JP2000340526A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 保護シートで覆った半導体ウェハをダイシン
グカットしてチップ化する際、保護シートの切り屑の残
留によるチップの汚染を防止するとともに、保護シート
の剥離を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 保護シート１のうち半導体ウェハ１１を
覆う面とは反対側の面を治具４に固定し、保護シート１
を治具４に固定したまま、保護シート１のうちダイシン
グカットする領域に対応する領域を除去した後、保護シ
ート１を治具４に固定したまま、半導体ウェハ１１の一
面に貼り合わせ、保護シート１が貼り合わされた半導体
ウェハ１１に対し、治具４を保護シート１から取り外し
た後、保護シート１における除去された領域である溝部
６に沿ってダイシングカットすることによりチップ化す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、保護シートで覆っ
た半導体ウェハをスクライブラインに沿ってダイシング
カットしてチップ化する半導体装置およびその製造方
法、並びにそのような半導体装置の製造方法に用いて好
適なウェハ剥離装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の製造方法と
しては、例えば特開平１０−２４２２５３号公報、特開
平７−９９１７２号公報、米国特許第５，８２４，１７
７号明細書、米国特許第５，３６２，６８１号明細書等
に示されるように、可動部を有する半導体ウェハをチッ
プに分割するとき、可動部を保護するための保護シート
（保護部材）を貼った状態で、保護シート及び半導体ウ
ェハをダイシングしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の製造方法においては、半導体ウェハとともに保護シ
ートもダイシングカットするために、保護シートの切り
屑（例えばある程度の粘着力を持った有機物の粉等）が
切断後のチップ上に付着残留し、その後、チップ表面に
形成された外部取り出し電極部に付着し、電気的、機械
的接続に悪影響を与える等、チップが汚染されるという
問題がある。
【０００４】さらに、従来は、ダイシングカット後、こ
の保護シートを半導体チップから取り去る必要があり、
保護シートを半導体ウェハに強固に接着すると、後の除
去において剥がれにくかったり、剥がす際の応力により
チップに損傷を与える等の問題が発生することがあった
ので、比較的弱く接着していた。そのため、保護シート
をダイシングする際に、ダイシングの刃が接触して保護
シートが剥がれる等、その役割を十分に利用出来ないこ
とがあった。
【０００５】本発明は上記問題に鑑み、保護シートで覆
った半導体ウェハをダイシングカットしてチップ化する
半導体装置において、保護シートの切り屑の残留による
チップの汚染を防止するとともに、保護シートの剥離を
抑制可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、保護シート（１）のう
ち半導体ウェハ（１１）を覆う面とは反対側の面を治具
（４）に固定する治具固定工程と、該保護シートを該治
具に固定したまま、該保護シートのうちダイシングカッ
トする領域に対応する領域を除去する除去工程と、しか
る後、該保護シートを該治具に固定したまま、該半導体
ウェハの該一面に貼り合わせる貼り合わせ工程と、該保
護シートが貼り合わされた半導体ウェハに対し、該治具
を該保護シートから取り外した後、該保護シートにおけ
る上記除去された領域（６）に沿ってダイシングカット
することによりチップ化するダイシングカット工程と、
を有することを特徴としている。
【０００７】本発明によれば、あらかじめ保護シートに
おけるダイシングカット部分を除去しても、保護シート
は治具に固定されているのでばらばらに剥離することは
ない。そして、ダイシングカット工程においては、あら
かじめ保護シートにおけるダイシングカット部分が除去
されているので、保護シートの切り屑が発生せず、従来
のような切り屑の残留によるチップの汚染を防止でき
る。さらに、保護シートにダイシングの刃が接触し難い
から保護シートの剥離が抑制される。
【０００８】従って、本発明によれば、保護シートの切
り屑の残留によるチップの汚染を防止するとともに、保
護シートの剥離を抑制可能な半導体装置の製造方法を提
供することができる。
【０００９】特に、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の製造方法において、半導体ウェハ（１１）として、
一面に外部と電気接続するためのパッド部（２１）が形
成されたものを用いたものである。
【００１０】即ち、請求項２記載の製造方法では、上記
除去工程において、保護シート（１）のうちダイシング
カットする領域に対応する領域とともに該パッド部に対
応する領域を除去し、上記貼り合わせ工程において、該
パッド部に対応する領域を除去することによって形成さ
れた開口部（２３）から該パッド部を露出させるよう
に、該半導体ウェハの該一面に貼り合わせる。そして、
上記ダイシングカット工程の後、得られた半導体チップ
において該開口部によって露出されている該パッド部
を、ワイヤ（３３）にてボンディングするワイヤボンデ
ィング工程を行うことを特徴としている。
【００１１】それによって、請求項１の発明による作用
効果に加え、チップと共にダイシングカットされた保護
シートをつけたままワイヤボンディングでき、ダイシン
グカット後における該保護シートの取り外しが不要であ
るため、保護シートの貼り合わせは強固でよく、保護シ
ートの剥離を、より高レベルにて抑制できる。
【００１２】また、請求項３記載の発明では、上記除去
工程を、切断治具を用いて保護シート（１）の除去すべ
き領域を切り取ることにより行うことを特徴としてお
り、該除去工程の具体的な除去手段を提供するものであ
る。
【００１３】また、請求項４記載の発明のように、保護
シート（１）として、熱収縮性プラスチックフィルムよ
りなるものを用いれば、保護シートのカット後、保護シ
ートの熱収縮により除去された領域が広がるため、除去
領域が少なくてすみ、また、除去された領域に沿ってダ
イシングカットする際に、ダイシングの刃が保護シート
に接触しにくくなるためダイシングカットがしやすくな
る。
【００１４】また、請求項５記載の発明のように、上記
ダイシングカット工程の前に、半導体ウェハ（１１）の
他面に、該他面を保護するための他面保護用シート（４
２）を貼り付ける工程を有するものとすれば、表裏両面
から可動部が露出する構造の半導体ウェハに用いた場
合、可動部の適切な保護がなされ有効である。
【００１５】また、請求項６記載の発明のように、治具
（４）として、真空吸着により保護シート（１４）を固
定するものを用いれば、保護シートの治具に対する固定
及び取り外しが、保護シートを損傷することなく容易に
行うことができる。
【００１６】また、請求項７記載の発明では、半導体ウ
ェハ（１１）をダイシングカットして形成される半導体
チップ（２００、３００、４００、５００）を有する半
導体装置において、該半導体チップの一面は、ダイシン
グカットの際に該半導体チップを保護するための保護部
材（１４、５１、６３、７３）により被覆されており、
該保護部材の周縁部は、該半導体チップの周縁部よりも
内側にあることを特徴としている。
【００１７】本発明では、保護部材の周縁部が半導体チ
ップの周縁部よりも内側にあり、ダイシングカットの際
にダイシングの刃が保護部材に接触し難いため、切り屑
が発生せずチップの汚染を防止でき、また、保護部材の
剥離が抑制される。また、本発明の半導体装置によれ
ば、ダイシングカット後の半導体チップは保護部材によ
り被覆されたままであるから、保護部材の接着も強固に
でき、保護部材の剥離の抑制が高レベルで可能となる。
