JP2000340715A - 半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JP2000340715A JP2000340715A JP11151572A JP15157299A JP2000340715A JP 2000340715 A JP2000340715 A JP 2000340715A JP 11151572 A JP11151572 A JP 11151572A JP 15157299 A JP15157299 A JP 15157299A JP 2000340715 A JP2000340715 A JP 2000340715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- mounting
- dam portion
- ceramic
- resin filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07311—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱応力により樹脂製充填材が絶縁基体から剥
離して半導体素子を良好に保護することができず、半導
体素子の電極と絶縁基体の配線導体との電気的な接続が
切断されてしまう。 【解決手段】 配線導体２が配設されたセラミックスか
ら成る絶縁基体１上に、半導体素子４がフリップチップ
接続法により搭載される搭載部１ａおよびこの搭載部１
ａを取り囲むようにして形成された枠状のダム部３を有
する半導体素子搭載用配線基板であって、ダム部３は、
複数層のセラミック厚膜３ａ〜３ｅを積層して成り、そ
の内側の側面が階段状または傾斜面となっている。階段
状または傾斜面となっているダム部３の内側の側面によ
り、ダム部３と樹脂製充填材５との接合面に印加される
応力が良好に軽減分散され、ダム部３と樹脂製充填材５
との間における剥離の発生を有効に防止できる。
離して半導体素子を良好に保護することができず、半導
体素子の電極と絶縁基体の配線導体との電気的な接続が
切断されてしまう。 【解決手段】 配線導体２が配設されたセラミックスか
ら成る絶縁基体１上に、半導体素子４がフリップチップ
接続法により搭載される搭載部１ａおよびこの搭載部１
ａを取り囲むようにして形成された枠状のダム部３を有
する半導体素子搭載用配線基板であって、ダム部３は、
複数層のセラミック厚膜３ａ〜３ｅを積層して成り、そ
の内側の側面が階段状または傾斜面となっている。階段
状または傾斜面となっているダム部３の内側の側面によ
り、ダム部３と樹脂製充填材５との接合面に印加される
応力が良好に軽減分散され、ダム部３と樹脂製充填材５
との間における剥離の発生を有効に防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線導体を有する
絶縁基体上に半導体素子をフリップチップ接続法により
搭載するようになした半導体素子搭載用配線基板および
この半導体素子搭載用配線基板に半導体素子をフリップ
チップ接続法により搭載するとともに半導体素子と絶縁
基体との間に樹脂製充填材を充填して成る半導体装置に
関するものである。
絶縁基体上に半導体素子をフリップチップ接続法により
搭載するようになした半導体素子搭載用配線基板および
この半導体素子搭載用配線基板に半導体素子をフリップ
チップ接続法により搭載するとともに半導体素子と絶縁
基体との間に樹脂製充填材を充填して成る半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近時、コンピュータ等の電子機器の小型
化や薄型化に対応した半導体装置として、例えば酸化ア
ルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムラ
イト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・
ガラスセラミックス等のセラミックスから成る絶縁基体
の上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する
とともにその搭載部から下面にかけて配線導体が配設さ
れて成る半導体素子搭載用配線基板を準備し、この半導
体素子搭載用配線基板の搭載部に半導体素子を半田や金
等から成るバンプを介してフリップチップ接続法により
搭載して、しかる後、この半導体素子と絶縁基体との間
にアンダーフィルと呼ばれる液状の樹脂製充填材を充填
するとともにこれを熱硬化させ、この熱硬化した樹脂製
充填材により半導体素子を保護するとともに絶縁基体と
半導体素子とを固着して成る半導体装置が知られてい
る。
化や薄型化に対応した半導体装置として、例えば酸化ア
ルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムラ
イト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・
ガラスセラミックス等のセラミックスから成る絶縁基体
の上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する
とともにその搭載部から下面にかけて配線導体が配設さ
れて成る半導体素子搭載用配線基板を準備し、この半導
体素子搭載用配線基板の搭載部に半導体素子を半田や金
等から成るバンプを介してフリップチップ接続法により
搭載して、しかる後、この半導体素子と絶縁基体との間
にアンダーフィルと呼ばれる液状の樹脂製充填材を充填
するとともにこれを熱硬化させ、この熱硬化した樹脂製
充填材により半導体素子を保護するとともに絶縁基体と
半導体素子とを固着して成る半導体装置が知られてい
る。
【０００３】なお、この半導体装置における半導体素子
搭載用配線基板は、いわゆるセラミックグリーンシート
積層法によって製作されている。具体的には、セラミッ
クス原料粉末を有機バインダで結合して成るセラミック
グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに配
線導体となる金属ペーストを所定のパターンに印刷塗布
し、このセラミックグリーンシートを複数枚積層すると
ともに高温で焼成することによって製作されている。
搭載用配線基板は、いわゆるセラミックグリーンシート
積層法によって製作されている。具体的には、セラミッ
クス原料粉末を有機バインダで結合して成るセラミック
グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに配
線導体となる金属ペーストを所定のパターンに印刷塗布
し、このセラミックグリーンシートを複数枚積層すると
ともに高温で焼成することによって製作されている。
【０００４】しかしながら、この半導体装置によると、
半導体素子搭載用配線基板の搭載部に半導体素子を半田
や金から成るバンプを介してフリップチップ接続法によ
り搭載した後、絶縁基体と半導体素子との間に液状の樹
脂製充填材を充填することから、充填した液状の樹脂が
その流動性により絶縁基体上で樹脂製充填材が不要な部
分にまで流れ広がり、これが半導体装置としての機能に
悪影響を及ぼしたり、半導体装置の外観を著しく損ねた
りするという問題点があった。
