JP2000323816A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 樹脂絶縁層上に確実に配線層を形成すること
のできるプリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 粗化された樹脂絶縁層１３，１４上に、
３０μｍ間１０点平均粗さＲ₃₀が、配線層のうち最も幅
狭な導体間隙Ｘに対して、式 Ｒ₃₀≦０．０６１ｅｘｐ
（０．１８Ｘ）を満たす無電解Ｃｕメッキ層１７，１８
を形成する工程と、メッキ層上にメッキレジスト層２
３，２４を形成する工程と、露出したメッキ層上に、電
解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成した後、メッキレジス
ト層を剥離し、エッチングして配線層３，４を形成する
工程とを備える。このため、メッキレジスト層と無電解
Ｃｕメッキ層との密着強度が高くなるので、メッキレジ
スト層の剥がれや浮きを抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂絶縁層を有す
るプリント配線板の製造方法に関し、特に、配線層を確
実に形成することのできるプリント配線板の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、樹脂製のプリント配線板を製
造するにあたり、配線層は、例えば次のようにして、樹
脂絶縁層上に形成されている。即ち、図１２（ａ）に部
分拡大図を示すように、表面に樹脂絶縁層１０２を有す
る被積層基板１０１を用意し、その全面に無電解メッキ
を施して、無電解メッキ層１０３を形成する。

【０００３】次に、図１２（ｂ）に示すように、無電解
メッキ層１０３上に感光性のドライフィルム１０４を全
面に貼り付ける。さらに、図１２（ｃ）に示すように、
これを露光・現像して、所定パターンのメッキレジスト
層１０５を形成する。次に、図１３（ａ）に示すよう
に、電解メッキを施し、メッキレジスト層１０５から露
出した無電解メッキ層１０３上に、電解メッキを厚付け
して、電解メッキ層１０６を形成する。その後、メッキ
レジスト層１０５を剥離して、クイックエッチングを行
い、不要な無電解メッキ層１０３等をエッチングして除
去すると、図１３（ｂ）に示すように、樹脂絶縁層１０
２上に配線層１０７が形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ドライ
フィルム１０４から所定パターンのメッキレジスト層１
０５を形成する際（図１２（ｂ）及び（ｃ）参照）、例
えば、現像で現像液を噴射したときに、メッキレジスト
層１０５の一部が、無電解メッキ層１０３から剥がれた
り、浮いたりしてしまうことがある。特に、導体間隙Ｄ
Ａ（図１３（ｂ）参照）が小さい導体パターンを持つ配
線層１０７を形成する場合、即ち、メッキレジスト層１
０５のパターンの幅ＲＡ（図１２（ｃ）参照）が狭くな
ると、メッキレジスト層１０５がその部分で無電解メッ
キ層１０３から剥がれたり、浮いたりし易くなる。メッ
キレジスト層１０５に剥がれや浮きが生じると、その剥
がれた部分の無電解メッキ層１０３上にも電解メッキ層
が形成されるので、ショートを生じることになる。

【０００５】本発明者は、検討の結果、メッキレジスト
層１０５と無電解メッキ層１０３との密着強度は、無電
解メッキ層１０３の表面粗さに影響されることを見出し
た。即ち、無電解メッキ層１０３の表面粗さが大きい
と、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３か
ら剥がれたり、浮いたりし易くなることを見出した。

【０００６】通常、樹脂絶縁層１０２上に配線層１０７
を形成する場合、樹脂絶縁層１０２と配線層１０７（無
電解メッキ層１０３）との密着強度を、アンカー効果に
より高くするために、無電解メッキ層１０３を形成する
前に、予め樹脂絶縁層１０２の表面１０２Ａを粗化して
いる（図１２（ａ）参照）。このように粗化された樹脂
絶縁層１０２上に、無電解メッキ層１０３を形成する
と、無電解メッキ層１０３の表面１０３Ａも、樹脂絶縁
層１０２の表面１０２Ａと同様に粗面となる。このた
め、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３か
ら剥がれ易くなると考えられた。

【０００７】また、配線層１０７の導体間隙ＤＡが小さ
くなるほど、無電解メッキ層１０３の表面粗さを小さく
しないと、メッキレジスト層１０５の剥がれや浮きが生
じ易いことも見出した。即ち、メッキレジスト層１０５
の剥がれ易さは、配線層１０７の導体間隙ＤＡの大き
さ、及び無電解メッキ層１０３の表面粗さと関係がある
ことも判ってきた。

