JP2000323793A

JP2000323793A - マルチビーム光源

Info

Publication number: JP2000323793A
Application number: JP13293899A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Hayamizu; 俊一速水; Akiyoshi Hamada; 明佳濱田; Naoki Nishida; 直樹西田; Shinji Maruyama; 眞示丸山; Takuji Hatano; 卓史波多野
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1999-05-13
Filing date: 1999-05-13
Publication date: 2000-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】光学系を簡素化してコストダウンを図る事が可
能な、マルチビーム光源を提供する。【解決手段】いわゆる導波路型のマルチビーム光源にお
いて、コア径を調節して、予め射出ビームの主走査方向
の広がり角を広くし、副走査方向の広がり角を狭くする
ように設計しておく事により、主走査方向の光学系にビ
ームエキスパンダーを不要とし、現行の光学系の転用を
可能として、光学点数的に簡素化を図り、コストダウン
に導く。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路によるマ
ルチビーム光源に関するものであり、更に詳しくは、特
にレーザービームプリンタの光源として構成される、光
導波路によるマルチビーム光源に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の情報ネットワークの発達及びデジ
タル化に伴い、レーザービームプリンタの高速化が強く
望まれてきている。この、レーザービームプリンタの高
速化を図る手段の一つとして、走査用のポリゴンミラー
の回転を高速化する事が挙げられる。ところが、現状で
はポリゴンミラーの回転数が５万回転近くになると、遠
心力によるポリゴン面の歪が生じるため、これ以上のポ
リゴンミラーの回転の高速化には限度があるとされてい
る。そこで、レーザービームプリンタの描画速度のさら
なる高速化を図るために、複数のレーザービームで感光
体面を走査する事が従来より行われている。

【０００３】具体的には、例えば特開平１０−２８２４
４１号公報，ＵＳＰ４６３７６７９号公報，ＵＳＰ４５
４７０３８号公報，ＵＳＰ４９５８８９３号公報等に記
載されている如く、偏光ビームスプリッタ，ハーフミラ
ー，プリズム面の反射等を利用して、複数のレーザービ
ームを適切な間隔に光学的に偏向して調整する構成が提
案或いは採用されている。けれども、これらの方法で
は、レーザービームの本数が多くなると、アライメント
が困難になり、部品が大きくなってコストがかかりすぎ
るという欠点があり、現在以上の高速化は非常に困難な
状況となっている。

【０００４】このため、複数のレーザー光源を微小ピッ
チで配置したいわゆるマルチ光源を構成する方法が望ま
れている。その方法としては、例えば特開昭５４−７３
２８号公報に記載されている如く、複数のレーザー光源
として基板上に複数のレーザーダイオードを形成したい
わゆるアレイレーザーを使用する方法、光ファイバーよ
り射出した光を二次光源として用いる方法、入射側より
射出側のピッチを狭小化した光導波路を用いる方法があ
る。

【０００５】但し、アレイレーザーを使用する方法にお
いて、レーザーダイオードが配置されるピッチは、感光
体面上での結像状態を考えると、複数のレーザービーム
スポットを充分近接させるために、１００μｍ以下の微
小間隔である事が望ましいのであるが、このような微小
ピッチで基板上にレーザーダイオードを形成する事は、
放熱が不十分となって動作が不安定になるため、困難で
ある。故に、上記他の方法である光ファイバー或いは光
導波路を用いる方法が有効であると考えられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、射出側で微小ピッチを成す配線を施した光導波路を
用いて、マルチビーム光源として使用する際、被走査面
上のビームスポット径の大きさを調整するために、通常
は、光束を広げるいわゆるビームエキスパンダー等の光
学部品を用いなければならず、コスト高となる。以下に
その理由を説明する。

【０００７】マルチビーム光源としての光導波路の射出
ビーム間隔は、極めて近接させてあるので、個々の射出
ビームに対して個別のコリメータを配設する事は困難で
ある。そのため、同一の光学系で全てのビームを被走査
面上に結像する事になる。このような場合においては、
被走査面上のスポット径とスポット間隔とを独立して調
整する事は、著しく困難となる。

