JP2000348984A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電解コンデンサ用電極箔の高容量化、漏れ電
流の低減および耐水性の改善を図ることができる製造方
法を提供する。 【解決手段】 エッチングされたアルミニウム箔を高温
純水中に所定時間浸漬する純粋ボイル工程と、アジピン
酸系化成液で陽極酸化皮膜を形成する工程と、ケイ酸系
化成液で陽極酸化皮膜を形成する工程からなり、異なる
酸化皮膜を形成することを特徴としている。
流の低減および耐水性の改善を図ることができる製造方
法を提供する。 【解決手段】 エッチングされたアルミニウム箔を高温
純水中に所定時間浸漬する純粋ボイル工程と、アジピン
酸系化成液で陽極酸化皮膜を形成する工程と、ケイ酸系
化成液で陽極酸化皮膜を形成する工程からなり、異なる
酸化皮膜を形成することを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルミニウム電解
コンデンサ用電極箔の製造方法に関するものであり、特
に電極箔の高容量化、漏れ電流の低減、耐水性の改善に
関するものである。
コンデンサ用電極箔の製造方法に関するものであり、特
に電極箔の高容量化、漏れ電流の低減、耐水性の改善に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンデンサに使用される陽極箔
は、エッチングされたアルミニウム箔を高温純水中で水
和皮膜処理した後、ホウ酸アンモニウム等の溶液中で化
成して得られていた。また、所定の化成電圧まで到達さ
せた後、加熱処理や酸浸漬処理などのデポラリゼーショ
ン処理により、漏れ電流の原因となる酸化皮膜中のボイ
ド、クラックなどを露呈させ、更に修復化成を繰り返す
ことにより、所望の陽極酸化皮膜を生成させていた。
は、エッチングされたアルミニウム箔を高温純水中で水
和皮膜処理した後、ホウ酸アンモニウム等の溶液中で化
成して得られていた。また、所定の化成電圧まで到達さ
せた後、加熱処理や酸浸漬処理などのデポラリゼーショ
ン処理により、漏れ電流の原因となる酸化皮膜中のボイ
ド、クラックなどを露呈させ、更に修復化成を繰り返す
ことにより、所望の陽極酸化皮膜を生成させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、アルミニウム電
解コンデンサはより一層の小型化、高容量化、高信頼性
化が要求されており、それに伴いアルミニウム電解コン
デンサ用電極箔においても高容量化、低漏れ電流化およ
び耐水性の改善が要求されている。しかしながら従来の
技術では、これらの要求に対して不十分であった。すな
わち、より高い静電容量を得るためには、陽極酸化皮膜
の結晶化度を高めて、耐電圧当たりの陽極酸化皮膜の膜
厚を薄くしなければならないが、陽極酸化皮膜の結晶化
度を促進させた場合、ボイド、クラックが増大し、これ
により漏れ電流増加を引き起こしていた。従来の一種類
の化成液で化成する方法は、高容量化、漏れ電流の低減
および耐水性の改善には限界があった。
解コンデンサはより一層の小型化、高容量化、高信頼性
化が要求されており、それに伴いアルミニウム電解コン
デンサ用電極箔においても高容量化、低漏れ電流化およ
び耐水性の改善が要求されている。しかしながら従来の
技術では、これらの要求に対して不十分であった。すな
わち、より高い静電容量を得るためには、陽極酸化皮膜
の結晶化度を高めて、耐電圧当たりの陽極酸化皮膜の膜
厚を薄くしなければならないが、陽極酸化皮膜の結晶化
度を促進させた場合、ボイド、クラックが増大し、これ
により漏れ電流増加を引き起こしていた。従来の一種類
の化成液で化成する方法は、高容量化、漏れ電流の低減
および耐水性の改善には限界があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明では、エッチング箔に水和処理後アジピン酸系化
成液で化成し、陽極酸化皮膜中の結晶化を均一に進行さ
せることで結晶化によるボイド、クラックが集中せず容
易に皮膜の修復を可能とし、続いてケイ酸系化成液で化
成を行い、アジピン酸系化成液で生成した結晶性皮膜を
成長させることで緻密な皮膜形成が可能となり、電極箔
の高容量化、漏れ電流の低減、耐水性の改善を図ろうと
するものである。すなわち、エッチングされたアルミニ
ウム箔を高温純水中に所定時間浸漬する純水ボイル工程
と、アジピン酸またはその塩からなる化成液で陽極酸化
皮膜を形成する工程と、ケイ酸またはその塩からなる化
成液で陽極酸化皮膜を形成する工程からなり、異なる酸
化皮膜を形成することを特徴とするアルミニウム電解コ
ンデンサ用電極箔の製造方法である。そして、上記アジ
ピン酸またはその塩からなる化成液で陽極酸化後、更に
高い電圧を印加してケイ酸またはその塩からなる化成液
で陽極酸化することを特徴とする上記アルミニウム電解
コンデンサ用電極箔の製造方法である。
本発明では、エッチング箔に水和処理後アジピン酸系化
成液で化成し、陽極酸化皮膜中の結晶化を均一に進行さ
せることで結晶化によるボイド、クラックが集中せず容
易に皮膜の修復を可能とし、続いてケイ酸系化成液で化
成を行い、アジピン酸系化成液で生成した結晶性皮膜を
成長させることで緻密な皮膜形成が可能となり、電極箔
の高容量化、漏れ電流の低減、耐水性の改善を図ろうと
するものである。すなわち、エッチングされたアルミニ
ウム箔を高温純水中に所定時間浸漬する純水ボイル工程
と、アジピン酸またはその塩からなる化成液で陽極酸化
皮膜を形成する工程と、ケイ酸またはその塩からなる化
成液で陽極酸化皮膜を形成する工程からなり、異なる酸
化皮膜を形成することを特徴とするアルミニウム電解コ
ンデンサ用電極箔の製造方法である。そして、上記アジ
ピン酸またはその塩からなる化成液で陽極酸化後、更に
高い電圧を印加してケイ酸またはその塩からなる化成液
で陽極酸化することを特徴とする上記アルミニウム電解
コンデンサ用電極箔の製造方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】エッチングされたアルミニウム箔
を高温純水中にて水和皮膜処理をした後、最初にアジピ
ン酸系化成液で化成を行うことにより、膜厚に対して均
一に結晶化が進行し皮膜欠陥部の集中を防ぐことができ
る。続いてケイ酸系化成液で化成を行うことにより、結
晶化が促進されて膜厚当たりの静電容量が高い化成皮膜
が得られる。このように二種類の化成液を用いて、上記
順序で化成を行うことにより、結晶化度が高く緻密な陽
極酸化皮膜が形成できるので、電極箔の高容量化、漏れ
電流の低減および耐水性の改善を図ることができる。
を高温純水中にて水和皮膜処理をした後、最初にアジピ
ン酸系化成液で化成を行うことにより、膜厚に対して均
一に結晶化が進行し皮膜欠陥部の集中を防ぐことができ
る。続いてケイ酸系化成液で化成を行うことにより、結
晶化が促進されて膜厚当たりの静電容量が高い化成皮膜
が得られる。このように二種類の化成液を用いて、上記
順序で化成を行うことにより、結晶化度が高く緻密な陽
極酸化皮膜が形成できるので、電極箔の高容量化、漏れ
電流の低減および耐水性の改善を図ることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について述べ
る。面積比３０倍にエッチング処理された電解コンデン
サ陽極用アルミニウム箔を供試材とし以下の方法にて化
成処理を行った。 （実施例）アルミニウムエッチング箔を液温９０℃の純
水中で７分間浸漬し、水和皮膜を生成させる。始めに比
抵抗７５Ω・ｃｍ、ｐＨ４．５に調整した液温８５℃の
アジピン酸アンモニウム水溶液中で２３０Ｖまで化成電
圧を上昇させた。次いで比抵抗２０００Ω・ｃｍ、ｐＨ
９．６に調整した液温８５℃のケイ酸カリウム水溶液中
で４１０Ｖまで化成電圧を上昇させ、同電圧を５０分間
保持した。加熱処理や酸浸漬処理などのデポラリゼーシ
ョン処理により、酸化皮膜中のボイド、クラックなどを
露呈させ、上記ケイ酸カリウム水溶液で修復化成を数回
行った。
る。面積比３０倍にエッチング処理された電解コンデン
サ陽極用アルミニウム箔を供試材とし以下の方法にて化
成処理を行った。 （実施例）アルミニウムエッチング箔を液温９０℃の純
水中で７分間浸漬し、水和皮膜を生成させる。始めに比
抵抗７５Ω・ｃｍ、ｐＨ４．５に調整した液温８５℃の
アジピン酸アンモニウム水溶液中で２３０Ｖまで化成電
圧を上昇させた。次いで比抵抗２０００Ω・ｃｍ、ｐＨ
９．６に調整した液温８５℃のケイ酸カリウム水溶液中
で４１０Ｖまで化成電圧を上昇させ、同電圧を５０分間
保持した。加熱処理や酸浸漬処理などのデポラリゼーシ
ョン処理により、酸化皮膜中のボイド、クラックなどを
露呈させ、上記ケイ酸カリウム水溶液で修復化成を数回
行った。
【０００７】（従来例）アルミニウムエッチング箔を液
温９０℃の純水中で７分間浸漬し、水和皮膜を生成させ
る。比抵抗４００Ω・ｃｍ、ｐＨ４．５に調整したホウ
酸アンモニウム水溶液、８５℃中で４１０Ｖまで化成電
圧を上昇させ、同電圧を５０分間保持した。デポラリゼ
ーション処理による修復化成も上記ホウ酸アンモニウム
水溶液で数回行った。
温９０℃の純水中で７分間浸漬し、水和皮膜を生成させ
る。比抵抗４００Ω・ｃｍ、ｐＨ４．５に調整したホウ
酸アンモニウム水溶液、８５℃中で４１０Ｖまで化成電
圧を上昇させ、同電圧を５０分間保持した。デポラリゼ
ーション処理による修復化成も上記ホウ酸アンモニウム
水溶液で数回行った。
【０００８】上記の実施例及び従来例の化成済みアルミ
ニウム箔について、静電容量、及び９８℃以上の純水中
に１時間浸漬した後の化成電圧到達時間（以下、耐水性
試験と称す）、各電圧ごとの漏れ電流値（以下、漏れ電
流特性とする）を測定し、表１、図１の結果を得た。
ニウム箔について、静電容量、及び９８℃以上の純水中
に１時間浸漬した後の化成電圧到達時間（以下、耐水性
試験と称す）、各電圧ごとの漏れ電流値（以下、漏れ電
流特性とする）を測定し、表１、図１の結果を得た。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１より本発明による実施例は、従来例よ
り高容量であり、耐水性が改善されている。さらに図１
より、実施例は従来例より漏れ電流の低減が図られてい
ることが分かる。
り高容量であり、耐水性が改善されている。さらに図１
より、実施例は従来例より漏れ電流の低減が図られてい
ることが分かる。
【００１１】
【発明の効果】本発明による電解コンデンサ用電極箔の
製造方法により、電極箔の高容量化、漏れ電流の低減お
よび耐水性の改善が可能となり、電解コンデンサの小型
化、高容量化が可能であり、その実用的価値は大なるも
のである。
製造方法により、電極箔の高容量化、漏れ電流の低減お
よび耐水性の改善が可能となり、電解コンデンサの小型
化、高容量化が可能であり、その実用的価値は大なるも
のである。
【図１】電圧−漏れ電流特性図
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチングされたアルミニウム箔を高温
純水中に所定時間浸漬する純水ボイル工程と、アジピン
酸またはその塩からなる化成液で陽極酸化皮膜を形成す
る工程と、ケイ酸またはその塩からなる化成液で陽極酸
化皮膜を形成する工程からなり、異なる酸化皮膜を形成
することを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用電
