JP2000334881A - かご状シルセスキオキサン含有皮膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細な空隙を広い面積で均一に有する皮膜を
安価に製造する技術を見いだすこと及びこれにより光学
特性改良フィルムを得ること。 【解決手段】 透明基材上に、少なくとも１種のかご状
シルセスキオキサンを含有する膜を有することを特徴と
する光学特性改良フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、かご状シルセスキ
オキサンを含有することを特徴とする微細空隙を有する
金属酸化物ゾル組成物、金属酸化物ゲル組成物、樹脂組
成物および該組成物によって形成されるかご状シルセス
キオキサン含有皮膜およびその製造方法、さらには該皮
膜を有する光学特性改良フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】光機能性材料や電子機能性材料、化学生
体機能材料などの機能性薄膜の研究・開発が近年盛んに
行われている。機能性薄膜の中でも、特に金属酸化物含
有皮膜や有機系樹脂皮膜を用いた機能性材料の研究・開
発が盛んであり、具体的には太陽電池、透明電極、光メ
モリ、バッテリー電解質、触媒等の研究・開発が報告さ
れている。なお、ここで言う「金属」には、通常周期律
表においては「非金属」と定義されているシリコンやホ
ウ素も含まれる。

【０００３】また、近年液晶ディスプレイやプラズマデ
ィスプレイパネルに代表される電子ディスプレイが数多
く開発され、実用に供している。これらのディスプレイ
の発展に伴い、美しさ、見やすさ、人体影響の削減、誤
動作防止等を目的とした光学特性改良フィルムが広く研
究され実際に使用されている。そのようなフィルムの代
表例としてはアンチグレアフィルム、反射防止フィルム
（アンチリフレクションフィルム）、視野角拡大フィル
ム、ライトコントロールフィルム、電磁波シールドフィ
ルム、赤外線（熱線）カットフィルム等が挙げられる
が、これらの光学特性改良フィルムにも金属酸化物含有
皮膜や有機系樹脂皮膜を用いることができる。

【０００４】例えば、反射防止フィルムの場合は、通常
ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃等の屈折率の異な
る金属酸化物の皮膜や有機高分子皮膜等を３〜４層積層
して作られている。

【０００５】光学的シミュレーションによれば、反射防
止フィルムを作製する際に単層で屈折率が１．２５以下
の皮膜を作ることができれば上記のような多層構成にす
る必要はなく、製造コスト上も有利になるはずである
が、そのような超低屈折率でかつ膜物性に優れる皮膜を
得る技術は現状では開発されておらず、その開発が望ま
れている。

【０００６】また、光学フィルム以外でも、例えばＩＣ
やＬＳＩに代表される半導体において、より誘電率の低
い材料（Ｌｏｗ Ｋ マテリアル）が必要とされ、その
材料としてＳｉＯ₂等の金属酸化物が用いられている
が、基本的には屈折率が低い材料ほど誘電率も低くなる
傾向があることが知られており、この観点からも同様の
材料（低誘電率、すなわち低屈折率材料）が必要とされ
ている。

【０００７】一方、金属酸化物薄膜を得る方法として
は、均質、透明性、材料の選択が広い等の理由により、
金属アルコキシドおよびその加水分解物を用いるゾルゲ
ル法が広く用いられている。

【０００８】また、最近では、機能をさらに付与するこ
とや物性を改良するために有機化合物を併用すること
で、無機ポリマーと有機ポリマーが均質化した有機・無
機ハイブリット膜の研究も行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】光学特性改良に関して
は、特に反射防止フィルムを構成する膜強度及び耐久性
の良好な超低屈折率皮膜を製造する技術が望まれている
が、基本的には皮膜中に空気やガス状分子をナノメータ
ーオーダーの大きさで封入する技術が必要であり、なお
かつそのような微細な空隙を広い面積で均一にかつ安価
に製造する技術は全く見つかっていない。本発明は、上
記のような問題点を解決するものであり、具体的には新
規なかご状シルセスキオキサン含有皮膜およびその製造
方法を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、分子自体
にオングストロームオーダーの空隙を有するかご状シル
セスキオキサンを有機ポリマーまたは無機ポリマー（金
属酸化物ゲル）に混合（コンポジット）した複合組成物
を基材上に塗設することにより、簡便に微少空隙を含有
する皮膜が得られることを見いだし、本発明に至ったも
のである。

【００１１】本発明は下記の構成により達成された。

【００１２】１．透明基材上に、少なくとも１種のかご
状シルセスキオキサンを含有する膜を有することを特徴
とするフィルム。

【００１３】２．かご状のシルセスキオキサンが下記一
般式（１）〜（７）で表される化合物であることを特徴
とする前記１に記載のフィルム。

【００１４】

【化３】

【００１５】

【化４】

【００１６】（式中、Ｒは水素原子、アルキル基、アル
ケニル基又はアリール基を表し、複数のＲは同じであっ
てもよい。） ３．少なくとも１種の金属アルコキシドまたは金属塩
に、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを含有
させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲルであること
を特徴とする組成物。

【００１７】４．基材上に、少なくとも１種の金属アル
コキシドまたは金属塩に、少なくとも１種のかご状シル
セスキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属
酸化物ゲル組成物を塗布することにより形成されたこと
を特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。

【００１８】５．基材上に、少なくとも１種の金属アル
コキシドまたは金属塩に、少なくとも１種のかご状シル
セスキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属
酸化物ゲル組成物を塗布することを特徴とするかご状シ
ルセスキオキサン含有皮膜の製造方法。

【００１９】６．少なくとも１種の有機ポリマーに、少
なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを含有させた
ことを特徴とする樹脂組成物。

【００２０】７．基材上に、少なくとも１種の有機ポリ
マーに、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを
含有させた樹脂組成物を塗布することにより形成された
ことを特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。

【００２１】８．基材上に、少なくとも１種の有機ポリ
マーに、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを
含有させた樹脂組成物を塗布することを特徴とするかご
状シルセスキオキサン含有皮膜の製造方法。

【００２２】９．かご状シルセスキオキサンを含有する
膜が、少なくとも１種の金属アルコキシドまたは金属塩
に、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを含有
させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲル組成物を、
透明基材上に塗設し形成されたものであることを特徴と
する前記１または２に記載のフィルム。

【００２３】１０．かご状シルセスキオキサンを含有す
る膜が、少なくとも１種の有機ポリマーに、少なくとも
１種のかご状シルセスキオキサンを含有させた樹脂組成
物を、透明基材上に塗設し形成されたものであることを
特徴とする前記１または２に記載のフィルム。

【００２４】１１．かご状シルセスキオキサンを含有す
る膜が、少なくとも１種の金属アルコキシドまたは金属
塩及び少なくとも１種の有機ポリマーに、少なくとも１
種のかご状シルセスキオキサンを含有させたポリマーコ
ンポジット金属酸化物ゾルまたはポリマーコンポジット
金属酸化物ゲル組成物を、透明基材上に塗設し形成され
たものであることを特徴とする前記１、２、９又は１０
に記載のフィルム。

【００２５】以下に本発明を詳述する。

【００２６】従って、本発明のかご状シルセスキオキサ
ンを用いる事により、金属アルコキシドや金属塩から得
られる、ゾル、或いはゲル化合物から得られる金属酸化
物の皮膜或いは、これと有機化合物からなる、所謂無機
有機コンポジット膜、或いは有機のポリマー膜からも容
易にオングストロームオーダーの空隙を有する膜が得ら
れる。本発明のかご状シルセスキオキサンを含有する皮
膜では、かご状シルセスキオキサンが有する分子レベル
の空孔により、かご状シルセスキオキサンを含有させる
ことにより皮膜内に簡便に微小空隙を作製することがで
きる。つまり、本発明では、かご状シルセスキオキサン
を何らかのバインダーに含有させ基材上に塗設すること
により、低屈折率、低誘電率の皮膜が作製でき、反射防
止フィルムのような光学特性改良フィルムが作製できる
ことがわかった。

