JP2000334019A - 超音波美容器 - Google Patents
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Abstract
の金属部の他の面に接着される圧電素子11を有するプ
ローブと、超音波周波数の信号を生成する発振器121
およびこの出力信号を電力増幅する駆動回路122によ
り成り、圧電素子11に対してこの圧電素子11を超音
波振動させるための高周波電力を供給する発振駆動回路
12と、圧電素子11の出力変動、例えば圧電素子11
への供給電力の変動の検出を行う検出回路13と、その
検出結果に応じて圧電素子11に対する出力が一定とな
るように発振駆動回路12の出力制御を行う制御回路1
4とを備えた。
Description
して肌のマッサージを行う超音波美容器に関するもので
ある。
などが種々市販され、また提案されている。
は、超音波導子用交流源の周波数と異なる周波数を有
し、超音波導子用交流源と同時に出力状態となる警告表
示灯用交流源と、超音波導子用交流源の出力と警告表示
灯用交流源の出力とを重畳する結合手段と、超音波導子
に設けられ、結合手段の出力から警告表示灯用交流源の
周波数成分を抽出して警告表示灯へ供給する周波数抽出
手段とを備え、ケーブルの軽量化を図る超音波治療器が
記載されている。
は、超音波ヘッドの生体面での接触移動が停止したと
き、その停止を検出するセンサと、このセンサからヘッ
ド停止信号が出力されたとき、この出力に基いて超音波
ヘッドから照射される超音波刺激を減弱または停止させ
る制御回路とを備える超音波を応用した美容・痩身器が
開示されている。
一の面が肌接触面となる金属部およびこの金属部の他の
面に接合される圧電素子を有するプローブを備えた超音
波美容器の場合、その圧電素子には、肌接触面に対する
肌接触状態によってインピーダンスが変動する特性があ
り、この特性の変動によって圧電素子から金属部を介し
て肌に作用する音響出力が変化するので、上記超音波治
療器および美容・痩身器の回路構成では、期待通りのマ
ッサージ効果を得ることができない問題がある。
であり、好適なマッサージ効果が得られる超音波美容器
を提供することを目的とする。
に請求項1記載の発明の超音波美容器は、一の面が肌接
触面となる金属部およびこの金属部の他の面に接合され
る圧電素子を有するプローブと、前記圧電素子に対して
この圧電素子を超音波振動させるための高周波電力を供
給する発振駆動回路と、前記圧電素子の出力変動の検出
を行う検出回路と、前記検出結果に応じて前記圧電素子
に対する出力が一定となるように前記発振駆動回路の出
力制御を行う制御回路とを備えるのである。
の面が肌接触面となる金属部およびこの金属部の他の面
に接合される圧電素子を有するプローブと、前記圧電素
子に対してこの圧電素子を超音波振動させるための高周
波電力を供給する発振駆動回路と、前記圧電素子の出力
変動の検出を行う検出回路と、前記検出結果に応じて前
記圧電素子に対する出力レベルが所定の出力レベルにな
るように前記発振駆動回路の出力変更を行う制御回路と
を備えるものである。
記載の超音波美容器において、前記検出回路が前記発振
駆動回路の前記圧電素子に対する出力側に設けられてい
るものである。
記載の超音波美容器において、前記検出回路が前記発振
駆動回路の入力側に設けられているものである。
記載の超音波美容器において、前記制御回路が前記発振
駆動回路から前記圧電素子への供給電力を制御するもの
である。
記載の超音波美容器において、前記制御回路が前記発振
駆動回路の発振周波数を制御するものである。
記載の超音波美容器において、前記制御回路が前記発振
駆動回路のデューティを制御するものである。
記載の超音波美容器において、前記制御回路が、前記発
振駆動回路に対して、前記圧電素子への電力供給の開始
時には、目標電力より小さい電力から供給を開始させる
制御を行うものである。
記載の超音波美容器において、前記制御回路が、前記発
振駆動回路に対して、前記肌接触面に対する肌接触状態
の変化時には、前記圧電素子への電力供給を目標電力よ
り小さい電力から開始させる制御を行うものである。
る超音波美容器の概略回路構成図、図2はプローブおよ
び本体を示す断面図、図3は図1に示す圧電素子の共振
周波数付近でのインピーダンス特性図、図4は図1に示
す制御回路の制御説明図で、これらの図を用いて以下に
第1実施形態の説明を行う。
の面(図では上面)が肌接触面となる金属部10および
この金属部10の素子接着面である他の面(図では下
面)に接着される圧電素子11を有するプローブ1を備
えているとともに、プローブ1の圧電素子11と接続線
CWを介して接続される本体2とを備えている。
に、圧電素子11に対してこの圧電素子11を超音波振
動させるための高周波電力を供給する発振駆動回路12
と、圧電素子11の出力変動の検出を行う検出回路13