極箔の製造方法。 - 【請求項２】 上記アジピン酸またはその塩からなる化
成液で陽極酸化皮膜を形成後、更に高い電圧を印加して
ケイ酸またはその塩からなる化成液で陽極酸化皮膜を形
成することを特徴とする請求項１記載のアルミニウム電
解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11160326A JP2000348984A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11160326A JP2000348984A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000348984A true JP2000348984A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15712554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11160326A Pending JP2000348984A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000348984A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103727A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Showa Denko K.K. | Formed substrate used for solid electrolytic capacitor, production method thereof and solid electrolytic capacitor using the substrate |
| JP2005294597A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔 |
| JP2005294599A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| JP2005294598A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| JP2005294600A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| JP2005294601A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔 |
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| JP2006269579A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ用陽極材料の製造方法 |
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| JP2007273839A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
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| CN103227052A (zh) * | 2013-01-09 | 2013-07-31 | 朱健雄 | 中高压铝电解电容的制作方法 |
| JP2023042739A (ja) * | 2021-09-15 | 2023-03-28 | クニミネ工業株式会社 | 化成液、アルミニウム基材の化成処理方法、化成処理済み基材、アルミニウム電解コンデンサ用電極材、及びコンデンサ |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP11160326A patent/JP2000348984A/ja active Pending
Cited By (21)
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| KR100928229B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2009-11-24 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 고체 전해 콘덴서용 화성 기판, 그것의 제조방법 및 그기판을 사용한 고체 전해 콘덴서 |
| CN100477038C (zh) * | 2001-06-15 | 2009-04-08 | 昭和电工株式会社 | 成形基底、其生产方法及使用该基底的固体电解电容器 |
| US7198733B2 (en) | 2001-06-15 | 2007-04-03 | Showa Denko K.K. | Formed substrate used for solid electrolytic capacitor, production method thereof and solid electrolytic capacitor using the substrate |
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| JP7660843B2 (ja) | 2021-09-15 | 2025-04-14 | クニミネ工業株式会社 | 化成液、アルミニウム基材の化成処理方法、化成処理済み基材、アルミニウム電解コンデンサ用電極材、及びコンデンサ |
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