JP2000321775A - パターン形成用3層積層被膜及びパターン形成方法 - Google Patents

パターン形成用3層積層被膜及びパターン形成方法

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JP2000321775A
JP2000321775A JP12636699A JP12636699A JP2000321775A JP 2000321775 A JP2000321775 A JP 2000321775A JP 12636699 A JP12636699 A JP 12636699A JP 12636699 A JP12636699 A JP 12636699A JP 2000321775 A JP2000321775 A JP 2000321775A
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JP12636699A
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Daisuke Kojima
大輔 小嶋
Genji Imai
玄児 今井
Hideo Kogure
英雄 木暮
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Kansai Paint Co Ltd
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Kansai Paint Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パターン形成方法を提供する。 【解決手段】 上層から順次、感エネルギー線被膜層
(A)、フィルター層(B)及び感エネルギー線導電性
被膜形成用樹脂層(C)を積層してなり、該被膜層
(A)の上層表面から照射したエネルギー線をフィルタ
ー層(B)で吸収及び/又は反射することにより下層の
感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C)のパター
ン形成に悪影響を及ぼさないようにエネルギー線を調製
した3層積層被膜を有することを特徴とするパターン形
成用3層積層被膜。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】 本発明は、上層から順次、
感エネルギー線被膜層、フィルター層及び感エネルギー
線導電性被膜形成用樹脂層を積層してなり、該被膜層の
上層表面から照射したエネルギー線をフィルター層で吸
収及び/又は反射することにより下層の感エネルギー線
導電性被膜形成用樹脂層のパターン形成に悪影響を及ぼ
さないようにエネルギー線を調製した3層積層被膜を有
することを特徴とする新規なパターン形成用3層積層被
膜及びそのパターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術およびその課題】 従来、露光技術を利用
したリソグラフィは、例えばプラスチック、無機質等に
パターンを形成する方法が配線板、ディスプレーパネル
等に利用されている。上記したパターンを形成する方法
として、例えば、基材表面に感光性樹脂に銀粉末等の導
電性顔料を分散してなる導電性顔料ペーストを塗布して
感光性導電性層を形成したのち、その表面から電子線、
紫外線をフォトマスクを介して照射し、次いで該感光性
導電性層を現像処理することにより目的の導電性パター
ンを得る方法が知られている。
【0003】しかしながら、上記した方法は、例えば導
電性層の感光性が充分でないためにシャープなパターン
が形成できない、感光性樹脂量が多くなるので焼成時に
発生するガスが多くなり環境汚染の問題となる、導電性
層の膜厚を厚くすることが難しいので用途が制限される
といった問題がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】 本発明者らは、上記し
た問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特に
感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C)と感エネ
ルギー線被膜層(A)との層間に該被膜層(A)の上層
表面から照射したエネルギー線を吸収及び/又は反射す
ることにより下層の感エネルギー線導電性被膜形成用樹
脂層(C)のパターン形成に悪影響を及ぼさないように
エネルギー線を調製できるフィルター層(B)を有する
3層積層被膜及びそれを使用してなるパターン形成方法
が上記した問題点を解消する積層物及び形成方法である
ことを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発
明は、上層から順次、感エネルギー線被膜層(A)、フ
ィルター層(B)及び感エネルギー線導電性被膜形成用
樹脂層(C)を積層してなり、該被膜層(A)の上層表
面から照射したエネルギー線をフィルター層(B)で吸
収及び/又は反射することにより下層の感エネルギー線
導電性被膜形成用樹脂層(C)のパターン形成に悪影響
を及ぼさないようにエネルギー線を調製した3層積層被
膜を有することを特徴とするパターン形成用3層積層被
膜並びにその被膜のパターン形成方法に係わる。
【0005】
【発明の実施の形態】 本発明で使用する感エネルギー
線被膜層(A)は、活性エネルギー線が照射された箇所
が硬化もしくは分解することにより現像液による溶解性
が異なり、それによりレジストパターン被膜を形成する
ことができるものであれば、従来から公知のものを特に
制限なしに使用することができる。
【0006】上記したものとしては、例えば、有機溶剤
系ポジ型感光性樹脂組成物、有機溶剤系ネガ型感光性樹
脂組成物、水性ポジ型感光性樹脂組成物、水性ネガ型感
光性樹脂組成物等の液状レジスト感光性樹脂組成物;ポ
ジ型感光性ドライフィルム、ネガ型感光性ドライフィル
ム等の感光性ドライフィルム;有機溶剤系ネガ型感熱性
樹脂組成物、水性ネガ型感熱性樹脂組成物等の液状感熱
性樹脂組成物;ネガ型感熱性ドライフィルムの感熱性ド
ライフィルム等が挙げられる。上記した感エネルギー線
の組成物において、特に感光性樹脂組成物として可視光
線型及び紫外線硬化型のネガ型もしくはポジ型のタイプ
が好ましい。ネガ型感光性樹脂組成物としては、例え
ば、光硬化性樹脂、光反応開始剤及び必要に応じて光増
感色素とを含有した従来から公知のものを使用すること
ができる。上記した光硬化性樹脂としては、一般的に使
用されている光照射により架橋しうる感光基を有する光
硬化性樹脂であって、該樹脂中に未露光部の被膜がアル
カリ性現像液もしくは酸性現像液により溶解して除去す
ることができるイオン性基(アニオン性基又はカチオン
性基)を有しているものであれば特に限定されるもので
はない。
【0007】光硬化性樹脂に含まれる不飽和基として
は、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニ
ル基、スチリル基、アリル基等が挙げられる。
【0008】イオン性基としては、例えば、アニオン性
基としてはカルボキシル基が代表的なものとして挙げら
れ、該カルボキシル基の含有量としては樹脂の酸価で約
10〜700mgKOH/g、特に約20〜600mg
KOH/gの範囲のものが好ましい。 酸価が約10を
下回ると現像液の処理による未硬化被膜の溶解性が劣る
といった欠点があり、一方酸価が約700を上回るとレ
ジスト被膜部(硬化被膜部)が脱膜し易くなるといった
欠点があるので好ましくない。また、カチオン性基とし
てはアミノ基が代表的なものとして挙げられ、該アミノ
基の含有量としては、樹脂のアミン価で約20〜65
0、特に約30〜600の範囲のものが好ましい。アミ
ン価が約20を下回ると上記と同様に溶解性が劣るとい
った欠点があり、一方、アミン価が約650を上回ると
レジスト被膜が脱膜し易くなるといった欠点があるので
好ましくない。アニオン性樹脂としては、例えば、ポリ
カルボン酸樹脂に例えば、グリシジル(メタ)アクリレ
ート等のモノマーを反応させて樹脂中に不飽和基とカル
ボキシル基を導入したものが挙げられる。また、カチオ
ン性樹脂としては、例えば、水酸基及び第3級アミノ基
含有樹脂に、ヒドロキシル基含有不飽和化合物とジイソ
シアネート化合物との反応物を付加反応させてなる樹脂
が挙げられる。上記したアニオン性樹脂及びカチオン性
樹脂については、特開平3−223759号公報の光硬
化性樹脂に記載されているので引用をもって詳細な記述
に代える。
【0009】光反応開始剤としては、例えば、ベンゾフ
ェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル、ベンジルキサントン、チオキサント
ン、アントラキノンなどの芳香族カルボニル化合物;ア
セトフェノン、プロピオフェノン、αーヒドロキシイソ
ブチルフェノン、α,α’ージクロルー4ーフェノキシ
アセトフェノン、1ーヒドロキシー1ーシクロヘキシル
アセトフェノン、ジアセチルアセトフェノン、アセトフ
ェノンなどのアセトフェノン類;ベンゾイルパーオキサ
イド、tーブチルパーオキシー2ーエチルヘキサノエー
ト、tーブチルハイドロパーオキサイド、ジーtーブチ
ルジパーオキシイソフタレート、3,3’,4,4’ー
テトラ(tーブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェ
ノンなどの有機過酸化物;ジフェニルヨードブロマイ
ド、ジフェニルヨードニウムクロライドなどのジフェニ
ルハロニウム塩;四臭化炭素、クロロホルム、ヨードホ
ルムなどの有機ハロゲン化物;3ーフェニルー5ーイソ
オキサゾロン、2,4,6ートリス(トリクロロメチ
ル)ー1,3,5−トリアジンベンズアントロンなどの
複素環式及び多環式化合物;2,2’ーアゾ(2,4−
ジメチルバレロニトリル)、2,2ーアゾビスイソブチ
ロニトリル、1,1’ーアゾビス(シクロヘキサンー1
ーカルボニトリル)、2,2’ーアゾビス(2ーメチル
ブチロニトリル)などのアゾ化合物;鉄ーアレン錯体
(ヨーロッパ特許152377号公報参照);チタノセン化合
物(特開昭63-221110号公報参照)ビスイミダゾール系
化合物;Nーアリールグリシジル系化合物;アクリジン
系化合物;芳香族ケトン/芳香族アミンの組み合わせ;
ペルオキシケタール(特開平6-321895号公報参照)等が
挙げられる。上記した光ラジカル重合開始剤の中でも、
ジーtーブチルジパーオキシイソフタレート、3,
3’,4,4’ーテトラ(tーブチルパーオキシカルボ
ニル)ベンゾフェノン、鉄−アレン錯体及びチタノセン
化合物は架橋もしくは重合に対して活性が高いのでこの
ものを使用することが好ましい。
【0010】また、商品名としては、例えば、イルガキ
ュア651(チバガイギー社製、商品名、アセトフェノ
ン系光ラジカル重合開始剤)、イルガキュア184(チ
バガイギー社製、商品名、アセトフェノン系光ラジカル
重合開始剤)、イルガキュア1850(チバガイギー社
製、商品名、アセトフェノン系光ラジカル重合開始
剤)、イルガキュア907(チバガイギー社製、商品
名、アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始
剤)、イルガキュア369(チバガイギー社製、商品