と、その検出結果に応じて圧電素子11に対する出力が
一定となるように発振駆動回路12の出力制御を行う制
御回路14とを備えたものになっている。
発振駆動回路12は、超音波周波数の信号を生成する発
振器121と、この発振器121により生成された信号
を電力増幅して駆動信号(高周波電力)S12として圧
電素子11に供給する駆動回路122とにより構成され
ている。
る高周波電力を検出して、検出した電力レベルに応じた
レベルの電圧を検出信号S13として制御回路14に出
力する。すなわち、圧電素子11への供給電力が大きい
ほど検出信号S13の電圧レベルがより高くなり、供給
電力が小さいほど検出信号S13の電圧レベルがより低
くなるのである。また、設計段階で決められる通常接触
状態での検出信号S13の電圧レベルが目標電圧レベル
として設定される。
性について説明すると、このインピーダンス特性は、図
3に示すように、肌接触面に肌が接触している場合と接
触していない場合とでそれぞれ特性Aと特性Bとに変化
する。図3の例では、周波数1000KHzで回路を発
振させたとき、特性Aのインピーダンスが15Ωである
のに対して、特性Bのインピーダンスは2Ωと小さくな
る。このため、20Vの電圧で発振させたとき、27W
(=202 V÷15Ω)の出力が200W(=202 V
÷2Ω)の出力になるから、圧電素子11のインピーダ
ンス特性が特性Aから特性Bに変化したときに消費電力
(=音響出力)が増大することとなる。つまり、金属部
10の肌接触面に対する肌接触状態の変化が圧電素子1
1のインピーダンスの変化となり、圧電素子11の電力
変化となり、そして音響出力変化となって現れるのであ
る。このように音響出力が変化すると、好適なマッサー
ジ効果が得られないばかりか、別の望ましくない問題が
発生する可能性もある。
13に加えて、この検出回路13からの検出信号S13
に応じて駆動信号S12のレベル調整を行う制御回路1
4が具備されるのである。すなわち、検出信号S13の
電圧レベルが目標電圧レベルより低ければ、検出回路1
3からの検出信号S13の電圧レベルが目標電圧レベル
になるように、発振駆動回路12に対して、圧電素子1
1への電力供給量を増やす制御が行われる。一方、検出
信号S13の電圧レベルが目標電圧レベルより高けれ
ば、検出回路13からの検出信号S13の電圧レベルが
目標電圧レベルになるように、発振駆動回路12に対し
て、圧電素子11への電力供給量を減らす制御が行われ
る。
では、圧電素子11への供給電力が目標供給電力になる
とともに、検出信号S13の電圧レベルが目標電圧レベ
ルとなり、発振駆動回路12から圧電素子11への電力
供給状態がそのまま維持される。
が肌に押し付けられる過剰押付状態になると(時点t1
1)、圧電素子11のインピーダンス値が大きくなっ
て、圧電素子11への供給電力が小さくなるので、その
供給電力が小さくなった分に応じて降圧された電圧レベ
ルの検出信号S13が検出回路13から出力される。そ
の検出信号S13が制御回路14に取り込まれると、検
出回路13からの検出信号S13の電圧レベルが目標電
圧レベルになるように、発振駆動回路12に対して、圧
電素子11への電力供給量を増やす制御が行われる。こ
の制御が繰り返し行われることにより、検出信号S13
の電圧レベルが目標電圧レベルになるとともに、圧電素
子11への供給電力が目標供給電力になる(時点t1
2)。
態になると(時点t13)、圧電素子11のインピーダ
ンス値が小さくなって、圧電素子11への供給電力が大
きくなるので、その供給電力が大きくなった分に応じて
昇圧された電圧レベルの検出信号S13が検出回路13
から出力される。その検出信号S13が制御回路14に
取り込まれると、検出回路13からの検出信号S13の
電圧レベルが目標電圧レベルになるように、発振駆動回
路12に対して、圧電素子11への電力供給量を減らす
制御が行われる。この制御が繰り返し行われることによ
り、検出信号S13の電圧レベルが目標電圧レベルにな
るとともに、圧電素子11への供給電力が目標供給電力
になる(時点t14)。
の肌接触面に対する肌の接触状態に応じて、圧電素子1
1のインピーダンスが変動して圧電素子11への供給電
力が変動しても、この供給電力の変動が目標供給電力に
補正されるので、金属部10からの音響出力をほぼ一定
にすることができる。これにより、好適なマッサージ効
果、すなわち一定の音響出力による安定したマッサージ
効果を得ることができるとともに、音響出力の望ましく
ない変化に起因する種々の問題を防止することが可能と
なる。
よって、圧電素子11に対する供給電力の検出が行わ
れ、この検出結果として、供給電力の変動に応じた検出
信号の出力が行われる構成になっているが、これに限ら
ず、圧電素子11に対する電圧または電流の検出が行わ
れ、この検出結果として、その変動に応じた検出信号の
出力が行われる構成でもよい。