【０００８】本発明はかかる知見に鑑みてなされたもの
であって、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥が
れたり、浮いたりするのを抑制し、樹脂絶縁層上に確実
に配線層を形成することのできるプリント配線基板の製
造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μ
ｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリン
ト配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹
脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ
₃₀（μｍ）が、１５≦Ｘ≦２５の範囲で、式 Ｒ₃₀≦
０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たす無電解メッキ
層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メ
ッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成する
レジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出
した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した
後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上
記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する
配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント
配線板の製造方法である。

【００１０】このプリント配線板は、最も幅狭な導体間
隙Ｘ（μｍ）が１５μｍから２５μｍの範囲の導体パタ
ーンを有する配線層を備える。本発明によれば、樹脂絶
縁層は、配線層との密着強度や、さらに樹脂絶縁層を積
層する場合には、樹脂絶縁層同士の密着強度を高くする
ために、その表面が粗化されている。そして、無電解メ
ッキ層形成工程で、この粗化された樹脂絶縁層上に、表
面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ₃₀が、Ｒ₃₀≦０．０６
１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たすように、例えば厚付け
するなどして、無電解メッキ層を形成する。

【００１１】このように表面粗さＲ₃₀の小さい無電解メ
ッキ層を形成すると、レジスト層形成工程で、無電解メ
ッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッ
キ層とメッキレジスト層とを密着強度を高くすることが
できる。このため、樹脂絶縁層の表面が大きく粗化され
ていても、無電解メッキ層の表面粗さＲ₃₀を上記式を満
たすように小さくすることで、メッキレジスト層が無電
解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制し、
歩留まり８０％以上を確保することができる。

【００１２】従って、その後、配線層形成工程で、電解
メッキを施す際、メッキレジスト層の剥がれや浮きが抑
制されているので、ショートを生じ難く、メッキレジス
ト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ
層を形成することができる。さらに、樹脂絶縁層が粗化
されていることにより、樹脂絶縁層と配線層（無電解メ
ッキ層）との密着強度も高い。このため、樹脂絶縁層上
に確実に配線層を形成することができる。

【００１３】なお、本明細書中で、３０μｍ間１０点平
均粗さＲ₃₀とは、３０μｍの間隔において、ＪＩＳ規定
の表面粗さＲｚの測定方法に準じて測定された表面粗さ
をいう。各点の測定は、電子顕微鏡または光学顕微鏡下
で無電解メッキ層等の切断面を拡大して行う。また、プ
リント配線板製造後に、無電解メッキ層の表面粗さＲ ₃₀
を測定する場合において、樹脂絶縁層にビアが形成され
ているときには、このビアの側面に形成された無電解メ
ッキ層の表面粗さＲ₃₀を便宜的に測定することもでき
る。

【００１４】ここで、樹脂絶縁層としては、配線層（無
電解メッキ層）との密着性や熱膨張率等を考慮して適宜
選択すれば良く、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹
脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂等の樹脂や、これらの樹脂と
ガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド
繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質
ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ
樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙
げられる。

【００１５】また、樹脂絶縁層の表面は、配線層等との
密着強度を考慮して粗化されていれば良く、その表面粗
さは適宜選択することができる。また、樹脂絶縁層の表
面は、例えば、クロム酸や過マンガン酸カリウムなどで
化学的に粗化されたものの他、研磨などで物理的に粗化
されたものでも良い。また、メッキレジスト層の形成方
法としては、例えば、感光性のドライフィルムを貼り付
け、所定のパターンに露光・現像して形成すれば良い。
あるいは、レジスト層を全面に塗布し、所定のパターン
に露光・現像して形成しても良い。

【００１６】また、プリント配線板としては、樹脂絶縁
層と配線層とを備えるものであれば良く、例えば、コア
基板の片面あるいは両面に、あるいはコア基板なしで、
絶縁層と配線層とを順に複数層積層したものなどが挙げ
られる。さらに、プリント配線板の主面上に、集積回路
チップ等の電子部品を搭載したり、他の基板に接続した
りするための接続パッドや、入出力端子としてのピンな
どを備えるものでも良い。

【００１７】さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体
間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を
備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化
された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平
均粗さＲ₃₀（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、式
Ｒ₃₀≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たす無電解メ
ッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電
解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成
するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から
露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成
した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出し
た上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成
する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法とすると良い。

【００１８】本発明によれば、無電解メッキ層形成工程
で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅
狭な導体間隙Ｘ（μｍ）に対して、表面の３０μｍ間１
０点平均粗さＲ₃₀（μｍ）が、Ｒ₃₀≦０．１５ｅｘｐ
（０．１２Ｘ）を満たすように、無電解メッキ層を形成
する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さＲ₃₀をさらに
小さい値とする。

【００１９】このため、レジスト層形成工程で、無電解
メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メ
ッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、より高くす
ることができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮き
をより抑制し、歩留まり９０％以上を確保することがで
きる。従って、その後、配線層形成工程で、よりショー
トを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メ
ッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができる
ので、より確実に配線層を形成することができる。

【００２０】さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体
間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を
備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化
された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平
均粗さＲ₃₀（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、式
Ｒ₃₀≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たす無電解メ
ッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電
解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成
するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から
露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成
した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出し
た上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成
する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法とすると良い。

【００２１】本発明によれば、無電解メッキ層形成工程
で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅
狭な導体間隙Ｘ（μｍ）に対して、表面の３０μｍ間１
０点平均粗さＲ₃₀（μｍ）が、Ｒ₃₀≦２．０ｅｘｐ
（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解メッキ層を形
成する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さＲ₃₀をさら
に小さい値とする。

【００２２】このため、レジスト層形成工程で、無電解
メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メ
ッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、さらに高く
することができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮
きをさらに抑制し、歩留まりほぼ１００％を確保するこ
とができる。従って、その後、配線層形成工程で、さら
にショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した
無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成すること
ができるので、さらに確実に配線層を形成することがで
きる。

【００２３】さらに、上記のプリント配線板の製造方法
であって、前記樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平
均粗さＲ₃₀が、前記式及びＲ₃₀≧０．５μｍを満たすこ
とを特徴とするプリント配線板の製造方法とするのが好
ましい。

【００２４】樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均
粗さＲ₃₀が、上記式Ｒ₃₀≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８
Ｘ）、Ｒ₃₀≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、または、
Ｒ₃₀≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たし、かつ、
Ｒ₃₀≧０．５μｍを満たす場合には、無電解メッキ層を
薄付けしたとき、具体的には１μｍ以下に薄付けしたと
き、無電解メッキ層の表面粗さも、樹脂絶縁層の表面粗
さとほとんど変わらなくなる。即ち、樹脂絶縁層の表面
粗さがＲ₃₀≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たす
とき、無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗
さＲ₃₀も、この式を満たす。また、樹脂絶縁層の表面粗
さがＲ₃₀≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすと
き、無電解メッキ層の表面粗さＲ₃₀も、この式を満た
す。また、樹脂絶縁層の表面粗さがＲ₃₀≦２．０ｅｘｐ
（０．０７１Ｘ）を満たすとき、無電解メッキ層の表面
粗さＲ₃₀も、この式を満たす。

【００２５】従って、メッキレジスト層と無電解メッキ
層との密着強度が高くされるので、メッキレジスト層が
無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制
することができる上、無電解メッキ層を薄く付ければ足
りるので、その時間とコストを削減することができる。
しかも、樹脂絶縁層の表面粗さＲ₃₀が０．５μｍ以上で
は、樹脂絶縁層と配線層（無電解メッキ層）との密着強
度も確保することができる。

【００２６】なお、樹脂絶縁層の表面粗さが、式 Ｒ₃₀
≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）よりも、式 Ｒ₃₀≦
０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、さらには、式 Ｒ₃₀≦
２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすようにすれば、
メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮
いたりするのを抑制する効果がより高くなる。このた
め、プリント配線板製造時の歩留まりもより向上させる
ことができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図を参照しつつ説明する。本実施形態で製
造されるプリント配線板１について、図１（ａ）に主面
１Ａ側から見た平面図を、図１（ｂ）に図１（ａ）の破
線部における部分拡大図を示す。

【００２８】このプリント配線板１は、図１（ａ）に示
すように、主面１Ａ及び裏面（図示しない）を有し、４
２．５×４２．５ｍｍの略正方形板状をなす。この主面
１Ａ側には、集積回路チップを搭載するためのＩＣ搭載
領域２が形成されている。また、主面１Ａ側には、配線
層３が形成されている。図１（ｂ）に示すように、配線
層３の一部は、図中上下方向に、一定の導体間隙Ｘで櫛
状に並んで形成されている。この部分の配線層３の導体
幅ＤＨは２０μｍであり、導体間隙Ｘは２０μｍであ
る。

【００２９】なお、このプリント配線板１において、配
線層３のうち、図１（ｂ）に示す部分の導体間隙Ｘが、
最も幅狭（２０μｍ）にされている。このため、プリン
ト配線板１を製造するにあたり、後述するように、樹脂
絶縁層上に無電解Ｃｕメッキ層を形成する際、この部分
に対応するメッキレジスト層が、無電解Ｃｕメッキ層か
ら最も剥がれたり、浮いたりし易い。

【００３０】次に、上記プリント配線板１の製造方法に
ついて、図２〜図４を参照しつつ説明する。まず、被積
層基板１１を用意する。図２（ａ）は、被積層基板１１
のうち図１（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応した部分の部分拡
大断面図を示す（図２〜図４の各図についても同
じ。）。この被積層基板１１は、公知の手法により、Ｂ
Ｔレジンからなるコア基板１２の両面に、エポキシ系樹
脂からなる樹脂絶縁層１３，１４が積層されたものであ
る。これら樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１３Ｂ
（被積層基板１１の主面１１Ａ及び裏面１１Ｂ）は、過
マンガン酸カリウムによって予め粗化されており、その
３０μｍ間１０点平均粗さＲ₃₀は、約１．３μｍとされ
ている。

【００３１】次に、無電解メッキ層形成工程において、
図２（ｂ）に示すように、被積層基板１１の全面に無電
解Ｃｕメッキ（奥野製薬社製メッキ液ビルドカッパー）
を施し、厚さ０．７μｍの無電解Ｃｕメッキ層１７，１
８を形成する。このとき、無電解Ｃｕメッキ層１７，１
８の厚さが、１μｍ以下と比較的薄いため、その下の樹
脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ₃₀の影響を強く受け
る。このため、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１
７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ₃₀は、樹脂
絶縁層１３，１４の表面粗さＲ₃₀とほぼ同等の約１．３
μｍとなる。

【００３２】このように樹脂絶縁層１３，１４の表面粗
さＲ₃₀を、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の所望の表面
粗さＲ₃₀と同等にしておくと、無電解Ｃｕメッキ層１
７，１８を薄く付けても、無電解Ｃｕメッキ層１７，１
８の表面１７Ａ，１８Ａで所望の粗さＲ₃₀が得られるの
で、その時間やコストを削減することができる。しか
も、樹脂絶縁層１３，１４が予め粗化されていることに
より、樹脂絶縁層１３，１４と無電解Ｃｕメッキ層１
７，１８との密着強度は、十分に高くなっている。

【００３３】次に、レジスト層形成工程において、図３
（ａ）に示すように、これら無電解Ｃｕメッキ層１７，
１８上に、アクリル系樹脂（水溶性アクリル）からなる
感光性のドライフィルム（ニチゴーモートン社製ＮＩＴ
２２５）２１，２２をそれぞれ全面に貼り付ける。

【００３４】次に、図３（ｂ）に示すように、貼り付け
たドライフィルム２１，２２を、所定パターンのマスク
（図示しない）を用いて露光し、その後現像して、配線
層３等に対応した所定パターンのメッキレジスト層２
３，２４を形成する。その際、特に現像液（Ｎａ₂ＣＯ₃
１．１ｗｔ％）を噴射するときに、その圧力でメッキレ
ジスト層２３，２４、中でもパターンの幅ＲＢが最も狭
くなっている部分（図３（ｂ）で示す部分）が剥がれ易
い。特に、本実施形態にように、配線層の最も幅狭な導
体間隙Ｘ（２０μｍ）が狭くなっている場合には、メッ
キレジスト層２３，２４の剥がれや浮きが発生しやす
い。

【００３５】しかし、本実施形態では、無電解Ｃｕメッ
キ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀は、約１．３μｍと小さ
くされているので、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８とメ
ッキレジスト層２３，２４との密着強度が、十分に高
い。このため、この工程で、メッキレジスト層２３，２
４が無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮
いたりし難い。

【００３６】次に、配線層形成工程において、図４
（ａ）に示すように、電解Ｃｕメッキを施し、メッキレ
ジスト層２３，２４から露出した無電解Ｃｕメッキ層１
７，１８上に、厚さ１５μｍの電解Ｃｕメッキ層２７，
２８を形成する。その際、メッキレジスト層２３，２４
には剥がれや浮きがなく、無電解Ｃｕメッキ層１７，１
８に密着しているので、ショートを生じることなく、露
出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上にだけ、電解Ｃ
ｕメッキ層２７，２８を形成することができる。

【００３７】その後、メッキレジスト層２３，２４を剥
離し、クイックエッチングにより、露出した無電解Ｃｕ
メッキ層１７，１８を除去して、図４（ｂ）に示すよう
に、配線層３，４を形成する。このとき、エッチング液
は全面に噴射されるので、露出した無電解Ｃｕメッキ層
１７，１８が除去されるとともに、電解Ｃｕメッキ層２
７，２８の表面も一部除去される。しかし、電解Ｃｕメ
ッキ層２７，２８（厚さ１５μｍ）は、無電解Ｃｕメッ
キ層１７，１８（厚さ０．７μｍ）よりも十分に厚く形
成されているので、配線層３，４がエッチングにより除
去されてしまうことはない。このようにして、被積層基
板１１の樹脂絶縁層１３，１４上に配線層３，４が形成
され、プリント配線板１が完成する。

【００３８】なお、本実施形態では、被積層基板１１の
樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａを過マンガ
ン酸カリウムにより粗化しているが、樹脂絶縁層の材質
に応じて、例えばクロム酸などにより粗化しても良い。
また、その表面１３Ａ，１４Ａを研磨して粗化しても良
い。また、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ₃₀は、約
１．３μｍとされているが、樹脂絶縁層１３，１４と配
線層３とのアンカー効果をより高くしたい場合には、表
面粗さＲ₃₀をより大きくすることもできる。この場合、
無電解メッキ層形成工程で、無電解メッキを厚く付ける
ことにより、無電解メッキ層１７，１８の表面１７Ａ，
１８Ａを所望の表面粗さ、例えばＲ₃₀＝１．３μｍとす
る。

【００３９】また、本実施形態では、配線層形成工程
で、メッキレジスト層２３，２４を剥離した後、そのま
まの状態で、エッチング液を噴射して、配線層３，４を
形成している。しかし、メッキレジスト層２３，２４を
剥離した後、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面に、Ｎ
ｉメッキやＳｎメッキなどの保護膜を形成してから、エ
ッチングを行ってもよい。この場合は、電解Ｃｕメッキ
層２７，２８の表面が、保護膜によってエッチング液か
ら保護されるので、配線層３，４の表面はエッチングさ
れなくなる。

【００４０】上記プリント配線板１の配線層３につい
て、最も幅狭な導体間隙Ｘを様々に変更して、無電解Ｃ
ｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ
間１０点平均粗さＲ₃₀と、レジスト層形成工程後の歩留
まりとの関係について、以下に述べるように調査し、そ
の結果を図５〜図８の各グラフに示した。

【００４１】まず、配線層３が、最も幅狭な導体間隙Ｘ
が２０μｍである導体パターンを有する上記プリント配
線板１について、以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁
層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａの３０μｍ間１０点
平均粗さＲ₃₀を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメ
ッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１
０点平均粗さＲ₃₀を様々に変化させた多数の試料つい
て、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そし
て、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，
１８の表面粗さＲ₃₀とメッキレジスト層２３，２４形成
後の歩留まりとの関係について、図５のグラフにまとめ
た。図５に示すグラフの横軸は、無電解Ｃｕメッキ層１
７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均
粗さＲ₃₀（μｍ）を示し、縦軸は、メッキレジスト層２
３，２４形成後の歩留まり（％）を示す（図６〜図８に
ついても同じ。）。

【００４２】なお、レジスト層形成工程で、メッキレジ
スト層２３，２４が、無電解メッキ層１７，１８から剥
がれたり、浮いたりすることなく形成された試料につい
ては、配線層形成工程において、ショートを生じること
なく、確実に配線層３，４を形成することができた。こ
れに対し、メッキレジスト層２３，２４が無電解メッキ
層１７，１８から剥がれたり浮いたりした試料は、いず
れもショートを生じた。

【００４３】このグラフから判るように、配線層３のう
ち最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍでは、無電解Ｃｕ
メッキ１７，１８の表面粗さＲ₃₀が、図中にＢ₁₀₀で示
すように、０．９７μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００
％になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗
さＲ₃₀が０．９７μｍ以上になると、歩留まりが徐々に
低下し始める。特に、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表
面粗さＲ₃₀が約２μｍを越えると、急激に歩留まりが低
下する。なお、このグラフより、レジスト層形成工程後
の歩留まりを８０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ
層１７，１８の表面粗さＲ₃₀を、図中にＢ₈₀で示すよう
に、Ｒ₃₀＝１．９６μｍ以下にすれば良いことが判る。
また、歩留まりを９０％以上にするには、図中にＢ₉₀で
示すように、Ｒ₃₀＝１．６７μｍ以下にすれば良く、ま
た、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＢ₁₀₀
で示すように、Ｒ_{3 0}＝０．９７μｍ以下にすれば良いこ
とが判る。

【００４４】次に、上記プリント配線板１の配線層３に
ついて、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから１５μｍ
に変更したプリント配線板についても、上記調査と同様
にして調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表
面粗さＲ₃₀を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッ
キ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀を様々に変化させた多数
の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査
した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッ
キ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀とメッキレジスト層形成
後の歩留まりとの関係について、図６のグラフにまとめ
た。

【００４５】このグラフから判るように、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙がＸ＝１５μｍでは、無電解Ｃｕメ
ッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀が約０．９μｍ以下
で、レジスト層形成工程後の歩留まりが高くなる。一
方、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀が約
１．５μｍ以上では、メッキレジスト層形成後の歩留ま
りは、ほとんどない。

【００４６】最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍである
上記調査と比べると、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の
表面粗さＲ₃₀を小さい値にしないと、歩留まりが高くな
らない。また、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗
さＲ₃₀が約０．９μｍを越えると、大きな割合で歩留ま
りが低下していく。なお、このグラフより、レジスト層
形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電解
Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀を、図中にＡ₈₀
で示すように、Ｒ₃₀＝０．９０μｍ以下にすれば良いこ
とが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、図
中にＡ₉₀で示すように、Ｒ₃₀＝０．７６μｍ以下にすれ
ば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図
中にＡ₁₀₀で示すように、Ｒ_{3 0}＝０．５０μｍ以下にす
れば良いことが判る。

【００４７】次に、上記プリント配線板１の配線層３に
ついて、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから２５μｍ
に変更したプリント配線板についても、上記各調査と同
様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，
１４の表面粗さＲ₃₀を適宜変更することにより、無電解
Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀を様々に変化さ
せた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留ま
りを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解
Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀とメッキレジス
ト層形成後の歩留まりとの関係について、図７のグラフ
にまとめた。

【００４８】このグラフから判るように、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙がＸ＝２５μｍでは、無電解Ｃｕメ
ッキ１７，１８の表面粗さＲ₃₀が、図中にＣ₁₀₀で示す
ように、１．３５μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％
になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さ
Ｒ₃₀が１．３５μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低
下し始める。しかし、配線層のうち最も幅狭な導体間隙
がＸ＝２０μｍの場合と比べると、無電解Ｃｕメッキ１
７，１８の表面粗さＲ₃₀が大きくなっても、歩留まりの
低下の割合が小さい。なお、このグラフより、レジスト
層形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電
解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀を、図中にＣ
₈₀で示すように、Ｒ₃₀＝５．３２μｍ以下にすれば良い
ことが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、
図中にＣ₉₀で示すように、Ｒ₃₀＝３．９１μｍ以下にす
れば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、
図中にＣ₁₀₀で示すように、Ｒ_{3 0}＝１．３５μｍ以下に
すれば良いことが判る。

【００４９】次に、上記プリント配線板１の配線層３に
ついて、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから３２μｍ
に変更したプリント配線板についても、上記各調査と同
様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，
１４の表面粗さＲ₃₀を適宜変更することにより、無電解
Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀を様々に変化さ
せた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留ま
りを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解
Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀とメッキレジス
ト層形成後の歩留まりとの関係について、図８のグラフ
にまとめた。

【００５０】このグラフから判るように、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙がＸ＝３２μｍでは、無電解Ｃｕメ
ッキ１７，１８の表面粗さＲ₃₀が、図中にＤ₁₀₀で示す
ように、１．７４μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％
になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さ
Ｒ₃₀が１．７４μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低
下し始める。しかし、導体間隙がそれぞれＸ＝１５，２
０，２５μｍである上記各調査と比べると、無電解Ｃｕ
メッキ１７，１８の表面粗さＲ₃₀が大きくなったとき、
歩留まりの低下の割合がさらに小さくなっている。な
お、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まり
を９０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１
８の表面粗さＲ₃₀を、図中にＤ₉₀で示すように、Ｒ₃₀＝
５．５９μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留
まりをほぼ１００％にするには、図中にＤ₁₀₀で示すよ
うに、Ｒ₃₀＝１．７４μｍ以下にすれば良いことが判
る。

【００５１】以上の各調査から、配線層のうち、最も幅
狭な導体間隙Ｘが大きくなるにつれて、無電解Ｃｕメッ
キ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀が大きくても良いことが
判る（図５〜図８参照）。つまり、所望の歩留まりを得
るには、最も幅狭な導体間隙Ｘが小さいほど、無電解Ｃ
ｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀を小さくする必要
があり、逆に、最も幅狭な導体間隙Ｘが大きくなると、
無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀が大きく
ても良いという相関関係を有する。また、より高い歩留
まりを得るためには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の
表面粗さＲ₃₀をより小さくしなけらばならない。

【００５２】そこで、レジスト層形成工程後に、８０
％、９０％及びほぼ１００％の歩留まりをそれぞれ得る
ために必要な無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さ
Ｒ₃₀を求めるために、配線層のうち最も幅狭な導体間隙
Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀との
関係について調べた。図９〜図１１のグラフを参照しつ
つ、以下に説明する。

【００５３】まず、メッキレジスト層形成後の歩留まり
を８０％以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電
解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀との関係につ
いて、図９に示す。このグラフの横軸は、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）を示し、縦軸は、無電解
Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μ
ｍ間１０点平均粗さＲ₃₀（μｍ）を示す（図１０及び図
１１についても同じ。）。なお、図中のＡ₈₀，Ｂ₈₀，Ｃ
₈₀の各点は、図５〜図７に示すＡ₈₀，Ｂ₈₀，Ｃ ₈₀にそれ
ぞれ対応している。

【００５４】このグラフは、上記調査より求めた各グラ
フ（図５〜図７参照）より、最も幅狭な導体間隙が、Ｘ
＝１５，２０，２５μｍのそれぞれについて、歩留まり
が８０％となるときの表面粗さＲ₃₀を求め、これらの点
（Ａ₈₀，Ｂ₈₀，Ｃ₈₀）をもとに近似したグラフである。
このグラフは、式 Ｒ₃₀＝０．０６１ｅｘｐ（０．１８
Ｘ）で表される。このグラフより、配線層のうち最も幅
狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕメッキ１７，１８
の表面粗さＲ₃₀を、式 Ｒ₃₀≦０．０６１ｅｘｐ（０．
１８Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後
の歩留まりを８０％以上にすることができることにな
る。

【００５５】次に、メッキレジスト層形成後の歩留まり
を９０％以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電
解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀との関係につ
いて、図１０に示す。なお、図中のＡ₉₀，Ｂ₉₀，Ｃ₉₀，
Ｄ₉₀の各点は、図５〜図８に示すＡ₉₀，Ｂ₉₀，Ｃ₉₀，Ｄ
₉₀にそれぞれ対応している。このグラフも、上記調査よ
り求めた各グラフ（図５〜図８参照）より、最も幅狭な
導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５，３２μｍのそれぞ
れについて、歩留まりが９０％となるときの表面粗さＲ
₃₀を求め、これらの点（Ａ₉₀，Ｂ₉₀，Ｃ₉₀，Ｄ₉₀）をも
とに近似したグラフである。このグラフは、式 Ｒ₃₀＝
０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）で表される。このグラフ
より、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無
電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ₃₀を、式 Ｒ₃₀
≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たす値とすれば、
メッキレジスト層形成後の歩留まりを９０％以上にする
ことができることになる。

【００５６】次に、メッキレジスト層形成後の歩留まり
をほぼ１００％とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無
電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ₃₀との関係に
ついて、図１１に示す。なお、図中のＡ₁₀₀，Ｂ₁₀₀，Ｃ
₁₀₀，Ｄ₁₀₀の各点は、図５〜図８に示すＡ₁₀₀，Ｂ₁₀₀，
Ｃ₁₀₀，Ｄ₁₀₀にそれぞれ対応している。このグラフも、
上記調査より求めた各グラフ（図５〜図８参照）より、
最も幅狭な導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５，３２μ
ｍのそれぞれについて、歩留まりがほぼ１００％となる
値のうち、最も大きい表面粗さＲ₃₀をそれぞれ求め、こ
れらの点（Ａ₁₀₀，Ｂ₁₀₀，Ｃ₁₀₀，Ｄ₁₀₀）をもとに近似
したグラフである。このグラフは、式 Ｒ₃₀＝２．０ｅ
ｘｐ（０．０７１Ｘ）で表される。このグラフより、配
線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕ
メッキ１７，１８の表面粗さＲ₃₀を、式 Ｒ₃₀≦２．０
ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレ
ジスト層形成後の歩留まりをほぼ１００％にすることが
できることになる。

【００５７】このように、図９〜図１１のグラフより、
配線層のうち最も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦２５の範
囲において、Ｒ₃₀≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を
満たすように、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さ
Ｒ₃₀を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まり
８０％以上を得ることができる。また、配線層のうち最
も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦３２の範囲において、Ｒ
₃₀≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすように、無
電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ₃₀を設定すれ
ば、メッキレジスト層形成後の歩留まり９０％以上を得
ることができる。また、配線層のうち最も幅狭な導体間
隙が１５≦Ｘ≦３２の範囲において、Ｒ ₃₀≦２．０ｅｘ
ｐ（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ
１７，１８の表面粗さＲ₃₀を設定すれば、メッキレジス
ト層形成後の歩留まりほぼ１００％を得ることができ
る。