名、アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始
剤)、ルシリンTPO(BASF社製、商品名、2,
4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオ
キサイド)、カヤキュアDETX−S(日本化薬(株)
社製、商品名)、CGI−784(チバガイギ−社製、
商品名、チタン錯体化合物)などが挙げられる。これら
のものは1種もしくは2種以上組み合わせて使用するこ
とができる。光反応開始剤の配合割合は、光硬化性樹脂
100重量部に対して0.1〜25重量部、好ましくは
0.2〜10重量部である。光増感剤としては、従来か
ら公知の光増感色素を使用することができる。このもの
としては、例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、
ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メ
ロシアニン系、3ー置換クマリン系、3.4ー置換クマ
リン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェ
ノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズア
ントラセン系、ペリレン系、メロシアニン系、ケトクマ
リン系、フマリン系、ボレート系等の色素が挙げられ
る。これらのものは1種もしくは2種以上組み合わせて
使用することができる。ボレート系光増感色素として
は、例えば、特開平5-241338号公報、特開平7-5685号公
報及び特開平7-225474号公報等に記載のものが挙げられ
る。上記した以外に、飽和樹脂を使用することができ
る。該飽和樹脂としては、光重合性組成物の溶解性(レ
ジスト被膜のアルカリ現像液に対する溶解性や光硬化被
膜の除去で使用する、例えば、強アルカリ液に対する溶
解性の抑制剤)を抑制するために使用することができ
る。このものとしては、例えば、ポリエステル樹脂、ア
ルキド樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、天然樹脂、合成ゴム、シリ
コン樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂等が包含され
る。これらの樹脂は1種又は2種以上組合わせて用いる
ことができる。上記したネガ型感光性樹脂組成物の有機
溶剤型のものとしては、上記した感光性樹脂組成物を有
機溶剤(ケトン類、エステル類、エーテル類、セロソル
ブ類、芳香族炭化水素類、アルコール類、ハロゲン化炭
化水素類など)に溶解もしくは分散して得られるもので
ある。また、上記した以外に従来から公知の水現像性感
光性樹脂組成物を使用することができる。このものとし
ては、例えば、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂に
光重合性不飽和基とイオン形成基を有する水性樹脂が使
用できる。該樹脂は、ノボラックフェノール型エポキシ
樹脂が有する一部のエポキシ基と(メタ)アクリル酸と
を付加させることにより光重合性を樹脂に含有させ、且
つ該エポキシ基と例えば第3級アミン化合物とを反応さ
せることにより水溶性のオニウム塩基とを形成させるこ
とにより得られる。このものは、露光された部分は光硬
化して水に溶解しないが未露光部分はイオン形成基によ
り水現像が可能となる、また、このものを後加熱(例え
ば、約140〜200℃で10〜30分間)を行うこと
により該イオン形成基が揮発することにより塗膜が疎水
性となるので、上記したアルカリや酸現像性感光性組成
物のようにレジスト塗膜中に親水基(カルボキシル基、
アミノ基等)やこれらの塩(現像液による塩)を有さな
いレジスト性に優れた被膜を形成することができる。ま
た、ノボラックフェノールエポキシ樹脂以外に、例え
ば、グリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキ
シシクロヘキシルアルキル(メタ)アクリレート、ビニ
ルグリシジルエーテルなどのエポキシ基含有ラジカル重
合性不飽和モノマーの同重合体もしくはこれらの1種以
上のモノマーとその他のラジカル重合性不飽和モノマー
(例えば、炭素数1〜24のアルキル又はシクロアルキ
ル(メタ)アクリル酸エステル類、ラジカル重合性不飽
和芳香族化合物など)との共重合体と上記と同様にして
(メタ)アクリル酸とを付加させることにより光重合性
を樹脂に含有させ、且つ該エポキシ基と例えば第3級ア
ミン化合物とを反応させることにより水溶性のオニウム
塩基とを形成させることにより得られるラジカル重合体
も使用することができる。また、これらの樹脂組成物を
基材に塗装する方法としては、例えば、ローラー、ロー
ルコーター、スピンコーター、カーテンロールコータ
ー、スプレー、静電塗装、浸漬塗装、シルク印刷、スピ
ン塗装等の手段により塗布することができる。
【0011】次いで、必要に応じてセッテングした後、
乾燥することによりレジスト被膜を得ることができる。
また、レジスト被膜は光で露光し硬化させる前の材料表
面に予めカバーコート層を設けておくことができる。こ
のカバーコート層は空気中の酸素を遮断して露光によっ
て発生したラジカルが酸素によって失活するのを防止
し、露光による感光材料の硬化を円滑に進めるために形
成されるものである。また、ネガ型感光性樹脂水性レジ
スト組成物は、上記したネガ型感光性樹脂組成物を水に
溶解もしくは分散することによって得られる。
【0012】水性感光性樹脂組成物の水溶化又は水分散
化は、光重合性組成物中のアニオン性基(例えば、カル
ボキシル基)をアルカリ(中和剤)で中和、もしくは光
重合性組成物中のカチオン性基(例えば、アミノ基)を
酸(中和剤)で中和することによって行われる。また、
水現像可能な組成物はそのまま水に分散もしくは水に溶
解して製造できる。有機溶剤系もしくは水性ネガ型感光
性樹脂組成物を基材上に塗装して得られたネガ型感光性
樹脂被膜は、所望のレジスト被膜(画像)が得られるよ
うに活性エネルギー線で直接感光させ未露光部分の被膜
を現像液で現像処理して除去する。上記した現像処理と
しては、ネガ型感光性樹脂組成物が、アニオン性の場合
にはアルカリ性現像処理がおこなわれ、また、カチオン
性の場合には酸性現像処理がおこなわれる。これらの現
像処理は従来から公知の方法でおこなうことができる。
ネガ型感光性ドライフィルムは、例えば、上記したネガ
型感光性樹脂組成物をポリエチレンテレフタレート等の
剥離紙に塗装し、乾燥を行って水や有機溶剤を揮発させ
ることにより得られる。次に、ポジ型感光性樹脂組成物
について、以下に説明する。
【0013】ポジ型感光性樹脂組成物としては、例え
ば、光酸発生剤、樹脂及び必要に応じて光増感剤を含む
ものが使用できる。該樹脂は光により樹脂、感光剤が分
解することにより、又は光により発生した酸により樹脂
や感光剤が分解することにより極性、分子量等の性質が
変化し、これによりアルカリ性もしくは酸性水性現像液
に対して溶解性を示すようになるものである。また、こ
れらのものには更に現像液の溶解性を調製するその他の
樹脂等を必要に応じて配合することができる。ポジ型感
光性樹脂組成物としては、例えば、イオン形成基を有す
るアクリル樹脂等の基体樹脂にキノンジアジドスルホン
酸類をスルホン酸エステル結合を介して結合させた樹脂
を主成分とする組成物(特開昭61-206293号公報、特開
平7-133449号公報等参照)、即ち照射光によりキノンジ
アジド基が光分解してケテンを経由してインデンカルボ
ン酸を形成する反応を利用したナフトキノンジアジド感
光系組成物:加熱によりアルカリ性現像液や酸性現像液
に対して不溶性の架橋被膜を形成し、更に光線照射によ
り酸基を発生する光酸発生剤により架橋構造が切断され
て照射部がアルカリ性現像液や酸性現像液に対して可溶
性となるメカニズムを利用したポジ型感光性組成物(特
開平6-295064号公報、特開平6-308733号公報、特開平6-
313134号公報、特開平6-313135号公報、特開平6-313136
号公報、特開平7-146552号公報等参照)等が代表的なも
のとして挙げられる。上記したポジ型感光性樹脂組成物
については、上記した公報に記載されているので引用を
もって詳細な記述に代える。また、光酸発生剤は、露光
により酸を発生する化合物であり、この発生した酸を触
媒として、樹脂を分解させるものであり、従来から公知
のものを使用することができる。このものとしては、例
えば、スルホニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム
塩、ヨードニウム塩、セレニウム塩等のオニウム塩類、
鉄−アレン錯体類、ルテニウムアレン錯体類、シラノ−
ル−金属キレート錯体類、トリアジン化合物類、ジアジ
ドナフトキノン化合物類、スルホン酸エステル類、スル
ホン酸イミドエステル類、ハロゲン系化合物類等を使用
することができる。また、上記した以外に特開平7-1465
52号公報、特願平9-289218号に記載の光酸発生剤も使用
することができる。この光酸発生剤成分は、上記した樹
脂との混合物であっても樹脂に結合したものであっても
構わない。光酸発生剤の配合割合は、樹脂100重量部
に対して約0.1〜40重量部、特に約0.2〜20重
量部の範囲で含有することが好ましい。上記したポジ型
感光性樹脂組成物の有機溶剤型のものとしては、上記し
たポジ型感光性樹脂組成物を有機溶剤(ケトン類、エス
テル類、エーテル類、セロソルブ類、芳香族炭化水素
類、アルコール類、ハロゲン化炭化水素類など)に溶解
もしくは分散して得られるものである。また、このもの
を基材に塗装する方法としては、例えば、ローラー、ロ
ールコーター、スピンコーター、カーテンロールコータ
ー、スプレー、静電塗装、浸漬塗装、シルク印刷、スピ
ン塗装等の手段により塗布することができる。
【0014】次いで、必要に応じてセッテングした後、
乾燥することによりレジスト被膜を得ることができる。
水性ポジ型感光性樹脂組成物は、上記したポジ型感光性
樹脂組成物を水に溶解もしくは分散することによって得
られる。水性ポジ型感光性樹脂組成物の水溶化又は水分
散化は、ポジ型感光性樹脂組成物中のカルボキシル基又
はアミノ基をアルカリ又は酸(中和剤)で中和すること
によって行われる。有機溶剤系もしくは水性ポジ型感光
性樹脂組成物を基材上に塗装して得られたポジ型感光性
被膜は、必要に応じてセッテング等を行って、約50〜
130℃の範囲の温度で乾燥を行うことによりポジ型感
光性被膜を形成することができる。次いで、所望のレジ
スト被膜(画像)が得られるように活性エネルギー線で
直接感光させ露光部分の被膜を現像液で現像処理して除
去する。
【0015】露光に使用される光源としては、上記した
ものと同様のものを使用することができる。上記した現
像処理としては、ポジ型感光性樹脂組成物が、アニオン
性の場合にはアルカリ現像処理がおこなわれ、また、カ
チオン性の場合には酸現像処理がおこなわれる。また、
前記したような樹脂自体が水に溶解するもの(例えは、
オニウム塩基含有樹脂等)は水現像処理を行うことがで
きる。ポジ型感光性ドライフィルムは、例えば、上記し
たポジ型感光性樹脂組成物をポリエチレンテレフタレー
ト等の剥離紙に塗装し、乾燥を行って水や有機溶剤を揮
発させ、もしくは加熱硬化させたものを使用することが
