JP2000323793A - Multibeam light source - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路によるマ
ルチビーム光源に関するものであり、更に詳しくは、特
にレーザービームプリンタの光源として構成される、光
導波路によるマルチビーム光源に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-beam light source based on an optical waveguide, and more particularly to a multi-beam light source based on an optical waveguide which is configured as a light source of a laser beam printer.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年の情報ネットワークの発達及びデジ
タル化に伴い、レーザービームプリンタの高速化が強く
望まれてきている。この、レーザービームプリンタの高
速化を図る手段の一つとして、走査用のポリゴンミラー
の回転を高速化する事が挙げられる。ところが、現状で
はポリゴンミラーの回転数が5万回転近くになると、遠
心力によるポリゴン面の歪が生じるため、これ以上のポ
リゴンミラーの回転の高速化には限度があるとされてい
る。そこで、レーザービームプリンタの描画速度のさら
なる高速化を図るために、複数のレーザービームで感光
体面を走査する事が従来より行われている。2. Description of the Related Art With the development and digitization of information networks in recent years, there has been a strong demand for faster laser beam printers. One of the means for increasing the speed of the laser beam printer is to increase the speed of rotation of the scanning polygon mirror. However, at present, when the number of rotations of the polygon mirror approaches 50,000, distortion of the polygon surface occurs due to centrifugal force, and it is said that there is a limit to further speeding up the rotation of the polygon mirror. Therefore, in order to further increase the drawing speed of the laser beam printer, the surface of the photoconductor is scanned with a plurality of laser beams.
【0003】具体的には、例えば特開平10−2824
41号公報,USP4637679号公報,USP45
47038号公報,USP4958893号公報等に記
載されている如く、偏光ビームスプリッタ,ハーフミラ
ー,プリズム面の反射等を利用して、複数のレーザービ
ームを適切な間隔に光学的に偏向して調整する構成が提
案或いは採用されている。けれども、これらの方法で
は、レーザービームの本数が多くなると、アライメント
が困難になり、部品が大きくなってコストがかかりすぎ
るという欠点があり、現在以上の高速化は非常に困難な
状況となっている。[0003] Specifically, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2824.
No. 41, US Pat. No. 4,637,679, US Pat.
As described in US Pat. No. 47038, US Pat. No. 4,958,893, a configuration in which a plurality of laser beams are optically deflected to appropriate intervals and adjusted using a polarizing beam splitter, a half mirror, reflection of a prism surface, and the like. Has been proposed or adopted. However, these methods have the disadvantage that when the number of laser beams is large, alignment becomes difficult, the components become large and the cost becomes too high, and it is very difficult to achieve higher speeds than at present. .
【0004】このため、複数のレーザー光源を微小ピッ
チで配置したいわゆるマルチ光源を構成する方法が望ま
れている。その方法としては、例えば特開昭54−73
28号公報に記載されている如く、複数のレーザー光源
として基板上に複数のレーザーダイオードを形成したい
わゆるアレイレーザーを使用する方法、光ファイバーよ
り射出した光を二次光源として用いる方法、入射側より
射出側のピッチを狭小化した光導波路を用いる方法があ
る。Therefore, there is a demand for a method of forming a so-called multi light source in which a plurality of laser light sources are arranged at a fine pitch. The method is described in, for example, JP-A-54-73.
No. 28, a method using a so-called array laser having a plurality of laser diodes formed on a substrate as a plurality of laser light sources, a method using light emitted from an optical fiber as a secondary light source, and a method emitting light from an incident side There is a method using an optical waveguide in which the pitch on the side is narrowed.
【0005】但し、アレイレーザーを使用する方法にお
いて、レーザーダイオードが配置されるピッチは、感光
体面上での結像状態を考えると、複数のレーザービーム
スポットを充分近接させるために、100μm以下の微
小間隔である事が望ましいのであるが、このような微小
ピッチで基板上にレーザーダイオードを形成する事は、
放熱が不十分となって動作が不安定になるため、困難で
ある。故に、上記他の方法である光ファイバー或いは光
導波路を用いる方法が有効であると考えられる。However, in the method using an array laser, the pitch at which the laser diodes are arranged is set to a small value of 100 μm or less in order to bring a plurality of laser beam spots sufficiently close in consideration of the state of image formation on the photoreceptor surface. It is desirable that the interval is, but to form a laser diode on the substrate at such a small pitch,
This is difficult because the operation becomes unstable due to insufficient heat radiation. Therefore, it is considered that the other method using an optical fiber or an optical waveguide is effective.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、射出側で微小ピッチを成す配線を施した光導波路を
用いて、マルチビーム光源として使用する際、被走査面
上のビームスポット径の大きさを調整するために、通常
は、光束を広げるいわゆるビームエキスパンダー等の光
学部品を用いなければならず、コスト高となる。以下に
その理由を説明する。However, when a multi-beam light source is used, for example, by using an optical waveguide provided with wiring having a very small pitch on the emission side, the size of the beam spot diameter on the surface to be scanned can be reduced. In order to perform the adjustment, an optical component such as a so-called beam expander that expands the light beam must be used, which increases the cost. The reason will be described below.
