JP2000331640A - イオン注入装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
イオン注入装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バッチ方式と枚葉方式の２方式のイオン注入
処理が可能なイオン注入装置、及びこれを用いた半導体
装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 複数枚の平板状被イオン注入材２（ウ
エーハ）を、円筒形の外周に相当する位置に該外周に沿
う形態でその被イオン注入面が外側を向く位置に配置し
得る複数の被イオン注入材支持部４を有し、被イオン注
入材支持部は、円筒形該当の回転により順次各被イオン
注入材支持部がイオンビーム照射位置に来ることを可能
としたイオン注入装置。上記のイオン注入装置を用
いて、１枚または複数枚の半導体ウエーハ２を処理して
半導体装置を得る半導体装置の製造方法。
処理が可能なイオン注入装置、及びこれを用いた半導体
装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 複数枚の平板状被イオン注入材２（ウ
エーハ）を、円筒形の外周に相当する位置に該外周に沿
う形態でその被イオン注入面が外側を向く位置に配置し
得る複数の被イオン注入材支持部４を有し、被イオン注
入材支持部は、円筒形該当の回転により順次各被イオン
注入材支持部がイオンビーム照射位置に来ることを可能
としたイオン注入装置。上記のイオン注入装置を用
いて、１枚または複数枚の半導体ウエーハ２を処理して
半導体装置を得る半導体装置の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置及
びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。本発明
に係るイオン注入装置は、半導体製造プロセスその他各
種の分野におけるイオン注入技術に利用できるものであ
り、また本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体
ウエーハに対しイオン注入を行う工程を具備する各種の
半導体装置の製造の際に利用することができる。
びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。本発明
に係るイオン注入装置は、半導体製造プロセスその他各
種の分野におけるイオン注入技術に利用できるものであ
り、また本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体
ウエーハに対しイオン注入を行う工程を具備する各種の
半導体装置の製造の際に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子材料の形成等の各種の分
野でイオン注入技術が利用されている。たとえば半導体
装置の製造の工程で、重要なプロセスとして用いられて
いる。たとえば、シリコン等の半導体ウエーハに所望の
不純物分布を作るために、被イオン注入材であるシリコ
ン基板等の被イオン注入面（通常、素子形成面）にイオ
ン注入法により不純物イオンを導入する等のために、広
範に利用されている。
野でイオン注入技術が利用されている。たとえば半導体
装置の製造の工程で、重要なプロセスとして用いられて
いる。たとえば、シリコン等の半導体ウエーハに所望の
不純物分布を作るために、被イオン注入材であるシリコ
ン基板等の被イオン注入面（通常、素子形成面）にイオ
ン注入法により不純物イオンを導入する等のために、広
範に利用されている。
【０００３】従来のイオン注入装置について、ウエーハ
にイオン注入を行う場合の装置を例にとって、説明す
る。
にイオン注入を行う場合の装置を例にとって、説明す
る。
【０００４】従来のこの種のイオン注入装置には、「バ
ッチ方式」という形態をとるものと、「枚葉方式」とい
う形態をとるものとがある。「バッチ方式」において
は、ディスクと称される円盤状のウエーハ支持用部材を
用い、このディスクにウエーハを複数枚載せて、そのデ
ィスクを高速回転及び上下スキャンさせながらイオン注
入を行う。「枚葉方式」においては、ディスク（または
プラテン）と称されるウエーハ支持用部材を用い、これ
にウエーハを１枚だけ載せて、Ｘ方向（ウエーハ面上に
ついて言う）に走査させたイオンビームに、ウエーハを
上下動作（ウエーハ面上についてＹ方向）させながらイ