できる。また、感熱性樹脂組成物である有機溶剤系ネガ
型感熱性樹脂組成物は、赤外線等の熱線により架橋する
樹脂組成物を有機溶剤に溶解もしくは分散したものであ
る。この樹脂組成物としては、従来から公知のものを使
用することができ、例えば、水酸基含有樹脂/アミノ樹
脂、水酸基含有樹脂/ブロックイソシアネート、メラミ
ン樹脂、加水分解性基(アルコキシシリル基、ヒドロキ
シシリル基等)含有珪素樹脂やアクリル系樹脂、エポキ
シ樹脂/フェノール樹脂、エポキシ樹脂/(無水)カル
ボン酸、エポキシ樹脂/ポリアミン、不飽和樹脂/ラジ
カル重合触媒(パーオキサイド等)、カルボキシル基
(及び/又は)ヒドロキシフェニル基/エーテル結合含
有オレフィン性不飽和化合物等が挙げられる。水性ネガ
型感熱性樹脂組成物は、上記したような赤外線等の熱線
により架橋する樹脂に酸性基又は塩基性基を含有させ、
このものを塩基化合物又は酸性化合物の中和剤で中和さ
せたものを水に溶解もしくは分散させたものが使用でき
る。ネガ型感熱性ドライフィルムは、例えば、上記した
ネガ型感熱性樹脂組成物をポリエチレンテレフタレート
等の剥離紙に塗装し、乾燥を行って水や有機溶剤を揮発
させたものを必要することができる。
【0016】上記した感熱性樹脂組成物から形成された
被膜は、所望のレジスト被膜(画像)が得られるように
熱線で直接感熱させ未露光部分の被膜を有機溶剤、酸、
アルカリ等の適当な現像液で現像処理して除去する。感
エネルギー線被膜層のレジストパターン被膜が形成され
た後、露出した非感エネルギー線被膜層が現像処理によ
り除去される。
【0017】被膜層(A)の現像処理液について以下に
述べる。アルカリ性処理液としては、例えば、モノメチ
ルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエ
チルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノ
イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、
モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタ
ノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルア
ミノエタノール、アンモニア、苛性ソーダー、苛性カ
リ、メタ珪酸ソーダー、メタ珪酸カリ、炭酸ソーダー、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の水性液が挙
げられる。酸性処理液としては、例えば、ギ酸、クロト
ン酸、酢酸、プロピオン酸、乳酸、塩酸、硫酸、硝酸、
燐酸等の水性液が挙げられる。
【0018】これらの処理液の酸性又はアルカリ性物質
の濃度は、通常0.05〜10重量%の範囲が好まし
い。有機溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、トリクロロエチレンなどの炭化
水素系、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノールなどのアルコール系、ジエチルエーテル、ジプロ
ピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルビニルエーテ
ル、ジオキサン、プロピレンオキシド、テトラヒドロフ
ラン、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、メチルカルビトール、ジエチレングルコールモノエ
チルエーテル等のエーテル系、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、イソホロン、シクロ
ヘキサノン等のケトン系、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル系、ピリジン、ホ
ルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等のその他
の溶剤等が挙げられる。現像処理液の処理条件は、特に
制限されるものではないが、通常、感エネルギー線被膜
層の現像は現像液温度10〜50℃程度、好ましくは1
5〜40℃程度で現像時間10秒〜20分程度、好まし
くは15秒〜15分程度でおこなうことができる。感エ
ネルギー線被膜層(A)に照射される活性エネルギー線
としては、従来から公知の可視光線、紫外線、電子線
(α線、β線、γ線など)、熱線(赤外線、遠赤外線な
ど)が包含される。照射に使用される光源としては、例
えば、特に制限なしに超高圧、高圧、中圧、低圧の水銀
灯、ケミカルランプ灯、カーボンアーク灯、キセノン
灯、メタルハライド灯、タングステン灯等が使用でき
る。アルゴンレーザー(488nm)、YAGーSHG
レーザー(532nm)、UVレーザー(351〜36
4nm)も使用できる。熱線としては、例えば、半導体
レーザー(830nm)、YAGレーザー(1.06μ
m)、赤外線ランプ、遠赤外線ランプ等が挙げられる。
【0019】本発明で使用されるフィルター層(B)
は、感エネルギー線被膜層(A)と感エネルギー線導電
性被膜形成用樹脂層(C)との間に形成された層であ
り、該被膜層(A)の上層表面から照射したエネルギー
線を吸収及び/又は反射することにより下層の感エネル
ギー線導電性被膜形成用樹脂層(C)のパターン形成に
悪影響を及ぼさないようにエネルギー線を調製した層で
ある。また、フィルター層(B)は、所望のパターンが
得られるように被膜層(A)や被膜形成用樹脂層(C)
の現像処理による剥離除去を容易とするために設けられ
た層である。フィルター層(B)は、上記した様に被膜
層(A)の上層表面から照射したエネルギー線を吸収及
び/又は反射することにより活性エネルギー線照射によ
る下層の被膜形成用樹脂層(C)を実質的に硬化もしく
は分解させないように設けられ、またフィルター層
(B)自体水、有機溶剤、アルカリ、酸等の処理液に溶
解もしくは分散して被膜層(A)と同様のパターンを形
成することができるものであり、そして被膜形成用樹脂
層(C)を現像処理した際に被膜層(A)とフィルター
層(B)が、もしくは被膜層(A)、フィルター層
(B)、及び被膜形成用樹脂層(C)が剥離除去される
ものであり、これらを満足させるものであれば特に制限
なしに従来から公知のものを使用することができる。エ
ネルギー線を吸収するフィルター層(B)としては、照
射されるエネルギー線を吸収するもの、例えば、吸収剤
(可視光線吸収剤、紫外線吸収剤、熱線吸収剤等)、着
色剤(着色顔料、着色染料等)、充填剤等をフィルター
層(B)中に含有させたものを使用することができる。
使用される吸収剤、着色剤、充填剤の種類は照射される
エネルギー線の種類に応じて適宜選択することができ
る。上記紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾトリア
ゾール系、ベンゾフェノン系、シュウ酸アニリド系、シ
アノアクリレート系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリア
ゾール系等が挙げられる。上記着色剤としては、例え
ば、酸化チタン、亜鉛華、鉛白、塩基性硫酸鉛、硫酸
鉛、リトポン、硫化亜鉛、アンチモン白などの白色顔
料;カーボンブラック、アセチレンブラック、ランプブ
ラック、ボーンブラック、黒鉛、鉄黒、アニリンブラッ
クなどの黒色顔料;ナフトールエローS、ハンザエロー
10G、パーマネントエロー、パーマネントオレンジな
どの橙色顔料;酸化鉄、アンバーなどの褐色顔料;ベン
ガラ、鉛丹、パーマネントレッド、キナクリドン系赤顔
料などの赤色顔料;コバルト紫、マンガン紫、ファスト
バイオレットB、メチルバイオレットレーキなどの紫色
顔料、群青、紺青、コバルトブルー、セルリアンブル
ー、フタロシアニンブルー、ファストスカイブルーなど
の青色顔料;クロムグリーン、フタロシアニングリーン
などの緑色顔料などが挙げられる。上記充填剤として
は、例えば、バリタ粉、沈降性硫酸バリウム、炭酸バリ
ウム、炭酸カルシム、石膏、クレー、シリカ、ホワイト
カーボン、珪藻土、タルク、炭酸マグネシウム、アルミ
ナホワイト、マイカ粉などが挙げられる。また、使用さ
れる吸収剤、着色剤、充填剤の配合割合は照射されるエ
ネルギー線の強度やフィルター層(B)膜厚に応じて適
宜決めればよいが、通常、吸収剤では層中に0.01重
量%〜50重量%、好ましくは0.02重量%〜30重
量%の範囲であり、また、着色剤及び充填剤の場合には
0.5重量%〜90重量%、好ましくは1重量%〜50
重量%の範囲である。エネルギー線を反射するフィルタ
ー層(B)としては、例えば、該フィルター層(B)中
に照射されるエネルギー線を反射する反射剤(燐片状金
属顔料等)等を含有したものを使用することができる。
上記反射剤としては、例えば、(鱗片状)アルミニウム
粉、ブロンズ粉、銅粉、錫粉、鉛粉、亜鉛末、リン化
鉄、パール状金属コーティング雲母粉、マイカ状酸化鉄
などの金属粉顔料および金属光沢顔料が挙げられる。ま
た、使用される反射剤の配合割合は照射されるエネルギ
ー線の強度やフィルター層(B)膜厚に応じて適宜決め
ればよいが、通常、層中に0.5重量%〜90重量%、
好ましくは1重量%〜50重量%の範囲内に入ることが
望ましい。上記したエネルギー線の吸収剤及び反射剤は
お互いに組み合わせて使用することができる。上記した
水に溶解もしくは分散できるフィルター層(B)として
は、例えば、かんしょ澱粉、ばれいしょ澱粉、小麦澱
粉、コーン澱粉などの澱粉質、こんにゃくなどのマンナ
ン、ふのり、寒天、アルギン酸ナトリウムなど海草類、
にかわ、ゼラチン、カゼイン、コラーゲンなどの蛋白質
等の如き天然高分子;ビスコース、メチルセルロース、
エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロースなどのセルロース、可溶性澱
粉、カルボキシメチル澱粉などの澱粉などの半合成樹脂
類;ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポ
リエチレンオキシド、水溶性フェノール、水溶性メラミ
ン、ポリアクリル酸ナトリウム、水溶性ポリエステル樹
脂、アクリルエマルション、ポリエステルエマルショ
ン、エポキシ樹脂エマルションなどの合成樹脂類などを
樹脂成分とするものが挙げられる。上記した有機溶剤に
溶解もしくは分散できるフィルター層(B)としては、
例えば、油用性フェノール、アクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フタル酸樹
脂、アミノ樹脂、エポキシ樹脂、キシレン樹脂、石油樹
脂、ケトン樹脂、クマロン樹脂、ウレタン樹脂などの有
機溶剤に溶解もしくは分散できる樹脂を成分とするもの
が挙げられる。上記したアルカリ処理液に溶解もしくは
分散できるフィルター層(B)としては、例えば、カル
ボキシル基、燐酸基等の酸性親水基を有するアニオン系
樹脂成分で形成されたものが挙げられる。このような樹
脂で形成された層はアニオン系樹脂がアルカリ処理液に
より中和されることにより該処理液に分散、溶解してフ
ィルター層が除去される。該フィルター層(B)を形成
する樹脂組成物としては、例えば、アニオン系樹脂を塩
基性化合物(アミン化合物、アンモニア、アルカリ金属
化合物等)で中和してなるアニオン系樹脂中和物で形成
