JP2000335110A

JP2000335110A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JP2000335110A
Application number: JP11154505A
Authority: JP
Inventors: Yuko Okijima; 祐子大木島; Takumi Nagao; 卓美長尾
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-06-02
Filing date: 1999-06-02
Publication date: 2000-12-05

Abstract

(57)【要約】【課題】青色半導体レーザーによって記録再生が可能
な有機色素系光学記録媒体を提供する。【解決手段】基板上にレーザー、例えば波長域が350n
m〜530nmのレーザーによる情報の記録又は再生が可能な
記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が
下記一般式（１）で示される化合物を含有することを特
徴とする光学記録媒体。【化１】（式中、環Ａ、Ｂは置換基を有し得るベンセン環、Ｘ、
Ｙは窒素原子、置換基を有し得る炭素原子、Ｚは酸素原
子、硫黄原子、置換基を有し得る窒素原子を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機色素を記録層
に用いた追記型光学記録媒体に係わるものであり、詳し
くは青色レーザー対応の追記型光学記録媒体に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、発振波長の短い半導体レーザーの
開発が進められ、従来使用されているレーザーの波長78
0nm、830nmよりも短波長のレーザー光を用いた高密度の
記録再生可能な光学記録媒体が求められている。従来提
案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒体、
相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有機色
素系光記録媒体等があるが、これらの中で有機色素系光
記録媒体は、コスト的に安価で且つ製造プロセス工程も
容易であるという点で優位性を有するものと考えられて
いる。

【０００３】現在、有機色素系光学記録媒体には、反射
率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプのＣ
Ｄ−Ｒが量産化され広く知られているが、このＣＤ−Ｒ
の記録再生に使用されるレーザーよりもさらに短波長の
赤色半導体レーザーで記録する高密度の有機色素系光学
記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）も開発され、実用化されてい
る。しかし、より短波長のレーザー発振が可能になるに
従い、今後、更により一層の高密度化を狙ったＤＶＤ−
Ｒよりもさらに短波長のレーザー、即ち青色半導体レー
ザー（波長350nm〜530nm）で記録再生可能な光学記録媒
体の必要性が高まってくる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般に、ＣＤ−Ｒ或い
はＤＶＤ−Ｒとして使用されている光学記録媒体は、短
波長の青色半導体レーザーで記録再生すると、反射率が
低く記録再生ができないという問題を有している。本発
明は、青色半導体レーザーによって記録再生が可能な有
機色素系光学記録媒体を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは青色半導体
レーザーに高い感受性を有する有機色素について種々検
討した結果、上記一般式（１）で示される化合物を青色
半導体レーザーに対応する光学記録媒体の記録層に使用
し得ることを知得し本発明に到達した。すなわち本発明
の要旨は、基板上にレーザーによる情報の記録又は再生
が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該
記録層が下記一般式（１）で示される化合物を含有する
ことを特徴とする光学記録媒体に存し、該レーザーの波
長は、350nm〜530nmであることが好ましい。

【０００６】

【化２】

【０００７】（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立してＣ−R¹
または窒素原子を表し、Ｚは水素原子、硫黄原子、Ｎ−
Ｒ²を表す。環Ａ，環Ｂは置換されても良いベンゼン環
を表す。ここでR¹は水素原子、置換または未置換のアル
キル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換または
未置換のアルケニル基、置換または未置換のアミノ基、
置換または未置換のアルキルチオ基、ハロゲン原子、ホ
ルミル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸
基、ニトロ基、シアノ基を表す。R²は水素原子、置換ま
たは未置換のアルキル基、置換または未置換のアルケニ
ル基を表す。）

【０００８】

【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。本発明の光学記録媒体の記録層に含有させる化合物
は、前記一般式（１）によって表され、環Ｃを構成する
Ｘ、Ｙ、Ｚは、一般式（１）中に定義されている如く、
Ｘ、Ｙはそれぞれ独立してＣ−R¹または窒素原子であ
り、Ｚは酸素原子、硫黄原子、またはＮ−R²である。環
Ｃは、Ｘ、Ｙ、Ｚそれぞれがこの範囲群であれば特に制
限されないが、好ましくは下記のものが挙げられる。