【０００８】ここで、ポリゴンミラーを用いたレーザー
走査光学系において、副走査方向については、ポリゴン
ミラー面と被走査面とを共役に保って、ポリゴンミラー
各面間の副走査方向の角度誤差を補償している。このた
め、副走査方向では、ポリゴンミラー面の前後で、結果
的にビームエキスパンダーが構成される事になり、副走
査方向のビーム径は、或程度自由にコントロールする事
ができる。

【０００９】ところが、主走査方向については、コリメ
ータレンズを通過した光束を、そのまま走査レンズに入
射させる形になるので、コリメータレンズの焦点距離及
びＦナンバーが、そのまま被走査面上のビーム径を決定
する事となる。このとき、主走査方向のビーム径をコン
トロールし、具体的には小さくするためには、光束を一
旦広げた後に走査レンズにて絞り込むという事が必要で
あり、光源とポリゴンミラーとの間に、光束を広げる働
きを持つ上記のようなビームエキスパンダーを別途挿入
しなければならず、コストアップの要因になってしま
う。

【００１０】本発明は、このような問題点に鑑み、光学
系を簡素化してコストダウンを図る事が可能な、マルチ
ビーム光源を提供する事を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、光束の射出面内において、互いに垂直
な方向のモード径が異なるニアフィールドパターンを有
する請求項１の構成とする。

【００１２】また、互いに垂直な方向の径が異なる光路
を有する請求項１に記載の請求項２の構成とする。

【００１３】また、互いに垂直な方向の屈折率が異なる
光路を有する請求項１又は請求項２に記載の請求項３の
構成とする。

【００１４】また、光束の射出部が石英系材料で構成さ
れている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の請求
項４の構成とする。

【００１５】また、光束の射出部がポリイミド樹脂で構
成されている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
請求項５の構成とする。

【００１６】また、光束の射出部の構造が埋め込み光導
波路である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の請
求項６の構成とする。

【００１７】また、光束の射出部の構造がリブ光導波路
である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の請求項
７の構成とする。

【００１８】また、光束の射出部の構造が誘電体ストリ
ップ光導波路である請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載の請求項８の構成とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一
実施形態のマルチビーム光源の構成を模式的に示す平面
図である。同図に示すように、本実施形態のマルチビー
ム光源では、フィルム状の光導波路１内にコア２が複数
本形成されている。また、複数（ここでは４本）の光フ
ァイバー３は、Ｖ溝基板４上の図示しないＶ溝で固定し
て１列に配列されており、これが薄板状の光ファイバー
アレイ７として、光導波路１の光入射側１ａに接続され
ている。

【００２０】このとき、光入射側１ａに設けられた、コ
ア２の各光入射端２ａが、各光ファイバー３の射出端３
ｂと対面している。そして、各光ファイバー３からのレ
ーザービームが各光入射端２ａに入射して、コア２を通
過し、光射出側１ｂに設けられた各光射出端２ｂからレ
ーザービーム５として射出する。

【００２１】ここで、例えば光導波路１の光入射側１ａ
のコアピッチ（コア２の各光入射端２ａ同士のピッチ）
は１２７μｍ、光射出側１ｂのコアピッチ（コア２の各
光射出端２ｂ同士のピッチ）は１４μｍとしている。こ
の、入射側のピッチは、光ファイバーアレイ７上の光フ
ァイバー３同士のピッチに相当しており、射出側のピッ
チは、レーザービームプリンタの感光体面上で６００ｄ
ｐｉ（スポット間隔約４２μｍ）の走査を行う場合に、
３倍の拡大光学系を用いる事を想定して設定されてい
る。

【００２２】図２は、このマルチビーム光源の外観を模
式的に示す斜視図である。各光ファイバー３の入射端３
ａには、それぞれレーザーダイオード６が接続されてお
り、ここからのレーザービームがそれぞれ光ファイバー
３を通過し、光導波路１内の上記コア２を経て光射出端
２ｂから射出する構成である。

【００２３】ここで、光射出端２ｂの形状は、図３に示
すように、正面より見ると長方形となっており、ここで
は短辺に沿った矢印Ａ方向が主走査方向、長辺に沿った
矢印Ｂ方向が副走査方向となっている。このようにし
て、本実施形態のマルチビーム光源では、光導波路の射
出面内において、主走査方向及び副走査方向としての、
互いに垂直な方向のモード径が異なる射出ビーム形状
（ニアフィールドパターン）を有する光導波路の構造に
なっている。