することができる。該アニオン系樹脂としては、例え
ば、酸基含有アクリル樹脂、酸基含有ポリエステル樹
脂、酸基含有アルキド樹脂、酸基含有エポキシポリエス
テル樹脂、酸基含有ウレタン樹脂、酸基含有ビニル樹
脂、酸基含有有機珪素系樹脂、酸基含有フェノール系樹
脂、酸基含有フッ素系樹脂及びこれらの2種以上の変性
樹脂等が挙げられる。酸性基としてはカルボキシル基が
代表的なものとして挙げられ、該カルボキシル基の含有
量としては樹脂の酸価で約10〜700mgKOH/
g、特に約20〜600mgKOH/gの範囲のものが
好ましい。 酸価が約10を下回るとアルカリ現像液の
処理によるフィルター層の脱層性が劣り解像度に優れた
パターンが形成できないといった欠点があり、一方酸価
が約700を上回ると逆にフィルター層が余分な箇所ま
で脱層されるので解像度に優れたパターンが形成できな
いといった欠点があるので好ましくない。上記した酸処
理液に溶解もしくは分散できるフィルター層(B)とし
ては、例えば、塩基性基などの親水基を有するカチオン
系樹脂成分で形成されたものが挙げられる。このような
樹脂で形成された層はカチオン系樹脂が酸処理液により
中和されることにより該処理液に分散、溶解してフィル
ター層が除去される。該フィルター層(B)を形成する
樹脂組成物としては、例えば、カチオン系樹脂を酸性化
合物(有機酸化合物、無機酸化合物等)で中和してなる
カチオン系樹脂中和物により形成することができる。該
カチオン系樹脂としては、例えば、塩基性基含有アクリ
ル樹脂、塩基性基含有ポリエステル樹脂、塩基性基含有
アルキド樹脂、塩基性基含有エポキシポリエステル樹
脂、塩基性基含有ウレタン樹脂、塩基性基含有ビニル樹
脂、塩基性基含有有機珪素系樹脂、塩基性基含有フェノ
ール系樹脂、塩基性基含有フッ素系樹脂、アルカリ珪酸
塩樹脂及びこれらの2種以上の変性樹脂等が挙げられ
る。アルカリ性基としてはアミノ基が代表的なものとし
て挙げられ、該アミノ基の含有量としては、フィルター
層形成用樹脂のアミン価で約20〜650、特に約30
〜600の範囲のものが好ましい。アミン価が約20を
下回ると上記と同様にフィルター層の脱層性が劣り解像
度に優れたパターンが形成できないといった欠点があ
り、一方アミン価が約650を上回ると逆にフィルター
層が余分な箇所まで脱層されるので解像度に優れたパタ
ーンが形成できないといった欠点があるので好ましくな
い。アルカリ性処理液としては、例えば、モノメチルア
ミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチル
アミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソ
プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロ
ピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノ
エタノール、アンモニア、苛性ソーダー、苛性カリ、メ
タ珪酸ソーダー、メタ珪酸カリ、炭酸ソーダー、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の水性液が挙げられ
る。酸性処理液としては、例えば、ギ酸、クロトン酸、
酢酸、プロピオン酸、乳酸、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸等
の水性液が挙げられる。
【0020】これらの処理液の酸性又はアルカリ性物質
の濃度は、通常0.05〜10重量%の範囲が好まし
い。有機溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、トリクロロエチレンなどの炭化
水素系、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノールなどのアルコール系、ジエチルエーテル、ジプロ
ピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルビニルエーテ
ル、ジオキサン、プロピレンオキシド、テトラヒドロフ
ラン、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、メチルカルビトール、ジエチレングルコールモノエ
チルエーテル等のエーテル系、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、イソホロン、シクロ
ヘキサノン等のケトン系、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル系、ピリジン、ホ
ルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等のその他
の溶剤等が挙げられる。現像処理液の処理条件は、特に
制限されるものではないが、通常、感エネルギー線被膜
層の現像は現像液温度10〜50℃程度、好ましくは1
5〜40℃程度で現像時間10秒〜20分程度、好まし
くは15秒〜15分程度でおこなうことができる。
【0021】本発明で使用する感エネルギー線導電性被
膜形成用樹脂層(C)は、感エネルギー線層(A)及び
フィルター層(B)で形成されたレジストパターン被膜
層と被膜形成用樹脂層(C)との表面からエネルギー線
を照射し、次いで現像処理により最終的に導電性パター
ンが形成される樹脂層である。該被膜形成用樹脂層
(C)は該照射される活性エネルギー線により硬化もし
くは分解して現像処理が可能となるものである。該樹脂
層(C)は、上記した活性エネルギー線が照射された箇
所が硬化もしくは分解することにより現像液による溶解
性が異なり、それによりレジストパターン被膜を形成す
ることができ、且つ最終的に形成されたパターンが導電
性を有するものであれば、従来から公知のものを特に制
限なしに使用することができる。
【0022】該導電性被膜形成用樹脂層(C)は、これ
に使用する樹脂は導電性を有しても、もしくは有さなく
ても構わない。即ち、導電性被膜層を構成する樹脂成分
において、該樹脂自体が導電性を有するものはそれ自体
で導電性樹脂層が形成されるので透明性導電性顔料、導
電性着色顔料は勿論のこと非導電性や半導体等の透明も
しくは着色顔料を併用して使用することができる。一
方、該樹脂自体が導電性を有さないものを使用する場合
には、例えば、透明性導電性顔料、導電性着色顔料など
を併用することにより導電性を持たせることができる。
また、このものは例えば後加熱により導電性のない樹脂
を揮発させ残りの成分(導電性顔料等)により導電性を
付与することができる。
【0023】該導電性被膜形成用樹脂層(C)は、最終
的に形成される被膜には現像処理用樹脂が残存していて
もしていなくても構わない。該現像処理用樹脂の材質と
しては、特にこの導電性被膜形成用樹脂層のガラス転移
温度が現像処理する際の温度(液状現像処理液の場合に
は処理液温度又はサンドブラスト等の粉末を使用した現
像処理の場合には処理雰囲気温度)よりも高いこと、特
に約5℃以上高いこと、更に約10℃〜200℃高いこ
とが好ましい。上記したガラス転移温度が現像処理温度
より低くなると現像処理により解像度に優れたパターン
が得られないといった欠点がある。該ガラス転移温度は
DSC(示差熱分析)で測定することができる。導電性
被膜形成用樹脂層(C)は、最終的に形成される被膜で
体積固有抵抗は109 Ω・cm以下、特に1Ω・cm
〜108Ω・cmが好ましい。導電性被膜形成用樹脂層
(C)で使用する樹脂成分としては、上記した被膜層
(A)と同様のものを使用することができる。該層は、
例えば、有機溶剤系ポジ型感光性樹脂組成物、有機溶剤
系ネガ型感光性樹脂組成物、水性ポジ型感光性樹脂組成
物、水性ネガ型感光性樹脂組成物等の液状レジスト感光
性樹脂組成物;ポジ型感光性ドライフィルム、ネガ型感
光性ドライフィルム等の感光性ドライフィルム;有機溶
剤系ネガ型感熱性樹脂組成物、水性ネガ型感熱性樹脂組
成物等の液状感熱性樹脂組成物;ネガ型感熱性ドライフ
ィルムの感熱性ドライフィルム等によって形成すること
ができる。
【0024】上記硬化性導電性被膜形成用樹脂層におい
て、感エネルギー線被膜層の表面から照射されるエネル
ギー線が熱線の場合には、例えば、導電性被膜形成用樹
脂層が感(熱)エネルギー線層と比較して照射される熱
線では硬化しない(実質的に問題ない程度に硬化しても
よい)非(低)感熱の導電性被膜形成用樹脂層を使用す
ることができる。感熱タイプとしては、例えば、自己硬
化樹脂や硬化性官能基含有樹脂と硬化剤との組合せたも
のが挙げられる。自己硬化樹脂としては、例えばメラミ
ン樹脂、加水分解性基(アルコキシシリル基、ヒドロキ
シシリル基等)含有珪素樹脂や硬化剤による硬化樹脂と
しては、例えばアクリル系樹脂、エポキシ樹脂/フェノ
ール樹脂、水酸基含有樹脂/ポリイソシアネート、水酸
基含有樹脂/アミノ樹脂、エポキシ樹脂/(無水)カル
ボン酸、エポキシ樹脂/ポリアミン等が挙げられる。
【0025】該導電性被膜形成用樹脂層(C)は現像処
理(パターン形成)が終了してから加熱や室温放置、光
等により架橋や焼成(導電性顔料ペースト等)をおこな
うことができる。導電性被膜形成用樹脂層(C)の種類
としては、例えば、ブラックマトリックス用導電性パタ
ーン、カラーフィルター用導電性パターン、各種表示パ
ネルの導電性パターン、プラスチック基板やビルドアッ
プ用プラスチック基板に設けられる導電性パターンなど
が挙げられる。樹脂層(C)の現像処理液は、被膜層
(A)で記載したと同様の水、有機溶剤、アルカリ、酸
などの処理液及び条件で行うことができる。該導電性被
膜形成用樹脂において、例えば、導電性被膜形成用樹脂
中に酸性基を含有させた場合にはアルカリ性現像液が使
用でき、導電性被膜形成用樹脂中に塩基性基を含有させ
た場合には酸性現像液が使用でき、導電性被膜形成用樹
脂が水に溶解するものは水現像液が使用でき、また導電
性被膜形成用樹脂が有機溶剤に溶解(もしくは分散)す
るものは有機溶剤現像液を使用することができる。ま
た、使用できる導電性顔料(材料)としては、従来から
公知の導電性顔料を使用することができ、例えば銀、
銅、鉄、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバル
ト、クロム、鉛、亜鉛、ビスマス、ITO等の金属類、
これらの1種以上合金類、これらの酸化物、また絶縁材
料表面にこれらの導電材料がコーテング、蒸着されてい
るものなどが挙げられる。また、これらの顔料は導電性
を有するものであれば金属以外のもの、例えば導電性ポ
リマーなども使用することができる。
【0026】更に、アンチモンをドープした二酸化スズ
粉末(このものを、「酸化スズ/アンチモン(ドー
プ)」と略すことがある。)も使用できる。このものは
半導性物質である二酸化スズ成分をアンチモン成分によ
りドープすることにより電子のドナーレベルを形成し、
導電性を高めたものである。このものとしては、酸化ス
ズ/アンチモン(ドープ)単品もしくは他の基材に酸化
スズ/アンチモン(ドープ)を被覆した被覆品が挙げら
れる。上記酸化スズ/アンチモン(ドープ)を被覆させ
るために使用する他の基材としては、例えば、酸化チタ
ン、チタン酸カリウム、ホウサンアルミニウム、硫酸バ
リウム、マイカ、シリカ等が挙げられる。導電性被膜形
成用樹脂層には、必要に応じて上記以外の着色剤(顔
