JP2000348997A - フィデュシャルマーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 - Google Patents
フィデュシャルマーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非導電性物質からなる低熱膨張基板のチャー
ジアップを防止でき正確なマーク位置検出が可能なフィ
デュシャルマークを提供する。 【解決手段】 本フィデュシャルマーク１５は、低熱膨
張率で非導電性の物質からなる基板３５と、その表面に
形成されたマーク本体３１と、基板内に設けられアース
接続された導電性物質層３３と、を備える。フィデュシ
ャルマーク基板３５に入射した電子は、導電性物質層３
３からアースに逃げるので、基板のチャージアップを防
止できる。
ジアップを防止でき正確なマーク位置検出が可能なフィ
デュシャルマークを提供する。 【解決手段】 本フィデュシャルマーク１５は、低熱膨
張率で非導電性の物質からなる基板３５と、その表面に
形成されたマーク本体３１と、基板内に設けられアース
接続された導電性物質層３３と、を備える。フィデュシ
ャルマーク基板３５に入射した電子は、導電性物質層３
３からアースに逃げるので、基板のチャージアップを防
止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線等の荷電粒
子線の照射を受けるフィデュシャルマークに関する。ま
た、例えば電子線露光装置において、マスクやレチクル
などが配置される第１面上に形成されている指標マーク
と、ウエハなどの感応基板が配置される第２面上のフィ
デュシャルマークとを用いて両者の相対位置を決め、好
適な位置合わせをする装置に関する。特には、正確なマ
ーク位置検出が可能なフィデュシャルマーク、及び、そ
のようなフィデュシャルマークを有し高精度のパターン
形成を行うことのできる荷電粒子線露光装置に関する。
さらには、そのような荷電粒子線露光装置を用いて高精
度の半導体デバイスを製造する方法に関する。
子線の照射を受けるフィデュシャルマークに関する。ま
た、例えば電子線露光装置において、マスクやレチクル
などが配置される第１面上に形成されている指標マーク
と、ウエハなどの感応基板が配置される第２面上のフィ
デュシャルマークとを用いて両者の相対位置を決め、好
適な位置合わせをする装置に関する。特には、正確なマ
ーク位置検出が可能なフィデュシャルマーク、及び、そ
のようなフィデュシャルマークを有し高精度のパターン
形成を行うことのできる荷電粒子線露光装置に関する。
さらには、そのような荷電粒子線露光装置を用いて高精
度の半導体デバイスを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線露光装置のある種のものは、マス
ク上のパターンを電子線で照明し、このマスクを通過し
た電子線を感応基板（ウエハ等）上に投影結像させてパ
ターンを転写する。このような装置においては、マスク
はマスクステージ上に載置され、ウエハはウエハステー
ジ上に載置される。
ク上のパターンを電子線で照明し、このマスクを通過し
た電子線を感応基板（ウエハ等）上に投影結像させてパ
ターンを転写する。このような装置においては、マスク
はマスクステージ上に載置され、ウエハはウエハステー
ジ上に載置される。
【０００３】電子線投影光学系のある条件下におけるマ
スクステージとウエハステージとの相対的位置関係を知
る方法の一つに、次のような方法がある。すなわち、マ
スクステージ上に電子線が通過可能な指標マークを設
け、ウエハステージ上には重金属等からなるフィデュシ
ャルマークを設け、マスクステージ上のマークを通過し
た電子線をフィデュシャルマーク上で走査し、フィデュ
シャルマークからの反射電子を検出して、指標マークの
投影像とフィデュシャルマークとの相対的位置関係を知
ることができる。その結果に基づき、マスクとウエハと
のアライメントを取ったり、投影光学系における電子線
束の歪等を知ることができる。
スクステージとウエハステージとの相対的位置関係を知
る方法の一つに、次のような方法がある。すなわち、マ
スクステージ上に電子線が通過可能な指標マークを設
け、ウエハステージ上には重金属等からなるフィデュシ
ャルマークを設け、マスクステージ上のマークを通過し
た電子線をフィデュシャルマーク上で走査し、フィデュ
シャルマークからの反射電子を検出して、指標マークの
投影像とフィデュシャルマークとの相対的位置関係を知
ることができる。その結果に基づき、マスクとウエハと
のアライメントを取ったり、投影光学系における電子線
束の歪等を知ることができる。
【０００４】このマーク検出方法においては、マスクス
テージ上の指標マークの位置を、マスクステージ位置座
標に対して正確に把握する必要がある。このことは、ウ
エハステージの場合も同じである。したがって、フィデ
ュシャルマークの材質は、電子線照射による熱変形等が
できるだけ小さいものが求められる。
テージ上の指標マークの位置を、マスクステージ位置座
標に対して正確に把握する必要がある。このことは、ウ
エハステージの場合も同じである。したがって、フィデ
ュシャルマークの材質は、電子線照射による熱変形等が
