JPH1079561A

JPH1079561A - 配線基板および配線基板の形成方法

Info

Publication number: JPH1079561A
Application number: JP23480596A
Authority: JP
Inventors: Yoshiro Takahashi; 良郎高橋; Yutaka Karasuno; ゆたか烏野; Minoru Nakakuki; 穂中久木; Satoru Itaya; 哲板谷
Original assignee: OKI PURINTETSUDO CIRCUIT KK; Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: OKI PURINTETSUDO CIRCUIT KK; Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1996-09-05
Filing date: 1996-09-05
Publication date: 1998-03-24

Abstract

(57)【要約】【課題】下地11上に絶縁性感光性樹脂層13を形成する
工程と、該感光性樹脂層を配線基板に即した形状となる
よう露光・現像する工程と、前記露光・現像済みの感光
性樹脂層表面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光
性樹脂層上に配線および薄膜抵抗体を形成する工程とを
含む配線基板の形成方法において、薄膜抵抗体の抵抗値
バラツキを小さくできる方法を提供する。【解決手段】前記粗化工程の前に、前記感光性樹脂層
13における薄膜抵抗体形成予定領域13b の前記粗化工程
に対する耐性が他の領域より向上するように、前記感光
性樹脂層に選択的な露光をする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁性樹脂層を
有しかつ該絶縁性樹脂層上に配線および薄膜抵抗体を有
した配線基板と、この配線基板の形成に用いて好適な方
法とに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高密度実装に対応した配線基板としてビ
ルドアップ法により形成された配線基板がある（例えば
文献Ｉ：電子材料，1995年10月（工業調査会）,p.84
）。この種の配線基板の形成方法は例えば文献Ｉの第8
6頁に記載されている。この形成方法は、下地（両面銅
張り積層板または下層配線）上に絶縁性感光性樹脂層を
形成する工程と、この感光性樹脂層を配線基板に即した
形状となるよう露光・現像する工程と、この露光・現像
済みの感光性樹脂層表面を粗化する工程と、この粗化が
済んだ感光性樹脂層上に銅配線等の配線構成成分を形成
する工程とを含むものであった。ここで上記粗化処理
は、感光性樹脂層に対する銅配線の密着強度を確保する
ため該樹脂層表面を粗す目的で行なわれるものであっ
た。また、この種の配線基板分野においては、前記樹脂
層上に前記銅配線と共に薄膜抵抗体を予め形成すること
が行なわれるようになってきている。高密度実装ができ
かつ回路機能が付与された配線基板が実現できるからで
ある。その場合は、前記粗化処理が終了した樹脂層の所
定部分上に薄膜抵抗体が好適な方法により形成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来技術では、以下に説明するような問題が生じることが
この出願に係る発明者の研究で明らかになった。

【０００４】既に説明したように感光性樹脂層に対する
銅配線の密着性を高めるために樹脂層表面は粗化され
る。この粗化は、一般には、樹脂層表面に１〜２μｍの
凹凸（最大粗さは５μｍ程度の凹凸）が形成できる程度
に行なわれる。すると従来技術では、薄膜抵抗体もこの
ように粗化された樹脂層表面に形成されることになる。
しかしこのような凹凸のある樹脂層表面に薄膜抵抗体を
形成した場合、前記凹凸の影響から、薄膜抵抗体の抵抗
値は所望の値になりにくい。特に高抵抗の薄膜抵抗体を
作製する場合程、薄膜抵抗体の幅が狭くされまたは厚さ
が薄くされるため上記凹凸の影響を受けるので、薄膜抵
抗体の抵抗値は所望の値になりにくい。そこで、別途に
レーザなどを用いて薄膜抵抗体の幅や膜厚を調整して所
望の抵抗値の薄膜抵抗体を得る工程が必要となる。その
ため従来技術では、工程の増加、製造歩留の低下、配線
基板コストの上昇という問題が生じる。また、粗化の程
度を小さく（弱く）すると、今度は銅配線が樹脂層から
剥離するという問題が生じる。これらを回避する為に、
粗化の済んだ樹脂層の薄膜抵抗体形成予定領域上に、別
途に樹脂層を形成する方法も考えられる。しかしそうし
たとしてもさほど抵抗値再現性の改善はえられず、かえ
って製造工程数のさらなる増加という問題も生じる。