オン注入を行う。以下にその２方式の構造、動作、作用
について述べる。
ッチ方式」という形態をとるものと、「枚葉方式」とい
う形態をとるものとがある。「バッチ方式」において
は、ディスクと称される円盤状のウエーハ支持用部材を
用い、このディスクにウエーハを複数枚載せて、そのデ
ィスクを高速回転及び上下スキャンさせながらイオン注
入を行う。「枚葉方式」においては、ディスク（または
プラテン）と称されるウエーハ支持用部材を用い、これ
にウエーハを１枚だけ載せて、Ｘ方向（ウエーハ面上に
ついて言う）に走査させたイオンビームに、ウエーハを
上下動作（ウエーハ面上についてＹ方向）させながらイ
オン注入を行う。以下にその２方式の構造、動作、作用
について述べる。
【０００５】一般的なバッチ方式イオン注入装置の、イ
オン注入時の状況を示す概略図を、図５に示す。回転す
るディスク１ａ上の被イオン注入材２（ウエーハ）に、
イオンビーム３を照射して、イオン注入を行う。スキャ
ンの向きを、符号Ａ，Ｂで示す。すなわち、高速でＡ方
向に回転させ、Ｂ方向で上下スキャンさせながらイオン
注入を行う。ディスク１ａには、複数の被イオン注入材
２（ウエーハ）支持用プラテンが設けられ、通常ディス
ク１ａ上にプラテンの数に対応した複数のウエーハが支
持される。このバッチ方式イオン注入装置によれば、一
度に複数枚のウエーハがイオン注入可能であるが、反
面、注入部のスペースを広く要するという問題点を有
し、かつ１枚ずつ違った条件でイオン注入を行うことは
困難であるという問題点を有する。またディスク１ａに
はその全プラテンにウエーハを配置する必要があり、セ
ットする被イオン注入材２（ウエーハ）の搬送時間が長
いという問題点がある。すなわち、少数枚の被イオン注
入材２（ウエーハ）にイオン注入を行う場合でも、空き
プラテンにダミーウエーハ等をセットしなければ、プラ
テンがダメージを受けてしまう。
オン注入時の状況を示す概略図を、図５に示す。回転す
るディスク１ａ上の被イオン注入材２（ウエーハ）に、
イオンビーム３を照射して、イオン注入を行う。スキャ
ンの向きを、符号Ａ，Ｂで示す。すなわち、高速でＡ方
向に回転させ、Ｂ方向で上下スキャンさせながらイオン
注入を行う。ディスク１ａには、複数の被イオン注入材
２（ウエーハ）支持用プラテンが設けられ、通常ディス
ク１ａ上にプラテンの数に対応した複数のウエーハが支
持される。このバッチ方式イオン注入装置によれば、一
度に複数枚のウエーハがイオン注入可能であるが、反
面、注入部のスペースを広く要するという問題点を有
し、かつ１枚ずつ違った条件でイオン注入を行うことは
困難であるという問題点を有する。またディスク１ａに
はその全プラテンにウエーハを配置する必要があり、セ
ットする被イオン注入材２（ウエーハ）の搬送時間が長
いという問題点がある。すなわち、少数枚の被イオン注
入材２（ウエーハ）にイオン注入を行う場合でも、空き
プラテンにダミーウエーハ等をセットしなければ、プラ
テンがダメージを受けてしまう。
【０００６】一般的な枚葉方式イオン注入装置の、イオ
ン注入時の状況を示す概略図を、図６に示す。こちら
は、１枚の被イオン注入材２（ウエーハ）を支持するプ
ラテン１ｂがディスクに設けられ、該プラテン１ｂにセ
ットした被イオン注入材２（ウエーハ）を、１枚ずつイ
オン注入する。このとき一般に、符号Ｃで示すようにイ
オンビーム３をＸ方向に走査させ、このイオンビーム３
に対し、被イオン注入材２（ウエーハ）を符号Ｄで示す
ように上下動作させながらイオン注入を行う。この方式
は、被イオン注入材２（ウエーハ）を１枚ずつ処理する
ため、条件によっては、１枚に要する処理時間が長くな
ってしまうという問題点をもつ。
ン注入時の状況を示す概略図を、図６に示す。こちら
は、１枚の被イオン注入材２（ウエーハ）を支持するプ
ラテン１ｂがディスクに設けられ、該プラテン１ｂにセ
ットした被イオン注入材２（ウエーハ）を、１枚ずつイ
オン注入する。このとき一般に、符号Ｃで示すようにイ
オンビーム３をＸ方向に走査させ、このイオンビーム３
に対し、被イオン注入材２（ウエーハ）を符号Ｄで示す
ように上下動作させながらイオン注入を行う。この方式
は、被イオン注入材２（ウエーハ）を１枚ずつ処理する
ため、条件によっては、１枚に要する処理時間が長くな
ってしまうという問題点をもつ。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来技術
はそれぞれに長短があるものであり、枚葉方式は複数の
被イオン注入材の処理はできず、バッチ方式は１枚ある
