JP2000340359A

JP2000340359A - 有機ｅｌ素子の駆動装置および有機ｅｌ表示装置

Info

Publication number: JP2000340359A
Application number: JP11149356A
Authority: JP
Inventors: Michio Arai; 三千男荒井; Ichiro Takayama; 一郎高山
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-05-28
Filing date: 1999-05-28
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】少ない工程で、それぞれの駆動条件にあった
特性の素子を形成することにより、電源が少なく、低コ
スト化が可能な有機ＥＬ素子の駆動装置および有機ＥＬ
表示装置を実現する。【解決手段】有機ＥＬ素子を駆動する第１のスイッチ
ング素子と、この第１のスイッチング素子を駆動する第
２のスイッチング素子と、このスイッチング素子により
駆動され、少なくとも発光機能に関与する有機層を有す
る有機ＥＬ素子とを有し、前記第１のスイッチング素子
と第２のスイッチング素子とが同一の非単結晶シリコン
基体に形成され、かつ前記第１のスイッチング素子と、
第２のスイッチング素子とはそれぞれ異なったドーピン
グ材料を有する有機ＥＬ素子の駆動装置とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子の駆動
装置に関し、特に非単結晶半導体薄膜を基体とする薄膜
トランジスタを用いた有機ＥＬ素子の駆動装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、有機ＥＬ表示装置（ディスプレ
イ）において、Ｘ−Ｙマトリックス回路で単純駆動をさ
せ画像表示を行う技術が知られている（特開平２−３７
３８５号公報，特開平３−２３３８９１号公報など）。
しかし、このような単純駆動では、線順次駆動を行うの
で、走査数が数百本と多い場合には、要求される瞬間輝
度が観察される輝度の数百倍となるため、下記のような
問題があった。

【０００３】（１）駆動電圧が高くなる。電圧は直流定
常電圧下の場合の通常２〜３倍以上となるため効率が低
下する。従って消費電力が大きくなる。（２）瞬間的に流れる電流量が数百倍となるため、有機
発光層が劣化しやすくなる。（３）（２）と同様に通電電流が非常に大きいため、電
極配線の電圧降下が問題となる。

【０００４】上記の（１）〜（３）を解決する手法とし
て、下記のアクティブマトリックス駆動が提案されてい
る。すなわち、蛍光体として無機物であるＺｎＳを用
い、さらにアクティブマトリックス駆動を行うディスプ
レイが開示されている（米国特許第４１４３２９７
号）。しかし、この技術においては、無機蛍光体を用い
るため駆動電圧が１００Ｖ以上と高く問題となってい
た。同様な技術は、ＩＥＥＥＴｒａｎｓＥｌｅｃｔｒｏ
ｎＤｅｖｉｃｅｓ，８０２（１９７１）にも記載されて
いる。一方、有機蛍光体を用いアクティブマトリックス
駆動を行うディスプレイも最近、多数開発されている
（特開平７−１２２３６０号公報，特開平７−１２２３
６１号公報，特開平７−１５３５７６号公報，特開平８
−５４８３６号公報，特開平７−１１１３４１号公報，
特開平７−３１２２９０号公報，特開平８−１０９３７
０号公報，特開平８−１２９３５９号公報，特開平８−
２４１０４７号公報および特開平８−２２７２７６号公
報など）。上記の技術は、有機蛍光体を用いることによ
り駆動電圧が１０Ｖ以下と大幅に低電圧化し、高効率な
有機蛍光体を用いる場合には効率は３ｌｍ／ｗ〜１５ｌ
ｍ／ｗの範囲で極めて高効率であること、また、単純駆
動に比べて高精細ディスプレイの駆動電圧が１／２〜１
／３となり、消費電力が低減できること等の優れた特徴
があった。

【０００５】図１２，１３はＴＦＴ駆動回路の従来例を
示した図である。以下、図面に基づいてアクティブマト
リクスの従来例を説明する。

【０００６】図１２は、パネルブロック図であり、ディ
スプレイ（表示）パネル１０には、ディスプレイ画面１
１、Ｘ軸のシフトレジスタ１２、Ｙ軸のシフトレジスタ
１３を有している。

【０００７】ディスプレイ画面１１には、ＥＬ電源が供
給されており、またＸ軸のシフトレジスタ１２には、シ
フトレジスタ電源の供給とＸ軸同期信号の入力が行われ
る。さらにＹ軸のシフトレジスタ１３には、シフトレジ
スタ電源の供給とＹ軸同期信号の入力が行われる。ま
た、Ｘ軸のシフトレジスタ１２の出力部に画像データ信
号の出力を有している。