【０００５】絶縁性樹脂層上に配線と薄膜抵抗体とを有
した配線基板であって所望の抵抗値を得易い構造の配線
基板と、そのような配線基板を簡易に形成できる方法と
が望まれる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこでこの出願の配線基
板の発明によれば、絶縁性樹脂層と該絶縁性樹脂層上に
設けられた配線および薄膜抵抗体とを具える配線基板に
おいて、絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が形成されて
いる部分の表面粗度が、該絶縁性樹脂層における配線が
形成されている部分の表面粗度に比べて小さくなってい
る（平坦性が良くなっている）ことを特徴とする。

【０００７】この発明の配線基板によれば、薄膜抵抗体
は表面粗度が小さい下地部分上に設けられているので、
そうでない場合に比べ、膜厚が均一でかつ縁部の形状も
所望の形状となった薄膜抵抗体になる。

【０００８】なおこの発明の実施にあたり、前記絶縁性
樹脂層における配線の引き回し部分が形成されている領
域の表面粗度を、配線の外部部品接続部分が形成されて
いる領域の表面粗度に比べて小さくしておくのが好適で
ある。こうしておくと、高速信号を扱う場合でも配線の
引き回し部分での該信号伝送損失の悪化を低減でき、し
かも、配線における外部部品接続部分たとえば配線のハ
ンダ付け用の部分の樹脂層に対する密着強度が確保され
た配線基板が得られる。

【０００９】またこの発明の配線基板の形成方法によれ
ば、下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する工程と、該
感光性樹脂層を配線基板に即した形状となるよう露光・
現像する工程と、前記露光・現像済みの感光性樹脂層表
面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光性樹脂層上
に配線構成成分（例えば配線、薄膜抵抗体等）を形成す
る工程とを含む配線基板の形成方法において、前記粗化
工程の前に、前記感光性樹脂層の一部領域に対し、該一
部領域の前記粗化工程に対する耐性を他の領域と違える
ための選択的な露光を実施することを特徴とする。ただ
し、複数の一部領域に対しそれぞれ異なる露光条件で露
光する場合も、この発明は含む。

【００１０】この発明の配線基板の形成方法によれば、
粗化工程を終えると樹脂層には少なくとも２種類の表面
粗度を有した領域が形成される。すなわち１回の粗化工
程で樹脂層には少なくとも２種類の表面粗度を有した領
域が形成される。またこの発明において複数の一部領域
に対しそれぞれ異なる露光条件で露光する場合であれ
ば、１回の粗化工程で樹脂層には少なくとも３種類の表
面粗度を有した領域が形成される。したがって、この発
明の方法は、例えば樹脂層の薄膜抵抗体形成予定領域の
表面粗度や、樹脂層の配線形成予定領域の表面粗度を制
御する技術として利用できる。具体的には次のような方
法として利用できる。

【００１１】すなわち、下地上に絶縁性感光性樹脂層を
形成する工程と、該感光性樹脂層を配線基板に即した形
状となるよう露光・現像する工程と、前記露光・現像済
みの感光性樹脂層表面を粗化する工程と、前記粗化が済
んだ感光性樹脂層上に配線および薄膜抵抗体を形成する
工程とを含む配線基板の形成方法において、前記粗化工
程の前に、前記感光性樹脂層における薄膜抵抗体形成予
定領域の前記粗化工程に対する耐性が他の領域より向上
するように前記感光性樹脂層に選択的な露光をする工程
を含む方法である。この具体的な配線基板の形成方法に
よれば、粗化工程が済むと、絶縁性感光性樹脂層の薄膜
抵抗体形成予定領域の粗化具合は他の領域に比べ小さく
なる。よって表面粗度が所望の通りに低い部分を簡易に
形成出来る。表面粗度が小さい領域上に形成される薄膜
抵抗体は、表面粗度が大きい領域に形成される場合より
均一な膜厚のものになる。また、表面粗度が小さい領域
上に形成される薄膜抵抗体をパターニングする場合の方
が、表面粗度が大きい領域に形成される薄膜抵抗体をパ
ターニングする場合より、精度良くパターニングでき
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、この発明の
配線基板および配線基板の形成方法の各発明の実施の形
態について併せて説明する。なお説明に用いる各図はこ
の発明を理解出来る程度に各構成成分の寸法、形状およ
び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。また、各
図において同様の構成成分については同一の番号を付し
て示しその重複する説明を省略することもある。