【００５８】以上で説明したように、本実施形態のプリ
ント配線板の製造方法でよれば、無電解メッキ層形成工
程において、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対し
て、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ₃₀が、Ｒ₃₀≦
０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）、Ｒ₃₀≦０．１５ｅｘ
ｐ（０．１２Ｘ）、及び、Ｒ₃₀≦２．０ｅｘｐ（０．０
７１Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ層１７，１
８が形成される。

【００５９】このため、レジスト層形成工程において、
所定パターンのメッキレジスト層を形成する際、メッキ
レジスト層と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強
度を十分に高くすることができる。よって、この工程
で、メッキレジスト層の一部が、無電解Ｃｕメッキ層１
７，１８から剥がれたり、浮いたりするのを抑制するこ
とができる。従って、その後配線層形成工程で、電解Ｃ
ｕメッキ層２７，２８を形成する際、所定の位置にだ
け、確実に電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成すること
ができるので、確実に配線層を形成することができ、プ
リント配線板の製造時の歩留まりを向上させることがで
きる。

【００６０】以上において、本発明を各実施形態に即し
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形
態では、配線層は、一定の導体間隙Ｘで導体が櫛上に並
んだ導体パターンを有しているが（図１（ｂ）参照）、
導体同士が平行に並んでいない導体パターンをなす配線
層においても、本発明を適用することができる。このよ
うな場合でも、導体間隙が最も幅狭な部分で、メッキレ
ジスト層が無電解Ｃｕメッキ層から最も剥がれ易くなる
ので、本発明の適用により、この部分のメッキレジスト
層の剥がれや浮きを抑制することができ、この部分での
ショートの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係るプリント配線板を示す図であ
り、（ａ）は主面側から見た平面図を示し、（ｂ）は
（ａ）の破線部における部分拡大図を示す。

【図２】実施形態１に係るプリント配線板の製造方法を
示す部分拡大断面図であり、（ａ）は被積層基板を示
し、（ｂ）は無電解Ｃｕメッキ層を形成した状態を示
す。

【図３】実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法
を示す部分拡大断面図であり、（ａ）はドライフィルム
を貼り付けた状態を示し、（ｂ）はメッキレジスト層を
形成した状態を示す。

【図４】実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法
を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解Ｃｕメッキ
層を形成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状
態を示す。

【図５】実施形態１に係り、導体間隙２０μｍにおける
無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。

【図６】実施形態１に係り、導体間隙１５μｍにおける
無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。

【図７】実施形態１に係り、導体間隙２５μｍにおける
無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。

【図８】実施形態１に係り、導体間隙３２μｍにおける
無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。

【図９】実施形態１に係り、歩留まり８０％における導
体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示すグ
ラフである。

【図１０】実施形態１に係り、歩留まり９０％における
導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示す
グラフである。

【図１１】実施形態１に係り、歩留まり１００％におけ
る導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示
すグラフである。

【図１２】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を
示す部分拡大断面図であり、（ａ）は樹脂絶縁層上に無
電解メッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は無電解メ
ッキ層上にドライフィルムを貼付した状態を示し、
（ｃ）はメッキレジスト層を形成した状態を示す。

【図１３】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を
示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解メッキ層を形
成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状態を示
す。

【符号の説明】

１ プリント配線板 ３，４ 配線層 １１ 被積層基板 １３，１４ 樹脂絶縁層 １３Ａ，１４Ａ （樹脂絶縁層の）表面 １７，１８ 無電解Ｃｕメッキ層 １７Ａ，１８Ａ （無電解Ｃｕメッキ層の）表面 ２３，２４ メッキレジスト層 ２７，２８ 電解Ｃｕメッキ層 Ｘ 導体間隙

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ
   （μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプ
   リント配線板の製造方法であって、 表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ
   間１０点平均粗さＲ₃₀（μｍ）が、１５≦Ｘ≦２５の範
   囲で、 式 Ｒ₃₀≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ） を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成
   工程と、 上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト
   層を形成するレジスト層形成工程と、 上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層
   上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト
   層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッ
   チングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備
   えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
2. 【請求項２】樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ
   （μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプ
   リント配線板の製造方法であって、 表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ
   間１０点平均粗さＲ₃₀（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範
   囲で、 式 Ｒ₃₀≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ） を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成
   工程と、 上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト
   層を形成するレジスト層形成工程と、 上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層
   上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト
   層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッ
   チングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備
   えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
3. 【請求項３】樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ
   （μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプ
   リント配線板の製造方法であって、 表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ
   間１０点平均粗さＲ₃₀（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範
   囲で、 式 Ｒ₃₀≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ） を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成
   工程と、 上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト
   層を形成するレジスト層形成工程と、 上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層
   上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト
   層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッ
   チングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備
   えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。