【０００８】図１３は、図１２のＡ部の拡大説明図であ
り、ディスプレイ画面１１の１画素（点線の四角で示
す）は、トランジスタが２個、コンデンサが１個、ＥＬ
素子が１個により構成されている。

【０００９】この１画素の発光動作は、例えば、Ｙ軸の
シフトレジスタ１３で選択信号ｙ１の出力があり、また
Ｘ軸のシフトレジスタ１２で選択信号ｘ１の出力があっ
た場合、トランジスタＴｙ１１とトランジスタＴｘ１が
オンとなる。

【００１０】このため、画像データ信号−ＶＬは、ドラ
イブトランジスタＭ１１のゲートに入力される。これに
より、このゲート電圧に応じた電流がＥＬ電源からドラ
イブトランジスタＭ１１のドレイン、ソース間に流れ、
ＥＬ素子ＥＬ１１０が発光する。

【００１１】次のタイミングでは、Ｘ軸のシフトレジス
タ１２は、選択信号ｘ１の出力をオフとし、選択信号ｘ
２を出力することになるが、ドライブトランジスタＭ１
１のゲート電圧は、コンデンサｃ１１で保持されるた
め、次にこの画素が選択されるまでＥＬ素子ＥＬ１１０
の前記発光は、持続することになる。

【００１２】そのため、走査線数が増大して１つの画素
に割り当てられる時間が少なくなっても、有機ＥＬ素子
の駆動が影響を受けることはなく、表示パネルに表示さ
れる画像のコントラストが低下することもない。従っ
て、アクティブマトリックス方式によれば、単純マトリ
ックス方式に比べてはるかに高画質な表示が可能とな
る。

【００１３】ところで、有機ＥＬ素子の場合、電流駆動
素子であることから発光輝度は加える電流密度に依存す
る。このため、同一画素面積で発光輝度を向上させよう
とする場合や、画面全体の高精細化を図るため画素数を
多くした結果、１画素あたりの駆動時間（時分割時間）
が減少し、これを補うためにさらに発光輝度を高めよう
とする場合などには、駆動電流を増加させる必要があ
る。この場合、回路構成にもよるが、駆動電流を増加さ
せようとすると必然的に駆動電圧も高くなってしまう。

【００１４】ところが、大電流、高電圧に対応したスイ
ッチング素子を構成しようとすると、オフ時のリーク電
流Ｉoff が増大してしまい、これが誤発光やコントラス
トの低下を生じる原因となっていた。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高電
圧、大電流のスイッチングを行うことが可能で、しかも
オフ電流の少ないスイッチング素子を用いることで、誤
発光、コントラストの低下現象がなく、高精細な表示の
可能な有機ＥＬ素子の駆動装置、およびこれを用いた表
示装置を実現することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の構成により達成される。（１）有機ＥＬ素子を駆動するスイッチング素子と、
スイッチング素子により駆動され、少なくとも発光機能
に関与する有機層を有する有機ＥＬ素子とを有し、前記
スイッチング素子がＬＤＤ構造を有する有機ＥＬ素子の
駆動装置。（２）前記スイッチング素子はディプレッション型で
ある上記（１）の有機ＥＬ素子の駆動装置。（３）マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子
と、この有機ＥＬ素子を駆動する上記（１）または
（２）の有機ＥＬ素子の駆動装置を有する有機ＥＬ表示
装置。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置
は、有機ＥＬ素子を駆動するスイッチング素子と、スイ
ッチング素子により駆動され、少なくとも発光機能に関
与する有機層を有する有機ＥＬ素子とを有し、前記スイ
ッチング素子がＬＤＤ構造を有するものである。

【００１８】このように、有機ＥＬ素子を駆動するため
のスイッチング素子をＬＤＤ構造とすることにより、ゲ
ート下のチャネル領域と、活性層のソース（またはドレ
イン）側となる高濃度ドープ領域およびドレイン（また
はソース）側となる高濃度ドープ領域との間に高抵抗の
低濃度ドープ領域が形成され、高電圧下でも空乏層にお
ける電界集中を防止でき、これらが原因で生じるホット
キャリアの発生を抑制することができ、リーク電流、す
なわちＩoff を抑制することができる。

【００１９】ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造は、
例えば図１に示すように、シリコン基体１上に形成され
た活性層のソース（またはドレイン）側となる高濃度ド
ープ領域２ｂおよびドレイン（またはソース）側となる
高濃度ドープ領域２ｂと、ゲート電極４との間に、低濃
度ドープ領域２ｃを形成した構造をいう。なお、図１に
おいて、ゲート電極４の真下には、このゲート電極４が
マスクとなって未ドープの活性層領域２ａが形成されて
いる。また、活性層とゲート電極４との間には、ゲート
絶縁膜３が形成されている。