【００１３】１．第１の実施の形態ビルドアップ法と称される配線基板形成法に本発明を適
用する例を説明する。図１〜図３はその説明に供する製
造工程図である。これら図において完成された配線基板
は、図３に示してある。また図３中の平面図を除く各図
はいずれも断面図によって示してある。

【００１４】まず、下地１１上に絶縁性感光性樹脂層１
３を形成する（図１（Ａ））。ここで下地１１は、コア
基板、或は下層配線が既に形成されている配線基板中間
体等、種々のものとできる。絶縁性感光性樹脂層１３
は、ここではネガ型のかつアルカリ現像型の感光性エポ
キシ樹脂を下地１１上に塗布しさらに乾燥することで形
成している。

【００１５】次に、この絶縁性感光性樹脂層１３を配線
基板に即した形状となるよう露光・現像する。ここでは
この樹脂層１３にヴィアホールを形成する例を考える。
そのため、絶縁性感光性樹脂層１３のヴィアホール形成
予定領域１３ａを遮光でき、かつ、他の領域を露光でき
るマスク１５により、該樹脂層１３を覆った後、この絶
縁性感光性樹脂層１３を紫外線（ＵＶ）１７によって露
光する（図１（Ｂ））。

【００１６】露光の終了した試料を炭酸ナトリウム溶液
等を用い現像する。すると絶縁性感光性樹脂層１３の未
露光部分が除去されてヴィアホール１９が形成される
（図１（Ｃ））。

【００１７】次に、絶縁性感光性樹脂層１３の、薄膜抵
抗体形成予定領域１３ｂを露光でき、かつ、他の領域を
遮光できるマスク２１により、該樹脂層１３を覆う（図
２（Ａ））。ただし、このマスク２１は、本来の薄膜抵
抗体形成予定領域１３ｂより少し広い領域を露光できる
ように設計したものとするのが良い。こうした方が、露
光の際のマスクずれや、製造工程中で生じる基板の伸長
や縮小などに起因する下地の変形、後に行なう薄膜抵抗
体形成用薄膜のパターニングずれなどがあっても、薄膜
抵抗体を薄膜抵抗体形成予定領域１３ｂ内に予定通り形
成できるからである。次に、絶縁性感光性樹脂層１３を
マスク２１を通し露光する（同じく図２（Ａ））。この
露光は、絶縁性感光性樹脂層１３の薄膜抵抗体形成予定
領域１３ｂの粗化工程に対する耐性が他の領域より向上
するような条件で行なう。より詳細には、粗化処理後に
おいても薄膜抵抗体形成予定領域１３ｂの表面粗度が薄
膜抵抗体の抵抗値のバラツキを生じさせる一因に実質的
にならない程度に小さい状態に維持されるような粗化処
理耐性を、該領域１３ｂに与え得る露光条件とする。こ
こでは、絶縁性樹脂層１３の薄膜抵抗体形成予定領域１
３ｂにおける未反応感光基を実質的に完全に架橋させ得
る程度の充分な露光量（例えば数１０００ｍＪ／ｃｍ
² ）で露光をする。このように充分に露光がされた樹脂
層部分１３ｂの耐薬品性などは、そうしない部分に比べ
て向上する。例えば、後の粗化処理にてアルカリ性処理
液による処理をする際の耐性が向上する。