【０００９】

【化３】

【００１０】（式中、D₁〜D₉はR¹で示される置換基であ
り、D₁₀〜D₁₂はR²で示される置換基である。）これらの中、環ＣはＺが酸素原子であり、Ｘ及びＹの少
なくとも一方が窒素原子であるものが有用である。

【００１１】ここで、R¹は水素原子、置換または未置換
のアルキル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換
または未置換のアルケニル基、置換または未置換のアミ
ノ基、置換または未置換のアルキルチオ基、ハロゲン原
子、ホルミル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スル
ホン酸基、ニトロ基、シアノ基を表す置換基であり、ハ
ロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等
が挙げられる。

【００１２】未置換のアルキル基としては、メチル基、
エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル
基、tert−ブチル基、sec-ブチル基等の炭素数１〜１０
の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
の炭素数３〜６の環状アルキル基が挙げられ、又置換ア
ルキル基としては、2-ヒドロキシエチル基、3-ヒドロキ
シプロピル基、4-ヒドロキシブチル基、2-ヒドロキシプ
ロピル基等のヒドロキシ置換アルキル基；カルボキシメ
チル基、2-カルボキシエチル基、3-カルボキシプロピル
基等のカルボキシ置換アルキル基；シアノメチル基、2-
シアノエチル基等のシアノ置換アルキル基；2-アミノエ
チル基等のアミノ置換アルキル基；2-クロロエチル基、
3-クロロプロピル基、2-クロロプロピル基、2,2,2-トリ
フルオロエチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフル
オロエチル基、パーフルオロ-n-プロピル基等のハロゲ
ン置換アルキル基；2-メトキシエチル基、2-エトキシエ
チル基、2-n-プロポキシエチル基、2-n-ブトキシエチル
基、2-iso-ブトキシエチル基、2-(2-エチルヘキシルオ
キシ)エチル基、3-メトキシプロピル基、4-メトキシブ
チル基、2-メトキシプロピル基等のアルコキシ置換アル
キル基；2-アリルオキシエチル基等のアルケニルオキシ
置換アルキル基；2-アセチルオキシエチル基、2-プロピ
オニルオキシエチル基、2-n-ブチリルオキシエチル基、
2-iso-ブチリルオキシエチル基、2-トリフルオロアセチ
ルオキシエチル基等のアシルオキシ置換アルキル基等が
挙げられる。

【００１３】更に、置換または未置換のアルコキシ基と
しては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、sec
-ブトキシ基等の炭素数１〜１０の直鎖または分岐のア
ルコキシ基；2-クロロエトキシ基、3-クロロプロポキシ
基、2-クロロプロポキシ基、2,2,2-トリフルオロエトキ
シ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキ
シ基、パーフルオロ-n-プロポキシ基等のハロゲン置換
アルコキシ基等の炭素数１〜１０の置換アルコキシ基が
挙げられる。

【００１４】置換または未置換のアルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、iso-プロぺニル基、ブテニル
基、ペンテニル基等の炭素数２〜１０の直鎖または分岐
のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロへキセニ
ル基等の炭素数３〜１０の環状アルケニル基；2-ブロモ
ビニル基、2,2-ジクロロビニル基、1,2-ジブロモビニル
基、1,2-ジブロモプロぺニル基等のハロゲン置換アルケ
ニル基等の置換アルケニル基が挙げられる。

【００１５】置換または未置換のアルキルチオ基として
は、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、
イソプロピルチオ基、n-ブチルチオ基、tert-ブチルチ
オ基、sec-ブチルチオ基等の炭素数１〜１０の直鎖また
は分岐のアルキルチオ基；2-クロロエチルチオ基、3-ク
ロロプロピルチオ基、2-クロロプロピルチオ基、2,2,2-
トリフルオロエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ
基、ペンタフルオロエチルチオ基等のハロゲン置換アル
キルチオ基等の置換アルキルチオ基が挙げられる。

【００１６】アミノ基の他に、置換アミノ基としては、
メチルアミノ基、エチルアミノ基、n-プロピルアミノ
基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ-n-プロ
ピルアミノ基等のアルキル置換アミノ基等が挙げられ
る。