【００２０】ＬＤＤ構造における低濃度ドープ領域２ｃ
の長さｌ、つまりシリコン基体１上に形成された活性層
のソース（またはドレイン）側となる高濃度ドープ領域
２ｂおよびドレイン（またはソース）側となる高濃度ド
ープ領域２ｂと、未ドープ領域２ａとの間の距離は、好
ましくは０．５〜３μm 、より好ましくは１〜２μm程
度である。低濃度ドープ領域の長さが短すぎると、ＬＤ
Ｄ構造の効果が得にくくなり、長さが長すぎると素子特
性が悪化してくる。

【００２１】低濃度ドープ（ライトドープ）の方法とし
ては、一度活性層のソース（またはドレイン）側となる
高濃度ドープ領域およびドレイン（またはソース）側と
なる高濃度ドープ領域と、これらとゲート電極との間の
低濃度ドープ領域とを低濃度でドープした後、低濃度ド
ープ領域のみをマスクしてさらに高濃度領域にドープす
る方法や、低濃度領域をマスクしておいて高濃度領域を
形成した後、さらにこのマスクを取り外して低濃度のド
ープを行う方法などを挙げることができる。

【００２２】低濃度のドーピングを行う場合、ドーピン
グの方法としては、イオンプランテーション法、イオン
打ち込み法などが挙げられるが、イオン打ち込み法が好
ましい。イオン打ち込み法は、分布打ち込み法、プリデ
ポ打ち込み法のいずれの方法を用いてもよい。

【００２３】低濃度領域のドーズ量としては、ドーピン
グ材料により異なるが、通常、１×１０¹¹〜１×１０¹⁴
cm^-2、好ましくは１×１０¹²〜１×１０¹³ cm^-2程度で
ある。加速電圧としては、好ましくは３０〜１００keV
程度である。

【００２４】また、高濃度領域のドーズ量としては、ド
ーピング材料により異なるが、通常、１×１０¹⁴〜１×
１０¹⁶程度である。加速電圧としては、好ましくは５０
〜８０keV 程度である。

【００２５】ドーピング材料としては、半導体素子の製
造に用いられている通常のドーピング材料を用いること
ができ、形成する素子の特性により、好適なものを選択
して使用すればよい。

【００２６】具体的には、ｎ型の多結晶ＴＦＴを形成す
る場合、デプレッション型ではＰ，Ａｓ，Ｓｂ等、エン
ハンスメント型ではＢ，Ａｌ等をドープすればよい。ま
た、ｐ型の多結晶ＴＦＴを形成する場合、デプレッショ
ン型ではＢ，Ａｌ等、エンハンスメント型ではＰ，Ａ
ｓ，Ｓｂ等をドープすればよい。

【００２７】本発明の駆動装置は、主に上記スイッチン
グ素子を有するものであるが、特に表示装置を構成する
場合には、この他に、これを駆動するためのドライブス
イッチング素子、およびシフトレジスター等により構成
されている。また、これ以外でも画素となる有機ＥＬ素
子を駆動するために必要とされる素子であれば、いずれ
のものにも適用可能である。本発明におけるシフトレジ
スターとは、入力信号（データ）に応じてケタ上がり出
力を発生しうるものであれば、その構成はいかなるもの
であってもよい。通常、シフトレジスターはフリップフ
ロップの組み合わせにより構成される。なお、シフトレ
ジスターは表示画面の行要素、または列要素を順次選択
して時分割駆動するために用いられるものであり、これ
と同等の機能を有するものも本発明におけるシフトレジ
スターに含まれる。

【００２８】本発明のスイッチング素子は、制御電極と
一組の被制御電極とがシリコン基体に形成され、有機Ｅ
Ｌ素子を駆動するために必要な半導体素子であれば特に
規制されるものではないが、表示装置として機能させる
ことを考えるとＴＦＴ（ThinFilm Transistor）タイプ
のものが好ましい。

【００２９】本発明のスイッチング素子について、図２
を参照しつつさらに具体的に説明する。図２は、有機Ｅ
Ｌ素子を駆動するＴＦＴアレイの一例を示した平面図で
ある。

【００３０】図において、ソースバス１１にはソース電
極１３が接続され、コンタクトホール１３ａを介してシ
リコン基体２１上に形成されているソース部位と接続し
ている。このシリコン基体２１上には図示しない他の画
素のＴＦＴ素子と共通に接続されているゲートバス１２
が形成されていて、このゲートバス１２がシリコン基体
２１と交わる部分にゲート電極が形成される。