【００２４】図４は、光導波路１の光射出側１ｂ近傍
の、コア２を含んだ縦断面図である。同図において、光
導波路１内のコア２の光射出端２ｂより射出するレーザ
ービーム５は、コア２の幅ｄをビーム径とし、光射出端
２ｂをビームウエストとして、いわゆるガウシアンビー
ムであると仮定すると、以下の理論式が成り立つ。 θ＝ａｒｃｔａｎ（λ／πｄ）≒λ／πｄ（ラジアン）但し、 θ：ビームの広がり角 λ：ビームの波長である。

【００２５】上式によれば、コア径を調節する事によ
り、光導波路の射出ビームの広がり角を設定する事がで
きるので、これを主走査方向と副走査方向で異ならせる
事により、光学系を簡素化する事ができる。具体的に
は、いわゆる導波路型のマルチビーム光源において、予
め射出ビームの主走査方向の広がり角を広くし、副走査
方向の広がり角を狭くするように設計しておけば、主走
査方向の光学系にビームエキスパンダーを必要とせずに
済み、現行の光学系の転用が可能で、光学点数的に簡素
化が図れて、コストダウンに導く事ができる。

【００２６】さらに、上述した構成では、基本的にレー
ザーダイオードから光ファイバーへ、光ファイバーから
光導波路へとレーザービームを伝達しているが、レーザ
ーダイオードを直接光導波路に結合してレーザービーム
を伝達する方法も取る事ができる。例えば、将来的には
数個のレーザーダイオードを一つのチップ上に作成し
て、ダイレクトにレーザーダイオードから光導波路へと
レーザービームを伝達する形態も考えられる。この場
合、光導波路の光入射側で、各コアの光入射端のピッチ
を広げるだけでなく、コア径も広げる事により、レーザ
ーダイオードから光導波路へのレーザービームの直接入
射が容易になる。

【００２７】一方、光導波路の射出側は、入射側の構成
に関係なく、各コアの光射出端のピッチは狭く、コア径
も小さくなっている。この場合、例えば光射出端の形状
が、上記図３に示したような長方形であるとすると、光
入射端の形状は、短辺方向を延ばして正方形としてもよ
い。このとき、光入射端から光射出端にかけて、コア膜
厚に傾斜を付けたり、光入射端付近を漏斗状にするなど
の何らかの工夫が必要である。

【００２８】以下に、本発明のマルチビーム光源におけ
る、いわゆる三次元光導波路の作製手順を説明する。光
導波路のクラッド層，コア層を形成する膜の材料として
は、石英，ポリイミド樹脂，エポキシ樹脂等が使用され
るが、本実施形態では、石英系の材料を用いたもので例
示している。まず、膜の材料として基本的にはＴＥＯＳ
（Tetra Ethyl Ortho Silicate：Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）
を用い、低温プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ₂の各膜を
形成している。ここで、ＳｉＯ₂にドーピングを施す事
により、屈折率が変化する事はよく知られている。

【００２９】例えば、ＳｉＯ₂にＧｅをドープする事で
屈折率は増加し、Ｆをドープする事で屈折率は減少す
る。このとき、光導波路の各層の構成としての（クラッ
ド層／コア層／クラッド層）に対応して、（ＳｉＯ₂／
ＳｉＯ₂：Ｇｅ／ＳｉＯ₂）のようにＧｅをドープして屈
折率を増加させたコア層とするか、或いは（ＳｉＯ₂：
Ｆ／ＳｉＯ₂／ＳｉＯ₂：Ｆ）のようにＦをドープして屈
折率を減少させたクラッド層とする構成が考えられる。
ここではＦをドープする構成を例に挙げて説明する。

【００３０】図５は、Ｆのドープ量に対する屈折率の変
化の様子の一例を示すグラフである。ここでは横軸に成
膜時のＣ₂Ｆ₆の０℃，１気圧でのガス流量（単位ｓｃｃ
ｍ：standard cubic centimeter per minute）、縦軸に
形成したＳｉＯ₂の屈折率を取っている。但し、成膜条
件は、基板温度：３５０℃ 圧力：０．６ＴｏｒｒＴＥＯＳ／Ｏ₂ ：１２／１００ｓｃｃｍＲＦ：３００ｗである。

