JP2000323942A - 低雑音増幅器 - Google Patents
低雑音増幅器Info
- Publication number
- JP2000323942A JP2000323942A JP11131013A JP13101399A JP2000323942A JP 2000323942 A JP2000323942 A JP 2000323942A JP 11131013 A JP11131013 A JP 11131013A JP 13101399 A JP13101399 A JP 13101399A JP 2000323942 A JP2000323942 A JP 2000323942A
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- JP
- Japan
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- isolator
- waveguide
- fet
- center conductor
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- Pending
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 雑音温度特性の良好なマイクロ波帯低雑音増
幅器を提供する。 【解決手段】 導波管同軸変換部及びアイソレータ部の
中心導体５として、一体化した導体を採用することによ
り、通過損失を低減する。加えて、中心導体と初段ＦＥ
Ｔを直接接続し、マッチングを良好とすると共に、低雑
音増幅器の入力回路（導波管同軸変換部＋アイソレータ
部）の通過損失をも低減可能とする。
幅器を提供する。 【解決手段】 導波管同軸変換部及びアイソレータ部の
中心導体５として、一体化した導体を採用することによ
り、通過損失を低減する。加えて、中心導体と初段ＦＥ
Ｔを直接接続し、マッチングを良好とすると共に、低雑
音増幅器の入力回路（導波管同軸変換部＋アイソレータ
部）の通過損失をも低減可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低雑音増幅器に関
し、特にマイクロ波帯で使用するＦＥＴ低雑音増幅器に
関するものである。
し、特にマイクロ波帯で使用するＦＥＴ低雑音増幅器に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の低雑音増幅器の例として、実開平
５−１１５０６号公報に開示のものがあり、図４にその
断面構成を示している。図４において、導波管同軸変換
部１は導波管モードと同軸モードとの変換をなす部分で
あり、この導波管同軸変換部１のアンテナ部１１と、同
軸モード部のアイソレータ部３のトリプレートラインで
構成した中心導体１２とは、半田付け８Ｂで接続されて
いる。
５−１１５０６号公報に開示のものがあり、図４にその
断面構成を示している。図４において、導波管同軸変換
部１は導波管モードと同軸モードとの変換をなす部分で
あり、この導波管同軸変換部１のアンテナ部１１と、同
軸モード部のアイソレータ部３のトリプレートラインで
構成した中心導体１２とは、半田付け８Ｂで接続されて
いる。
【０００３】また、アイソレータ部３と出力コネクタ１
６との間には、ＦＥＴ増幅部４が設けられており、この
ＦＥＴ増幅部４の初段ＦＥＴ９はマイクロストリップ基
板１０上に実装され、アイソレータ部３のトリプレート
ライン中心導体１２とマイクロストリップ基板１０とは
半田付け８Ｃで接続されている。また、導波管同軸変換
部１、アイソレータ部３及びＦＥＴ増幅部４は別々のケ
ースに収められている。
６との間には、ＦＥＴ増幅部４が設けられており、この
ＦＥＴ増幅部４の初段ＦＥＴ９はマイクロストリップ基
板１０上に実装され、アイソレータ部３のトリプレート
ライン中心導体１２とマイクロストリップ基板１０とは
半田付け８Ｃで接続されている。また、導波管同軸変換
部１、アイソレータ部３及びＦＥＴ増幅部４は別々のケ
ースに収められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の低雑音
増幅器では、図４に示した様に、導波管同軸変換部１の
アンテナ部１１とアイソレータ部３の中心導体１２とを
半田付け８Ｂで接続する構造になっている。この場合、
半田付け８Ｂによる接続点でインピーダンスのミスマッ
チが発生し、入力信号の通過損失が増加する。
増幅器では、図４に示した様に、導波管同軸変換部１の
アンテナ部１１とアイソレータ部３の中心導体１２とを
半田付け８Ｂで接続する構造になっている。この場合、
半田付け８Ｂによる接続点でインピーダンスのミスマッ
チが発生し、入力信号の通過損失が増加する。
【０００５】また、ＦＥＴ増幅部４の初段ＦＥＴ９をマ
イクロストリップ基板１０に実装すると、初段ＦＥＴ９
のソースとグランド間に浮遊容量が発生する。同時に、
アイソレータ部３の中心導体１２から初段ＦＥＴ９まで
の距離が長くなり、通過損失を増加させる要因となる。
イクロストリップ基板１０に実装すると、初段ＦＥＴ９
のソースとグランド間に浮遊容量が発生する。同時に、
アイソレータ部３の中心導体１２から初段ＦＥＴ９まで
の距離が長くなり、通過損失を増加させる要因となる。
【０００６】一般的に低雑音増幅器の雑音温度Ｔe は、 導波管同軸変換部１とアイソレータ部３の通過損失＝Ｌ（ｄＢ） 導波管同軸変換部１とアイソレータ部３の周囲温度＝Ｔc （Ｋ） ＦＥＴ増幅部４の雑音温度＝Ｔa （Ｋ） とすると、 Ｔe ＝（１０L/10−１）・Ｔc ＋１０L/10・Ｔa となる。
【０００７】従って、導波管同軸変換部１とアイソレー
タ部３との通過損失が増加すると、低雑音増幅器の雑音
温度特性を悪化させることになる。また、導波管同軸変
換部１とアイソレータ部３、ＦＥＴ増幅部４が別々のケ
ースに収められているため、組立性が悪く大型化してし
まう欠点がある。
タ部３との通過損失が増加すると、低雑音増幅器の雑音
温度特性を悪化させることになる。また、導波管同軸変
換部１とアイソレータ部３、ＦＥＴ増幅部４が別々のケ
ースに収められているため、組立性が悪く大型化してし
まう欠点がある。
【０００８】本発明の目的は、通過損失の少ない導波管
同軸変換部とアイソレータ部とを入力回路に備えた、雑
音温度特性の良好な低雑音増幅器を提供することであ
る。
同軸変換部とアイソレータ部とを入力回路に備えた、雑
音温度特性の良好な低雑音増幅器を提供することであ
る。
【０００９】本発明の他の目的は、組立て性を良好とし
た低雑音増幅器を提供することである。
た低雑音増幅器を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導波管
モードから同軸モードに変換する導波管同軸変換部と、
この同軸モードの部分に設けられたアイソレータ部と、
このアイソレータ部とコネクタとの間に設けられたＦＥ
Ｔ増幅部とを含む低雑音増幅器であって、前記導波管同
軸変換部及びアイソレータ部の中心導体として、一体構
造の導体を使用したことを特徴とする低雑音増幅器が得
られる。
モードから同軸モードに変換する導波管同軸変換部と、
この同軸モードの部分に設けられたアイソレータ部と、
このアイソレータ部とコネクタとの間に設けられたＦＥ
Ｔ増幅部とを含む低雑音増幅器であって、前記導波管同
軸変換部及びアイソレータ部の中心導体として、一体構
造の導体を使用したことを特徴とする低雑音増幅器が得
られる。
【００１１】上記構成において、更に、前記中心導体と
前記ＦＥＴ増幅部の初段ＦＥＴとを直接接続したことを
特徴とする。また、前記導波管同軸変換部及びアイソレ
ータ部並びにＦＥＴ増幅部を、一体化したケースに収容
したことを特徴とし、更に前記導波管同軸変換部の導波
管部にリッジを設けたことを特徴とする。
前記ＦＥＴ増幅部の初段ＦＥＴとを直接接続したことを
特徴とする。また、前記導波管同軸変換部及びアイソレ
ータ部並びにＦＥＴ増幅部を、一体化したケースに収容
したことを特徴とし、更に前記導波管同軸変換部の導波
管部にリッジを設けたことを特徴とする。
【００１２】本発明の作用を述べる。導波管モード部と
同軸モード部との中心導体として、一体型の導体を使用
し、中心導体の通過損失を低減する。また、中心導体と
ＦＥＴ増幅部の初段ＦＥＴとの接続を直接接続構成とし
て、当該接続部のインピーダンスを小とすることによ
り、中心導体と初段ＦＥＴとのインピーダンスマッチン
グがとり易くなる。更に、導波管モード部及び同軸モー
ド部並びにＦＥＴ増幅部とを、一体化したケースに収容
する構成とすることにより、組立て性を良好とする。
同軸モード部との中心導体として、一体型の導体を使用
し、中心導体の通過損失を低減する。また、中心導体と
ＦＥＴ増幅部の初段ＦＥＴとの接続を直接接続構成とし
て、当該接続部のインピーダンスを小とすることによ
り、中心導体と初段ＦＥＴとのインピーダンスマッチン
グがとり易くなる。更に、導波管モード部及び同軸モー
ド部並びにＦＥＴ増幅部とを、一体化したケースに収容
する構成とすることにより、組立て性を良好とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面を
参照しつつ詳述する。図１は本発明の一実施例を示す構
成図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図
である。
参照しつつ詳述する。図１は本発明の一実施例を示す構
成図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図
である。
【００１４】次に、本発明の実施例について、構成と動
作を説明する。導波管同軸変換部１のフランジ２より入
力される入力信号は、導波管同軸変換部１により導波管
モードから同軸モードに変換される。導波管同軸変換部
１とアイソレータ部３との中心導体５は、そのインピー
ダンスを低くして通過損失を低減するために、全体が一
体化構成とされた導体を使用している。
作を説明する。導波管同軸変換部１のフランジ２より入
力される入力信号は、導波管同軸変換部１により導波管
モードから同軸モードに変換される。導波管同軸変換部
１とアイソレータ部３との中心導体５は、そのインピー
ダンスを低くして通過損失を低減するために、全体が一
体化構成とされた導体を使用している。
【００１５】同軸モードに変換された信号は、この一体
化された中心導体５及びアイソレータ部３を通って、Ｆ
ＥＴ増幅部４の初段ＦＥＴ９に入力される。尚、６はア
イソレータ用フェライトである。この時、一体化された
中心導体５と初段ＦＥＴ９とは、インピーダンスマッチ
ングをとったうえで、直接半田付け８Ａで接続される。
更に、初段ＦＥＴ９で低雑音増幅されてマイクロストリ
ップ基板１０の増幅回路へ入力される。また、初段ＦＥ
Ｔ９は、マイクロストリップ基板１０に実装した際に懸
念される浮遊容量の問題を考慮し、金属ブロックのベー
ス７に半田付けされているものとする。
化された中心導体５及びアイソレータ部３を通って、Ｆ
ＥＴ増幅部４の初段ＦＥＴ９に入力される。尚、６はア
イソレータ用フェライトである。この時、一体化された
中心導体５と初段ＦＥＴ９とは、インピーダンスマッチ
ングをとったうえで、直接半田付け８Ａで接続される。
更に、初段ＦＥＴ９で低雑音増幅されてマイクロストリ
ップ基板１０の増幅回路へ入力される。また、初段ＦＥ
Ｔ９は、マイクロストリップ基板１０に実装した際に懸
念される浮遊容量の問題を考慮し、金属ブロックのベー
ス７に半田付けされているものとする。
【００１６】図２は図１に示した一体型矩形状断面の中
心導体５の平面図である。矩形断面形状とすることによ
り、初段ＦＥＴ９と接続されるポート１７のインピーダ
ンスを低くしている。インピーダンスを低くしている理
由は、初段ＦＥＴ９とマッチングをとりやすくするため
である。尚、図２の１８で示した円形部分は他の部分よ
りも肉薄（図１（ｂ）参照）となっており、アイソレー
タ用フェライト６がこの肉薄部１８を挟持することで、
アイソレーション中心導体５とアイソレータ部３のケー
スとのアイソレーションを行っているのである。
心導体５の平面図である。矩形断面形状とすることによ
り、初段ＦＥＴ９と接続されるポート１７のインピーダ
ンスを低くしている。インピーダンスを低くしている理
由は、初段ＦＥＴ９とマッチングをとりやすくするため
である。尚、図２の１８で示した円形部分は他の部分よ
りも肉薄（図１（ｂ）参照）となっており、アイソレー
タ用フェライト６がこの肉薄部１８を挟持することで、
アイソレーション中心導体５とアイソレータ部３のケー
スとのアイソレーションを行っているのである。
【００１７】次に、本発明の他の実施例について図面を
参照して説明する。図３は本発明の他の実施例の構成を
示す断面図であり、図１と同等部分は同一符号により示
している。図３を参照すると、本実施例では、図１に示
された実施例に加えて、リッジ１３を用いた導波管同軸
変換部を採用することにより、入力のフランジ２から出
力コネクタ１６までを同一平面で構成でき、導波管同軸
変換部、アイソレータ部、ＦＥＴ増幅部を一体化したケ
ース１５に収めることができる。これにより、低雑音増
幅器の小型化及び組立て性の向上が図れる。ここで、１
４はテフロンサポートを示している。
参照して説明する。図３は本発明の他の実施例の構成を
示す断面図であり、図１と同等部分は同一符号により示
している。図３を参照すると、本実施例では、図１に示
された実施例に加えて、リッジ１３を用いた導波管同軸
変換部を採用することにより、入力のフランジ２から出
力コネクタ１６までを同一平面で構成でき、導波管同軸
変換部、アイソレータ部、ＦＥＴ増幅部を一体化したケ
ース１５に収めることができる。これにより、低雑音増
幅器の小型化及び組立て性の向上が図れる。ここで、１
４はテフロンサポートを示している。
【００１８】尚、図４のアンテナ部１１の断面形状は矩
形状であるので、本発明の各実施例における中心導体５
の断面形状も矩形状とするのが良いが、特にこれに限定
されるものではない。
形状であるので、本発明の各実施例における中心導体５
の断面形状も矩形状とするのが良いが、特にこれに限定
されるものではない。
【００１９】
【発明の効果】本発明による第１の効果は、雑音温度特
性の良好な低雑音増幅器を提供できることである。その
第１の理由は、導波管同軸変換部のアンテナ部とアイソ
レータの中心導体を一体で構成し、通過損失を低減した
ためである。その第２の理由は、ＦＥＴ増幅部の初段Ｆ
ＥＴとアイソレータ部の中心導体を直接半田接続し、通
過損失を低減したためである。
性の良好な低雑音増幅器を提供できることである。その
第１の理由は、導波管同軸変換部のアンテナ部とアイソ
レータの中心導体を一体で構成し、通過損失を低減した
ためである。その第２の理由は、ＦＥＴ増幅部の初段Ｆ
ＥＴとアイソレータ部の中心導体を直接半田接続し、通
過損失を低減したためである。
【００２０】本発明による第２の効果は、小型化した組
立性の良い低雑音増幅器を提供できることである。その
理由は、リッジを用いた導波管同軸変換部を採用するこ
とにより、導波管同軸変換部、アイソレータ部、ＦＥＴ
増幅部を一体化したケースに収めることができるためで
ある。
立性の良い低雑音増幅器を提供できることである。その
理由は、リッジを用いた導波管同軸変換部を採用するこ
とにより、導波管同軸変換部、アイソレータ部、ＦＥＴ
増幅部を一体化したケースに収めることができるためで
ある。
【００２１】本発明による第３の効果は、アイソレータ
部の初段ＦＥＴと接続されるポートのインピーダンスを
低く抑えられることである。その理由は、アイソレータ
部の中心導体と初段ＦＥＴとを直接接続する構成を採用
したためである。
部の初段ＦＥＴと接続されるポートのインピーダンスを
低く抑えられることである。その理由は、アイソレータ
部の中心導体と初段ＦＥＴとを直接接続する構成を採用
したためである。
【図１】本発明の一実施例の平面図（ａ）および断面図
（ｂ）である。
（ｂ）である。
【図２】本発明の一体型矩形中心導体の平面図である。
【図３】本発明の他の実施例の断面図である。
【図４】従来の低雑音増幅器の断面図である。
１ 導波管同軸変換部 ２ フランジ ３ アイソレータ部 ４ ＦＥＴ増幅部 ５ 一体型矩形状断面中心導体 ６ アイソレータ用フェライト ７ ベース ８Ａ、８Ｂ，８Ｃ 半田付け ９ 初段ＦＥＴ １０ マイクロストリップ基板 １３ リッジ １４ テフロンサポート １５ 一体化ケース １６ 出力コネクタ １７ 接続ポート
Claims (4)
- 【請求項１】 導波管モードから同軸モードに変換する
導波管同軸変換部と、この同軸モードの部分に設けられ
たアイソレータ部と、このアイソレータ部とコネクタと
の間に設けられたＦＥＴ増幅部とを含む低雑音増幅器で
あって、前記導波管同軸変換部及びアイソレータ部の中
心導体として、一体構造の導体を使用したことを特徴と
する低雑音増幅器。 - 【請求項２】 前記中心導体と前記ＦＥＴ増幅部の初段
ＦＥＴとを直接接続したことを特徴とする請求項１記載
の低雑音増幅器。 - 【請求項３】 前記導波管同軸変換部及びアイソレータ
部並びにＦＥＴ増幅部を、一体化したケースに収容した
ことを特徴とする請求項１または２記載の低雑音増幅
器。 - 【請求項４】 前記導波管同軸変換部の導波管部にリッ
ジを設けたことを特徴とする請求項３記載の低雑音増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131013A JP2000323942A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 低雑音増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131013A JP2000323942A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 低雑音増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323942A true JP2000323942A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15047955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11131013A Pending JP2000323942A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 低雑音増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323942A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010041730A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Tdk Corp | ホーンアンテナおよびその製造方法 |
| KR20220055435A (ko) * | 2020-10-26 | 2022-05-03 | 서강대학교산학협력단 | 금속선 모드 변환기 |
-
1999
- 1999-05-12 JP JP11131013A patent/JP2000323942A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010041730A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Tdk Corp | ホーンアンテナおよびその製造方法 |
| KR20220055435A (ko) * | 2020-10-26 | 2022-05-03 | 서강대학교산학협력단 | 금속선 모드 변환기 |
| KR102683851B1 (ko) | 2020-10-26 | 2024-07-11 | 서강대학교산학협력단 | 금속선 모드 변환기 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080610 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080804 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080902 |