JP2000332266A - ショットキバリアダイオード及びその製造方法 - Google Patents
ショットキバリアダイオード及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エピタキシャル層の厚みを薄くして順方向電
圧を低くし、耐圧も低下することがないショットキバリ
アダイオードを提供する。 【解決手段】 第１導電型の半導体基板１上に形成した
厚さ２．０〜３μｍのエピタキシャル層２の表面にポリ
シリコン膜６を形成し、このポリシリコン膜６上から第
２導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ０．２〜０．５
μｍのガードリング層４を環状に形成する。そして、ガ
ードリング層４の内周縁より内側に形成したポリシリコ
ン膜６を取り除き、ショットキメタルとなる金属層７を
エピタキシャル層の表面に接して形成する。このため、
逆バイアス時に広がる空乏層８の範囲が狭くなることが
なく、耐圧の低下を抑えることができる。
圧を低くし、耐圧も低下することがないショットキバリ
アダイオードを提供する。 【解決手段】 第１導電型の半導体基板１上に形成した
厚さ２．０〜３μｍのエピタキシャル層２の表面にポリ
シリコン膜６を形成し、このポリシリコン膜６上から第
２導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ０．２〜０．５
μｍのガードリング層４を環状に形成する。そして、ガ
ードリング層４の内周縁より内側に形成したポリシリコ
ン膜６を取り除き、ショットキメタルとなる金属層７を
エピタキシャル層の表面に接して形成する。このため、
逆バイアス時に広がる空乏層８の範囲が狭くなることが
なく、耐圧の低下を抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル層
の表面に逆導電型のガードリング層を備えたショットキ
バリアダイオード（以下、「ＳＢＤ」という。）に関す
る。
の表面に逆導電型のガードリング層を備えたショットキ
バリアダイオード（以下、「ＳＢＤ」という。）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のようにＳＢＤは、金属と半導体と
の接触によって生じる電位障壁を利用したダイオードで
あり、ＰＮ接合のダイオードに比べて順方向電圧が低い
という利点がある反面、一般に耐圧が低く、逆方向特性
が悪いという欠点がある。
の接触によって生じる電位障壁を利用したダイオードで
あり、ＰＮ接合のダイオードに比べて順方向電圧が低い
という利点がある反面、一般に耐圧が低く、逆方向特性
が悪いという欠点がある。
【０００３】この欠点を解決する手段として、従来から
ガードリング層を設けた構造のＳＢＤが用いられてい
る。図３に示すように、Ｎ+ 型のシリコン基板１上に形
成したＮ- 型のエピタキシャル層２の表面に環状の熱酸
化膜５を形成し、この熱酸化膜６で囲まれた開口部９に
エピタキシャル層２の表面と接してショットキメタルと
なる金属層７を形成し、ショットキ接合面３を形成して
いる。
ガードリング層を設けた構造のＳＢＤが用いられてい
る。図３に示すように、Ｎ+ 型のシリコン基板１上に形
成したＮ- 型のエピタキシャル層２の表面に環状の熱酸
化膜５を形成し、この熱酸化膜６で囲まれた開口部９に
エピタキシャル層２の表面と接してショットキメタルと
なる金属層７を形成し、ショットキ接合面３を形成して
いる。
【０００４】ショットキ接合面３の周縁は電界集中が起
こりやすく、耐圧が低下するなど逆方向特性が劣化する
原因となる。このため、ショットキ接合面３の周囲に金
属層７と接してＰ型のガードリング層４を環状に形成
し、逆バイアス時にガードリング層４とエピタキシャル
層２とのＰＮ接合から発生する空乏層８の広がりによ
り、耐圧の低下を防いでいる。
こりやすく、耐圧が低下するなど逆方向特性が劣化する
原因となる。このため、ショットキ接合面３の周囲に金
属層７と接してＰ型のガードリング層４を環状に形成
し、逆バイアス時にガードリング層４とエピタキシャル
層２とのＰＮ接合から発生する空乏層８の広がりによ
り、耐圧の低下を防いでいる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、携帯機器等の消
費電力削減のため、ＳＢＤの順方向電圧をさらに低くす
ることが要求されている。ＳＢＤの順方向電圧は、エピ
タキシャル層の厚さを薄くすることで低くできるが、エ
ピタキシャル層の厚さを薄くすると空乏層の広がる範囲
が狭くなり、耐圧が低下するという問題がある。すなわ
ち、従来のＳＢＤにおいては、エピタキシャル層の厚み