【００１８】また、保護部材と半導体チップの周縁部が
同じ位置にあると、チップの取り扱いにおいてチップの
側面またはチップの上面角部（チップの周縁部）をつか
む等により、保護部材が剥がれやすく、信頼性の面で問
題となることがあるが、本発明によれば、保護部材の周
縁部が半導体チップの周縁部よりも内側にあるため、チ
ップをつかむ際に保護部材に触ることがないから、保護
部材の剥がれを防止できる。
【００１９】従って、本発明によれば、保護シートの切
り屑の残留によるチップの汚染を防止するとともに、保
護シートの剥離を抑制可能な半導体装置を提供すること
ができる。なお、本発明の半導体装置は、請求項１ない
し請求項７記載の製造方法により適切に製造することが
できる。
【００２０】また、請求項８記載の発明では、半導体ウ
ェハ（１１）をダイシングカットして形成される半導体
チップ（５００）を有する半導体装置において、該半導
体チップの一面は、該一面を露出させる開口部（７２）
を有し且つダイシングカットの際に該半導体チップを保
護するための保護部材（７３）により被覆されており、
更に、該半導体チップの一面に、半導体チップを外部に
電気接続するためのバンプ（７０）を、該開口部から露
出するように設けたことを特徴としている。
【００２１】本発明によれば、半導体チップは保護部材
により被覆されたままだから、保護部材を半導体チップ
に強固に接着でき、上記の切り屑による汚染の防止及び
保護部材の剥離の抑制が可能となる。また、開口部から
露出するバンプによって、保護部材を付けたまま、該半
導体装置を外部基板等と電気的に接続することが可能で
ある。
【００２２】また、請求項９記載の発明では、請求項８
記載の半導体装置を適切に製造することができ、請求項
１０記載の発明では、請求項８記載の半導体装置を外部
基板としての基板（８０）に適切に実装することができ
る。
【００２３】ところで、請求項１ないし請求項６記載の
製造方法においては、貼り合わせ工程の後、保護シート
が貼り合わされた半導体ウェハに対し、治具を保護シー
トから取り外すようにしている。本発明者等の更なる検
討によれば、治具を保護シートから取り外す際に治具と
保護シートとの密着性が強いと、半導体ウェハが剥離し
にくくなり、その結果、ウェハが割れてしまうという問
題が発生することがわかった。
【００２４】特に、容量型加速度センサ等のように可動
部を有する素子や、エアーブリッジ配線構造のように機
械的強度が低い構造体が形成された半導体装置を製造す
るにあたっては、例えば、特開平８−２５０４５４号公
報や特開平９−２７４６６号公報に記載されているよう
に、保護シートのうち、これら素子や構造体に相当する
部位にドーム状のキャップを形成し、ダイシングカット
の際に、大量の切削水の圧力や表面張力により機能素子
が破壊されるのを防ぐことが行われる。このようなドー
ム状のキャップは、表面に凹部を有する治具に保護シー
トを密着させ、該凹部に沿って保護シートを変形させる
ことにより、形成される。
【００２５】また、容量型加速度センサのセンシング部
分は年々小型化され、チップサイズも小さくなってお
り、ウェハ１枚あたりから取れるチップも例えば２００
０〜３０００個と多くなっている。この様な場合、これ
らの数多くのチップに１つずつ保護キャップを被せるこ
とになるため、上記治具の表面にはチップと同数あるい
はそれ以上の凹部が必要となる。そして、該凹部を治具
表面に例えば２０００〜３０００個あるいはそれ以上形
成すると、ドーム状のキャップが形成された保護シート
が該凹部に食い込み、ウェハの治具からの剥離が一層難
しくなる。
【００２６】ちなみに、この問題に対して、簡単な剥離
方法として、治具の表面と保護シートとの間に薄い板を
挿入し、ウェハ周囲において治具と保護シートとの密着
性を低下させる方法が考えられるが、ウェハの厚さが薄
いと周囲のみ外れ、中央部付近を剥がすことが困難とな
る他、作業性も悪い。また、粉末状の離型剤を治具に吹
き付ける方法も考えられるが、保護シート表面に離型剤
が付き、治具から保護シートが付いたウェハを剥がす時
や、ダイシングカット後に保護シートを剥がす時に離型
剤が飛散し、ウェハ表面を汚染させたり、容量型加速度
センサにおいては電極部間にパーティクルが付着し、最
悪時には動作不良を引き起こす。
【００２７】請求項１１〜請求項１７記載の発明は、こ
のような検討結果に基づき、作業性がよく、高スループ
ット化可能なウェハ剥離を実現すべく、なされたもので
ある。まず、請求項１１及び請求項１７記載の発明で
は、治具（４）を保護シート（１）から取り外す際に、
該保護シートに対して該治具から離れる方向へ圧力を加
えるようにしたことを特徴としており、該保護シートが
貼り合わされた半導体ウェハ（１１）を加圧により容易
に取り外すことができ、ウェハの破損も防止できる。よ
って、作業性がよく、高スループット化可能なウェハ剥
離を実現可能な半導体装置の製造方法を提供できる。
【００２８】また、請求項１２〜請求項１６記載の発明
では、保護シート（１）の一面側が固定される治具
（４）を備え、この治具に固定された該保護シートの他
面側に該半導体ウェハの一面を貼り合わせ、該半導体ウ
ェハと一体に該保護シートを該治具から剥離させるよう
にしたウェハ剥離装置であって、該保護シートに対し該
治具から離れる方向へ加圧を行う加圧手段を備えること
を特徴としている。それにより、請求項１１及び請求項
１７の製造方法に用いて好適なウェハ剥離装置を提供で
きる。
【００２９】特に、請求項１５の発明のように、治具
（４）と対向して配置され、半導体ウェハ（１１）を該
治具から剥離させるときに該半導体ウェハの他面を支持
する補強板（６０４、６０６）を備えるものとすれば、
剥離した半導体ウェハの破損防止がより確実になる。ま
た、そのような補強板として、請求項１６の発明のよう
に、半導体ウェハ（１１）を支持するための面部（６０
７）の外周に突出部（６０８）を有するものとすれば、
該突出部を基準として半導体ウェハと補強板との位置合
わせが容易にできる。
【００３０】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。なお、以下の実施形態においては、
半導体ウェハは、ダイシングカットにより切断されたも
のでも、ウェハ外形をとどめている場合には、半導体ウ
ェハということとする。
【００３２】（第１実施形態）本実施形態は、本発明に
よる半導体装置の製造方法を、表面マイクロ加工型の加
速度センサ、回転角度センサ、ＤＭＤ（反射投影ディジ
タルマイクロ鏡プロジェクタ装置）等の半導体にて構成
された可動部を有する半導体装置に適用したものとして
説明する。図１及び図２は、本実施形態に係る製造工程
を示す概略断面図であり、以下、本実施形態をこの製造
工程順に説明していく。
【００３３】まず、図１（ａ）に示す様に、保護シート
１として、例えばポリオレフィン等を基材とするＵＶ硬
化性の粘着シートを用意する。ここで、保護シート１の
粘着面１ａが半導体ウェハ１１を覆う面である。また、
図１（ｂ）に示す凹部２と真空吸着用の穴部３を有する
治具４を、ヒータブロック上（図示せず）に設置する。
このヒータブロックは真空吸着用の穴部３を持った治具
４の該穴部３と対応し、真空吸着できるように加工され
ている。
【００３４】次に、図１（ｃ）に示す治具固定工程で
は、保護シート１の粘着面１ａを上にして、粘着面１ａ
とは反対側の面１ｂを治具４上に置き、真空吸着用の穴
部３により保護シート１を治具４の凹部２に吸引してへ
こませる。上記ヒータブロックにより治具４は４０〜２
００℃に加熱されているので、保護シート１には、凹部
２の形状に対応するキャップ部（保護キャップ部）５が
形成される。そして、穴部３からの吸引力により保護シ
ート１は治具４に固定される。
【００３５】続いて、図１（ｄ）に示す除去工程では、
保護シート１を固定したままの治具４を上記ヒータブロ