【0007】マルチビーム光源としての光導波路の射出
ビーム間隔は、極めて近接させてあるので、個々の射出
ビームに対して個別のコリメータを配設する事は困難で
ある。そのため、同一の光学系で全てのビームを被走査
面上に結像する事になる。このような場合においては、
被走査面上のスポット径とスポット間隔とを独立して調
整する事は、著しく困難となる。[0007] Since the intervals between the output beams of the optical waveguide as the multi-beam light source are extremely close, it is difficult to provide individual collimators for the individual output beams. Therefore, all beams are imaged on the surface to be scanned by the same optical system. In such a case,
It is extremely difficult to independently adjust the spot diameter and the spot interval on the surface to be scanned.
【0008】ここで、ポリゴンミラーを用いたレーザー
走査光学系において、副走査方向については、ポリゴン
ミラー面と被走査面とを共役に保って、ポリゴンミラー
各面間の副走査方向の角度誤差を補償している。このた
め、副走査方向では、ポリゴンミラー面の前後で、結果
的にビームエキスパンダーが構成される事になり、副走
査方向のビーム径は、或程度自由にコントロールする事
ができる。Here, in a laser scanning optical system using a polygon mirror, in the sub-scanning direction, the polygon mirror surface and the surface to be scanned are kept conjugate and the angular error in the sub-scanning direction between the respective polygon mirror surfaces is reduced. Compensated. Therefore, in the sub-scanning direction, a beam expander is formed before and after the polygon mirror surface, and the beam diameter in the sub-scanning direction can be controlled to some extent.
【0009】ところが、主走査方向については、コリメ
ータレンズを通過した光束を、そのまま走査レンズに入
射させる形になるので、コリメータレンズの焦点距離及
びFナンバーが、そのまま被走査面上のビーム径を決定
する事となる。このとき、主走査方向のビーム径をコン
トロールし、具体的には小さくするためには、光束を一
旦広げた後に走査レンズにて絞り込むという事が必要で
あり、光源とポリゴンミラーとの間に、光束を広げる働
きを持つ上記のようなビームエキスパンダーを別途挿入
しなければならず、コストアップの要因になってしま
う。However, in the main scanning direction, the light beam passing through the collimator lens is directly incident on the scanning lens. Therefore, the focal length of the collimator lens and the F number directly determine the beam diameter on the surface to be scanned. Will be done. At this time, in order to control the beam diameter in the main scanning direction and, specifically, to reduce the beam diameter, it is necessary to first widen the light beam and then narrow it down with a scanning lens. It is necessary to separately insert the above-mentioned beam expander having the function of expanding the light flux, which causes an increase in cost.
【0010】本発明は、このような問題点に鑑み、光学
系を簡素化してコストダウンを図る事が可能な、マルチ
ビーム光源を提供する事を目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a multi-beam light source capable of simplifying an optical system and reducing costs.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、光束の射出面内において、互いに垂直
な方向のモード径が異なるニアフィールドパターンを有
する請求項1の構成とする。In order to achieve the above object, according to the present invention, a near-field pattern having different mode diameters in directions perpendicular to each other in a light emitting surface is provided.
【0012】また、互いに垂直な方向の径が異なる光路
を有する請求項1に記載の請求項2の構成とする。[0012] Further, it has a configuration according to claim 1 which has optical paths having different diameters in directions perpendicular to each other.
【0013】また、互いに垂直な方向の屈折率が異なる
光路を有する請求項1又は請求項2に記載の請求項3の
構成とする。[0013] Further, the light emitting device according to the first or second aspect has an optical path having different optical indices in directions perpendicular to each other.
【0014】また、光束の射出部が石英系材料で構成さ
れている請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の請求
項4の構成とする。Further, the light emitting portion of the light beam is made of a quartz-based material.
【0015】また、光束の射出部がポリイミド樹脂で構
成されている請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の
請求項5の構成とする。Further, the light emitting portion of the light beam is made of a polyimide resin.
【0016】また、光束の射出部の構造が埋め込み光導
波路である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の請
求項6の構成とする。Further, the structure of the light emitting portion is a buried optical waveguide.
【0017】また、光束の射出部の構造がリブ光導波路
である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の請求項
7の構成とする。Further, the structure of the light beam emitting portion is a rib optical waveguide according to any one of claims 1 to 3.
【0018】また、光束の射出部の構造が誘電体ストリ
ップ光導波路である請求項1乃至請求項3のいずれかに
記載の請求項8の構成とする。Further, the structure of the light beam emitting portion is a dielectric strip optical waveguide according to any one of claims 1 to 3.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一
実施形態のマルチビーム光源の構成を模式的に示す平面
図である。同図に示すように、本実施形態のマルチビー
ム光源では、フィルム状の光導波路1内にコア2が複数
本形成されている。また、複数(ここでは4本)の光フ
ァイバー3は、V溝基板4上の図示しないV溝で固定し
て1列に配列されており、これが薄板状の光ファイバー
アレイ7として、光導波路1の光入射側1aに接続され
ている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a multi-beam light source according to one embodiment of the present invention. As shown in the figure, in the multi-beam light source of the present embodiment, a plurality of cores 2 are formed in a film-shaped optical waveguide 1. A plurality of (four in this case) optical fibers 3 are fixedly arranged in a V-groove (not shown) on the V-groove substrate 4 and arranged in a single row. It is connected to the incident side 1a.
【0020】このとき、光入射側1aに設けられた、コ
ア2の各光入射端2aが、各光ファイバー3の射出端3
bと対面している。そして、各光ファイバー3からのレ
ーザービームが各光入射端2aに入射して、コア2を通
過し、光射出側1bに設けられた各光射出端2bからレ
ーザービーム5として射出する。At this time, each light incident end 2a of the core 2 provided on the light incident side 1a is connected to the output end 3 of each optical fiber 3.
facing b. Then, a laser beam from each optical fiber 3 enters each light incident end 2a, passes through the core 2, and is emitted as a laser beam 5 from each light emitting end 2b provided on the light emitting side 1b.