料、染料等)、充填剤、添加剤等を含有することができ
る。導電性被膜形成用樹脂層を形成する方法としては、
特に制限なしに目的に応じて形成することができる。そ
の代表例としては、例えば、上記した導電性被膜形成用
樹脂を適当な有機溶剤、水等の溶媒に溶解もしくは分散
して導電性被膜形成用樹脂液を製造した後、基材に塗
装、印刷をおこない、次いで溶媒を揮発させる方法、上
記した導電性被膜形成用樹脂のペレットを必要な形状に
熱成型する方法、導電性被膜形成用樹脂の粉体を必要な
箇所に塗装し、加熱して溶融させる方法等が挙げられ
る。導電性被膜形成用樹脂層は、他の基材(ガラスや回
路用基板等)の表面に積層されていても、もしくは該層
自体が基材(回路用基板等)になるものであっても構わ
ない。導電性被膜形成用樹脂層の厚みは、使用される用
途によって異なるが、ブラックマトリックス等の塗装や
印刷による場合には約1〜100μm、特に約2〜80
μm、また、成型加工等を行って基材として使用する場
合には約100μm〜10mm、特に約200μm〜5
mmの範囲が好ましい。該液状現像において、被膜層
(A)に記載と同様の水、有機溶剤、酸、アルカリなど
の現像液を使用して行うことができ、通常、例えば、現
像液温度10〜80℃程度、好ましくは15〜50℃程
度で現像時間15秒間〜60分間程度、好ましくは1分
間〜20分間程度吹き付けや浸漬することが望ましい。
本発明方法において、導電性被膜形成用樹脂層を現像処
理してパターンを形成したのち、必要に応じて残った感
エネルギー線層、及びフィルター層を活性エネルギー線
照射により分解させ、現像液に溶解させて必要に応じて
感エネルギー線被膜層、及びフィルター層を除去するこ
とができる。また、導電性被膜形成用樹脂層は必要に応
じて加熱や活性エネルギー線照射により架橋させること
ができる。本発明のパターン形成方法は、(1)感エネ
ルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C)の表面に下記
(2)工程で照射するエネルギー線を吸収及び/又は反
射することにより該被膜形成用樹脂層(C)のパターン
形成に悪影響を与えないように調製したフィルター層
(B)及び感エネルギー線被膜層(A)を積層して3層
積層被膜を形成した後、(2)所望のパターンが得られ
るように感エネルギー線被膜層(A)表面から活性エネ
ルギー線をマスクを介して照射もしくは直接に照射さ
せ、(3)感エネルギー線被膜層(A)を現像処理する
ことにより不必要な部分の感エネルギー線被膜層(A)
を除去してレジストパターン被膜を形成し、(4)次い
で、(3)の工程により新たに出現したフィルター層
(B)をフィルター層処理液により処理して(3)の工
程で形成したと同様のレジストパターン被膜層を形成し
たのち、(5)被膜層(A)及び新たに出現した被膜形
成用樹脂層(C)の表面からエネルギー線を照射し、
(6)更に、所望のパターンが得られるように被膜層
(A)、フィルター層(B)及び被膜形成用樹脂層
(C)を現像処理により除去する工程を含むことを特徴
とするパターン形成方法によって形成することができ
る。本発明のパターン形成方法について図面を掲げて以
下に説明する。図1は基材表面に上層から順次、ネガ型
感エネルギー線被膜層(A1)、フィルター層(B)及
びネガ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C
1)を積層してなる3層積層被膜を使用してパターンを
形成する方法の工程図を示す概略被膜断面図である。a
はA1/B/C1の積層被膜を示す。bは活性エネルギ
ー線を目的とするパターンになるように直接描画により
照射もしくはパターンマスクを介して照射することによ
り得られるA1被膜の照射部と未照射部の被膜部を示
す。cはA1被膜を現像処理して未照射部の被膜を除去
し、フィルター層が一部露出した積層被膜を示す。dは
露出したフィルター層Bを処理液で処理してフィルター
層Bを除去した積層被膜を示す。eは活性エネルギー線
を全面照射することにより該活性エネルギー線がフィル
ター層Bにより吸収又は反射されて実質的に該活性エネ
ルギー線が照射されない未照射部の被膜部とフィルター
層bのない部分の照射被膜部の積層被膜を示す。fは現
像処理して未照射部の3層積層被膜を除去することによ
り樹脂層(C1)によるパターンを示す。該パターン形
成方法は、特にfの現像処理工程において感エネルギー
線導電性被膜形成用樹脂層(C1)の露光部と未露光部
に溶解度差が生じ、シャープなパターンを形成すること
ができる。図2は基材表面に上層から順次、ネガ型感エ
ネルギー線被膜層(A1)、フィルター層(B)及びポ
ジ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C2)を
積層してなる3層積層被膜を使用してパターンを形成す
る方法の工程図を示す概略被膜断面図である。aはA1
/B/C2の積層被膜を示す。bは活性エネルギー線を
目的とするパターンになるように直接描画により照射も
しくはパターンマスクを介して照射することにより得ら
れるA1被膜の照射部と未照射部の被膜部を示す。cは
A1被膜を現像処理して未照射部の被膜を除去し、フィ
ルター層が一部露出した積層被膜を示す。dは露出した
フィルター層Bを処理液で処理してフィルター層Bを除
去した積層被膜を示す。eは活性エネルギー線を全面照
射することにより該活性エネルギー線がフィルター層B
により吸収又は反射されて実質的に該活性エネルギー線
が照射されない未照射部の被膜部とフィルター層bのな
い部分の照射被膜部の積層被膜を示す。fは現像処理し
て照射部のC2被膜を除去すると共に該現像処理で同時
にフィルター層BとA1被膜層の積層被膜が除去され
て、後に残った樹脂層(C2)によってパターンが形成
される。該パターン形成方法は、特にfの現像処理工程
において感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C
1)の露光部と未露光部に溶解度差が生じ、シャープな
パターンを形成することができる。図3は基材表面に上
層から順次、ポジ型感エネルギー線被膜層(A2)、フ
ィルター層(B)及びネガ型感エネルギー線導電性被膜
形成用樹脂層(C1)を積層してなる3層積層被膜を使
用してパターンを形成する方法の工程図を示す概略被膜
断面図である。aはA2/B/C1の積層被膜を示す。
bは活性エネルギー線を目的とするパターンになるよう
に直接描画により照射もしくはパターンマスクを介して
照射することにより得られるA2被膜の照射部と未照射
部の被膜部を示す。cはA2被膜を現像処理して照射部
の被膜を除去し、フィルター層が一部露出した積層被膜
を示す。dは露出したフィルター層Bを処理液で処理し
てフィルター層Bを除去した積層被膜を示す。eは活性
エネルギー線を全面照射することにより該活性エネルギ
ー線がフィルター層Bにより吸収又は反射されて実質的
に該活性エネルギー線が照射されない未照射部の被膜部
とフィルター層bのない部分の照射被膜部の積層被膜を
示す。fは現像処理して未照射部の3層積層被膜を除去
することにより樹脂層(C1)によるパターンを示す。
該パターン形成方法は、特にfの現像処理工程において
感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C1)の露光
部と未露光部に溶解度差が生じ、シャープなパターンを
形成することができる。図4は基材表面に上層から順
次、ポジ型感エネルギー線被膜層(A2)、フィルター
層(B)及びポジ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹
脂層(C2)を積層してなる3層積層被膜を使用してパ
ターンを形成する方法の工程図を示す概略被膜断面図で
ある。aはA2/B/C2の積層被膜を示す。bは活性
エネルギー線を目的とするパターンになるように直接描
画により照射もしくはパターンマスクを介して照射する
ことにより得られるA2被膜の照射部と未照射部の被膜
部を示す。cはA2被膜を現像処理して照射部の被膜を
除去し、フィルター層が一部露出した積層被膜を示す。
dは露出したフィルター層Bを処理液で処理してフィル
ター層Bを除去した積層被膜を示す。eは活性エネルギ
ー線を全面照射することにより該活性エネルギー線がフ
ィルター層Bにより吸収又は反射されて実質的に該活性
エネルギー線が照射されない未照射部の被膜部とフィル
ター層bのない部分の照射被膜部の積層被膜を示す。f
は現像処理して未照射部の3層積層被膜を除去すること
により樹脂層(C2)によるパターンを示す。該パター
ン形成方法は、特にfの現像処理工程において感エネル
ギー線導電性被膜形成用樹脂層(C1)の露光部と未露
光部に溶解度差が生じ、シャープなパターンを形成する
ことができる。また、本発明において(1)〜(6)の
工程が終わったのち、感エネルギー線被膜層を剥離する
方法は従来から公知の方法で行うことができる。該方法
としては、例えば感エネルギー線被膜層が酸基を有して
いる場合にはアルカリ水により、また塩基性基を有して
いる場合には酸水により、また該層が有機溶剤に溶解す
るものにおいては有機溶剤により、またポジ型で加熱に
より架橋被膜が形成されたレジスト被膜においては露光
により架橋被膜を分解させ発生した酸基をアルカリ水
(炭酸ナトリウム等の弱アルカリでも可能)で中和して
除去することができる。本発明方法において、感エネル
ギー線被膜層(A)、フィルター層(B)及び導電性被
膜形成用樹脂層(C)の少なくとも1層は、ドライフィ
ルムにより形成することができる。該ドライフィルムと
しては、例えば、 支持フィルム層(剥離紙)に感エネルギー線被膜層
(A)を形成する組成物を塗装、乾燥させて該支持フィ
ルム層に被膜層(A)を積層させたもの、 支持フィルム層(剥離紙)にフィルター層(B)を形
成する組成物を塗装、乾燥させて該支持フィルム層にフ
ィルター層(B)を積層させたもの、 支持フィルム層(剥離紙)に導電性被膜形成用樹脂層
(C)を形成する組成物を塗装、乾燥させて該支持フィ
ルム層に樹脂層(C)を積層させたもの、 支持フィルム層(剥離紙)に感エネルギー線被膜層
(A)を形成する組成物及びフィルター層(B)を形成
する組成物を塗装、乾燥させて該支持フィルム層に被膜
層(A)とフィルター層(B)とを積層させたもの、 支持フィルム層(剥離紙)に感エネルギー線被膜層
(A)を形成する組成物、フィルター層(B)及び導電
性被膜形成用樹脂層(C)を形成する組成物を塗装、乾
燥させて該支持フィルム層に被膜層(A)、フィルター
層(B)及び導電性被膜形成用樹脂層(C)とを積層さ
せたもの、 支持フィルム層(剥離紙)に感エネルギー線被膜層
(A)を形成する組成物、フィルター層(B)及び絶縁
性被膜形成用樹脂層(C)を形成する組成物を塗装、乾
燥させて該支持フィルム層に被膜層(A)、フィルター
層(B)及び導電性被膜形成用樹脂層(C)とを積層さ
せたもの、 支持フィルム層(剥離紙)にフィルター層(B)及び
導電性被膜形成用樹脂層(C)を形成する組成物を塗
装、乾燥させて該支持フィルム層にフィルター層(B)
及び導電性被膜形成用樹脂層(C)とを積層させたも
の、等が挙げられる。これらのドライフィルムは形成さ
れる層に応じて適宜使用することができる。このドライ
フィルムは、例えば、基材を加熱してラミネートを行う
ことができる。また、ラミネート後該支持フィルム層は