美容器の概略回路構成図、図6は図5に示す制御回路の
制御説明図で、これらの図を用いて以下に第2実施形態
の説明を行う。
電素子11、発振駆動回路12および検出回路13を第
1実施形態と同様に備えているほか、第1実施形態との
相違点として制御回路24を備えている。
検出信号S13に応じて圧電素子11に対する出力レベ
ルが所定の出力レベルになるように発振駆動回路12の
出力変更を行うものである。すなわち、制御回路24
は、複数、第2実施形態では図6の例に示すように2つ
の基準値Ref1,Ref2(Ref1<Ref2)を有し、検出信号S
13の電圧レベルが基準値Ref1より高く基準値Ref2より
低ければ、検出信号S13からの電圧レベルが制御値Ta
r1になるように、圧電素子11への電力供給量を減らす
一方、検出信号S13の電圧レベルが基準値Ref2より高
ければ、検出信号S13からの電圧レベルが制御値Tar2
(<Tar1)になるように、圧電素子11への電力供給量
を減らす制御を発振駆動回路12に対して行う。ただ
し、基準値Ref1は、通常接触状態における検出信号S1
3より高い電圧レベルに設定される。
うと、通常接触状態では、図6の例に示すように、圧電
素子11への供給電力から得られる検出信号S13の電
圧レベルが2つの基準値Ref1,Ref2よりも低いので、発
振駆動回路12から圧電素子11への電力供給状態がそ
のまま維持される。
触状態が若干弱くなり、圧電素子11のインピーダンス
値が若干小さくなって圧電素子11への供給電力が大き
くなる非接触状態に変化すると、検出信号S13の電圧
レベルが基準値Ref1より高く基準値Ref2より低くなり
(時点t21)、検出信号S13からの電圧レベルが制
御値Tar1になるように、圧電素子11への電力供給量を
減らす制御が行われる。この制御が繰り返し行われるこ
とにより、検出信号S13の電圧レベルが制御値Tar1に
なるとともに(時点t22)、圧電素子11への供給電
力が通常接触状態の供給電力の範囲内に調整されること
となる。
1のインピーダンス値がさらに小さくなって圧電素子1
1への供給電力がさらに大きくなるので、検出信号S1
3の電圧レベルが基準値Ref2より高くなり(時点t2
3)、検出信号S13からの電圧レベルが制御値Tar2に
なるように、圧電素子11への電力供給量を減らす制御
が行われる。この制御が繰り返し行われることにより、
検出信号S13の電圧レベルが制御値Tar2になるととも
に(時点t24)、圧電素子11への供給電力が通常接
触状態の供給電力の範囲内に調整されることとなる。
になると、圧電素子11への供給電力を通常接触状態の
供給電力の範囲内に調整することができるとともに、非
接触状態になると、圧電素子11への供給電力を通常接
触状態の供給電力の範囲内で半接触状態の場合よりも小
さい電力に調整することができるので、例えば従来と同
様に設定される通常状態、第2実施形態で特徴となる半
接触状態および非接触状態の各肌接触状態に応じて、音
響出力が好適に変化することとなる。これにより、好適
なマッサージ効果、すなわち肌接触状態に応じて好適に
(望ましく)変わるマッサージ効果を得ることができる
とともに、音響出力の望ましくない変化に起因する種々
の問題を防止することができる。
美容器の概略回路構成図、図8は図7に示す各回路の動
作波形図で、これらの図を用いて以下に第3実施形態の
説明を行う。
電素子11を第1実施形態と同様に備えているほか、第
1実施形態との相違点として、発振駆動回路32、検出
回路33および制御回路34を備えている。
てこの圧電素子11を超音波振動させるための高周波電
力を供給するものであって、発振器121を第1実施形
態と同様に備えているほか、具体回路例として、プッシ
ュプル回路を構成する抵抗R321,R322およびF
ETQ321,Q322により成り、発振器121で生
成された信号を電力増幅して駆動信号S32として圧電
素子11に供給する駆動回路322を備えている。
1および抵抗R331により成り、駆動信号S32と相
関のある圧電素子11に流れる電流を電圧として検出す
る電流検出回路331と、ダイオードD331、コンデ
ンサC331および抵抗R332により成り、電流検出
回路331で検出された電圧から高周波成分を除去し
て、圧電素子11への電流レベルに応じたレベルの電圧
を検出信号S33として制御回路34に出力する包絡線
検波回路332とを備えている。なお、電流検出回路3
31に代えて、低抵抗(例えば0.1Ω)を採用する構
成でもよい。
R341、トランジスタQ341、インダクタL34
1、コンデンサC341および電解コンデンサC342
により成り、検出回路33からの検出信号S33に応じ
て駆動信号S32のレベル調整を行うべく、検出信号S
33の電圧に応じてレベルが変化する電圧を制御信号S
34として駆動回路322に出力するものである。これ
により、検出信号S33の電圧レベルが高くなるほど、