ックから取り除き、上記ヒータブロックと同様に真空吸
着可能な台（図示せず）の上に設置する。
【００３６】そして、切断治具を用いたプレスまたはカ
ッターまたはエキシマレーザ等により、保護シート１の
うち後述のダイシングカット工程にてダイシングカット
する領域（スクライブ領域）に対応する領域を切断して
除去し、除去された部分に形成された溝部６により、保
護シート１を半導体チップのサイズに相当する大きさに
分割する。このとき、保護シート１は分割されても真空
吸着され治具４に固定されているので、ばらばらになっ
て剥離することはない。
【００３７】次に、貼り合わせ工程では、可動部１０を
持つ半導体ウェハ（シリコン基板等）１１を、可動部１
０がキャップ部５と対向する状態で、治具４に固定され
ている保護シート１に接着剤等により接着する。ここ
で、保護シート１として感圧性の粘着シートを用いて接
着することも可能である。保護シート１と半導体ウェハ
１１との位置合わせは、保護シート１と半導体ウェハ１
１とに各々アライメントキーを形成し、両者のアライメ
ントキーが合うように貼り合わせたり、ＣＣＤカメラを
用いて位置合わせを行う等により可能である。
【００３８】また、この貼り合わせにおいては、接着時
に発生し易いボイドの低減や接着剤の粘着力を向上させ
るために、半導体ウェハ１１を加熱してローラを転がす
ようにしてもよい。
【００３９】続いて、半導体ウェハ１１の他の面（可動
部側の面とは反対の面）にダイシング用シート１２を接
着する。なお、このダイシング用シート１２は、予め半
導体ウェハ１１に接着しておいてもよい。
【００４０】この貼り合わせ工程により、図１（ｅ）に
示す様に、半導体ウェハ１１の一方の面に、キャップ部
５を有するとともに半導体チップのサイズに相当する大
きさに分割された保護シート１としての保護部材（保護
キャップ）１４が、治具４に固定されたまま接着され、
半導体ウェハ１１の他方の面にダイシング用シート１２
が接着されている状態となる。なお、図１（ｅ）中、１
個のチップ領域につき、可動部１０は１個しか図示され
ていないが、複数個あるのが普通である。
【００４１】続いて、図２（ａ）に示すダイシングカッ
ト工程では、治具４を保護シート１（保護部材１４）か
ら取り外した後、ダイシング台１３に真空吸着（吸着構
造図示せず）により半導体ウェハ１１を吸着し、保護シ
ート１における除去された領域である溝部６に沿ってダ
イシングを行い、チップに分割する。このときダイシン
グ用シート１２はハーフカットする。こうして、半導体
ウェハ１１がチップ化され、各チップは保護部材（保護
キャップ）１４により保護された状態となる。
【００４２】このようにダイシングカットを行うことに
より、保護シートとして使用した部材を切断することが
ないので、半導体ウェハ１１上に切り屑が多量に残留す
ることがなくチップの汚染を防止でき、ダイシングの刃
（ダイシングブレード）が保護部材１４に接触し難いの
で、ダイシングの刃による保護部材１４の剥がれも防止
することができる。
【００４３】その結果、強固に保護シート１を接着しな
くてもよいので、後の保護部材１４の除去を簡単に出来
る。保護部材１４の除去工程は、図２（ｂ）に示す様
に、上記の治具４と同様な真空吸着可能な構造の石英ガ
ラス治具１５を、このウェハの保護部材１４上にかぶ
せ、石英ガラスを通して紫外線（ＵＶ）照射を行い、粘
着剤を硬化し粘着力を低下させ真空吸着により除去す
る。こうして、図２（ｃ）に示す様に、保護部材１４が
除去された状態となる。
【００４４】なお、この石英ガラス治具１５は上記治具
４のように凹部を形成してもよいが、単に平らな面にお
いて各保護部材１４に対応する位置に真空吸着用の穴が
あいているだけでも可能である。この各保護部材１４を
除去した後の半導体チップ（半導体装置）１００は、通
常のＩＣチップと同様に取り扱うことが可能になる。さ
らに、本実施形態では、保護部材１４の除去用の治具１
５として石英ガラスを使用したが、紫外線を通すものな
らどのような材料でも可能である。また紫外線をウェハ
全面に照射できるのなら鏡や光ファイバ等で紫外線を導
入してもよい。
【００４５】また、この保護シート１に熱収縮性プラス
チックフィルムを用いれば、ダイシングカット後、保護
シート１の熱収縮により溝部６が広がるため、除去領域
が少なくてすみ、また、溝部６に沿ってダイシングカッ
トする際に、ダイシングの刃が保護シート１に接触しに
くくなるためダイシングカットがしやすくなる。そのよ
うな熱収縮性プラスチックフィルムとしては、例えばポ
リエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系、ポ
リ塩化ビニル、ポリエステル等の延伸加工したフィルム
が好ましい。
【００４６】また、本実施形態では、保護シート１を固
定する治具４として、真空吸着により保護シート１を固
定するものを用いているため、保護シート１の治具４に
対する固定及び取り外しが、保護シート１を損傷するこ
となく容易に行うことができる。また、本実施形態によ
れば、ダイシングカットの際に、保護シート１を切断す
る必要がないので、ダイシングの刃（ダイシングブレー
ド）の寿命を向上させることができる。
【００４７】このように、本実施形態によれば、保護シ
ート１の切り屑の残留によるチップの汚染を防止すると
ともに、保護シート１の剥離を抑制可能な半導体装置の
製造方法を提供することができる。
【００４８】（第２実施形態）本実施形態では、上記第
１実施形態と同様に保護部材（保護キャップ）１４を形
成するが、第１実施形態との違いは、半導体ウェハ１１
として、一面に外部と電気接続するためのワイヤボンデ
ィング用のパッド部２１（図３（ｅ）参照）が形成され
たものを用い、保護部材１４を除去することなく最後ま
で使用する（製品として残す）ことである。そのために
パッド部２１に対応する部分の保護部材１４も除去する
必要がある。以下、主として第１実施形態と相違すると
ころについて述べる。
【００４９】図３及び図４は本実施形態に係る製造工程
を示す概略断面図である。図３（ａ）、（ｂ）及び
（ｃ）に示す工程は、それぞれ上記図１（ａ）、（ｂ）
及び（ｃ）と同様である。次に、図３（ｄ）に示す除去
工程では、上記図１（ｄ）の除去工程と同様に、保護シ
ート１のうちダイシングカットする領域に対応する領域
（上記溝６に対応する部分）及びパッド部２１に対応す
る領域を除去して開口部２３を形成する。なお、パッド
部２１となる領域は、シート状態において別途プレス等
で除去しておいても良い。
【００５０】次に、図３（ｅ）に示す貼り合わせ工程で
は、パッド部２１に対応する領域を除去することによっ
て形成された開口部２３からパッド部２１を露出させる
ように、保護シート１を半導体ウェハ１１の一面に貼り
合わせる。これによって、開口部２３から半導体ウェハ
１１におけるパッド部２１とダイシング部２２とを露出
させる。その他の貼り合わせの要領は上記第１実施形態
と同様である。
【００５１】ここで、本実施形態では最後まで保護部材
１４を残すので、保護シート１を強固に接着することが
できる。保護シート１の剥離抑制のためには強固に接着
することが好ましい。なお、ワイヤボンディングパッド
部２１のみを窓状にあけてもよい（パッド部２１は部分
的に露出されればよい）。
【００５２】次に、図４（ａ）に示す様に、上記第１実
施形態と同様の要領にてダイシングカット工程を行い、
半導体ウェハ１１をカットするのであるが、本実施形態
では、カット終了後における半導体チップ（半導体装
置）２００は、図４（ｂ）に示す様に、保護部材１４を
付けたままの状態とする。
【００５３】このダイシングカット工程の後、得られた
半導体チップ２００をダイシング用シート１２から取り
外し、半導体チップ２００のうち保護部材１４の開口部
２３によって露出されているパッド部２１を、ワイヤに
てボンディングするワイヤボンディング工程を行う。こ
こで、ワイヤボンディング工程の前にパッド部２１をク