剥離、除去される。該支持フィルム層は、従来から公知
のもの、例えば、離型性シート層の片面に、例えば、シ
リコン、ワックス、弗素樹脂などの離型剤で処理した
紙、シート(ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレン、ナイロン、ポリエステル、フッ素
樹脂、シリコン樹脂等)あるいはそれ自体離型性を示す
シート等が設けられる。該シートの厚みは、約10〜2
00ミクロン、好ましくは約20〜100ミクロンの範
囲である。本発明方法は、上記した工程を含むものであ
れば用途等特に制限なしに適用することができる。
【0027】該用途としては、例えば産業分野別には、
電気部品関係、照明関係、電気素子関係、半導体関係、
印刷関係、印刷回路関係、電子通信関係、電力関係等の
電気類;計測関係、光学関係、表示関係、音響関係、制
御関係、自動販売関係、信号関係、情報記録関係等の物
理類;無機化学類、有機化学関係、高分子化学関係、冶
金関係、繊維等の化学・冶金・繊維類;分離・混合関
係、金属加工関係、塑性加工関係、印刷関係、容器関
係、包装関係等の処理・輸送類;農水産関係、食品関
係、発酵関係、家庭用品関係、健康・娯楽関係等の生活
用品類;機械工学類などが挙げられる。本発明方法は、
上記した工程を含むものであれば用途等特に制限なしに
適用することができる。また、本発明方法は、必要に応
じて絶縁被膜や絶縁パターン被膜と組み合わせて使用す
ることができる。本発明方法を適用した代表例につい
て、以下に簡単に述べる。なお、本発明は下記した例示
のものに限定されるものではない。 表示パネル用透明電極の形成方法:ガラス基板の表面全
体に透明導電被膜層(本発明で使用する導電性被膜形成
用樹脂層)を形成し、次いで得られた透明導電性被膜層
の表面にフィルター層及び感エネルギー線被膜層を積層
し、次いで透明導電性被膜が所望のパターンが得られる
ように、活性エネルギー線を直接もしくはパターンマス
クを介して感エネルギー線被膜層表面から照射する。次
いで感エネルギー線被膜層を現像処理し、次いで露出し
たフィルター層を処理し、更にこれらの層の表面から活
性エネルギー線を照射した後、導電性被膜形成用樹脂層
を現像処理し、更に感エネルギー線被膜層、及びフィル
ター層を剥離することにより透明電極パターンを形成す
ることができる。該透明導電被膜層を形成する樹脂のガ
ラス転移温度は導電性被膜層を現像処理する際の処理温
度よりも高いことが好ましい。上記現像処理後の透明導
電性被膜層は、例えば約300℃〜800℃で約20〜
60分間焼成することにより導電被膜を形成することが
できる。該焼成により導電性被膜形成用樹脂成分を揮発
させ残りの透明導電顔料成分の融着、溶融等により透明
導電被膜を形成することができる。また、感エネルギー
線被膜層やフィルター層の剥離を上記した焼成により除
去することも可能である。透明導電顔料としては、例え
ばITO、二酸化錫などが挙げられる。
【0028】表示パネル用着色電極の形成方法:ガラス
基板の表面全体に着色導電被膜層(本発明で使用する導
電性被膜形成用樹脂層)を形成し、次いで得られた着色
導電性被膜層の表面にフィルター層及び感エネルギー線
被膜層を積層し、次いで着色導電性被膜が所望のパター
ンが得られるように、活性エネルギー線を直接もしくは
パターンマスクを介して感エネルギー線被膜層表面から
照射する。次いで感エネルギー線被膜層を現像処理し、
次いで露出したフィルター層を処理し、更にこれらの層
の表面から活性エネルギー線を照射し、次いで着色導電
性被膜形成用樹脂層を現像処理し、更に感エネルギー線
被膜層、及びフィルター層を剥離することにより着色電
極パターンを形成することができる。また、現像処理に
おいて感エネルギー線被膜層と導電性被膜形成用樹脂層
とを同時に現像処理することもできる。該着色導電被膜
層を形成する樹脂のガラス転移温度は導電性被膜層を現
像処理する際の処理温度よりも高いことが好ましい。上
記現像処理後の着色導電性被膜層は、例えば約300℃
〜800℃で約20〜60分間焼成することにより着色
導電被膜を形成することができる。該焼成により導電性
被膜形成用樹脂成分を揮発させ残りの着色導電顔料成分
の融着、溶融等により着色導電被膜を形成することがで
きる。また、感エネルギー線被膜層、及びフィルター層
の剥離を上記した焼成により除去することも可能であ
る。着色導電顔料としては銀、銅、ニッケルなどが一般
的に使用される。このものには必要に応じてカーボンブ
ラックなどの着色顔料等も併用して使用することができ
る。上記した本発明の方法を組み合わせることによっ
て、例えば透明電極パターン層の表面の全体もしくは一
部に黒色導電性被膜層、銀導電性被膜層が積層されたプ
ラズマデスプレーのバス電極やアドレス電極のパターン
を形成することができる。
【0029】
【実施例】実施例により本発明をさらに具体的に説明す
る。なお、部及び%は重量基準である。 水性ネガ型感光性アニオン組成物1(a1)の製造例 光硬化性樹脂(高分子バインダー)として、アクリル樹
脂(樹脂酸価155mgKOH/g、メチルメタクリレ
ート/ブチルアクリレート/アクリル酸=40/40/
20重量比)にグリシジルメタクリレート24部を反応
させてなる光硬化性樹脂(樹脂固形分55%、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル有機溶媒、樹脂酸価5
0mgKOH/g、数平均分子量約2万)100部(固
形分)に光重合性開始剤(CGIー784、商品名、チ
バガイギー社製、チタノセン化合物)1部、光増感剤
(LSー148、商品名、三井東圧社製、クマリン色素
系化合物)1部を配合して感光液を調製した。得られた
感光液100部(固形分)にトリエチルアミン7部を混
合攪拌した後、脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液
(固形分15%)を得た。
【0030】水性ネガ型感光性カチオン組成物2(a
2)の製造例 メチルアクリレート/スチレン/ブチルアクリレート/
グリシジルメタクリレート/ジメチルアミノエチルメタ
クリレート=20/10/22/30/18のアクリル
共重合体にアクリル酸15部を付加反応させて得られる
光硬化性樹脂(アミン価約56、不飽和度1.83モル
/Kg)100部、組成物1で使用した光増感剤0.5
部、トリメチロールプロパントリアクリレート55部、
組成物1で使用したと同様のチタノセン化合物20部を
混合して得られる感光液100(固形分)に酢酸3部を
配合した後、脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液
(固形分15%)を得た。 水性ポジ型感光性アニオン組成物3(a3)の製造例 テトラヒドロフラン200部、Pーヒドロキシスチレン
65部、n−ブチルアクリレート28部、アクリル酸1
1部及びアゾビスイソブチロニトリル3部の混合物を1
00℃で2時間反応させて得られた反応物を1500c
cのトルエン溶剤中に注ぎ込み、反応物を沈殿、分離し
た後、沈殿物を60℃で乾燥して分子量約5200、ヒ
ドロキシフェニル基含有量4.6モル/Kgの感光性樹
脂を得た。次いでこのもの100部にジビニルエーテル
化合物(ビスフェノール化合物1モルと2ークロロエチ
ルビニルエーテル2モルとの縮合物)60部、NAIー
105(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)
10部及び光増感色素としてNKXー1595(光増感
色素、日本感光色素社製、クマリン系色素、商品名)
1.5部の配合物100部(固形分)にトリエチルアミ
ン7部を混合攪拌した後、脱イオン水中に分散して水分
散樹脂溶液(固形分15%)を得た。 有機溶剤系ネガ型感光性組成物4(a4)の製造例 上記水性ネガ型感光性組成物1の感光液(アミン及び水
を配合する前の組成物)をジエチレングリコールジメチ
ルエーテル溶媒に溶解して有機溶剤樹脂溶液(固形分3
0%)を得た。
【0031】有機溶剤系ネガ型感光性組成物5(a5)
の製造例 上記水性ネガ型感光性組成物2の感光液(酸及び水を配
合する前の組成物)をジエチレングリコールジメチルエ
ーテル溶媒に溶解して有機溶剤樹脂溶液(固形分30
%)を得た。
【0032】有機溶剤系ポジ型感光性組成物6(a6)
の製造例 上記水性ポジ型感光性アニオン組成物3の感光液(アミ
ン及び水を配合する前の組成物)をジエチレングリコー
ルジメチルエーテル溶媒に溶解して有機溶剤樹脂溶液
(固形分30%)を得た。 ネガ型ドライフィルム1(a7)の製造例 ポリエチレンテレフタレートフィルムに有機溶剤系ネガ
型感光性組成物4を乾燥膜厚が20μmになるようにロ
ーラー塗装し、有機溶剤を揮発させることにより製造し
た。 ポジ型ドライフィルム2(a8)の製造例 ポリエチレンテレフタレートフィルムに有機溶剤系ポジ
型感光性組成物6を乾燥膜厚が20μmになるようにロ
ーラー塗装し、セッテングした後90℃で30分間加熱
して製造した。 水性ネガ型感光性アニオン導電性被膜形成用樹脂組成物
1(c1)の製造例 前記水性ネガ型感光性アニオン組成物1の固形分100
部に対して銀粉660部を配合した後、ペブルミルで顔
料分散を行い、銀ペーストを得た。この銀ペースト32
0部に3−メトキシブチルアセテート780部を配合し
た。 水性ネガ型感光性カチオン導電性被膜形成用樹脂組成物
2(c2)の製造例 前記水性ネガ型感光性アニオン組成物2の固形分100
部に対して銀粉660部を配合した後、ペブルミルで顔
料分散を行い、銀ペーストを得た。この銀ペースト32
0部に3−メトキシブチルアセテート780部を配合し
た。 水性ポジ型感光性アニオン導電性被膜形成用樹脂組成物
3(c3)の製造例 前記水性ポジ型感光性アニオン組成物3の固形分100
部に対して銀粉660部を配合した後、ペブルミルで顔
料分散を行い、銀ペーストを得た。この銀ペースト32
0部に3−メトキシブチルアセテート780部を配合し
た。 ネガ型導電性被膜形成用樹脂組成物4(c4)の製造例 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
17、一分子中に平均7個フェノール核残基含有及びエ
ポキシ基含有)1当量とアクリル酸の1.05当量とを
反応させて得られる反応物に、無水テトラヒドロフタル
酸の0.67当量をフェノキシエチルアクリレートを溶
媒として常法により反応せしめた。このものはフェノキ
シエチルアクリレートを35部含んだ粘稠な液体であ
り、混合物として酸価は63.4mgKOH/gであっ
た。上記で得られたフェノキシエチルアクリレート40
部、2−ヒドロキシエチルアクリレート 15部、ベン
ジルジエチルケタール 2.5部、1−ベンジル−2−
メチルイミダゾール 1.0部の配合物固形分100部
に対して銀粉660部を配合した後、ペブルミルで顔料
分散を行い、銀ペーストを得た。この銀ペースト320
部に3−メトキシブチルアセテート780部を配合し
た。 ネガ型導電性被膜形成用樹脂組成物5(c5)の製造例 水性ネガ型感光性アニオン組成物1の100部に対して
銀粉660部、ガラスフリット(PbO 60%、B2
3 20%、SiO2 15%、Al23 5%の平均
粒径1.6μmの粉体)500部を配合した後、ペブル
ミルで顔料分散を行って銀ペーストを得た。この銀ペー
スト320部に3−メトキシブチルアセテート780部
