JP2000321469A - 光結合装置とその製造方法および光ファイバモジュール - Google Patents

光結合装置とその製造方法および光ファイバモジュール

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JP2000321469A JP11131944A JP13194499A JP2000321469A JP 2000321469 A JP2000321469 A JP 2000321469A JP 11131944 A JP11131944 A JP 11131944A JP 13194499 A JP13194499 A JP 13194499A JP 2000321469 A JP2000321469 A JP 2000321469A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品点数の低減し、結合効率が高くしかも小
型化が容易で調整装置が不要な光結合装置とその製造方
法および光ファイバモジュールを提供する。 【解決手段】 光透過性のn形半導体基板20の表面に
APD10を構成する各種の半導体層を積層して光吸収
層まで形成し(S1)、n形半導体基板20の裏面を研磨
してから減反射コートを施す(S2)。また、Si基板2
1の裏面に所定間隔で円錐型の孔部を形成し(S3)、表
面からスルーホールエッチングを施して貫通孔を形成す
る(S4)。次に、半導体基板20の裏面とSi基板21
の表面とを対向させて両基板を貼り合わせてから(S
5)、n形半導体基板20の表面に電極を形成し(S
6)、グループ毎に分割することによって(S7)、光結
合装置が製造される。そして、この光結合装置の孔部1
2に光ファイバ芯線を挿入し、光整合剤によって接着さ
せることにより光ファイバモジュールが製造される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号を伝送する
光ファイバと、光ファイバによって伝送された光信号を
電気信号に変換するフォトダイオード(photo diode)と
を結合する光結合装置とその製造方法および光ファイバ
モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】図6は従来の光結合装置の内部構成を示
す断面を含む側面図であり、1は光ファイバ、2は光フ
ァイバ1の先端部を保持するフェルール、3はフェルー
ル2を保持するフェルールホルダ、4は光ファイバ1の
先端から拡散した光を収束させるセルフォックレンズ、
5はセルフォックレンズ4を保持するレンズホルダ、6
はセルフォックレンズ4によって収束された光を受光し
て電気信号に変換するフォトダイオード(以下、PDと
称する)、7はPD6を保持しかつレンズホルダ5に連
結するPDホルダ、8は、フェルールホルダ3とレンズ
ホルダ5とを連結し、光ファイバ1の先端を光ファイバ
1の光軸方向(以下、Z軸方向と称する)に対して垂直な
前後方向(以下、X軸方向と称する)および左右方向(以
下、Y軸方向と称する)に調整させる調整ホルダを示
し、調整ホルダ8は、フェルールホルダ3をZ軸方向に
調整可能に支持し、かつX,Y軸方向に調整可能にレン
ズホルダ5に取り付けられるものである。9はPD6の
端子を示す。
【0003】上記した各部材を組み立てた後に光ファイ
バ1に光を入射させて、PD6の電流値をモニタしなが
らフェルールホルダ3をX,Y,Z軸方向に移動させて
電流値の最大値を検出する。そして、電流値が最大値に
なった位置で、フェルールホルダ3と調整ホルダ8とレ
ンズホルダ5とをレーザ溶接または半田付け等によって
固定することにより、光ファイバモジュールが構成され
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術においては、各種のホルダが必要になるため
小型化が困難であり、また調整工数が大きくなるととも
に調整装置が必要となる。さらに、部品点数が多く、光
ファイバ1にフェルール2を取り付けるための準備加工
が必要になり、しかも、拡散する光をセルフォックレン
ズ4によって収束させてPD6に送るために光損失が発
生し、結合効率を悪化させるおそれがある。
【0005】本発明は、このような問題点を解決し、部
品点数の低減し、結合効率が高くしかも小型化が容易で
調整装置が不要な光結合装置とその製造方法および光フ
ァイバモジュールを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の光結合装置は、光吸収層を含む化合物半導体
層を光透過性基板に積層してなり、光透過性基板側から
入射した光を光電変換する光電変換素子と、この光透過
性基板の下面に貼着され、光ファイバの先端部を挿入す
る貫通孔を有する支持体と、前記光ファイバによって伝
送された光信号を前記光電変換素子に入射させて光電変
換してなる電気信号を出力する出力部とを備えたことを
特徴とする。このような構成により、構成部材が化合物
半導体基板と支持体の2つですむため部品点数を削減で
き、さらに貫通孔によって光ファイバが位置決めされる
ために調整装置が不要になる。さらに光ファイバの光信
号が光吸収層に直接入射されるために、結合効率が高く
小型化が容易である。
【0007】また本発明の光結合装置は、前記支持体の
光ファイバ挿入側の面における前記貫通孔の周囲をテー
パ状に構成したことを特徴とする。このような構成によ
り、光ファイバが貫通孔に挿入されやすくなるととも
に、光ファイバを固定する際、このテーパ部分に接着剤
が貯留されるために、光ファイバが支持体に確実に固定