【００２７】本発明で用いられるかご状シルセスキオキ
サンについて説明する。

【００２８】シルセスキオキサン（Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉ
ｏｘａｎｅ）はＴレジンとも呼ばれるもので、通常のシ
リカが〔ＳｉＯ₂〕の一般式で表されるのに対し、シル
セスキオキサン（ポリシルセスキオキサンとも言う）は
〔ＲＳｉＯ_1.5〕で表される化合物であり、通常はテト
ラエトキシシランに代表されるテトラアルコキシシラン
（Ｓｉ（ＯＲ′）₄）の１つのアルコキシ基をアルキル
基またはアリール基に置き換えた（ＲＳｉ（Ｏ
Ｒ′）₃）化合物の加水分解−重縮合で合成されるポリ
シロキサンであり、分子配列の形状として、代表的には
無定形、ラダー状、かご状（完全縮合ケージ状）があ
る。

【００２９】本発明で用いられるかご状シルセスキオキ
サンとしては、具体的には〔ＲＳｉＯ_1.5〕₈の化学式で
表されるタイプ（一般式（１））、〔ＲＳｉＯ_1.5〕₁₀
の化学式で表されるタイプ（一般式（２））、〔ＲＳｉ
Ｏ_1.5〕₁₂の化学式で表されるタイプ（一般式
（３））、〔ＲＳｉＯ_1.5〕₁₄の化学式で表されるタイ
プ（一般式（４）、一般式（５））および〔ＲＳｉＯ
_1.5〕₁₆の化学式で表されるタイプ（一般式（６）、一
般式（７））が知られている。

【００３０】この中で本発明での使用にあたり最も好ま
しいものは一般式（１）で表される立方体構造のもの
（Ｔ８−シルセスキオキサンとも呼ばれる）ものであ
る。

【００３１】より具体的には、「高分子学会誌 第４７
巻１２月号（１９９８年）第８９９ページ」やチッソ株
式会社／アズマックス株式会社発行のカタログ「特殊シ
リコン試薬第７版（平成１０年１１月３日発行）」の第
３５１ページに詳しい説明が記載されている。

【００３２】本発明の一般式（１）〜（７）で表される
化合物において、Ｒで表されるアルキル基としては、直
鎖状のものでも分岐状のものでもよく、更に置換基によ
って置換されていてもよい。具体的には、メチル基、エ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、イソプ
ロピル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、２−クロロエチル基、メタクリロキシプロピル基、
アリル基、３−アミノプロピル基、３−メルカプトプロ
ピル基、３−グリシドキシプロピル基等があげられる。

【００３３】本発明の一般式（１）〜（７）で表される
化合物において、Ｒで表されるアルケニル基としては、
直鎖状のものでも分岐状のものでもよく、更に置換基に
よって置換されていてもよい。具体的には、ビニル基、
１−シクロヘキセニル基、２，２−ジメチルビニル基等
が挙げられる。

【００３４】本発明の一般式（１）〜（７）で表される
化合物において、Ｒで表されるアリール基としては、６
π系でも１０π系でもよく、更に置換基によって置換さ
れていてもよい。具体的には、フェニル基、１−ナフチ
ル基、２−ナフチル基、フェナントリル基等が挙げられ
る。

【００３５】本発明の一般式（１）〜（７）で表される
化合物において、Ｒで表される置換基又は水素原子の中
で好ましいものは、水素原子、メチル基、エチル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、イソプロピル基、
２−エチルヘキシル基、２−クロロエチル基、メタクリ
ロキシプロピル基、アリル基、３−アミノプロピル基、
３−メルカプトプロピル基、３−グリシドプロピル基、
ビニル基、フェニル基である。

【００３６】Ｒ′についてはＲの好ましい置換基として
あげたアルキル基と同じものを表す。

【００３７】かご状シルセスキオキサンは、対応する
（ＲＳｉ（ＯＲ′）₃）化合物の加水分解−重縮合で合
成されるが、その具体例を以下に示す。

【００３８】

【化５】

【００３９】

【化６】

【００４０】

【化７】

【００４１】

【化８】

【００４２】

【化９】

【００４３】

【化１０】

【００４４】

【化１１】

【００４５】

【化１２】

【００４６】この中で、ヒドロ−Ｔ８−シルセスキオキ
サン（Ｓ−１）、メタクリロキシプロピルヘプタシクロ
ペンチル−Ｔ８−シルセスキオキサン（Ｓ−１２）、オ
クタキス（ジメチルシロキシ）−Ｔ８−シルセスキオキ
サン（Ｓ−１３）およびオクタビニル−Ｔ８−シルセス
キオキサン（Ｓ−１４）はチッソ株式会社から市販され
ている。

【００４７】本発明で用いられる金属アルコキシド、金
属塩の「金属」とは、一般に周期律表等で定義されてい
る「金属類（Ｍｅｔａｌｓ）」の他に「遷移金属（Ｔｒ
ａｎｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔａｌｓ）」の全ての元素、
「ランタノイド」の全ての元素、「アクチノイド」の全
ての元素、および「非金属（Ｎｏｎ Ｍｅｔａｌｓ）」
として定義されるホウ素、珪素（シリコン）を含んだも
のとして定義する。

【００４８】金属アルコキシドから金属酸化物皮膜を得
るには、所謂ゾル・ゲル法と呼ばれる方法が用いられ
る。即ち金属アルコキシド溶液に、低温でのゾル・ゲル
反応を可能にするため、好ましくは酸触媒を加え、加水
分解を起こさせることにより縮合反応を促進し、金属酸
化物膜ゾル乃至ゲルを生成する。これを基材上に塗布乾
燥し、その後、必要なら、熱処理、紫外線処理或いはプ
ラズマ処理等を行うことにより、三次元架橋の進んだ金
属酸化物皮膜を得ることが出来る。ここで、通常触媒と
しては塩酸、酢酸、硝酸等の無機酸、酢酸、トリフロロ
酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の
有機酸等が用いられる。又、ルイス酸、例えばゲルマニ
ウム、チタン、アルミニウム、アンチモン、錫などの金
属の酢酸塩、その他の有機酸塩、ハロゲン化物、燐酸塩
などを併用してもよい。

【００４９】また、触媒として、このような酸類の代り
に、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン
など、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン−１）、ＤＢ
Ｎ（ジアザビシクロノネン）などのビシクロ環系アミ
ン、アンモニア、ホスフィン等の塩基を用いることがで
きる。さらに、酸及び塩基の処理を複数回併用しても良
い。

【００５０】金属アルコキシド等の成分は溶剤に溶解又
は分散されるが、溶剤としては、上記の金属アルコキシ
ド、又これに加え必要なら、有機化合物、触媒等を例え
ばプラスチックフィルム上、ガラス基板上等に塗設し、
薄膜を形成させる場合、塗布後に溶剤を蒸発させる必要
性があるため、揮発性の溶媒が好ましく、かつ、金属ア
ルコキシドや有機化合物、触媒等と反応せず、しかもプ
ラスチックフィルムなどの基体を溶解しないものであれ
ば、いかなるものでもよく、通常、用いられる溶剤を用
いることができる。例えば、エチルアルコール、メチル
アルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−プロピルア
ルコール、メトキシメチルアルコールなどのアルコー
ル、水、酢酸エチル、酢酸メチルなどの酢酸エステル、
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、テトラヒ
ドロフランなどのエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエ
ーテル、ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキ
シド、アセチルアセトンなどが挙げられる。

【００５１】上記の方法により金属アルコキシド或いは
金属塩から得られた金属酸化物皮膜に本発明のシルセス
キオキサンを含有させることにより微細な空孔を有する
金属酸化物の膜を得ることできる。