半導体素子搭載用配線基板の搭載部に半導体素子を半田
や金から成るバンプを介してフリップチップ接続法によ
り搭載した後、絶縁基体と半導体素子との間に液状の樹
脂製充填材を充填することから、充填した液状の樹脂が
その流動性により絶縁基体上で樹脂製充填材が不要な部
分にまで流れ広がり、これが半導体装置としての機能に
悪影響を及ぼしたり、半導体装置の外観を著しく損ねた
りするという問題点があった。
【０００５】そこで、上記問題点を解決するために、図
３に断面図で示すように、絶縁基体11の上面中央部に半
導体素子12がフリップチップ接続法により搭載される搭
載部11ａおよびこの搭載部11ａから下面に導出する配線
導体13を有するとともに、この搭載部11ａを取り囲むよ
うにして形成された所定高さの枠状のダム部14を有する
半導体素子搭載用配線基板を準備し、この半導体素子搭
載用配線基板の搭載部11ａに半導体素子12を半田や金等
から成るバンプ15を介してフリップチップ接続法により
搭載し、その後、ダム部14の内側で絶縁基体11と半導体
素子12との間に液状の樹脂製充填材16を充填し、これを
熱硬化させて成る半導体装置が提案されている。
３に断面図で示すように、絶縁基体11の上面中央部に半
導体素子12がフリップチップ接続法により搭載される搭
載部11ａおよびこの搭載部11ａから下面に導出する配線
導体13を有するとともに、この搭載部11ａを取り囲むよ
うにして形成された所定高さの枠状のダム部14を有する
半導体素子搭載用配線基板を準備し、この半導体素子搭
載用配線基板の搭載部11ａに半導体素子12を半田や金等
から成るバンプ15を介してフリップチップ接続法により
搭載し、その後、ダム部14の内側で絶縁基体11と半導体
素子12との間に液状の樹脂製充填材16を充填し、これを
熱硬化させて成る半導体装置が提案されている。
【０００６】このような半導体装置によると、搭載部11
ａを取り囲むダム部14の内側で絶縁基体11と半導体素子
12との間に液状の樹脂製充填材16を充填すると、液状の
樹脂製充填材16が不要な部分にまで流れ広がるのがダム
部14により有効に防止される。
ａを取り囲むダム部14の内側で絶縁基体11と半導体素子
12との間に液状の樹脂製充填材16を充填すると、液状の
樹脂製充填材16が不要な部分にまで流れ広がるのがダム
部14により有効に防止される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
半導体素子搭載用配線基板においては、ダム部14は通
常、枠状に打ち抜いたセラミックグリーンシートを半導
体素子搭載用配線基板となるセラミックグリーンシート
の積層体の最上層に積層し、それを焼成することによっ
て搭載部11ａを取り囲むように形成されている。
半導体素子搭載用配線基板においては、ダム部14は通
常、枠状に打ち抜いたセラミックグリーンシートを半導
体素子搭載用配線基板となるセラミックグリーンシート
の積層体の最上層に積層し、それを焼成することによっ
て搭載部11ａを取り囲むように形成されている。
【０００８】このようにして形成されたダム部14は、セ
ラミックグリーンシートを打ち抜き、これを焼成するこ
とにより形成されていることから、その内側の側面が絶
縁基体11の上面に対して略垂直となっている。
ラミックグリーンシートを打ち抜き、これを焼成するこ
とにより形成されていることから、その内側の側面が絶
縁基体11の上面に対して略垂直となっている。
【０００９】そして、このダム部14の内側で絶縁基体11
と半導体素子12との間に液状の樹脂製充填材16を充填し
てこの樹脂製充填材16を熱硬化させると、樹脂製充填材
16が熱硬化する際に収縮することによりダム部14と樹脂
製充填材16との間に大きな引っ張り応力が発生する。
と半導体素子12との間に液状の樹脂製充填材16を充填し
てこの樹脂製充填材16を熱硬化させると、樹脂製充填材
16が熱硬化する際に収縮することによりダム部14と樹脂
製充填材16との間に大きな引っ張り応力が発生する。
【００１０】さらに、絶縁基体11を形成するセラミック
スの熱膨張係数が４×10-6〜10×10-6／℃程度であるの
に対して樹脂製充填材16の熱膨張係数が30×10-6〜50×
10-6／℃程度であり、両者の熱膨張係数が大きく相違す
ることから、半導体素子12を作動させると、その作動時
に発生する熱により絶縁基体11と樹脂製充填材16との間
に両者の熱膨張係数の相違に起因して大きな熱応力が発
生する。
スの熱膨張係数が４×10-6〜10×10-6／℃程度であるの
に対して樹脂製充填材16の熱膨張係数が30×10-6〜50×
10-6／℃程度であり、両者の熱膨張係数が大きく相違す
ることから、半導体素子12を作動させると、その作動時
に発生する熱により絶縁基体11と樹脂製充填材16との間
に両者の熱膨張係数の相違に起因して大きな熱応力が発
生する。
【００１１】このような応力は、互いに重畳してダム部
14と樹脂製充填材16との接合面に対して作用し、この応
力が最も集中する部位であるダム部14と樹脂製充填材16
との接合面の上端部からダム部14と樹脂製充填材16との
間に剥離を発生させる。なお、ダム部14と樹脂製充填材
16との間に作用する応力は、ダム部14と樹脂製充填材16
との接合面に対して垂直な方向に作用する成分が大きい
程、ダム部14と樹脂製充填材16とを引き剥がす力が大き
くなるのでダム部14と樹脂製充填材16とが剥離しやすく
なる。
14と樹脂製充填材16との接合面に対して作用し、この応
力が最も集中する部位であるダム部14と樹脂製充填材16
との接合面の上端部からダム部14と樹脂製充填材16との
間に剥離を発生させる。なお、ダム部14と樹脂製充填材
16との間に作用する応力は、ダム部14と樹脂製充填材16
との接合面に対して垂直な方向に作用する成分が大きい
程、ダム部14と樹脂製充填材16とを引き剥がす力が大き
くなるのでダム部14と樹脂製充填材16とが剥離しやすく
なる。
【００１２】そして、ダム部14と樹脂製充填材16との間
に剥離が発生すると、半導体素子12の作動および停止の
繰り返しに伴って、この剥離が次第に絶縁基体11の中心
部に向かって徐々に進行していき、ついには樹脂製充填
材16が絶縁基体11から完全に剥離してしまい、半導体素
子12を良好に保護することができなくなってしまうとい
う問題点があった。また、半導体素子12の電極と半導体
素子搭載用配線基板の配線導体13とを接合している半田
や金等の接続用バンプ15の剥離を誘発させることによっ
て、半導体素子12の電極と絶縁基体11の配線導体13との
電気的な接続が切断され、その結果、半導体素子12を長
期間にわたり安定に作動させることができなくなってし
まうという問題点を有していた。
に剥離が発生すると、半導体素子12の作動および停止の
繰り返しに伴って、この剥離が次第に絶縁基体11の中心
部に向かって徐々に進行していき、ついには樹脂製充填
材16が絶縁基体11から完全に剥離してしまい、半導体素
子12を良好に保護することができなくなってしまうとい
う問題点があった。また、半導体素子12の電極と半導体
素子搭載用配線基板の配線導体13とを接合している半田
や金等の接続用バンプ15の剥離を誘発させることによっ
て、半導体素子12の電極と絶縁基体11の配線導体13との