【００１８】次に、後に形成する配線の、絶縁性感光性
樹脂層１３に対する密着性を向上するため、この試料に
対し粗化処理をする。ここでは、アルカリ性処理液で絶
縁性感光性樹脂層１３を膨潤させ、さらに過マンガン酸
塩を含むエッチング液でエッチングすることにより表面
粗化を行なう。なお、用いた薬品に対する中和処理も行
なう。この粗化処理では、絶縁性感光性樹脂層１３にお
ける薄膜抵抗体形成予定領域１３ｂすなわち先の選択的
に露光した領域は、他の領域に比べ膨潤されにくいため
に粗化の進行が遅くなる。したがって、粗化処理後の、
絶縁性感光性樹脂層１３における薄膜抵抗体形成予定領
域１３ｂの表面粗度を、他の領域に比べ小さく（すなわ
ち平坦性が良い状態に）することができる。一方、絶縁
性感光性樹脂層１３の、薄膜抵抗体形成予定領域１３ｂ
以外の領域は、領域１３ｂに比べてアルカリ性処理液で
の膨潤が多く生じるので粗化の程度も大きくなるから、
後に形成する配線の樹脂層１３に対する所望の密着力を
確保するに充分な表面粗度を有した領域になる。これら
の様子を図２（Ｂ）に示す。図２（Ｂ）中、領域Ｉは表
面粗度が小さい領域であって後に薄膜抵抗体が形成され
る領域、ＩＩは表面粗度が大きい領域であって後に配線
が形成される領域である。

【００１９】粗化処理の済んだ絶縁性感光性樹脂層１３
上に好適な成膜方法により薄膜抵抗体形成用の薄膜２３
を形成する。さらにこの薄膜２３上に好適な成膜方法に
より配線形成用の薄膜２５を形成する（図２（Ｃ））。
薄膜２３の成膜方法は特に限定されず例えば無電解めっ
き法、蒸着法など任意好適な方法とできる。また、薄膜
２５の成膜方法も特に限定されず例えば電解めっき法、
蒸着法など任意好適な方法とできる。また薄膜２３の構
成材料は任意好適なものとできる。例えば、Ｎｉ（ニッ
ケル）−Ｐ（リン）、Ｎｉ−Ｗ（タングステン）−Ｐ、
Ｎｉ−Ｆｅ（鉄）−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ（ホウ素）などは、薄
膜抵抗体形成用の薄膜２３の構成材料として用いること
ができる。また薄膜２５の構成材料として例えば銅（Ｃ
ｕ）を用いる。

【００２０】次に、薄膜抵抗体形成用の薄膜２３および
配線形成用の薄膜２５それぞれを所定の形状にパターニ
ングする。これは例えば公知のリソグラフィ技術および
エッチング技術により行なえる。これにより、薄膜抵抗
体２３ａおよび配線２５ａがそれぞれ形成される（図
３）。図３からも分かるように、薄膜抵抗体２３ａは絶
縁性樹脂層１３における表面粗度が他の領域より小さい
領域上に形成されている。

【００２１】なお、ここでは薄膜抵抗体形成用の薄膜２
３および配線形成用の薄膜２５を順次に形成し、そして
これらをパターニングする例を説明したが、薄膜抵抗体
形成用の薄膜２３を形成した後にまずこのパターニング
をし、その後に配線形成用の薄膜２５を形成しそしてそ
のパターニングを行なうようにしても良い。

【００２２】次に、配線基板の安定化を図るために、絶
縁性感光性樹脂層１３の未反応感光性基を反応させるに
充分な露光量で該樹脂層１３全面を露光する。その後は
さらに上層の配線を形成する場合であれば、図１（Ａ）
〜図３を用い説明した工程を繰り返す。