制御信号S34の電圧レベルがより一層低くなって、駆
動信号S32によって圧電素子11に供給される電力が
より一層小さくなる。これに対して、検出信号S33の
電圧レベルが低くなるほど、制御信号S34の電圧レベ
ルがより一層高くなって、駆動信号S32によって圧電
素子11に供給される電力がより一層大きくなる。ただ
し、制御回路34は、圧電素子11に供給される電力が
目標供給電力になると、出力としての制御信号S34の
電圧レベルが平衡するように構成される。
うと、非接触状態では、図8の例に示すように、圧電素
子11への供給電力が目標供給電力より大きく、その供
給電力に応じたレベルの電流(電流検出回路の検出電
流)が電圧(電流検出回路の出力電圧)として検出さ
れ、この検出された電圧が、高周波成分の除去後に検出
信号S33(包絡線検波回路の出力電圧)として、検出
回路33から制御回路34に出力される。この後、検出
信号S33に応じて電圧レベルの低くなった制御信号S
34が制御回路34から駆動回路322にこの駆動回路
322の電源電圧として出力される。この結果、駆動信
号S32の電圧レベルが低くなり、圧電素子11に供給
される電力が小さくなる。このような回路動作が繰り返
し行われることにより、圧電素子11に供給される電力
が目標供給電力に調整されることとなる(時点t3
1)。
される接触状態になると、圧電素子11のインピーダン
ス値が大きくなって圧電素子11への供給電力が小さく
なり(時点t32)、その供給電力に応じたレベルの電
流が電圧として検出され、この検出された電圧が、高周
波成分の除去後に検出信号S33として、検出回路33
から制御回路34に出力される。この後、検出信号S3
3に応じて電圧レベルの高くなった制御信号S34が制
御回路34から駆動回路322に出力され、この結果、
駆動信号S32の電圧レベルが高くなり、圧電素子11
に供給される電力が大きくなる。このような回路動作が
繰り返し行われることにより、圧電素子11に供給され
る電力が目標供給電力に調整されることとなる(時点t
33)。
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、圧電素
子11のインピーダンス変化に起因する変化(電圧、電
流、電力)を高精度に検出することが可能になる。例え
ば、発振回路構成として、電源、駆動回路、圧電素子が
存在し、電源で7W、駆動回路で5W、圧電素子で4W
の出力を出すことができる時、電源から駆動回路へのロ
スは2Wで、71%の効率である。また、駆動回路から
圧電素子へのロスは1Wで、80%の効率である。それ
ぞれの効率の誤差が±5%あったとき、駆動回路の圧電
素子側での検出であれば5%の測定誤差で検出できる
が、駆動回路の電源側であると25%の誤差となる上、
駆動回路のロスが重なり、検出精度は落ちる。つまり、
駆動回路の圧電素子側での検出は高精度な検出が可能と
なる。
美容器の概略回路構成図、図10は図9に示す各回路の
動作波形図で、これらの図を用いて以下に第4実施形態
の説明を行う。
電素子11を第1実施形態と同様に備えているほか、第
1実施形態との相違点として、発振駆動回路42、検出
回路43および制御回路44を備えている。ただし、こ
れら発振駆動回路42、検出回路43および制御回路4
4は、共振周波数〜反共振周波数の範囲(インピーダン
ス特性が線形となる範囲)内で動作するように以下のよ
うに構成される(図3参照)。
てこの圧電素子11を超音波振動させるための高周波電
力を供給するものであって、その高周波電力としての駆
動信号S32を圧電素子11に供給する駆動回路322
を第3実施形態と同様に備えているほか、具体回路例と
して、VCOを構成する抵抗R421、コンデンサC4
21、可変容量ダイオードD421、コンデンサC42
2、抵抗R422および2入力NAND422により成
り、超音波周波数の信号を生成して駆動回路322の入
力に出力する発振器421を備えている。
側、詳しくは駆動回路322に対する電力供給経路上に
設けられる抵抗R431により成り、駆動信号S32と
相関のある駆動回路322に供給される電力を検出信号
S43(抵抗R431の電圧降下)として検出するもの
である。
ンデンサC341および電解コンデンサC342を第3
実施形態と同様に備えているほか、差動増幅器441お
よび抵抗R441〜R444を備えて成り、検出回路4
3からの検出信号S43に応じてレベルが変化する電圧
を制御信号S44として発振器421の入力に出力する
ものである。
うと、非接触状態では、図10の例に示すように、圧電
素子11への供給電力が目標供給電力より大きくなり、
その供給電力に応じた大きな電圧降下が抵抗R431で
生じ、その電圧降下が検出信号S43として検出回路4
3から制御回路44に取り込まれる。そうすると、制御
回路44から発振器421への制御信号S44の電圧レ