電気的な接続が切断され、その結果、半導体素子12を長
期間にわたり安定に作動させることができなくなってし
まうという問題点を有していた。
【００１３】本発明は上記問題点に鑑み案出されたもの
であり、その目的は、絶縁基体と半導体素子とを樹脂製
充填材により強固に固着させ、半導体素子を良好に保護
するとともに半導体素子の電極と配線導体との電気的な
接続を完全なものとして半導体素子を長期間にわたり安
定に作動させることができる半導体素子搭載用配線基板
およびこれを用いた半導体装置を提供することにある。
であり、その目的は、絶縁基体と半導体素子とを樹脂製
充填材により強固に固着させ、半導体素子を良好に保護
するとともに半導体素子の電極と配線導体との電気的な
接続を完全なものとして半導体素子を長期間にわたり安
定に作動させることができる半導体素子搭載用配線基板
およびこれを用いた半導体装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子搭載
用配線基板は、配線導体が配設されたセラミックスから
成る絶縁基体上に、半導体素子がフリップチップ接続法
により搭載される搭載部およびこの搭載部を取り囲むよ
うにして形成された枠状のダム部を有する半導体素子搭
載用配線基板であって、前記ダム部は、複数層のセラミ
ック厚膜を積層して成り、その内側の側面が階段状また
は傾斜面となっていることを特徴とするものである。
用配線基板は、配線導体が配設されたセラミックスから
成る絶縁基体上に、半導体素子がフリップチップ接続法
により搭載される搭載部およびこの搭載部を取り囲むよ
うにして形成された枠状のダム部を有する半導体素子搭
載用配線基板であって、前記ダム部は、複数層のセラミ
ック厚膜を積層して成り、その内側の側面が階段状また
は傾斜面となっていることを特徴とするものである。
【００１５】また、本発明の半導体装置は、配線導体が
配設されたセラミックスから成る絶縁基体上に、半導体
素子がフリップチップ接続法により搭載される搭載部お
よびこの搭載部を取り囲むようにして形成された枠状の
ダム部を有する半導体素子搭載用配線基板と、搭載部に
フリップチップ接続法により搭載された半導体素子と、
ダム部の内側で絶縁基体と半導体素子との間に充填され
た樹脂製充填材とから成る半導体装置であって、前記ダ
ム部は、複数層のセラミック厚膜を積層して成り、その
内側の側面が階段状または傾斜面となっていることを特
徴とするものである。
配設されたセラミックスから成る絶縁基体上に、半導体
素子がフリップチップ接続法により搭載される搭載部お
よびこの搭載部を取り囲むようにして形成された枠状の
ダム部を有する半導体素子搭載用配線基板と、搭載部に
フリップチップ接続法により搭載された半導体素子と、
ダム部の内側で絶縁基体と半導体素子との間に充填され
た樹脂製充填材とから成る半導体装置であって、前記ダ
ム部は、複数層のセラミック厚膜を積層して成り、その
内側の側面が階段状または傾斜面となっていることを特
徴とするものである。
【００１６】本発明の半導体素子搭載用配線基板および
半導体装置によれば、前記ダム部は、複数層のセラミッ
ク厚膜を積層して成り、その内側の側面が階段状または
傾斜面となっていることから、絶縁基体の搭載部に半導
体素子をフリップチップ接続法により搭載した後、ダム
部の内側で絶縁基体と半導体素子との間に液状の樹脂製
充填材を充填し、これを熱硬化させた後、樹脂製充填材
の硬化時の収縮による応力や半導体素子が作動時に発生
する熱による応力がダム部と樹脂製充填材との間に印加
されたとしても、その応力は階段状または傾斜面となっ
ているダム部の内側の側面によりダム部と樹脂製充填材
との接合面に対して垂直方向に作用する成分が良好に低
減分散されるため、ダム部と樹脂製充填材との間に剥離
が発生することを有効に防止することができる。
半導体装置によれば、前記ダム部は、複数層のセラミッ
ク厚膜を積層して成り、その内側の側面が階段状または
傾斜面となっていることから、絶縁基体の搭載部に半導
体素子をフリップチップ接続法により搭載した後、ダム
部の内側で絶縁基体と半導体素子との間に液状の樹脂製
充填材を充填し、これを熱硬化させた後、樹脂製充填材
の硬化時の収縮による応力や半導体素子が作動時に発生
する熱による応力がダム部と樹脂製充填材との間に印加
されたとしても、その応力は階段状または傾斜面となっ
ているダム部の内側の側面によりダム部と樹脂製充填材
との接合面に対して垂直方向に作用する成分が良好に低
減分散されるため、ダム部と樹脂製充填材との間に剥離
が発生することを有効に防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の半導体素子搭載用
配線基板および半導体装置について添付の図面を基にし
て詳細に説明する。
配線基板および半導体装置について添付の図面を基にし
て詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明の半導体素子搭載用配線基
板およびこれを用いた半導体装置の実施の形態の一例を
示す断面図である。図１において、１は絶縁基体、２は
配線導体、３はダム部、４は半導体素子、５は樹脂製充
填材である。これらのうち、絶縁基体１と配線導体２と
ダム部３とで本発明の半導体素子搭載用配線基板が構成
されており、この半導体素子搭載用配線基板と半導体素
子４および樹脂製充填材５とにより本発明の半導体装置
が構成されている。
板およびこれを用いた半導体装置の実施の形態の一例を
示す断面図である。図１において、１は絶縁基体、２は
配線導体、３はダム部、４は半導体素子、５は樹脂製充
填材である。これらのうち、絶縁基体１と配線導体２と
ダム部３とで本発明の半導体素子搭載用配線基板が構成
されており、この半導体素子搭載用配線基板と半導体素
子４および樹脂製充填材５とにより本発明の半導体装置
が構成されている。
【００１９】絶縁基体１は、例えば大きさが数ｍｍ〜数
ｃｍ角程度の略四角形の平板であり、酸化アルミニウム
質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結
体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラ
ミックス等のセラミックスから形成されている。
ｃｍ角程度の略四角形の平板であり、酸化アルミニウム
質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結
体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラ
ミックス等のセラミックスから形成されている。
【００２０】この絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・
酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料
粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して泥漿状
となすとともに、これを従来周知のドクタブレード法を
採用することによってシート状となすことによりセラミ
ックグリーンシートを得、このセラミックグリーンシー
トに適当な打ち抜き加工を施すとともに必要に応じて複
