JP2000329802A - 広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ - Google Patents
広ダイナミック・レンジ・パワー・センサInfo
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- G01R15/08—Circuits for altering the measuring range
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
- G01R21/10—Arrangements for measuring electric power or power factor by using square-law characteristics of circuit elements, e.g. diodes, to measure power absorbed by loads of known impedance
- G01R21/12—Arrangements for measuring electric power or power factor by using square-law characteristics of circuit elements, e.g. diodes, to measure power absorbed by loads of known impedance in circuits having distributed constants
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- Power Engineering (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被測定信号のフォーマットに関係なく広ダイ
ナミック・レンジにわたって正確なパワー測定を行うこ
とのできるパワー・センサ。 【解決手段】本発明によるパワー・センサは、ローパワ
ーレンジ測定用のダイオードセンサを有する検出器４４
と、ハイパワーレンジ測定用のダイオードセンサを有す
る検出器４８とを備えており、各ダイオードセンサはそ
の二乗則領域内で動作する。入力信号のパワーが高くな
り、ローパワーレンジ側のダイオードセンサが二乗則領
域を超えると、ハイパワーレンジ側のダイオードセンサ
の二乗則領域で動作するように入力信号が分圧回路（Ｒ
1、Ｒ2）によって減衰されて、ハイパワーレンジ側で測
定される。この時、ローパワーレンジ側のダイオードセ
ンサがＤＣ経路４０に設けられたスイッチ５０によって
アイソレートされ、該経路に電流が流れず、そのハイイ
ンピーダンス状態が維持される。
ナミック・レンジにわたって正確なパワー測定を行うこ
とのできるパワー・センサ。 【解決手段】本発明によるパワー・センサは、ローパワ
ーレンジ測定用のダイオードセンサを有する検出器４４
と、ハイパワーレンジ測定用のダイオードセンサを有す
る検出器４８とを備えており、各ダイオードセンサはそ
の二乗則領域内で動作する。入力信号のパワーが高くな
り、ローパワーレンジ側のダイオードセンサが二乗則領
域を超えると、ハイパワーレンジ側のダイオードセンサ
の二乗則領域で動作するように入力信号が分圧回路（Ｒ
1、Ｒ2）によって減衰されて、ハイパワーレンジ側で測
定される。この時、ローパワーレンジ側のダイオードセ
ンサがＤＣ経路４０に設けられたスイッチ５０によって
アイソレートされ、該経路に電流が流れず、そのハイイ
ンピーダンス状態が維持される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、信号にどのような形式
の変調がかけられているかに関わらず、−７０ｄＢｍ乃
至＋２０ｄＢｍ或いはそれ以上の広ダイナミック・レン
ジにわたって正確な真の平均パワー測定を行うために利
用することが可能な、真平均広ダイナミック・レンジ
（ＴＡ−ＷＤＲ：True Average - Wide Dinamic Rang
e）パワー・センサに関するものである。
の変調がかけられているかに関わらず、−７０ｄＢｍ乃
至＋２０ｄＢｍ或いはそれ以上の広ダイナミック・レン
ジにわたって正確な真の平均パワー測定を行うために利
用することが可能な、真平均広ダイナミック・レンジ
（ＴＡ−ＷＤＲ：True Average - Wide Dinamic Rang
e）パワー・センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】真の平均パワー測定用センサは、何十年
間にもわたって、それぞれ、−７０ｄＢｍ〜−２０ｄＢ
ｍ（その「二乗則領域（square-law region）」で動作
するダイオードをベースにして）、及び、−３０ｄＢｍ
〜＋２０ｄＢｍ（熱電対、または、サーミスタ、また
は、その入力に減衰器を備えたダイオード・センサをベ
ースにして）のダイナミック・レンジで利用されてき
た。上述の全ダイナミック・レンジにわたってカバーす
る単一センサは存在しない。
間にもわたって、それぞれ、−７０ｄＢｍ〜−２０ｄＢ
ｍ（その「二乗則領域（square-law region）」で動作
するダイオードをベースにして）、及び、−３０ｄＢｍ
〜＋２０ｄＢｍ（熱電対、または、サーミスタ、また
は、その入力に減衰器を備えたダイオード・センサをベ
ースにして）のダイナミック・レンジで利用されてき
た。上述の全ダイナミック・レンジにわたってカバーす
る単一センサは存在しない。
【０００３】最近になって、そのパワー測定限界（−２
０ｄＢｍ）を超えてダイオード・センサ方式を押し進め
ることによって、−７０ｄＢｍ〜＋２０ｄＢｍの全ダイ
ナミック・レンジをカバーする、ダイオード・ベースの
ダイナミック・レンジの広いセンサが発表された。ダイ
オードが、その−２０ｄＢｍ〜＋２０ｄＢｍの真平均パ
ワー測定限界を超えるので、これらのセンサは、単一周
波数（連続波信号すなわちＣＷ（Continuous Wave）信
号）に関する正確なパワー測定にしか用いることができ
ない。大部分の用途では、多くの周波数成分を含む複合
信号の測定が必要とされる（こうしたセンサに対する膨
大な需要は、デジタル通信市場の急速な成長によるもの
である）。
０ｄＢｍ）を超えてダイオード・センサ方式を押し進め
ることによって、−７０ｄＢｍ〜＋２０ｄＢｍの全ダイ
ナミック・レンジをカバーする、ダイオード・ベースの
ダイナミック・レンジの広いセンサが発表された。ダイ
オードが、その−２０ｄＢｍ〜＋２０ｄＢｍの真平均パ
ワー測定限界を超えるので、これらのセンサは、単一周
波数（連続波信号すなわちＣＷ（Continuous Wave）信
号）に関する正確なパワー測定にしか用いることができ
ない。大部分の用途では、多くの周波数成分を含む複合