【００３１】ここで、基板温度とは、光導波路作製時に
用いる、後述する石英基板を載置する基板の温度の事で
ある。また、ＴＥＯＳ／Ｏ₂とは、これら材料ガスとキ
ャリアガスを混合したものの各流量である。そして、Ｒ
Ｆとは雰囲気中にかけられる高周波の電力である。同図
に示すように、まず、Ｆのドープ量が０のときには、屈
折率は１．４７３程度を保っているが、Ｃ₂Ｆ₆の流量即
ちＦのドープ量が増すにつれて屈折率は徐々に減少し、
流量３０ｓｃｃｍのときには屈折率が１．４４以下とな
っている。従って、このＣ₂Ｆ₆の流量即ちＦのドープ量
を調整する事により、屈折率を所定の値に減少させた上
記クラッド層を形成する事ができる。

【００３２】図６は、本発明のマルチビーム光源におけ
る、光導波路の具体的な作製プロセスの一例を示す模式
図である。同図では、光導波路の具体的な構成を、光射
出側から示している。ここでは、光導波路に熱応力によ
るクラック等が発生しないように、熱膨張係数がそれに
等しい石英基板１１を用いている。まず、同図（ａ）に
示すように、石英基板１１上面に下部クラッド層１２ａ
を形成する。これは、ＦドープＳｉＯ₂膜を、上記Ｃ₂Ｆ
₆を混合したＴＥＯＳにより所定の成膜条件で、約１５
μｍの厚さに形成するものである。

【００３３】次に、同図（ｂ）に示すように、下部クラ
ッド層１２ａ上面にコア層１３を形成する。これは、前
記Ｃ₂Ｆ₆を含んだＴＥＯＳのガス供給を停止し、残留ガ
スを真空引きした後、ノンドープＳｉＯ₂膜を、Ｃ₂Ｆ₆
を混合しないＴＥＯＳにより所定の成膜条件で、約５μ
ｍの厚さに形成するものである。さらに、同図（ｃ）に
示すように、コア層１３上面に、マスク材料としてスパ
ッタ法によりアモルファスシリコン膜１４を０．６μｍ
形成する。そして、同図（ｄ）に示すように、アモルフ
ァスシリコン膜１４上面にレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィーにより、光導波路のコア形状となるように
パターニングを行い、レジスト１５を形成する。

【００３４】（ｄ）の状態で、ＳＦ₆ガスを用いた反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）
により、アモルファスシリコン膜１４をパターニング
し、レジスト１５をアッシングにより除去すると、同図
（ｅ）に示すように、残った部分がアモルファスシリコ
ンによるマスク１４ａとなる。続いて（ｅ）の状態で、
ＣＨＦ₃ガスを用いたＲＩＥにより、コア層１３をパタ
ーニングすると、同図（ｆ）に示すように、残った部分
がコア１３ａとなる。

【００３５】さらに（ｆ）の状態で、下部クラッド層１
２ａ上面に、コア１３ａも覆うように、上部クラッド層
１２ｂを形成する。これは、ＦドープＳｉＯ₂膜を、上
述した下部クラッド層１２ａと同じ成膜条件で、約１５
μｍの厚さに形成するものである。この結果、同図
（ｇ）に示すように、下部クラッド層１２ａと上部クラ
ッド層１２ｂとが一体化し、コア１３ａを取り囲むクラ
ッド１２が形成され、光導波路が作製される。

【００３６】ところで、本発明のマルチビーム光源にお
ける光導波路の構成については、上述したもの以外に
も、以下に示すような様々な形態が考えられる。まず図
７は、リブ光導波路の構成を示す模式図である。ここ
で、同図（ａ）は全体を示す斜視図であり、同図（ｂ）
はコア周辺を光射出側から示す正面図である。同図
（ａ）に示すように、本例では基板２０上面にコア層１
３を設け、その上面をリブ１３ｂとして複数本（ここで
は４本）帯状に突設させた構造となっている。ここでは
各リブ１３ｂを単位としてコアの働きが行われる。