数枚を積層して生セラミック積層体となし、最後にこの
生セラミック体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成
することによって製作される。
ム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・
酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料
粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して泥漿状
となすとともに、これを従来周知のドクタブレード法を
採用することによってシート状となすことによりセラミ
ックグリーンシートを得、このセラミックグリーンシー
トに適当な打ち抜き加工を施すとともに必要に応じて複
数枚を積層して生セラミック積層体となし、最後にこの
生セラミック体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成
することによって製作される。
【００２１】絶縁基体１は、半導体素子４を支持するた
めの支持基板として機能し、その上面中央部に半導体素
子４を搭載するための搭載部１ａを有している。この搭
載部１ａには半導体素子４が半田や金から成るバンプ６
を介してフリップチップ接続法により搭載される。な
お、半導体素子４は、例えばシリコンやガリウム砒素等
の半導体材料から形成されている集積回路素子等の電子
回路用素子である。
めの支持基板として機能し、その上面中央部に半導体素
子４を搭載するための搭載部１ａを有している。この搭
載部１ａには半導体素子４が半田や金から成るバンプ６
を介してフリップチップ接続法により搭載される。な
お、半導体素子４は、例えばシリコンやガリウム砒素等
の半導体材料から形成されている集積回路素子等の電子
回路用素子である。
【００２２】そして半導体素子４の搭載部１ａへの搭載
は、半導体素子４の能動面に形成された入出力用の各電
極に半田や金から成るバンプ６を溶着や圧着により予め
取着させておくとともにこのバンプ６を後述する配線導
体２の搭載部１ａに導出した部位に当接させ、両者を溶
着や圧着により接合することによって行なわれる。
は、半導体素子４の能動面に形成された入出力用の各電
極に半田や金から成るバンプ６を溶着や圧着により予め
取着させておくとともにこのバンプ６を後述する配線導
体２の搭載部１ａに導出した部位に当接させ、両者を溶
着や圧着により接合することによって行なわれる。
【００２３】半導体素子４が搭載される絶縁基体１の搭
載部１ａにはタングステンやモリブデン・銅・銀等の金
属粉末メタライズから成る配線導体２の一端部が導出し
ており、この配線導体２の他端部は絶縁基体１の内部を
介して絶縁基体１の下面に導出している。
載部１ａにはタングステンやモリブデン・銅・銀等の金
属粉末メタライズから成る配線導体２の一端部が導出し
ており、この配線導体２の他端部は絶縁基体１の内部を
介して絶縁基体１の下面に導出している。
【００２４】この配線導体２は半導体素子４の各電極を
外部電気回路に電気的に接続するための導電路として機
能し、上述したように、その搭載部１ａに導出した部位
には半導体素子４の各電極が半田や金等の接続用バンプ
６を介して電気的に接続される。また、配線導体２の絶
縁基体１の下面に導出した他端部は、図示しない外部電
気回路基板の接続用導体に半田等を介して接続され、こ
れによって、半導体素子４の各電極が外部の電気回路に
接続されることとなる。
外部電気回路に電気的に接続するための導電路として機
能し、上述したように、その搭載部１ａに導出した部位
には半導体素子４の各電極が半田や金等の接続用バンプ
６を介して電気的に接続される。また、配線導体２の絶
縁基体１の下面に導出した他端部は、図示しない外部電
気回路基板の接続用導体に半田等を介して接続され、こ
れによって、半導体素子４の各電極が外部の電気回路に
接続されることとなる。
【００２５】このような配線導体２は、例えばタングス
テンメタライズから成る場合であれば、タングステン粉
末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して得た金属
ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシート
に従来周知のスクリーン印刷法を採用して所定のパター
ンに印刷塗布し、これをセラミックグリーンシートとと
もに焼成することによって、絶縁基体１の搭載部１ａか
ら下面に導出するようにして所定のパターンに被着形成
される。なお、配線導体２の表面には、通常、この配線
導体２が酸化腐食するのを防止するとともに配線導体２
とバンプ６との接続および配線導体２の外部電気回路基
板の接続用導体との半田を介した接続を容易かつ強固な
ものとするために、ニッケルめっき膜および金めっき膜
が順次被着されている。
テンメタライズから成る場合であれば、タングステン粉
末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して得た金属
ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシート
に従来周知のスクリーン印刷法を採用して所定のパター
ンに印刷塗布し、これをセラミックグリーンシートとと
もに焼成することによって、絶縁基体１の搭載部１ａか
ら下面に導出するようにして所定のパターンに被着形成
される。なお、配線導体２の表面には、通常、この配線
導体２が酸化腐食するのを防止するとともに配線導体２
とバンプ６との接続および配線導体２の外部電気回路基
板の接続用導体との半田を介した接続を容易かつ強固な
ものとするために、ニッケルめっき膜および金めっき膜
が順次被着されている。
【００２６】また、絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素
子４をバンプ６を介してフリップチップ接続法により搭
載した後は、後述するダム部３の内側で絶縁基体１と半
導体素子４との間に例えばエポキシ樹脂から成る樹脂製
充填材５が液状で充填された後、熱硬化されて半導体装
置が完成する。
子４をバンプ６を介してフリップチップ接続法により搭
載した後は、後述するダム部３の内側で絶縁基体１と半
導体素子４との間に例えばエポキシ樹脂から成る樹脂製
充填材５が液状で充填された後、熱硬化されて半導体装
置が完成する。
【００２７】この樹脂製充填材５は、その厚さが例えば
数十μｍ〜数百μｍ程度であり、絶縁基体１と半導体素
子４との間に充填されることにより、半導体素子４を保
護するとともに半導体素子４を絶縁基体１に強固に固着
させる作用をなす。また、半導体装置の仕様に応じて、
熱膨張率の調整や熱伝導性向上のための各種フィラーを
含有してもよい。
数十μｍ〜数百μｍ程度であり、絶縁基体１と半導体素
子４との間に充填されることにより、半導体素子４を保
護するとともに半導体素子４を絶縁基体１に強固に固着
させる作用をなす。また、半導体装置の仕様に応じて、
熱膨張率の調整や熱伝導性向上のための各種フィラーを
含有してもよい。
【００２８】なお、絶縁基体１と半導体素子４との間へ
の液状の樹脂製充填材６の充填は、例えば従来周知のデ
ィスペンサを用いて行なえばよい。また、樹脂製充填材