が、例えば４．０〜６．０μｍ程度、ガードリング層の
厚みが、例えば１．５μｍ程度であったのに対し、エピ
タキシャル層の厚みを、例えば３．０μｍ程度と薄くし
た場合、順方向電圧は低くできるが、ガードリング層か
ら半導体基板までの距離が短くなるため、空乏層の広が
る範囲が狭くなり、耐圧が低下してしまう。
費電力削減のため、ＳＢＤの順方向電圧をさらに低くす
ることが要求されている。ＳＢＤの順方向電圧は、エピ
タキシャル層の厚さを薄くすることで低くできるが、エ
ピタキシャル層の厚さを薄くすると空乏層の広がる範囲
が狭くなり、耐圧が低下するという問題がある。すなわ
ち、従来のＳＢＤにおいては、エピタキシャル層の厚み
が、例えば４．０〜６．０μｍ程度、ガードリング層の
厚みが、例えば１．５μｍ程度であったのに対し、エピ
タキシャル層の厚みを、例えば３．０μｍ程度と薄くし
た場合、順方向電圧は低くできるが、ガードリング層か
ら半導体基板までの距離が短くなるため、空乏層の広が
る範囲が狭くなり、耐圧が低下してしまう。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、エピタキシャル層の厚さを薄くしても、耐圧が低下
することのないＳＢＤを提供することを目的とする。
り、エピタキシャル層の厚さを薄くしても、耐圧が低下
することのないＳＢＤを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係るＳＢＤは、第１導電型の半導体基板上に
形成したエピタキシャル層の表面から第２導電型のガー
ドリング層を環状に形成し、エピタキシャル層及びガー
ドリング層と接する金属層を形成したショットキバリア
ダイオードであって、ガードリング層の厚みを０．２〜
０．５μｍの範囲としたものである。この本発明によれ
ばガードリング層の厚みを０．５μｍ以下と薄く形成す
ることにより、空乏層が広がることのできる範囲が広く
なり、耐圧を高くすることができる。ガードリング層の
厚みを０．２μｍ以上としたのは、これ以下の厚みとな
ると金属層を形成する際に形成されるシリサイドによ
り、ガードリング層が破壊されるのを防ぐためである。
また、エピタキシャル層の厚みは２．０〜３．０μｍ程
度であることが好ましい。このようにエピタキシャル層
の厚みを従来より薄く形成することにより順方向電圧を
低くしつつ、耐圧の低下を防ぐことができる。
に本発明に係るＳＢＤは、第１導電型の半導体基板上に
形成したエピタキシャル層の表面から第２導電型のガー
ドリング層を環状に形成し、エピタキシャル層及びガー
ドリング層と接する金属層を形成したショットキバリア
ダイオードであって、ガードリング層の厚みを０．２〜
０．５μｍの範囲としたものである。この本発明によれ
ばガードリング層の厚みを０．５μｍ以下と薄く形成す
ることにより、空乏層が広がることのできる範囲が広く
なり、耐圧を高くすることができる。ガードリング層の
厚みを０．２μｍ以上としたのは、これ以下の厚みとな
ると金属層を形成する際に形成されるシリサイドによ
り、ガードリング層が破壊されるのを防ぐためである。
また、エピタキシャル層の厚みは２．０〜３．０μｍ程
度であることが好ましい。このようにエピタキシャル層
の厚みを従来より薄く形成することにより順方向電圧を
低くしつつ、耐圧の低下を防ぐことができる。
【０００８】また、本発明によるＳＢＤの製造方法は、
第１導電型の半導体基板上に形成したエピタキシャル層
の表面から第２導電型のガードリング層を環状に形成
し、エピタキシャル層及びガードリング層と接する金属
層を形成するショットキバリアダイオードの製造方法で
あって、エピタキシャル層の表面にポリシリコン膜を形
成し、このポリシリコン膜上から第２導電型の不純物を
環状に導入してガードリング層を形成するものである。
この本発明によれば、ポリシリコン膜上から不純物を導
入するため、０．２〜０．５μｍ程度といった薄いガー
ドリング層を形成することができる。
第１導電型の半導体基板上に形成したエピタキシャル層
の表面から第２導電型のガードリング層を環状に形成
し、エピタキシャル層及びガードリング層と接する金属
層を形成するショットキバリアダイオードの製造方法で
あって、エピタキシャル層の表面にポリシリコン膜を形
成し、このポリシリコン膜上から第２導電型の不純物を
環状に導入してガードリング層を形成するものである。
この本発明によれば、ポリシリコン膜上から不純物を導
入するため、０．２〜０．５μｍ程度といった薄いガー
ドリング層を形成することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１０】図１は本実施形態に係るＳＢＤの断面図で
ある。Ｎ+ 型のシリコン基板１上に形成したＮ- 型のエ