ベルが高くなり、発振器421の出力周波数が高くな
る。この結果、圧電素子11のインピーダンスが高くな
り(図3の線形範囲参照)、圧電素子11への供給電力
が小さくなる。このような回路動作が繰り返し行われる
ことにより、圧電素子11に供給される電力が目標供給
電力に調整されることとなる(時点t41)。
される接触状態になると、圧電素子11のインピーダン
ス値が大きくなって圧電素子11への供給電力が小さく
なり(時点t42)、抵抗R431での電圧降下が小さ
くなって検出信号S43として検出回路43から制御回
路44に取り込まれる。そうすると、制御回路44から
発振器421への制御信号S44の電圧レベルが低くな
り、発振器421の出力周波数が低くなる。この結果、
圧電素子11のインピーダンスが低くなり、圧電素子1
1への供給電力が大きくなる。このような回路動作が繰
り返し行われることにより、圧電素子11に供給される
電力が目標供給電力に調整されることとなる(時点t4
3)。
と、例えば、接触状態で、1000KHzの発振周波数
で20Vの電圧が圧電素子11に印加している場合に非
接触状態になると、圧電素子11のインピーダンスが2
Ωになり、圧電素子11への供給電力が200Wになっ
て目標供給電力より大きくなる。この場合、発振周波数
を1008KHzに変更すれば、圧電素子11のインピ
ーダンスが15Ωとなり、圧電素子11への供給電力を
27Wに低減することができる。この後、接触状態にな
って圧電素子11のインピーダンスが22Ωとなり、圧
電素子11への供給電力が目標供給電力よりも低い18
Wになった場合には、発振周波数を1000KHzに変
更すれば、圧電素子11のインピーダンスが15Ωにな
り、圧電素子11への供給電力を目標供給電力である2
7Wに増大させることができる。
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、圧電素
子11のインピーダンス変化に起因する変化(電圧、電
流、電力)を高精度に検出することが可能になる。第3
実施形態と比較すると、発振回路効率要因が付加される
ものの、第3実施形態のような圧電素子側の高周波電圧
より低周波検出のため、より安定的な検出ができる。
器421はPLLでもよく、あるいはワンチップマイコ
ンにより制御が行われる構成でもよいのは言うまでもな
い。
波美容器の概略回路構成図、図12は図11に示す各回
路の動作波形図で、これらの図を用いて以下に第5実施
形態の説明を行う。
圧電素子11、検出回路33および制御回路34を第3
実施形態と同様に備えているほか、第3実施形態との相
違点として発振駆動回路52を備えている。
を第3実施形態と同様に備えているほか、検出回路33
からの検出信号S33を入力とする点以外は、第4実施
形態の発信器421と同様に構成される発信器521を
備えている。
うと、非接触状態では、図12の例に示すように、圧電
素子11への供給電力が目標供給電力より大きく、その
供給電力に応じたレベルの電流が電圧として検出され、
この検出された電圧が、高周波成分の除去後に検出信号
S33として、検出回路33から制御回路34および発
信器521の双方に出力される。この結果、圧電素子1
1に供給される電力が小さくなる。このような回路動作
が繰り返し行われることにより、圧電素子11に供給さ
れる電力が目標供給電力に調整されることとなる(時点
t51)。
への供給電力が小さくなり(時点t52)、その供給電
力に応じたレベルの電流が電圧として検出され、この検
出された電圧が、高周波成分の除去後に検出信号S33
として、検出回路33から制御回路34および発信器5
21の双方に出力される。この結果、圧電素子11に供
給される電力が大きくなる。このような回路動作が繰り
返し行われることにより、圧電素子11に供給される電
力が目標供給電力に調整されることとなる(時点t5
3)。
と、例えば、接触状態で、1000KHzの発振周波数
で20Vの電圧が圧電素子11に印加している場合に非
接触状態になると、圧電素子11のインピーダンスが2
Ωになり、圧電素子11への供給電力が200Wになっ
て目標供給電力より大きくなる。この場合、発振周波数
を1005KHzに変更すれば、圧電素子11のインピ
ーダンスが6Ωとなり、さらに制御信号S34の電圧を
約13Vに下げると、圧電素子11への供給電力を28
Wに低減することができる。この後、接触状態になって
圧電素子11のインピーダンスが20Ωとなり、圧電素
子11への供給電力が目標供給電力よりも低い8Wにな
った場合には、発振周波数を1000KHzに変更すれ
ば、圧電素子11のインピーダンスが15Ωになり、さ
らに制御信号S34の電圧を約20Vに上げると、圧電
素子11への供給電力を目標供給電力である28Wに増
大させることができる。
態と同様の効果を奏することが可能になる。また、例え
ば、電圧固定電流変動方式または電流固定電圧変動方式