【００２３】２．第２の実施の形態上述の第１の実施の形態では絶縁性感光性樹脂層中に、
粗化処理に対する耐性が異なる２種類の領域を選択的露
光により生じさせる例を説明した。しかし、この発明
は、絶縁性感光性樹脂層中に、粗化処理に対する耐性が
異なる３種類の領域を選択的露光により生じさせること
もできる。ここでは、粗化処理に対する耐性が異なる３
種類の領域を選択的露光により生じさせる例を説明す
る。この説明を図４および図５を参照して行なう。

【００２４】まず、第１の実施の形態において図１
（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明した手順で、下地１１上
に絶縁性感光性樹脂層１３を形成し、さらに該樹脂層１
３にヴィアホール１９を形成する（図４（Ａ））。

【００２５】次に、この第１の実施の形態と同様に絶縁
性感光性樹脂層１３をマスク２１により覆い、そして絶
縁性感光性樹脂層１３をマスク２１を通し露光する（図
４（Ｂ））。ここでは、第１の実施の形態同様、絶縁性
樹脂層１３の薄膜抵抗体形成予定領域１３ｂにおける未
反応感光基を実質的に完全に架橋させ得る程度の充分な
露光量（例えば数１０００ｍＪ／ｃｍ² ）で露光をす
る。

【００２６】次に、絶縁性感光性樹脂層１３の配線形成
予定領域であってその内の外部部品等接続部分（例えば
ハンダ付け等がされる配線部分）を遮光できるマスク３
１により該樹脂層１３を覆い、次に、絶縁性感光性樹脂
層１３をこのマスク３１を通し露光する（図４
（Ｃ））。この際の露光量は、先の薄膜抵抗体形成予定
領域１３ｂを露光した際の露光量よりは少ない所定の露
光量とする。この所定の露光量とは、後に形成される配
線の絶縁性感光性樹脂層１３に対する必要最小限の密着
性が確保される程度の表面粗化が後の粗化処理でなされ
る程度に、粗化耐性を樹脂層１３に与え得る露光量であ
る。またこの露光に当たって用いるマスク３１の遮光部
の面積は、ハンダ付け等がされる配線部分の設計面積よ
り少し大きめにしておくのが良い。こうした方が、露光
の際のマスクずれや、製造工程中で生じる基板の伸長や
縮小などに起因する下地の変形、後に行なう配線形成用
薄膜のパターニングずれなどがあっても、この配線部分
を所定表面粗度の領域内に予定通り形成できるからであ
る。

【００２７】次に、この試料に対し第１の実施の形態に
おいて説明したと同様の手順で粗化処理をする。この粗
化処理では、絶縁性感光性樹脂層１３における薄膜抵抗
体形成予定領域１３ｂが最も粗化されにくく、次に、マ
スク３１を通して露光した際に遮光されていた部分が粗
化されにくく、次にマスク２１を通して露光した際にも
遮光されかつマスク３１を通して露光した際にも遮光さ
れていた部分が粗化されにくい（最も粗化され易い）の
で、絶縁性感光性樹脂層１３には表面粗度が異なる３種
類の領域が生じる。これらの様子を図５（Ａ）に示す。
図５（Ａ）中、領域Ｉは表面粗度が小さい領域であって
後に薄膜抵抗体が形成される領域、ＩＩは表面粗度が大
きい領域であって後に配線のうちのハンダ付け等がされ
る部分が形成される領域、III は表面粗度が中程度（配
線の必要最少限の密着性が確保される表面粗度）の領域
であって、後に例えば配線の引き回し部分が形成される
領域である。

【００２８】粗化処理の済んだ絶縁性感光性樹脂層上に
第１の実施の形態において説明した手順と同様の手順に
より、薄膜抵抗体形成用の薄膜２３および配線形成用の
薄膜２５を形成し（図５（Ｂ））、さらにそれらのパタ
ーニングをして、薄膜抵抗体２３ａおよび配線２５ａが
それぞれ形成される（図５（Ｃ））。図５（Ｃ）からも
分かるように、薄膜抵抗体２３ａは絶縁性樹脂層１３に
おける表面粗度が最も小さい領域上に形成され、配線２
３ａのうちのハンダ付けなどがされる部分は絶縁性樹脂
層１３における表面粗度が最も大きい領域上に形成さ
れ、配線２３ａのうちの引き回し部分は絶縁性樹脂層１
３における表面粗度が中程度の領域上に形成されてい
る。