【0021】ここで、例えば光導波路1の光入射側1a
のコアピッチ(コア2の各光入射端2a同士のピッチ)
は127μm、光射出側1bのコアピッチ(コア2の各
光射出端2b同士のピッチ)は14μmとしている。こ
の、入射側のピッチは、光ファイバーアレイ7上の光フ
ァイバー3同士のピッチに相当しており、射出側のピッ
チは、レーザービームプリンタの感光体面上で600d
pi(スポット間隔約42μm)の走査を行う場合に、
3倍の拡大光学系を用いる事を想定して設定されてい
る。Here, for example, the light incident side 1a of the optical waveguide 1
Core pitch (pitch between light incident ends 2a of core 2)
Is 127 μm, and the core pitch of the light emitting side 1 b (the pitch between the light emitting ends 2 b of the core 2) is 14 μm. The pitch on the incident side corresponds to the pitch between the optical fibers 3 on the optical fiber array 7, and the pitch on the emitting side is 600 d on the photosensitive member surface of the laser beam printer.
pi (spot interval about 42 μm)
The setting is made on the assumption that a three times magnification optical system is used.
【0022】図2は、このマルチビーム光源の外観を模
式的に示す斜視図である。各光ファイバー3の入射端3
aには、それぞれレーザーダイオード6が接続されてお
り、ここからのレーザービームがそれぞれ光ファイバー
3を通過し、光導波路1内の上記コア2を経て光射出端
2bから射出する構成である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing the appearance of the multi-beam light source. Incident end 3 of each optical fiber 3
A laser diode 6 is connected to each of a, and a laser beam from each of the laser diodes 6 passes through the optical fiber 3 and is emitted from the light emitting end 2 b through the core 2 in the optical waveguide 1.
【0023】ここで、光射出端2bの形状は、図3に示
すように、正面より見ると長方形となっており、ここで
は短辺に沿った矢印A方向が主走査方向、長辺に沿った
矢印B方向が副走査方向となっている。このようにし
て、本実施形態のマルチビーム光源では、光導波路の射
出面内において、主走査方向及び副走査方向としての、
互いに垂直な方向のモード径が異なる射出ビーム形状
(ニアフィールドパターン)を有する光導波路の構造に
なっている。Here, as shown in FIG. 3, the shape of the light emitting end 2b is a rectangle when viewed from the front. Here, the direction of arrow A along the short side is along the main scanning direction and along the long side. The arrow B direction is the sub-scanning direction. In this manner, in the multi-beam light source of the present embodiment, within the exit surface of the optical waveguide, the main scanning direction and the sub-scanning direction
The optical waveguide has an emission beam shape (near field pattern) having different mode diameters in directions perpendicular to each other.
【0024】図4は、光導波路1の光射出側1b近傍
の、コア2を含んだ縦断面図である。同図において、光
導波路1内のコア2の光射出端2bより射出するレーザ
ービーム5は、コア2の幅dをビーム径とし、光射出端
2bをビームウエストとして、いわゆるガウシアンビー
ムであると仮定すると、以下の理論式が成り立つ。 θ=arctan(λ/πd)≒λ/πd (ラジアン) 但し、 θ:ビームの広がり角 λ:ビームの波長 である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view including the core 2 near the light exit side 1b of the optical waveguide 1. As shown in FIG. In the figure, it is assumed that the laser beam 5 emitted from the light emitting end 2b of the core 2 in the optical waveguide 1 is a so-called Gaussian beam with the width d of the core 2 as the beam diameter and the light emitting end 2b as the beam waist. Then, the following theoretical formula holds. θ = arctan (λ / πd) ≒ λ / πd (radian) where θ: beam divergence angle λ: beam wavelength.
【0025】上式によれば、コア径を調節する事によ
り、光導波路の射出ビームの広がり角を設定する事がで
きるので、これを主走査方向と副走査方向で異ならせる
事により、光学系を簡素化する事ができる。具体的に
は、いわゆる導波路型のマルチビーム光源において、予
め射出ビームの主走査方向の広がり角を広くし、副走査
方向の広がり角を狭くするように設計しておけば、主走
査方向の光学系にビームエキスパンダーを必要とせずに
済み、現行の光学系の転用が可能で、光学点数的に簡素
化が図れて、コストダウンに導く事ができる。According to the above equation, the divergence angle of the emitted beam from the optical waveguide can be set by adjusting the core diameter. By making this different between the main scanning direction and the sub-scanning direction, the optical system Can be simplified. Specifically, in a so-called waveguide-type multi-beam light source, if the divergence angle of the emission beam in the main scanning direction is designed to be widened in advance and the divergence angle in the sub-scanning direction is narrowed, It is not necessary to use a beam expander in the optical system, the existing optical system can be diverted, the number of optical points can be simplified, and the cost can be reduced.