【００５２】本発明に用いられる金属アルコキシドに於
いて、Ａｌのアルコキシドの例としては、アルミニウム
（III）ｎ−ブトキサイド、アルミニウム（III）ｓ−ブ
トキサイド、アルミニウム（III）ｔ−ブトキサイド、
アルミニウム（III）エトキサイド、アルミニウム（II
I）イソプロポキサイド、アルミニウム（III）ｓ−ブト
キサイドビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウ
ム（III）ジ−ｓ−ブトキサイドエチルアセトアセテー
ト、アルミニウム（III）ジイソプポキサイドエチルア
セトアセテート、アルミニウム（III）エトキシエトキ
シエトキサイド、アルミニウムヘキサフルオロペンタジ
オネート、アルミニウム（III）３−ヒドロキシ−２−
メチル−４−ピロネート、アルミニウム９−オクタデセ
ニルアセトアセテートジイソプロポキサイド、アルミニ
ウム（III）２，４−ペンタンジオネート、アルミニウ
ムフェノキサイド、アルミニウム（III）２，２，６，
６，−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、Ｓ
ｉのアルコキシドの例としては、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラ
ン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブト
キシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ
−ｔ−ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラ
ン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキ
シシラン、ジメチルジブトキシシラン、トリメチルメト
キシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプ
ロポキシシラン、トリメチルブトキシシラン、Ｔｉのア
ルコキシドの例としては、チタンｎ−ブトキサイド、チ
タンメトキサイド、チタンエトキサイド、チタンｎ−プ
ロポキサイド、チタンイソプロポキサイド、チタンｔ−
ブトキサイド、チタンｎ−ノニルオキサイド、チタンｉ
−ブトキサイド、チタンメトキシプロポキサイド、チタ
ンクロロトリイソプロポキサイド、チタンジクロライド
ジエトキサイド、チタンヨードイソプロポキシド、チタ
ンジｎ−ブトキサイド（ビス−２，４−ペンタジオネー
ト）、チタンジｉ−プロポキサイド（ビス−２，４−ペ
ンタジオネート）、チタンジイソプロポキサイドビス
（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタンジイソプ
ロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）、チタン
２−エチルヘキシオキシド、チタンオキシドビス（ペン
タジオネート）、チタンオキシビス（テトラメチルヘプ
タンジオネート）、テトラキス（トリメチルシロキシ）
チタン、チタンアリルアセトアセテートトリイソプロポ
キシド、チタンビス（トリエタノールアミン）ジイソプ
ロポキシド、チタンメタクリレートトリイソプロポキシ
ド、（２−メタクリルオキシエトキシ）トリイソプロポ
キシチタネート、チタンメタクリルオキシエチルアセト
アセテートトリイソプロキサイド、チタンメチルフェノ
キサイド、Ｖのアルコキシドの例としては、バナジウム
トリイソプロポキサイドオキサイド、バナジウムトリイ
ソブトキサイドオキサイド、バナジウム（III）２，４
−ペンタンジオネート、バナジウム（IV）オキシドビス
（２，４−ペンタンジオネート）、バナジウム（IV）オ
キシビス（ベンゾイルアセトネート）、Ｚｎのアルコキ
シドの例としては、亜鉛Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエトキ
サイド、亜鉛メトキシエトキサイド、亜鉛２，４−ペン
タンジオネート、亜鉛−２，２，６，６−テトラメチル
３，５−ヘプタンジオネート、Ｓｒのアルコキシドの例
としては、ストロンチウムイソプロキサイド、ストロン
チウムメトキシプロキサイド、ストロンチウムヘキサフ
ルオロペンタンジオネート、ストロンチウム２，４−ペ
ンタンジオネート、ストロンチウム２，２，６，６，−
テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、Ｙのアル
コキシドの例としては、イットリウムイソプロポキサイ
ド、イットリウムメトキシエトキサイド、イットリウム
ヘキサフルオロペンタンジオネート、イットリウム２，
４−ペンタンジオネート、イットリウムヘキサフルオロ
イソプロポキサイドジアンモニア錯体、イットリウム
６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２
−ジメチル−３，５−オクタンヂオネート、イットリウ
ム２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジ
オネート、Ｚｒのアルコキシドの例としては、ジルコニ
ウムエトキサイド、ジルコニウムイソプロポキサイド、
ジルコニウムｎ−プロポキサイド、ジルコニウムｎ−ブ
トキサイド、ジルコニウムｔ−ブトキサイド、ジルコニ
ウム２−エチルヘキシルオキサイド、ジルコニウム２−
メチル−２−ブトキサイド、テトラキス（トリメチルシ
ロキシ）ジルコニウム、ジルコニウムジｎ−ブトキサイ
ド（ビス−２，４−ペンタンジオネート）、ジルコニウ
ムジイソプロポキサイドビス（２，２，６，６，−テト
ラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、ジルコニウム
ジメタクリレートジブトキサイド、ジルコニウムヘキサ
フルオロペンタンジオネート、ジルコニウムメタクリル
オキシエチルアセトアセテートトリｎ−プロポキサイ
ド、ジルコニウム２，４−ペンタンジオネート、ジルコ
ニウム２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタ
ンジオネート、ジルコニウムトリフルオロペンタンジオ
ネート、Ｉｎのアルコキシドの例としては、インジウム
メトキシエトキサイド、インジウムイソプロポキサイ
ド、インジウムｎ−プロポキサイド、インジウムｎ−ブ
トキサイド、インジウムｔ−ブトキサイド、インジウム
ヘキサフルオロペンタンジオネート、インジウム２，４
−ペンタンジオネート、インジウムメチル（トリメチ
ル）アセチルアセトネート、インジウムトリフルオロペ
ンタンジオネート、Ｓｎのアルコキシドの例としては、
スズ（II）メトキサイド、スズ（II）エトキサイド、テ
トライソプロポキシスズ、テトラ−ｔ−ブトキシスズ、
テトラ−ｎ−ブトキシスズ、ビス（２，４−ペンタンジ
オネート）ジクロスズ、スズ（II）２，４−ペンタンジ
オネート、ナトリウムスズエトキサイド、Ｔａのアルコ
キシドの例としては、タンタル（IV）メトキサイド、タ
ンタル（IV）エトキサイド、タンタル（IV）イソプロポ
キサイド、タンタル（IV）ｎ−プロポキサイド、タンタ
ル（IV）ｎ−ブトキサイド、タンタル（IV）ｔ−ブトキ
サイド、タンタルナトリウムメトキサイド、タンタル
（IV）トリフルオロエトキサイド、タンタル（IV）テト
ラエトキサイドペンタンジオネート、Ｗのアルコキシド
の例としては、タングステン（Ｖ）エトキサイド、タン
グステン（VI）エトキサイド、タングステン（VI）フェ
ノキサイド、Ｔｌのアルコキシドの例としては、タリウ
ム（Ｉ）エトキサイド、タリウム（Ｉ）イソプロポキシ
ド、タリウム（Ｉ）ｎ−プロポキシド、タリウム（Ｉ）
ｎ−ブトキシド、タリウム（Ｉ）ｔ−ブトキシド、タリ
ウム（Ｉ）タリウム２，４−ペンタジオネート、Ｓｂの
アルコキシドの例としては、アンチモン（III）メトキ
サイド、アンチモン（III）エトキサイド、アンチモン
（III）ｎ−ブトキサイド、アンチモン（III）ｔ−ブト
キサイド、Ｃｅのアルコキシドの例としては、セリウム
（IV）エトキサイド、セリウム（IV）イソプロポキサイ
ド、セリウム（IV）ｎ−プロポキサイド、セリウム（I
V）ｎ−ブトキサイド、セリウム（IV）ｔ−ブトキサイ
ド、セリウム（IV）メトキシエトキサイド、セリウム
（III）２，４−ペンタジオネート、セリウム（IV）
２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオネート、セ
リウム（III）６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフ
ルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオネー
ト、セリウム（IV）テノイルトリフルオロアセテート、
Ｌｉのアルコキシドの例としては、リチウムメトキサイ
ド、リチウムエトキサイド、リチウムイソポロポキサイ
ド、リチウムｔ−ブトキサイド、リチウム２，４−ペン
タンジオネート、リチウムテトラメチルヘプタンジオネ
ート、Ｂｅのアルコキシドの例としては、ベリリウム
２，４−ペンタンジオネートＢのアルコキシドの例とし
ては、ホウ素メトキサイド、ホウ素エトキサイド、ホウ
素イソプロポキサイド、ホウ素ｎ−ブトキサイド、ホウ
素ｔ−ブトキサイド、ホウ素アリルオキサイド、Ｎａの
アルコキシドの例としては、ナトリウム２，４−ペンタ
ンジオネート、ナトリウムアセチルアセトナート、ナト
リウムアルミニウムハイドライドビス（メトキシエトキ
サイド）、ナトリウムエトキサイド、Ｍｇのアルコキシ
ドの例としては、マグネシウムメトキサイド、マグネシ
ウムエトキサイド、マグネシウムｎ−プロポキサイド、
マグネシウムイソプロポキシド、マグネシウムｎ−ブト
キサイド、マグネシウムｔ−ブトキサイド、マグネシウ
ムトリフルオロペンタジオネート、マグネシウム２，４
−ペンタジオネート、マグネシウムヘキサフルオロペン
タジオネート、マグネシウムメトキシエトキサイド、マ
グネシウムメチルカルボネート、Ｋのアルコキシドの例
としては、カリウムｔ−ブトキサイド、カリウム２，４
−ペンタンジオネート、Ｃａのアルコキシドの例として
は、カルシウムメトキサイド、カルシウムエトキサイ
ド、カルシウムメトキシエトキサイド、カルシウム２，
４−ペンタンジオネート、カルシウム２，２，６，６−
テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、カルシウ
ムヘキサフルオロペンタジオネート、カルシウム６，
６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジ
メチル−３，５−オクタンジオネート、Ｓｃのアルコキ
シドの例としては、スカンジウム（III）２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、Ｃｒ
のアルコキシドの例としては、クロム（III）イソプロ
ポキサイド、クロム（III）２，４−ペンタンジオネー
ト、クロム（III）ヘキサフルオロペンタンジオネー
ト、クロム（III）トリフルオロペンタンジオネート、
クロム（III）ベンゾイルアセトネート、クロム（III）
２，２，６，６、−テトラメチルヘプタンジオネート、
Ｃｏのアルコキシドの例としては、コバルトカルボニル