ピタキシャル層２の表面には熱酸化膜５が環状に形成さ
れている。この熱酸化膜５で囲まれた開口部９にはエピ
タキシャル層２の表面からＰ型のガードリング層４が環
状に形成されている。ガードリング層４表面の一部はポ
リシリコン膜６で覆われ、ガードリング層４の外周縁を
保護している。ガードリング層４で囲まれたエピタキシ
ャル層２及びガードリング層４の一部と接してショット
キメタルとなる金属層７が形成され、ショットキ接合面
３を形成している。ショットキメタルには、例えばＴ
ｉ、Ｍｏ、及びＣｒから選ばれる金属材料が用いられて
いる。従来のＳＢＤではエピタキシャル層２の厚さは、
例えば４．０〜６．０μｍ程度であったが、本発明によ
るＳＢＤはエピタキシャル層２の厚さを２．０〜３．０
μｍ程度と薄くしたため、シリーズ抵抗を下げることで
順方向電圧を低くすることができる。また、従来のＳＢ
Ｄではガードリング層４の厚さは、例えば１．５μｍ程
度であったが、本発明によるＳＢＤはガードリング層４
の厚さを０．２〜０．５μｍ程度と薄く形成したため、
エピタキシャル層２を薄く形成しても逆バイアス時に空
乏層８が広がることができる範囲が狭くなることがな
く、耐圧の低下を防ぐことができる。なお、ガードリン
グ層４の厚さが０．２μｍ以下となると、この上に金属
層を形成する際に形成されるシリサイドによりガードリ
ング層４が破壊されてしまう。
ある。Ｎ+ 型のシリコン基板１上に形成したＮ- 型のエ
ピタキシャル層２の表面には熱酸化膜５が環状に形成さ
れている。この熱酸化膜５で囲まれた開口部９にはエピ
タキシャル層２の表面からＰ型のガードリング層４が環
状に形成されている。ガードリング層４表面の一部はポ
リシリコン膜６で覆われ、ガードリング層４の外周縁を
保護している。ガードリング層４で囲まれたエピタキシ
ャル層２及びガードリング層４の一部と接してショット
キメタルとなる金属層７が形成され、ショットキ接合面
３を形成している。ショットキメタルには、例えばＴ
ｉ、Ｍｏ、及びＣｒから選ばれる金属材料が用いられて
いる。従来のＳＢＤではエピタキシャル層２の厚さは、
例えば４．０〜６．０μｍ程度であったが、本発明によ
るＳＢＤはエピタキシャル層２の厚さを２．０〜３．０
μｍ程度と薄くしたため、シリーズ抵抗を下げることで
順方向電圧を低くすることができる。また、従来のＳＢ
Ｄではガードリング層４の厚さは、例えば１．５μｍ程
度であったが、本発明によるＳＢＤはガードリング層４
の厚さを０．２〜０．５μｍ程度と薄く形成したため、
エピタキシャル層２を薄く形成しても逆バイアス時に空
乏層８が広がることができる範囲が狭くなることがな
く、耐圧の低下を防ぐことができる。なお、ガードリン
グ層４の厚さが０．２μｍ以下となると、この上に金属
層を形成する際に形成されるシリサイドによりガードリ
ング層４が破壊されてしまう。
【００１１】以下、図２を用いて本実施形態に係るＳＢ
Ｄの製造方法について説明する。図２（ａ）に示すよう
に、比抵抗が３〜５ｍΩ程度で厚さ４００μｍ程度のシ
リコン基板１上に、比抵抗が１〜２Ωｃｍ程度で厚さ
２．０〜３．０μｍ程度のエピタキシャル層２を成長さ
せ、エピタキシャル層２上に開口部９を有する熱酸化膜
５を形成する。
Ｄの製造方法について説明する。図２（ａ）に示すよう
に、比抵抗が３〜５ｍΩ程度で厚さ４００μｍ程度のシ
リコン基板１上に、比抵抗が１〜２Ωｃｍ程度で厚さ
２．０〜３．０μｍ程度のエピタキシャル層２を成長さ
せ、エピタキシャル層２上に開口部９を有する熱酸化膜
５を形成する。
【００１２】次いで、図２（ｂ）に示すように、開口部
９を含む熱酸化膜５上にポリシリコン膜６を形成し、ポ
リシリコン膜６上から開口部９にＰ型の不純物を蒸着す
る。そして約１０００℃の温度で３０分間程度ドライブ
拡散してガードリング層４を形成する。この際、ポリシ
リコン膜６上から不純物を蒸着、拡散するため、０．２
〜０．５μｍ程度といった薄いガードリング層４を形成
することができる。
９を含む熱酸化膜５上にポリシリコン膜６を形成し、ポ
リシリコン膜６上から開口部９にＰ型の不純物を蒸着す
る。そして約１０００℃の温度で３０分間程度ドライブ
拡散してガードリング層４を形成する。この際、ポリシ
リコン膜６上から不純物を蒸着、拡散するため、０．２
〜０．５μｍ程度といった薄いガードリング層４を形成
することができる。
【００１３】次に、図２（ｃ）に示すように、ガードリ
ング層４の表面中央より内側に形成された熱酸化膜５及
びポリシリコン膜６をエッチングにより取り除き、エピ
タキシャル層２及びガードリング層４を露出させる。
ング層４の表面中央より内側に形成された熱酸化膜５及
びポリシリコン膜６をエッチングにより取り除き、エピ
タキシャル層２及びガードリング層４を露出させる。
【００１４】この後、図２（ｄ）に示すように、エピタ