【0026】さらに、上述した構成では、基本的にレー
ザーダイオードから光ファイバーへ、光ファイバーから
光導波路へとレーザービームを伝達しているが、レーザ
ーダイオードを直接光導波路に結合してレーザービーム
を伝達する方法も取る事ができる。例えば、将来的には
数個のレーザーダイオードを一つのチップ上に作成し
て、ダイレクトにレーザーダイオードから光導波路へと
レーザービームを伝達する形態も考えられる。この場
合、光導波路の光入射側で、各コアの光入射端のピッチ
を広げるだけでなく、コア径も広げる事により、レーザ
ーダイオードから光導波路へのレーザービームの直接入
射が容易になる。Furthermore, in the above-described configuration, the laser beam is basically transmitted from the laser diode to the optical fiber, and from the optical fiber to the optical waveguide. However, a method of transmitting the laser beam by directly coupling the laser diode to the optical waveguide. You can also take. For example, a form in which several laser diodes are formed on one chip in the future and a laser beam is directly transmitted from the laser diode to the optical waveguide can be considered. In this case, by not only increasing the pitch of the light incident end of each core but also increasing the core diameter on the light incident side of the optical waveguide, direct incidence of the laser beam from the laser diode to the optical waveguide is facilitated.
【0027】一方、光導波路の射出側は、入射側の構成
に関係なく、各コアの光射出端のピッチは狭く、コア径
も小さくなっている。この場合、例えば光射出端の形状
が、上記図3に示したような長方形であるとすると、光
入射端の形状は、短辺方向を延ばして正方形としてもよ
い。このとき、光入射端から光射出端にかけて、コア膜
厚に傾斜を付けたり、光入射端付近を漏斗状にするなど
の何らかの工夫が必要である。On the other hand, on the exit side of the optical waveguide, the pitch of the light exit end of each core is small and the core diameter is also small regardless of the configuration of the entrance side. In this case, for example, if the shape of the light emitting end is a rectangle as shown in FIG. 3, the shape of the light incident end may be a square extending in the short side direction. At this time, it is necessary to take some measures such as making the core film thickness inclined from the light incident end to the light emitting end, or forming a funnel shape near the light incident end.
【0028】以下に、本発明のマルチビーム光源におけ
る、いわゆる三次元光導波路の作製手順を説明する。光
導波路のクラッド層,コア層を形成する膜の材料として
は、石英,ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂等が使用され
るが、本実施形態では、石英系の材料を用いたもので例
示している。まず、膜の材料として基本的にはTEOS
(Tetra Ethyl Ortho Silicate:Si(OC2H5)4)
を用い、低温プラズマCVD法によりSiO2の各膜を
形成している。ここで、SiO2にドーピングを施す事
により、屈折率が変化する事はよく知られている。Hereinafter, a procedure for manufacturing a so-called three-dimensional optical waveguide in the multi-beam light source of the present invention will be described. Quartz, a polyimide resin, an epoxy resin, or the like is used as a material of the film forming the clad layer and the core layer of the optical waveguide. In the present embodiment, a quartz-based material is used as an example. First, TEOS is basically used as the material of the film.
(Tetra Ethyl Ortho Silicate: Si (OC 2 H 5 ) 4 )
Are used to form SiO 2 films by a low-temperature plasma CVD method. It is well known that doping SiO 2 changes the refractive index.
【0029】例えば、SiO2にGeをドープする事で
屈折率は増加し、Fをドープする事で屈折率は減少す
る。このとき、光導波路の各層の構成としての(クラッ
ド層/コア層/クラッド層)に対応して、(SiO2/
SiO2:Ge/SiO2)のようにGeをドープして屈
折率を増加させたコア層とするか、或いは(SiO2:
F/SiO2/SiO2:F)のようにFをドープして屈
折率を減少させたクラッド層とする構成が考えられる。
ここではFをドープする構成を例に挙げて説明する。For example, doping SiO 2 with Ge increases the refractive index, and doping F decreases the refractive index. At this time, in accordance with (cladding layer / core layer / cladding layer) as the configuration of each layer of the optical waveguide, (SiO 2 /
SiO 2: Ge / SiO 2) doped with Ge to the core layer with increased refractive index as if, or (SiO 2:
A configuration is conceivable in which the cladding layer is doped with F to reduce the refractive index, as in F / SiO 2 / SiO 2 : F).
Here, a configuration in which F is doped will be described as an example.
【0030】図5は、Fのドープ量に対する屈折率の変
化の様子の一例を示すグラフである。ここでは横軸に成
膜時のC2F6の0℃,1気圧でのガス流量(単位scc
m:standard cubic centimeter per minute)、縦軸に
形成したSiO2の屈折率を取っている。但し、成膜条
件は、 基板温度:350℃ 圧力:0.6Torr TEOS/O2 :12/100sccm RF:300w である。FIG. 5 is a graph showing an example of how the refractive index changes with the doping amount of F. Here, the horizontal axis indicates the gas flow rate of C 2 F 6 at 0 ° C. and 1 atm (unit scc) during film formation.
m: standard cubic centimeter per minute), and the refractive index of SiO 2 formed on the vertical axis is taken. However, the film forming conditions are: substrate temperature: 350 ° C., pressure: 0.6 Torr TEOS / O 2 : 12/100 sccm RF: 300 w
【0031】ここで、基板温度とは、光導波路作製時に
用いる、後述する石英基板を載置する基板の温度の事で
ある。また、TEOS/O2とは、これら材料ガスとキ
ャリアガスを混合したものの各流量である。そして、R
Fとは雰囲気中にかけられる高周波の電力である。同図
に示すように、まず、Fのドープ量が0のときには、屈
折率は1.473程度を保っているが、C2F6の流量即
ちFのドープ量が増すにつれて屈折率は徐々に減少し、
流量30sccmのときには屈折率が1.44以下とな
っている。従って、このC2F6の流量即ちFのドープ量
を調整する事により、屈折率を所定の値に減少させた上
記クラッド層を形成する事ができる。Here, the substrate temperature refers to the temperature of a substrate on which a quartz substrate, which will be described later, is used when manufacturing an optical waveguide. TEOS / O 2 is a flow rate of a mixture of these material gases and carrier gas. And R
F is high frequency power applied in the atmosphere. As shown in the figure, first, when the doping amount of F is 0, the refractive index is maintained at about 1.473, but the refractive index gradually increases as the flow rate of C 2 F 6 , that is, the doping amount of F increases. Decreased,
When the flow rate is 30 sccm, the refractive index is 1.44 or less. Therefore, by adjusting the flow rate of C 2 F 6 , that is, the doping amount of F, it is possible to form the cladding layer in which the refractive index is reduced to a predetermined value.