信号の測定が必要とされる（こうしたセンサに対する膨
大な需要は、デジタル通信市場の急速な成長によるもの
である）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、信号
にどのような形式の変調がかけられているかに関わら
ず、−７０ｄＢｍ乃至＋２０ｄＢｍ或いはそれ以上の広
ダイナミック・レンジにわたって正確な真の平均パワー
測定を行うために利用することが可能な、真平均広ダイ
ナミック・レンジ・パワー・センサ（ＴＡ−ＷＤＲ）を
提供することにある。
にどのような形式の変調がかけられているかに関わら
ず、−７０ｄＢｍ乃至＋２０ｄＢｍ或いはそれ以上の広
ダイナミック・レンジにわたって正確な真の平均パワー
測定を行うために利用することが可能な、真平均広ダイ
ナミック・レンジ・パワー・センサ（ＴＡ−ＷＤＲ）を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、望まし
い実施態様の場合、ダイナミック・パワー・レンジの広
いＲＦ信号を受信するための手段と、パワー・レンジの
低いＲＦ信号を測定するためのロー・パワー・ダイオー
ド・センサを含む第１のＲＦ経路と、パワー・レンジの
高いＲＦ信号を測定するためのハイ・パワー・センサを
含む第２のＲＦ経路と、ハイ・パワーＲＦ信号がダイオ
ード・センサの二乗則領域を超えたときに第１のＲＦ経
路をアイソレートするための手段が含まれている、真平
均広ダイナミック・レンジ・パワー・センサが得られ
る。
い実施態様の場合、ダイナミック・パワー・レンジの広
いＲＦ信号を受信するための手段と、パワー・レンジの
低いＲＦ信号を測定するためのロー・パワー・ダイオー
ド・センサを含む第１のＲＦ経路と、パワー・レンジの
高いＲＦ信号を測定するためのハイ・パワー・センサを
含む第２のＲＦ経路と、ハイ・パワーＲＦ信号がダイオ
ード・センサの二乗則領域を超えたときに第１のＲＦ経
路をアイソレートするための手段が含まれている、真平
均広ダイナミック・レンジ・パワー・センサが得られ
る。
【０００６】本発明の他の目的、特徴、及び、利点につ
いては、添付の図面に関連して行われる下記の詳細な説
明から明らかになるであろう。
いては、添付の図面に関連して行われる下記の詳細な説
明から明らかになるであろう。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、その例が添付の図面に示さ
れている、本発明の望ましい実施態様について詳細に言
及することにする。本発明の説明は、望ましい実施態様
に関連して行われるが、もちろん、本発明をそれらの実
施態様に限定することを意図したものではない。本発明
は、特許請求の範囲によって定義される本発明の精神及
び範囲内に含まれる可能性のある代替態様、修正態様、
及び、均等物を包含することを意図したものである。
れている、本発明の望ましい実施態様について詳細に言
及することにする。本発明の説明は、望ましい実施態様
に関連して行われるが、もちろん、本発明をそれらの実
施態様に限定することを意図したものではない。本発明
は、特許請求の範囲によって定義される本発明の精神及
び範囲内に含まれる可能性のある代替態様、修正態様、
及び、均等物を包含することを意図したものである。
【０００８】本発明によれば、真平均広ダイナミック・
レンジ・パワーを極めて正確に測定することが可能な、
真平均広ダイナミック・レンジ・パワー・センサが得ら
れる。
レンジ・パワーを極めて正確に測定することが可能な、
真平均広ダイナミック・レンジ・パワー・センサが得ら
れる。
【０００９】真平均広ダイナミック・レンジ・パワー・
センサの設計に関する技法がいくつか存在するが、これ
らの概念は全て、ロー・パワー信号（−７０ｄＢｍ〜−
２０ｄＢＭ）の測定にダイオードを利用するものであ
る。しかし、最も低いパワー信号の測定を行う能力が制
限要因になっていることを理解するのが重要である。と
いうのも、よりハイ・パワーの信号は、いつでも減衰さ
せて（既知の率で）、ロー・パワー・センサによる測定
が可能なレベルまで容易に低下させることができるため
である。しかし、−７０ｄＢｍ（それより低いと、ダイ
オードのノイズがあまりに多くなる）未満の信号を測定
する単純な技法はない。従って、可能な様々の真平均広
ダイナミック・レンジ・パワー・センサの実施態様にお
いて、ロー・パワー信号を測定するのにダイオード・セ
ンサが用いられる。よりハイ・パワーの信号を測定する
ためには、ロー・パワー・ダイオード・センサ１２に入
力されるＲＦ信号経路１０上のＲＦ信号を示している図
１に示すように、同じダイオード・センサのＲＦ信号経
路において減衰器が、スイッチによる切り換えで接続さ
れるようにすることができる。ダイオード・センサ１２
はロー・パワーＲＦ信号を受信し、スイッチによってＲ
Ｆ信号経路に接続された減衰器１４は、ハイ・パワーＲ
Ｆ信号を二乗則領域まで減衰させることによってこうし
た信号を有効に除去する。
センサの設計に関する技法がいくつか存在するが、これ
らの概念は全て、ロー・パワー信号（−７０ｄＢｍ〜−
２０ｄＢＭ）の測定にダイオードを利用するものであ
る。しかし、最も低いパワー信号の測定を行う能力が制
限要因になっていることを理解するのが重要である。と
いうのも、よりハイ・パワーの信号は、いつでも減衰さ
せて（既知の率で）、ロー・パワー・センサによる測定
が可能なレベルまで容易に低下させることができるため
である。しかし、−７０ｄＢｍ（それより低いと、ダイ
オードのノイズがあまりに多くなる）未満の信号を測定
する単純な技法はない。従って、可能な様々の真平均広
ダイナミック・レンジ・パワー・センサの実施態様にお
いて、ロー・パワー信号を測定するのにダイオード・セ
ンサが用いられる。よりハイ・パワーの信号を測定する
ためには、ロー・パワー・ダイオード・センサ１２に入
力されるＲＦ信号経路１０上のＲＦ信号を示している図
１に示すように、同じダイオード・センサのＲＦ信号経
路において減衰器が、スイッチによる切り換えで接続さ
れるようにすることができる。ダイオード・センサ１２
はロー・パワーＲＦ信号を受信し、スイッチによってＲ
Ｆ信号経路に接続された減衰器１４は、ハイ・パワーＲ
Ｆ信号を二乗則領域まで減衰させることによってこうし
た信号を有効に除去する。
【００１０】図２に示すもう１つの実施態様の場合、入
力信号は、２つの独立した経路２０、２２、すなわち、
ロー・パワー信号測定のためにＲＦ信号を受信するダイ
オード・センサ２４まで延びる一方のＲＦ経路２０と、
ハイ・パワー信号測定のためにＲＦ信号を受信する、サ
ーミスタ、熱電対、または、減衰器付ダイオード・セン
サ（一般に、「ハイ・パワー・センサ」と呼ばれる）と
することが可能なハイ・パワー・センサ２６まで延びる