いは少数枚の処理はしにくいという難点がある。
はそれぞれに長短があるものであり、枚葉方式は複数の
被イオン注入材の処理はできず、バッチ方式は１枚ある
いは少数枚の処理はしにくいという難点がある。
【０００８】本発明は、上記の従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、複数の被イオン注入材の処理が可能
で、さらに多数枚の処理を行えるようにすることもでき
て、短時間でのイオン注入が可能であり、しかも１枚の
被イオン注入材の処理が可能で、少数枚の被イオン注入
材の処理も容易に行うことができ、１枚ずつ違った条件
でイオン注入することができ、かつこの条件を違えた処
理が複数枚セットした状態でも可能であり、あるいは少
数枚ずつ違った条件でイオン注入することも容易に達成
できるイオン注入装置を提供することを目的とし、ま
た、このようなイオン注入装置を用いた半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
てなされたもので、複数の被イオン注入材の処理が可能
で、さらに多数枚の処理を行えるようにすることもでき
て、短時間でのイオン注入が可能であり、しかも１枚の
被イオン注入材の処理が可能で、少数枚の被イオン注入
材の処理も容易に行うことができ、１枚ずつ違った条件
でイオン注入することができ、かつこの条件を違えた処
理が複数枚セットした状態でも可能であり、あるいは少
数枚ずつ違った条件でイオン注入することも容易に達成
できるイオン注入装置を提供することを目的とし、ま
た、このようなイオン注入装置を用いた半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るイオン注入
装置は、複数枚の平板状被イオン注入材を、円筒形の外
周に相当する位置に該外周に沿う形態でその被イオン注
入面が外側を向く位置に配置し得る複数の被イオン注入
材支持部を有し、該被イオン注入材支持部は、該円筒形
の回転中心軸に該当する点を中心に回転させることによ
り順次各被イオン注入材支持部がイオンビーム照射位置
に来ることを可能ならしめたことを特徴とするものであ
る。
装置は、複数枚の平板状被イオン注入材を、円筒形の外
周に相当する位置に該外周に沿う形態でその被イオン注
入面が外側を向く位置に配置し得る複数の被イオン注入
材支持部を有し、該被イオン注入材支持部は、該円筒形
の回転中心軸に該当する点を中心に回転させることによ
り順次各被イオン注入材支持部がイオンビーム照射位置
に来ることを可能ならしめたことを特徴とするものであ
る。
【００１０】本発明に係る半導体装置の製造方法は、上
記本発明に係るイオン注入装置を用いて、上記複数の被
イオン注入材支持部の１以上の支持部に半導体ウエーハ
を支持させ、該半導体ウエーハにイオン注入を行う工程
を具備することを特徴とするものである。
記本発明に係るイオン注入装置を用いて、上記複数の被
イオン注入材支持部の１以上の支持部に半導体ウエーハ
を支持させ、該半導体ウエーハにイオン注入を行う工程
を具備することを特徴とするものである。
【００１１】本発明によれば、従来の枚葉方式のイオン
注入装置の利点と、バッチ方式の利点とを兼ね備えた効
果を発揮できるものということができる。
注入装置の利点と、バッチ方式の利点とを兼ね備えた効
果を発揮できるものということができる。
【００１２】すなわち、複数枚の平板状被イオン注入材
を円筒形の外周に相当する位置に配置し得るようにした
ので、イオン注入の動作の１工程で、複数の被イオン注
入材の処理が達成できる。被イオン注入面が外側を向く
位置にあるので、回転させることにより、順次連続して
イオン注入処理を行えるからである。また、この支持構
造は、複数組み合わせて、さらに多数枚の被イオン注入
材を処理できるようにすることができる。被イオン注入
材は、円筒形の外周に相当する位置に配置されることに
なるので、この支持構造は、円筒形の端面同士をつなげ
ることで、複数組み合わせることが可能で、その場合
も、これら多数の被イオン注入材をイオン注入の動作の
１工程でイオン注入することが可能である。よって、さ
らに処理時間を短縮でき、効率を高めることができる。
を円筒形の外周に相当する位置に配置し得るようにした
ので、イオン注入の動作の１工程で、複数の被イオン注
入材の処理が達成できる。被イオン注入面が外側を向く
位置にあるので、回転させることにより、順次連続して
イオン注入処理を行えるからである。また、この支持構
造は、複数組み合わせて、さらに多数枚の被イオン注入