【００３７】コア周辺の各部の寸法は、同図（ｂ）に示
すように、例えばコア層１３の厚さ３μｍ、リブ１３ｂ
の厚さ０．５μｍ、幅６μｍに設定される。このとき、
屈折率を基板２０が１．４６、コア層１３及びリブ１３
ｂが１．４６７３、その上部を空気（１．０）とする
と、各リブ１３ｂを通過するビームの波長７８０ｎｍに
おけるモード径は、例えば図のｘ方向１１．９μｍ，ｙ
方向３．５７μｍとなっている。また、広がり角は例え
ばｘ方向２．３５゜，ｙ方向９．１６゜となっている。

【００３８】また、図７と同じ構造で、コア層１３及び
リブ１３ｂの材料として異方性のポリイミド、基板２０
の材料としてガラスを用いた場合、屈折率を基板２０が
１．５３、コア層１３及びリブ１３ｂがｘ方向１．５４
７８４，ｙ方向１．５３６０８とすると、モード径は例
えばｘ方向１０．５１μｍ，ｙ方向３．１５μｍとなっ
ている。また、広がり角は例えばｘ方向２．６４゜，ｙ
方向１１．９゜となっている。このようにして、異方性
材料を用いた場合でも同様の効果が得られる。

【００３９】図８は、埋め込み光導波路の構成を示す模
式図である。ここで、同図（ａ）は全体を示す斜視図で
あり、同図（ｂ）はコア周辺を光射出側から示す正面図
である。同図（ａ）に示すように、本例では基板２０に
コア１３ａを複数本（ここでは４本）埋め込み、互いの
上面を同一面とした構造となっている。

【００４０】コア周辺の各部の寸法は、同図（ｂ）に示
すように、例えばコア１３ａの厚さ３μｍ、幅６μｍに
設定される。このとき、屈折率を基板２０が１．４６、
コア１３ａが１．４６７３、その上部を空気（１．０）
とすると、各コア１３ａを通過するビームの波長７８０
ｎｍにおけるモード径は、例えば図のｘ方向５．９３μ
ｍ，ｙ方向３．２７μｍとなっている。また、広がり角
は例えばｘ方向５．５０゜，ｙ方向８．７１゜となって
いる。

【００４１】図９は、別の埋め込み光導波路の構成を示
す模式図である。ここで、同図（ａ）は全体を示す斜視
図であり、同図（ｂ）はコア周辺を光射出側から示す正
面図である。同図（ａ）に示すように、本例では基板２
０内部にコア１３ａを複数本（ここでは４本）埋め込ん
だ構造となっている。

【００４２】コア周辺の各部の寸法は、同図（ｂ）に示
すように、例えばコア１３ａの厚さ３μｍ、幅６μｍに
設定される。このとき、屈折率を基板２０が１．４６、
コア１３ａが１．４６７３とすると、各コア１３ａを通
過するビームの波長７８０ｎｍにおけるモード径は、例
えば図のｘ方向５．９３μｍ，ｙ方向３．８５μｍとな
っている。また、広がり角は例えばｘ方向５．５２゜，
ｙ方向７．１９゜となっている。

【００４３】図１０は、誘電体ストリップ光導波路の構
成を示す模式図である。ここで、同図（ａ）は全体を示
す斜視図であり、同図（ｂ）はコア周辺を光射出側から
示す正面図である。同図（ａ）に示すように、本例では
基板２０上面にコア１３ａを複数本（ここでは４本）設
けた構造となっている。

【００４４】コア周辺の各部の寸法は、同図（ｂ）に示
すように、例えばコア１３ａの厚さ３μｍ、幅６μｍに
設定される。このとき、屈折率を基板２０が１．４６、
コア１３ａが１．４６７３、その上部を空気（１．０）
とすると、各コア１３ａを通過するビームの波長７８０
ｎｍにおけるモード径は、例えば図のｘ方向４．７５μ
ｍ，ｙ方向３．３１μｍとなっている。また、広がり角
は例えばｘ方向７．６５゜，ｙ方向８．４０゜となって
いる。