【００２９】次に、配線基板の安定化を図るために、絶
縁性感光性樹脂層１３の未反応感光性基を反応させるに
充分な露光量で該樹脂層１３を露光する。その後はさら
に上層の配線を形成する場合であれば、図４（Ａ）〜図
５を用い説明した工程を繰り返す。

【００３０】この第２の実施の形態の配線形成方法によ
れば、表面粗度が中程度の樹脂層部分上に、配線２５ａ
のうちの引き回し部分を、簡易に形成できる。よって高
速信号を扱う場合でも配線の引き回し部分での伝送損失
が従来に比べ少ない配線基板が得られる。

【００３１】上述においてはこの発明のいくつかの実施
の形態について説明したが、この発明は上述の実施の形
態に限られない。例えば上述の実施の形態では絶縁性感
光性樹脂層としてネガ型でアルカリ現像型のエポキシ樹
脂層を用いる例を説明したが感光性樹脂層は露光量の調
整により粗化工程の耐性が調整できるものであれば他の
ものでも良い。また、配線基板の形成方法に係る発明
は、薄膜抵抗体を有した配線基板の形成に限らず、絶縁
性感光性樹脂層の一部に表面粗度の異なる領域を形成す
る必要がある配線基板の形成に広く適用出来る。

【００３２】

【発明の効果】上述した説明から明らかなようにこの出
願の配線基板の発明によれば、絶縁性樹脂層と該絶縁性
樹脂層上に設けられた配線および薄膜抵抗体とを具える
配線基板において、絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が
形成されている部分の表面粗度が、該絶縁性樹脂層にお
ける配線が形成されている部分の表面粗度に比べて小さ
くなっている（平坦性が良くなっている）。そのため膜
厚が均一でかつ縁部の形状も所望の形状となった薄膜抵
抗体を有した配線基板が得られる。また、この配線基板
の発明であって樹脂層における配線の引き回し部分が形
成される領域の表面粗度を、配線の外部部品接続部分が
形成される部分より小さくする構成では、配線の引き回
し部分での信号の伝送損失を低減しつつ、必要な密着強
度も確保された配線基板が得られる。

【００３３】またこの発明の配線基板の形成方法によれ
ば、下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する工程と、該
感光性樹脂層を配線基板に即した形状となるよう露光・
現像する工程と、前記露光・現像済みの感光性樹脂層表
面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光性樹脂層上
に配線構成成分を形成する工程とを含む配線基板の形成
方法において、前記粗化工程の前に、前記感光性樹脂層
の一部領域に対し、該一部領域の前記粗化工程に対する
耐性を他の領域と違えるための選択的な露光を実施す
る。そのため１回の粗化工程で樹脂層には少なくとも２
種類の表面粗度を有した領域が形成される。したがっ
て、この発明の形成方法によれば、絶縁性樹脂層の薄膜
抵抗体形成予定領域の表面粗度や該樹脂層の配線形成予
定領域の表面粗度を簡易に制御できる。そのため、表面
粗度が平坦な絶縁性樹脂層部分上に薄膜抵抗体を形成で
きるので、形成される薄膜抵抗体は抵抗値のバラツキが
従来より小さなものとなる。したがって、抵抗値のトリ
ミング作業を不要とすることが可能になり、配線基板の
製造工程の簡素化、製造コストの低減が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の説明図であり、配線基板の
製造工程図である。