メトキサイド、コバルト（III）２，４−ペンタンジオ
ネート、Ｍｎのアルコキシドの例としては、マンガン
（II）メトキサイド、マンガン（II）２，４−ペンタン
ジオネート、Ｆｅのアルコキシドの例としては、鉄（II
I）エトキサイド、鉄（III）２，４−ペンタンジオネー
ト、鉄（III）トリフルオロペンタンジオネート、鉄（I
II）ベンゾイルアセトネート、Ｎｉのアルコキシドの例
としては、ニッケル（II）２，４−ペンタンジオネー
ト、ニッケル（II）ヘキサフルオロペンタンジオネー
ト、ニッケル（II）２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオネート、Ｃｕのアルコキシドの例
としては、銅（II）メトキサイド、銅（II）エトキサイ
ド、銅（II）メトキシエトキシエトキサイド、銅（II）
２，４−ペンタンジオネート、銅（II）２，２，６，
６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、
銅（II）トリフルオロペンタンジオネート、銅（II）ヘ
キサフルオロペンタンジオネート、銅（Ｉ）ヘキサフル
オロペンタンジオネートシクロオクタンジエン錯体、銅
（II）エチルアセトアセテート、銅（II）ジメチルアミ
ノエトキサイド、銅（II）ベンゾイルアセトネート、銅
（II）１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオネー
ト、銅（II）６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフル
オロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオネート
Ｇａのアルコキシドの例としては、ガリウム（III）エ
トキサイド、ガリウム（III）２，４−ペンタンジオネ
ート、ガリウム（III）２，２，６，６，−テトラメチ
ルヘプタンジオネート、Ｇｅのアルコキシドの例として
は、ゲルマニウムメトキサイド、ゲルマニウムエトキサ
イド、ゲルマニウムイソプロポキサイド、ゲルマニウム
ｎ−ブトキサイド、ゲルマニウムｔ−ブトキサイド、Ｒ
ｂのアルコキシドの例としては、ルビジウム２，４−ペ
ンタンジオネート、Ｎｂのアルコキシドの例としては、
ニオブ（Ｖ）エトキサイド、ニオブ（Ｖ）イソプロポキ
サイド、ニオブ（Ｖ）ｎ−プロポキサイド、ニオブ
（Ｖ）ｎ−ブトキサイド、Ｍｏのアルコキシドの例とし
ては、モリブデン（Ｖ）エトキサイド、モリブデン
（Ｖ）イソプロポキサイド、モリブデン（Ｖ）ｎ−プロ
ポキサイド、モリブデン（Ｖ）ｎ−ブトキサイド、モリ
ブデン（VI）オキシドビス（２，４−ペンタンジオネー
ト）、Ｃｄのアルコキシドの例としては、カドミニウム
２，４−ペンタンジオネート、Ｃｓのアルコキシドの例
としては、セシウムメトキサイド、セシウムエトキサイ
ド、セシウムイソプロポキサイド、セシウムｎ−プロポ
キサイド、セシウムｎ−ブトキサイド、セシウムｔ−ブ
トキサイド、Ｂａのアルコキシドの例としては、バリウ
ムイソプロポキサイド、バリウムメトキシプロポキサイ
ド、バリウムｎ−ブトキサイド、バリウムｔ−ブトキサ
イド、バリウム２，４−ペンタンジオネート、バリウム
ヘキサフルオロペンタンジオネート、バリウム（II）
６，６，７，７，８，８，８−ヘプタンフルオロ−２，
２−ジメチル−３，５−オクタンジオネート、バリウム
（II）２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタ
ンジオネート、Ｌａのアルコキシドの例としては、ラン
タンイソプロポキサイド、ランタンメトキシプロポキサ
イド、ランタンｎ−ブトキサイド、ランタンｔ−ブトキ
サイド、ランタン２，４−ペンタンジオネート、ランタ
ン２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジ
オネート、Ｈｆのアルコキシドの例としては、ハフニウ
ムエトキサイド、ハフニウムイソプロポキサイド、ハフ
ニウムメトキシプロポキサイド、ハフニウムｎ−ブトキ
サイド、ハフニウムｔ−ブトキサイド、ハフニウム２，
４−ペンタンジオネート、ハフニウムテトラメチルヘプ
タンジオネート、ハフニウムトリフルオロペンタンジオ
ネート、Ｐｂのアルコキシドの例としては、鉛（II）
６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２
−ジメチル−３，５−オクタンジオネート、鉛（II）エ
キサフルオロペンタンジオネート、鉛（II）２，４−ペ
ンタンジオネート、鉛（II）２，２，６，６−テトラメ
チル−３，５−ヘプタンジオネート、鉛チタンオキソア
セトエトキシエトキサイド、Ｂｉのアルコキシドの例と
しては、ビスマス（III）ｎ−ブトキサイド、ビスマス
（III）ｔ−ブトキサイド、ビスマス（III）ｔ−ペント
キサイド、ビスマス（III）ヘキサフルオロペンタンジ
オネート、ビスマス（III）テトラメチルヘプタンジオ
ネート、Ｐｒのアルコキシドの例としては、プラセオジ
ウムｎ−ブトキサイド、プラセオジウムｔ−ブトキサイ
ド、プラセオジウムメトキシプロポキサイド、プラセオ
ジウムヘキサフルオロペンタンジオネート、プラセオジ
ウム２，４−ペンタンジオネート、プラセオジウム２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネー
ト、プラセオジウム（III）６，６，７，７，８，８，
８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オク
タンジオネート、Ｎｄのアルコキシドの例としては、ネ
オジウムｎ−ブトキサイド、ネオジウムｔ−ブトキサイ
ド、ネオジウムメトキシプロポキサイド、ネオジウムメ
トキシエトキサイド、ネオジウムヘキサフルオロペンタ
ンジオネート、ネオジウム２，４−ペンタンジオネー
ト、ネオジウム２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−ヘプタンジオネート、ネオジウムトリフルオロペンタ
ンジオネート、ネオジウム６，６，７，７，８，８，８
−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタ
ンジオネート、Ｓｍのアルコキシドの例としては、サマ
リウム（III）イソプロポキサイド、サマリウム（III）
ｎ−ブトキサイド、サマリウム（III）ｔ−ブトキサイ
ド、サマリウム（III）メトキシプロポキサイド、サマ
リウム（III）メトキシエトキサイド、サマリウム（II
I）２，４−ペンタンジオネート、サマリウム（III）
２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオ
ネート、サマリウム（III）テイノルトリフルオロアセ
テート、Ｅｕのアルコキシドの例としては、ユーロピウ
ムｎ−ブトキサイド、ユーロピウムｔ−ブトキサイド、
ユーロピウムメトキシプロポキサイド、ユーロピウムメ
トキシエトキサイド、ユーロピウム２，４−ペンタンジ
オネート、ユーロピウム２，２，６，６−テトラメチル
−３，５−ヘプタンジオネート、ユーロピウムテイノル
トリフルオロアセテート、ユーロピウム６，６，７，
７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−
３，５−オクタンジオネート、ユーロピウム１，３−ジ
フェニル−１，３−プロパンジオネート、Ｇｄのアルコ
キシドの例としては、ガドリニウムｎ−ブトキサイド、
ガドリニウムｔ−ブトキサイド、ガドリニウムメトキシ
プロポキサイド、ガドリニウムメトキシエトキサイド、
ガドリニウム２，４−ペンタンジオネート、ガドリニウ
ム２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジ
オネート、ガドリニウム６，６，７，７，８，８，８−
ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタン
ジオネート、Ｔｂのアルコキシドの例としては、テルビ
ウムｎ−ブトキサイド、テルビウムｔ−ブトキサイド、
テルビウムメトキシプロポキサイド、テルビウムメトキ
シエトキサイド、テルビウム２，４−ペンタンジオネー
ト、テルビウム２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−ヘプタンジオネート、Ｄｙのアルコキシドの例として
は、ジスプロジウムｎ−ブトキサイド、ジスプロジウム
ｔ−ブトキサイド、ジスプロジウムメトキシプロポキサ
イド、ジスプロジウムメトキシエトキサイド、ジスプロ
ジウム２，４−ペンタンジオネート、ジスプロジウム
２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオ
ネート、Ｈｏのアルコキシドの例としては、ホルミウム
ｎ−ブトキサイド、ホルミウムｔ−ブトキサイド、ホル
ミウムメトキシプロポキサイド、ホルミウムメトキシエ
トキサイド、ホルミウム２，４−ペンタンジオネート、
ホルミウム２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘ
プタンジオネート、Ｅｒのアルコキシドの例としては、
エルビウムｎ−ブトキサイド、エルビウムｔ−ブトキサ
イド、エルビウムメトキシプロポキサイド、エルビウム
メトキシエトキサイド、エルビウム２，４−ペンタンジ
オネート、エルビウム２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオネート、エルビウム６，６，７，
７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−
３，５−オクタンジオネート、Ｔｍのアルコキシドの例
としては、ツリウムｎ−ブトキサイド、ツリウムｔ−ブ
トキサイド、ツリウムメトキシプロポキサイド、ツリウ
ムメトキシエトキサイド、ツリウム２，４−ペンタンジ
オネート、ツリウム２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオネート、Ｙｂのアルコキシドの例
としては、イッテルビウムｎ−ブトキサイド、イッテル
ビウムｔ−ブトキサイド、イッテルビウムメトキシプロ
ポキサイド、イッテルビウムメトキシエトキサイド、イ
ッテルビウム２，４−ペンタンジオネート、イッテルビ
ウム２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタン
ジオネート、イッテルビウム６，６，７，７，８，８，
８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オク
タンジオネート、Ｌｕのアルコキシドの例としては、ル
テチウムｎ−ブトキサイド、ルテチウムｔ−ブトキサイ
ド、ルテチウムメトキシプロポキサイド、ルテチウムメ
トキシエトキサイド、ルテチウム２，４−ペンタンジオ
ネート、ルテチウム２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオネート等の金属アルコキシドが挙
げられる。また、これらの金属アルコキシドは、一部が
加水分解、重合反応した多量体も使用できる。この例と
しては、チタンイソプロポキシドやチタンブトキシドの
多量体が挙げられる。これらの金属アルコキシドは単独
で又は２種以上組み合わせて用いる事が出来る。