されるようになる。
【0008】また本発明の光結合装置は、前記支持体の
前記光透過性基板側の面に、前記貫通孔に連続して前記
貫通孔の側方に延出する溝を形成したことを特徴とす
る。このような構成により、貫通孔内に残留する空気が
溝に逃げるようになり、光ファイバと化合物半導体基板
との間に空気が残留することが防止できる。
【0009】また本発明の光結合装置の製造方法は、光
透過性を有する第1基板に光吸収層を含む化合物半導体
層を積層して、前記第1基板の下面側から入射した光を
光電変換する光電変換素子を複数形成させる積層工程
と、第2基板上に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工
程と、前記積層工程を経た第1基板と貫通孔形成工程を
経た第2基板とを貼着する貼着工程と、この貼着工程に
よって構成された基板における第1基板上に電極を形成
する電極形成工程と、この電極形成工程を経た基板をグ
ループ毎に分割する分割工程とからなることを特徴とす
る。このような構成により、複数の光吸収層が形成され
た基板に複数の貫通孔が形成された基板を貼着して、グ
ループ毎に切断するために、一度の製造工程によって大
量の光結合装置を製造することができる。
【0010】また本発明の光ファイバモジュールは、前
述した光結合装置の支持体に形成された貫通孔に光ファ
イバの芯線を挿入かつ固定してなることを特徴とする。
このような構成により、光結合装置の貫通孔に光ファイ
バの芯線を挿入した時点で光ファイバの芯線が正確に位
置決めされる。
【0011】また本発明は、前記支持体と光ファイバの
芯線とを、光ファイバと屈折率の等しい接着剤によって
固定することを特徴とする。このような構成により、光
損失を低減することができる。
【0012】また本発明の光ファイバモジュールは、前
記支持体と光ファイバの芯線とを、光ファイバと屈折率
の等しい接着剤によって固定することを特徴とする。こ
のような構成により、光ファイバ端面の反射をなくすこ
とができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0014】図1は本発明の実施形態の光結合装置の外
観を示す斜視図であり、10はアバランシュフォトダイ
オード(avalanche photo diode:以下、APDと称
する)、11は、シリコンによって構成され、光ファイ
バ1を支持し、かつAPD10に固定される支持体、1
2は支持体11に設けられた漏斗型の孔部を示す。この
孔部12は支持体11を貫通しておりAPD10の裏面
まで達している。さらに、孔部12に光ファイバ1の芯
線が挿入され、光整合剤によって芯線が支持体11に接
着固定される。そして、光ファイバ1によって伝送され
た光信号は、APD10に入力されて光電変換される。
【0015】図2は図1の光結合装置の製造工程を示す
説明図である。
【0016】まず、InP(インジウムリン)のような化
合物半導体からなる光透過性のn形半導体基板20の表
面にフォトエッチング等の手法によりAPD10を構成
する各種の半導体層20aを積層して光吸収層まで形成
する(S1)。次に、n形半導体基板20の裏面を目的の
厚さ、本実施形態においては厚さ0.3mmを0.1m
mになるまで研磨してからTiO2等によって減反射コ
ート20bを施す(S2)。
【0017】次に、Si基板21の裏面にテーパエッチ
ングを施して0.5mm間隔で0.3mm径の円錐型の
孔部を形成する(S3)。さらに、表面からスルーホール
エッチングを施して孔部の頂点部分から表面を貫通する
ように0.127mm径の孔部を形成する(S4)。
【0018】次に、n形半導体基板20の裏面とSi基
板21の表面とを対向させて両基板を貼り合わせてから
(S5)、n形半導体基板20の表面に電極を形成する
(S6)。そして、n形半導体基板20の裏面およびSi
基板21の表面に溝を形成してグループ分けを行って、
そのグループ毎に分割することによって、光結合装置が
製造される。
【0019】次に、光ファイバと光結合装置との結合方
法について説明する。
【0020】まず、光ファイバ先端部の保護部材を除去
して芯線を露出させ、芯線の先端を折ることによって長
さを整える。次に、孔部12に光整合剤を注入してから
光ファイバ芯線を孔部12に挿入する。そして、光整合
剤を硬化させることによって結合が完了する。ここで、
光整合剤として光ファイバと屈折率が等しい接着剤を用
いることにより、光ファイバ端面の反射を防止すること
ができる。
【0021】このように構成したことにより、従来にお
けるフェルールやセルフォックレンズ等の部品が不必要
となり、また孔部12に芯線を孔部12に挿入した時点
で正確な位置決めがなされるために調整装置が不必要と
なる。また、芯線の先端を折ってから芯線を孔部12に
挿入するため準備加工が簡単である。ここで、従来、芯
線の先端を研磨して加工することが行われているが、実
験の結果、単に先端を折ってから芯線を孔部12に挿入
した方が加工を施すよりも光損失の少ないことが分かっ
た。また、APD10の厚みに支持体11の厚みを加え
た大きさとなるため、大幅な小型化を図ることができ
る。
【0022】図3は光ファイバの固定状態および回路基
板に対する実装状態を示す断面図であり、22は半田バ
ンプ、23は接着剤を示す。孔部12のテーパ部に位置
する光ファイバ1はテーパ部に貯留された接着剤23に
よって支持体11に固定される。この時、接着剤23は
表面張力によりテーパ部外に盛り上がるように注入する
ことによって、光ファイバ1におけるテーパ部外の一部