もう一方のＲＦ経路２２に送り込まれる。
力信号は、２つの独立した経路２０、２２、すなわち、
ロー・パワー信号測定のためにＲＦ信号を受信するダイ
オード・センサ２４まで延びる一方のＲＦ経路２０と、
ハイ・パワー信号測定のためにＲＦ信号を受信する、サ
ーミスタ、熱電対、または、減衰器付ダイオード・セン
サ（一般に、「ハイ・パワー・センサ」と呼ばれる）と
することが可能なハイ・パワー・センサ２６まで延びる
もう一方のＲＦ経路２２に送り込まれる。
【００１１】真平均ダイナミック・レンジの広いセンサ
に関するこの第２の実施例では、この回路にハイ・パワ
ー信号が入力され、この回路のハイ・パワー側分岐が正
確な測定をしようとしても、ロー・パワー・ダイオード
・センサの存在によって、極めて有害な影響を受けるこ
とが判明した。
に関するこの第２の実施例では、この回路にハイ・パワ
ー信号が入力され、この回路のハイ・パワー側分岐が正
確な測定をしようとしても、ロー・パワー・ダイオード
・センサの存在によって、極めて有害な影響を受けるこ
とが判明した。
【００１２】従って、信号レベルがその二乗則領域を超
えると、ロー・パワー・ダイオードセンサを回路から電
気的にアイソレートしなければならない。これは、ＲＦ
信号経路におけるあるタイプ（電子、機械、マイクロメ
カニカル）のスイッチ３０を利用して、図３に示すよう
に、ロー・パワー・ダイオード・センサをアイソレート
することによって実施可能である。
えると、ロー・パワー・ダイオードセンサを回路から電
気的にアイソレートしなければならない。これは、ＲＦ
信号経路におけるあるタイプ（電子、機械、マイクロメ
カニカル）のスイッチ３０を利用して、図３に示すよう
に、ロー・パワー・ダイオード・センサをアイソレート
することによって実施可能である。
【００１３】これは、ハイ・パワー・センサとロー・パ
ワー・ダイオード・センサの間にしっかりとした分離を
施す、図４に示す受動回路３４を用いて（例えば、高い
アイソレーションを呈するスプリッタ回路、または、高
いアイソレーションを呈する方向性結合器等を用いて）
実施することも可能である。上述のスイッチ及び受動回
路は、ＲＦ信号経路内にあり、従って、最大の注意を払
って設計しなければならない。ほかならぬこれらの回路
の性質によって、周波数帯域幅に制限が導入されること
になる（少なくとも、この時点で利用可能なスイッチに
よって）。
ワー・ダイオード・センサの間にしっかりとした分離を
施す、図４に示す受動回路３４を用いて（例えば、高い
アイソレーションを呈するスプリッタ回路、または、高
いアイソレーションを呈する方向性結合器等を用いて）
実施することも可能である。上述のスイッチ及び受動回
路は、ＲＦ信号経路内にあり、従って、最大の注意を払
って設計しなければならない。ほかならぬこれらの回路
の性質によって、周波数帯域幅に制限が導入されること
になる（少なくとも、この時点で利用可能なスイッチに
よって）。
【００１４】ハイ・パワー・センサの適正な機能は、必
然的に、その入力端子がハイ・パワーＲＦ信号に遭遇す
ると、これは、正しくは、ハイ・パワー・センサによっ
て測定されることを意味するが、ロー・パワー経路ダイ
オードを通って流れる過剰ＤＣ電流による影響を受ける
可能性がある。ロー・パワー・ダイオード・センサをＲ
Ｆ信号経路から分離する利点の大部分は、ただ単にダイ
オードのＤＣ経路を切断し、それによって、ＤＣ電流が
ダイオードに流れないようにするだけで実現可能であ
る。この構成は図５に示されており、これには、ＤＣ経
路４０におけるスイッチ３８が示されている。
然的に、その入力端子がハイ・パワーＲＦ信号に遭遇す
ると、これは、正しくは、ハイ・パワー・センサによっ
て測定されることを意味するが、ロー・パワー経路ダイ
オードを通って流れる過剰ＤＣ電流による影響を受ける
可能性がある。ロー・パワー・ダイオード・センサをＲ
Ｆ信号経路から分離する利点の大部分は、ただ単にダイ
オードのＤＣ経路を切断し、それによって、ＤＣ電流が
ダイオードに流れないようにするだけで実現可能であ
る。この構成は図５に示されており、これには、ＤＣ経
路４０におけるスイッチ３８が示されている。
【００１５】ＲＦ経路の切断または分離とは異なり、容
易に入手可能なスイッチ（これは、実際に、ロー・パワ
ー測定の実施に利用した場合に、ダイオード・センサの
性能を劣化させない任意の都合のよいスイッチとするこ
とが可能である）を用いてＤＣ回路を切断するのは極め
て簡単なことである。
易に入手可能なスイッチ（これは、実際に、ロー・パワ
ー測定の実施に利用した場合に、ダイオード・センサの
性能を劣化させない任意の都合のよいスイッチとするこ
とが可能である）を用いてＤＣ回路を切断するのは極め
て簡単なことである。
【００１６】ダイオードは、あらゆる種類の電子回路に
広く用いられている。有用なタスクを実施するため、い
くつかの回路で、ダイオードの非線形の電流対電圧特性
（Ｉ−Ｖ特性）が活用されている。非線形Ｉ−Ｖ特性に
よって、ダイオードを通る電流の変動に応じて、ダイオ
ードのインピーダンスが変動することになる。マイクロ
波回路の場合、回路のインピーダンスと信号源インピー
ダンスの整合は、信号反射レベルの低い、効率のよい信
号転送を実現するのに最も重要である。多くの場合、ダ
イオードの変動インピーダンスは、設計において補償を
試みるべき不可避的な事実である。ダイオードが積極的
に用いられない他の用途の場合、ダイオード・インピー
ダンスの変動の有害な効果の大部分は、ただ単に、機械
式スイッチまたは電子スイッチを用いて、ダイオードの
ＤＣ経路を回路から切断するだけで、排除することが可
能である。この技法は、真平均広ダイナミック・レンジ
・パワー・センサにおいて立証され、この測定器の確度
及び性能が大幅に改善された。
広く用いられている。有用なタスクを実施するため、い
くつかの回路で、ダイオードの非線形の電流対電圧特性
（Ｉ−Ｖ特性）が活用されている。非線形Ｉ−Ｖ特性に
よって、ダイオードを通る電流の変動に応じて、ダイオ
ードのインピーダンスが変動することになる。マイクロ
波回路の場合、回路のインピーダンスと信号源インピー
ダンスの整合は、信号反射レベルの低い、効率のよい信
号転送を実現するのに最も重要である。多くの場合、ダ
イオードの変動インピーダンスは、設計において補償を
試みるべき不可避的な事実である。ダイオードが積極的
に用いられない他の用途の場合、ダイオード・インピー
ダンスの変動の有害な効果の大部分は、ただ単に、機械
式スイッチまたは電子スイッチを用いて、ダイオードの
ＤＣ経路を回路から切断するだけで、排除することが可
能である。この技法は、真平均広ダイナミック・レンジ
・パワー・センサにおいて立証され、この測定器の確度
及び性能が大幅に改善された。
【００１７】次に、ダイオード・インピーダンスに対す
