JP2000347164A - プラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル基板及びその製造方法 - Google Patents
プラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル基板及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/38—Cold-cathode tubes
- H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
- H01J17/485—Plasma addressed liquid crystal displays [PALC]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＡＬＣにてヘリウムがチャネル基板に浸透
してチャネルにおけるヘリウムの圧力が低下して、プラ
ズマ形成に必要な電圧が上昇するのを防止する。 【解決手段】 イオン化可能なガスであるヘリウムによ
る充分な部分圧力をガラス基板４のチャネル表面に加
え、ヘリウムと共にガラス基板のチャネル表面をＰＡＬ
Ｃパネルとして用いた際に、チャネル表面にヘリウムに
よる圧力が加わっていない場合よりも非常に低いレート
でヘリウムがチャネルから消耗されるようにする。
してチャネルにおけるヘリウムの圧力が低下して、プラ
ズマ形成に必要な電圧が上昇するのを防止する。 【解決手段】 イオン化可能なガスであるヘリウムによ
る充分な部分圧力をガラス基板４のチャネル表面に加
え、ヘリウムと共にガラス基板のチャネル表面をＰＡＬ
Ｃパネルとして用いた際に、チャネル表面にヘリウムに
よる圧力が加わっていない場合よりも非常に低いレート
でヘリウムがチャネルから消耗されるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、プラズマ
・アドレス液晶（ＰＡＬＣ）パネル内のヘリウムの圧力
を維持する機構に関し、特に、かかる点を考慮したＰＡ
ＬＣパネル用チャネル基板及びその製造方法に関する。
・アドレス液晶（ＰＡＬＣ）パネル内のヘリウムの圧力
を維持する機構に関し、特に、かかる点を考慮したＰＡ
ＬＣパネル用チャネル基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アメリカ合衆国特許第５０７７５５３号
（日本特許第２６０１７１３号に対応）は、データ蓄積
要素をアドレス指定する装置を記載している。このアメ
リカ合衆国特許第５０７７５５３号に開示された装置を
実際に実施したＰＡＬＣ表示パネルの断面を図２に示
す。なお、図を明瞭にするため、断面を示す斜線は省略
している。
（日本特許第２６０１７１３号に対応）は、データ蓄積
要素をアドレス指定する装置を記載している。このアメ
リカ合衆国特許第５０７７５５３号に開示された装置を
実際に実施したＰＡＬＣ表示パネルの断面を図２に示
す。なお、図を明瞭にするため、断面を示す斜線は省略
している。
【０００３】図２に示すＰＡＬＣ表示パネルは、下側か
ら順番に、偏光子２と、ガラス製チャネル部材（チャネ
ル基板、又はガラス基板とも呼ぶ）４と、ガラス・カバ
ー・シート（マイクロシートとして一般的に知られてい
る）６と、電気光学材料層１０と、平行で透明なデータ
駆動電極１２の配列（図２の場合、１２で示す１個のみ
のデータ駆動電極が見える）と、データ駆動電極を支持
する上側基板１４と、上側偏光子１６とを具えている。
ＰＡＬＣ表示パネルがカラー表示パネルの場合、このパ
ネルは、電気光学材料層１０及び上側基板１４の間にカ
ラー・フィルタ（図示せず）を含んでいる。このＰＡＬ
Ｃ表示パネルは、視野角度を改善する層や他の目的の層
を含んでもよい。チャネル部材４は、典型的には、ガラ
スで作られており、その上側主面に多数の平行なプラズ
マ・チャネル２０が形成されている。複数のチャネル２
０は、リブ２２で分離されており、ヘリウムなどのイオ
ン化可能なガスが充填されている。陽極２４及び陰極２
６がチャネル２０の各々に設けられている。これら陽極
及び陰極は、チャネル電極であり、例えば、陽極を接地
電圧とし、チャネル電極ドライバにより、陰極の電圧を
変化させて、電極間電圧を可変できる。チャネル２０
は、（パネルに対して垂直に見た場合）データ駆動電極
１２と直交しており、データ駆動電極１２がチャネル２
０と交差する領域が、個別のパネル要素２８を形成す
る。各パネル要素２８は、電気光学材料層１０と、上側
偏光子１６と、下側偏光子２とを含んでいるとみなせ
る。パネル要素２８の境界となる表示パネルの上側面の
領域は、表示パネルの単一ピクセル３０を構成する。な
お、参照番号３２は、観察者の視点を示す。
ら順番に、偏光子２と、ガラス製チャネル部材（チャネ
ル基板、又はガラス基板とも呼ぶ）４と、ガラス・カバ
ー・シート（マイクロシートとして一般的に知られてい