リーニングしておくと良い。
【００５４】図５は、このワイヤボンディング工程終了
後における半導体装置の一例を示すものである。基板
（例えば、セラミック基板、プリント基板、及びリード
フレーム等）３０に接着剤（接着シート）３２または銀
ペースト等を介し、上記半導体チップ（半導体装置）２
００の一例としての半導体加速度センサ３１を、ロボッ
トのアームなどによるハンドリング等を用いて設置す
る。次に、金線、アルミ線等からなるワイヤ３３により
基板３０上の外部取り出し端子３４にワイヤボンディン
グする。こうして、ワイヤボンディング工程が完了す
る。
【００５５】ここで、半導体加速度センサ３１（半導体
チップ２００）を保護部材１４側から見た構成例を図６
に示す。図６に示す例では、ダイシング部２２に沿った
領域及びパッド部２１に対応した領域において、これら
両領域が連続した形で保護部材１４の除去がなされてい
る。この場合、開口部２３は保護部材１４が無い部分に
相当する。
【００５６】また、図７において、（ａ）はセンサ３１
（半導体チップ２００）の概略断面図、（ｂ）はセンサ
３１を保護部材１４側から見た図である。図７に示す例
では、ダイシング部２２に沿った領域及びパッド部２１
の窓部のみの領域において、保護部材１４が除去されて
いる。この除去部分が開口部２３に相当する。
【００５７】このように、本実施形態によれば、上記第
１実施形態と同様の作用効果を奏することができること
に加え、ダイシングカットされた保護シート１（保護部
材１４）をつけたままワイヤボンディングでき、ダイシ
ングカット後における保護部材１４の取り外しが不要で
あるため、保護シート１の貼り合わせは強固でよく、保
護シート１の剥離をより高レベルにて抑制できる。
【００５８】（第３実施形態）図８は、本実施形態に係
る製造工程を示す概略断面図である。上記各実施形態に
おいては、半導体ウェハ１１として表面からの加工によ
り作製した例を示したが、本実施形態は、半導体ウェハ
１１を表面および裏面からの加工により作成したものに
関する。即ち、表裏両面に加工を施した半導体ウェハに
おいては、図８（ａ）に示す様に、裏面がエッチング等
により加工された開口部としての裏面加工部４１を有
し、表裏両面から可動部１０が露出する構造となる。
【００５９】この半導体ウェハ１１に対し、裏面側を保
護するための接着フィルム（本発明でいう他面側保護用
シート）４２をウェハ１１の裏面側に接着する（他面側
保護用シートを貼り付ける工程）。また、上記第１実施
形態と同様に処理され溝部６が形成された保護シート１
を、治具４に固定したまま半導体ウェハ１１の表面側に
貼り合わせる（貼り合わせ工程）。このときの状態を図
８（ｂ）に示す。
【００６０】そして、図８（ｃ）に示す様に、治具４を
保護シート１から取り外した後、図８（ｄ）に示す様
に、半導体ウェハ１１の接着フィルム４２側を、ダイシ
ングテープ１２ａを介してダイシング台１３（図８
（ｄ）では図示せず）に真空吸着し、上記第１実施形態
と同様に、ダイシングカット工程を行う。なお、ダイシ
ングテープ１２ａは、上記ダイシング用シート１２と同
様の役割をするもので、ハーフカットされる。
【００６１】こうして、半導体ウェハ１１がチップ化さ
れ、図８（ｅ）に示す様に、各チップは、保護部材（保
護キャップ）１４により表面側を保護され、接着フィル
ム４２により他面側を保護された状態となる。そして、
上記第１実施形態と同様に、保護部材１４を除去し、図
８（ｆ）に示す様な半導体チップ（半導体装置）３００
を得る。この後は、通常のＩＣチップと同様に取り扱う
ことが可能になる。
【００６２】また、本実施形態は、保護部材１４の形成
において、上記第２実施形態と組み合わせたものとする
こともできる。図９はその一例を示すもので、接着フィ
ルム４２により裏面側が保護された半導体チップ３００
において、表面側を保護する保護部材１４は、パッド部
２１とダイシング部２２とが露出するように除去されて
いる。この半導体チップ２００は、上記図５に示す半導
体加速度センサ３１と同様に、基板にワイヤボンド実装
することができる。
【００６３】このように、本実施形態によれば、上記第
１及び第２実施形態と同様の作用効果を奏することに加
え、表裏両面から可動部１０が露出する構造の半導体ウ
ェハ１１に用いた場合に、可動部１０の適切な保護がな
される。
【００６４】なお、接着フィルム４２の特性によって
は、ダイシングブレードの寿命を向上させるために、第
１のブレードによって半導体ウェハ１１をある程度まで
カット（ハーフカット）してから（図８（ｄ）中の領域
Ｃ１）、第１のブレードよりも薄い、または材質の異な
った第２のブレードを用いて、接着フィルム４２及びダ
イシングテープ１２ａをカットする（図８（ｄ）中の領
域Ｃ２）という、２段階のカットを行っても良い。ま
た、上記図８（ｂ）の状態において、保護シート１（保
護部材１４）の厚さを厚くすれば（例えば５０μｍ）、
半導体ウェハ１１の裏面側からダイシングカットを行う
ことも可能である。
【００６５】また、上記各実施形態における保護部材１
４は、可動部１０に接触しないようにするため、凹部２
を有する治具４により形成されたキャップ部５を有する
ものであったが、図１０に示す様に、平らな保護部材５
１において半導体ウェハ１１の可動部１０に対応する部
位以外の部位に接着剤５２を形成することで、保護部材
５１が可動部１０に接触するのを防止してもよい。ま
た、この接着剤は接着フィルムを接着することも可能で
あるこのような保護部材５１の構成は、保護シート１を
平らなままの状態で、上記接着剤５２を配するととも
に、溝部６（または開口部２３）を形成することによっ
て、作ることができる。それによって、例えば、治具４
を凹部２の無いものとでき、該凹部２を形成する手間等
が不要となるという利点がある。
【００６６】（第４実施形態）本実施形態に係る半導体
装置の製造工程を図１１に示す。本実施形態では、図１
１（ａ）に示す様に、可動部６１がウェハの表面６０か
ら０．５〜１００μｍ程度ウェハ内に入ったところに形
成された半導体ウェハ１１を適用したものである。
【００６７】本例では、表面６０と可動部６１とにより
形成される凹部６２の深さを約３ミクロンとした。この
場合、保護部材（保護キャップ）６３は、凹凸のない平
らなものを使用可能である。従って、本実施形態では、
保護シート１が上記キャップ部５を形成しない平坦な状
態のまま、上記同様に、治具固定工程、除去工程、貼り
合わせ工程、および他面側保護用シートを貼り付ける工
程を行い、図１１（ｂ）に示す状態とできる。
【００６８】次に、図１１（ｃ）及び（ｄ）に示す様
に、上記第３実施形態と同様に、ダイシングカット工
程、及び保護部材６３の除去を行い、図１１（ｅ）に示
す半導体チップ（半導体装置）４００を得る。
【００６９】なお、図１２は、本実施形態の保護部材６
３の形成において、上記第２実施形態を採用したもの
で、パッド部２１を露出させる保護部材（保護キャッ
プ）６３を最終製品で接着してあるものを示す。図１３
に示す半導体チップ４００は、上記第２実施形態と同
様、ワイヤボンディングを行うことができる。
【００７０】また、本実施形態の図示例では、表裏両面
から可動部が露出する半導体ウェハに適用されている
が、上記第１及び第２実施形態のような表面に露出する
半導体ウェハであっても、可動部がウェハの表面から
０．５〜１００μｍ程度ウェハ内に入ったところに形成
されたものであれば、適用可能である。
【００７１】このように、本実施形態においては、半導
体ウェハ１１の構成によって保護シート１（保護部材６
３）を平坦なものとでき、また、上記第１〜第３実施形
態と同様の作用効果を得ることも可能である。
【００７２】（第５実施形態）上記各実施形態におい
て、本実施形態は、半導体ウェハをダイシングカットし
て形成される半導体チップとして構成される半導体装置
であって、該半導体チップの一面が、該一面を露出させ
る開口部を有し且つダイシングカットの際に該半導体チ