るＤＣ電流の影響について述べることにする。ダイオー
ド・インピーダンスにおける電圧と電流の関係は次の通
りである。 Ｉ（Ｖ）＝ＩS（ｅα V−１） ここで、Ｉ（Ｖ）は、電圧Ｖがその両端に印加された場
合の、ダイオードを通る電流である。ＩSは、所与の温
度における定数である飽和電流である。一般に、ＶがＤ
Ｃ成分Ｖ0とＡＣ成分ｖから構成される場合、下記のよ
うになる。 Ｖ＝Ｖ0＋ｖ 一般にビデオ抵抗として知られるダイオード・インピー
ダンスＲvは、
るＤＣ電流の影響について述べることにする。ダイオー
ド・インピーダンスにおける電圧と電流の関係は次の通
りである。 Ｉ（Ｖ）＝ＩS（ｅα V−１） ここで、Ｉ（Ｖ）は、電圧Ｖがその両端に印加された場
合の、ダイオードを通る電流である。ＩSは、所与の温
度における定数である飽和電流である。一般に、ＶがＤ
Ｃ成分Ｖ0とＡＣ成分ｖから構成される場合、下記のよ
うになる。 Ｖ＝Ｖ0＋ｖ 一般にビデオ抵抗として知られるダイオード・インピー
ダンスＲvは、
【００１８】
【数１】
【００１９】ここで、Ｉ0はＤＣ電圧Ｖ0によるバイアス
電流である。従って、Ｒvは（Ｉ0＋ＩS）に反比例す
る。ゼロ・バイアス（Ｉ0＝０）において、Ｒvは
電流である。従って、Ｒvは（Ｉ0＋ＩS）に反比例す
る。ゼロ・バイアス（Ｉ0＝０）において、Ｒvは
【００２０】
【数２】
【００２１】ＲＦパワー検出及びパワー測定は、マイク
ロ波回路におけるダイオードの最も重要な用途の１つで
ある。図６には、検出回路の概要が示されている。この
回路の場合、ＲＦ電圧が、整合抵抗ＲmとダイオードＤ
の並列接続の両端に印加される。小さなＲＦ信号の場
合、ＲＦ電圧の二乗に比例した整流されたＤＣ電圧が出
力端子に生じる。これらの条件下において、ダイオード
は、その動作の二乗則領域内にあるといわれる。コンデ
ンサＣbによってダイオード出力におけるＲＦ信号が短
絡し、ＲＦ電圧の全てがダイオードＤの両端に確実に生
じることになる。さらに、ＤＣはカットされるので、検
出電圧Ｖdは出力端子から取り出すことが可能になる。
負荷抵抗器ＲLは、コンデンサの両端に生じる電圧の放
電経路として働く。所与のＶdの場合、負荷抵抗器によ
ってＤＣ電流はＶd／ＲLに等しくなるが、このＤＣ電流
はダイオードＤにも流れるはずである。
ロ波回路におけるダイオードの最も重要な用途の１つで
ある。図６には、検出回路の概要が示されている。この
回路の場合、ＲＦ電圧が、整合抵抗ＲmとダイオードＤ
の並列接続の両端に印加される。小さなＲＦ信号の場
合、ＲＦ電圧の二乗に比例した整流されたＤＣ電圧が出
力端子に生じる。これらの条件下において、ダイオード
は、その動作の二乗則領域内にあるといわれる。コンデ
ンサＣbによってダイオード出力におけるＲＦ信号が短
絡し、ＲＦ電圧の全てがダイオードＤの両端に確実に生
じることになる。さらに、ＤＣはカットされるので、検
出電圧Ｖdは出力端子から取り出すことが可能になる。
負荷抵抗器ＲLは、コンデンサの両端に生じる電圧の放
電経路として働く。所与のＶdの場合、負荷抵抗器によ
ってＤＣ電流はＶd／ＲLに等しくなるが、このＤＣ電流
はダイオードＤにも流れるはずである。
【００２２】回路図から明らかなように、検出器のＲＦ
整合インピーダンスは、Ｒv及びＲmの並列接続に等し
い。良好な整合を保つためには、ダイオード抵抗がＲm
に比べて高いままであることが必要とされる。しかし、
Ｒvは、ダイオードの感度を低下させるので、いくら高
くても高すぎることはない。ロー・パワーに対する良好
な感度と整合との間で妥協するには、Ｒvが１ｋΩ〜２
ｋΩの範囲内であることが要求される。この整合は、ダ
イオードＤがその二乗則領域内にある場合、すなわち、
検出電圧は低く、負荷抵抗器（一般に、１０ｋΩ）を通
るＤＣ電流が極めてわずかである場合、良好なままであ
る。
整合インピーダンスは、Ｒv及びＲmの並列接続に等し
い。良好な整合を保つためには、ダイオード抵抗がＲm
に比べて高いままであることが必要とされる。しかし、
Ｒvは、ダイオードの感度を低下させるので、いくら高
くても高すぎることはない。ロー・パワーに対する良好
な感度と整合との間で妥協するには、Ｒvが１ｋΩ〜２
ｋΩの範囲内であることが要求される。この整合は、ダ
イオードＤがその二乗則領域内にある場合、すなわち、
検出電圧は低く、負荷抵抗器（一般に、１０ｋΩ）を通
るＤＣ電流が極めてわずかである場合、良好なままであ
る。
【００２３】最近まで、パワー・センサのダイオード検
出器は、必ずダイオードをその二乗則領域内にして用い
られてきた。従って、Ｒvの変化値は問題にならなかっ
た。入力パワー・レベルが高くなると、すなわち、検出
電圧が高くなると、ダイオードを通るＤＣ電流が極めて
大きくなるので、ダイオード抵抗は、良好な整合を保つ
にはあまりにも小さくなりすぎる可能性がある。最近の
パワー・センサの場合、ダイオードは、上記のものとほ
ぼ同じ検出回路を用いて、１００ｍＷまでのＲＦ信号を
測定するために利用されている。しかし、ダイオード検
出器がもはやその二乗則領域内でなくなる、１０μｗを
超える領域では、連続波だけしか正確に測定することが
できない。多くの用途、とりわけデジタル通信では、非
連続波信号の正確な測定が必要とされるので、このこと
は、これらのセンサに関する重要な欠点となる。
出器は、必ずダイオードをその二乗則領域内にして用い
られてきた。従って、Ｒvの変化値は問題にならなかっ
た。入力パワー・レベルが高くなると、すなわち、検出
電圧が高くなると、ダイオードを通るＤＣ電流が極めて
大きくなるので、ダイオード抵抗は、良好な整合を保つ
にはあまりにも小さくなりすぎる可能性がある。最近の
パワー・センサの場合、ダイオードは、上記のものとほ
ぼ同じ検出回路を用いて、１００ｍＷまでのＲＦ信号を
測定するために利用されている。しかし、ダイオード検
出器がもはやその二乗則領域内でなくなる、１０μｗを
超える領域では、連続波だけしか正確に測定することが
できない。多くの用途、とりわけデジタル通信では、非
連続波信号の正確な測定が必要とされるので、このこと
は、これらのセンサに関する重要な欠点となる。
【００２４】本発明の場合、２つの独立した検出回路を
同じＧａＡｓチップ上に集積することができる。検出器
の一方４４は、信号源から直接信号を測定する（以下、
検出器４４を「ダイレクト・ディテクタ４４」と称す
る）。もう一方の検出器４８には、Ｒ1、Ｒ2のオン・チ
ップ抵抗による分割回路を用いて大幅に減衰させられた
信号サンプルが与えられる（以下、検出器４８を「アッ
テネーティッド・ディテクタ４８」と称する）。ダイレ
クト・ディテクタ４４及びアッテネーティッド・ディテ
クタ４８から検出された電圧を用いて、それぞれ、ロー
・パワー信号及びハイ・パワー信号の測定が行われる。
その概要が図７に示されている。
同じＧａＡｓチップ上に集積することができる。検出器
