JP2000345129A - 半導体ウエハ用シート - Google Patents

半導体ウエハ用シート

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誠二 齋田
Tomomichi Takatsu
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Masashi Kume
雅士 久米
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の手段は、細糸状の切削屑の発生防止には
効果があるが、室温におけるMD方向とTD方向のエキ
スパンド・バランスが悪かった。このため、エキスパン
ド後の半導体チップ同士の間隔にバラツキが生じてしま
い、ピックアップの際に誤動作が起きてしまった。 【解決手段】シート状の基材と、該基材の一方の面に積
層された粘着剤層を有する半導体ウエハ用シートにおい
て、該基材が、カルボキシル基を有する化合物を陽イオ
ンで架橋したアイオノマ樹脂100重量部と、オクテン
含有共重合体10〜100重量部を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハをダ
イシング(半導体ウエハをチップ状に切断・分離する)
際に、該半導体ウエハを貼り付け、固定する半導体ウエ
ハ用シートにかかり、特に、室温においてエキスパンド
する際、MD(マシン・ディレクション;シートの流れ
方向)方向とTD(トランス・ディレクション;シート
の幅方向)方向のエキスパンド・バランスに優れる半導
体ウエハ用シートに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ用シートにあって
は、合成樹脂製シート状基材の一方の面に粘着剤層が積
層され他方の面には剥離剤又は剥離紙が積層される。該
半導体ウエハ用シートは、ダイシングする前の半導体ウ
エハを粘着剤層面に貼り付けて強く固定するものであ
り、ダイシングして得られた半導体チップをピックアッ
プする前にエキスパンドされて該半導体チップ同士の間
隔を広げるものである(例えば特開平9−328663
号公報参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウエハをダイシ
ングする際には、半導体ウエハの裏面に貼り付けた半導
体ウエハ用シートにまで刃が侵入して半導体ウエハをダ
イシングする。このダイシングの際に発生する回転丸刃
の熱によって半導体ウエハ用シートの切削部分が溶融・
延伸されて細糸状の切削屑になってしまい、半導体チッ
プのピックアップ・ミスや半導体チップに付着して積載
不良を生じさせてしまった。
【0004】この課題を解決するためにエチレン/(メ
タ)アクリル酸/(メタ)アクリル酸アルキルエステル
等の三元共重合体や、これらを陽イオンで架橋したアイ
オノマ樹脂を基材に採用する手段が開示されている(例
えば特開平9−8111号公報参照)。
【0005】しかし、かかる手段は、細糸状の切削屑の
発生防止には効果があるが、室温におけるMD方向とT
D方向のエキスパンド・バランスが悪かった。このた
め、エキスパンド後の半導体チップ同士の間隔にバラツ
キが生じてしまい、ピックアップの際に誤動作が起きて
しまうという新たな課題があった。
【0006】したがって、本発明の目的は、室温でエキ
スパンドしてもMD方向とTD方向のエキスパンド・バ
ランスに優れ且つ切削屑が生じにくい半導体ウエハ用シ
ートを提供することにある。
【0007】本発明者等は、上記に鑑み鋭意検討を重ね
た結果、シート状の基材と、該該基材の一方の面に積層
された粘着剤層を有する半導体ウエハ用シートにおい
て、該基材が、カルボキシル基を有する化合物を陽イオ
ンで架橋したアイオノマ樹脂100重量部と、オクテン
含有共重合体10〜100重量部を有した組成物をシー
ト状にしたものとし、これにより、上記課題を解決でき
ることを見いだし、本発明を完成させた。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明にかかる半導体ウエハ用シ
ートの基材の組成物として、カルボキシル基を有する化
合物を陽イオンで架橋したアイオノマ樹脂を採用したの
は、切削屑発生防止のためである。該アイオノマ樹脂と
しては、重合体構成成分としてポリエチレンの分子鎖に
カルボキシル基側鎖を持ち、一部が陽イオンによって架
橋されたアイオノマ樹脂が良く、具体的には、エチレン
/メタクリル酸/アクリル酸エステルの三元共重合体、
エチレン/メタクリル酸共重合体、エチレン/アクリル
酸共重合体等の単体及び/又は混合体のカルボキシル基
を陽イオンで架橋したものがある。
【0009】上記組成物にオクテン含有共重合体を配合
したのは基材の柔軟性を向上させるためであり、また、
該オクテン含有共重合体がアイオノマ樹脂と物理的にブ
レンドし易く且つ相溶性が良いからである。該オクテン
含有共重合体としては、エチレン・オクテン共重合体、
プロピレン・オクテン共重合体、オクテン・アクリル酸
メチル共重合体、オクテン・アクリル酸エチル共重合
体、オクテン・メタクリル酸・メチル共重合体、オクテ
ン・メタクリル酸エチル共重合体等がある。
【0010】該オクテン含有共重合体の配合比は、あま
りに少ないと基材の柔軟性が向上しないため室温におい
てエキスパンド・バランスが悪く、あまりに多いと切削
屑が生じたりコスト高になったり、さらには効果が頭打
ちになるため、10〜100重量部が良い。
【0011】また、該オクテン含有共重合体としてエチ
レン・オクテン共重合体を採用する場合、オクテンモノ
マの含有率は全体の2〜20重量%であることが好まし
い。これは、あまりに少ないとエキスパンドに十分な弾
性を得ることができず、あまりに多いと切削屑が生じて
しまうためである。
【0012】前記カルボキシル基の架橋に用いる陽イオ
ンとしては、ナトリウムイオン、リチウムイオン、マグ
ネシウムイオン又は亜鉛イオン等の金属イオンがある。
【0013】本発明にかかる半導体ウエハ用シートの粘
着剤層は、従来公知の粘着剤、紫外線硬化性粘着剤(例
えば特開平9−328663号公報記載の粘着剤等)、
加熱硬化性粘着剤(例えば特開平10−25456号公
報記載の粘着剤等)、を使用できる。また、バンプがあ
るウエハのダイシングや半導体ウエハを搬送したり、単
に位置固定したり、さらには移し替えしたりするための
シートの場合には、該粘着剤として自己粘着シートを採
用できる。
【0014】該粘着剤層として自己粘着シートを採用す
る場合には、該自己粘着シートを、EVA(エチレン酢
酸ビニル共重合体)やスチレン系ランダム共重合体の単
体又は混合体を採用することが好ましい。これら樹脂を
採用したのは、凹凸面においても密着性がよく、剥離の
際の糊残りがないためである。該自己粘着シートを採用
する場合、その厚みの最大値は、該粘着剤層自体をダイ
シング時に断ち切る必要があるため、ダイシング時の切
削深さより小さい値であり、その厚みの最小値は製造安
定性を保持できる値(例えば5μm)である。
【0015】本発明にかかる半導体ウエハ用シートは、
次の製法によって製造される。シート状に形成された基
材の一方の面に粘着剤層がコンマロールコータ方式によ
って塗布され、剥離紙が該粘着剤層の表面に積層され
る。必要に応じて基材の前記一方の面(粘着剤層積層側
面)にはコロナ処理及び/又はプライマ処理がなされ、
該基材と該粘着剤層の密着性を向上させることができ
る。
【0016】また、上記粘着剤を自己粘着シートにする
場合には、基材と該自己粘着シートをラミネート、共押
出等、任意の方法により積層することができる。
【0017】本発明にあっては、シート状の基材と、該
該基材の一方の面に積層された粘着剤層を有する半導体
ウエハ用シートにおいて、該基材が、カルボキシル基を
有する化合物を陽イオンで架橋したアイオノマ樹脂10
0重量部と、オクテン含有共重合体10〜100重量部
を有した組成物をシート状にしたものとし、これによ
り、室温でエキスパンドしてもMD方向とTD方向のエ
キスパンド・バランスに優れた半導体ウエハ用シートを
得ることができる。
【0018】
【実施例】本発明にかかる実施例を、表1を用いて、比
較例と比較しつつ詳細に説明する。
【0019】
【表1】
【0020】実施例1の半導体ウエハ用シートは、厚さ
70μmのシート状の基材と、該基材の一方の面に積層
された厚さ30μmの粘着剤層を備えており、該粘着剤
層の保護のために剥離紙が積層されたものである。
【0021】該基材は、ベースポリマとしてのエチレン
−メタクリル酸共重合体の分子間を金属イオンで架橋し
たアイオノマ樹脂(三井デュポンケミカル社製ハイミラ
ンH−1855)100重量部、オクテン含有共重合体
としてのエチレン・オクテン共重合体(ダウケミカル社
製アフィニティPF1140)10重量部を配合したも
のである。
【0022】該粘着剤は、ベースポリマとしてのアクリ
ルゴム系粘着剤(日本ゼオン社製AR72LF)100
重量部、光重合性化合物としてのウレタンアクリレート
系オリゴマ(荒川化学工業社製ビームセット575)3
重量部が配合されたものである。
【0023】実施例2、実施例3、比較例1及び比較例
2における半導体ウエハ用シートは、実施例1における
基材中のエチレン・オクテン共重合体の配合量をそれぞ
れ50重量部、100重量部、5重量部及び110重量
部に変更したものである。また、実施例4は、実施例2
の粘着剤を自己粘着シートに置き換えたものであり、該
自己粘着シートとして厚さ30μmのスチレン系ランダ
ム共重合体の水素添加樹脂(ジェイエスアール社製、ダ
イナロン1320P)製シートを採用したものである。
なお、実施例2〜4及び比較例1、2は、特に説明しな
い限り実施例1と同様なものである。
【0024】ここで表1中、「切削屑残留度」とは、通
常使用されるダイシング装置を用いてダイシングし終え
た半導体ウエハチップ表面を光学顕微鏡(倍率:200
倍)で観察し、一半導体ウエハ当たりの「切削屑が付着
したチップ」の発生率である。発生率が0.3%以下の
ものがよく、0.3%を超えるものは製品として好まし
くない。また、「エキスパンド均一性」は、半導体ウエ
ハ用シートのMD方向への引張強度をTD方向への引張
強度で除した値であり、数値が1に近い程、均一にエキ
スパンドされたことを示す。この値が0.8〜1.2の
範囲外になる半導体ウエハ用シートは、製品として好ま
しくない。
【0025】表1が示すように、実施例1〜4では切削
屑がほとんど発生せず且つエキスパンド・バランスも優
れたものであった。
【0026】エチレン・オクテン共重合体の配合比が少
なかった比較例1は、エキスパンド・バランスにバラツ
キがあり、エチレン・オクテン共重合体の配合比が多か
った比較例2は、切削屑が残留してしまった。
【0027】
【発明の効果】本発明にあっては、シート状の基材と、
該基材の一方の面に積層された粘着剤層を有する半導体
ウエハ用シートにおいて、該基材を、カルボキシル基を
有する化合物を陽イオンで架橋したアイオノマ樹脂10
0重量部と、オクテン含有共重合体10〜100重量部
を有した組成物をシート状にしたものとし、これによ
り、室温でエキスパンドしてもMD方向とTD方向のエ
キスパンド・バランスに優れ且つ切削屑が生じにくい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高津 知道 神奈川県鎌倉市台2丁目13番1号 東洋化 学株式会社内 (72)発明者 久米 雅士 神奈川県鎌倉市台2丁目13番1号 東洋化 学株式会社内 (72)発明者 和田 茂 神奈川県鎌倉市台2丁目13番1号 東洋化 学株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シート状の基材と、該基材の一方の面に
    積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ用シートにお
    いて、該基材が、カルボキシル基を有する化合物を陽イ
    オンで架橋したアイオノマ樹脂100重量部と、オクテ
    ン含有共重合体10〜100重量部を有したものである
    ことを特徴とする半導体ウエハ用シート。
  2. 【請求項2】 上記粘着剤層が、EVA(エチレン酢酸
    ビニル共重合体)及び/又はスチレン系ランダム共重合
    体で形成された自己粘着シートであることを特徴とする
    請求項1記載の半導体ウエハ用シート。
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