【0032】図6は、本発明のマルチビーム光源におけ
る、光導波路の具体的な作製プロセスの一例を示す模式
図である。同図では、光導波路の具体的な構成を、光射
出側から示している。ここでは、光導波路に熱応力によ
るクラック等が発生しないように、熱膨張係数がそれに
等しい石英基板11を用いている。まず、同図(a)に
示すように、石英基板11上面に下部クラッド層12a
を形成する。これは、FドープSiO2膜を、上記C2F
6を混合したTEOSにより所定の成膜条件で、約15
μmの厚さに形成するものである。FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a specific process for manufacturing an optical waveguide in the multi-beam light source of the present invention. In the figure, the specific configuration of the optical waveguide is shown from the light emission side. Here, a quartz substrate 11 having the same thermal expansion coefficient as that of the quartz substrate 11 is used so that cracks and the like due to thermal stress do not occur in the optical waveguide. First, as shown in FIG.
To form This allows the F-doped SiO 2 film, the C 2 F
The 6 were mixed TEOS at predetermined deposition conditions, about 15
It is formed to a thickness of μm.
【0033】次に、同図(b)に示すように、下部クラ
ッド層12a上面にコア層13を形成する。これは、前
記C2F6を含んだTEOSのガス供給を停止し、残留ガ
スを真空引きした後、ノンドープSiO2膜を、C2F6
を混合しないTEOSにより所定の成膜条件で、約5μ
mの厚さに形成するものである。さらに、同図(c)に
示すように、コア層13上面に、マスク材料としてスパ
ッタ法によりアモルファスシリコン膜14を0.6μm
形成する。そして、同図(d)に示すように、アモルフ
ァスシリコン膜14上面にレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィーにより、光導波路のコア形状となるように
パターニングを行い、レジスト15を形成する。Next, as shown in FIG. 3B, a core layer 13 is formed on the upper surface of the lower cladding layer 12a. This is the C 2 F 6 stops gas supply of TEOS containing, after evacuation of residual gas, a non-doped SiO 2 film, C 2 F 6
About 5μ with TEOS not mixed
m. Further, as shown in FIG. 3C, an amorphous silicon film 14 is formed on the upper surface of the core layer 13 by a sputtering method so as to have a thickness of 0.6 μm.
Form. Then, as shown in FIG. 2D, a resist is applied on the upper surface of the amorphous silicon film 14, and is patterned by photolithography so as to have a core shape of the optical waveguide, thereby forming a resist 15.
【0034】(d)の状態で、SF6ガスを用いた反応
性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)
により、アモルファスシリコン膜14をパターニング
し、レジスト15をアッシングにより除去すると、同図
(e)に示すように、残った部分がアモルファスシリコ
ンによるマスク14aとなる。続いて(e)の状態で、
CHF3ガスを用いたRIEにより、コア層13をパタ
ーニングすると、同図(f)に示すように、残った部分
がコア13aとなる。In the state of (d), Reactive Ion Etching (RIE) using SF 6 gas
By patterning the amorphous silicon film 14 and removing the resist 15 by ashing, the remaining portion becomes a mask 14a made of amorphous silicon as shown in FIG. Then, in the state of (e),
When the core layer 13 is patterned by RIE using CHF 3 gas, the remaining portion becomes the core 13a as shown in FIG.
【0035】さらに(f)の状態で、下部クラッド層1
2a上面に、コア13aも覆うように、上部クラッド層
12bを形成する。これは、FドープSiO2膜を、上
述した下部クラッド層12aと同じ成膜条件で、約15
μmの厚さに形成するものである。この結果、同図
(g)に示すように、下部クラッド層12aと上部クラ
ッド層12bとが一体化し、コア13aを取り囲むクラ
ッド12が形成され、光導波路が作製される。Further, in the state of FIG.
An upper clad layer 12b is formed on the upper surface of 2a so as to cover the core 13a. This is because the F-doped SiO 2 film is formed under the same film forming conditions as the lower clad layer 12a described above for about 15 minutes.
It is formed to a thickness of μm. As a result, as shown in FIG. 1G, the lower clad layer 12a and the upper clad layer 12b are integrated, the clad 12 surrounding the core 13a is formed, and an optical waveguide is manufactured.
【0036】ところで、本発明のマルチビーム光源にお
ける光導波路の構成については、上述したもの以外に
も、以下に示すような様々な形態が考えられる。まず図
7は、リブ光導波路の構成を示す模式図である。ここ
で、同図(a)は全体を示す斜視図であり、同図(b)
はコア周辺を光射出側から示す正面図である。同図
(a)に示すように、本例では基板20上面にコア層1
3を設け、その上面をリブ13bとして複数本(ここで
は4本)帯状に突設させた構造となっている。ここでは
各リブ13bを単位としてコアの働きが行われる。Incidentally, the configuration of the optical waveguide in the multi-beam light source according to the present invention may take various forms other than those described above, as shown below. First, FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a configuration of a rib optical waveguide. Here, FIG. 1A is a perspective view showing the whole, and FIG.