ップを保護するための保護部材により被覆されており、
更に、該半導体チップの該一面に、該半導体チップを外
部に電気接続するためのバンプが、該開口部から露出す
るように設けられたものに関する。
【００７３】図１３に本実施形態に係る半導体装置の製
造工程を示す。図示例では、上記第４実施形態にて述べ
た、表裏両面から露出する可動部がウェハの表面からウ
ェハ内に入ったところに形成された半導体ウェハ１１に
ついて、適用している。
【００７４】まず、図１３（ａ）に示すバンプ形成工程
では、半導体ウェハ１１の一面（表面）に、外部と電気
接続するためのバンプ７０を、パッド部２１と電気的に
接続するように形成する。ここで、バンプ７０は、例え
ば、通常のバンプとして用いられる共晶はんだ、あるい
は、Ｉｎ系のはんだ等を採用することができる。さらに
は、金線等のワイヤボンディングにより形成される金ボ
ール等を形成したいわゆるスタッドバンプ（ワイヤバン
プ）を採用しても良い。
【００７５】また、保護シート１を治具４に真空吸着に
より固定し（治具固定工程）、保護シート１の面をエキ
シマレーザ等で削ることにより可動部に対応する部分に
凹部７１を形成する。この凹部７１は上記キャップ部と
同様の機能を有するものである。なお、上記第４実施形
態の如く、可動部６１がウェハの表面６０から０．５〜
１００μｍ程度ウェハ内に入ったところに形成されてい
れば、凹部７１は必ずしも必要ない。
【００７６】また、この治具４に固定された保護シート
１に対して、切断治具を用いたプレスまたはカッターに
より、保護シート１のうちダイシングカットする領域
（スクライブ領域）に対応する領域を切断除去して溝部
６を形成し、保護シート１を半導体チップのサイズに相
当する大きさに分割する。このとき、保護シート１のう
ち上記バンプ７０に対応する部位も併せて除去し、開口
部７２を形成する（除去工程）。
【００７７】次に、上記の他面側保護用シートを貼り付
ける工程と同様にして、半導体ウェハ１１の他面（裏
面）に接着フィルム４２を貼り合わせる。そして、本実
施形態の貼り合わせ工程では、分割された保護シート１
としての保護部材７３を、治具４に固定させた状態に
て、開口部７２からバンプ７０を露出させるように、半
導体ウェハ１１の一面（表面）に貼り合わせる。こうし
て、図１３（ｂ）に示す状態となる。
【００７８】次に、保護シート１から治具４を取り外し
た後、上記ダイシングカット工程を行い、溝部６に沿っ
て半導体ウェハ１１をチップ化し（図１３（ｃ）参
照）、図１３（ｄ）に示す半導体チップ（半導体装置）
５００を得る。この半導体チップ５００は、その一面
が、その表面を露出させる開口部７２を有する保護部材
７３により被覆されており、更に、半導体チップ５００
の一面において、バンプ７０が開口部７２から露出する
ように設けられた構成を有する。
【００７９】次に、一面側に導電性材料よりなる導体層
（導体部）８１を有するセラミックまたはプリント板ま
たはガラスまたはガラス−セラミックまたはシリコン等
よりなる基板８０を用意する。この基板８０の一面側の
導体層８１は、その上に形成されたガラスなどの絶縁材
料よりなる絶縁層８２により被覆されており、導体層８
１の一部は絶縁層８２の開口部から露出している。
【００８０】そして、得られた半導体チップ５００を、
バンプ７０側が基板８０の導体層８１側の面と対向する
ように配置し、バンプ７０をリフローまたは熱圧着する
等によって、絶縁層８２の開口部から露出する導体層８
１とバンプ７０とを電気的に接続する（図１３（ｅ）参
照）。このようにして、フェースダウンのボンディン
グ、即ち、フリップチップ実装等を行うことができる。
【００８１】ここで、バンプ７０として、通常のバンプ
として用いられる共晶はんだを用いた場合、その共晶は
んだの融点は約１８０℃であるが、保護部材７３を構成
する基材としてポリイミド等の耐熱性樹脂を用い、接着
剤としてシリコーン粘着剤を用いれば問題はない。ま
た、融点の更に低いＩｎ系のはんだを用いても良く、バ
ンプ７０と導体層８１とを熱圧着により固相接続を行え
ば、更に低い温度で接続可能である。さらに、別の接続
方法としては、一般にチップの基板への固定に用いられ
る銀ペーストを用いて、バンプ７０を接続しても良い。
【００８２】このように、本実施形態によれば、溝部６
に沿ったダイシングカットを行うため保護部材７３の切
り屑が発生し難く、該切り屑による汚染を防止できる。
また、半導体チップ５００は保護部材７３により被覆さ
れたままであるため、保護部材７３を半導体チップ５０
０に強固に接着できるから、保護部材７３の剥離の抑制
が可能となる。また、開口部７２から露出するバンプ７
０によって、保護部材７３を付けたまま、半導体チップ
５００を外部の基板８０と電気的に接続することが可能
である。
【００８３】なお、本実施形態における除去工程では、
少なくともバンプ７０に対応する部位を除去した開口部
７２を形成すれば良く、溝部６は無いものとしても良
い。その場合には、ダイシングカット工程において、ウ
ェハ１１と共に保護シート１もカットする。この場合で
も、半導体チップは保護部材により被覆されたままだか
ら、保護シート１を半導体ウェハ１１に強固に接着で
き、保護シート１の切り屑による汚染の防止及び保護部
材の剥離の抑制が可能となる。
【００８４】また、本実施形態の保護シート１は、図１
に示す様なキャップ部５を有するもの、図１０及び図１
１に示す様な平坦なものでも構わない。また、本実施形
態では、両面から可動部が露出する半導体装置以外に
も、上記第１実施形態等に示したような片面のみ可動部
が露出する半導体装置にも適用可能なことは勿論であ
る。
【００８５】ところで、上記各実施形態において、図５
ないし図７、図９、図１２及び図１３（ｄ）に示す様
に、保護部材１４、５１、６３、７３が被覆されたまま
チップ化された半導体チップ（センサチップ）２００、
３００、４００、５００は、各保護部材の周縁部Ｓ１が
各半導体チップの周縁部Ｓ２よりも内側にあるものとな
っている。このような配置関係になるのは、除去工程に
おいて、予め保護シート１におけるダイシングカットす
る領域に対応する領域を除去し、溝部６または開口部２
３を形成するようにしているためである。
【００８６】そして、ダイシングカットの際に半導体チ
ップを保護するための保護部材１４、５１、６３、７３
の周縁部Ｓ１が半導体チップ２００〜５００の周縁部Ｓ
２よりも内側にあるため、ダイシングカットの際にダイ
シングの刃が保護部材に接触し難く、切り屑が発生せず
チップの汚染を防止でき、また、保護部材の剥離が抑制
される。
【００８７】また、斯様な半導体チップ２００〜５００
によれば、ダイシングカット後の半導体チップは保護部
材により被覆されたままであるから、ダイシングカット
用の保護シート１の接着も強固にでき、保護部材の剥離
の抑制が高レベルで可能となる。
【００８８】また、もし、保護部材と半導体チップの周
縁部が同じ位置にあると、チップの取り扱いにおいてチ
ップの側面またはチップの上面角部（チップの周縁部）
をつかむ等により、保護部材が剥がれやすく、信頼性の
面で問題となることがあるが、本半導体チップ２００〜
５００によれば、保護部材の周縁部Ｓ１が半導体チップ
の周縁部Ｓ２よりも内側にあるため、チップをつかむ際
に保護部材に触ることがないから、保護部材の剥がれを
防止できる。
【００８９】従って、本半導体チップ２００〜５００に
よれば、保護シートの切り屑の残留によるチップの汚染
を防止するとともに、保護シートの剥離を抑制可能な半
導体装置を提供することができる。
【００９０】（第６実施形態）図１４〜図１６は、本第
６実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す概略断面
図である。なお、本実施形態において、上記各実施形態
と同一部分については、図中、同一符号を付してある。
図１４（ａ）に、本実施形態に用いる半導体ウェハ１１