【図２】第１の実施の形態の説明図であり、配線基板の
図１に続く製造工程図である。

【図３】第１の実施の形態の説明図であり、配線基板の
図２に続く製造工程図である。

【図４】第２の実施の形態の説明図であり、配線基板の
製造工程図である。

【図５】第２の実施の形態の説明図であり、配線基板の
図４に続く製造工程図である。

【符号の説明】

１１：下地１３：絶縁性感光性樹脂層１３ａ：ヴィアホール形成予定領域１３ｂ：薄膜抵抗体形成予定領域１５：マスク１７：紫外線１９：ヴィアホール２１：マスク２３：薄膜抵抗体形成用薄膜２５：配線形成用薄膜２３ａ：薄膜抵抗体２５ａ：配線３１：マスクＩ：表面粗度が小さい領域ＩＩ: 表面粗度が大きい領域 III ：表面粗度が中程度の領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中久木穂東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内 (72)発明者板谷哲新潟県上越市福田町１番地沖プリンテッドサーキット株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性樹脂層と、該絶縁性樹脂層上に設
けられた配線および薄膜抵抗体とを具える配線基板にお
いて、絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が形成されている領域
の表面粗度が、該絶縁性樹脂層における配線が形成され
ている領域の表面粗度に比べて小さくなっていることを
特徴とする配線基板。
【請求項２】請求項１に記載の配線基板において、前記絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が形成されている
領域の表面粗度が、前記薄膜抵抗体の抵抗値のバラツキ
を生じさせる一因に実質的にならない程度に、小さくな
っていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】請求項１に記載の配線基板において、前記絶縁性樹脂層における配線の引き回し部分が形成さ
れている領域の表面粗度が、該配線の外部部品接続部分
が形成されている領域の表面粗度に比べて小さくなって
いることを特徴とする配線基板。
【請求項４】請求項１に記載の配線基板において、前記配線基板は、前記絶縁性樹脂層に対する前記配線の密着強度を確保で
きる程度に前記絶縁性樹脂層の表面粗度を粗くしたので
はその凹凸に起因して前記薄膜抵抗体の抵抗値精度が低
下してしまう程度に、薄膜抵抗体の膜厚が薄くされてい
る配線基板であることを特徴とする配線基板。
【請求項５】請求項１に記載の配線基板において、前記絶縁性樹脂層がネガ型の感光性樹脂を加工して構成
された絶縁性樹脂層であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する
工程と、該感光性樹脂層を配線基板に即した形状となる
よう露光・現像する工程と、前記露光・現像済みの感光
性樹脂層表面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光
性樹脂層上に配線構成成分を形成する工程とを含む配線
基板の形成方法において、前記粗化工程の前に、前記感光性樹脂層の一部領域に対
し、該一部領域の前記粗化工程に対する耐性を他の領域
と違えるための選択的な露光を実施することを特徴とす
る配線基板の形成方法（ただし、複数の一部領域に対し
それぞれ異なる露光条件で露光する場合も含む）。
【請求項７】下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する
工程と、該感光性樹脂層を配線基板に即した形状となる
よう露光・現像する工程と、前記露光・現像済みの感光
性樹脂層表面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光
性樹脂層上に配線および薄膜抵抗体を形成する工程とを
含む配線基板の形成方法において、前記粗化工程の前に、前記感光性樹脂層における薄膜抵
抗体形成予定領域の前記粗化工程に対する耐性が他の領
域より向上するように、前記感光性樹脂層に選択的な露
光をすることを特徴とする配線基板の形成方法。
【請求項８】請求項７に記載の配線基板の形成方法に
おいて、前記選択的な露光が、前記粗化処理後においても前記薄膜抵抗体形成予定領域
の表面粗度が前記薄膜抵抗体の抵抗値のバラツキを生じ
させる一因に実質的にならない程度に小さい状態に維持
されるように、前記形成予定領域に前記粗化処理耐性を
与える露光であることを特徴とする配線基板の形成方
法。
【請求項９】請求項６または７に記載の配線基板の形
成方法において、前記絶縁性感光性樹脂としてネガ型の感光性樹脂を用
い、前記耐性は、前記ネガ型感光性樹脂での光架橋反応を該
樹脂に対する露光量によって調整することで与えること
を特徴とする配線基板の形成方法。