FIG. 3 is a front view showing the periphery of the core from the light emission side. As shown in FIG. 1A, in this example, the core layer 1 is formed on the upper surface of the substrate 20.
3, and a plurality of (four in this example) strips are formed on the upper surface thereof as ribs 13b. Here, the function of the core is performed in units of each rib 13b.
【0037】コア周辺の各部の寸法は、同図(b)に示
すように、例えばコア層13の厚さ3μm、リブ13b
の厚さ0.5μm、幅6μmに設定される。このとき、
屈折率を基板20が1.46、コア層13及びリブ13
bが1.4673、その上部を空気(1.0)とする
と、各リブ13bを通過するビームの波長780nmに
おけるモード径は、例えば図のx方向11.9μm,y
方向3.57μmとなっている。また、広がり角は例え
ばx方向2.35゜,y方向9.16゜となっている。The dimensions of each part around the core are, for example, as shown in FIG.
Is set to a thickness of 0.5 μm and a width of 6 μm. At this time,
The substrate 20 has a refractive index of 1.46, the core layer 13 and the rib 13
Assuming that b is 1.4673 and the upper part is air (1.0), the mode diameter at a wavelength of 780 nm of the beam passing through each rib 13b is, for example, 11.9 μm in the x direction in FIG.
The direction is 3.57 μm. The spread angle is, for example, 2.35 ° in the x direction and 9.16 ° in the y direction.
【0038】また、図7と同じ構造で、コア層13及び
リブ13bの材料として異方性のポリイミド、基板20
の材料としてガラスを用いた場合、屈折率を基板20が
1.53、コア層13及びリブ13bがx方向1.54
784,y方向1.53608とすると、モード径は例
えばx方向10.51μm,y方向3.15μmとなっ
ている。また、広がり角は例えばx方向2.64゜,y
方向11.9゜となっている。このようにして、異方性
材料を用いた場合でも同様の効果が得られる。The core layer 13 and the ribs 13b have the same structure as that of FIG.
When glass is used as a material for the substrate, the refractive index of the substrate 20 is 1.53, and the refractive index of the core layer 13 and the rib 13b is 1.54 in the x direction.
Assuming that 784 and the y direction are 1.53608, the mode diameter is, for example, 10.51 μm in the x direction and 3.15 μm in the y direction. The spread angle is, for example, 2.64 ° in the x direction, y
The direction is 11.9 °. Thus, the same effect can be obtained even when an anisotropic material is used.
【0039】図8は、埋め込み光導波路の構成を示す模
式図である。ここで、同図(a)は全体を示す斜視図で
あり、同図(b)はコア周辺を光射出側から示す正面図
である。同図(a)に示すように、本例では基板20に
コア13aを複数本(ここでは4本)埋め込み、互いの
上面を同一面とした構造となっている。FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of the embedded optical waveguide. Here, FIG. 1A is a perspective view showing the whole, and FIG. 1B is a front view showing the periphery of the core from the light emission side. As shown in FIG. 3A, in this example, a plurality of cores 13a (four in this case) are embedded in the substrate 20, and the upper surfaces of the cores 13a are made the same.
【0040】コア周辺の各部の寸法は、同図(b)に示
すように、例えばコア13aの厚さ3μm、幅6μmに
設定される。このとき、屈折率を基板20が1.46、
コア13aが1.4673、その上部を空気(1.0)
とすると、各コア13aを通過するビームの波長780
nmにおけるモード径は、例えば図のx方向5.93μ
m,y方向3.27μmとなっている。また、広がり角
は例えばx方向5.50゜,y方向8.71゜となって
いる。The dimensions of each part around the core are set to, for example, a thickness of 3 μm and a width of 6 μm of the core 13 a as shown in FIG. At this time, the refractive index of the substrate 20 was 1.46,
The core 13a has 1.4673 and the upper part is air (1.0)
Then, the wavelength 780 of the beam passing through each core 13a
The mode diameter in nm is, for example, 5.93 μm in the x direction in the figure.
3.27 μm in the m and y directions. The spread angle is, for example, 5.50 ° in the x direction and 8.71 ° in the y direction.
【0041】図9は、別の埋め込み光導波路の構成を示
す模式図である。ここで、同図(a)は全体を示す斜視
図であり、同図(b)はコア周辺を光射出側から示す正
面図である。同図(a)に示すように、本例では基板2
0内部にコア13aを複数本(ここでは4本)埋め込ん
だ構造となっている。FIG. 9 is a schematic diagram showing the configuration of another embedded optical waveguide. Here, FIG. 1A is a perspective view showing the whole, and FIG. 1B is a front view showing the periphery of the core from the light emission side. As shown in FIG.
0, a plurality of cores 13a (four in this case) are embedded.