【００５３】また、これらの金属アルコキシドは、対応
する金属ハロゲン化物（例えば四塩化チタン）と対応す
るアルコール（例えばｎ−プロパノール）またはβ−ジ
ケトン（例えば２，４−ペンタンジオン）またはβ−ケ
トエステル（例えば３−オキソブタン酸エチル）を混合
し、部分的に金属アルコキシドを形成した状態のもので
も構わない。

【００５４】本発明に用いられる金属塩の例としては、
ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等の無機塩、りん酸の
塩、カルボン酸の塩等の有機物の塩が挙げられる。カル
ボン酸の例としては、アクリル酸、メタクリル酸、酢
酸、サリチル酸、ぎ酸、シュウ酸、プロピオン酸、乳
酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、フマ
ル酸、イタコン酸、マレイン酸、ビニルスルホン酸等が
挙げられる。

【００５５】本発明で使用される金属アルコキシドまた
は金属塩のうち最も好ましいものはケイ素のアルコキシ
ドまたはその塩であるが、ケイ素の場合は隣接位に炭素
原子を配置することもでき、そのような化合物（ケイ素
含有有機化合物）を金属アルコキシドまたは金属塩とし
て単独または併用して用いても良い。

【００５６】ケイ素含有有機化合物のうち高分子タイプ
のものとしては、まず、ポリシランやポリシロキサンの
末端に有機基が置換したタイプとして、片末端ビニル官
能性ポリシラン、両末端ビニル官能性ポリシラン、片末
端ビニル官能性ポリシロキサン、両末端ビニル官能性ポ
リシロキサンおよびこれらの化合物を反応させたビニル
官能性ポリシラン等がある。

【００５７】ケイ素含有有機化合物のうち低分子タイプ
の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニル
トリ（β−メトキシエトキシ）シラン、ジビニロキシジ
メトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）−エチルトリアルコキシシラン、アクリロイルオキ
シエチルトリエトキシシラン、グリシジルオキシエチル
トリエトキシシラン、γ−アクリロイルオキシ−ｎ−プ
ロピルトリ−ｎ−プロピルオキシシラン、γ−メタクリ
ロイルオキシ−ｎ−プロピル−ｎ−プロピルオキシシラ
ン、ジ（γ−アクリロイルオキシ−ｎ−プロピル）ジ−
ｎ−プロピルオキシシラン、アクリロイルオキシジメト
キシエチルシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシランなどが挙げられる。

【００５８】さらに、本発明では上記のようなケイ素含
有有機化合物には重合性樹脂を併用（ポリマーハイブリ
ッド）してもよく、重合性樹脂の例としては、重合可能
なビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイ
ル基、イソプロペニル基、エポキシ基等の重合性基を２
つ以上有するものが好ましい。アクリロイル基、メタク
リロイル基またはエポキシ基が特に好ましく、アクリル
基、メタクリル基を有する多官能モノマーまたはオリゴ
マーで架橋構造または網目構造を形成するものがさらに
好ましい。アクリルウレタン樹脂系、ポリエステルポリ
オールアクリレート等を使用することが出来る。

【００５９】アクリルウレタン樹脂は、ポリエステルポ
リオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリ
マーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシ
エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含する
ものとしてアクリレートのみを表示する）、２−ヒドロ
キシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレ
ート系のモノマーを反応させることによって容易に得る
ことが出来る（例えば特開昭５９−１５１１１０号公
報）。

【００６０】ポリエステルアクリレート系樹脂は、ポリ
エステル末端の水酸基に２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、アクリル酸のようなモ
ノマーを反応させることによって容易に得ることが出来
る（例えば、特開昭５９−１５１１２号公報）。

【００６１】エポキシアクリレート系樹脂は、エポキシ
基の末端の水酸基にアクリル酸、アクリル酸クロライ
ド、グリシジルアクリレートのようなモノマーを反応さ
せて得られる。

【００６２】ポリオールアクリレート系樹脂としては、
エチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレートグリセリントリ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエイスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペン
タエリスリトール等を挙げることが出来る。

【００６３】エポキシ樹脂としては、芳香族エポキシ化
合物（多価フェノールのポリジグリシジルエーテル）、
水素添加ビスフェノールＡまたはビスフェノールＡとエ
ピクロルヒドリンとの反応物のグリシジルエーテル、エ
ポキシノボラック樹脂、脂肪酸エポキシ樹脂としては、
脂肪族多価アルコール、またはそのアルキレンオキサイ
ド付加物のポリジグリシジルエーテル、脂肪族長鎖多価
アルコールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポ
リジグリシジル、ポリジグリシジルエステル、グリシジ
ルアクリレートやグリシジルメタクリレートのホモポリ
マー、コポリマーなどが挙げられる。

【００６４】本発明で使用される有機ポリマーとして
は、シルセスキオキサンを含有することができるもので
あれば特に制限はなく、有機ポリマー膜にシルセスキオ
キサンを含有させるだけで前記オングストロームオーダ
ーの細孔を有する膜が得られる。