５の熱硬化は、例えばオーブン等により100 〜150 ℃の
温度に加熱することにより行なえばよい。
の液状の樹脂製充填材６の充填は、例えば従来周知のデ
ィスペンサを用いて行なえばよい。また、樹脂製充填材
５の熱硬化は、例えばオーブン等により100 〜150 ℃の
温度に加熱することにより行なえばよい。
【００２９】さらに、絶縁基体１の上面外周部には、搭
載部１ａを取り囲むようにして枠状のダム部３が形成さ
れている。
載部１ａを取り囲むようにして枠状のダム部３が形成さ
れている。
【００３０】ダム部３は、例えば酸化アルミニウム質焼
結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・
炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミッ
クス等のセラミックスから成る５層の厚膜３ａ〜３ｅを
その内側の側面が階段状となるように積層して成る。そ
して、絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素子４をバンプ
６を介してフリップチップ接続法により搭載した後、絶
縁基体１と半導体素子４との間に液状の樹脂製充填材５
を充填する際に、液状の樹脂製充填材５がその流動性に
より絶縁基体１上で樹脂製充填材５が不要な部分にまで
流れ広がるのを防止する作用をなす。
結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・
炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミッ
クス等のセラミックスから成る５層の厚膜３ａ〜３ｅを
その内側の側面が階段状となるように積層して成る。そ
して、絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素子４をバンプ
６を介してフリップチップ接続法により搭載した後、絶
縁基体１と半導体素子４との間に液状の樹脂製充填材５
を充填する際に、液状の樹脂製充填材５がその流動性に
より絶縁基体１上で樹脂製充填材５が不要な部分にまで
流れ広がるのを防止する作用をなす。
【００３１】このダム部３は、例えば５層のセラミック
厚膜３ａ〜３ｅをその内周面である内側の側面が階段状
となるように積層してなることから、絶縁基体１の搭載
部１ａに半導体素子４をバンプ６を介してフリップチッ
プ接続法により搭載し、絶縁基体１と半導体素子４との
間に液状の樹脂製充填材５を充填してこれを硬化させた
後、樹脂製充填材５の硬化時の収縮による応力や半導体
素子４が作動時に発生する熱による応力がダム部３と樹
脂製充填材５との間に印加されたとしても、その応力は
階段状となっているダム部３の内側の側面によりダム部
３と樹脂製充填材５との接合面に対して垂直方向に作用
する成分が良好に低減分散され、これによりダム部３と
樹脂製充填材５との間における剥離の発生を有効に防止
することができる。
厚膜３ａ〜３ｅをその内周面である内側の側面が階段状
となるように積層してなることから、絶縁基体１の搭載
部１ａに半導体素子４をバンプ６を介してフリップチッ
プ接続法により搭載し、絶縁基体１と半導体素子４との
間に液状の樹脂製充填材５を充填してこれを硬化させた
後、樹脂製充填材５の硬化時の収縮による応力や半導体
素子４が作動時に発生する熱による応力がダム部３と樹
脂製充填材５との間に印加されたとしても、その応力は
階段状となっているダム部３の内側の側面によりダム部
３と樹脂製充填材５との接合面に対して垂直方向に作用
する成分が良好に低減分散され、これによりダム部３と
樹脂製充填材５との間における剥離の発生を有効に防止
することができる。
【００３２】ダム部３は、例えばその幅が１〜10ｍｍ程
度であり、その高さが0.05〜0.5 ｍｍ程度である。そし
て、各セラミック厚膜３ａ〜３ｅの厚みは、それぞれ10
〜100 μｍ程度である。また、その内側の側面に形成さ
れる各段の幅は0.01〜１ｍｍ程度としておけばよい。
度であり、その高さが0.05〜0.5 ｍｍ程度である。そし
て、各セラミック厚膜３ａ〜３ｅの厚みは、それぞれ10
〜100 μｍ程度である。また、その内側の側面に形成さ
れる各段の幅は0.01〜１ｍｍ程度としておけばよい。
【００３３】なお、ダム部３は、その表面の中心線平均
粗さ（Ｒａ）をＲａ≧0.65μｍとしておくと、ダム部３
の表面の凹凸と樹脂製充填材５とが係止し合って両者を
さらに強固に接合させることが可能となる。したがっ
て、ダム部３は、その表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を
Ｒａ≧0.65μｍとしておくことが好ましい。
粗さ（Ｒａ）をＲａ≧0.65μｍとしておくと、ダム部３
の表面の凹凸と樹脂製充填材５とが係止し合って両者を
さらに強固に接合させることが可能となる。したがっ
て、ダム部３は、その表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を
Ｒａ≧0.65μｍとしておくことが好ましい。
【００３４】一方、この中心線平均粗さ（Ｒａ）がＲａ
＞10μｍとなると、ダム部３をセラミック厚膜３ａ〜３
ｅで形成することが困難となる傾向にあり、またダム部
３の表面の微細な凹凸が樹脂性充填材５で十分に濡れな
い部分が生じる傾向もあるため、ダム部３の表面の中心
線平均粗さ（Ｒａ）はＲａ≦10μｍとしておくことが好
ましい。
＞10μｍとなると、ダム部３をセラミック厚膜３ａ〜３
ｅで形成することが困難となる傾向にあり、またダム部
３の表面の微細な凹凸が樹脂性充填材５で十分に濡れな
い部分が生じる傾向もあるため、ダム部３の表面の中心
線平均粗さ（Ｒａ）はＲａ≦10μｍとしておくことが好
ましい。
【００３５】さらに、ダム部３は、絶縁基体１と実質的
に同じ組成のセラミックスで形成しておくと、絶縁基体
１とダム部３との熱膨張係数が略同一となり、絶縁基体
１とダム部３とに例えば半導体素子４が作動時に発生す
る熱が繰り返し印加されたとしても、両者間に熱膨張係
数の相違に起因する熱応力が発生することはなく、ダム
部３に剥離やクラックが発生することを有効に防止でき
る。従って、ダム部３は絶縁基体１と実質的に同じ組成
のセラミックスで形成することが好ましい。
に同じ組成のセラミックスで形成しておくと、絶縁基体
１とダム部３との熱膨張係数が略同一となり、絶縁基体
１とダム部３とに例えば半導体素子４が作動時に発生す
る熱が繰り返し印加されたとしても、両者間に熱膨張係
数の相違に起因する熱応力が発生することはなく、ダム
部３に剥離やクラックが発生することを有効に防止でき
る。従って、ダム部３は絶縁基体１と実質的に同じ組成
のセラミックスで形成することが好ましい。
【００３６】このようなダム部３は、例えば各セラミッ
ク厚膜３ａ〜３ｅが酸化アルミニウム質焼結体から成る
場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化カル
シウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バ
インダ・溶剤を添加混合して得たセラミックペースト
を、絶縁基体１となるセラミックグリーンシート上に従