を示す。
【００９１】この半導体ウェハ（センサウェハ）１１
は、上記第３実施形態と同様に、表裏両面に加工を施し
たもので、本実施形態では、半導体装置としての容量検
出型加速度センサに用いられるものである。半導体ウェ
ハ１１は、上記した開口部としての裏面加工部４１を有
し、表裏両面からセンシング部１０ａが露出する構造を
有する。センシング部１０ａは可動電極と固定電極とか
らなる。そして、図１４（ａ）に示す様に、半導体ウェ
ハ１１の裏面に、接着フィルム（接着シート）４２を貼
り付ける（他面側保護用シートを貼り付ける工程）。
【００９２】また、図１４（ｂ）に、キャップ部（保護
キャップ部）５を成形するための治具４を示す。治具４
は円盤形状であり、上述したように、治具４の一面側に
は図１４（ｄ）に示す様なキャップ部５を成形するため
の凹部２が面状に複数個形成され、他面側には各凹部２
と連通する真空吸引用の穴部（本発明でいう貫通孔）３
が複数個形成されている。
【００９３】そして、図１４（ｃ）に示す様に、この治
具４に対して、凹部２の形成面とは反対側に、図１４
（ｄ）に示す様な粘着シートである保護シート１を真空
吸引するための真空チャックステージ６００を設ける。
この真空チャックステージ６００は、内部に圧力導入孔
６０１が形成され、圧力導入孔６０１の一端側は各穴部
３に連通し、他端側は図示しない真空ポンプに（減圧ポ
ンプ）接続されている。なお、治具４と真空チャックス
テージ６００とはＯリング６０２により、シールされ
る。そして、この圧力導入孔６０１を介して図示矢印Ｐ
方向への真空吸引が行われるようになっている。
【００９４】次に、図１４（ｄ）に示す様に、治具４と
真空チャックステージ６００とを、保護シート１が変形
可能な温度（例えば７０℃程度）まで加熱した後、上記
真空ポンプを作動させて真空吸引しながら、治具４の一
面上に保護シート１をその面１ｂ側に載せて固定する
（治具固定工程）。これにより、上記第１実施形態で述
べたように、穴部３からの吸引力により保護シート１は
治具４の一面に固定されるとともに、保護シート１は、
その粘着面１ａ側から面１ｂに向かって治具４の凹部２
に沿うように凹み、キャップ部５が形成される。なお、
保護シート１の外縁部には、該シート１の平坦性を維持
するためのダイシングフレーム６０３が設けられてい
る。
【００９５】次に、図１５（ａ）に示す様に、センシン
グ部１０ａがキャップ部５に一致するように、半導体ウ
ェハ１１と保護シート１とを上記第１実施形態と同様な
方法を用いて位置あわせし、半導体ウェハ１１の表面と
保護シート１の粘着面１ａとを接着させる。そして、こ
のまま、室温まで冷却する（貼り合わせ工程）。
【００９６】冷却後、上記真空ポンプの作動を止めて真
空チャックステージ６００の真空吸引を止め、図１５
（ｂ）に示す様に、接着フィルム４２の裏面に半導体ウ
ェハ１１よりも大口径の補強用ウェハ（本発明でいう補
強板、第２のウェハ）６０４を載せる。そして、保護シ
ート１の粘着面１ａのうち外縁部を補強用ウェハ６０４
に貼り付け、保護シート１及び半導体ウェハ１１を補強
用ウェハ６０４に固定する。こうして、補強用ウェハ６
０４は治具４の一面（凹部２の形成面）と対向して配置
される（補強板設置工程）。
【００９７】次に、保護シート１から治具４を剥離させ
て取り外すのであるが、本実施形態では、取り外す際
に、保護シート１に対して治具４から離れる方向へ図示
矢印の如く圧力Ｐを加える（加圧剥離工程）。具体的に
は、真空チャックステージ６００の圧力導入孔６０１の
他端側を、上記真空ポンプから図示しない圧力供給装置
（例えば、コンプレッサ等）へ切り替えて接続する。こ
の接続の切替えは、上記真空ポンプの配管系統（ホース
等）と圧力供給装置の配管系統とを切替えバルブ等によ
り切り替えること等により可能である。
【００９８】そして、上記圧力供給装置により、圧力導
入孔６０１を介して穴部３から圧縮空気あるいは窒素
（Ｎ2）等の気体を導入し、加圧する。なお、加圧力は
０．０３ＭＰａ程度とできる。この程度の圧力ではキャ
ップ部５は変形しない。この加圧状態において、治具４
から補強用ウェハ６０４を剥がし取るように、補強用ウ
ェハ６０４、半導体ウェハ１１及び保護シート１を一体
に治具４から剥がす。この剥離の際には、補強用ウェハ
６０４が半導体ウェハ１１の裏面側を支持しているため
に、半導体ウェハ１１は変形（反り）せず、割れ等の破
損を発生することはない。図１５（ｃ）に剥離後の状態
を示す。
【００９９】次に、図１６（ａ）に示す様に、保護シー
ト１の外縁部をカットし、半導体ウェハ１１から補強用
ウェハ６０４を除去する（補強板除去工程）。なお、補
強用ウェハ６０４と接着フィルム４２との間は接してい
るだけなので、両者は容易に分離する。次に、図１６
（ｂ）に示す様に、接着フィルム４２の裏面にダイシン
グ用シート１２を貼り付け、ダイシングブレード６０５
によりダイシングカットを行い、その後、図１６（ｃ）
に示す様に、保護シート１を除去することで半導体ウェ
ハ１１をチップに分割できる。
【０１００】以上、本実施形態に係る製造方法について
述べてきたが、本実施形態においては、上記治具４が保
護シート１の一面側が固定される治具に相当し、上記圧
力導入孔６０１、穴部２及び上記圧力供給装置（図示せ
ず）が、保護シート１に対し治具４から離れる方向へ加
圧を行う加圧手段に相当し、これら治具４及び加圧手段
によって、本発明でいうウェハ剥離装置が構成されてい
る。
【０１０１】ところで、本実施形態の製造方法は、一面
１ｂ側が治具４に密着された保護シート１の粘着面（他
面）１ａ側に半導体ウェハ１１を貼り合わせた後、半導
体ウェハ１１と一体に保護シート１を、治具４より剥離
させる工程を備え、治具４を保護シート１から取り外す
際に、保護シート１に対して治具４から離れる方向へ圧
力を加えるようにしたことを主たる特徴としている。そ
れにより、保護シート１が貼り合わされた半導体ウェハ
１１を加圧により容易に取り外すことができ、ウェハの
破損も防止できる。よって、本実施形態によれば、作業
性がよく、高スループット化可能なウェハ剥離を実現可
能な半導体装置の製造方法を提供できる。
【０１０２】また、本実施形態のウェハ剥離装置は上記
加圧手段を備えているため、本実施形態の製造方法を行
うにあたって好適なウェハ剥離装置を提供することがで
きる。更に、本実施形態のウェハ剥離装置は、補強板と
しての補強用ウェハ６０４を備えている。この補強用ウ
ェハ６０４が無いものであっても良いが、剥離した半導
体ウェハ１１の破損防止をより確実なものとするには、
補強用ウェハ６０４が備えられていた方が好ましい。
【０１０３】また、本実施形態のウェハ剥離装置におけ
る治具４は、複数個の凹部２及び穴部（貫通孔）３とを
備え、保護シート１を穴部３を介して凹部２に沿って変
形させるものとしている。手段の欄にて述べたように、
多数（例えば２０００〜３０００個あるいはそれ以上）
の凹部を治具表面に形成すると、ドーム状に形成された
キャップ部が凹部に食い込み、半導体ウェハの治具から
の剥離が一層難しくなるのであるが、本実施形態によれ
ば、そのような問題を回避できる。
【０１０４】なお、治具４が、保護シート１を固定する
面に凹部２が無い平坦形状であって、穴部３のみが形成
されているものであっても良い。この場合、保護シート
１にキャップ部５を形成しないものとなるが、治具４か
らの加圧による保護シート１の剥離の容易化という本実
施形態特有の効果を発揮することに何ら影響するもので
はない。また、穴部３が真空吸引と加圧の際の圧力導入
とを兼用しているが、別途、治具４に対し加圧専用の孔
を設けても良い。
【０１０５】また、本実施形態では、上記第１〜第５実
施形態にて述べた除去工程を行わない例を示してある
が、これらの除去工程を行う製造方法において、本実施
形態のように保護シート剥離の際に加圧を行った場合で
も、上記の加圧による剥離の容易化を実現できることは