の一方４４は、信号源から直接信号を測定する（以下、
検出器４４を「ダイレクト・ディテクタ４４」と称す
る）。もう一方の検出器４８には、Ｒ1、Ｒ2のオン・チ
ップ抵抗による分割回路を用いて大幅に減衰させられた
信号サンプルが与えられる（以下、検出器４８を「アッ
テネーティッド・ディテクタ４８」と称する）。ダイレ
クト・ディテクタ４４及びアッテネーティッド・ディテ
クタ４８から検出された電圧を用いて、それぞれ、ロー
・パワー信号及びハイ・パワー信号の測定が行われる。
その概要が図７に示されている。
【００２５】両方の検出器４４、４８とも、ダイオード
が二乗則領域内にある場合のＲＦパワーを測定する。し
かし、これらの検出器が、ハイ・パワー信号の測定に用
いられると、ダイレクト・ディテクタ４４におけるダイ
オードＤ1は、その端子の両端において極めて高いＲＦ
電圧にさらされる。従って、ダイレクト・ディテクタ４
４において検出される電圧は高い。このため、大バイア
ス電流がこのダイオードＤ1に流れて、そのインピーダ
ンスが低下し、これによって、ハイ・パワー・センサ
（アッテネーティッド・ディテクタ４８）にかかるＲＦ
電圧が変化する。このインピーダンス整合の変化によっ
て、アッテネーティッド・ディテクタ４８において検出
される電圧に明瞭な非線形性が生じ、従って、この新規
の設計の目的に影響することになる。
が二乗則領域内にある場合のＲＦパワーを測定する。し
かし、これらの検出器が、ハイ・パワー信号の測定に用
いられると、ダイレクト・ディテクタ４４におけるダイ
オードＤ1は、その端子の両端において極めて高いＲＦ
電圧にさらされる。従って、ダイレクト・ディテクタ４
４において検出される電圧は高い。このため、大バイア
ス電流がこのダイオードＤ1に流れて、そのインピーダ
ンスが低下し、これによって、ハイ・パワー・センサ
（アッテネーティッド・ディテクタ４８）にかかるＲＦ
電圧が変化する。このインピーダンス整合の変化によっ
て、アッテネーティッド・ディテクタ４８において検出
される電圧に明瞭な非線形性が生じ、従って、この新規
の設計の目的に影響することになる。
【００２６】本発明では、この問題が解決される。その
問題の根本原因は、ダイレクト・ディテクタ４４のダイ
オードＤ1に、その検出がもはや利用されていない時に
ＤＣ電流が流れるということである。従って、その高イ
ンピーダンスは、そのＤＣ電流経路を開路にすることに
よって維持することが可能である。実施態様の一つで
は、この設計は、アッテネーティッド・ディテクタを用
いてハイ・パワー信号の測定が行われるや否や、ダイレ
クト・ディテクタのＤＣ経路を開路にするＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）スイッチによって実現されている。
この構成が、ＤＣ経路４０内におけるスイッチ５０を示
した図８に示されている。この状態では、ＤＣ電流はロ
ー・パワー・ダイオードＤ1を通っていない。ＦＥＴス
イッチの代わりに、機械式スイッチを利用することも可
能である。しかし、ＦＥＴスイッチは、より繰り返し性
に優れ、はるかに耐用期間が長い。
問題の根本原因は、ダイレクト・ディテクタ４４のダイ
オードＤ1に、その検出がもはや利用されていない時に
ＤＣ電流が流れるということである。従って、その高イ
ンピーダンスは、そのＤＣ電流経路を開路にすることに
よって維持することが可能である。実施態様の一つで
は、この設計は、アッテネーティッド・ディテクタを用
いてハイ・パワー信号の測定が行われるや否や、ダイレ
クト・ディテクタのＤＣ経路を開路にするＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）スイッチによって実現されている。
この構成が、ＤＣ経路４０内におけるスイッチ５０を示
した図８に示されている。この状態では、ＤＣ電流はロ
ー・パワー・ダイオードＤ1を通っていない。ＦＥＴス
イッチの代わりに、機械式スイッチを利用することも可
能である。しかし、ＦＥＴスイッチは、より繰り返し性
に優れ、はるかに耐用期間が長い。
【００２７】この技法によって、本発明によるパワー・
センサのダイナミック・レンジ、正確度、インピーダン
ス整合、及び、周波数応答が大幅に改善された。図９に
は、この技法の利点を強調するため、この技法を利用す
る場合、及び、利用しない場合の、検出器の最も重要な
性能パラメータである線形性が示されている。図９に示
すように、スイッチが利用されない場合、線形性の誤差
が極めて大きくなる。スイッチが利用される場合の、線
形性の残留誤差は、アッテネーティッド・ディテクタ４
８自体に起因するものである。従って、ロー・パワー・
ダイオード・センサの有害な効果の大部分は、その回路
のＤＣ経路を開路にすることによって除去された。図９
の場合、ロー・パワー・ダイオードがＤＣ電流を導通す
ると、線形性の誤差は極めて大きくなる。スイッチを切
って、ＤＣ電流がロー・パワー・ダイオード・センサに
流れないようにすると、ハイ・パワー測定の正確度は、
完全な状態のままである。
センサのダイナミック・レンジ、正確度、インピーダン
ス整合、及び、周波数応答が大幅に改善された。図９に
は、この技法の利点を強調するため、この技法を利用す
る場合、及び、利用しない場合の、検出器の最も重要な
性能パラメータである線形性が示されている。図９に示
すように、スイッチが利用されない場合、線形性の誤差
が極めて大きくなる。スイッチが利用される場合の、線
形性の残留誤差は、アッテネーティッド・ディテクタ４
８自体に起因するものである。従って、ロー・パワー・
ダイオード・センサの有害な効果の大部分は、その回路
のＤＣ経路を開路にすることによって除去された。図９
の場合、ロー・パワー・ダイオードがＤＣ電流を導通す
ると、線形性の誤差は極めて大きくなる。スイッチを切
って、ＤＣ電流がロー・パワー・ダイオード・センサに
流れないようにすると、ハイ・パワー測定の正確度は、
完全な状態のままである。
【００２８】図示されてはいないが、複数のセンサ経路
（ロー・パワー経路及びハイ・パワー経路以外に、例え
ば、中パワー経路、あるいは超ハイ・パワー経路）が設
けられた本発明の実施態様は、特許請求の範囲内に含ま
れるものと企図する。
（ロー・パワー経路及びハイ・パワー経路以外に、例え
ば、中パワー経路、あるいは超ハイ・パワー経路）が設
けられた本発明の実施態様は、特許請求の範囲内に含ま
れるものと企図する。
【００２９】本発明の特定の実施態様に関する以上の説
明は、例証及び解説を目的として示されたものである。
開示の形態にそっくりそのまま限定することを意図した
ものではなく、もちろん、以上の教示に鑑みて、多くの
修正及び変更を加えることが可能である。これらの実施
態様は、本発明の原理及びその実際の応用例を最も明確
に説明することにより、他の当業者が企図する特定の用
途に適合するように、本発明及びさまざまな修正を施し
たさまざまな実施態様を最も有効に利用できるようにす
るために選択され、解説されたものである。本発明の範
囲は、付属の特許請求の範囲及びその均等物によって規
定されるものとする。
明は、例証及び解説を目的として示されたものである。
開示の形態にそっくりそのまま限定することを意図した
ものではなく、もちろん、以上の教示に鑑みて、多くの
修正及び変更を加えることが可能である。これらの実施
態様は、本発明の原理及びその実際の応用例を最も明確
に説明することにより、他の当業者が企図する特定の用
途に適合するように、本発明及びさまざまな修正を施し
たさまざまな実施態様を最も有効に利用できるようにす
るために選択され、解説されたものである。本発明の範
囲は、付属の特許請求の範囲及びその均等物によって規
定されるものとする。
【００３０】〔実施態様〕なお、本発明の実施態様の例
を以下に示す。
を以下に示す。
【００３１】〔実施態様１〕 広ダイナミック・パワー
・レンジのＲＦ信号を受信するための手段と、ロー・パ
ワー・レンジのＲＦ信号を測定するためのロー・パワー
・ダイオード・センサを有する第１のＲＦ経路と、ハイ
・パワー・レンジのＲＦ信号を測定するためのハイ・パ
ワー・センサを有する第２のＲＦ経路と、受信した前記
ＲＦ信号が前記ロー・パワー・ダイオード・センサの二
乗則領域を超えた時に前記第１のＲＦ経路をアイソレー
トするための手段とを設けて成る広ダイナミック・レン
ジ・パワー・センサ。 〔実施態様２〕前記広ダイナミック・パワー・レンジ
が、−７０ｄＢｍ乃至＋２０ｄＢｍまたはそれ以上であ
ることを特徴とする、実施態様１に記載の広ダイナミッ
ク・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様３〕前記ＲＦ信号を減衰させるための減衰手
段がさらに含まれることを特徴とする、実施態様１また
は実施態様２に記載のパワー・センサ。 〔実施態様４〕前記アイソレート手段に、前記第１のＲ
Ｆ経路の出力に設けられたスイッチが含まれることを特
徴とする、実施態様１乃至実施態様３のいずれか一項に
記載の広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様５〕前記第１と第２のＲＦ経路をアイソレー
トするための受動ＲＦ回路がさらに含まれることを特徴
とする、実施態様１乃至実施態様４のいずれか一項に記
載の広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様６〕前記アイソレート手段に、前記第１のＲ
Ｆ経路のＤＣ経路に設けられたスイッチが含まれること
を特徴とする、実施態様１乃至実施態様５のいずれか一
項に記載の広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様７〕前記ＤＣ経路スイッチが、ＦＥＴスイッ
チであることを特徴とする、実施態様６に記載の広ダイ
ナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様８〕前記ハイ・パワー・センサが、アッテネ
ータ−ダイオード・センサであることを特徴とする、実
施態様１乃至実施態様７のいずれか一項に記載の広ダイ
ナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様９〕前記ハイ・パワー・センサが、サーミス
タ・センサであることを特徴とする、実施態様１乃至実
施態様７のいずれか一項に記載の広ダイナミック・レン
ジ・パワー・センサ。 〔実施態様１０〕前記ハイ・パワー・センサが、熱電対
センサであることを特徴とする、実施態様１乃至実施態
様７のいずれか一項に記載の広ダイナミック・レンジ・
パワー・センサ。 〔実施態様１１〕前記減衰手段が、前記第２のＲＦ経路
における前記ハイ・パワーＲＦ信号を減衰させるための
抵抗分圧回路であることを特徴とする、実施態様３乃至
実施態様１０のいずれか一項に記載の広ダイナミック・
レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様１２〕 −７０ｄＢｍ乃至＋２０ｄＢｍまた
はそれ以上の広いダイナミック・パワー・レンジを備え
るＲＦ信号を受信するための第１のＲＦ経路手段と、前
記第１のＲＦ経路手段に含まれる、パワー・レンジの低
いＲＦ信号を測定するためのロー・パワー・ダイオード
・センサと、ハイ・パワーＲＦ信号を除去するためのス
イッチ式減衰手段とを設けて成る広ダイナミック・レン
ジ・パワー・センサ。 〔実施態様１３〕 広ダイナミック・パワー・レンジＲ
Ｆ信号を受信するための手段と、パワー・レンジの低い
ＲＦ信号を測定するためのロー・パワー・ダイオード・
センサとＤＣ回路とを備えた第１のＲＦ経路と、パワー
・レンジの高いＲＦ信号を測定するためのハイ・パワー
・センサとＤＣ回路とを備えた第２のＲＦ経路と、前記
ハイ・パワーＲＦ信号が前記ロー・パワー・ダイオード
・センサの二乗則領域を超えた時、前記第１のＤＣ回路
をアイソレートするための手段とを設けて成る広ダイナ
ミック・レンジ・パワー・センサ。
・レンジのＲＦ信号を受信するための手段と、ロー・パ
ワー・レンジのＲＦ信号を測定するためのロー・パワー
・ダイオード・センサを有する第１のＲＦ経路と、ハイ
・パワー・レンジのＲＦ信号を測定するためのハイ・パ
ワー・センサを有する第２のＲＦ経路と、受信した前記
ＲＦ信号が前記ロー・パワー・ダイオード・センサの二
乗則領域を超えた時に前記第１のＲＦ経路をアイソレー
トするための手段とを設けて成る広ダイナミック・レン
ジ・パワー・センサ。 〔実施態様２〕前記広ダイナミック・パワー・レンジ
が、−７０ｄＢｍ乃至＋２０ｄＢｍまたはそれ以上であ
ることを特徴とする、実施態様１に記載の広ダイナミッ
ク・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様３〕前記ＲＦ信号を減衰させるための減衰手
段がさらに含まれることを特徴とする、実施態様１また
は実施態様２に記載のパワー・センサ。 〔実施態様４〕前記アイソレート手段に、前記第１のＲ
Ｆ経路の出力に設けられたスイッチが含まれることを特
徴とする、実施態様１乃至実施態様３のいずれか一項に
記載の広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様５〕前記第１と第２のＲＦ経路をアイソレー
トするための受動ＲＦ回路がさらに含まれることを特徴
とする、実施態様１乃至実施態様４のいずれか一項に記
載の広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様６〕前記アイソレート手段に、前記第１のＲ
Ｆ経路のＤＣ経路に設けられたスイッチが含まれること
を特徴とする、実施態様１乃至実施態様５のいずれか一
項に記載の広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様７〕前記ＤＣ経路スイッチが、ＦＥＴスイッ
チであることを特徴とする、実施態様６に記載の広ダイ
ナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様８〕前記ハイ・パワー・センサが、アッテネ
ータ−ダイオード・センサであることを特徴とする、実
施態様１乃至実施態様７のいずれか一項に記載の広ダイ
ナミック・レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様９〕前記ハイ・パワー・センサが、サーミス
タ・センサであることを特徴とする、実施態様１乃至実
施態様７のいずれか一項に記載の広ダイナミック・レン
ジ・パワー・センサ。 〔実施態様１０〕前記ハイ・パワー・センサが、熱電対
センサであることを特徴とする、実施態様１乃至実施態
様７のいずれか一項に記載の広ダイナミック・レンジ・
パワー・センサ。 〔実施態様１１〕前記減衰手段が、前記第２のＲＦ経路
における前記ハイ・パワーＲＦ信号を減衰させるための
抵抗分圧回路であることを特徴とする、実施態様３乃至
実施態様１０のいずれか一項に記載の広ダイナミック・
レンジ・パワー・センサ。 〔実施態様１２〕 −７０ｄＢｍ乃至＋２０ｄＢｍまた
はそれ以上の広いダイナミック・パワー・レンジを備え
るＲＦ信号を受信するための第１のＲＦ経路手段と、前
記第１のＲＦ経路手段に含まれる、パワー・レンジの低
いＲＦ信号を測定するためのロー・パワー・ダイオード
・センサと、ハイ・パワーＲＦ信号を除去するためのス
イッチ式減衰手段とを設けて成る広ダイナミック・レン
ジ・パワー・センサ。 〔実施態様１３〕 広ダイナミック・パワー・レンジＲ
Ｆ信号を受信するための手段と、パワー・レンジの低い
ＲＦ信号を測定するためのロー・パワー・ダイオード・
センサとＤＣ回路とを備えた第１のＲＦ経路と、パワー
・レンジの高いＲＦ信号を測定するためのハイ・パワー
・センサとＤＣ回路とを備えた第２のＲＦ経路と、前記
ハイ・パワーＲＦ信号が前記ロー・パワー・ダイオード
・センサの二乗則領域を超えた時、前記第１のＤＣ回路
をアイソレートするための手段とを設けて成る広ダイナ
ミック・レンジ・パワー・センサ。
【図１】本発明による真平均広ダイナミック・レンジ・
パワー・センサの実施例の一つを示す図である。
パワー・センサの実施例の一つを示す図である。
【図２】本発明による広ダイナミック・レンジ・パワー
・センサの代替実施例を示す図である。
・センサの代替実施例を示す図である。
【図３】ＲＦ経路にスイッチを備えた、本発明による広
ダイナミック・レンジ・パワー・センサを示す図であ
る。
ダイナミック・レンジ・パワー・センサを示す図であ
る。
【図４】受動ＲＦ回路を備えた、本発明による広ダイナ
ミック・レンジ・パワー・センサを示す図である。
ミック・レンジ・パワー・センサを示す図である。
【図５】ＤＣ経路にスイッチを備えた、本発明による広
ダイナミック・レンジ・パワー・センサを示す図であ
る。
ダイナミック・レンジ・パワー・センサを示す図であ
る。
【図６】ダイオード検出回路の概略図である。
【図７】ダイレクト・ディテクタ４４及びアッテネーテ
ィッド・ディテクタ４８から検出された電圧を用いて、
それぞれロー・パワー信号及びハイ・パワー信号の測定
を行うパワー・センサ回路の概略図である。
ィッド・ディテクタ４８から検出された電圧を用いて、
それぞれロー・パワー信号及びハイ・パワー信号の測定
を行うパワー・センサ回路の概略図である。
【図８】図７のパワー・センサ回路のＤＣ経路に設けた
スイッチを示す、本発明のパワー・センサ回路の概略図
である。
スイッチを示す、本発明のパワー・センサ回路の概略図
である。
【図９】線形性に関する図８のスイッチの影響を説明す
るための図である。
るための図である。
４０：ＤＣ経路 ４４：ダイレクト・ディテクタ ４８：アッテネーティッド・ディテクタ ５０：スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐ ａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ.
Claims (1)
- 【請求項１】 広ダイナミック・パワー・レンジのＲＦ
信号を受信するための手段と、 ロー・パワー・レンジのＲＦ信号を測定するためのロー
・パワー・ダイオード・センサを有する第１のＲＦ経路
と、 ハイ・パワー・レンジのＲＦ信号を測定するためのハイ
・パワー・センサを有する第２のＲＦ経路と、 受信した前記ＲＦ信号が前記ロー・パワー・ダイオード
・センサの二乗則領域を超えた時に前記第１のＲＦ経路
をアイソレートするための手段とを設けて成る広ダイナ
ミック・レンジ・パワー・センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US289428 | 1999-04-09 | ||
| US09/289,428 US6291982B1 (en) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | True average wide dynamic range power sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000329802A true JP2000329802A (ja) | 2000-11-30 |
| JP2000329802A5 JP2000329802A5 (ja) | 2007-05-24 |
Family
ID=23111492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000102932A Pending JP2000329802A (ja) | 1999-04-09 | 2000-04-05 | 広ダイナミック・レンジ・パワー・センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6291982B1 (ja) |
| EP (1) | EP1043594B2 (ja) |
| JP (1) | JP2000329802A (ja) |
| DE (1) | DE60001467T3 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19913338B4 (de) * | 1999-03-24 | 2005-07-14 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Ein- oder Mehrweg-HF-Diodengleichrichterschaltung |