【００３１】ソース部位とゲート電極を挟んでシリコン
基体上に形成されているドレイン部位にはコンタクトホ
ール１４ａを介してドレイン配線１４が接続されてい
る。このドレイン配線１４はコンタクトホール１４ｂを
介してゲートライン１５と接続され、このゲートライン
１５はＴＦＴ２を構成するシリコン基体２２上に形成さ
れるとともに、キャパシタ１８の一方の電極と接続され
ている。キャパシタ１８の他方の電極はアースバス２３
と接続されるとともに、ソース電極１７と接続され、こ
のソース電極１７はコンタクトホール１７ａを介してＴ
ＦＴ１のソース部位と接続されている。ゲートライン１
５がシリコン素体２２と交わる部位に、ゲート電極が形
成されることとなる。

【００３２】ソース部位とゲート電極１５を挟んでシリ
コン基体上に形成されているドレイン部位にはコンタク
トホール１６ａを介してドレイン配線１６が接続され、
このドレイン配線１６は画素となる有機ＥＬ素子の一方
の電極を構成するか、それと接続されている。

【００３３】この有機ＥＬ素子を直接駆動するＴＦＴ１
が本発明におけるスイッチング素子に相当する。

【００３４】本発明に用いられる基板は、絶縁性であ
り、石英、サファイア、ガラスのような透明材料である
ことが好ましい。ここで、透明とは、有機ＥＬ表示装置
における実際的な使用に対して十分な光を透過する性質
を有することを意味する。例えば、所望の発光波長帯域
で５０％以上、より好ましくは７０％以上の光を透過す
るものは透明と考えられる。また、低歪点ガラスとは、
約７００℃以上の温度で歪むガラスをいう。

【００３５】本発明において、薄膜トランジスター（Ｔ
ＦＴ）は有機ＥＬ素子の駆動のために用いられる。

【００３６】このスイッチング素子の活性層は、例え
ば、ｎ+ ／ｉ／ｎ+ 領域が形成された部分であり、ｎ+
はＮ型にドーピングされた部位，ｉはドーピングされて
いない部位を示す。この活性層のドーピングがされた部
位はＰ型にドーピングされたＰ+であっても良い。この
活性層は、好ましくはポリシリコンで形成される。ポリ
シリコンは、アモルファスＳｉに比べ通電に対し十分な
安定性を示す。

【００３７】ポリシリコンの前駆体としてのα−Ｓｉ層
は、各種ＣＶＤ法により積層しうるが、好ましくはプラ
ズマＣＶＤ法により積層する。その後、ＫｒＦ（２４８
nm）レーザーなどのエキシマーレーザーによりアニール
し、結晶化する。具体的な方法としては、ＳＩＤ´９
６，Ｄｉｇｅｓｔｏｆｔｅｃｈｎｉｃａｌｐａｐｅｒｓ
Ｐ１７〜２８に示されているような方法を用いるとよ
い。

【００３８】エキシマレーザーのアニーリングとして
は、基板温度１００〜３００℃に維持するのが好まし
く、１００〜３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量をもつ
レーザー光でアニール化するのが好ましい。

【００３９】このほかに、通常用いられている熱アニー
ル法を用いて結晶化してもよい。また、熱アニール法と
レーザーアニール法を併用することにより、さらに好ま
しい結果を得ることができる。

【００４０】活性処理されたポリシリコンには、９００
℃前後の加熱処理を経て形成されるシリコン薄膜（いわ
ゆる高温ポリシリコン膜）や６００℃以下の比較的低温
で形成されるシリコン薄膜（いわゆる低温ポリシリコン
膜）がある。本発明の活性層は、高温ポリシリコン、低
温ポリシリコンのいずれであってもよい。

【００４１】活性層、すなわちα−Ｓｉの膜厚は１００
〜８００Å、好ましくは３００〜５００Åである。

【００４２】活性層（ポリシリコン層）は、フォトリソ
グラフィにより、スイッチング素子として必要な構成と
なるようアイランドにパターン化される。

【００４３】用いられる基板は、絶縁性を有する石英、
セラミック、サファイア、ガラス等を用いることができ
るが、好ましくは低歪点ガラスのような高価でない材料
である。ガラス基板が用いられるときにはＴＦＴ−ＥＬ
の製造全体がガラスの溶融または歪みを回避し、能動領
域内にドーパントの外側拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉ
ｏｎ）を回避するため、アニーリングは低プロセス温度
で実施される。このようにしてガラス基板に対して全て
の製造段階は８００℃以下、好ましくは６００℃以下で
なされなければならない。