【００６５】これらのポリマーとして例えば、ポリアク
リレート、ポリメタクリレート、アミノポリアクリルア
ミド、イソブチレン無水マレイン酸アミド、ＡＡＳ（ア
クリロニトリル−アクリレート−スチレンコポリマ
ー）、ＡＥＳ（アクリロニトリル−エチレン−プロピレ
ン−スチレンコポリマー）、ＡＳ（アクリロニトリル−
スチレンコポリマー）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブ
タジエン−スチレンコポリマー）、ＡＣＳ（アクリロニ
トリル−スチレンコポリマーと塩素化ポリエチレンのブ
レンド）、ＭＢＳ（メチルメタクリレート−ブタジエン
−スチレンコポリマー）、エチレン−塩化ビニルコポリ
マー、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、エチレン酢酸
ビニル塩化ビニルグラフトコポリマー、エチレンビニル
アルコールコポリマー、塩素化ポリ塩化ビニル、塩素化
ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、カルボキシビニ
ルポリマー、ケトン樹脂、フッ素化プラスチック、ポリ
テトラフルオロエチレン、フッ化エチレンポリプロピレ
ンコポリマー、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パー
フルオロアルコキシビニルエーテルコポリマー）、ポリ
クロロトリフルオロエチレン、エチレンテトラフルオロ
エチレンコポリマー、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ
化ビニル、ポリアセタール、ポリアミド、ナイロン、共
重合ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、
ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リエチレン、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデ
ンラテックス、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポ
リグルタミン酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレ
ン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアミン
サルホン、ポリパラビニルフェノール、ポリパラメチル
スチレン、ポリアリルアミン、ポリビニルアルコール、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルエーテル、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエン、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリメチ
ルペンテン、ポリメチルメタクリレート、エポキシ樹
脂、オリゴエステルアクリレート、キシレン樹脂、グア
ナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル
樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラ
ン樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、セルロース、セル
ロースアセテート、セルロイド、セルロース脂肪酸エス
テル、セルロース芳香族カルボン酸エステル、セルロー
ス誘導体、ポリオキサゾリン、ポリビニルピロリドン、
ポリ酢酸ビニル、ポリエチレングリコールジメチルエー
テル、ゼラチン等がその代表例として挙げられる。

【００６６】また本発明ではかご状シルセスキオキサン
に有機ポリマーとして重合性樹脂を併用（ポリマーハイ
ブリッド）してもよく、重合性樹脂の例としては、重合
可能なビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリ
ロイル基、イソプロペニル基、エポキシ基等の重合性基
を２つ以上有するものが好ましい。アクリロイル基、メ
タクリロイル基またはエポキシ基が特に好ましく、アク
リル基、メタクリル基を有する多官能モノマーまたはオ
リゴマーで架橋構造または網目構造を形成するものがさ
らに好ましい。アクリルウレタン樹脂系、ポリエステル
ポリオールアクリレート等を使用することが出来る。

【００６７】アクリルウレタン樹脂は、ポリエステルポ
リオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリ
マーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシ
エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含する
ものとしてアクリレートのみを表示する）、２−ヒドロ
キシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレ
ート系のモノマーを反応させることによって容易に得る
ことが出来る（例えば特開昭５９−１５１１１０号公
報）。

【００６８】ポリエステルアクリレート系樹脂は、ポリ
エステル末端の水酸基に２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、アクリル酸のようなモ
ノマーを反応させることによって容易に得ることが出来
る（例えば、特開昭５９−１５１１２号公報）。

【００６９】エポキシアクリレート系樹脂は、エポキシ
基の末端の水酸基にアクリル酸、アクリル酸クロライ
ド、グリシジルアクリレートのようなモノマーを反応さ
せて得られる。

【００７０】ポリオールアクリレート系樹脂としては、
エチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレートグリセリントリ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエイスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペン
タエリスリトール等を挙げることが出来る。

【００７１】エポキシ樹脂としては、芳香族エポキシ化
合物（多価フェノールのポリジグリシジルエーテル）、
水素添加ビスフェノールＡまたはビスフェノールＡとエ
ピクロルヒドリンとの反応物のグリシジルエーテル、エ
ポキシノボラック樹脂、脂肪酸エポキシ樹脂としては、
脂肪族多価アルコール、またはそのアルキレンオキサイ
ド付加物のポリジグリシジルエーテル、脂肪族長鎖多価
アルコールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポ
リジグリシジル、ポリジグリシジルエステル、グリシジ
ルアクリレートやグリシジルメタクリレートのホモポリ
マー、コポリマーなどが挙げられる。

【００７２】本発明に用いられる有機ポリマーは、単独
で用いても、２種類以上を併用しても良く、前記の低分
子有機化合物と併用しても良い。

【００７３】さらに分子内に芳香族基を含有する金属ア
ルコキシドまたは金属塩を使用する場合、例えばトリエ
トキシフェニルシランやジクロロジフェニルシランを原
料として金属酸化物ゾルを合成する場合には、これらの
金属に結合したアリール基とπ電子−π電子相互作用す
るような、主鎖内にアリール基を有するポリマーを使用
することも好ましい用法として挙げられる。主鎖内にア
リール基を有するポリマーの代表例としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリスチレン、ビスフェノールＡ
等の多価フェノールを原料とするポリカーボネートやエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂
等が挙げられる。

【００７４】さらに、本発明においては、有機ポリマー
以外の任意の低分子有機化合物を添加しても良い。

【００７５】本発明で用いられる金属アルコキシドまた
は金属塩、および有機ポリマーの使用量は、かご状シル
セスキオキサンの溶液または分散物またはそれ単体と相
溶する範囲であれば特に制限はないが、好ましくはかご
状シルセスキオキサンに対して重量百分率で０．１〜１
００００％、より好ましくは、１０〜１０００％であ
る。

【００７６】本発明の基材には金属、ガラス、シリコ
ン、樹脂等、何を用いてもかまわないが透明な基材が好
ましい。なかでも、セルロースアセテート系フィルム
（ＴＡＣ、ＣＡＰ等）、ポリエステル系フィルム、ポリ
カーボネート系フィルム、ノルボネン系フィルム、ポリ
アリレート系フィルム、及びポリスルフォン系フィルム
が好ましい。特にセルローストリアセテートフィルム
（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネートフィ
ルム（ＣＡＰ）、ポリカーボネートフィルム、一軸延伸
ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。

【００７７】本発明の塗布方式はディッピング、スピン
コーター、ナイフコーター、バーコーター、ブレードコ
ーター、スクイズコーター、リバースロールコーター、
グラビアロールコーター、カーテンコーター、スプレイ
コーター、ダイコーター等の公知の塗布機を用いること
が出来、連続塗布が可能な方法が好ましく用いられる。

【００７８】さらに、本発明のかご状シルセスキオキサ
ン含有組成物またはそれを塗設した皮膜には、必要に応
じて熱処理、紫外線等の光照射、またはプラズマ処理を
行って皮膜の物性を改良しても良い。

【００７９】本発明のかご状シルセスキオキサン含有組
成物またはそれを塗設した皮膜の用途に特に制限はない
が、例えば、アンチグレアフィルム、反射防止フィルム
（アンチリフレクションフィルム）、視野角拡大フィル
ム、ライトコントロールフィルム、電磁波シールドフィ
ルム、赤外線（熱線）カットフィルム等の光学フィルム
や、ＩＣやＬＳＩ等の半導体に用いられる低誘電率材料
として使用することができる。

【００８０】

【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれにより限定されるものではない。

【００８１】実施例に用いた評価方法は以下に示す評価
方法で行った。

【００８２】（屈折率の測定）アッベ屈折率計（アタゴ
株式会社製）を用いて屈折率を測定した。

【００８３】（膜強度の測定）１ｃｍ²あたり１００ｇ
の荷重を、スチールウール（＃００００）にかけ、１０
往復した時の傷の本数または傷の様子を目視で観察した
（傷なしを１０とし１０段階の官能評価とした）。