材を処理できるようにすることができる。被イオン注入
材は、円筒形の外周に相当する位置に配置されることに
なるので、この支持構造は、円筒形の端面同士をつなげ
ることで、複数組み合わせることが可能で、その場合
も、これら多数の被イオン注入材をイオン注入の動作の
１工程でイオン注入することが可能である。よって、さ
らに処理時間を短縮でき、効率を高めることができる。
【００１３】また、複数枚の平板状被イオン注入材を、
円筒形の外周に相当する位置に配置するので、１枚だけ
（あるいは少数枚）の処理も、１枚ずつ（あるいは少数
枚ずつ）条件を変えた処理も可能である。被イオン注入
材は平面上に配置されるのではないので、処理されてい
る被イオン注入材以外はイオン照射されないからであ
り、１枚だけでも、条件を変えるのでも、任意に行える
からである。またこのため、支持部保護のためのダミー
ウエーハと言ったものも、不要である。このように本構
成では１枚ずつ違った条件でイオン注入することも、条
件を違えた処理が複数枚セットした状態でも可能であ
り、あるいは少数枚ずつ違った条件でイオン注入するこ
とも容易に達成できる。
円筒形の外周に相当する位置に配置するので、１枚だけ
（あるいは少数枚）の処理も、１枚ずつ（あるいは少数
枚ずつ）条件を変えた処理も可能である。被イオン注入
材は平面上に配置されるのではないので、処理されてい
る被イオン注入材以外はイオン照射されないからであ
り、１枚だけでも、条件を変えるのでも、任意に行える
からである。またこのため、支持部保護のためのダミー
ウエーハと言ったものも、不要である。このように本構
成では１枚ずつ違った条件でイオン注入することも、条
件を違えた処理が複数枚セットした状態でも可能であ
り、あるいは少数枚ずつ違った条件でイオン注入するこ
とも容易に達成できる。
【００１４】上記のように、本発明によれば、１つのイ
オン注入装置で、バッチ方式と枚葉方式の２方式のイオ
ン注入処理が可能となる。すなわち、従来装置の利点を
兼ね備えた処理を実現できる。
オン注入装置で、バッチ方式と枚葉方式の２方式のイオ
ン注入処理が可能となる。すなわち、従来装置の利点を
兼ね備えた処理を実現できる。
【００１５】また本発明によれば、上記有利なイオン注
入装置を用いて、１枚の半導体ウエーハを支持させて、
該半導体ウエーハにイオン注入を行って半導体装置を得
ることも、２枚以上、ないし多数の半導体ウエーハを支
持させて、半導体装置を得ることもできる。各半導体ウ
エーハ毎に適正条件でイオン注入して、信頼性の高い半
導体装置を得るようにすることも、短時間で多数の半導
体装置を処理して生産性を高めるようにすることも可能
である。
入装置を用いて、１枚の半導体ウエーハを支持させて、
該半導体ウエーハにイオン注入を行って半導体装置を得
ることも、２枚以上、ないし多数の半導体ウエーハを支
持させて、半導体装置を得ることもできる。各半導体ウ
エーハ毎に適正条件でイオン注入して、信頼性の高い半
導体装置を得るようにすることも、短時間で多数の半導
体装置を処理して生産性を高めるようにすることも可能
である。
【００１６】なお、特開平４−３６６５４０号公報、同
５−１５９７３８号公報には、ドラムの内部の壁に半導
体基板を配置し、遠心力で該基板をドラム内壁に圧着す
る技術が記載されているが、これは均一なイオン注入、
または損傷の無い保持を達成するための技術で、円筒形
の外周相当位置に被イオン注入面が外側を向く位置で配
置し得るようにした本発明とは、構成も作用効果も全く
異なる。
５−１５９７３８号公報には、ドラムの内部の壁に半導
体基板を配置し、遠心力で該基板をドラム内壁に圧着す
る技術が記載されているが、これは均一なイオン注入、
または損傷の無い保持を達成するための技術で、円筒形
の外周相当位置に被イオン注入面が外側を向く位置で配
置し得るようにした本発明とは、構成も作用効果も全く
異なる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
てさらに説明する。以下に記す具体的な実施の形態例
は、本発明を、シリコン製半導体基板（ウエーハ）に不
純物のイオン注入を行うイオン注入に適用して、上記し
た利点を有するイオン注入を行い、シリコン半導体装置
を得るものである。ここでは、イオン注入装置に以下述
べるような具体的な新機構を設けることで、上記各利点
を得るようにした。ただし、シリコン半導体装置製造の
場合のみでなく、各種分野でのイオン注入に使用できる
ことは、言うまでもない。
てさらに説明する。以下に記す具体的な実施の形態例