キシャル層２及びガードリング層４の一部と接してショ
ットキメタルとなる金属層７を形成し、ショットキ接合
面３を形成する。
キシャル層２及びガードリング層４の一部と接してショ
ットキメタルとなる金属層７を形成し、ショットキ接合
面３を形成する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ポ
リシリコン膜上から不純物を導入してガードリング層を
形成するため、０．５μｍ以下といった極めて薄いガー
ドリング層を形成することができる。このため、逆バイ
アス時に空乏層が広がることができる範囲を広くするこ
とができ、耐圧を向上させることができる。
リシリコン膜上から不純物を導入してガードリング層を
形成するため、０．５μｍ以下といった極めて薄いガー
ドリング層を形成することができる。このため、逆バイ
アス時に空乏層が広がることができる範囲を広くするこ
とができ、耐圧を向上させることができる。
【図１】本発明の実施形態に係るＳＢＤの断面図
【図２】本発明の実施形態に係るＳＢＤの製造工程図
【図３】従来のＳＢＤの断面図
１ シリコン基板 ２ エピタキシャル層 ３ ショットキ接合面 ４ ガードリング層 ５ 熱酸化膜 ６ ポリシリコン膜 ７ 金属層 ８ 空乏層 ９ 開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板上に形成したエ
ピタキシャル層の表面から第２導電型のガードリング層
を環状に形成し、前記エピタキシャル層及び前記ガード
リング層と接する金属層を形成したショットキバリアダ
イオードであって、前記ガードリング層の厚みを０．２
〜０．５μｍとしたことを特徴とするショットキバリア
ダイオード。 - 【請求項２】 前記エピタキシャル層の厚みを２．０〜
３．０μｍとした請求項１記載のショットキバリアダイ
オード。 - 【請求項３】 第１導電型の半導体基板上に形成したエ
ピタキシャル層の表面から第２導電型のガードリング層
を環状に形成し、前記エピタキシャル層及び前記ガード
リング層と接する金属層を形成するショットキバリアダ
イオードの製造方法であって、前記エピタキシャル層の
表面にポリシリコン膜を形成し、前記ポリシリコン膜上
から第２導電型の不純物を導入することで前記ガードリ
ング層の厚さを０．３〜０．５μｍに形成することを特
徴とするショットキバリアダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14287799A JP3620344B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14287799A JP3620344B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332266A true JP2000332266A (ja) | 2000-11-30 |
| JP3620344B2 JP3620344B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=15325682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14287799A Expired - Fee Related JP3620344B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3620344B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032909A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Toko Inc | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP14287799A patent/JP3620344B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032909A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Toko Inc | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
Also Published As
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|---|---|
| JP3620344B2 (ja) | 2005-02-16 |
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