【００１７】R¹において好ましいのは、水素原子；ハロ
ゲン原子；ニトロ基；シアノ基；ホルミル基；炭素数１
〜６の直鎖または分岐のアルキル基；炭素数１〜６のハ
ロゲン置換アルキル基；炭素数１〜５のアルコキシ基；
炭素数１〜５のアルキルチオ基である。特に好ましいの
は、水素原子；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキ
ル基；炭素数１〜３のアルコキシ基；炭素数１〜３のア
ルキルチオ基である。

【００１８】R²は一般式（１）に定義されている水素原
子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
のアルケニル基である。R²として具体的には、水素原
子；前記R¹で例示したのと同様の置換または未置換のア
ルキル基及び置換または未置換のアルケニル基が挙げら
れる。R²として特に好ましくは、水素原子；炭素数１〜
４の直鎖または分岐のアルキル基；炭素数１〜４のハロ
ゲン置換アルキル基である。

【００１９】環Ａ及びＢは置換されていてもよいベンゼ
ン環を表し、これらの環が有し得る置換基としては特に
制限されず、例えば、前記R¹に例示したのと同様のもの
が挙げられる。これらの置換基の他に、アセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル
基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、
ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニル
基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-
プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル
基、n-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニ
ル基、sec-ブトキシカルボニル基等の炭素数２〜７のア
ルコキシカルボニル基が挙げられる。

【００２０】更に、メトキシカルボニルメチル基、イソ
プロポキシカルボニルエチル基等の炭素数３〜７のアル
コキシカルボニルアルキル基；メチルスルホニル基、エ
チルスルホニル基、n-プロピルスルホニル基、イソプロ
ピルスルホニル基、n-ブチルスルホニル基、tert-ブチ
ルスルホニル基、sec-ブチルスルホニル基等の炭素数１
〜６のアルキルスルホニル基；アシルアミノ基；カーバ
メート基；スルホンアミノ基；カルボン酸エステル基；
カルバモイル基；スルファモイル基、スルホン酸エステ
ル基；置換基を有しても良いフェニル基、ナフチル基等
の炭素数６〜１６のアリール基；置換基を有しても良い
複素環が挙げられる。アリール基または複素環が置換基
を有する場合は、そのアリール基または複素環の置換基
は特に制限されないが、例として環Ａ、Ｂの置換基とし
て例示したものと同様のものが挙げられる。

【００２１】環A、Ｂが有し得る置換基として好ましい
ものは、水素原子；ハロゲン原子；ニトロ基；シアノ
基；ホルミル基；炭素数１〜６の直鎖または分岐のアル
キル基；炭素数１〜６のハロゲン置換アルキル基；炭素
数１〜５のアルコキシ基；炭素数１〜５のアルキルチオ
基；炭素数２〜４のアルキルカルボニル基；置換基を有
しても良いフェニル基またはナフチル基；置換基を有し
ても良い５員環の複素芳香環である。特に好ましいの
は、水素原子；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキ
ル基；炭素数１〜３のアルコキシ基；炭素数１〜３のア
ルキルチオ基；フェニル基；５員環の複素芳香環であ
る。環A、Ｂにおけるそれらの置換位置は特に限定され
ることはなく、また置換基の数は０〜５個の範囲で可能
である。

【００２２】一般式（１）で表される化合物の好ましい
例としては下記のものが挙げられる。［環Ｃがフラン系である例］

【化４】

【００２３】［環Ｃがチオフェン系である例］

【化５】

【００２４】［環Ｃがピロール系である例］

【化６】

【００２５】［環Ｃがオキサゾール系である例］

【化７】

【００２６】［環Ｃがチアゾール系である例］

【化８】

【００２７】［環Ｃがイミダゾール系である例］

【化９】

【００２８】［環Ｃがオキサジアゾール系である例］

【化１０】

【００２９】［環Ｃがチアジアゾール系である例］

【化１１】

【００３０】［環Ｃがトリアゾール系である例］

【化１２】

【００３１】これら本発明の化合物は、該化合物を含有
する記録層塗布膜がより短い波長（350nm〜500nm）領域
に、該波長のレーザー光による記録再生に適した強度の
吸収を有し、また該化合物を用いた溶液から記録層の成
膜を形成する際の薄膜形成性にも優れているので、短波
長レーザーに対応する記録再生用光学記録媒体の記録層
に使用する色素として極めて有用である。本発明の光学
記録媒体は、基本的には基板と前記化合物を含む記録層
とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基
板上に下引き層、金属反射層、保護層等を設けても良
い。好ましい層構成の一例としては、記録層上に金、
銀、アルミニウムのような金属反射層および保護層を設
けた高反射率の媒体が挙げられる。

【００３２】以下、この構造の媒体を例に、本発明の光
学記録媒体について説明する。本発明の光学記録媒体に
おける基板の材質としては、基本的には記録光及び再生
光の波長で透明であればよい。このような材質として
は、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点か
ら射出成型ポリカーボネート樹脂が特に好ましい。

【００３３】これらの基板材料は射出成形法等により円
盤状の基板に成形される。必要に応じて、基板表面に案
内溝やピットを形成することもある。このような案内溝
やピットは、基板の成形時に付与することが好ましい
が、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与すること
もできる。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチ
が0.5〜1.2μｍ程度であることが好ましい。

【００３４】基板上、または必要に応じて下引き層等を
設けた上に、本発明の化合物を含む記録層を形成する。
記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート
法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法が挙げられ
るが、量産性、コスト面からスピンコート法が特に好ま
しい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は500
〜5000rpmが好ましく、スピンコートの後、場合によっ
ては加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行っても
良い。

【００３５】ドクターブレード法、キャスト法、スピン
コート法、浸漬法等の塗布方法により記録層を形成する
場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒であれば
よく、特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコー
ル、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトンアル
コール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等
のセロソルブ系溶媒；n-ヘキサン、n-オクタン等の鎖状
炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、
n-ブチルシクロヘキサン、tert-ブチルシクロヘキサ
ン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフ
ルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘ
キサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアル
コール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチ
ル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げら
れる。

【００３６】また、記録層は、記録層の安定や耐光性向
上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キ
レート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α-ジケトン等）等や、記録感度向
上のために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有して
いても良い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金
属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれ
るものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメ
チン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナ
ントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、
ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、
ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯
体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有
機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定
されないが、遷移金属であることが好ましい。

【００３７】さらに、必要に応じて他系統の色素を併用
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザ
ー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反
射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴
いピットが形成されるならば特に制限されない。また、
CD-Rのような770〜830nmから選ばれた波長の近赤外レー
ザーやDVD-Rのような620〜690nmから選ばれた赤色レー
ザーでの記録に適する色素を併用して、複数の波長域で
レーザーでの記録に対応する光記録媒体とすることもで
きる。

【００３８】他系統の色素としては含金属アゾ系色素、
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金
属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、
メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系
色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウ
ム系色素等が挙げられる。

【００３９】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィン等が挙げられる。成膜の膜厚は、記
録方法により異なってくる場合があり、特に限定するも
のではないが、好ましくは50〜300nmである。

【００４０】次に記録層の上に、反射層を形成してもよ
く、その膜厚は好ましくは、厚さ50〜300nmである。反
射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高い
もの、例えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、
Cr及びPdの金属を単独あるいは合金にして用いることが
可能である。この中でもAu、Al、Agは反射率が高く反射
層の材料として適している。これらを主成分とする以外
に下記のものを含んでいても良い。例えば、Mg、Se、H
f、Ｖ、Nb、Ru、Ｗ、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Z
n、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金
属及び半金属を挙げることができる。なかでもAgを主成
分としているものはコストが安い点、高反射率が出やす
い点、更に後で述べる印刷受容層を設ける場合には地色
が白く美しいものが得られる点等から特に好ましい。こ
こで主成分とは含有率が５０％以上のものをいう。

【００４１】金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。反射層を形成する方法として
は、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化
学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上
や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性
の向上等のために公知の無機系または有機系の中間層、
接着層を設けることもできる。

【００４２】反射層の上に形成する保護層の材料として
は、反射層を外力から保護するものであれば特に限定さ
れない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げ
ることができる。また、無機物質としては、SiO₂、Si
N₄、MgF₂、SnO₂等が挙げられる。

【００４３】熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な
溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって
形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのままも
しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後にこの
塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによ
って形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、
例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹
脂を用いることができる。これらの材料は単独であるい
は混合して用いても良いし、１層だけではなく多層膜に
して用いても良い。

【００４４】保護層の形成方法としては、記録層と同様
にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法
や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピ
ンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に0.1〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、３〜30μmが
好ましい。

【００４５】また、反射層面に基板を貼り合わせる、あ
るいは反射層面相互を内面とし対向させ光記録媒体２枚
を貼り合わせる等の手段を用いても良い。基板鏡面側
に、表面保護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹
脂、無機系薄膜等を成膜してもよい。反射層上に設けた
保護層の上、または反射層面に貼り合わせた基板の上等
に更に印刷受容層を形成することもできる。

【００４６】本発明の光記録媒体について使用されるレ
ーザー光は、高密度記録のため波長は短いほど好ましい
が、特に350〜530nmのレーザー光が好ましい。かかるレ
ーザー光の代表例としては、中心波長410nm、515nmのレ
ーザー光が挙げられる。波長350〜530nmの範囲のレーザ
ー光の一例は、410nmの青色または515nmの青緑色の高出
力半導体レーザーを使用することにより得ることができ
るが、その他、例えば、(a)基本発振波長が740〜960nm
の連続発振可能な半導体レーザー、または(b)半導体レ
ーザーによって励起され、且つ基本発振波長が740〜960
nmの連続発振可能な固体レーザーのいずれかを第二高調
波発生素子(SHG)により波長変換することによっても得
ることができる。

【００４７】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ADP、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好ま
しい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が86
0nmの半導体レーザーの場合、その倍波の430nm、また半
導体レーザー励起の固体レーザーの場合は、Crドープし
たLiSrAlF₆結晶（基本発振波長860nm）からの倍波の430
nmなどが挙げられる。

【００４８】上記のようにして得られた本発明の光記録
媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録層
に0.4〜0.6μm程度に集束したレーザー光を照射するこ
とにより行う。レーザー光の照射された部分には、レー
ザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶解等の
記録層の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、
レーザー光により、熱的変化が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差を読みとることにより行う。

【００４９】

【実施例】以下本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限り、これら実施
例によって限定されるものではない。実施例１下記構造式（ａ）で示される化合物（クロロホルム中で
のλmax＝306nm、モル吸光係数は4.33×10⁴）をオクタ
フルオロペンタノールに溶解し、1.0wt%に調整した。こ
れをろ過してできた溶解液を直径120mm、厚さ1.2mmの射
出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー
法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥し
た。この塗布膜の最大吸収波長（λmax）は、325nmであ
った。

【００５０】

【化１３】

【００５１】この塗布膜上に、スパッタリング法等にて
銀膜を成膜して反射層を形成し、更に紫外線硬化型樹脂
をスピンコート等にて塗布・ＵＶ照射により硬化させて
保護層を形成し、光学記録媒体とすることができる。こ
の光学記録媒体は、塗布膜のλmaxの値より、例えば中
心波長410nmの半導体レーザーによる記録再生が可能で
あることが明らかである。

【００５２】

【発明の効果】本発明化合物の含有溶液は、短波長のレ
ーザー光による記録再生に適した吸収を有する塗布膜を
形成することが出来、且つ成膜性にも優れているので、
本発明化合物を用いた記録層を有する記録媒体は、短波
長レーザーに対応する記録再生用光学記録媒体として有
用である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレーザーによる情報の記録又は
再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体におい
て、該記録層が下記一般式（１）で示される化合物を含
有することを特徴とする光学記録媒体。【化１】（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立してＣ−R¹または窒素原
子を表し、Ｚは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−R²を表す。環
Ａ，環Ｂは置換されていても良いベンゼン環を表す。こ
こでR¹は水素原子、置換または未置換のアルキル基、置
換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換のア
ルケニル基、置換または未置換のアミノ基、置換または
未置換のアルキルチオ基、ハロゲン原子、ホルミル基、
ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ
基、シアノ基を表す。R²は水素原子、置換または未置換
のアルキル基、置換または未置換のアルケニル基を表
す。）
【請求項２】情報の記録又は再生のレーザー波長が35
0nm〜530nmであることを特徴とする請求項１記載の光学
記録媒体。
【請求項３】前記一般式（１）において、Ｚは酸素原
子であり、Ｘ及びＹの少なくとも一方が窒素原子である
ことを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。