は、本発明を、シリコン製半導体基板（ウエーハ）に不
純物のイオン注入を行うイオン注入に適用して、上記し
た利点を有するイオン注入を行い、シリコン半導体装置
を得るものである。ここでは、イオン注入装置に以下述
べるような具体的な新機構を設けることで、上記各利点
を得るようにした。ただし、シリコン半導体装置製造の
場合のみでなく、各種分野でのイオン注入に使用できる
ことは、言うまでもない。
【００１８】実施の形態例１ 図１に、この実施の形態例に係るイオン注入装置の概念
を示す。ここでは、円筒形（ドラム状）の支持部材１の
外周に、平板状被イオン注入材２であるウエーハを支持
する被イオン注入材支持部４（プラテン）を、複数設け
る。この被イオン注入材支持部４に、被イオン注入面が
外側を向くように、平板状被イオン注入材２（ウエー
ハ）をセットする。
を示す。ここでは、円筒形（ドラム状）の支持部材１の
外周に、平板状被イオン注入材２であるウエーハを支持
する被イオン注入材支持部４（プラテン）を、複数設け
る。この被イオン注入材支持部４に、被イオン注入面が
外側を向くように、平板状被イオン注入材２（ウエー
ハ）をセットする。
【００１９】このように円筒形（ドラム状）支持部材１
の外周側面に被イオン注入材２（ウエーハ）をセットし
て、イオンビーム３を照射し、イオン注入を行う。イオ
ンビーム３を、Ｘ方向で走査させ（図１の符号Ｅ方
向）、このイオンビーム３に対して該円筒形（ドラム
状）支持部材１を回転スキャン（図１の符号Ｆ）させ
る。これにより、常にすべての被イオン注入材２（全ウ
エーハ）に対して、一定角度でイオンビーム３が注入さ
れることになる。
の外周側面に被イオン注入材２（ウエーハ）をセットし
て、イオンビーム３を照射し、イオン注入を行う。イオ
ンビーム３を、Ｘ方向で走査させ（図１の符号Ｅ方
向）、このイオンビーム３に対して該円筒形（ドラム
状）支持部材１を回転スキャン（図１の符号Ｆ）させ
る。これにより、常にすべての被イオン注入材２（全ウ
エーハ）に対して、一定角度でイオンビーム３が注入さ
れることになる。
【００２０】この円筒形（ドラム状）支持部材１は、イ
オンビーム３に対する角度を変えることで、注入チルト
角度を変化させることが可能である。すなわち、図２に
示すのは、上記被イオン注入材支持部４が設けられてこ
こに被イオン注入材２（ウエーハ）がセットされた円筒
形（ドラム状）支持部材１を、図１の上方から見た図、
つまり図１のＩＩ方向から外周側面を見た図であるが、
図の符号Ｈで示すように円筒形（ドラム状）支持部材１
を傾けることで、注入角度を変えることができる。この
ように、この構成によれば、被イオン注入材２（ウエー
ハ）を、イオンビームに対して傾斜可能な位置にくるこ
とが可能ならしめられて、注入角度を任意に変えること
ができるものである。
オンビーム３に対する角度を変えることで、注入チルト
角度を変化させることが可能である。すなわち、図２に
示すのは、上記被イオン注入材支持部４が設けられてこ
こに被イオン注入材２（ウエーハ）がセットされた円筒
形（ドラム状）支持部材１を、図１の上方から見た図、
つまり図１のＩＩ方向から外周側面を見た図であるが、
図の符号Ｈで示すように円筒形（ドラム状）支持部材１
を傾けることで、注入角度を変えることができる。この
ように、この構成によれば、被イオン注入材２（ウエー
ハ）を、イオンビームに対して傾斜可能な位置にくるこ
とが可能ならしめられて、注入角度を任意に変えること
ができるものである。
【００２１】この実施の形態例によれば、枚葉方式によ
り１枚の被イオン注入材２（ウエーハ）にイオン注入す
ることが可能である。すなわち、この円筒形（ドラム
状）支持部材１の回転スキャンを停止し、図１に符号Ｇ
で示す上下スキャン（円筒形の端面に該当する面に沿っ
て移動するスキャン）を行うことで、枚葉方式でのイオ
ン注入作業が可能となる。このとき、ダミーウエーハは
不要である。よって、従来のバッチ方式の場合の問題、
つまり被処理ウエーハは少ない（１枚、あるいは少数
枚）のに、ダミーウエーハを乗せなければならないため
無駄な搬送時間を要していたという問題は生じない。
り１枚の被イオン注入材２（ウエーハ）にイオン注入す
ることが可能である。すなわち、この円筒形（ドラム
状）支持部材１の回転スキャンを停止し、図１に符号Ｇ
で示す上下スキャン（円筒形の端面に該当する面に沿っ
て移動するスキャン）を行うことで、枚葉方式でのイオ
ン注入作業が可能となる。このとき、ダミーウエーハは
不要である。よって、従来のバッチ方式の場合の問題、
つまり被処理ウエーハは少ない（１枚、あるいは少数