勿論である。例えば、上記図１４（ｄ）に示す状態と図
１５（ａ）に示す状態との間で、保護シート１のうちス
クライブ領域に対応する領域を除去するようにしてもよ
い。この場合も、保護シート１は分割されても真空吸着
され治具４に固定されているので、ばらばらになって剥
離することはない。
【０１０６】ところで、ウェハ剥離装置における補強板
としては、補強用ウェハ（シリコンウェハ等）でなくと
も、図１７に示す押さえ板６０６でもよい。図１７に示
す変形例においては、押さえ板６０６は、アルミニウム
（Ａｌ）製であり、治具４と対向配置され半導体ウェハ
１１よりも大きな面積を有する面部６０７と、この面部
６０７の外周において治具４に向かって突出する突出部
６０８とを備えている。
【０１０７】本例の押さえ板６０６を用いた補強板設置
工程においては、真空吸引を止めた後、図１７（ａ）に
示す様に、押さえ板６０６及び治具４に設けられたネジ
穴及び固定用ネジ６０９により、押さえ板６０６を治具
４に締結する。ここで、面部６０７が、半導体ウェハ１
１の裏面の接着フィルム４２と隙間を持ち、突出部６０
８の先端が、保護シート１の外縁部を介して治具４の一
面に支持されるように、押さえ板６０６の配置を行う。
【０１０８】次に、押さえ板６０６を用いた加圧剥離工
程では、上述したように、保護シート１に対して治具４
から離れる方向へ圧力を加え、保護シート１から治具４
を剥離させる。この剥離後の状態を図１７（ｂ）に示
す。図に示す様に、上記加圧手段からの加圧によって、
保護シート１及び半導体ウェハ１１は治具４から若干離
れる。そして、半導体ウェハ１１の裏面は、接着フィル
ム４２を介して押さえ板６０６の面部６０７に当たり、
この面部６０７にて支持されるため、半導体ウェハ１１
の破損防止がより確実になる。この後、固定用ネジ６０
９から押さえ板６０６を外して半導体ウェハ１１をピッ
クアップする。
【０１０９】また、上記の補強用ウェハ６０４の場合、
保護シート１及び半導体ウェハ１１の補強用ウェハ６０
４への固定を、保護シート１の粘着面１ａを補強用ウェ
ハ６０４の外縁部に接着させることで行っている。この
補強用ウェハ６０４を再度補強板として用いる場合、補
強用ウェハ６０４に存在する粘着剤残りが半導体ウェハ
１１を汚さないようにする必要がある。しかし、補強用
ウェハ６０４と半導体ウェハ１１との位置合わせは容易
ではないため、補強用ウェハ６０４を再度使用する場
合、仕掛ける前に洗浄する必要がある。
【０１１０】これに対し、本例の押さえ板６０６では、
半導体ウェハ１１を支持する面部６０７の外周に突出部
６０８を有するため、この突出部６０８を基準として、
半導体ウェハ１１と押さえ板６０６との位置合わせが容
易にできる。よって、本例では、粘着剤残りにより半導
体ウェハ１１が汚れることがないため、補強用ウェハ６
０４のように、使用するたびに洗浄する必要がなくな
り、製造工程が簡略化できる。
【０１１１】（他の実施形態）なお、本発明の半導体装
置としては、上記各実施形態におけるチップ化された半
導体チップを、更に樹脂でモールドしたものであっても
よい。また、保護部材の形状は、上述のように、半導体
ウェハの可動部への接触を防止するために、キャップ部
を有するもの、接着剤を介した隙間を有するもの、エキ
シマレーザ等で削ることにより可動部に対応する部分に
凹部を形成したものとし、また、可動部の構成によって
は全体形状が平坦なものとしたが、いずれにせよ本発明
の保護部材は、可動部の保護部分の形状に限定されな
い。
【０１１２】また、上記各実施形態は可能ならば、上述
した以外にも適宜組み合わせて行っても良い。また、上
記実施例において説明した以外に、保護部材は別途個別
に形成しておいたものを治具上に配列（整列）させる事
によりウェハと接着しても良い。
【０１１３】また、本発明の適用は、可動部を有する半
導体装置に限定されるものではなく、一面側を保護シー
トで覆った半導体ウェハをダイシングカットしてチップ
化する半導体装置及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
方法を示す工程図である。
【図２】図１に続く製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造
方法を示す工程図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す工程図である。
【図５】上記第２実施形態に係る半導体装置の一例を示
す概略断面図である。
【図６】上記第２実施形態における保護部材の形状の一
例を示す図である。
【図７】上記第２実施形態における保護部材の形状の他
の例を示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造
方法を示す工程図である。
【図９】上記第３実施形態に係る半導体装置の他の例を
示す図である。
【図１０】平らな保護部材とした例を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製
造方法を示す工程図である。
【図１２】上記第４実施形態に係る半導体装置の他の例
を示す図である。
【図１３】本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製
造方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の第６実施形態に係る半導体装置の製
造方法を示す工程図である。
【図１５】図１４に続く製造方法を示す工程図である。
【図１６】図１５に続く製造方法を示す工程図である。
【図１７】上記第６実施形態における補強板の変形例を
示す概略断面図である。
【符号の説明】
１…保護シート、２…穴部、３…貫通孔、４…治具、６
…溝部、１１…半導体ウェハ、１４、５１、６３、７３
…保護部材（保護キャップ）、２１…パッド部、２３…
開口部、３３…ワイヤ、４２…接着フィルム、７０…バ
ンプ、７２…開口部、８０…基板、８１…導体層、２０
０、３００、４００、５００…半導体チップ、６０４…
補強用ウェハ、６０６…押さえ板、６０７…面部、６０
８…突出部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青 建一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 吉原 晋二 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 猪俣 純朋 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 武藤 浩司 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一面側を保護シート（１）で覆った半導
    体ウェハ（１１）をダイシングカットしてチップ化する
    半導体装置の製造方法において、 前記保護シートのうち前記半導体ウェハを覆う面とは反
    対側の面を治具（４）に固定する治具固定工程と、 前記保護シートを前記治具に固定したまま、前記保護シ
    ートのうち前記ダイシングカットする領域に対応する領
    域を除去する除去工程と、 しかる後、前記保護シートを前記治具に固定したまま、
    前記半導体ウェハの前記一面に貼り合わせる貼り合わせ
    工程と、 前記保護シートが貼り合わされた半導体ウェハに対し、
    前記治具を前記保護シートから取り外した後、前記保護
    シートにおける前記除去された領域（６）に沿ってダイ
    シングカットすることによりチップ化するダイシングカ
    ット工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  2. 【請求項２】 前記半導体ウェハ（１１）は、前記一面
    に外部と電気接続するためのパッド部（２１）が形成さ
    れたものであり、 前記除去工程において、前記保護シート（１）のうち前
    記ダイシングカットする領域に対応する領域とともに前
    記パッド部に対応する領域を除去し、 前記貼り合わせ工程において、前記パッド部に対応する
    領域を除去することによって形成された開口部（２３）
    から前記パッド部を露出させるように、前記保護シート
    を前記半導体ウェハの前記一面に貼り合わせ、 前記ダイシングカット工程により得られた半導体チップ
    において前記開口部によって露出されている前記パッド
    部を、ワイヤ（３３）にてボンディングするワイヤボン
    ディング工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の
    半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記除去工程は、切断治具を用いて前記
    保護シート（１）の除去すべき領域を切り取ることによ
    り行うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導
    体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記保護シート（１）として、熱収縮性
    プラスチックフィルムよりなるものを用いることを特徴
    とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体
    装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記ダイシングカット工程の前に、前記
    半導体ウェハ（１１）の他面に、該他面を保護するため
    の他面保護用シート（４２）を貼り付ける工程を有する
    ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記
    載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記治具（４）として、真空吸着により
    前記保護シート（１）を固定するものを用いることを特
    徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導
    体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 半導体ウェハ（１１）をダイシングカッ
    トして形成される半導体チップ（２００、３００、４０
    ０、５００）を有する半導体装置において、 前記半導体チップの一面は、前記ダイシングカットの際
    に前記半導体チップを保護するための保護部材（１４、
    ５１、６３、７３）により被覆されており、 前記保護部材の周縁部は、前記半導体チップの周縁部よ
    りも内側にあることを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 半導体ウェハ（１１）をダイシングカッ
    トして形成される半導体チップ（５００）を有する半導
    体装置において、 前記半導体チップの一面は、前記半導体チップの一面を
    露出させる開口部（７２）を有し且つ前記ダイシングカ
    ットの際に前記半導体チップを保護するための保護部材
    （７３）により被覆されており、 前記半導体チップの前記一面には、前記半導体チップを
    外部に電気接続するためのバンプ（７０）が、前記開口
    部から露出するように設けられていることを特徴とする
    半導体装置。
  9. 【請求項９】 一面側を保護シート（１）で覆った半導
    体ウェハ（１１）をダイシングカットしてチップ化する
    半導体装置の製造方法において、 前記半導体ウェハの前記一面側に、外部と電気接続する
    ためのバンプ（７０）を形成するバンプ形成工程と、 前記保護シートのうち前記バンプに対応する領域を除去
    する除去工程と、 前記保護シートを、前記バンプに対応する領域を除去す
    ることによって形成された開口部（７２）から前記バン
    プを露出させるように、前記半導体ウェハの前記一面側
    に貼り合わせる貼り合わせ工程と、 この工程の後、前記半導体ウェハをダイシングカットす
    ることによりチップ化するダイシングカット工程と、を
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 一面側に導体部（８１）を有する基板
    （８０）を用意し、 前記ダイシングカット工程により得られた半導体チップ
    （５００）を前記基板の一面上に配し、前記バンプ（７
    ０）と前記導体部とを電気的に接続することを特徴とす
    る請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記治具（４）を前記保護シート
    （１）から取り外す際に、前記保護シートに対して前記
    治具から離れる方向へ圧力を加えるようにしたことを特
    徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導
    体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 半導体ウェハ（１１）を被覆して保護
    するための保護シート（１）の一面側が固定される治具
    （４）を備え、 この治具に固定された前記保護シートの他面側に前記半
    導体ウェハの一面を貼り合わせ、前記半導体ウェハと一
    体に前記保護シートを前記治具から剥離させるようにし
    たウェハ剥離装置であって、 前記保護シートに対し前記治具から離れる方向へ加圧を
    行う加圧手段を備えることを特徴とするウェハ剥離装
    置。
  13. 【請求項１３】 前記加圧手段は、前記治具（４）のう
    ち前記保護シート（１）を固定する部位に形成された貫
    通孔（３）を介して圧力を導入するものであることを特
    徴とする請求項１２に記載のウェハ剥離装置。
  14. 【請求項１４】 前記治具（４）は、一面側に面状に配
    置された複数個の凹部（２）と、各々の前記凹部に連通
    して形成された貫通孔（３）とを備え、 前記一面側に固定された前記保護シート（１）を前記貫
    通孔を介して吸引し前記凹部に沿って変形させるもので
    あることを特徴とする請求項１２または１３に記載のウ
    ェハ剥離装置。
  15. 【請求項１５】 前記半導体ウェハ（１１）を前記治具
    （４）から剥離させるときに前記半導体ウェハの他面を
    支持する補強板（６０４、６０６）を備えていることを
    特徴とする請求項１２ないし１４のいずれか１つに記載
    のウェハ剥離装置。
  16. 【請求項１６】 前記補強板（６０６）は、前記治具
    （４）と対向して配置され前記半導体ウェハ（１１）を
    支持するための面部（６０７）と、この面部の外周にお
    いて前記治具に向かって突出する突出部（６０８）とを
    備えていることを特徴とする請求項１５に記載のウェハ
    剥離装置。
  17. 【請求項１７】 一面側が治具（４）に密着された保護
    シート（１）の他面側に半導体ウェハ（１１）を貼り合
    わせた後、前記半導体ウェハと一体に前記保護シート
    を、前記治具より剥離させる工程を備える半導体装置の
    製造方法であって、 前記治具を前記保護シートから取り外す際に、前記保護
    シートに対して前記治具から離れる方向へ圧力を加える
    ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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