【００８４】（耐久性）試料を８０℃、９０％ＲＨの条
件で２週間保存した後、状態を目視で観察した。

【００８５】実施例１ テトラエトキシシラン２ｇをエタノール１２ｇに溶解し
た。この溶液に１Ｎの塩酸２ｇを添加して加水分解を行
い、ゾルを調製した。このゾルに化合物Ｓ−１を１．０
ｇ、テトラヒドロフラン１０ｇに溶解したシルセスキオ
キサン溶液を加え、５０℃で２時間撹拌してシルセスキ
オキサン−シリカ組成物とした。

【００８６】この組成物をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
るＳｉＯ₂のゲル膜を形成した。このゲル膜に、紫外線
照射装置１を用いて、４５秒間紫外線照射処理を行い、
かご状シルセスキオキサン含有酸化物皮膜（Ａ−１）を
作製した。

【００８７】 紫外線照射装置１：ＵＶ照射装置アイグラフィック社製 電源：３ｋＷ ランプ：高圧水銀ランプ 実施例２ テトラエトキシシラン２ｇをエタノール１２ｇに溶解し
た。この溶液に化合物Ｓ−１３を１．０ｇ、テトラヒド
ロフラン１０ｇに溶解したシルセスキオキサン溶液を加
え、さらにアルミニウム（III）２，４−ペンタンジオ
ネート０．１ｇを加えて５０℃で２時間撹拌してシルセ
スキオキサン−シリカ組成物とした。

【００８８】この組成物をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
るＳｉＯ₂のゲル膜を形成した。このゲル膜に、実施例
１で用いた紫外線照射装置１にて、４５秒間紫外線照射
処理を行い、かご状シルセスキオキサン含有酸化物皮膜
（Ａ−２）を作製した。

【００８９】実施例３ １０ｇのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート（平均分子量約２万）２ｇを溶解した溶
液に化合物Ｓ−１２を１．０ｇ、テトラヒドロフラン１
０ｇに溶解したシルセスキオキサン溶液を加えてシルセ
スキオキサン含有樹脂組成物を作製した。

【００９０】この組成物をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
る樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置１
を用いて、４５秒間紫外線照射処理を行い、かご状シル
セスキオキサン含有皮膜（Ａ−３）を作製した。

【００９１】実施例４ １０ｇのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート（平均分子量約２万）２ｇを溶解した溶
液に化合物Ｓ−１４を１．０ｇ、テトラヒドロフラン１
０ｇに溶解したシルセスキオキサン溶液を加えてシルセ
スキオキサン含有樹脂組成物を作製した。

【００９２】この組成物をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
る樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置１
を用いて、４５秒間紫外線照射処理を行い、かご状シル
セスキオキサン含有皮膜（Ａ−４）を作製した。

【００９３】実施例５ テトラエトキシシラン２ｇをエタノール１２ｇに溶解
し、さらに５ｇのメタノールにポリビニルピロリドン
（平均分子量約１万）０．５ｇを溶解した溶液を添加し
た。この溶液に化合物Ｓ−１を１．０ｇ、テトラヒドロ
フラン１０ｇに溶解したシルセスキオキサン溶液を加
え、さらにアルミニウム（III）２，４−ペンタンジオ
ネート０．１ｇを加えて５０℃で２時間撹拌してシルセ
スキオキサン−シリカ−ポリマーの混合組成物とした。

【００９４】この組成物をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンとポリマ
ーを含有するＳｉＯ₂のゲル膜を形成した。このゲル膜
に、紫外線照射装置１を用いて、４５秒間紫外線照射処
理を行い、かご状シルセスキオキサン含有酸化物皮膜
（Ａ−５）を作製した。

【００９５】実施例６ １０ｇのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート（平均分子量約２万）２ｇを溶解した溶
液に、チッソ株式会社製の末端ビニルポリジメチルシロ
キサンＤＭＳ−Ｖ０３（分子量５００、ビニル含有量１
０〜１２％）２ｇおよび化合物Ｓ−１４を１．０ｇ、テ
トラヒドロフラン１０ｇに溶解したシルセスキオキサン
溶液を加えてシルセスキオキサン含有樹脂組成物を作製
した。

【００９６】この組成物をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
る樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置１
を用いて、４５秒間紫外線照射処理を行い、かご状シル
セスキオキサン含有皮膜（Ａ−６）を作製した。

【００９７】比較例１ テトラエトキシシラン２ｇをエタノール１２ｇに溶解し
た。この溶液に１Ｎの塩酸２ｇを添加して加水分解を行
い、ゾルを調製した。

【００９８】このゾル液をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、ＳｉＯ₂のゲル膜を形成した。この
ゲル膜に、紫外線照射装置１を用いて、４５秒間紫外線
照射処理を行い、酸化物皮膜（Ｒ−１）を作製した。

【００９９】比較例２ １０ｇのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート（平均分子量約２万）２ｇを溶解した溶
液をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈折率１．４９）上に、
スピンコート（回転数１５００ｒｐｍ）後、乾燥し、樹
脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置１を用
いて、４５秒間紫外線照射処理を行い、樹脂皮膜（Ｒ−
２）を作製した。

【０１００】比較例３ １０ｇのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート（平均分子量約２万）２ｇを溶解した溶
液に、チッソ株式会社製の末端ビニルポリジメチルシロ
キサンＤＭＳ−Ｖ０３（分子量５００、ビニル含有量１
０〜１２％）２ｇを加えてポリシロキサン含有樹脂組成
物を作製した。

【０１０１】この組成物をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈
折率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒ
ｐｍ）後、乾燥し、ポリシロキサンを含有する樹脂膜を
形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置１を用いて、
４５秒間紫外線照射処理を行い、ポリシロキサン含有樹
脂皮膜（Ｒ−３）を作製した。

【０１０２】比較例４（非かご状シルセスキオキサンを
用いた場合） 比較例２と同様に、１０ｇのテトラヒドロフランにポリ
パーフルオロオクチルアクリレート（平均分子量約２
万）２ｇを溶解した。ここに、チッソ株式会社製ポリメ
チルシルセスキオキサン（ＳＳＴ−３Ｍ０２）１ｇをテ
トラヒドロフラン１０ｇに溶解したシルセスキオキサン
溶液を加えて非かご状シルセスキオキサン含有樹脂組成
物を作製した。

【０１０３】この溶液をアクリル板（厚さ３ｍｍ、屈折
率１．４９）上に、スピンコート（回転数１５００ｒｐ
ｍ）後、乾燥し、樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫
外線照射装置１を用いて、４５秒間紫外線照射処理を行
い、樹脂皮膜（Ｒ−４）を作製した。

【０１０４】表１に実施例１〜実施例６および比較例１
〜比較例４でアクリル板上に作製した被膜の物性値を示
す。

【０１０５】

【表１】

【０１０６】表１の結果から明らかなように、本発明の
かご状シルセスキオキサンを含有した皮膜は、バインダ
ーがシリカ（Ａ−１、Ａ−２）、有機ポリマー（Ａ−
３、Ａ−４）、有機ポリマーコンポジットシリカ（Ａ−
５）および有機ポリマーコンポジットシリコーン（Ａ−
６）の何れの場合でも、かご状シルセスキオキサンを含
有しない皮膜（Ｒ−１、Ｒ−２、Ｒ−３）に比べ屈折率
の低下と膜強度の上昇、耐久性の向上が認められた。ま
た、非かご状のシルセスキオキサンであるポリメチルシ
ルセスキオキサンを含有した皮膜（Ｒ−４）は膜強度の
上昇と耐久性の向上は認められたが本研究において最も
重要な因子である屈折率の低下は全く認められなかっ
た。

【０１０７】この結果から、本発明のかご状シルセスキ
オキサンを含有する皮膜では、かご状シルセスキオキサ
ンが有する分子レベルの空孔が屈折率を低下させること
に有効に機能していることが明らかになった。つまり、
逆に言うとかご状シルセスキオキサンを含有させること
により皮膜内に簡便に微小空隙を作製することができ、
その結果として屈折率が下がる。当然屈折率の低い膜が
できれば反射防止用の光学フィルムとして使用すること
ができるし、また屈折率と関連する物性である誘電率も
当然のことながら下がる。つまり、本発明では、かご状
シルセスキオキサンを何らかのバインダーで基材上に塗
設することにより、低屈折率や低誘電率の皮膜が作製で
きるとともに、反射防止フィルムのような光学特性改良
フィルムが作製でき、さらにその皮膜の膜強度や耐久性
等の改善もなされることがわかった。

【０１０８】実施例７ 実施例３で作製した塗布液を厚さ３μｍのアクリル樹脂
のハードコートを塗設したトリアセチルセルロースベー
ス（厚さ８０μｍ）にワイヤーバーでウエット膜厚１５
μｍで塗布、乾燥後実施例３と同様に紫外線照射処理を
施し、反射防止フィルム（ＡＲ−１）を作製した。

【０１０９】また、比較として比較例２で作製した塗布
液を上記のＡＲ−１と同じ条件で塗布し、同じ処理を行
って、比較用の反射防止フィルム（ＡＲ−２）を作製し
た。

【０１１０】この２種の反射防止フィルムの反射率を４
５０ｎｍと６５０ｎｍで測定した。

【０１１１】その結果を表２に示す。

【０１１２】

【表２】

【０１１３】表２の結果から明らかなように、本発明の
かご状シルセスキオキサンを含有した皮膜を塗設した反
射防止フィルム（ＡＲ−１）では比較試料（ＡＲ−２）
に比べ大幅に反射率が低下し、優れた反射防止性能を有
することがわかった。

【０１１４】実施例８ 実施例１のテトラエトキシシランを同重量の以下に示す
金属アルコキシドまたは金属塩に替えた以外は実施例１
と全く同様の金属酸化物含有塗布液を作製し、実施例１
と同じ条件で塗布した。

【０１１５】さらに、比較例１のテトラエトキシシラン
を同重量の以下に示す金属アルコキシドまたは金属塩に
替えた以外は比較例１と全く同様の金属酸化物含有塗布
液を作製し、比較例１と同じ条件で塗布した。

【０１１６】このようにして得られた塗布試料を実施例
１と同じ条件の処理を施した後、実施例１〜６と同じ方
法で屈折率を測定した。

【０１１７】その結果、全ての金属酸化物膜でかご状シ
ルセスキオキサンを含有した皮膜で、対応するかご状シ
ルセスキオキサンを含有しない皮膜に対し有意な屈折率
低下を確認した。

【０１１８】金属アルコキシドまたは金属塩 ４−１ アルミニウムトリ−ｎ−ブトキシド ４−２ テトライソプロポキシチタン ４−３ 亜鉛２，４−ペンタンジオネート ４−４ ストロンチウム２，４−ペンタンジオネート ４−５ イットリウムイソプロポキサイド ４−６ ジルコニウム−ｎ−ピロポキサイド ４−７ マグネシウムエトキサイド ４−８ テトラ−ｔ−ブトキシスズ ４−９ カルシウムヘキサフルオロペンタンジオネー
ト ４−１０ ユウロピウム２，４−ペンタンジオネート ４−１１ テルビウム２，４−ペンタンジオネート ４−１２ アンチモンブトキサイド ４−１３ 塩化ニオブ

【０１１９】

【発明の効果】かご状シルセスキオキサンを基材上に塗
設することにより、低屈折率の皮膜が作製できるととも
に、反射防止フィルムのような光学特性改良フィルムが
作製でき、さらにその皮膜の膜強度や耐久性等の改善も
なされることがわかった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/057 Ｃ０８Ｋ 5/057 ４Ｊ００２ 5/09 5/09 ４Ｊ０３５ Ｃ０８Ｌ 83/04 Ｃ０８Ｌ 83/04 ４Ｊ０３８ 101/16 Ｃ０９Ｄ 7/12 Ｚ Ｃ０９Ｄ 7/12 183/04 183/04 201/00 201/00 Ｃ０７Ｆ 7/18 Ｘ // Ｃ０７Ｆ 7/18 7/21 7/21 Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＨ Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＨ Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｆターム(参考） 4F071 AA01 AA67 AB18 AC05 AC09 AH19 BA03 BC02 4F100 AA02B AH06B AH08B AK01B AK25A AT00A BA02 CA30B CA30H CC01B EH46 EJ54 GB41 JD06 JM01B JN01A JN06 JN08 4G059 AA08 AA11 AC02 AC09 EA05 EB05 FA05 FA07 FA29 FB05 4G072 BB09 FF01 FF07 FF09 GG02 HH28 HH30 JJ14 LL11 LL15 MM02 NN21 PP01 PP03 PP17 UU01 4H049 VN01 VP08 VP09 VP10 VQ02 VQ03 VQ07 VQ26 VQ48 VQ78 VQ86 VQ88 VR11 VR21 VR43 VR44 VS02 VS03 VS07 VS26 VS48 VS78 VU29 4J002 AB012 AC032 BB032 BB062 BB122 BB242 BC062 BC082 BD042 BD062 BD102 BD122 BD142 BD152 BD172 BE022 BE032 BE042 BE052 BE062 BF022 BG042 BG062 BG122 BH022 BJ002 BN062 BN072 BN102 BN122 BN152 BN162 CB002 CC022 CC122 CD002 CD203 CF062 CF072 CF162 CF212 CF273 CG002 CH022 CH092 CK023 CL002 CM042 CN032 CP012 CP031 CP142 DD026 DF036 DG046 DH046 EC076 EG046 EG056 EG106 EX036 EX066 EX076 EX086 GP00 4J035 BA12 CA01K CA022 CA072 CA102 CA112 CA132 CA142 CA152 CA172 CA192 CA262 LA07 LB01 LB20 4J038 DL031 EA001 HA126 HA216 HA336 HA376 HA416 JA16 JA47 JC32 KA12 NA11 NA17 PB08 PC02 PC03 PC08

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基材上に、少なくとも１種のかご状
   シルセスキオキサンを含有する膜を有することを特徴と
   するフィルム。
2. 【請求項２】 かご状のシルセスキオキサンが下記一般
   式（１）〜（７）で表される化合物であることを特徴と
   する請求項１に記載のフィルム。 【化１】 【化２】 （式中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルケニル基又は
   アリール基を表し、複数のＲは同じであってもよい。）
3. 【請求項３】 少なくとも１種の金属アルコキシドまた
   は金属塩に、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサ
   ンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲルで
   あることを特徴とする組成物。
4. 【請求項４】 基材上に、少なくとも１種の金属アルコ
   キシドまたは金属塩に、少なくとも１種のかご状シルセ
   スキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属酸
   化物ゲル組成物を塗布することにより形成されたことを
   特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。
5. 【請求項５】 基材上に、少なくとも１種の金属アルコ
   キシドまたは金属塩に、少なくとも１種のかご状シルセ
   スキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属酸
   化物ゲル組成物を塗布することを特徴とするかご状シル
   セスキオキサン含有皮膜の製造方法。
6. 【請求項６】 少なくとも１種の有機ポリマーに、少な
   くとも１種のかご状シルセスキオキサンを含有させたこ
   とを特徴とする樹脂組成物。
7. 【請求項７】 基材上に、少なくとも１種の有機ポリマ
   ーに、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを含
   有させた樹脂組成物を塗布することにより形成されたこ
   とを特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。
8. 【請求項８】 基材上に、少なくとも１種の有機ポリマ
   ーに、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを含
   有させた樹脂組成物を塗布することを特徴とするかご状
   シルセスキオキサン含有皮膜の製造方法。
9. 【請求項９】 かご状シルセスキオキサンを含有する膜
   が、少なくとも１種の金属アルコキシドまたは金属塩
   に、少なくとも１種のかご状シルセスキオキサンを含有
   させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲル組成物を、
   透明基材上に塗設し形成されたものであることを特徴と
   する請求項１または２に記載のフィルム。
10. 【請求項１０】 かご状シルセスキオキサンを含有する
    膜が、少なくとも１種の有機ポリマーに、少なくとも１
    種のかご状シルセスキオキサンを含有させた樹脂組成物
    を、透明基材上に塗設し形成されたものであることを特
    徴とする請求項１または２に記載のフィルム。
11. 【請求項１１】 かご状シルセスキオキサンを含有する
    膜が、少なくとも１種の金属アルコキシドまたは金属塩
    及び少なくとも１種の有機ポリマーに、少なくとも１種
    のかご状シルセスキオキサンを含有させたポリマーコン
    ポジット金属酸化物ゾルまたはポリマーコンポジット金
    属酸化物ゲル組成物を、透明基材上に塗設し形成された
    ものであることを特徴とする請求項１、２、９又は１０
    に記載のフィルム。