も支持体11に対する固定に寄与するようになる。さら
に、APD10の電極は半田バンプ22を介して回路基
板に実装される。ここで、光ファイバ1の先端はAPD
10の電極におけるP極の部位に対向しているため、P
極の光吸収層に光ファイバ1からの光が入射するように
なる。また、N極にも光吸収層が形成されているが、N
極における光吸収層光はファイバ1からの光が入射する
ことがなく、各電極の高さを合わせることに寄与する。
【0023】なお、本実施形態の光結合装置の構成は、
上述したものに限るものではない。例えば、図4に示す
ように、APD10に対する支持体11の対向面におい
て、孔部12から側方に延びる溝13を形成し、芯線を
孔部12に挿入した際に、孔部12内に残留している空
気を溝13に逃すようにしても良い。また、図5に示す
ように、APD10の電極を1つの側部に整列させ、A
PD10の電極と回路基板とを半田固定したときに、光
ファイバが回路基板に対して平行に延びるように構成し
ても良く、またこのように構成することによって、さら
に小型化が図れるようになる。
【0024】
【発明の効果】以上、説明したように構成された本発明
によれば、従来におけるフェルールやセルフォックレン
ズ等の部品や、調整装置が不必要となり、安価に製造す
ることができる。また、芯線を孔部に挿入して固定する
ため準備加工が簡単である。また、化合物半導体基板の
厚みに支持体の厚みを加えた大きさとなるために大幅な
小型化を図ることができる。
【0025】また、複数の光電変換素子が形成された基
板に複数の貫通孔が形成された基板を貼着してからグル
ープ毎に切断するために、一度の製造工程によって大量
の光結合装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の光結合装置の外観を示す斜
視図
【図2】図1の光結合装置の製造工程を示す説明図
【図3】光ファイバの固定状態および回路基板に対する
実装状態を示す断面図
【図4】APDに対する支持体の対向面の構成を示す下
面図
【図5】基板に対する光結合装置を固定した状態を示す
側面図
【図6】従来の光ファイバモジュールの内部構成を示す
断面を含む側面図
【符号の説明】
1 光ファイバ 10 アバランシュフォトダイオード(APD) 11 支持体 12 孔部 13 溝 20 n形半導体基板 20a 半導体層 20b 減反射コート 21 Si基板 22 半田バンプ 23 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内山 博夫 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目3番1 号 松下通信工業株式会社内 (72)発明者 根岸 英彦 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目3番1 号 松下通信工業株式会社内 Fターム(参考) 2H036 LA00 LA07 NA01 2H037 AA01 BA11 DA03 DA04 DA06 DA11 DA17 5F088 AA05 BA10 BA15 BB01 EA11 JA14 LA01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光吸収層を含む化合物半導体層を光透過
    性基板に積層してなり、前記光透過性基板側から入射し
    た光を光電変換する光電変換素子と、この光透過性基板
    の下面に貼着され、光ファイバの先端部を挿入する貫通
    孔を有する支持体と、前記光ファイバによって伝送され
    た光信号を前記光電変換素子に入射させて光電変換して
    なる電気信号を出力する出力部とを備えたことを特徴と
    する光結合装置。
  2. 【請求項2】 前記支持体の前記光ファイバ挿入側の面
    における前記貫通孔の周囲をテーパ状に構成したことを
    特徴とする請求項1記載の光結合装置。
  3. 【請求項3】 前記支持体の前記光透過性基板側の面
    に、前記貫通孔に連続して前記貫通孔の側方に延出する
    溝を形成したことを特徴とする請求項1または2記載の
    光結合装置。
  4. 【請求項4】 光透過性を有する第1基板に光吸収層を
    含む化合物半導体層を積層して、前記第1基板の下面側
    から入射した光を光電変換する光電変換素子を複数形成
    させる積層工程と、第2基板上に複数の貫通孔を形成す
    る貫通孔形成工程と、前記積層工程を経た前記第1基板
    と貫通孔形成工程を経た前記第2基板とを貼着する貼着
    工程と、この貼着工程によって構成された基板における
    前記第1基板上に電極を形成する電極形成工程と、この
    電極形成工程を経た前記基板をグループ毎に分割する分
    割工程とからなることを特徴とする光結合装置の製造方
    法。
  5. 【請求項5】 請求項1または2記載の光結合装置の支
    持体に形成された貫通孔に光ファイバの芯線を挿入かつ
    固定してなることを特徴とする光ファイバモジュール。
  6. 【請求項6】 前記光ファイバの芯線の先端を折って前
    記貫通孔に挿入したことを特徴とする請求項5記載の光
    ファイバモジュール。
  7. 【請求項7】 前記支持体と前記光ファイバの芯線と
    を、前記光ファイバと屈折率の等しい接着剤によって固
    定することを特徴とする請求項5または6記載の光ファ
    イバモジュール。
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