を配合して組成物5を得た。
【0033】水溶性組成物1(b1)の製造例(フィル
ター層形成用) ポリビニルアルコール100重量部、カーボンブラック
顔料20重量部の黒ペースト組成を水に溶解、分散した
固形分40%の水溶性組成物。
【0034】実施例1 透明なガラス板の表面全体に、組成物(c1)をスピン
コータにて塗布し、80℃で10分間予備乾燥させて膜
厚約5μmの組成物(c1)の導電材料用被膜を形成し
た。
【0035】次いで得られた導電材料用被膜に水溶性組
成物1(b1)及び水性ネガ型感光性アニオン組成物1
(a1)を乾燥膜厚がそれぞれ6μmになるようにロー
ラー塗装し、80℃で10分間乾燥させて導電材料用被
膜の上に水溶性樹脂組成物被膜層(フィルター層)、ネ
ガ型感光性アニオン被膜層を形成した。
【0036】次いで導電材料用被膜が現像後に所望の電
極パターンとなるように、アルゴンレーザー(発振線4
88nm)5mJ/cm2をライン/スペース=50/
100μmになるように直接ネガ型感光性アニオン被膜
表面から照射し露光した。次いでアルカリ現像液a(炭
酸ナトリウム水溶液0.25重量%、以下同様)に25
℃で60秒間浸漬して露光部以外の組成物(a1)のア
ニオン性被膜及び水溶性組成物1(b1)被膜を同時に
第一現像処理を行った。
【0037】次いで超高圧水銀灯を用いて基板全面に5
00mJ/cm2の紫外線を照射し、続いてアルカリ現
像液b(水酸化ナトリウム水溶液3重量%、以下同様)
で第二現像処理を行ってパターンを形成した。その結
果、ライン残存性は良好、スペース現像性は良好であっ
た。また、形成された導電材料被膜の体積固有抵抗は1
3 Ω・cm未満で良好であった。 実施例2 実施例1において、組成物(a1)に代えて組成物(a
2)を、また第一現像処理を酸現像液a(酢酸水溶液1
重量%、以下同様)第二現像処理を酸現像液b(塩酸3
重量%、以下同様)に代えた以外は実施例1と同様にし
てパターンを形成した。その結果、ライン残存性は良
好、スペース現像性は良好であった。また、形成された
導電材料被膜の体積固有抵抗は103 Ω・cm未満で
良好であった。 実施例3 透明なガラス板の表面全体に、組成物(c1)をスピン
コータにて塗布し、80℃で10分間乾燥させて膜厚約
5μmの組成物(c1)の導電材料用被膜を形成した。
【0038】次いで得られた導電材料用被膜に水溶性組
成物1(b1)及び水性ポジ型感光性アニオン組成物1
(a3)を乾燥膜厚がそれぞれ6μmになるようにロー
ラー塗装し、120℃で8分間加熱させて導電材料用被
膜の上に水溶性樹脂組成物被膜層(フィルター層)、ポ
ジ型感光性アニオン被膜層を形成した。
【0039】次いで導電材料用被膜が現像後に所望の電
極パターンとなるように、アルゴンレーザー(発振線4
88nm)5mJ/cm2をライン/スペース=50/
100μmになるように直接ポジ型感光性アニオン被膜
表面から照射し露光した。次いでアルカリ現像液aに2
5℃で60秒間浸漬して露光部の組成物(a3)のアニ
オン性被膜及び水溶性組成物1(b1)被膜を同時に第
一現像処理を行った。
【0040】次いで超高圧水銀灯を用いて基板全面に5
00mJ/cm2の紫外線を照射し、120℃で8分間
加熱して、続いてアルカリ現像液aで第二現像処理を行
ってパターンを形成した。その結果、ライン残存性は良
好、スペース現像性は良好であった。また、形成された
導電材料被膜の体積固有抵抗は103 Ω・cm未満で
良好であった。 実施例4 実施例1において、組成物(a1)に代えて組成物(a
4)に代えた以外は実施例1と同様にしてパターンを形
成した。その結果、ライン残存性は良好、スペース現像
性は良好であった。また、形成された導電材料被膜の体
積固有抵抗は103 Ω・cm未満で良好であった。 実施例5 実施例2において、組成物(a2)に代えて組成物(a
5)に代えた以外は実施例2と同様にしてパターンを形
成した。その結果、ライン残存性は良好、スペース現像
性は良好であった。また、形成された導電材料被膜の体
積固有抵抗は103 Ω・cm未満で良好であった。 実施例6 実施例3において、組成物(a3)に代えて組成物(a
6)に代えた以外は実施例3と同様にしてパターンを形
成した。その結果、ライン残存性は良好、スペース現像
性は良好であった。また、形成された導電材料被膜の体
積固有抵抗は103 Ω・cm未満で良好であった。 実施例7 透明なガラス板の表面全体に、組成物(c1)をスピン
コータにて塗布し、80℃で10分間乾燥させて膜厚約
5μmの組成物(c1)の導電材料用被膜を形成した。
【0041】次いで得られた導電材料用被膜に水溶性組
成物1(b1)を乾燥膜厚がそれぞれ6μmになるよう
にローラー塗装し、80℃で10分間加熱させて導電材
料用被膜の上に水溶性樹脂組成物被膜層(フィルター
層)を形成した。
【0042】次いで得られたフィルター層面にネガ型ド
ライフィルム1(a7)の感光面が重なるようにラミネ
ートし、次いでポリエチレンテレフタレート離型紙を剥
離してフィルター層の上にネガ型感光性ドライフィルム
を形成した。
【0043】次いで導電材料用被膜が現像後に所望の電
極パターンとなるように、アルゴンレーザー(発振線4
88nm)5mJ/cm2をライン/スペース=50/
100μmになるように直接ネガ型感光性ドライフィル
ム表面から照射し露光した。
【0044】次いで上記アルカリ現像液aに25℃で6
0秒間浸漬して未露光部のアニオン性被膜(a7)、水
溶性樹脂組成物1(b1)被膜を同時に現像処理した。
【0045】次いで超高圧水銀灯を用いて基板全面に5
00mJ/cm2の紫外線を照射した。次いで上記アル
カリ現像液bに25℃で60秒間浸漬して現像処理して
パターンを形成した。その結果、ライン残存性は良好、
スペース現像性は良好であった。また、形成された導電
被膜の体積固有抵抗は103 Ω・cm未満で良好であ
った。 実施例8 透明なガラス板の表面全体に、組成物(c1)をスピン
コータにて塗布し、80℃で10分間乾燥させて膜厚約
5μmの組成物(c1)の導電材料用被膜を形成した。
【0046】次いで得られた導電材料用被膜に水溶性組
成物1(b1)を乾燥膜厚がそれぞれ6μmになるよう
にローラー塗装し、80℃で10分間加熱させて導電材
料用被膜の上に水溶性樹脂組成物被膜層(フィルター
層)を形成した。
【0047】次いで得られたフィルター層面にポジ型ド
ライフィルム1(a8)の感光面が重なるようにラミネ
ートし120℃で8分間加熱処理し、次いでポリエチレ
ンテレフタレート離型紙を剥離してフィルター層の上に
ポジ型感光性ドライフィルムを形成した。
【0048】次いで導電材料用被膜が現像後に所望の電
極パターンとなるように、アルゴンレーザー(発振線4
88nm)5mJ/cm2をライン/スペース=50/
100μmになるように直接ポジ型感光性ドライフィル
ム表面から照射し露光した。
【0049】次いで上記アルカリ現像液aに25℃で6
0秒間浸漬して露光部のアニオン性被膜(a8)、水溶
性樹脂組成物1(b1)被膜を同時に現像処理した。
【0050】次いで超高圧水銀灯を用いて基板全面に5
00mJ/cm2の紫外線を照射した。次いで上記アル
カリ現像液aに25℃で60秒間浸漬して現像処理して
パターンを形成した。その結果、ライン残存性は良好、
スペース現像性は良好であった。また、形成された導電
材料被膜の体積固有抵抗は103 Ω・cm未満で良好
であった。 実施例9 実施例1において、組成物(c1)に代えて組成物(c
2)を、第二現像処理として酸現像液bを使用した以外
は実施例1と同様にしてパターンを形成した。その結
果、ライン残存性は良好、スペース現像性は良好であっ
た。また、形成された導電材料被膜の体積固有抵抗は1
3 Ω・cm未満で良好であった。
【0051】実施例10 透明なガラス板の表面全体に、組成物(c3)をスピン
コータにて塗布し、120℃で8分間加熱させて膜厚約
5μmの組成物(c3)の導電材料用被膜を形成した。
【0052】次いで得られた導電材料用被膜に水溶性組
成物1(b1)及び水性ネガ型感光性アニオン組成物1
(a1)を乾燥膜厚がそれぞれ6μmになるようにロー
ラー塗装し、80℃で10分間乾燥させて導電材料用被
膜の上に水溶性樹脂組成物被膜層(フィルター層)、ネ
ガ型感光性アニオン被膜層を形成した。
【0053】次いで導電材料用被膜が現像後に所望の電
極パターンとなるように、アルゴンレーザー(発振線4
88nm)5mj/cm2をライン/スペース=50/
100μmになるように直接ネガ型感光性アニオン被膜
表面から照射し露光した。次いでアルカリ現像液aに2
5℃で60秒間浸漬して露光部以外の組成物(a1)の
アニオン性被膜及び水溶性組成物1(b1)被膜を同時
に第一現像処理を行った。
【0054】次いで超高圧水銀灯を用いて基板全面に5
00mJ/cm2の紫外線を照射し、続いてアルカリ現
像液bで第二現像処理を行ってパターンを形成した。そ
の結果、ライン残存性は良好、スペース現像性は良好で
あった。また、形成された導電材料被膜の体積固有抵抗
は103 Ω・cm未満で良好であった。 実施例11 実施例9において、組成物(c2)に代えて組成物(c
4)を使用した以外は実施例11と同様にしてパターン
を形成した。その結果、ライン残存性は良好、スペース
現像性は良好であった。また、形成された導電材料被膜
の体積固有抵抗は103 Ω・cm未満で良好であっ
た。 実施例12 実施例9において、組成物(c2)に代えて組成物(c
5)を使用した以外は実施例11と同様にしてパターン
を形成した。次いで450℃で30分間放置後、昇温さ
せ575℃で30分間焼成して基板を作成した。その結
果、ライン残存性は良好、スペース現像性は良好であっ
た。また、形成された導電材料被膜の体積固有抵抗は1
3 Ω・cm未満で良好であった。 比較例1 実施例1において組成物(b1)を使用しない以外は実
施例1と同様にしてパターンを形成した。組成物(a
1)の被膜と組成物(b1)の被膜との剥離ができなか
った。
【0055】
【発明の効果】 本発明は上記した構成を有することか
ら、従来から導電層として感光性樹脂組成物を使用して
いたが、このものを感エネルギー線層とフィルター層と
導電被膜層との積層物に分けることにより、機能を分離
して設計することができるので幅広い用途が可能となっ
た。
【図面の簡単な説明】
【図1】ネガ型感エネルギー線被膜層(A1)、フィル
ター層(B)及びネガ型感エネルギー線導電性被膜形成
用樹脂層(C1)を積層してなる3層積層被膜を使用し
てパターンを形成する方法の工程図を示す概略被膜断面
図である。
【図2】ネガ型感エネルギー線被膜層(A1)、フィル
ター層(B)及びポジ型感エネルギー線導電性被膜形成
用樹脂層(C2)を積層してなる3層積層被膜を使用し
てパターンを形成する方法の工程図を示す概略被膜断面
図である。
【図3】ポジ型感エネルギー線被膜層(A2)、フィル
ター層(B)及びネガ型感エネルギー線導電性被膜形成
用樹脂層(C1)を積層してなる3層積層被膜を使用し
てパターンを形成する方法の工程図を示す概略被膜断面
図である。
【図4】ポジ型感エネルギー線被膜層(A2)、フィル
ター層(B)及びポジ型感エネルギー線導電性被膜形成
用樹脂層(C2)を積層してなる3層積層被膜を使用し
てパターンを形成する方法の工程図を示す概略被膜断面
図である。
【符号の説明】