【００４５】図１１は、その他の光導波路の構成を光射
出側より示す模式図である。同図（ａ）は誘電体ストリ
ップ装荷型光導波路であり、基板２０の上面に設けられ
たコア層１３は、その上面中央に設けられた誘電体１６
の働きにより、中央の所定部分がコアとしての役割を担
う構成となっている。また、同図（ｂ）はリッジ型光導
波路であり、基板２０の上面に設けられたコア層１３
は、その上面に設けられた峰型（リッジ型）の誘電体１
６の働きにより、中央の所定部分がコアとしての役割を
担う構成となっている。さらに、同図（ｃ）は金属クラ
ッド型光導波路であり、基板２０の上面に設けられたコ
ア層１３は、その上面左右に設けられた金属クラッド１
７の働きにより、中央の所定部分がコアとしての役割を
担う構成となっている。

【００４６】最後に、同図（ｄ）は電界誘起型光導波路
である。同図に示す基板２０の上面にはコア層１３が設
けられており、その上面には絶縁体１８が設けられてい
て、更にその上面中央に斜線で示す電極１９が取り付け
られている。この電極１９に電圧Ｖ₀を印加すると、ア
ース側である基板２０との間に、絶縁体１８及びコア層
１３を介して電界が誘起される。コア層１３の内、この
電界に曝された部分が、元の屈折率ｎ_fよりΔｎだけ大
きくなり、コア１３ａとなってコアとしての役割を担う
構成となっている。

【００４７】尚、特許請求の範囲で言う射出面は、実施
形態における光導波路の光射出側に対応しており、光路
は光導波路のコアに対応している。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光学系を簡素化してコストダウンを図る事が可能な、マ
ルチビーム光源を提供する事ができる。具体的には、い
わゆる導波路型のマルチビーム光源において、予め射出
ビームの主走査方向の広がり角を広くし、副走査方向の
広がり角を狭くするように設計しておけば、主走査方向
の光学系にビームエキスパンダーを必要とせずに済み、
現行の光学系の転用が可能で、光学点数的に簡素化が図
れて、コストダウンに導く事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のマルチビーム光源の構成を模式的に示
す平面図。

【図２】本発明のマルチビーム光源の外観を模式的に示
す斜視図。

【図３】光射出端の形状を示す正面図。

【図４】光導波路の光射出側近傍の、コアを含んだ縦断
面図。

【図５】Ｆのドープ量に対する屈折率の変化の様子の一
例を示すグラフ。

【図６】光導波路の具体的な作製プロセスの一例を示す
模式図。

【図７】リブ光導波路の構成を示す模式図。

【図８】埋め込み光導波路の構成を示す模式図。

【図９】別の埋め込み光導波路の構成を示す模式図。

【図１０】誘電体ストリップ光導波路の構成を示す模式
図。

【図１１】その他の光導波路の構成を光射出側より示す
模式図。

【符号の説明】

１光導波路２コア３光ファイバー４Ｖ溝基板５レーザービーム６レーザーダイオード７光ファイバーアレイ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西田直樹大阪市中央区安土町二丁目３番13号大阪国際ビルミノルタ株式会社内 (72)発明者丸山眞示大阪市中央区安土町二丁目３番13号大阪国際ビルミノルタ株式会社内 (72)発明者波多野卓史大阪市中央区安土町二丁目３番13号大阪国際ビルミノルタ株式会社内Ｆターム(参考） 2H045 BA22 BA43 CB68 2H047 KA04 KA05 KA15 MA05 PA24 PA28 RA01 RA04 TA31 TA36 2H076 AB05 AB06 AB07 AB52 EA04 5F073 AB25 AB28 BA07 EA18 EA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光束の射出面内において、互いに垂直な
方向のモード径が異なるニアフィールドパターンを有す
る事を特徴とするマルチビーム光源。
【請求項２】互いに垂直な方向の径が異なる光路を有
する事を特徴とする請求項１に記載のマルチビーム光
源。
【請求項３】互いに垂直な方向の屈折率が異なる光路
を有する事を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
マルチビーム光源。
【請求項４】光束の射出部が石英系材料で構成されて
いる事を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載のマルチビーム光源。
【請求項５】光束の射出部がポリイミド樹脂で構成さ
れている事を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
かに記載のマルチビーム光源。
【請求項６】光束の射出部の構造が埋め込み光導波路
である事を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか
に記載のマルチビーム光源。
【請求項７】光束の射出部の構造がリブ光導波路であ
る事を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載のマルチビーム光源。
【請求項８】光束の射出部の構造が誘電体ストリップ
光導波路である事を特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれかに記載のマルチビーム光源。