来周知のスクリーン印刷法を採用して各セラミック厚膜
３ａ〜３ｂに対応した枠状のパターンとなるように順次
印刷して積層し、これをセラミックグリーンシートとと
もに焼成することによって絶縁基体１の上面の封止部１
ｂに所定の枠状に被着形成される。
ク厚膜３ａ〜３ｅが酸化アルミニウム質焼結体から成る
場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化カル
シウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バ
インダ・溶剤を添加混合して得たセラミックペースト
を、絶縁基体１となるセラミックグリーンシート上に従
来周知のスクリーン印刷法を採用して各セラミック厚膜
３ａ〜３ｂに対応した枠状のパターンとなるように順次
印刷して積層し、これをセラミックグリーンシートとと
もに焼成することによって絶縁基体１の上面の封止部１
ｂに所定の枠状に被着形成される。
【００３７】なお、セラミックペーストをスクリーン印
刷法により印刷塗布するとともに、これを焼成すること
によって得られるダム部３の表面の表面粗さは、セラミ
ックグリーンシートを焼成して得られる絶縁基体１と比
較して粗いものとなりやすいため、中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）でＲａ≧0.65μｍとなる表面粗さを容易に得ること
ができる。
刷法により印刷塗布するとともに、これを焼成すること
によって得られるダム部３の表面の表面粗さは、セラミ
ックグリーンシートを焼成して得られる絶縁基体１と比
較して粗いものとなりやすいため、中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）でＲａ≧0.65μｍとなる表面粗さを容易に得ること
ができる。
【００３８】また、絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシート上に印刷された各セラミック厚膜３ａ〜３ｅと
なる各セラミックペーストは、その側面と上面との間が
セラミックペーストの表面張力に起因して丸みを呈した
ものとなり、この丸みによってもダム部３と樹脂製充填
材５との接合面に印加される応力を良好に分散すること
ができる。
ンシート上に印刷された各セラミック厚膜３ａ〜３ｅと
なる各セラミックペーストは、その側面と上面との間が
セラミックペーストの表面張力に起因して丸みを呈した
ものとなり、この丸みによってもダム部３と樹脂製充填
材５との接合面に印加される応力を良好に分散すること
ができる。
【００３９】かくして、本発明の半導体素子搭載用配線
基板および半導体装置によれば、樹脂製充填材５が絶縁
基体１上の不要な部分に流れ広がることがなく、かつ半
導体素子４を樹脂製充填材５により良好に保護すること
ができるとともに、半導体素子４の電極と絶縁基体１の
配線導体２との電気的な接続を完全なものとして半導体
素子４を長期間にわたり安定に作動させることができ
る。
基板および半導体装置によれば、樹脂製充填材５が絶縁
基体１上の不要な部分に流れ広がることがなく、かつ半
導体素子４を樹脂製充填材５により良好に保護すること
ができるとともに、半導体素子４の電極と絶縁基体１の
配線導体２との電気的な接続を完全なものとして半導体
素子４を長期間にわたり安定に作動させることができ
る。
【００４０】なお、本発明は上述の実施の形態の一例に
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実
施の形態の一例ではダム部３はその内側の側面が階段状
となっていたが、ダム部３は必ずしもその内側の側面が
階段状となっている必要はなく、例えば図２に要部拡大
断面図で示すように、ダム部３はその内側の側面が傾斜
面となっていてもよい。この場合であっても、樹脂製充
填材５の硬化時の収縮による応力や半導体素子４が作動
時に発生する熱による応力がダム部３と樹脂製充填材５
との間に印加されたとしても、その応力は傾斜面となっ
ているダム部３の内側の側面によりダム部３と樹脂製充
填材５との接合面に対して垂直方向に作用する成分が良
好に低減分散され、これによりダム部３と樹脂製充填材
５との間に剥離が発生することを有効に防止することが
できる。このような傾斜面は、ダム部３を構成する各セ
ラミック厚膜３ａ〜３ｅとなるセラミックペーストを絶
縁基体１となるセラミックグリーンシート上にスクリー
ン印刷法を採用して順次印刷塗布する際に、各セラミッ
ク厚膜３ａ〜３ｅとなるセラミックペーストの厚みと幅
ならびに粘度を適宜調整することによって形成可能であ
る。
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実
施の形態の一例ではダム部３はその内側の側面が階段状
となっていたが、ダム部３は必ずしもその内側の側面が
階段状となっている必要はなく、例えば図２に要部拡大
断面図で示すように、ダム部３はその内側の側面が傾斜
面となっていてもよい。この場合であっても、樹脂製充
填材５の硬化時の収縮による応力や半導体素子４が作動
時に発生する熱による応力がダム部３と樹脂製充填材５
との間に印加されたとしても、その応力は傾斜面となっ
ているダム部３の内側の側面によりダム部３と樹脂製充
填材５との接合面に対して垂直方向に作用する成分が良
好に低減分散され、これによりダム部３と樹脂製充填材
５との間に剥離が発生することを有効に防止することが
できる。このような傾斜面は、ダム部３を構成する各セ
ラミック厚膜３ａ〜３ｅとなるセラミックペーストを絶
縁基体１となるセラミックグリーンシート上にスクリー
ン印刷法を採用して順次印刷塗布する際に、各セラミッ
ク厚膜３ａ〜３ｅとなるセラミックペーストの厚みと幅
ならびに粘度を適宜調整することによって形成可能であ
る。
【００４１】さらに、上述の実施の形態の一例ではダム
部３は５層のセラミック厚膜３ａ〜３ｅを積層すること
によって形成されていたが、ダム部３は２〜４層のセラ
ミック厚膜を積層することによって形成されていてもよ
いし、さらには６層以上のセラミック厚膜を積層するこ
とによって形成されていてもよい。
部３は５層のセラミック厚膜３ａ〜３ｅを積層すること
によって形成されていたが、ダム部３は２〜４層のセラ
ミック厚膜を積層することによって形成されていてもよ
いし、さらには６層以上のセラミック厚膜を積層するこ
とによって形成されていてもよい。
【００４２】
【発明の効果】本発明の半導体素子搭載用配線基板およ
び半導体装置によれば、絶縁基体に形成されたダム部が
複数層のセラミック厚膜を積層して成り、その内側の側
面が階段状または傾斜面となっていることから、絶縁基
体の搭載部に半導体素子をフリップチップ接続法により
搭載し、ダム部の内側で絶縁基体と半導体素子との間に
液状の樹脂製充填材を充填してこれを熱硬化させた後、
樹脂製充填材の硬化時の収縮による応力や半導体素子が
作動時に発生する熱による応力がダム部と樹脂製充填材
との間に印加されたとしても、その応力は階段状または
傾斜面となっているダム部の内側の側面によりダム部と
樹脂製充填材との接合面に対して垂直方向に作用する成
分が良好に低減分散されるため、ダム部と樹脂製充填材
との間における剥離の発生を有効に防止することがで