る）６と、電気光学材料層１０と、平行で透明なデータ
駆動電極１２の配列（図２の場合、１２で示す１個のみ
のデータ駆動電極が見える）と、データ駆動電極を支持
する上側基板１４と、上側偏光子１６とを具えている。
ＰＡＬＣ表示パネルがカラー表示パネルの場合、このパ
ネルは、電気光学材料層１０及び上側基板１４の間にカ
ラー・フィルタ（図示せず）を含んでいる。このＰＡＬ
Ｃ表示パネルは、視野角度を改善する層や他の目的の層
を含んでもよい。チャネル部材４は、典型的には、ガラ
スで作られており、その上側主面に多数の平行なプラズ
マ・チャネル２０が形成されている。複数のチャネル２
０は、リブ２２で分離されており、ヘリウムなどのイオ
ン化可能なガスが充填されている。陽極２４及び陰極２
６がチャネル２０の各々に設けられている。これら陽極
及び陰極は、チャネル電極であり、例えば、陽極を接地
電圧とし、チャネル電極ドライバにより、陰極の電圧を
変化させて、電極間電圧を可変できる。チャネル２０
は、（パネルに対して垂直に見た場合）データ駆動電極
１２と直交しており、データ駆動電極１２がチャネル２
０と交差する領域が、個別のパネル要素２８を形成す
る。各パネル要素２８は、電気光学材料層１０と、上側
偏光子１６と、下側偏光子２とを含んでいるとみなせ
る。パネル要素２８の境界となる表示パネルの上側面の
領域は、表示パネルの単一ピクセル３０を構成する。な
お、参照番号３２は、観察者の視点を示す。
【０００４】１個のチャネル２０内の陽極２４に基準電
位が供給され、適切でより負の電圧がこのチャネル内の
陰極２６に供給されると、そのチャネル内のガスがプラ
ズマを生成し、このプラズマがガラス・カバー・シート
６の下側面に対して基準電位源への導電路を形成する。
データ駆動電極１２が基準電位ならば、このデータ駆動
電極１２がチャネル２０と交差する電気光学材料層１０
のボリューム要素（ある量から成る要素）には実質的な
電界が存在せず、パネル要素２８はオフとみなせる。こ
れとは反対に、データ駆動電極１２が基準電位と実質的
に異なる電位ならば、電気光学材料層１０のボリューム
要素内に実質的な電界が生じ、パネル要素２８はオンと
みなせる。
位が供給され、適切でより負の電圧がこのチャネル内の
陰極２６に供給されると、そのチャネル内のガスがプラ
ズマを生成し、このプラズマがガラス・カバー・シート
６の下側面に対して基準電位源への導電路を形成する。
データ駆動電極１２が基準電位ならば、このデータ駆動
電極１２がチャネル２０と交差する電気光学材料層１０
のボリューム要素（ある量から成る要素）には実質的な
電界が存在せず、パネル要素２８はオフとみなせる。こ
れとは反対に、データ駆動電極１２が基準電位と実質的
に異なる電位ならば、電気光学材料層１０のボリューム
要素内に実質的な電界が生じ、パネル要素２８はオンと
みなせる。
【０００５】以下の説明においては、本発明の要旨を制
限するものではないが、下側偏光子２は、線形偏光子で
あり、その偏光面は、基準面に対して０度の如く任意に
でき、上側偏光子１６は、９０度の偏光面を有する線形
偏光子であると仮定する。また、電気光学材料層１０の
材料は、そこを通過する線形に偏光された光の偏光面
を、電気光学材料の電界の関数である角度だけ回転させ
る。パネル要素がオフのとき、回転角は９０度であり、
パネル要素がオンのとき、回転角は０度である。
限するものではないが、下側偏光子２は、線形偏光子で
あり、その偏光面は、基準面に対して０度の如く任意に
でき、上側偏光子１６は、９０度の偏光面を有する線形
偏光子であると仮定する。また、電気光学材料層１０の
材料は、そこを通過する線形に偏光された光の偏光面
を、電気光学材料の電界の関数である角度だけ回転させ
る。パネル要素がオフのとき、回転角は９０度であり、
パネル要素がオンのとき、回転角は０度である。
【０００６】偏光されない白色光を放射する幅広な光源
３４により、このパネルを下側から照明する。パネルを
均一に照明するために、散乱面を有する背面ガラス・デ
ィフーザー（すりガラス）１８を光源３４及びパネルの
間に配置してもよい。光源３４から所定のパネル要素２
８に入射する光は、下側偏光子２により０度に線形偏光
され、チャネル部材４、チャネル２０、カバー・シート
６、電気光学材料のボリューム要素を順次通過して、上
側偏光子１６及び観察者３２に向かう。パネル要素がオ
フならば、電気光学材料のボリューム要素を通過する線
形に偏光された光の偏光面は９０度回転するので、上側
偏光子１６への入射光の偏光面は９０度である。この光
は、上側偏光子１６を通過し、ピクセルを照明する。一
方、パネル要素がオンならば、線形に偏光された光の偏
光面は、液晶材料のボリューム要素を通過しても変化し
ない。上側偏光子１６の入射光の偏光面は０度なので、
この光は、上側偏光子１６により阻止され、ピクセルは
暗い。液晶材料内の電界が、パネル要素２８のオフ及び
オンに関連した値の中間ならば、この光は、上側偏光子
１６を通過するが、その輝度は電界により決まり、グレ
ー・スケール（中間調）を表示できる。
３４により、このパネルを下側から照明する。パネルを
均一に照明するために、散乱面を有する背面ガラス・デ
ィフーザー（すりガラス）１８を光源３４及びパネルの
間に配置してもよい。光源３４から所定のパネル要素２
８に入射する光は、下側偏光子２により０度に線形偏光
され、チャネル部材４、チャネル２０、カバー・シート
６、電気光学材料のボリューム要素を順次通過して、上
側偏光子１６及び観察者３２に向かう。パネル要素がオ
フならば、電気光学材料のボリューム要素を通過する線
形に偏光された光の偏光面は９０度回転するので、上側
偏光子１６への入射光の偏光面は９０度である。この光
は、上側偏光子１６を通過し、ピクセルを照明する。一
方、パネル要素がオンならば、線形に偏光された光の偏
光面は、液晶材料のボリューム要素を通過しても変化し
ない。上側偏光子１６の入射光の偏光面は０度なので、
この光は、上側偏光子１６により阻止され、ピクセルは
暗い。液晶材料内の電界が、パネル要素２８のオフ及び
オンに関連した値の中間ならば、この光は、上側偏光子
１６を通過するが、その輝度は電界により決まり、グレ
ー・スケール（中間調）を表示できる。
【０００７】ＰＡＬＣ表示パネルの実施においては、チ
ャネルを形成する領域の付近で、チャネル部材４をエッ
チングして、台部（プラトー）３６を設けて、この台部
内にチャネル２０を形成する。台部の周辺部付近に延び
るラベット（さねはぎ）４０内のエンドレス・フリット
・ビーズ３８により、カバー・シート６をチャネル部材
４に固定（密閉）する。上側基板１４及びそこに支持さ
れたデータ駆動電極１２を含む上側基板アセンブリを、
接着用ビーズ４２によりチャネル部材４に取り付ける。
ャネルを形成する領域の付近で、チャネル部材４をエッ
チングして、台部（プラトー）３６を設けて、この台部
内にチャネル２０を形成する。台部の周辺部付近に延び
るラベット（さねはぎ）４０内のエンドレス・フリット
・ビーズ３８により、カバー・シート６をチャネル部材
４に固定（密閉）する。上側基板１４及びそこに支持さ
れたデータ駆動電極１２を含む上側基板アセンブリを、
接着用ビーズ４２によりチャネル部材４に取り付ける。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】プラズマがチャネル内
に存在するとき、チャネル内の荷電された分子が高レベ
ル運動エネルギーで加速される。これら分子のいくつか
は、チャネル表面（チャネル基板の表面と、チャネルに
固定されたカバー・シートの表面）と衝突するので、チ
ャネル表面が加熱される。なお、チャネル基板とは、チ
ャネルが形成されたガラス基板のことであり、チャネル
基板アセンブリとは、チャネル基板と、このチャネル基
板に取り付けたカバー・シートとの組み合わせである。
に存在するとき、チャネル内の荷電された分子が高レベ
ル運動エネルギーで加速される。これら分子のいくつか
は、チャネル表面（チャネル基板の表面と、チャネルに
固定されたカバー・シートの表面）と衝突するので、チ
ャネル表面が加熱される。なお、チャネル基板とは、チ
ャネルが形成されたガラス基板のことであり、チャネル
基板アセンブリとは、チャネル基板と、このチャネル基
板に取り付けたカバー・シートとの組み合わせである。
【０００９】ガラスへのヘリウムの浸透レート（割合）
は、ガラスの温度に非常に依存することが知られてい
る。例えば、ＰＡＬＣパネルのチャネル表面の組み立て
にて従来使用する種類のガラスに対するヘリウムの１５
０℃における浸透レートは、約１８℃の場合の約１００
倍である。よって、プラズマが作用し、チャネル基板の
チャネル表面が加熱されたとき、ヘリウムは、チャネル
基板の熱いチャネル表面に高速に浸透して、プラズマが
除去された後、チャネル基板の大部分が冷却されてい
く。
は、ガラスの温度に非常に依存することが知られてい
る。例えば、ＰＡＬＣパネルのチャネル表面の組み立て
にて従来使用する種類のガラスに対するヘリウムの１５
０℃における浸透レートは、約１８℃の場合の約１００
倍である。よって、プラズマが作用し、チャネル基板の
チャネル表面が加熱されたとき、ヘリウムは、チャネル
基板の熱いチャネル表面に高速に浸透して、プラズマが
除去された後、チャネル基板の大部分が冷却されてい
く。
【００１０】プラズマが除去されると、チャネル基板の
チャネル表面の熱が冷め、チャネル基板に既に浸透した
ヘリウムのいくらかは、チャネルに戻っていく。チャネ
ル基板のチャネル表面は、熱が迅速に冷めるので、プラ
ズマがオフになったときにチャネル基板の大部分からチ
ャネルに戻るヘリウムの浸透レートは、プラズマが動作
期間中にチャネル基板の大部分に浸透した速度よりも非
常に低い。したがって、ヘリウムは、チャネル表面に捕
捉される。すなわち、チャネル内のヘリウムが消耗され
る。充分なヘリウムがチャネル表面に捕捉されて、チャ
ネル内に残るヘリウムの圧力を係数が約２だけ低下させ
ると、プラズマを形成するのに必要な電圧が上昇する。
駆動回路の能力を越えた範囲にまで電圧が高くなると、
ＰＡＬＣパネルが動作できなくなる。
チャネル表面の熱が冷め、チャネル基板に既に浸透した
ヘリウムのいくらかは、チャネルに戻っていく。チャネ
ル基板のチャネル表面は、熱が迅速に冷めるので、プラ
ズマがオフになったときにチャネル基板の大部分からチ
ャネルに戻るヘリウムの浸透レートは、プラズマが動作
期間中にチャネル基板の大部分に浸透した速度よりも非
常に低い。したがって、ヘリウムは、チャネル表面に捕
捉される。すなわち、チャネル内のヘリウムが消耗され
る。充分なヘリウムがチャネル表面に捕捉されて、チャ
ネル内に残るヘリウムの圧力を係数が約２だけ低下させ
ると、プラズマを形成するのに必要な電圧が上昇する。
駆動回路の能力を越えた範囲にまで電圧が高くなると、
ＰＡＬＣパネルが動作できなくなる。
【００１１】従って、本発明の目的は、ＰＡＬＣパネル
の動作期間中にヘリウムがチャネル基板に更に浸透して
チャネルにおけるヘリウムの圧力が低下して、チャネル
内のヘリウムが消耗されることにより、プラズマ形成に
必要な電圧が上昇するのを防止するＰＡＬＣパネル用チ
ャネル基板及びその製造方法を提供することである。
の動作期間中にヘリウムがチャネル基板に更に浸透して
チャネルにおけるヘリウムの圧力が低下して、チャネル
内のヘリウムが消耗されることにより、プラズマ形成に
必要な電圧が上昇するのを防止するＰＡＬＣパネル用チ
ャネル基板及びその製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点によ
れば、本発明のＰＡＬＣパネル用チャネル基板は、チャ
ネル２０が形成されたガラス基板４を具え；イオン化可
能なガスであるヘリウムによる充分な部分圧力がガラス
基板４のチャネル表面に加えられ；ヘリウムと共にガラ
ス基板４のチャネル表面をプラズマ・アドレス液晶パネ
ルとして用いた際に、チャネル表面にヘリウムによる圧
力が加わっていない場合よりも非常に低いレートでヘリ
ウムがチャネル２０から消耗されることを特徴としてい
る。
れば、本発明のＰＡＬＣパネル用チャネル基板は、チャ
ネル２０が形成されたガラス基板４を具え；イオン化可
能なガスであるヘリウムによる充分な部分圧力がガラス
基板４のチャネル表面に加えられ；ヘリウムと共にガラ
ス基板４のチャネル表面をプラズマ・アドレス液晶パネ
ルとして用いた際に、チャネル表面にヘリウムによる圧
力が加わっていない場合よりも非常に低いレートでヘリ
ウムがチャネル２０から消耗されることを特徴としてい
る。
【００１３】本発明の第２の観点によれば、本発明のＰ
ＡＬＣパネル用チャネル基板アセンブリは、チャネル２
０が形成されたガラス基板４と；このガラス基板に取り
付けられたガラス・カバー・シート６とを具えており；
イオン化可能なガスであるヘリウムによる充分な部分圧
力がチャネル基板アセンブリのチャネル表面に加えら
れ；ヘリウムと共にガラス基板のチャネル表面をプラズ
マ・アドレス液晶パネルとして用いた際に、チャネル表
面にヘリウムによる圧力が加わっていない場合よりも非
常に低いレートでヘリウムがチャネルから消耗されるこ
とを特徴としている。
ＡＬＣパネル用チャネル基板アセンブリは、チャネル２
０が形成されたガラス基板４と；このガラス基板に取り
付けられたガラス・カバー・シート６とを具えており；
イオン化可能なガスであるヘリウムによる充分な部分圧
力がチャネル基板アセンブリのチャネル表面に加えら
れ；ヘリウムと共にガラス基板のチャネル表面をプラズ
マ・アドレス液晶パネルとして用いた際に、チャネル表
面にヘリウムによる圧力が加わっていない場合よりも非
常に低いレートでヘリウムがチャネルから消耗されるこ
とを特徴としている。
【００１４】本発明の第３の観点によれば、本発明のＰ
ＡＬＣパネル用チャネル基板は、チャネル２０が形成さ
れたガラス基板４を具えており；ガラス基板４よりもヘ
リウムに対して浸透レートが低くガラス基板４よりも融
点が高いコーティング４６がガラス基板４の表面に被覆
され；イオン化可能なガスであるヘリウムと共に、被覆
されたチャネル基板をプラズマ・アドレス液晶パネルに
用いた際、基板が被覆されない場合よりも非常に低いレ
ートでヘリウムがチャネルから消耗されることを特徴と
している。
ＡＬＣパネル用チャネル基板は、チャネル２０が形成さ
れたガラス基板４を具えており；ガラス基板４よりもヘ
リウムに対して浸透レートが低くガラス基板４よりも融
点が高いコーティング４６がガラス基板４の表面に被覆
され；イオン化可能なガスであるヘリウムと共に、被覆
されたチャネル基板をプラズマ・アドレス液晶パネルに
用いた際、基板が被覆されない場合よりも非常に低いレ
ートでヘリウムがチャネルから消耗されることを特徴と
している。
【００１５】本発明の第４の観点によれば、本発明のＰ
ＡＬＣパネル用チャネル基板の製造方法は、チャネル２
０が形成されたガラス基板４を設け；ヘリウムによりガ
ラス基板のチャネル表面に圧力を加え；その後、チャネ
ル２０をヘリウムで満たして、チャネル２０を密閉する
ことを特徴としている。
ＡＬＣパネル用チャネル基板の製造方法は、チャネル２
０が形成されたガラス基板４を設け；ヘリウムによりガ
ラス基板のチャネル表面に圧力を加え；その後、チャネ
ル２０をヘリウムで満たして、チャネル２０を密閉する
ことを特徴としている。
【００１６】本発明の第５の観点によれば、本発明は、
チャネル２０が形成されたガラス基板４と、チャネル２
０を覆ってガラス基板に取り付けられたカバー・シート
６とを具えたプラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル
基板アセンブリの処理方法であって；チャネル基板アセ
ンブリを加熱して温度を上昇させ；ガラス基板のチャネ
ル内のヘリウムに部分圧力を生じさせ；チャネルを密閉
することを特徴としている。
チャネル２０が形成されたガラス基板４と、チャネル２
０を覆ってガラス基板に取り付けられたカバー・シート
６とを具えたプラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル
基板アセンブリの処理方法であって；チャネル基板アセ
ンブリを加熱して温度を上昇させ；ガラス基板のチャネ
ル内のヘリウムに部分圧力を生じさせ；チャネルを密閉
することを特徴としている。
【００１７】本発明の第６の観点によれば、本発明のプ
ラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル基板の製造方法
は、チャネル２０が形成されたガラス基板４を設けるス
テップと；このガラス基板４の表面にコーティング４６
を形成するステップとを具え；コーティング４６の材料
は、ヘリウムに対する浸透レートがガラス基板よりも低
く、融点がガラス基板よりも高いことを特徴としてい
る。
ラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル基板の製造方法
は、チャネル２０が形成されたガラス基板４を設けるス
テップと；このガラス基板４の表面にコーティング４６
を形成するステップとを具え；コーティング４６の材料
は、ヘリウムに対する浸透レートがガラス基板よりも低
く、融点がガラス基板よりも高いことを特徴としてい
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適実施例を説明する。添付図において、対応する素子
は同じ参照符号で示す。本明細書において、上及び下な
どの相対的な方向及び位置を示す単語は、図面に対する
方向及び位置を示すものであり、絶対的な意味に限定す
るものではない。よって、本明細書において、上側と表
現した面は、本発明の特定実施例において、下側面に対
応する場合もあるし、上側でも下側でもない垂直面に対
応する場合もある。
好適実施例を説明する。添付図において、対応する素子
は同じ参照符号で示す。本明細書において、上及び下な
どの相対的な方向及び位置を示す単語は、図面に対する
方向及び位置を示すものであり、絶対的な意味に限定す
るものではない。よって、本明細書において、上側と表
現した面は、本発明の特定実施例において、下側面に対
応する場合もあるし、上側でも下側でもない垂直面に対
応する場合もある。
【００１９】ガラスの表面が境界となった空間からこの
ガラスにヘリウムが浸透するレートは、ガラスの温度に
依存するだけではなく、ガラス内のヘリウムの部分圧力
（partial pressure）と、ガラスが境界となった空間内
のヘリウムの部分圧力にも依存する。
ガラスにヘリウムが浸透するレートは、ガラスの温度に
依存するだけではなく、ガラス内のヘリウムの部分圧力
（partial pressure）と、ガラスが境界となった空間内
のヘリウムの部分圧力にも依存する。
【００２０】本発明によれば、ＰＡＬＣ（表示）パネル
のチャネル表面には、ヘリウムにより予め圧力がかかっ
ている。よって、チャネル基板４の大部分でのヘリウム
の部分圧力が増加して、チャネル内のヘリウムの部分圧
力と、チャネル部材の大部分でのヘリウムの部分圧力と
の差が減少していき、チャネルからチャネル部材の大部
分へのヘリウムの浸透レートが低下する。よって、チャ
ネル内でのヘリウムの消耗が減る。
のチャネル表面には、ヘリウムにより予め圧力がかかっ
ている。よって、チャネル基板４の大部分でのヘリウム
の部分圧力が増加して、チャネル内のヘリウムの部分圧
力と、チャネル部材の大部分でのヘリウムの部分圧力と
の差が減少していき、チャネルからチャネル部材の大部
分へのヘリウムの浸透レートが低下する。よって、チャ
ネル内でのヘリウムの消耗が減る。
【００２１】上昇した温度と圧力の下で、パネルをヘリ
ウムで満たし、密閉することにより、チャネル表面をヘ
リウムで予め圧力を加えておくことができる。従来は、
圧力が約１００〜約５００ヘクトパスカルの範囲で、温
度が約２０〜５０℃の範囲で、パネルをヘリウムで満た
し、密閉していた。上昇させた圧力と温度（２００〜９
００ヘクトパスカルで、２５０〜４００℃）でパネルを
ヘリウムで満たし、密閉すると、ヘリウムがガラスに浸
透する。浸透した後にチャネル内に残るヘリウムは、パ
ネルの動作に対して充分な部分圧力を有する。
ウムで満たし、密閉することにより、チャネル表面をヘ
リウムで予め圧力を加えておくことができる。従来は、
圧力が約１００〜約５００ヘクトパスカルの範囲で、温
度が約２０〜５０℃の範囲で、パネルをヘリウムで満た
し、密閉していた。上昇させた圧力と温度（２００〜９
００ヘクトパスカルで、２５０〜４００℃）でパネルを
ヘリウムで満たし、密閉すると、ヘリウムがガラスに浸
透する。浸透した後にチャネル内に残るヘリウムは、パ
ネルの動作に対して充分な部分圧力を有する。
【００２２】上述の代わりの方法として、チャネルをヘ
リウムで満たし密閉する前であるが、チャネル基板アセ
ンブリの組み立てに要求される高温処理を完了した後
に、ヘリウム雰囲気内の基板を加熱して、基板のチャネ
ル表面に予め圧力をかけることができる。この場合、チ
ャネル基板は、５５０℃付近にまで加熱できる。この温
度は、ガラスの軟化点付近である。
リウムで満たし密閉する前であるが、チャネル基板アセ
ンブリの組み立てに要求される高温処理を完了した後
に、ヘリウム雰囲気内の基板を加熱して、基板のチャネ
ル表面に予め圧力をかけることができる。この場合、チ
ャネル基板は、５５０℃付近にまで加熱できる。この温
度は、ガラスの軟化点付近である。
【００２３】第３の方法は、チャネル基板アセンブリ
（チャネル基板４及びカバー・シート６）をＲＦ（高周
波）ヘリウム・プラズマの下に置く。チャネルをヘリウ
ムで満たし、密閉する操作の前に、チャネル基板アセン
ブリをキャビティ（空胴）内に配置するが、このキャビ
ティ内はヘリウムを含んでいる。ここで、ヘリウムをイ
オン化するのに適するＲＦ電界を発生させる。この方法
によってプラズマを作ることにより、ヘリウムが表面層
内に浸透するが、プラズマを除去すると、ヘリウムが捕
捉される。チャネル基板アセンブリがヘリウムで満たさ
れ、密閉されるとき、温度は充分に低く、圧力は高いの
で、ヘリウムがガラス内に捕獲されたままになる。
（チャネル基板４及びカバー・シート６）をＲＦ（高周
波）ヘリウム・プラズマの下に置く。チャネルをヘリウ
ムで満たし、密閉する操作の前に、チャネル基板アセン
ブリをキャビティ（空胴）内に配置するが、このキャビ
ティ内はヘリウムを含んでいる。ここで、ヘリウムをイ
オン化するのに適するＲＦ電界を発生させる。この方法
によってプラズマを作ることにより、ヘリウムが表面層
内に浸透するが、プラズマを除去すると、ヘリウムが捕
捉される。チャネル基板アセンブリがヘリウムで満たさ
れ、密閉されるとき、温度は充分に低く、圧力は高いの
で、ヘリウムがガラス内に捕獲されたままになる。
【００２４】ガラスにヘリウムが浸透する問題を避ける
他の方法では、ＰＡＬＣ表示パネルの製造に従来用いて
いる形式のガラスへのヘリウム浸透レートよりも、ガラ
ス内へのヘリウムの浸透レートが充分に低くなるよう
に、ガラスにコーティングである表面障壁（バリア）を
設けると共に、ガラスの種類を選択する。
他の方法では、ＰＡＬＣ表示パネルの製造に従来用いて
いる形式のガラスへのヘリウム浸透レートよりも、ガラ
ス内へのヘリウムの浸透レートが充分に低くなるよう
に、ガラスにコーティングである表面障壁（バリア）を
設けると共に、ガラスの種類を選択する。
【００２５】ＰＡＬＣ表示パネルの組み立てに従来用い
ていたガラスは、Ｄ２６３という名称でショット・ガラ
ス（Schott Glass）から販売されているガラスのよう
に、典型的には、ホウ珪酸ガラスである。ＡＦ４５とい
う名称でショット・ガラスから販売されているアルカリ
・フリー・ホウ珪酸ガラスの如き他のガラスは、高濃度
酸化バリウム及び酸化アルミニウムであり、ＰＡＬＣ表
示パネルの組み立てに適すると共に、必要とする温度範
囲にてヘリウムに対する浸透レートが大幅に低い。
ていたガラスは、Ｄ２６３という名称でショット・ガラ
ス（Schott Glass）から販売されているガラスのよう
に、典型的には、ホウ珪酸ガラスである。ＡＦ４５とい
う名称でショット・ガラスから販売されているアルカリ
・フリー・ホウ珪酸ガラスの如き他のガラスは、高濃度
酸化バリウム及び酸化アルミニウムであり、ＰＡＬＣ表
示パネルの組み立てに適すると共に、必要とする温度範
囲にてヘリウムに対する浸透レートが大幅に低い。
【００２６】ＰＡＬＣ表示パネルの組み立てに従来用い
たホウ珪酸ガラスよりも、ヘリウムに対する浸透レート
が低く融点が高い材料で真空メッキを行うことにより、
適切な表面障壁（コーティング）が得られる。
たホウ珪酸ガラスよりも、ヘリウムに対する浸透レート
が低く融点が高い材料で真空メッキを行うことにより、
適切な表面障壁（コーティング）が得られる。
【００２７】図１は、本発明によるＰＡＬＣパネル用チ
ャネル基板の好適実施例の部分的断面図であり、図２の
チャネル２０の部分に相当し、他の部分の構成は、図２
の場合と同様である。チャネル電極をデポジション（付
着）させる前に、上述の材料の障壁層（コーティング）
４６をチャネル基板４のチャネル境界の表面上に設け
る。障壁層４６を設けることにより、基板のチャネル表
面の相対温度が、チャネルの境界をホウ珪酸ガラスにし
た場合よりも低くなる。ヘリウムに対する浸透レートが
ホウ珪酸ガラスよりも低く、融点がホウ珪酸ガラスより
も高い材料の１つは、サファイアである。ガラス表面上
にサファイアの層をデポジションする技術は、既知であ
る。
ャネル基板の好適実施例の部分的断面図であり、図２の
チャネル２０の部分に相当し、他の部分の構成は、図２
の場合と同様である。チャネル電極をデポジション（付
着）させる前に、上述の材料の障壁層（コーティング）
４６をチャネル基板４のチャネル境界の表面上に設け
る。障壁層４６を設けることにより、基板のチャネル表
面の相対温度が、チャネルの境界をホウ珪酸ガラスにし
た場合よりも低くなる。ヘリウムに対する浸透レートが
ホウ珪酸ガラスよりも低く、融点がホウ珪酸ガラスより
も高い材料の１つは、サファイアである。ガラス表面上
にサファイアの層をデポジションする技術は、既知であ
る。
【００２８】本発明の好適実施例について上述したが、
本発明の要旨を逸脱することなく種々の変形変更が可能
である。
本発明の要旨を逸脱することなく種々の変形変更が可能
である。
【００２９】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、ＰＡＬＣ
パネルの動作中にヘリウムがチャネル基板に更に浸透し
てチャネルにおけるヘリウムの圧力が低下することによ
り、プラズマ形成に必要な電圧が上昇するのを防止でき
る。
パネルの動作中にヘリウムがチャネル基板に更に浸透し
てチャネルにおけるヘリウムの圧力が低下することによ
り、プラズマ形成に必要な電圧が上昇するのを防止でき
る。
【図１】本発明によるＰＡＬＣパネル用チャネル基板の
好適実施例の部分的断面図である。
好適実施例の部分的断面図である。
【図２】従来のＰＡＬＣパネルの部分的断面図である。
２ 下側偏光子 ４ チャネル部材（チャネル基板、ガラス基板） ６ ガラス・カバー・シート １０ 電気光学材料層 １２ データ駆動電極 １４ 上側基板 １６ 上側偏光子 １８ 背面ガラス・ディフーザー ２０ プラズマ・チャネル ２２ リブ ２４ 陽極 ２６ 陰極 ２８ パネル要素 ３０ ピクセル ３２ 観察者の視点 ３４ 光源 ３８ フリット・シール ４６ 障壁層（コーティング）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケビン・ジェー・イルシシン アメリカ合衆国 オレゴン州 97007 ビ ーバートン サウス・ウェスト ムールデ ィア・ドライブ 8650 (72)発明者 トーマス・エス・ブザック アメリカ合衆国 オレゴン州 97007 ビ ーバートン サウス・ウェスト ストーン クリーク・ドライブ 9755
Claims (6)
- 【請求項１】 チャネルが形成されたガラス基板を具
え、 イオン化可能なガスであるヘリウムによる充分な部分圧
力が上記ガラス基板のチャネル表面に加えられ、 上記ヘリウムと共に上記ガラス基板のチャネル表面をプ
ラズマ・アドレス液晶パネルとして用いた際に、上記チ
ャネル表面にヘリウムによる圧力が加わっていない場合
よりも非常に低いレートで上記ヘリウムが上記チャネル
から消耗されることを特徴とするプラズマ・アドレス液
晶パネル用チャネル基板。 - 【請求項２】 チャネルが形成されたガラス基板と、 該ガラス基板に取り付けられたガラス・カバー・シート
とを具えたプラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル基
板アセンブリであって、 イオン化可能なガスであるヘリウムによる充分な部分圧
力が上記チャネル基板アセンブリのチャネル表面に加え
られ、 上記ヘリウムと共に上記ガラス基板のチャネル表面をプ
ラズマ・アドレス液晶パネルとして用いた際に、上記チ
ャネル表面にヘリウムによる圧力が加わっていない場合
よりも非常に低いレートで上記ヘリウムが上記チャネル
から消耗されることを特徴とするプラズマ・アドレス液
晶パネル用チャネル基板アセンブリ。 - 【請求項３】 チャネルが形成されたガラス基板を具え
たプラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル基板であっ
て、 上記ガラス基板よりもヘリウムに対して浸透レートが低
く上記ガラス基板よりも融点が高いコーティングが上記
ガラス基板の表面に被覆され、 イオン化可能なガスであるヘリウムと共に、上記被覆さ
れたチャネル基板を上記プラズマ・アドレス液晶パネル
に用いた際、上記基板が被覆されない場合よりも非常に
低いレートで上記ヘリウムが上記チャネルから消耗され
ることを特徴とするプラズマ・アドレス液晶パネル用チ
ャネル基板。 - 【請求項４】 チャネルが形成されたガラス基板を設
け、 ヘリウムにより上記ガラス基板のチャネル表面に圧力を
加え、 その後、上記チャネルを上記ヘリウムで満たして、上記
チャネルを密閉することを特徴とするプラズマ・アドレ
ス液晶パネル用チャネル基板の製造方法。 - 【請求項５】 チャネルが形成されたガラス基板と、上
記チャネルを覆って上記ガラス基板に取り付けられたカ
バー・シートとを具えたプラズマ・アドレス液晶パネル
用チャネル基板アセンブリの処理方法であって、 上記チャネル基板アセンブリを加熱して温度を上昇さ
せ、 上記ガラス基板のチャネル内のヘリウムに部分圧力を生
じさせ、 上記チャネルを密閉する ことを特徴とするプラズマ・アドレス液晶パネル用チャ
ネル基板アセンブリの処理方法。 - 【請求項６】 プラズマ・アドレス液晶パネル用チャネ
ル基板の製造方法であって、 チャネルが形成されたガラス基板を設けるステップと、 該ガラス基板の表面にコーティングを形成するステップ
とを具え、 上記コーティングの材料は、ヘリウムに対する浸透レー
トが上記ガラス基板よりも低く、融点が上記ガラス基板
よりも高いことを特徴とするプラズマ・アドレス液晶パ
ネル用チャネル基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13215799P | 1999-05-03 | 1999-05-03 | |
| US60/132157 | 1999-05-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000347164A true JP2000347164A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=22452753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000131136A Pending JP2000347164A (ja) | 1999-05-03 | 2000-04-28 | プラズマ・アドレス液晶パネル用チャネル基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1059655A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000347164A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3419625A1 (de) * | 1983-08-11 | 1985-11-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gasentladungsanzeigevorrichtung mit einem nachbeschleunigungsraum |
| US4663564A (en) * | 1984-08-31 | 1987-05-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for maintaining constant pressure in gas discharge vessels, particularly flat plasma picture screens with electron post-acceleration |
| US6137550A (en) * | 1996-09-30 | 2000-10-24 | Tektronix, Inc. | Structure for a PALC display panel having a helium filling doped with hydrogen |
| WO2000070397A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Plasma addressed liquid crystal display |
-
2000
- 2000-04-20 EP EP00303363A patent/EP1059655A3/en not_active Withdrawn
- 2000-04-28 JP JP2000131136A patent/JP2000347164A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1059655A3 (en) | 2002-08-21 |
| EP1059655A2 (en) | 2000-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20060515 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |