JPH05183259A - 高密度プリント配線板の製造方法 - Google Patents
高密度プリント配線板の製造方法Info
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- JPH05183259A JPH05183259A JP36014591A JP36014591A JPH05183259A JP H05183259 A JPH05183259 A JP H05183259A JP 36014591 A JP36014591 A JP 36014591A JP 36014591 A JP36014591 A JP 36014591A JP H05183259 A JPH05183259 A JP H05183259A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 メッキ落ち，メッキ拡がり，ソルダーレジス
トのアンダーカットを生ずることがなく，高密度で信頼
性に優れた，高密度プリント配線板の製造方法を提供す
ること。 【構成】 絶縁基板９上に形成されためっきレジスト１
に対して化学メッキを施すことにより高密度でファイン
なプリント配線板を製造する方法であって，導体回路パ
ターン２のパターン間に導体回路パターン２の高さをほ
ぼ同一面となす。その後，化学メッキを施すべき導体回
路パターン２以外の部分をソルダーレジスト３により被
覆し，Ｎｉメッキ膜２２，Ａｕメッキ膜２３等の化学メ
ッキを施す。
トのアンダーカットを生ずることがなく，高密度で信頼
性に優れた，高密度プリント配線板の製造方法を提供す
ること。 【構成】 絶縁基板９上に形成されためっきレジスト１
に対して化学メッキを施すことにより高密度でファイン
なプリント配線板を製造する方法であって，導体回路パ
ターン２のパターン間に導体回路パターン２の高さをほ
ぼ同一面となす。その後，化学メッキを施すべき導体回
路パターン２以外の部分をソルダーレジスト３により被
覆し，Ｎｉメッキ膜２２，Ａｕメッキ膜２３等の化学メ
ッキを施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，高密度でファインな導
体回路パターンを有する，高密度プリント配線板の製造
方法に関する。
体回路パターンを有する，高密度プリント配線板の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年，電子機器の小型化に伴い，これを実
装するためのプリント配線板に対しても，ファインで高
密度化への要求が強くなっている。従来，上記プリント
配線板は，特に産業用のものに対しては高い信頼性が要
求されることから，主としてサブトラクティブ法により
製造されている。これは，導体回路パターンが絶縁基板
に対して密着強度が高いことによる。上記サブトラクテ
ィブ法は，図７〜図１１に示すごとく，銅箔９１を有す
る銅張り積層板９を出発材料として，導体回路パターン
として不必要な銅箔９１を部分的にエッチングにより溶
解除去する方法である。
装するためのプリント配線板に対しても，ファインで高
密度化への要求が強くなっている。従来，上記プリント
配線板は，特に産業用のものに対しては高い信頼性が要
求されることから，主としてサブトラクティブ法により
製造されている。これは，導体回路パターンが絶縁基板
に対して密着強度が高いことによる。上記サブトラクテ
ィブ法は，図７〜図１１に示すごとく，銅箔９１を有す
る銅張り積層板９を出発材料として，導体回路パターン
として不必要な銅箔９１を部分的にエッチングにより溶
解除去する方法である。
【０００３】即ち，図７に示すごとく，まず上記銅張り
積層板９に，スルーホール形成用，位置合せ用などの穴
９０を多数，所定の個所に明ける。次に，図８に示すご
とく，エッチングレジスト９２を，銅張り積層板９にお
ける，導体回路パターンを形成する部分以外の表面に被
覆する。次いで，図９に示すごとく，塩化銅溶液を用い
た無電解メッキによりＣｕメッキ膜９３を形成し，導体
回路パターン９００のベースを形成する。
積層板９に，スルーホール形成用，位置合せ用などの穴
９０を多数，所定の個所に明ける。次に，図８に示すご
とく，エッチングレジスト９２を，銅張り積層板９にお
ける，導体回路パターンを形成する部分以外の表面に被
覆する。次いで，図９に示すごとく，塩化銅溶液を用い
た無電解メッキによりＣｕメッキ膜９３を形成し，導体
回路パターン９００のベースを形成する。
【０００４】以上のごとく，上記サブトラクティブ法
は，図７〜図９に示す工程により導体回路パターン９０
０を形成する方法である。その後，図１０に示すごと
く，上記Ｃｕメッキ膜９３の表面において，化学メッキ
を施さない部分には，写真現像型のソルダーレジスト９
４を被覆する。そして，図１１に示すごとく，上記Ｃｕ
メッキ膜９３の表面に，化学メッキによりＮｉメッキ膜
９５を施す。また，該Ｎｉメッキ膜９５の表面には，化
学置換法及び化学還元法により，Ａｕメッキ膜９６を施
す。
は，図７〜図９に示す工程により導体回路パターン９０
０を形成する方法である。その後，図１０に示すごと
く，上記Ｃｕメッキ膜９３の表面において，化学メッキ
を施さない部分には，写真現像型のソルダーレジスト９
４を被覆する。そして，図１１に示すごとく，上記Ｃｕ
メッキ膜９３の表面に，化学メッキによりＮｉメッキ膜
９５を施す。また，該Ｎｉメッキ膜９５の表面には，化
学置換法及び化学還元法により，Ａｕメッキ膜９６を施
す。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来技術
には，次の問題点がある。即ち，上記Ｃｕメッキ膜９
３，Ｎｉメッキ膜９５，Ａｕメッキ膜９６により形成さ
れた導体回路パターン９００は，その線間距離が１００
μｍ以下の高密度でファインな場合においては，図１２
に示すごとく，メッキ落ち９７を生ずる。
には，次の問題点がある。即ち，上記Ｃｕメッキ膜９
３，Ｎｉメッキ膜９５，Ａｕメッキ膜９６により形成さ
れた導体回路パターン９００は，その線間距離が１００
μｍ以下の高密度でファインな場合においては，図１２
に示すごとく，メッキ落ち９７を生ずる。
【０００６】また，図１３に示すごとく，メッキ拡がり
９８と称する，隣接するパターン相互間のショート部分
を生ずる。上記メッキ落ち部分９７及びメッキ拡がり９
８は，いずれも線間距離が１００μｍ以下と極めて小さ
いピッチであるために，メッキ液が線間において流れに
くくなるために生ずる現象と考えられる。一方，上記サ
ブトラクティブ法においては，上記ソルダーレジスト９
４が，導体回路パターン９００の上の部分である上方部
分９４０において，その厚みが薄くなり易い。
９８と称する，隣接するパターン相互間のショート部分
を生ずる。上記メッキ落ち部分９７及びメッキ拡がり９
８は，いずれも線間距離が１００μｍ以下と極めて小さ
いピッチであるために，メッキ液が線間において流れに
くくなるために生ずる現象と考えられる。一方，上記サ
ブトラクティブ法においては，上記ソルダーレジスト９
４が，導体回路パターン９００の上の部分である上方部
分９４０において，その厚みが薄くなり易い。
【０００７】ところが，ソルダーレジスト９４を硬化す
るための現像処理は，一般に該ソルダーレジスト９４の
厚みが大きい部分９４１，即ち導体回路パターン以外の
上方部分に合わせて行われる。そのため，上記導体回路
パターン９００上の上方部分９４０においては，現像が
過剰となり，ソルダーレジスト９４が硬化し過ぎる場合
を生ずる。その結果，図１４に示すごとく，ソルダーレ
ジスト９４の境界端部において，下方が欠損したアンダ
ーカット９９を生じ易い。
るための現像処理は，一般に該ソルダーレジスト９４の
厚みが大きい部分９４１，即ち導体回路パターン以外の
上方部分に合わせて行われる。そのため，上記導体回路
パターン９００上の上方部分９４０においては，現像が
過剰となり，ソルダーレジスト９４が硬化し過ぎる場合
を生ずる。その結果，図１４に示すごとく，ソルダーレ
ジスト９４の境界端部において，下方が欠損したアンダ
ーカット９９を生じ易い。
【０００８】また，上記Ｎｉメッキ膜９５及びＡｕメッ
キ膜９６を施す際の液温が８０℃〜９０℃と比較的高温
の厳しい条件下では，上記ソルダーレジスト９４のアン
ダーカット９９にメッキ液が浸み込むことがある。その
結果，ソルダーレジスト９４が楔を打ち込まれたよう
に，順次剥離していく場合がある。本発明は，かかる従
来の問題点に鑑みてなされたもので，メッキ落ち，メッ
キ拡がり，アンダーカットを生ずることがなく，高密度
で信頼性に優れた，高密度プリント配線板の製造方法を
提供しようとするものである。
キ膜９６を施す際の液温が８０℃〜９０℃と比較的高温
の厳しい条件下では，上記ソルダーレジスト９４のアン
ダーカット９９にメッキ液が浸み込むことがある。その
結果，ソルダーレジスト９４が楔を打ち込まれたよう
に，順次剥離していく場合がある。本発明は，かかる従
来の問題点に鑑みてなされたもので，メッキ落ち，メッ
キ拡がり，アンダーカットを生ずることがなく，高密度
で信頼性に優れた，高密度プリント配線板の製造方法を
提供しようとするものである。
【０００９】
【課題の解決手段】本発明は，絶縁基板に形成された導
体回路パターンに対して，該導体回路パターンの表面に
化学メッキを施すに際して，上記導体回路パターンの表
面を覆うようにめっきレジストを被覆し，その後化学メ
ッキを施すべき導体回路パターンの付近のめっきレジス
トを除去して導体回路パターンを露出させ，かつ露出部
分における導体回路パターンとめっきレジストの高さを
ほぼ同一面となし，その後化学メッキを施すことを特徴
とする高密度プリント配線板の製造方法にある。
体回路パターンに対して，該導体回路パターンの表面に
化学メッキを施すに際して，上記導体回路パターンの表
面を覆うようにめっきレジストを被覆し，その後化学メ
ッキを施すべき導体回路パターンの付近のめっきレジス
トを除去して導体回路パターンを露出させ，かつ露出部
分における導体回路パターンとめっきレジストの高さを
ほぼ同一面となし，その後化学メッキを施すことを特徴
とする高密度プリント配線板の製造方法にある。
【００１０】本発明において最も注目すべきことは，上
記導体回路パターンの表面をめっきレジストにより被覆
し，その後化学メッキを施すべき部分のめっきレジスト
を除去して導体回路パターンを露出させ，該導体回路パ
ターンとめっきレジストの高さをほぼ同一面とし，その
後化学メッキを施すことにある。上記めっきレジストと
しては，例えばドライフィルムを用いる。また，該めっ
きレジストを除去する方法としては，例えばサンドペー
パーを用いる研磨加工法がある。
記導体回路パターンの表面をめっきレジストにより被覆
し，その後化学メッキを施すべき部分のめっきレジスト
を除去して導体回路パターンを露出させ，該導体回路パ
ターンとめっきレジストの高さをほぼ同一面とし，その
後化学メッキを施すことにある。上記めっきレジストと
しては，例えばドライフィルムを用いる。また，該めっ
きレジストを除去する方法としては，例えばサンドペー
パーを用いる研磨加工法がある。
【００１１】上記導体回路パターンは，例えば化学メッ
キによるＣｕメッキ膜，半田剥離法による半田を用いた
パターンメッキ膜により形成する。また，上記絶縁基板
としては，例えばガラス繊維により強化したガラスエポ
キシ基板，銅箔積層基板を用いる。また，上記導体回路
パターン形成のために，化学メッキによるＣｕメッキ膜
を，ガラスエポキシ基板の表面に形成するに当たって
は，例えばアディティブ法を用いる。このアディティブ
法は，例えばガラスエポキシ基板等の絶縁基板の表面
に，耐熱性及び電気絶縁性に優れたエポキシ樹脂接着剤
を塗布することにより行う。その後，アンカーを形成す
るために，上記エポキシ樹脂接着剤の粗化を行う。そし
て，粗化後は，触媒をその表面に付与する。その後，上
記のごとく，めっきレジストを上記のごとく施し，導体
回路パターンの上面に，Ｃｕメッキ膜，Ｎｉメッキ膜，
Ａｕメッキ膜などの化学メッキを形成する。
キによるＣｕメッキ膜，半田剥離法による半田を用いた
パターンメッキ膜により形成する。また，上記絶縁基板
としては，例えばガラス繊維により強化したガラスエポ
キシ基板，銅箔積層基板を用いる。また，上記導体回路
パターン形成のために，化学メッキによるＣｕメッキ膜
を，ガラスエポキシ基板の表面に形成するに当たって
は，例えばアディティブ法を用いる。このアディティブ
法は，例えばガラスエポキシ基板等の絶縁基板の表面
に，耐熱性及び電気絶縁性に優れたエポキシ樹脂接着剤
を塗布することにより行う。その後，アンカーを形成す
るために，上記エポキシ樹脂接着剤の粗化を行う。そし
て，粗化後は，触媒をその表面に付与する。その後，上
記のごとく，めっきレジストを上記のごとく施し，導体
回路パターンの上面に，Ｃｕメッキ膜，Ｎｉメッキ膜，
Ａｕメッキ膜などの化学メッキを形成する。
【００１２】
【作用及び効果】本発明においては，隣接する導体回路
パターン間には，導体回路パターンと高さがほぼ同一面
のめっきレジストが被覆してある（図３参照）。そのた
め，導体回路上に化学メッキを施した際に，隣接する導
体回路パターン間に，メッキ落ち，メッキ拡がりを生ず
ることがなく，またアンダーカットを生ずることがない
（図６参照）。上記メッキ落ち及びメッキ拡がりを生じ
ない理由は，導体回路パターンの間に，該導体回路パタ
ーンとほぼ同一面までめっきレジストが形成してあるた
め，化学メッキが横方向に拡がらないからである。
パターン間には，導体回路パターンと高さがほぼ同一面
のめっきレジストが被覆してある（図３参照）。そのた
め，導体回路上に化学メッキを施した際に，隣接する導
体回路パターン間に，メッキ落ち，メッキ拡がりを生ず
ることがなく，またアンダーカットを生ずることがない
（図６参照）。上記メッキ落ち及びメッキ拡がりを生じ
ない理由は，導体回路パターンの間に，該導体回路パタ
ーンとほぼ同一面までめっきレジストが形成してあるた
め，化学メッキが横方向に拡がらないからである。
【００１３】また，アンダーカットを生じない理由は，
導体回路パターン間にこれと同一面上までめっきレジス
トが形成してあるため，化学メッキを施さない部分に被
覆するソルダーレジストの厚みを均一にすることができ
ることによる（図４，５参照）。また，これらにより，
高密度で信頼性に優れた導体回路パターンを形成するこ
とができる。以上のごとく，本発明によれば，メッキ落
ち，メッキ拡がり，アンダーカットを生ずることがな
く，高密度で信頼性に優れた，高密度プリント配線板の
製造方法を提供することができる。
導体回路パターン間にこれと同一面上までめっきレジス
トが形成してあるため，化学メッキを施さない部分に被
覆するソルダーレジストの厚みを均一にすることができ
ることによる（図４，５参照）。また，これらにより，
高密度で信頼性に優れた導体回路パターンを形成するこ
とができる。以上のごとく，本発明によれば，メッキ落
ち，メッキ拡がり，アンダーカットを生ずることがな
く，高密度で信頼性に優れた，高密度プリント配線板の
製造方法を提供することができる。
【００１４】
【実施例】本発明の実施例にかかる高密度プリント配線
板の製造方法につき，図１〜図６を用いて説明する。本
例は，まず図１に示すごとく，絶縁基板９に形成された
導体回路パターン２に対して，該導体回路パターン２の
表面に化学メッキを施すことにより，高密度でファイン
な，プリント配線板を製造するものである。まず，その
概要を説明すれば，図２に示すごとく，絶縁基板９上
に，めっきレジスト１を被覆する。これに，Ｃｕメッキ
膜２１を形成して，図４に示すごとく，導体回路パター
ン２とめっきレジスト１の高さをほぼ同一面となすプリ
ント配線板を従来と同様アディティブ法で作成する。
板の製造方法につき，図１〜図６を用いて説明する。本
例は，まず図１に示すごとく，絶縁基板９に形成された
導体回路パターン２に対して，該導体回路パターン２の
表面に化学メッキを施すことにより，高密度でファイン
な，プリント配線板を製造するものである。まず，その
概要を説明すれば，図２に示すごとく，絶縁基板９上
に，めっきレジスト１を被覆する。これに，Ｃｕメッキ
膜２１を形成して，図４に示すごとく，導体回路パター
ン２とめっきレジスト１の高さをほぼ同一面となすプリ
ント配線板を従来と同様アディティブ法で作成する。
【００１５】そして，図４，図５に示すごとく，化学メ
ッキを施すべき導体回路パターン２以外の部分をソルダ
ーレジスト３により被覆し，その後Ｎｉメッキ膜２２，
Ａｕメッキ膜２３の化学メッキを施す。このようにし
て，上記図１に示した高密度プリント配線板を得る。こ
こで，まず注目すべきことは，導体回路パターン２の線
間距離は，約５０〜６０μｍで，高密度でファインなこ
とである。
ッキを施すべき導体回路パターン２以外の部分をソルダ
ーレジスト３により被覆し，その後Ｎｉメッキ膜２２，
Ａｕメッキ膜２３の化学メッキを施す。このようにし
て，上記図１に示した高密度プリント配線板を得る。こ
こで，まず注目すべきことは，導体回路パターン２の線
間距離は，約５０〜６０μｍで，高密度でファインなこ
とである。
【００１６】上記導体回路パターン２は，図１に示すご
とく化学メッキにより形成した，Ｃｕメッキ膜２１と，
Ｎｉメッキ膜２２と，Ａｕメッキ膜２３とよりなる。上