き、その結果、樹脂製充填材が絶縁基体上の不要な部分
に流れ広がることがなく、かつ半導体素子を樹脂製充填
材により良好に保護することができるとともに、半導体
素子の電極と絶縁基体の配線導体との電気的な接続を完
全なものとして半導体素子を長期間にわたり安定に作動
させることが可能となる。
び半導体装置によれば、絶縁基体に形成されたダム部が
複数層のセラミック厚膜を積層して成り、その内側の側
面が階段状または傾斜面となっていることから、絶縁基
体の搭載部に半導体素子をフリップチップ接続法により
搭載し、ダム部の内側で絶縁基体と半導体素子との間に
液状の樹脂製充填材を充填してこれを熱硬化させた後、
樹脂製充填材の硬化時の収縮による応力や半導体素子が
作動時に発生する熱による応力がダム部と樹脂製充填材
との間に印加されたとしても、その応力は階段状または
傾斜面となっているダム部の内側の側面によりダム部と
樹脂製充填材との接合面に対して垂直方向に作用する成
分が良好に低減分散されるため、ダム部と樹脂製充填材
との間における剥離の発生を有効に防止することがで
き、その結果、樹脂製充填材が絶縁基体上の不要な部分
に流れ広がることがなく、かつ半導体素子を樹脂製充填
材により良好に保護することができるとともに、半導体
素子の電極と絶縁基体の配線導体との電気的な接続を完
全なものとして半導体素子を長期間にわたり安定に作動
させることが可能となる。
【図１】本発明の半導体素子搭載用配線基板およびこれ
を用いた半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図で
ある。
を用いた半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図で
ある。
【図２】本発明の半導体素子搭載用配線基板およびこれ
を用いた半導体装置の実施の形態の他の例を示す要部拡
大断面図である。
を用いた半導体装置の実施の形態の他の例を示す要部拡
大断面図である。
【図３】従来の半導体素子搭載用配線基板およびこれを
用いた半導体装置の断面図である。
用いた半導体装置の断面図である。
１・・・・絶縁基体 １ａ・・・・搭載部 ２・・・・配線導体 ３・・・・ダム部 ４・・・・半導体素子 ５・・・・樹脂製充填材
Claims (4)
- 【請求項１】 配線導体が配設されたセラミックスから
成る絶縁基体上に、半導体素子がフリップチップ接続法
により搭載される搭載部および該搭載部を取り囲むよう
にして形成された枠状のダム部を有する半導体素子搭載
用配線基板であって、前記ダム部は、複数層のセラミッ
ク厚膜を積層して成り、その内側の側面が階段状または
傾斜面となっていることを特徴とする半導体素子搭載用
配線基板。 - 【請求項２】 前記セラミック厚膜は、前記絶縁基体と
実質的に同じ組成のセラミックスから成り、その表面粗
さが中心線平均粗さ（Ｒａ）でＲａ≧0.65μｍであるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体素子搭載用配線基
板。 - 【請求項３】 配線導体が配設されたセラミックスから
成る絶縁基体上に、半導体素子がフリップチップ接続法
により搭載される搭載部および該搭載部を取り囲むよう
にして形成された枠状のダム部を有する半導体素子搭載
用配線基板と、前記搭載部にフリップチップ接続法によ
り搭載された半導体素子と、前記ダム部の内側で前記絶
縁基体と前記半導体素子との間に充填された樹脂製充填
材とから成る半導体装置であって、前記ダム部は、複数
層のセラミック厚膜を積層して成り、その内側の側面が
階段状または傾斜面となっていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項４】 前記セラミック厚膜は、前記絶縁基体と
実質的に同じ組成のセラミックスから成り、その表面粗
さが中心線平均粗さ（Ｒａ）でＲａ≧0.65μｍであるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15157299A JP3618060B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15157299A JP3618060B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340715A true JP2000340715A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3618060B2 JP3618060B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=15521464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15157299A Expired - Fee Related JP3618060B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3618060B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812068B2 (en) * | 1998-09-02 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device encapsulators, methods of encapsulating semiconductor devices and methods of forming electronic packages |
| WO2006035541A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置 |
| JP2014220305A (ja) * | 2013-05-06 | 2014-11-20 | 株式会社デンソー | 多層基板およびこれを用いた電子装置、電子装置の製造方法 |
| CN105870075A (zh) * | 2015-01-22 | 2016-08-17 | 恒劲科技股份有限公司 | 基板结构 |
| US11164756B2 (en) * | 2017-06-09 | 2021-11-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package having continously formed tapered protrusions |
| US11842972B2 (en) | 2004-09-28 | 2023-12-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15157299A patent/JP3618060B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812068B2 (en) * | 1998-09-02 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device encapsulators, methods of encapsulating semiconductor devices and methods of forming electronic packages |