【００４４】また、制御電極を構成するため、好ましく
は絶縁ゲート材料がポリシリコンアイランド上および絶
縁基板の表面にわたり積層される。絶縁材料は好ましく
はプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）または減圧ＣＶＤ（Ｌ
ＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶＤ）により積層され
る二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）である。ゲート酸化物絶
縁層の厚さは好ましくは約５０〜２００nmである。基板
温度としては２５０〜４００℃が好ましく、さらに高品
質の絶縁ゲート材料を得るためにはアニールを３００〜
６００℃で１〜３時間程度施すのが好ましい。

【００４５】さらに、制御電極として、例えばゲート電
極を蒸着またはスパッタリング等により形成し、ゲート
電極をパターンニングする。ゲート電極の好ましい膜厚
は１００〜５００nmである。

【００４６】好ましいゲート形成方法としてはゲートと
してポリシリコンを用いる次の技術がある。

【００４７】＜ｎ型Ｐドープポリシリコン＞ゲート電極
は、プラズマＣＶＤ法でＰドープのα−Ｓｉを形成し、
これを６００℃アニールにより多結晶化させ、ｎ型の多
結晶Ｓｉとし、ホトリソグラフィーの手法を用いてパタ
ーニングする。

【００４８】必要により、信号電極線および走査電極線
を形成してもよい。Ａｌ合金，Ａｌ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏな
どの金属線をフォトリソグラフィにより形成する。

【００４９】また、Ａｌゲートを使用するときは、絶縁
するために陽極酸化を２回にわたり行うのが好ましい。
陽極酸化に関しては特公平８−１５１２０号公報に詳細
に開示されている。

【００５０】さらに、イオンドーピングによりｎ+ また
はＰ+ の部位を形成する。このとき、高濃度のドーピン
グ領域と低濃度のドーピング量域とを形成する。

【００５１】被制御電極としてのドレイン，ソースなど
のコンタクトは、上記絶縁膜を開口した箇所で行う。上
記絶縁膜の内、ＳｉＯ₂は、例えばＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）をガスとして基板温度２５０〜４００℃
の間に設定しＰＥＣＶＤにより得ることができる。また
ＥＣＲ−ＣＶＤで基板温度を１００〜３００℃としても
得ることができる。

【００５２】層間絶縁膜は、例えば、下記の方法で形成
することができる。プラズマエッチングによるエッチバ
ック法各種ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ，ＰＥＣＶＤ（プ
ラズマインハンスドＣＶＤ），ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶ
Ｄ）法などによりＳｉＯ₂シリカを好ましくは０．２μ
ｍ〜３μｍ成膜する。

【００５３】この方法により平坦化された層間絶縁膜
（ＳｉＯ₂）を得ることができる。この方法には、シリ
カの他，ＰＳＧ，ＢＳＧ（リンシリカガラス，ボロンシ
リカガラス）を用いることもできるし、Ｓｉ₃Ｎ₄など
チッ化シリコン系化合物を用いることがもできる。以上
のようにして、スイッチング素子が形成される。

【００５４】スイッチング素子の電界移動度は、好まし
くは６０（cm²／V・sec）以下、特に３０〜５０（cm²
／V・sec）である。

【００５５】次に、本発明のスイッチング素子のより具
体的な構成、およびその製造工程について図を参照しつ
つ説明する。

【００５６】先ず、図３に示すように、基板１０１上に
スパッタ法、各種ＣＶＤ法、好ましくはプラズマＣＶＤ
法等により、α−Ｓｉ層１０２を積層する。

【００５７】その後、図４に示すように、エキシマーレ
ーザー１１５等によりアニール、結晶化を行い、活性層
１０２ａを形成する。

【００５８】次に、図６に示すように、絶縁ゲート１０
３をポリシリコンアイランド１０２ａ上および絶縁基板
１０１の表面にわたり積層する。基板温度としては２５
０〜４００℃が好ましくさらに高品質の絶縁ゲート材料
を得るためにはアニールを３００〜６００℃で１〜３時
間程度施すのが好ましい。

【００５９】次に、図７に示すように、ゲート電極１０
４を蒸着またはスパッタリングで成膜する。

【００６０】次いで、図８に示すように、ゲート電極１
０４をパターニングし、さらにその上に低濃度のドーピ
ング量域をマスクするためにフォトレジスト１０５によ
るマスキング領域をパターニングする。パターニングさ
れたフォトレジスト１０５およびゲート電極１０４上か
ら高濃度のイオンドーピング１１６を行い、ｎ+ または
Ｐ+ の部位を形成する。

【００６１】次いで、図９に示すように、パターニング
されたフォトレジスト１０５を除去し、ゲート電極１０
４上から再び低濃度のイオンドーピング１１６ａを行
い、ｎ+ またはＰ+ の部位と、ゲート電極との間に低濃
度のドーピング領域を形成する。

【００６２】さらに、信号電極線および走査電極線をフ
ォトリソグラフィーにより形成する。

【００６３】次いで、ドレイン，ソースなどのコンタク
トを形成する。コンタクトは、絶縁膜１１１を開口した
箇所で行う。先ず、常圧ＣＶＤ法により、層間絶縁層と
してＳｉＯ₂膜を成膜する。次いで、層間絶縁層をエッ
チングしてコンタクトホールを形成し、ドレイン、ソー
ス接続部を開口する。

【００６４】開口したドレイン、ソース接続部に、それ
ぞれドレイン配線電極１１２、ソース配線電極１１３を
成膜して、ドレイン、ソース電極と接続する。この場
合、ドレイン、ソース電極のいずれか一方が、有機ＥＬ
素子の第１の電極、または第２の電極として機能する
か、これと接続される。図示例ではホール注入電極であ
るＩＴＯ（１１５）と接続される。さらに、ドレイン配
線電極１１２上に絶縁膜１１４を形成し、同時に画素部
分以外を覆うエッジカバーを形成して図１０に示すよう
なスイッチング素子を得る。

【００６５】なお、ホール注入電極等、有機ＥＬ素子の
電極との接続には、例えば図１１に示すように配線電極
１１３と、ホール注入電極１１５との間に両者の接続性
を向上させるために、ＴｉＮ等の接続金属層１１６を形
成するとよい。

【００６６】次に、本発明における有機ＥＬ素子の構成
について説明する。有機ＥＬ素子は、第１の電極と、第
２の電極との間に、少なくとも発光機能に関与する有機
物質を含有する有機層を有する。そして、第１の電極
と、第２の電極とから与えられる電子・ホールが、有機
層中で再結合することにより発光する。

【００６７】第１の電極、および第２の電極は、いずれ
をホール注入電極、電子注入電極としてもよいが、通
常、基板側の第１の電極がホール注入電極となり、第２
の電極は電子注入電極となる。

【００６８】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１４at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。

【００６９】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．５nm以上、
好ましくは１nm以上、より好ましくは３nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は３〜５００nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。

【００７０】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０^-8〜１
×１０^-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。

【００７１】ホール注入電極は、発光した光を取り出す
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ
（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ（錫ドー
プ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）が好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯと
を化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。

【００７２】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。

【００７３】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスＤ
Ｃスパッタ法により形成することが好ましい。

【００７４】有機ＥＬ構造体の有機層は、次のような構
成とすることができる。発光層は、ホール（正孔）およ
び電子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の
再結合により励起子を生成させる機能を有する。発光層
には、比較的電子的にニュートラルな化合物を用いるこ
とが好ましい。

【００７５】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。

【００７６】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。

【００７７】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
２層設けるときも同じである。

【００７８】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平８−１２６００号公
報（特願平６−１１０５６９号）に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平８−１２９６９号公報（特願平
６−１１４４５６号）のテトラアリールエテン誘導体等
を用いることができる。

【００７９】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜２０体積% 、さらには
０．１〜１５体積% であることが好ましい。特にルブレ
ン系では、０．０１〜２０体積％であることが好まし
い。ホスト物質と組み合わせて使用することによって、
ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長
波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光
効率や安定性が向上する。

【００８０】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００８１】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。

【００８２】このほかのホスト物質としては、特開平８
−１２６００号公報（特願平６−１１０５６９号）に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１２９６
９号公報（特願平６−１１４４５６号）に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。

【００８３】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。

【００８４】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０体積% 、さらには０．１〜１５体積
% とすることが好ましい。

【００８５】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。

【００８６】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００８７】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００８８】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。

【００８９】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましく
は１０／９０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０
〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。

【００９０】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。

【００９１】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボート内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。

【００９２】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭６
３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２
９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特
開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２
号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用しても
よい。２種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。

【００９３】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送性の
化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いること
ができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側か
らイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層する
ことが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜性
の良好な化合物を用いることが好ましい。このような積
層順については、ホール注入輸送層を２層以上設けると
きも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。

【００９４】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）等の８−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。

【００９５】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送性の化合物
の中から好ましい組み合わせを選択して用いることがで
きる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値の
大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよう
な積層順については、電子注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。

【００９６】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．２μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．２μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。

【００９７】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００９８】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００９９】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。

【０１００】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【０１０１】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【０１０２】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【０１０３】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【０１０４】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。

【０１０５】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成
される場合、ホール注入電極（ＩＴＯ、ＩＺＯ）の成膜
時にダメージを受けないような材料が好ましい。

【０１０６】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【０１０７】本発明における有機ＥＬ素子は、通常、直
流駆動型、パルス駆動型のＥＬ素子として用いられる。
印加電圧は、通常、２〜３０V 程度とされる。

【０１０８】

【実施例】コーニング製１７３７耐熱性無アルカリガラ
ス基板の上にアモルファス・シリコン層を約６００Åの
厚さで減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法により成膜した。こ
の成膜条件は、下記の通りである。Ｓｉ₂Ｈ₆ガス：１００SCCM、圧力：０．３Torr、温
度：４８０℃。

【０１０９】それからこのアモルファス・シリコン層を
固相成長させて活性層（ポリシリコン層）とした。この
固相成長は、熱アニールとレーザーアニールを併用し
た。その条件は下記の通りである。

【０１１０】＜熱アニール＞Ｎ₂：１ＳＬＭ、温度：６００℃、処理時間：２４時間

【０１１１】＜レーザーアニール＞ＫｒＦ：２５４nm、エネルギー密度：２００mJ／cm²、
ショット数：２００

【０１１２】次いで、このポリシリコン層をパターニン
グして活性シリコン層：５００Åを得た。

【０１１３】この活性シリコン層の上にゲート酸化膜と
なるＳｉＯ₂層を、例えばプラズマＣＶＤ法により、約
８００Å成膜した。成膜条件は例えば下記の通りであ
る。投入パワー：５０Ｗ、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラ
ン）ガス：５０SCCM、Ｏ ₂：５００SCCM、圧力：０．１
〜０．５Torr、温度：３５０℃。

【０１１４】このＳｉＯ₂層の上に、ゲート電極となる
Ｍｏ−Ｓｉ₂層を、スパッタ法により、約１０００Å成
膜した。それからこのＭｏ−Ｓｉ₂層および上記で形成
したＳｉＯ₂層を、例えばドライエッチングによりパタ
ーニングし、ゲート電極およびゲード酸化膜を得た。

【０１１５】次いで、図８に示すように、ゲート電極１
０４をパターニングし、さらにその上に低濃度のドーピ
ング量域をマスクするためにフォトレジスト１０５によ
るマスキング領域をパターニングし、フォトレジスト１
０５および上記ゲート電極をマスクとしてシリコン活性
層のソース・ドレイン領域となるべき部分にイオンドー
ピング法により、Ｎ型の不純物：Ｐをドーピングした。
このときの条件は、加速電圧：６５keV、ドーズ量：１
×１０¹⁵cm^-2とした。

【０１１６】次いで、フォトレジスト１０５を除去し、
ゲート電極をマスクとしてシリコン活性層の低濃度のド
ーピング領域、および高濃度のドーピング領域にイオン
ドーピング法により、Ｎ型の不純物：Ｐをドーピングし
て、ＬＤＤ構造を有する画素駆動用の第１のスイッチン
グ素子を形成した。このときの条件は、加速電圧：６５
keV、ドーズ量：１×１０¹³cm^-2とした。

【０１１７】次に、これを窒素雰囲気中で約５５０℃で
１０時間加熱して、ドーパントの活性化を行った。さら
に、水素雰囲気中で約４００℃で３０分加熱処理して水
素化を行い、半導体の欠陥準位密度を減少させた。

【０１１８】そして、この基板全体に層間絶縁層となる
ＳｉＯ₂層を、厚さ約８０００Å成形した。この層間絶
縁層となるＳｉＯ₂の成膜条件は、以下の通りである。Ｏ₂／Ｎ₂：１０ＳＬＭ５％ＳｉＨ₄／Ｎ₂：１ＳＬＭ１％ＰＨ₃／Ｎ₂：５００SCCM Ｎ₂：１０ＳＬＭ温度：４１０℃ 圧力：大気圧

【０１１９】この層間絶縁層となるＳｉＯ₂膜をエッチ
ングし、コンタクト用のホールを形成した。次いで、ド
レイン、ソース配線電極としてＡｌを蒸着した。

【０１２０】また、ＬＤＤ構造としない他は上記と同様
にして比較サンプルを作製した。

【０１２１】得られたＴＦＴアレイの各スイッチング素
子におけるオフ時の漏れ電流、Ｉoff を同一条件にて求
めたところ、できあがりチャネル長：３μm の時、本発
明サンプルは１×１０^-9 A以下であったのに対し、比較
サンプルは１×１０^-7 A以上であった。

【０１２２】次に、有機ＥＬ素子の形成領域にホール注
入電極となるＩＴＯを成膜し、前記配線電極と接続し
た。そして、発光領域（画素部分）のみ発光させるよう
に、上記と同様にして層間絶縁膜ＳｉＯ₂を４０００Å
成膜し、発光領域となる部分を開口した。

【０１２３】以上のように作製された、本発明サンプル
ＴＦＴ薄膜パターンの画素領域（ＩＴＯ上）に発光層を
含む有機層を真空蒸着法により成膜した。成膜した材料
は以下の通りである。ここでは一例のみを挙げるが、本
発明はその概念から明らかなように、蒸着法で形成可能
であれば成膜材料によらずに適用できる。

【０１２４】ホール注入層およびホール輸送層として、
Ｎ,Ｎ´−ビス（ｍ−メチルフェニル）−Ｎ,Ｎ´−ジフ
ェニル−１,１´−ビフェニル−４,４´−ジアミン（N,
N´-bis(m-methyl phenyl)-N,N´-diphenyl-1,1´-biph
enyl-4,4´-diamine以下ＴＰＤと略す）を、発光層兼電
子輸送層としてトリス（８−ヒドロキシキノリン）アル
ミニウム（tris (8-hydroxyquinoline)aluminium以下Ａ
ｌｑ3 と略す)を、さらに真空を破らずに第２の電極１
２として陰極を、引き続き成膜した。

【０１２５】成膜方法としては、ホール注入層およびホ
ール輸送層は真空蒸着法を、第２の電極はＤＣスパッタ
法を選択した。第２の電極としてはＡl／Ｌｉ合金（Ｌ
ｉ濃度：７at%）をガス圧１Pa、パワー１Ｗ／cm²で膜
厚５nmだけ成膜し、さらに、配線電極としてＡlを０．
３Pa、パワー１Ｗ／cm²で膜厚２００nm積層した。

【０１２６】得られた、有機ＥＬ表示装置の各画素を１
画素あたり１０mA／cm²の定電流となるように時分割駆
動し、発光時と非発光時の画面全体の明るさの比からコ
ントラストについて評価したところ、本発明サンプルは
１：８０であったのに対し、比較サンプルは１：１０で
あった。

【０１２７】本発明はその趣旨から明らかなようにこの
実施例で用いた有機ＥＬ素子構成膜及びその積層順序に
限るものではなく、ホール注入層、発光層、第２の電
極、配線電極に他の材料を用いてもよく、ホール注入
層、電子輸送層、電子注入層などをさらに形成し多層構
造としても良い。言い換えると成膜される材料の種類、
構造によらず適用できる。

【０１２８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高電圧、
大電流のスイッチングを行うことが可能で、しかもオフ
電流の少ないスイッチング素子を用いることで、誤発
光、コントラストの低下現象がなく、高精細な表示の可
能な有機ＥＬ素子の駆動装置、およびこれを用いた表示
装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の素子構成を
示す概略断面図である。

【図２】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の一例を示す
平面図である。

【図３】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。

【図４】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。

【図５】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。

【図６】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。

【図７】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。

【図８】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。

【図９】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。

【図１０】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程
を示す一部断面図である。

【図１１】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置と素子の電
極との接続構造を示す一部断面図である。

【図１２】有機ＥＬ表示装置の構成例を示すブロック図
である。

【図１３】図１２のＡ部拡大図である。

【符号の説明】

１ゲート２シリコン基体１１ソースバス１２ゲートバス１３ソース電極１４ドレイン電極１５ゲートライン１６ドレイン電極１７ソース電極１８キャパシタ２１、２２シリコン基体１０１基板１０２アモルファスシリコン層１０２ａ活性層１０３ゲート酸化膜１０４ゲート電極１０５絶縁膜１０６レジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB00 AB03 AB05 AB06 AB17 BA06 BB06 CA01 CA02 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 FA03 GA00 5C094 AA05 AA06 AA60 BA27 CA19 EA05 EB02 GA10 5G435 AA00 AA02 BB05 CC09 EE30 EE36 GG12 GG25 KK09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機ＥＬ素子を駆動するスイッチング素
子と、スイッチング素子により駆動され、少なくとも発
光機能に関与する有機層を有する有機ＥＬ素子とを有
し、前記スイッチング素子がＬＤＤ構造を有する有機ＥＬ素
子の駆動装置。
【請求項２】前記スイッチング素子はディプレッショ
ン型である請求項１の有機ＥＬ素子の駆動装置。
【請求項３】マトリクス状に配置された複数の有機Ｅ
Ｌ素子と、この有機ＥＬ素子を駆動する請求項１または
２の有機ＥＬ素子の駆動装置を有する有機ＥＬ表示装
置。