枚）のに、ダミーウエーハを乗せなければならないため
無駄な搬送時間を要していたという問題は生じない。
【００２２】上述したように、この実施の形態例では、
複数枚の平板状被イオン注入材２（ウエーハ）を、円筒
形の外周に相当する位置に該外周に沿う形態でその被イ
オン注入面が外側を向く位置に配置し得る複数の被イオ
ン注入材支持部４（プラテン）を有し、この被イオン注
入材支持部４は、該円筒形の回転中心軸に該当する点を
中心に回転させることにより順次各被イオン注入材支持
部がイオンビーム照射位置に来ることを可能ならしめた
構成としたもので、特に、被イオン注入材支持部４が、
円筒形をなす支持部材１の外周に形成されている構成と
したものであるので、枚葉方式でも、バッチ方式でもイ
オン注入できるという有利性を発揮できる。また、従来
のバッチ方式のイオン注入装置より注入部のスペースを
小型化でき、設置面積の縮小が可能となる。よってたと
えばクリーンルームの有効利用に貢献できるなどの利点
がある。
複数枚の平板状被イオン注入材２（ウエーハ）を、円筒
形の外周に相当する位置に該外周に沿う形態でその被イ
オン注入面が外側を向く位置に配置し得る複数の被イオ
ン注入材支持部４（プラテン）を有し、この被イオン注
入材支持部４は、該円筒形の回転中心軸に該当する点を
中心に回転させることにより順次各被イオン注入材支持
部がイオンビーム照射位置に来ることを可能ならしめた
構成としたもので、特に、被イオン注入材支持部４が、
円筒形をなす支持部材１の外周に形成されている構成と
したものであるので、枚葉方式でも、バッチ方式でもイ
オン注入できるという有利性を発揮できる。また、従来
のバッチ方式のイオン注入装置より注入部のスペースを
小型化でき、設置面積の縮小が可能となる。よってたと
えばクリーンルームの有効利用に貢献できるなどの利点
がある。
【００２３】実施の形態例２ 次に、図３を参照して、実施の形態例２を説明する。こ
の実施の形態例は、図１に示した実施の形態例１の構造
を、複数、組み合わせたものである。すなわち、図３の
ように、被イオン注入材支持部４が形成された支持部材
１を、その側面がわで連結することにより、複数（図示
では３つ）の支持部材１からなるようにしたものであ
る。これは、円筒形の外周に相当する位置に該外周に沿
う形態で被イオン注入材支持部４を設けた結果可能とな
ったもので、図５に示したような従来技術では、不可能
なことである。
の実施の形態例は、図１に示した実施の形態例１の構造
を、複数、組み合わせたものである。すなわち、図３の
ように、被イオン注入材支持部４が形成された支持部材
１を、その側面がわで連結することにより、複数（図示
では３つ）の支持部材１からなるようにしたものであ
る。これは、円筒形の外周に相当する位置に該外周に沿
う形態で被イオン注入材支持部４を設けた結果可能とな
ったもので、図５に示したような従来技術では、不可能
なことである。
【００２４】このように組み合わせることで、イオン注
入装置１台につき、この支持構造を２個以上設置するこ
とができ、よってさらに多数の被イオン注入材２（多数
枚のウエーハ）の処理が短時間で可能となる。したがっ
て、さらに効率を高めることができる。枚葉方式での使
用が可能であり、少数枚の処理もやりやすいという効果
は、変わらない。
入装置１台につき、この支持構造を２個以上設置するこ
とができ、よってさらに多数の被イオン注入材２（多数
枚のウエーハ）の処理が短時間で可能となる。したがっ
て、さらに効率を高めることができる。枚葉方式での使
用が可能であり、少数枚の処理もやりやすいという効果
は、変わらない。
【００２５】実施の形態例３ 次に、図４を参照して、実施の形態例３を説明する。こ
の実施の形態例は、図１に示した実施の形態例１が、円
筒形の支持部材１からなる構造であるのに対し、支持部
材５を骨格状にしたものである。すなわちここでは図４
に示すように、円の直径に該当する線が複数本（図示例
では３本）、符号６で示す該円の中心に該当する位置で
結合して組み合われた形態の骨格から構成される。該骨
格の外端部に、被イオン注入材２（ウエーハ）が配置さ
れるようにする。このとき、上記円の直径に該当する線
に直角に被イオン注入材２（ウエーハ）が配置されるよ
うにする。これによって、被イオン注入材２（ウエー
ハ）を、外側に表面を向けて配置することが可能とな
る。
の実施の形態例は、図１に示した実施の形態例１が、円
筒形の支持部材１からなる構造であるのに対し、支持部
材５を骨格状にしたものである。すなわちここでは図４