| US6331769B1 (en) * | 1999-06-18 | 2001-12-18 | Anritsu Company | RMS power sensor with 84 dB dynamic range |
| DE102006032266A1 (de) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Infineon Technologies Ag | Sensorbauelement |
| DE102006032277B4 (de) * | 2006-07-12 | 2017-06-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeldsensorbauelement |
| US20080143320A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-06-19 | Agilent Technologies, Inc. | Power Sensor with Switched-In Signal Amplification Path |
| DE102008049665A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-22 | Infineon Technologies Ag | Stellen eines Ausgangspegels einer Verstärkervorrichtung |
| TWI428611B (zh) | 2010-09-10 | 2014-03-01 | Ind Tech Res Inst | 零偏壓式功率偵測器 |
| JP6548745B2 (ja) * | 2015-05-01 | 2019-07-24 | ワットロー，エレクトリック、マニュファクチュアリング，カンパニー | アクティブな接地された熱電対及び作動方法 |
| US20190059133A1 (en) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | The Markov Corporation | Sensors for Training Data Acquisition in an Intelligent Electronic Oven |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58129706U (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | 三菱電機株式会社 | 二乗検波器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4873484A (en) * | 1987-09-03 | 1989-10-10 | Lucas Weinschel, Inc. | Extended range composite head power sensor with three circuit branches having a common node |
| US4943764A (en) | 1987-12-11 | 1990-07-24 | Hewlett-Packard Company | Wide dynamic range radio-frequency power sensor |
| GB8918365D0 (en) * | 1989-08-11 | 1989-09-20 | Motorola Ltd | Amplifier for radio transmitter having controllable output power |
| US5204613A (en) | 1991-05-02 | 1993-04-20 | Wavetek Microwave, Inc. | Rf power sensor having improved linearity over greater dynamic range |
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| FI930632A7 (fi) * | 1993-02-12 | 1994-08-13 | Nokia Corp | Kytkentä lähetinvahvistimen tehon säätämiseksi |
| US5656929A (en) * | 1995-10-25 | 1997-08-12 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for measuring RF power in a test set |
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-
1999
- 1999-04-09 US US09/289,428 patent/US6291982B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-03 EP EP00302809A patent/EP1043594B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-03 DE DE60001467T patent/DE60001467T3/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-05 JP JP2000102932A patent/JP2000329802A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58129706U (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | 三菱電機株式会社 | 二乗検波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1043594B1 (en) | 2003-02-26 |
| DE60001467D1 (de) | 2003-04-03 |
| DE60001467T2 (de) | 2004-02-26 |
| US6291982B1 (en) | 2001-09-18 |
| EP1043594A1 (en) | 2000-10-11 |
| EP1043594B2 (en) | 2006-04-05 |
| DE60001467T3 (de) | 2006-11-16 |
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