【0042】コア周辺の各部の寸法は、同図(b)に示
すように、例えばコア13aの厚さ3μm、幅6μmに
設定される。このとき、屈折率を基板20が1.46、
コア13aが1.4673とすると、各コア13aを通
過するビームの波長780nmにおけるモード径は、例
えば図のx方向5.93μm,y方向3.85μmとな
っている。また、広がり角は例えばx方向5.52゜,
y方向7.19゜となっている。The dimensions of each part around the core are set to, for example, a thickness of 3 μm and a width of 6 μm of the core 13a as shown in FIG. At this time, the refractive index of the substrate 20 was 1.46,
Assuming that the core 13a is 1.4673, the mode diameter of the beam passing through each core 13a at a wavelength of 780 nm is, for example, 5.93 μm in the x direction and 3.85 μm in the y direction in the drawing. The spread angle is 5.52 ° in the x direction, for example.
It is 7.19 ° in the y direction.
【0043】図10は、誘電体ストリップ光導波路の構
成を示す模式図である。ここで、同図(a)は全体を示
す斜視図であり、同図(b)はコア周辺を光射出側から
示す正面図である。同図(a)に示すように、本例では
基板20上面にコア13aを複数本(ここでは4本)設
けた構造となっている。FIG. 10 is a schematic diagram showing the configuration of a dielectric strip optical waveguide. Here, FIG. 1A is a perspective view showing the whole, and FIG. 1B is a front view showing the periphery of the core from the light emission side. As shown in FIG. 1A, the present embodiment has a structure in which a plurality of (here, four) cores 13a are provided on the upper surface of the substrate 20.
【0044】コア周辺の各部の寸法は、同図(b)に示
すように、例えばコア13aの厚さ3μm、幅6μmに
設定される。このとき、屈折率を基板20が1.46、
コア13aが1.4673、その上部を空気(1.0)
とすると、各コア13aを通過するビームの波長780
nmにおけるモード径は、例えば図のx方向4.75μ
m,y方向3.31μmとなっている。また、広がり角
は例えばx方向7.65゜,y方向8.40゜となって
いる。The dimensions of each part around the core are set to, for example, a thickness of 3 μm and a width of 6 μm of the core 13a as shown in FIG. At this time, the refractive index of the substrate 20 was 1.46,
The core 13a has 1.4673 and the upper part is air (1.0)
Then, the wavelength 780 of the beam passing through each core 13a
The mode diameter in nm is, for example, 4.75 μm in the x direction in the figure.
It is 3.31 μm in the m and y directions. The spread angle is, for example, 7.65 ° in the x direction and 8.40 ° in the y direction.
【0045】図11は、その他の光導波路の構成を光射
出側より示す模式図である。同図(a)は誘電体ストリ
ップ装荷型光導波路であり、基板20の上面に設けられ
たコア層13は、その上面中央に設けられた誘電体16
の働きにより、中央の所定部分がコアとしての役割を担
う構成となっている。また、同図(b)はリッジ型光導
波路であり、基板20の上面に設けられたコア層13
は、その上面に設けられた峰型(リッジ型)の誘電体1
6の働きにより、中央の所定部分がコアとしての役割を
担う構成となっている。さらに、同図(c)は金属クラ
ッド型光導波路であり、基板20の上面に設けられたコ
ア層13は、その上面左右に設けられた金属クラッド1
7の働きにより、中央の所定部分がコアとしての役割を
担う構成となっている。FIG. 11 is a schematic diagram showing another configuration of the optical waveguide from the light emitting side. FIG. 1A shows an optical waveguide loaded with a dielectric strip, in which a core layer 13 provided on an upper surface of a substrate 20 has a dielectric 16 provided in the center of the upper surface thereof.
, A predetermined portion at the center plays a role as a core. FIG. 2B shows a ridge-type optical waveguide, and a core layer 13 provided on the upper surface of the substrate 20.
Is a peak-shaped (ridge-shaped) dielectric 1 provided on the upper surface thereof.
By the function of 6, a predetermined portion at the center plays a role as a core. FIG. 3C shows a metal clad optical waveguide in which the core layer 13 provided on the upper surface of the substrate 20 has the metal clad 1 provided on the left and right surfaces thereof.
By the operation of 7, a predetermined portion in the center plays a role as a core.
【0046】最後に、同図(d)は電界誘起型光導波路
である。同図に示す基板20の上面にはコア層13が設
けられており、その上面には絶縁体18が設けられてい
て、更にその上面中央に斜線で示す電極19が取り付け
られている。この電極19に電圧V0を印加すると、ア
ース側である基板20との間に、絶縁体18及びコア層
13を介して電界が誘起される。コア層13の内、この
電界に曝された部分が、元の屈折率nfよりΔnだけ大
きくなり、コア13aとなってコアとしての役割を担う
構成となっている。Finally, FIG. 3D shows an electric field induced optical waveguide. A core layer 13 is provided on the upper surface of a substrate 20 shown in FIG. 1, an insulator 18 is provided on the upper surface, and an electrode 19 shown by oblique lines is attached to the center of the upper surface. When a voltage V 0 is applied to the electrode 19, an electric field is induced between the electrode 19 and the substrate 20 on the earth side via the insulator 18 and the core layer 13. Among the core layer 13, is exposed portions in the electric field, increases by Δn than the original refractive index n f, has a configuration which serves as a core at the core 13a.
【0047】尚、特許請求の範囲で言う射出面は、実施
形態における光導波路の光射出側に対応しており、光路
は光導波路のコアに対応している。The exit surface in the claims corresponds to the light exit side of the optical waveguide in the embodiment, and the optical path corresponds to the core of the optical waveguide.
【0048】[0048]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光学系を簡素化してコストダウンを図る事が可能な、マ
ルチビーム光源を提供する事ができる。具体的には、い
わゆる導波路型のマルチビーム光源において、予め射出
ビームの主走査方向の広がり角を広くし、副走査方向の
広がり角を狭くするように設計しておけば、主走査方向
の光学系にビームエキスパンダーを必要とせずに済み、
現行の光学系の転用が可能で、光学点数的に簡素化が図
れて、コストダウンに導く事ができる。As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a multi-beam light source capable of simplifying an optical system and reducing costs. Specifically, in a so-called waveguide-type multi-beam light source, if the divergence angle of the emission beam in the main scanning direction is designed to be widened in advance and the divergence angle in the sub-scanning direction is narrowed, Eliminates the need for beam expanders in the optics,
The existing optical system can be diverted, the number of optical points can be simplified, and the cost can be reduced.
【図1】本発明のマルチビーム光源の構成を模式的に示
す平面図。FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a multi-beam light source according to the present invention.
【図2】本発明のマルチビーム光源の外観を模式的に示
す斜視図。FIG. 2 is a perspective view schematically showing the appearance of a multi-beam light source according to the present invention.
【図3】光射出端の形状を示す正面図。FIG. 3 is a front view showing the shape of a light emitting end.
【図4】光導波路の光射出側近傍の、コアを含んだ縦断
面図。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view including a core in the vicinity of a light emission side of the optical waveguide.
【図5】Fのドープ量に対する屈折率の変化の様子の一
例を示すグラフ。FIG. 5 is a graph showing an example of how the refractive index changes with the doping amount of F.
【図6】光導波路の具体的な作製プロセスの一例を示す
模式図。FIG. 6 is a schematic view showing an example of a specific manufacturing process of an optical waveguide.
【図7】リブ光導波路の構成を示す模式図。FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a rib optical waveguide.
【図8】埋め込み光導波路の構成を示す模式図。FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a buried optical waveguide.
【図9】別の埋め込み光導波路の構成を示す模式図。FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration of another embedded optical waveguide.
【図10】誘電体ストリップ光導波路の構成を示す模式
図。FIG. 10 is a schematic diagram showing a configuration of a dielectric strip optical waveguide.
【図11】その他の光導波路の構成を光射出側より示す
模式図。FIG. 11 is a schematic diagram showing another configuration of the optical waveguide from the light emission side.
1 光導波路 2 コア 3 光ファイバー 4 V溝基板 5 レーザービーム 6 レーザーダイオード 7 光ファイバーアレイ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical waveguide 2 Core 3 Optical fiber 4 V-groove substrate 5 Laser beam 6 Laser diode 7 Optical fiber array
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 直樹 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 丸山 眞示 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 波多野 卓史 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 Fターム(参考) 2H045 BA22 BA43 CB68 2H047 KA04 KA05 KA15 MA05 PA24 PA28 RA01 RA04 TA31 TA36 2H076 AB05 AB06 AB07 AB52 EA04 5F073 AB25 AB28 BA07 EA18 EA29 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Naoki Nishida, Inventor Naoki 2-3-1-3, Azuchicho, Chuo-ku, Osaka Inside Osaka International Building Minolta Co., Ltd. (72) Shinji Maruyama 2-chome, Azuchicho, Chuo-ku, Osaka-shi No. 13 Osaka International Building Minolta Co., Ltd. (72) Inventor Takashi Hatano 2-13-13 Azuchicho, Chuo-ku, Osaka City Osaka International Building Minolta Co., Ltd. F-term (reference) 2H045 BA22 BA43 CB68 2H047 KA04 KA05 KA15 MA05 PA24 PA28 RA01 RA04 TA31 TA36 2H076 AB05 AB06 AB07 AB52 EA04 5F073 AB25 AB28 BA07 EA18 EA29
Claims (8)
方向のモード径が異なるニアフィールドパターンを有す
る事を特徴とするマルチビーム光源。1. A multi-beam light source characterized by having near-field patterns having different mode diameters in directions perpendicular to each other on an exit surface of a light beam.
する事を特徴とする請求項1に記載のマルチビーム光
源。2. The multi-beam light source according to claim 1, wherein the multi-beam light source has optical paths having different diameters in directions perpendicular to each other.
を有する事を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の
マルチビーム光源。3. The multi-beam light source according to claim 1, wherein the multi-beam light source has an optical path having different refractive indexes in directions perpendicular to each other.
いる事を特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに
記載のマルチビーム光源。4. The multi-beam light source according to claim 1, wherein the light beam emitting portion is made of a quartz-based material.
れている事を特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれ
かに記載のマルチビーム光源。5. The multi-beam light source according to claim 1, wherein the light beam emitting portion is made of a polyimide resin.
である事を特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか
に記載のマルチビーム光源。6. The multi-beam light source according to claim 1, wherein the structure of the light emitting portion is a buried optical waveguide.
る事を特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記
載のマルチビーム光源。7. The multi-beam light source according to claim 1, wherein the structure of the light emitting portion is a rib optical waveguide.
光導波路である事を特徴とする請求項1乃至請求項3の
いずれかに記載のマルチビーム光源。8. The multi-beam light source according to claim 1, wherein the structure of the light emitting portion is a dielectric strip optical waveguide.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13293899A JP2000323793A (en) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | Multibeam light source |
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| JP (1) | JP2000323793A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017146496A (en) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | Light source for illumination |
| JP2017187719A (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | シャープ株式会社 | Light source module |
-
1999
- 1999-05-13 JP JP13293899A patent/JP2000323793A/en active Pending
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| JP2017187719A (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | シャープ株式会社 | Light source module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050613 |