に示すように、円の直径に該当する線が複数本（図示例
では３本）、符号６で示す該円の中心に該当する位置で
結合して組み合われた形態の骨格から構成される。該骨
格の外端部に、被イオン注入材２（ウエーハ）が配置さ
れるようにする。このとき、上記円の直径に該当する線
に直角に被イオン注入材２（ウエーハ）が配置されるよ
うにする。これによって、被イオン注入材２（ウエー
ハ）を、外側に表面を向けて配置することが可能とな
る。
【００２６】この実施の形態例も、上述した実施の形態
例と同様な効果利点を有する。
例と同様な効果利点を有する。
【００２７】実施の形態例４ この実施の形態例は、上記実施の形態例３の支持部材５
を、実施の形態例２のように側面で連結して（たとえ
ば、結合点６に連結棒を通して、互いに連結する）、複
数組み合わせたものである（図示は省略）。本例は、実
施の形態例２と同様な効果を有する。
を、実施の形態例２のように側面で連結して（たとえ
ば、結合点６に連結棒を通して、互いに連結する）、複
数組み合わせたものである（図示は省略）。本例は、実
施の形態例２と同様な効果を有する。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係るイオン注入装置によれば、
複数の被イオン注入材の処理が可能で（被イオン注入材
支持部を有する）、さらに多数枚の処理を行えるように
することもできて（２以上の組み合わせが可能）、短時
間でのイオン注入が可能であり、しかも１枚の被イオン
注入材の処理が可能で（枚葉方式での使用が可能）、少
数枚の被イオン注入材の処理も容易に行うことができ、
１枚ずつ違った条件でイオン注入することができ、かつ
この条件を違えた処理が複数枚セットした状態でも可能
であり、あるいは少数枚ずつ違った条件でイオン注入す
ることも容易に達成できる。また本発明の半導体装置の
製造方法によれば、このようなイオン注入装置を用い
て、信頼性高く、ないし生産性高く、半導体装置を製造
できる。
複数の被イオン注入材の処理が可能で（被イオン注入材
支持部を有する）、さらに多数枚の処理を行えるように
することもできて（２以上の組み合わせが可能）、短時
間でのイオン注入が可能であり、しかも１枚の被イオン
注入材の処理が可能で（枚葉方式での使用が可能）、少
数枚の被イオン注入材の処理も容易に行うことができ、
１枚ずつ違った条件でイオン注入することができ、かつ
この条件を違えた処理が複数枚セットした状態でも可能
であり、あるいは少数枚ずつ違った条件でイオン注入す
ることも容易に達成できる。また本発明の半導体装置の
製造方法によれば、このようなイオン注入装置を用い
て、信頼性高く、ないし生産性高く、半導体装置を製造
できる。
【図１】 本発明の実施の形態例１に係るイオン注入装
置の構成を説明する図である。
置の構成を説明する図である。
【図２】 実施の形態例１で、イオン注入角度を変化さ
せる場合を説明する図である。
せる場合を説明する図である。
【図３】 本発明の実施の形態例２に係るイオン注入装
置の構成を説明する図である。
置の構成を説明する図である。
【図４】 本発明の実施の形態例３に係るイオン注入装
置の構成を説明する図である。
置の構成を説明する図である。
【図５】 従来のイオン注入装置（バッチ式）を示す図
である。
である。
【図６】 従来のイオン注入装置（枚葉式）を示す図で
ある。
ある。
１・・・支持部材、２・・・被イオン注入材（ウエー
ハ）、３・・・イオンビーム、４・・・被イオン注入材
支持部、５・・・支持部材。
ハ）、３・・・イオンビーム、４・・・被イオン注入材
支持部、５・・・支持部材。
Claims (8)
- 【請求項１】 複数枚の平板状被イオン注入材を、円筒
形の外周に相当する位置に該外周に沿う形態でその被イ
オン注入面が外側を向く位置に配置し得る複数の被イオ
ン注入材支持部を有し、 該被イオン注入材支持部は、該円筒形の回転中心軸に該
当する点を中心に回転させることにより順次各被イオン
注入材支持部がイオンビーム照射位置に来ることを可能
ならしめたことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 上記被イオン注入材支持部が、円筒形を
なす支持部材の外周に形成されていることを特徴とする
請求項１に記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】 上記円筒形の端面に該当する面に沿って
移動可能にしたことを特徴とする請求項１に記載のイオ
ン注入装置。 - 【請求項４】 上記被イオン注入材を、イオンビームに