| US10818628B2 (en) | 2004-09-28 | 2020-10-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| US10522494B2 (en) | 2004-09-28 | 2019-12-31 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| KR101158139B1 (ko) * | 2004-09-28 | 2012-06-19 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| US8405227B2 (en) | 2004-09-28 | 2013-03-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| US8754535B2 (en) | 2004-09-28 | 2014-06-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| US11842972B2 (en) | 2004-09-28 | 2023-12-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| JP2006100385A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US9721865B2 (en) | 2004-09-28 | 2017-08-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| US9117774B2 (en) | 2004-09-28 | 2015-08-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| US9831204B2 (en) | 2004-09-28 | 2017-11-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| US11355462B2 (en) | 2004-09-28 | 2022-06-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
| WO2006035541A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置 |
| JP2014220305A (ja) * | 2013-05-06 | 2014-11-20 | 株式会社デンソー | 多層基板およびこれを用いた電子装置、電子装置の製造方法 |
| CN105870075A (zh) * | 2015-01-22 | 2016-08-17 | 恒劲科技股份有限公司 | 基板结构 |
| US11164756B2 (en) * | 2017-06-09 | 2021-11-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package having continously formed tapered protrusions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3618060B2 (ja) | 2005-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7358445B1 (en) | Circuit substrate and apparatus including the circuit substrate | |
| CN103733330A (zh) | 半导体功率模块、半导体功率模块的制造方法、电路板 | |
| WO2018179538A1 (ja) | パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法 | |
| JP2000340715A (ja) | 半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた半導体装置 | |
| JP3793562B2 (ja) | セラミック回路基板 | |
| JP2003318330A (ja) | セラミック回路基板 | |
| JPH11163193A (ja) | 電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
| JP4623852B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP3279844B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002076213A (ja) | 半導体素子モジュール | |
| JP3279849B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11340350A (ja) | 電子装置用容器およびその封止方法 | |
| JP3441194B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2004288661A (ja) | 配線基板 | |
| JP4427467B2 (ja) | 配線基板およびそれを用いた電気素子モジュール | |
| JP4227477B2 (ja) | 電子部品搭載用基板、電子装置および電子部品搭載用基板の製造方法 | |
| JPH11274372A (ja) | 半導体装置及びその半導体パッケージ | |
| JPH06244244A (ja) | 半導体装置実装用基板 | |
| JPH10275878A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP3762282B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP4485893B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
| JP2003068920A (ja) | 配線基板 | |
| JP3872401B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP3973727B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP5058071B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040804 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041012 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041102 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041108 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |