる。また、開口部分のエッジが
なだらかになるので、スパッタ膜の被覆が良好になり、
導体配線部の断線の発生を防止することができる。その
結果、信頼性の高い多層配線板を製造することができ
る。
【００４３】また、開口側に向かって幅広のビアホール
を１度の工程で形成できるので、多層配線板の製造時間
を短縮化できる。
を１度の工程で形成できるので、多層配線板の製造時間
を短縮化できる。
【００４４】さらに、遮光膜及び透過調整膜の配置等を
適宜変えることにより、所望の形状のビアホールを形成
することができる。
適宜変えることにより、所望の形状のビアホールを形成
することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するための工
程図である。
程図である。
【図２】（Ａ）は、露光量とネガ型レジストの残膜率と
の関係を示すグラフ、（Ｂ）は、（Ａ）のグラフを説明
するための説明図、（Ｃ）は現像直後の被露光材の開口
部を示す説明図である。
の関係を示すグラフ、（Ｂ）は、（Ａ）のグラフを説明
するための説明図、（Ｃ）は現像直後の被露光材の開口
部を示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明するための工
程図である。
程図である。
【図４】多層配線板の構成を示す断面図である。
【図５】従来のビアホール形成方法を説明するための工
程図である。
程図である。
【図６】従来技術の課題を説明するための説明図であ
る。
る。
１：基板 ２：導体配線部 ３：絶縁部 ４：遮光膜 ５：フォトマスク ６：被露光材 ７：現像液 ８：ビアホール ９：液状レジスト １０：スパッタ膜 １１：透過調整膜 Ｈ：非照射領域 Ｔ：中間照射領域 Ｓ：照射領域 Ｌ：露光線
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１４Ｃ
Claims (8)
- 【請求項１】露光線を遮る遮光膜と、露光線の透過率を
変える透過調整膜とを備えたフォトマスクを用いて感光
性材料の絶縁部を露光することにより、その絶縁部に開
口側に向かって幅広のビアホールを形成することを特徴
とするビアホール形成方法。 - 【請求項２】露光線を遮る遮光膜と、その遮光膜の外側
に配置され、露光線の透過率を変える透過調整膜とを備
えたフォトマスクを用いてネガ型レジストの絶縁部を露
光する工程と、 前記露光後の絶縁部を現像して、開口側に向かって幅広
のビアホールを形成する工程と、 を有することを特徴とするビアホール形成方法。 - 【請求項３】前記透過調整膜を前記遮光膜から外側に従
って露光線の透過率が高くなるように配置することを特
徴とする請求項２に記載のビアホール形成方法。 - 【請求項４】露光線を遮る遮光膜と、その遮光膜の内側
に配置され、露光線の透過率を変える透過調整膜とを備
えたフォトマスクを用いてポジ型レジストの絶縁部を露
光する工程と、 前記露光後の絶縁部を現像して、開口側に向かって幅広
のビアホールを形成する工程と、 を有することを特徴とするビアホール形成方法。 - 【請求項５】前記透過調整膜を前記遮光膜から内側に従
って露光線の透過率が高くなるように配置することを特
徴とする請求項４に記載のビアホール形成方法。 - 【請求項６】前記透過調整膜の材質を変えることによ
り、露光線の透過率を変えることを特徴とする請求項１
乃至５のいずれか１つの項に記載のビアホール形成方
法。 - 【請求項７】前記透過調整膜の膜厚を変えることによ
り、露光線の透過率を変えることを特徴とする請求項１
乃至６のいずれか１つの項に記載のビアホール形成方
法。 - 【請求項８】複数の層を積層し、一方の層に形成された
導体配線部と他方の層に形成された導体配線部とをビア
ホールを介して接続する多層配線板の製造方法におい
て、 基板上又は各層上に導体配線部を形成する工程と、 その導体配線部を絶縁するための感光性材料の絶縁部を
形成する工程と、 前記請求項１乃至７のいずれか１つの項に記載のビアホ
ール形成方法を用いて、前記導体配線部上の絶縁部に、
開口側に向かって幅広のビアホールを形成する工程と、 を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12315699A JP2000315868A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | ビアホール形成方法及び多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12315699A JP2000315868A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | ビアホール形成方法及び多層配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000315868A true JP2000315868A (ja) | 2000-11-14 |
Family
ID=14853576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12315699A Pending JP2000315868A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | ビアホール形成方法及び多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000315868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144687B2 (en) | 2001-12-18 | 2006-12-05 | Tdk Corporation | Manufacturing method for magnetic head suspension |
| CN102986311A (zh) * | 2010-07-08 | 2013-03-20 | Lg伊诺特有限公司 | 印刷电路板及其制造方法 |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12315699A patent/JP2000315868A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144687B2 (en) | 2001-12-18 | 2006-12-05 | Tdk Corporation | Manufacturing method for magnetic head suspension |
| CN102986311A (zh) * | 2010-07-08 | 2013-03-20 | Lg伊诺特有限公司 | 印刷电路板及其制造方法 |
| JP2013532390A (ja) * | 2010-07-08 | 2013-08-15 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 印刷回路基板及びその製造方法 |
| CN102986311B (zh) * | 2010-07-08 | 2016-05-04 | Lg伊诺特有限公司 | 印刷电路板及其制造方法 |
| US9491866B2 (en) | 2010-07-08 | 2016-11-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed circuit board |
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