記Ｃｕメッキ膜２１は，膜厚みが約３０μｍである。ま
た，上記Ｎｉメッキ膜２２は，膜厚みが約５μｍであ
る。また，上記Ａｕメッキ膜２３は，膜厚みが約０．５
μｍである。
とく化学メッキにより形成した，Ｃｕメッキ膜２１と，
Ｎｉメッキ膜２２と，Ａｕメッキ膜２３とよりなる。上
記Ｃｕメッキ膜２１は，膜厚みが約３０μｍである。ま
た，上記Ｎｉメッキ膜２２は，膜厚みが約５μｍであ
る。また，上記Ａｕメッキ膜２３は，膜厚みが約０．５
μｍである。
【００１７】次に，上記高密度プリント配線板の製造方
法につき，図１〜図６を用いて具体的に説明する。先
ず，絶縁基板９上に，図２に示すごとく，アディティブ
法により，上記Ｃｕメッキ膜２１を形成する。即ち，上
記アディティブ法は，銅箔を表面に有しない，ガラスエ
ポキシ基板からなる絶縁基板９を用いる。そして，上記
絶縁基板９の表面には，先ず耐熱性及び電気絶縁性に優
れたエポキシ樹脂接着剤（図示略）を塗布する。そし
て，これを加熱し，硬化させる。
法につき，図１〜図６を用いて具体的に説明する。先
ず，絶縁基板９上に，図２に示すごとく，アディティブ
法により，上記Ｃｕメッキ膜２１を形成する。即ち，上
記アディティブ法は，銅箔を表面に有しない，ガラスエ
ポキシ基板からなる絶縁基板９を用いる。そして，上記
絶縁基板９の表面には，先ず耐熱性及び電気絶縁性に優
れたエポキシ樹脂接着剤（図示略）を塗布する。そし
て，これを加熱し，硬化させる。
【００１８】次に，上記エポキシ樹脂接着剤をアンカー
形成のために粗化する。次いで，粗化した該エポキシ樹
脂接着剤の表面に，塩酸系パラジウム溶液を用いて活性
化処理（図示略）を行う。その後，図２に示すごとく，
絶縁基板９上に，化学メッキにより導体回路パターン２
の基礎となる上記Ｃｕメッキ膜２１を形成する。次に，
上記Ｃｕメッキ膜２１を含めて回路パターン２の表面を
覆うように，めっきレジスト１を被覆する。
形成のために粗化する。次いで，粗化した該エポキシ樹
脂接着剤の表面に，塩酸系パラジウム溶液を用いて活性
化処理（図示略）を行う。その後，図２に示すごとく，
絶縁基板９上に，化学メッキにより導体回路パターン２
の基礎となる上記Ｃｕメッキ膜２１を形成する。次に，
上記Ｃｕメッキ膜２１を含めて回路パターン２の表面を
覆うように，めっきレジスト１を被覆する。
【００１９】上記めっきレジスト１は，永久レジスト型
のドライフィルムを用いる。該めっきレジスト１は，厚
みが約４０μｍで，柔軟性を有する。次いで，図４に示
すごとく，化学メッキを施すべき導体回路パターン２の
付近のめっきレジスト１を除去して導体回路パターン２
の表面を露出させる。そして，該露出部分における該導
体回路パターン２とめっきレジスト１の高さを，ほぼ同
一面となす。
のドライフィルムを用いる。該めっきレジスト１は，厚
みが約４０μｍで，柔軟性を有する。次いで，図４に示
すごとく，化学メッキを施すべき導体回路パターン２の
付近のめっきレジスト１を除去して導体回路パターン２
の表面を露出させる。そして，該露出部分における該導
体回路パターン２とめっきレジスト１の高さを，ほぼ同
一面となす。
【００２０】上記導体回路パターン１を露出させる手段
としては，まずサンドペーパーを用いた研磨加工を用い
る。次いで，導体回路パターン２とめっきレジスト１と
の高さを，ほぼ同一面となす手段としては，ポリッシャ
加工を用いる。次に，図４に示すごとく，化学メッキを
施すべき導体回路パターン２以外の部分を，ソルダーレ
ジスト３により被覆する。該ソルダーレジスト３は，写
真現像型の光硬化性樹脂よりなる。そのため，該ソルダ
ーレジスト３は，露光現像して硬化させる。
としては，まずサンドペーパーを用いた研磨加工を用い
る。次いで，導体回路パターン２とめっきレジスト１と
の高さを，ほぼ同一面となす手段としては，ポリッシャ
加工を用いる。次に，図４に示すごとく，化学メッキを
施すべき導体回路パターン２以外の部分を，ソルダーレ
ジスト３により被覆する。該ソルダーレジスト３は，写
真現像型の光硬化性樹脂よりなる。そのため，該ソルダ
ーレジスト３は，露光現像して硬化させる。
【００２１】その後，図５に示すごとく，化学メッキを
施す部分の上記Ｃｕメッキ膜２１の表面に，まず化学メ
ッキによりＮｉメッキ膜２２を施す。Ｎｉメッキ膜２２
を施すに当たっては，メッキ液の液温を８０℃に調整
し，またｐＨを４に調整する。次いで，上記Ｎｉメッキ
膜２２上には，Ａｕメッキ膜２３を化学メッキにより施
す。該Ａｕメッキ膜２３は，化学置換法及び化学還元法
により形成する。化学置換法は，メッキ液の液温を９０
℃に調整し，またｐＨを４に調整して行う。また，化学
還元法は，液温を７５℃に調整し，またｐＨを１３に調
整して行う。
施す部分の上記Ｃｕメッキ膜２１の表面に，まず化学メ
ッキによりＮｉメッキ膜２２を施す。Ｎｉメッキ膜２２
を施すに当たっては，メッキ液の液温を８０℃に調整
し，またｐＨを４に調整する。次いで，上記Ｎｉメッキ
膜２２上には，Ａｕメッキ膜２３を化学メッキにより施
す。該Ａｕメッキ膜２３は，化学置換法及び化学還元法
により形成する。化学置換法は，メッキ液の液温を９０
℃に調整し，またｐＨを４に調整して行う。また，化学
還元法は，液温を７５℃に調整し，またｐＨを１３に調
整して行う。
【００２２】次に，作用効果につき説明する。本例にお
いては，隣接する導体回路パターン２の間には，図４に
示すごとく，導体回路パターン２と高さがほぼ同一面の
めっきレジスト１が被覆してある。そのため，従来のご
とく，隣接する導体回路パターン２間に，メッキ落ち，
メッキ拡がり，アンダーカット（図６）を生ずることが
ない。ここで，図６は，導体回路パターン２において，
化学メッキを施さない部分の表面に，ソルダーレジスト
３を被覆した状態を示すものであるが，従来のごとく，
ソルダーレジスト３にアンダーカットを生じていない。
上記メッキ落ち及びメッキ拡がりを生じない理由は，ア
ディティブ法により形成したＣｕメッキ膜２１からなる
導体回路パターン２間に，該導体回路パターン２とほぼ
同一面までめっきレジスト１が形成してある（図３）た
め，化学メッキを形成してもこれらが横方向に広がらな
いからである。
いては，隣接する導体回路パターン２の間には，図４に
示すごとく，導体回路パターン２と高さがほぼ同一面の
めっきレジスト１が被覆してある。そのため，従来のご
とく，隣接する導体回路パターン２間に，メッキ落ち，
メッキ拡がり，アンダーカット（図６）を生ずることが
ない。ここで，図６は，導体回路パターン２において，
化学メッキを施さない部分の表面に，ソルダーレジスト
３を被覆した状態を示すものであるが，従来のごとく，
ソルダーレジスト３にアンダーカットを生じていない。
上記メッキ落ち及びメッキ拡がりを生じない理由は，ア
ディティブ法により形成したＣｕメッキ膜２１からなる
導体回路パターン２間に，該導体回路パターン２とほぼ
同一面までめっきレジスト１が形成してある（図３）た
め，化学メッキを形成してもこれらが横方向に広がらな
いからである。
【００２３】また，上記アンダーカットを生じない理由
は，図４に示すごとく，導体回路パターン２間にこれと
同一面上までめっきレジスト１が形成してある。そのた
め，導体回路パターン２において化学メッキを施さない
部分に被覆するソルダーレジスト３の厚みを均一にする
ことができるからである。また，これらにより，高密度
で信頼性に優れた導体回路パターンを形成することがで
きる。また，上記Ｃｕメッキ膜２１を形成するに当た
り，耐熱性，電気絶縁性に優れたエポキシ樹脂接着剤を
用いている。そのため，導体回路パターン２間の電気絶
縁性に優れ，高い信頼性が得られる。また，Ｃｕメッキ
膜２１の密着強度が高温下でも安定し，耐熱性に優れ
る。
は，図４に示すごとく，導体回路パターン２間にこれと
同一面上までめっきレジスト１が形成してある。そのた
め，導体回路パターン２において化学メッキを施さない
部分に被覆するソルダーレジスト３の厚みを均一にする
ことができるからである。また，これらにより，高密度
で信頼性に優れた導体回路パターンを形成することがで
きる。また，上記Ｃｕメッキ膜２１を形成するに当た
り，耐熱性，電気絶縁性に優れたエポキシ樹脂接着剤を
用いている。そのため，導体回路パターン２間の電気絶
縁性に優れ，高い信頼性が得られる。また，Ｃｕメッキ
膜２１の密着強度が高温下でも安定し，耐熱性に優れ
る。
【００２４】また，図３に示すごとく，めっきレジスト
１と導体回路パターン２の高さをほぼ同一面にしてある
ため，該導体回路パターン２が平坦性に優れ，高密度表
面実装に最適である。以上のごとく，本例によれば，図
１に示すごとく，高密度でファインな信頼性に優れた，
高密度プリント配線板を得ることができる。なお，上記
アディティブ法により形成したＣｕメッキ膜２１に代え
て，半田剥離法による半田を用いたパターンメッキ膜と
することもできる。
１と導体回路パターン２の高さをほぼ同一面にしてある
ため，該導体回路パターン２が平坦性に優れ，高密度表
面実装に最適である。以上のごとく，本例によれば，図
１に示すごとく，高密度でファインな信頼性に優れた，
高密度プリント配線板を得ることができる。なお，上記
アディティブ法により形成したＣｕメッキ膜２１に代え
て，半田剥離法による半田を用いたパターンメッキ膜と
することもできる。
【図１】実施例にかかる高密度プリント配線板の断面を
示す，図５のＡ−Ａ線矢視断面図。
示す，図５のＡ−Ａ線矢視断面図。
【図２】実施例における，絶縁基板に形成した導体回路
パターンを示す斜視図。
パターンを示す斜視図。
【図３】実施例における，めっきレジストと導体回路パ
ターンの高さをほぼ同一面となした状態を示す斜視図。
ターンの高さをほぼ同一面となした状態を示す斜視図。
【図４】実施例における，化学メッキしない導体回路パ
ターンの表面にソルダーレジストを被覆した状態を示す
斜視図。
ターンの表面にソルダーレジストを被覆した状態を示す
斜視図。
【図５】実施例における，導体回路パターンの表面に化
学メッキ膜を施した状態を示す斜視図。
学メッキ膜を施した状態を示す斜視図。
【図６】実施例における，導体回路パターンの表面にソ
ルダーレジストを被覆した状態を示す斜視図。
ルダーレジストを被覆した状態を示す斜視図。
【図７】従来例における，絶縁基板に穴明けをした状態
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図８】従来例における，絶縁基板にエッチングレジス
トを被覆した状態を示す斜視図。
トを被覆した状態を示す斜視図。
【図９】従来例における，絶縁基板上に導体回路パター
ンを形成した状態を示す斜視図。
ンを形成した状態を示す斜視図。
【図１０】従来例における，導体回路パターン上にソル
ダーレジストを被覆した状態を示す斜視図。
ダーレジストを被覆した状態を示す斜視図。
【図１１】従来例における，導体回路パターンの表面に
化学メッキ膜を形成した状態を示す斜視図。
化学メッキ膜を形成した状態を示す斜視図。
【図１２】図１２のＢ−Ｂ線矢視断面図。
【図１３】図１２のＣ−Ｃ線矢視断面図。
【図１４】図１０のＤ−Ｄ線矢視断面図。
１．．．めっきレジスト， ２．．．導体回路パターン， ２０．．．露出部分， ２１．．．Ｃｕメッキ膜， ２２．．．Ｎｉメッキ膜， ２３．．．Ａｕメッキ膜， ３．．．ソルダーレジスト， ９．．．絶縁基板，
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板に形成された導体回路パターン
に対して，該導体回路パターンの表面に化学メッキを施
すに際して， 上記導体回路パターンの表面を覆うようにめっきレジス
トを被覆し，その後化学メッキを施すべき導体回路パタ
ーンの付近のめっきレジストを除去して導体回路パター
ンを露出させ，かつ露出部分における導体回路パターン
とめっきレジストの高さをほぼ同一面となし，その後化
学メッキを施すことを特徴とする高密度プリント配線板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36014591A JPH05183259A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 高密度プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36014591A JPH05183259A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 高密度プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183259A true JPH05183259A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18468101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36014591A Pending JPH05183259A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 高密度プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183259A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198630A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | 電子部品搭載基板 |
| JP2006344920A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-12-21 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線基板、半導体チップ搭載基板、半導体パッケージ、プリント配線基板の製造方法、及び半導体チップ搭載基板の製造方法 |
| JP2007096007A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Cmk Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
| WO2007040204A1 (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2007103648A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板、半導体チップ搭載基板、半導体パッケージ、プリント配線板の製造方法、及び半導体チップ搭載基板の製造方法 |
| US7257891B2 (en) | 2001-11-13 | 2007-08-21 | Lg Electronics Inc. | Method for forming bonding pads |
| WO2007119947A1 (en) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Kolon Industries, Inc | Method of manufacturing metal electrode |
| KR100987782B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2010-10-18 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 금속 전극의 제조방법 |
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| JPWO2014103541A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | 日本碍子株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
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| WO2021221025A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 富士フイルム株式会社 | 構造体の製造方法、及び、構造体 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP36014591A patent/JPH05183259A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2021221025A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 富士フイルム株式会社 | 構造体の製造方法、及び、構造体 |
| JPWO2021221025A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | ||
| CN115486211A (zh) * | 2020-04-30 | 2022-12-16 | 富士胶片株式会社 | 结构体的制造方法及结构体 |
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