A1 ネガ型感エネルギー線被膜層 A2 ポジ型感エネルギー線被膜層 B フィルター層 C1 ネガ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層 C2 ポジ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/40 501 G03F 7/40 501 7/42 7/42 H05K 3/02 H05K 3/02 B Fターム(参考) 2H025 AA00 AB15 AB16 AC01 AC08 AD01 AD03 CC08 CC09 CC20 DA14 DA34 DA40 EA08 FA06 FA17 FA29 FA48 2H096 AA26 AA27 BA01 BA09 BA20 CA16 EA02 EA04 EA14 GA08 HA01 HA30 JA04 KA07 KA08 KA14 KA15 KA16 LA02 5E339 AB05 BB02 BC01 BC05 BC10 BD07 BD11 BE05 CC01 CC02 CD01 CE12 CE14 CE19 CF06 CF16 CF17 DD02 DD04 GG02

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上層から順次、感エネルギー線被膜層
    (A)、フィルター層(B)及び感エネルギー線導電性
    被膜形成用樹脂層(C)を積層してなり、該被膜層
    (A)の上層表面から照射したエネルギー線をフィルタ
    ー層(B)で吸収及び/又は反射することにより下層の
    感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C)のパター
    ン形成に悪影響を及ぼさないようにエネルギー線を調製
    した3層積層被膜を有することを特徴とするパターン形
    成用3層積層被膜。
  2. 【請求項2】 上層から順次、ネガ型感エネルギー線被
    膜層(A1)、フィルター層(B)及びネガ型感エネル
    ギー線導電性被膜形成用樹脂層(C1)を積層してなる
    請求項1に記載の3層積層被膜。
  3. 【請求項3】 上層から順次、ネガ型感エネルギー線被
    膜層(A1)、フィルター層(B)及びポジ型感エネル
    ギー線導電性被膜形成用樹脂層(C2)を積層してなる
    請求項1に記載の3層積層被膜。
  4. 【請求項4】 上層から順次、ポジ型感エネルギー線被
    膜層(A2)、フィルター層(B)及びネガ型感エネル
    ギー線導電性被膜形成用樹脂層(C1)を積層してなる
    請求項1に記載の3層積層被膜。
  5. 【請求項5】 上層から順次、ポジ型感エネルギー線被
    膜層(A2)、フィルター層(B)及びポジ型感エネル
    ギー線導電性被膜形成用樹脂層(C2)を積層してなる
    請求項1に記載の3層積層被膜。
  6. 【請求項6】 フィルター層(B)が非感エネルギー線
    層である請求項1乃至5項のいずれか1項に記載の3層
    積層被膜。
  7. 【請求項7】 フィルター層(B)が水、有機溶剤、酸
    及びアルカリから選ばれる少なくとも1種類の化合物を
    含む処理液に溶解もしくは分散する請求項1乃至6項の
    いずれか1項に記載の3層積層被膜。
  8. 【請求項8】 下記工程 (1)感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C)の
    表面に下記(2)工程で照射するエネルギー線を吸収及
    び/又は反射することにより該被膜形成用樹脂層(C)
    のパターン形成に悪影響を与えないように調製したフィ
    ルター層(B)及び感エネルギー線被膜層(A)を積層
    して3層積層被膜を形成した後、(2)所望のパターン
    が得られるように感エネルギー線被膜層(A)表面から
    活性エネルギー線をマスクを介して照射もしくは直接に
    照射させ、(3)感エネルギー線被膜層(A)を現像処
    理することにより不必要な部分の感エネルギー線被膜層
    (A)を除去してレジストパターン被膜を形成し、
    (4)次いで、(3)の工程により新たに出現したフィ
    ルター層(B)をフィルター層処理液により処理して
    (3)の工程で形成したと同様のレジストパターン被膜
    層を形成したのち、(5)被膜層(A)及び新たに出現
    した被膜形成用樹脂層(C)の表面からエネルギー線を
    照射し、(6)更に、所望のパターンが得られるように
    被膜層(A)、フィルター層(B)及び被膜形成用樹脂
    層(C)を現像処理により除去する工程を含むことを特
    徴とするパターン形成方法。
  9. 【請求項9】 3層積層被膜が、上層から順次、ネガ型
    感エネルギー線被膜層(A1)、フィルター層(B)及
    びネガ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C
    1)を積層してなる請求項8に記載のパターン形成方
    法。
  10. 【請求項10】 3層積層被膜が、上層から順次、ネガ
    型感エネルギー線被膜層(A1)、フィルター層(B)
    及びネガ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C
    2)を積層してなる請求項8に記載のパターン形成方法
  11. 【請求項11】 3層積層被膜が、上層から順次、ポジ
    型感エネルギー線被膜層(A2)、フィルター層(B)
    及びネガ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C
    1)を積層してなる請求項9に記載のパターン形成方
    法。
  12. 【請求項12】 3層積層被膜が、上層から順次、ポジ
    型感エネルギー線被膜層(A2)、フィルター層(B)
    及びポジ型感エネルギー線導電性被膜形成用樹脂層(C
    2)を積層してなる請求項8に記載のパターン形成方
    法。
  13. 【請求項13】 導電性被膜形成用樹脂層(C)におい
    て、導電性被膜形成用樹脂層(C)が現像処理する際の
    温度よりも高いガラス転移温度を有する樹脂を現像処理
    用樹脂として含有することを特徴とする請求項8乃至1
    2のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  14. 【請求項14】 導電性被膜形成用樹脂層(C)が、熱
    可塑性樹脂層であることを特徴とする請求項8乃至13
    のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  15. 【請求項15】 導電性被膜形成用樹脂層(C)が、硬
    化型樹脂層であって、該硬化型樹脂層が上記(2)の工
    程では実質的に硬化せずに該導電性被膜形成用樹脂層
    (C)を現像処理した後にこの導電性被膜形成用樹脂層
    (C)を硬化させることを特徴とする請求項8乃至14
    のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  16. 【請求項16】 導電性被膜形成用樹脂層(C)が、
    (6)の工程後に光、熱によりポストキュアーする硬化
    型樹脂層であることを特徴とする請求項8乃至15のい
    ずれか1項に記載のパターン形成方法。
  17. 【請求項17】 導電性被膜形成用樹脂層(C)が、導
    電性粉末、樹脂及び必要に応じて熱により融着する無機
    粉末を含む層であって、該導電性被膜形成用樹脂層
    (C)を現像処理した後にこの導電性被膜形成用樹脂層
    (C)を加熱することを特徴とする請求項8乃至16の
    いずれか1項に記載のパターン形成方法。
  18. 【請求項18】 感エネルギー線被膜層(A)、フィル
    ター層(B)及び導電性被膜形成用樹脂層(C)の少な
    くとも1層が、液状もしくはドライフィルムで形成され
    ることを特徴とする請求項8乃至17のいずれか1項に
    記載のパターン形成方法。
  19. 【請求項19】 請求項8に記載の(1)〜(6)の工
    程を行ってパターンを形成した後、又は(6)の工程後
    ポストキュアーさせた後、感エネルギー線被膜層(A)
    及びフィルター層(B)を被膜形成用樹脂層(C)から
    剥離することを特徴とする請求項8乃至18のいずれか
    1項に記載のパターン形成方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013127518A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 厚膜ホトレジストパターンの製造方法
WO2019160101A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 富士フイルム株式会社 レジストパターンの製造方法、回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法
US11822242B2 (en) 2019-11-14 2023-11-21 Merck Patent Gmbh DNQ-type photoresist composition including alkali-soluble acrylic resins

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013127518A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 厚膜ホトレジストパターンの製造方法
WO2019160101A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 富士フイルム株式会社 レジストパターンの製造方法、回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法
CN111712763A (zh) * 2018-02-16 2020-09-25 富士胶片株式会社 抗蚀剂图案的制造方法、电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法
JPWO2019160101A1 (ja) * 2018-02-16 2020-12-10 富士フイルム株式会社 レジストパターンの製造方法、回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法
JP6992097B2 (ja) 2018-02-16 2022-01-13 富士フイルム株式会社 レジストパターンの製造方法、回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法
US11822242B2 (en) 2019-11-14 2023-11-21 Merck Patent Gmbh DNQ-type photoresist composition including alkali-soluble acrylic resins

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