のような制御方法で駆動回路322を制御することによ
り、発振周波数固定時のインピーダンス変化に応じた電
力供給を簡単な回路構成で行うことができる。
波美容器の概略回路構成図、図14は図13に示す各回
路の動作波形図で、これらの図を用いて以下に第6実施
形態の説明を行う。
圧電素子11、検出回路43および制御回路44を第4
実施形態と同様に備えているほか、第4実施形態との相
違点として発振駆動回路62を備えている。ただし、制
御回路44には、抵抗R442とグランド間に直流電源
DC1が接続されている。
駆動回路322を第3実施形態と同様に備えているほ
か、発振器623およびAND回路624を備えてい
る。発振器623は、第4実施形態の発振器421と同
様のVCOの回路構成に加えて、そのVCOの出力側に
設けられる抵抗R621、コンデンサC621および単
安定マルチバイブレータ625を備えたVCD回路構成
になっており、制御回路44からの制御信号S44によ
ってデューティ制御され、そのデューティ比の矩形波
(希望周波数は約50Hz)を出力するものである。ま
た、発振器121,623の両出力信号は、2入力のA
ND回路624を介して駆動回路322に入力される構
成となっている。ただし、発振器121は、約1MHz
の超音波発振周波数を連続的に発振するように構成され
る。
明すると、発振器121は連続的に発振して約1MHz
の超音波発振周波数の信号を出力する。一方、発振器6
23は、VCOが制御信号S44に応じたデューティ比
の矩形波を出力し(図14の発振器623のVCO出力
波形)、単安定マルチバイブレータ625がその矩形波
の立ち上がりタイミングで設定時間長のパルスを出力す
る(図14の発振器623の出力波形)。これら発振器
121および発振器623の出力信号は、AND回路6
24で重畳されて駆動回路322に入力される(図14
の駆動回路の入力)。
の供給電力が大きくなると、抵抗R431での電圧降下
が大きくなり、制御信号S44の電圧が上昇して発振器
623の発振周波数が低くなる。単安定マルチバイブレ
ータ625は一定時間だけパルスを出すためデューティ
が小さくなる。この結果、圧電素子11への発振駆動回
路62の出力時間が短くなり、平均供給電力が低下す
る。このようにデューティ制御を行うことで、圧電素子
11に供給する平均電力を一定にすることができる。
うと、非接触状態では、圧電素子11への供給電力が目
標供給電力より大きくなるので、制御信号S44の電圧
が上昇して発振器623の発振周波数が低くなる。この
結果、圧電素子11への発振駆動回路62の出力時間が
短くなり、平均供給電力が低下する。このような回路動
作が繰り返し行われることにより、圧電素子11に供給
される電力が目標供給電力に調整されることとなる(時
点t61)。
への供給電力が小さくなるので(時点t62)、制御信
号S44の電圧が降下して発振器623の発振周波数が
高くなる。この結果、圧電素子11への発振駆動回路6
2の出力時間が長くなり、平均供給電力が上昇する。こ
のような回路動作が繰り返し行われることにより、圧電
素子11に供給される電力が目標供給電力に調整される
こととなる(時点t63)。
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、例え
ば、肌の接触状態変化による圧電素子のインピーダンス
変化に応じた電力供給をほぼ一定の電圧、電流により行
うことで、回路設計が容易となり、また使用状態での回
路安定性が向上する。また、間欠発振周波数の制御によ
り、圧電素子への供給電力を可変することができ、目標
供給電力に制御することにより、常に目標供給電力を超
過することのない好適な電力供給が可能になる。
波美容器の概略回路構成図、図16は図15に示す各回
路の動作波形図で、これらの図を用いて以下に第7実施
形態の説明を行う。ただし、図16(a)は第3実施形
態の場合の動作波形図で、図16(b)は第7実施形態
の場合の動作波形図である。また、図16に示すSW
は、超音波発振スタートスイッチ(図示せず)のことで
ある。
圧電素子11、発振駆動回路32および検出回路33を
第3実施形態と同様に備えているほか、第3実施形態と
の相違点として制御回路74を備えている。
回路34の回路構成に加えて、高電圧重畳回路を構成す
るトランジスタQ741、抵抗R741,R742、お
よび超音波発振スタートスイッチと連動するスイッチS
741を備えて成り、制御回路34と同様の動作を行う
ほか、超音波発振スタートスイッチがオンになると、そ
のオンと同時にスイッチS741が所定時間(一瞬)オ
ンになって、検出信号S33に高電圧(例えば15V)
を重畳する動作を行う。
について説明する。非接触状態で超音波発振スタートス
イッチをオンにすると、検出回路33の出力における検
出信号S33は、そのオンの直後、圧電素子11への供
給電力が最小であるので、設定範囲のほぼ最小値となっ
ている。したがって、このままでは、その最小値となっ
ている検出信号S33に応じて、圧電素子11への供給
電力を大きくする制御が行われて、その供給電力が図1
6(a)に示すSW ON直後の波形のように目標供給
電力を超過してしまう。このように、目標電力を超過す
るのは好ましくないのは前述の通りである。
タートスイッチのオンと同時に、上記高電圧重畳回路に
よって、検出回路33からの検出信号S33に高電圧を
重畳させるのである。これにより、制御回路74のNO
T回路341に取り込まれる検出信号S33の電圧が一
瞬ほぼ15V(設定範囲の最大値)となるので、図16
(b)に示すSW ON直後の波形のように圧電素子1
1への供給電力を小さくする制御が行われることとな
る。この結果、図16(a)に示すような目標電力を超
過する好ましくない状態を防止することが可能になる。
なお、その後の動作については、検出回路33の検出信
号S33に重畳する高電圧重畳回路の出力電圧がゼロに
なり、これ以降、第3実施形態と同様の回路動作とな
る。
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、超音波
発振スタートスイッチのオン直後に発生し得る目標電力
を超過する好ましくない状態を防止することが可能にな
る。
時に、発振器623が発振を反共振周波数近傍から始め
るように構成しても、上記同様の効果が得られる。ま
た、発振駆動回路62がデューティを小さくするように
構成しても、上記同様の効果が得られる。
波美容器の概略回路構成図、図18は図17に示す各回
路の動作波形図で、これらの図を用いて以下に第8実施
形態の説明を行う。
圧電素子11、発振駆動回路42および検出回路43を
第4実施形態と同様に備えているほか、第4実施形態と
の相違点として制御回路84を備えている。
回路44の回路構成に加えて、検出重畳回路を構成する
コンデンサC841,C842、抵抗R841〜R84
8、コンパレータ841,842およびトランジスタQ
841を備えて成り、制御回路44と同様の動作を行う
ほか、制御信号S44の正負の両変化を検出し、制御信
号S44の変化がコンパレータ841,842の基準レ
ベルよりも大きいときにトランジスタQ841がオンに
なって、制御信号S44に高電圧を重畳し、制御信号S
44の変化がコンパレータ841,842の基準レベル
よりも小さいときにトランジスタQ841がオフになっ
て、制御信号S44に対する電圧重畳を停止する動作を
行う。
ついて説明する。使用時に、肌に金属部10を密着させ
たり離したりすると圧電素子11のインピーダンスが急
激に変化するのは上述の通りであるが、肌に金属部10
を密着させながらプローブ1を動かしても、圧電素子1
1のインピーダンスが急激に変化する場合がある。この
ようなインピーダンスの急激な変化によって、許容可能
電力(=目標供給電力十α)を多くの回数超過すること
は望ましくない。
回路を設け、圧電素子11への供給電力が目標供給電力
を越えると、即座に、圧電素子11への供給電力が目標
供給電力の範囲内に収まるように制御するのである(図
10と図18における圧電素子への供給電力の波形を比
較参照)。
超音波出力スタートと同時に、圧電素子11にはインピ
ーダンス値に応じて電力が供給される。抵抗R431で
その電力の急激な変化が検出されると、制御信号S44
は検出信号S43に応じた急激な電圧変化を示す信号と
なる。このとき、コンデンサC841および抵抗R84
2(微分回路)によってその制御信号S44から変化量
が抽出され、その変化量がコンパレータ841,842
によって基準レベルと比較される。この場合、変化量が
基準レベルを越えて(換言すると、このような場合の変
化量より基準レベルの方が低くなるように設定されるの
で)、トランジスタQ841がオンになる。これによ
り、制御信号S44は高電圧が重畳されてほぼ最大値と
なり、発振器421の発振周波数が反共振周波数近傍と
なる。また、制御信号S44が急激な減少変化を示す信
号となっても、上記同様に発振周波数の制御が行われ、
このような発振器421に対する信号電圧制御は、コン
デンサC842の放電によって終了する。
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、使用時
に発生し得る目標電力を超過する好ましくない状態を迅
速に解消することが可能になる。
も適用可能であり、またデューティ比制御によっても同
様の効果が得られる。
1記載の発明によれば、一の面が肌接触面となる金属部
およびこの金属部の他の面に接合される圧電素子を有す
るプローブと、前記圧電素子に対してこの圧電素子を超
音波振動させるための高周波電力を供給する発振駆動回
路と、前記圧電素子の出力変動の検出を行う検出回路
と、前記検出結果に応じて前記圧電素子に対する出力が
一定となるように前記発振駆動回路の出力制御を行う制
御回路とを備えるので、金属部からの音響出力を一定と
なるようにすることができる。この結果、好適なマッサ
ージ効果を得ることができる。
接触面となる金属部およびこの金属部の他の面に接合さ
れる圧電素子を有するプローブと、前記圧電素子に対し
てこの圧電素子を超音波振動させるための高周波電力を
供給する発振駆動回路と、前記圧電素子の出力変動の検
出を行う検出回路と、前記検出結果に応じて前記圧電素
子に対する出力レベルが所定の出力レベルになるように
前記発振駆動回路の出力変更を行う制御回路とを備える
ので、例えば、所定の出力レベルを複数設ければ、好適
なマッサージ効果、すなわち肌接触状態に応じて好適に
変わるマッサージ効果を得ることができる。
たは2記載の超音波美容器において、前記検出回路が前
記発振駆動回路の前記圧電素子に対する出力側に設けら
れているので、圧電素子のインピーダンス変化に起因す
る変化(電圧、電流、電力)を高精度に検出することが
可能になる。
たは2記載の超音波美容器において、前記検出回路が前
記発振駆動回路の入力側に設けられているので、例え
ば、圧電素子に対する出力側の検出よりも検出信号の周
波数を低くすることができる。この結果、より安定的な
検出ができる。
たは2記載の超音波美容器において、前記制御回路が前
記発振駆動回路から前記圧電素子への供給電力を制御す
るので、回路構成を簡単にすることが可能となる。
たは2記載の超音波美容器において、前記制御回路が前
記発振駆動回路の発振周波数を制御するので、回路設計
が容易となり、また使用状態での回路安定性が向上す
る。
たは2記載の超音波美容器において、前記制御回路が前
記発振駆動回路のデューティを制御するので、好適な電
力供給が可能になる。
たは6記載の超音波美容器において、前記制御回路が、
前記発振駆動回路に対して、前記圧電素子への電力供給
の開始時には、目標電力より小さい電力から供給を開始
させる制御を行うので、電力供給の開始時に発生し得る
電力供給過多による好ましくない状態を防止することが
できる。
たは6記載の超音波美容器において、前記制御回路が、
前記発振駆動回路に対して、前記肌接触面に対する肌接
触状態の変化時には、前記圧電素子への電力供給を目標
電力より小さい電力から開始させる制御を行うので、肌
接触状態の変化時に発生し得る電力供給過多による好ま
しくない状態を防止することができる。
略回路構成図である。
ピーダンス特性図である。
略回路構成図である。
略回路構成図である。
略回路構成図である。
概略回路構成図である。
概略回路構成図である。
概略回路構成図である。
概略回路構成図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 一の面が肌接触面となる金属部およびこ
の金属部の他の面に接合される圧電素子を有するプロー
ブと、 前記圧電素子に対してこの圧電素子を超音波振動させる
ための高周波電力を供給する発振駆動回路と、 前記圧電素子の出力変動の検出を行う検出回路と、 前記検出結果に応じて前記圧電素子に対する出力が一定
となるように前記発振駆動回路の出力制御を行う制御回
路とを備える超音波美容器。 - 【請求項2】 一の面が肌接触面となる金属部およびこ
の金属部の他の面に接合される圧電素子を有するプロー
ブと、 前記圧電素子に対してこの圧電素子を超音波振動させる
ための高周波電力を供給する発振駆動回路と、 前記圧電素子の出力変動の検出を行う検出回路と、 前記検出結果に応じて前記圧電素子に対する出力レベル
が所定の出力レベルになるように前記発振駆動回路の出
力変更を行う制御回路とを備える超音波美容器。 - 【請求項3】 前記検出回路は、前記発振駆動回路の前
記圧電素子に対する出力側に設けられている請求項1ま
たは2記載の超音波美容器。 - 【請求項4】 前記検出回路は、前記発振駆動回路の入
力側に設けられている請求項1または2記載の超音波美
容器。 - 【請求項5】 前記制御回路は、前記発振駆動回路から
前記圧電素子への供給電力を制御する請求項1または2
記載の超音波美容器。 - 【請求項6】 前記制御回路は、前記発振駆動回路の発
振周波数を制御する請求項1または2記載の超音波美容
器。 - 【請求項7】 前記制御回路は、前記発振駆動回路のデ
ューティを制御する請求項1または2記載の超音波美容
器。 - 【請求項8】 前記制御回路は、前記発振駆動回路に対
して、前記圧電素子への電力供給の開始時には、目標電
力より小さい電力から供給を開始させる制御を行う請求
項5または6記載の超音波美容器。 - 【請求項9】 前記制御回路は、前記発振駆動回路に対
して、前記肌接触面に対する肌接触状態の変化時には、
前記圧電素子への電力供給を目標電力より小さい電力か
ら開始させる制御を行う請求項5または6記載の超音波
美容器。
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