JPS5847081B2 - 導波管形トランジスタ増幅器 - Google Patents
導波管形トランジスタ増幅器Info
- Publication number
- JPS5847081B2 JPS5847081B2 JP11567176A JP11567176A JPS5847081B2 JP S5847081 B2 JPS5847081 B2 JP S5847081B2 JP 11567176 A JP11567176 A JP 11567176A JP 11567176 A JP11567176 A JP 11567176A JP S5847081 B2 JPS5847081 B2 JP S5847081B2
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- Japan
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- waveguide
- transistor
- metal plate
- transistor amplifier
- amplifier
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- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/608—Reflection amplifiers, i.e. amplifiers using a one-port amplifying element and a multiport coupler
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は方形導波管を用いたトランジスタ増幅器に関
するものである。
するものである。
マイクロ波領賊で動作するトランジスタの進歩は著しく
、最近ではＸバンド以上で低雑音特性を有するものも実
現できるようになってきた。
、最近ではＸバンド以上で低雑音特性を有するものも実
現できるようになってきた。
すなわち、ＳｉバイポーラトランジスタではＣバンド程
度１での低雑音増幅が可能であるが、ＧａＡｓ電界効果
トランジスタではＸバンド以上での低雑音増幅が可能と
なってきた。
度１での低雑音増幅が可能であるが、ＧａＡｓ電界効果
トランジスタではＸバンド以上での低雑音増幅が可能と
なってきた。
マイクロ波受信機を構成する場合に受信機の雑音指数を
下げる目的で低雑音増幅器を受信ミキサの前段に設ける
ことが行われる。
下げる目的で低雑音増幅器を受信ミキサの前段に設ける
ことが行われる。
従来、Ｘバンド以上で実現出来る低雑音増幅器としては
パラメトリック増幅器、トンネルダイオード増幅器など
があった。
パラメトリック増幅器、トンネルダイオード増幅器など
があった。
しかし、パラメトリック増幅器は信号周波数よりもかな
り高い励振源を必要とすること、反射漸増幅器であるた
めサーキュレータを必要とすること、利得の安定化のた
めの種々の対策が必要であることなどのため装置がかな
り大きく複雑となり、価格も高くなるという欠点があっ
た。
り高い励振源を必要とすること、反射漸増幅器であるた
めサーキュレータを必要とすること、利得の安定化のた
めの種々の対策が必要であることなどのため装置がかな
り大きく複雑となり、価格も高くなるという欠点があっ
た。
またトンネルダイオード増幅器は反射漸増幅器であるた
めサーキュレータを必要とすること、飽和出力が低いこ
となどの欠点があった。
めサーキュレータを必要とすること、飽和出力が低いこ
となどの欠点があった。
このような状況から簡潔な構成、安定、小形、低価格と
いった特徴を有する固体低雑音増幅器の出現が要求され
ていた。
いった特徴を有する固体低雑音増幅器の出現が要求され
ていた。
一方、ＧａＡｓを用いたショットキ、ミキサダイオード
の性能向上から、イメージ処理回路構成の受信ミキサで
極めて低雑音の中間周波増幅器を使用することによって
Ｘバンドで雑音指数４．５ｄＢ以下が実現できるように
なってきた。
の性能向上から、イメージ処理回路構成の受信ミキサで
極めて低雑音の中間周波増幅器を使用することによって
Ｘバンドで雑音指数４．５ｄＢ以下が実現できるように
なってきた。
しかし、簡潔な構成でミキサより低雑音な低雑音増幅器
が実現できればさらに受信機の性能向上が図れる。
が実現できればさらに受信機の性能向上が図れる。
上述の諸要求を満足する低雑音増幅器としてトランジス
タ増幅器が考えられ種々の試みがなされている。
タ増幅器が考えられ種々の試みがなされている。
一般にＸバンド以上に訃けるマイクロ波受信機の入力開
口は導波音で構成されることが多く、低雑音増幅器とし
ても入力開口は導波管であることが望資しい。
口は導波音で構成されることが多く、低雑音増幅器とし
ても入力開口は導波管であることが望資しい。
従来の導波管形トランジスタ増幅器の構成図を第１図に
示す。
示す。
第１図に釦いて１は信号入力開口、２は信号出力開口、
３は同軸コネクタ１．４は同軸コネクタ２．５は同軸導
波管変換器、６はＭＩＣ化トランジスタ増幅器である。
３は同軸コネクタ１．４は同軸コネクタ２．５は同軸導
波管変換器、６はＭＩＣ化トランジスタ増幅器である。
信号入力開口１より入った信号は同軸導波管変換器５に
よって導波管モードから同軸モードヘ一度変換された後
、ＭＩＣ化トランジスタ増幅器６に導かれ増幅されて信
号出力開口２から出る。
よって導波管モードから同軸モードヘ一度変換された後
、ＭＩＣ化トランジスタ増幅器６に導かれ増幅されて信
号出力開口２から出る。
このような構成のトランジスタ増幅器の雑音指数ＮＦ
ｓｙｓ は軸 一マイクロストリップ変換器の損失および初段トランジ
スタ入力端子１でのマイクロストリップ線路で構成され
た入力整合回路の損失 ＮＦ１（ｄＢ）：初段トランジスタ以降の雑音指数であ
る。
ｓｙｓ は軸 一マイクロストリップ変換器の損失および初段トランジ
スタ入力端子１でのマイクロストリップ線路で構成され
た入力整合回路の損失 ＮＦ１（ｄＢ）：初段トランジスタ以降の雑音指数であ
る。
Ｘバンド以上にむいてはＬｌ、Ｌ２の値は無視しうるよ
うな小さい値ではなく、第１図に示す構成の導波管形ト
ランジスタ増幅器では十分低雑音な増幅器を構成するこ
とは極めて困難であった。
うな小さい値ではなく、第１図に示す構成の導波管形ト
ランジスタ増幅器では十分低雑音な増幅器を構成するこ
とは極めて困難であった。
また、同軸導波管変換器５とＭＩＣ化トランジスタ増幅
器６との間に同軸コネクタが存在するため小形化の点で
問題であった。
器６との間に同軸コネクタが存在するため小形化の点で
問題であった。
この発明はこれらの欠点を除去するため、同軸導波管変
換器を特殊な構造にして同軸、同波管の変換部にトラン
ジスタをマウントしたもので、以下図面にて詳細に説明
する。
換器を特殊な構造にして同軸、同波管の変換部にトラン
ジスタをマウントしたもので、以下図面にて詳細に説明
する。
第２図はこの発明の一実施例。
第３図は第２図の断面図である。
第２図に釦いて７は金属板、８はバイアス端子、９は初
段トランジスタ、１０は初段トランジスタの入力端子、
１１は初段トランジスタの出力端子、１２は初段トラン
ジスタの接地端子である。
段トランジスタ、１０は初段トランジスタの入力端子、
１１は初段トランジスタの出力端子、１２は初段トラン
ジスタの接地端子である。
第３図の断面図に釦いて１３は誘電体薄板、１４はセラ
ミック基板である。
ミック基板である。
第２図に釦いて金属板７は方形導波管のＨ面中央にＥ面
に平行に設置され、その一端は第３図に示すように誘電
体薄板１３によって高周波バイパスコンデンサ形成して
いる。
に平行に設置され、その一端は第３図に示すように誘電
体薄板１３によって高周波バイパスコンデンサ形成して
いる。
金属板７の他の一端は初段トランジスタ９の入力端子１
０に接続されている。
０に接続されている。
金属板７の形状釦よび金属板７から方形導波管の短絡端
１での距離を選定することによって入力回路の整合をと
ることが出来る。
１での距離を選定することによって入力回路の整合をと
ることが出来る。
方形導波管のＨ面中央にＥ面に平行な金属板を挿入して
構成するマイクロ波回路は立体平面回路と呼ばれ最近フ
ィルタ、ミキサなどに実用化されつ＼ある。
構成するマイクロ波回路は立体平面回路と呼ばれ最近フ
ィルタ、ミキサなどに実用化されつ＼ある。
初段トランジスタの後段には通常のセラミック基板１４
で構成したＭＩＣ化トランジスタ増幅器６が接続される
。
で構成したＭＩＣ化トランジスタ増幅器６が接続される
。
以上に述べたようにこの発明によると立体平面回路構造
の入力導波管回路にトランジスタが直結されているから
、式（１）におけるＬｌ が大幅に低減される。
の入力導波管回路にトランジスタが直結されているから
、式（１）におけるＬｌ が大幅に低減される。
さらに初段トランジスタが入力導波管回路に直結されて
いることから志１）におけるＬ２は存在しない。
いることから志１）におけるＬ２は存在しない。
したがって初段トランジスタのもつ低雑音特性をそこな
うことなく簡潔な構成の導波管形低雑音トランジスタ増
幅器が構成できるという効果がある。
うことなく簡潔な構成の導波管形低雑音トランジスタ増
幅器が構成できるという効果がある。
な釦、以上は金属板７が方形状の場合について述べたが
、この発明はこれに限らず金属板がテーパ状のものであ
ってもよい。
、この発明はこれに限らず金属板がテーパ状のものであ
ってもよい。
また、広帯域化整合回路を付加した金属板であってもよ
い。
い。
さらに以上は導波管短絡端が金属板７と分離した構造の
ものについて説明したが、金属板７が短絡機構をもつも
のであってもよい。
ものについて説明したが、金属板７が短絡機構をもつも
のであってもよい。
以上のように、この発明に係る導波管形トランジスタ増
幅器では、立体平面回路構造の入力導波管回路に初段ト
ランジスタを直結しているので、初段トランジスタ１で
の入力回路の損失を低減でき、簡潔な構造で低雑音特性
をもつ導波管形トランジスタ増幅器を構成できる利点が
ある。
幅器では、立体平面回路構造の入力導波管回路に初段ト
ランジスタを直結しているので、初段トランジスタ１で
の入力回路の損失を低減でき、簡潔な構造で低雑音特性
をもつ導波管形トランジスタ増幅器を構成できる利点が
ある。
第１図は従来の導波管形トランジスタ増幅器の構成図、
第２図はこの発明の導波管形トランジスタ増幅器の一構
成図、第３図は第２図の断面図である。 図中、１は信号入力開口、２は信号出力開口、３．４は
同軸コネクタ、５は同軸導波管変換器、６はＭＩＣ化ト
ランジスタ増幅器、７は金属板、９は初段トランジスタ
、１３は誘電体薄板である。 なか、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。
第２図はこの発明の導波管形トランジスタ増幅器の一構
成図、第３図は第２図の断面図である。 図中、１は信号入力開口、２は信号出力開口、３．４は
同軸コネクタ、５は同軸導波管変換器、６はＭＩＣ化ト
ランジスタ増幅器、７は金属板、９は初段トランジスタ
、１３は誘電体薄板である。 なか、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。
Claims (1)
- １ 信号入力開口が方形導波管で構成される導波管形ト
ランジスタ増幅器において、Ｈ面中央のＥ面で方形導波
管を２分割できる構造とし、２分された上記導波管の間
にはＥ面に平行な金属板の一端を誘電体薄板を介して設
けるとともに上記金属板の他端には初段トランジスタの
入力端子を接続したことを特徴とする導波管トランジス
タ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11567176A JPS5847081B2 (ja) | 1976-09-27 | 1976-09-27 | 導波管形トランジスタ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11567176A JPS5847081B2 (ja) | 1976-09-27 | 1976-09-27 | 導波管形トランジスタ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5340258A JPS5340258A (en) | 1978-04-12 |
| JPS5847081B2 true JPS5847081B2 (ja) | 1983-10-20 |
Family
ID=14668400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11567176A Expired JPS5847081B2 (ja) | 1976-09-27 | 1976-09-27 | 導波管形トランジスタ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847081B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58120483U (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | シャープ株式会社 | 冷蔵庫 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5751364A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-26 | Yuuhei Minazu | Finishing of floor surface |
| FR2553241B1 (fr) * | 1983-10-06 | 1988-06-24 | Goloubkoff Michel | Amplificateur hyperfrequence a transistor |
| JPH0393908A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 合成樹脂製舗装の施工方法及び合成樹脂製舗装 |
| JP2544056B2 (ja) * | 1992-02-27 | 1996-10-16 | 日本フローロック株式会社 | 舗装面の施工方法 |
-
1976
- 1976-09-27 JP JP11567176A patent/JPS5847081B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58120483U (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | シャープ株式会社 | 冷蔵庫 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5340258A (en) | 1978-04-12 |
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