対して傾斜可能な位置にくることを可能ならしめたこと
を特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。 - 【請求項５】 上記円筒形をなす支持部材に被イオン注
入材支持部が形成された構造が、複数組み合わされてな
ることを特徴とする請求項２に記載のイオン注入装置。 - 【請求項６】 円の直径に該当する線が複数本、該円の
中心に該当する位置で結合して組み合われた形態の骨格
を備え、該骨格の外端部に、上記円の直径に該当する線
に直角に被イオン注入材が配置されるように被イオン注
入材支持部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の
イオン注入装置。 - 【請求項７】 上記骨格の外端部に被イオン注入材支持
部を設けた構造が、複数組み合わされてなることを特徴
とする請求項６に記載のイオン注入装置。 - 【請求項８】 複数枚の平板状被イオン注入材を、円筒
形の外周に相当する位置に該外周に沿う形態でその被イ
オン注入面が外側を向く位置に配置し得る複数の被イオ
ン注入材支持部を有し、 該被イオン注入材支持部は、該円筒形の回転中心軸に該
当する点を中心に回転させることにより順次各被イオン
注入材支持部がイオンビーム照射位置に来ることを可能
ならしめたイオン注入装置を用いて、 上記複数の被イオン注入材支持部の１以上の支持部に半
導体ウエーハを支持させ、該半導体ウエーハにイオン注
入を行う工程を具備することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141739A JP2000331640A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | イオン注入装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141739A JP2000331640A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | イオン注入装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331640A true JP2000331640A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15299087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11141739A Pending JP2000331640A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | イオン注入装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331640A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005533391A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ターゲットの移動をともなうプラズマ注入システムおよび方法 |
| JP2021022676A (ja) * | 2019-07-29 | 2021-02-18 | 株式会社アルバック | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11141739A patent/JP2000331640A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005533391A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ターゲットの移動をともなうプラズマ注入システムおよび方法 |
| JP2021022676A (ja) * | 2019-07-29 | 2021-02-18 | 株式会社アルバック | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
| JP7256712B2 (ja) | 2019-07-29 | 2023-04-12 | 株式会社アルバック | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
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