できるだけ小さいものが求められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、ショット（SC
HOTT）社（独）製ゼロデュア（ZERODUR ）等の低熱膨張
率の物質を用いてフィデュシャルマークの基板を作製す
ることが考えられる。しかし、この種の低熱膨張率物質
は、一般的に非導電性であるため、電子線の照射を受け
ると電荷が溜って帯電（チャージアップ）する。チャー
ジアップが起きると、フィデュシャルマーク周辺に電場
が生じ、電子線の軌道に乱れが生じる。あるいはチャー
ジアップがひどくなると、放電が生じフィデュシャルマ
ークが破壊されることもありうる。
HOTT）社（独）製ゼロデュア（ZERODUR ）等の低熱膨張
率の物質を用いてフィデュシャルマークの基板を作製す
ることが考えられる。しかし、この種の低熱膨張率物質
は、一般的に非導電性であるため、電子線の照射を受け
ると電荷が溜って帯電（チャージアップ）する。チャー
ジアップが起きると、フィデュシャルマーク周辺に電場
が生じ、電子線の軌道に乱れが生じる。あるいはチャー
ジアップがひどくなると、放電が生じフィデュシャルマ
ークが破壊されることもありうる。
【０００６】チャージアップ防止対策としてゼロデュア
表面の金属コートが考えられるが、このコートは反射電
子信号のコントラスト低下を引き起こす可能性が高い。
そこで、コントラスト低下を起こさず、また基板の低熱
膨張率特性を維持したままチャージアップを防止する方
法が必要となる。
表面の金属コートが考えられるが、このコートは反射電
子信号のコントラスト低下を引き起こす可能性が高い。
そこで、コントラスト低下を起こさず、また基板の低熱
膨張率特性を維持したままチャージアップを防止する方
法が必要となる。
【０００７】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、非導電性物質からなる低熱膨張基板のチャ
ージアップを防止でき正確なマーク位置検出が可能なフ
ィデュシャルマーク、及び、そのようなフィデュシャル
マークを有し高精度のパターン形成を行うことのできる
電子線露光装置を提供することを目的とする。さらに
は、そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半
導体デバイスを製造する方法を提供することを目的とす
る。
れたもので、非導電性物質からなる低熱膨張基板のチャ
ージアップを防止でき正確なマーク位置検出が可能なフ
ィデュシャルマーク、及び、そのようなフィデュシャル
マークを有し高精度のパターン形成を行うことのできる
電子線露光装置を提供することを目的とする。さらに
は、そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半
導体デバイスを製造する方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】上
記課題を解決するため、本発明のフィデュシャルマーク
は、低熱膨張率で非導電性の物質からなる基板と、 該
基板表面に形成された荷電粒子線照射を受けるマーク本
体と、 該基板内又は裏面に設けられアース接続された
導電性物質層と、 を備えることを特徴とする。
記課題を解決するため、本発明のフィデュシャルマーク
は、低熱膨張率で非導電性の物質からなる基板と、 該
基板表面に形成された荷電粒子線照射を受けるマーク本
体と、 該基板内又は裏面に設けられアース接続された
導電性物質層と、 を備えることを特徴とする。
【０００９】本発明の荷電粒子線露光装置は、感応基板
上に荷電粒子線を照射してパターンを形成する装置であ
って； 該感応基板を載置するステージ上に、荷電粒子
線照射位置と該ステージとの相対的位置関係あるいは荷
電粒子線束形状を測定するフィデュシャルマークが設置
されており、 このフィデュシャルマークが、 低熱膨
張率で非導電性の物質からなる基板と、 該基板表面に
形成された荷電粒子線照射を受けるマーク本体と、 該
基板内又は裏面に設けられアース接続された導電性物質
層と、を備えることを特徴とする。
上に荷電粒子線を照射してパターンを形成する装置であ
って； 該感応基板を載置するステージ上に、荷電粒子
線照射位置と該ステージとの相対的位置関係あるいは荷
電粒子線束形状を測定するフィデュシャルマークが設置
されており、 このフィデュシャルマークが、 低熱膨
張率で非導電性の物質からなる基板と、 該基板表面に
形成された荷電粒子線照射を受けるマーク本体と、 該
基板内又は裏面に設けられアース接続された導電性物質
層と、を備えることを特徴とする。
【００１０】フィデュシャルマーク基板に入射した電子
あるいはイオンの電荷は、上記導電性物質層からアース
に逃げるので、基板のチャージアップを防止できる。ま
た、マーク本体の上に導電性物質層をコートするわけで
はないので、マークのコントラストにほとんど影響を与
えない。
あるいはイオンの電荷は、上記導電性物質層からアース
に逃げるので、基板のチャージアップを防止できる。ま
た、マーク本体の上に導電性物質層をコートするわけで
はないので、マークのコントラストにほとんど影響を与
えない。
【００１１】本発明においては、上記導電性物質層が、
上記フィデュシャルマーク全体の熱膨張に影響を与え
ず、チャージアップ防止に有効なパターン形状であるこ
とが好ましい。そのため、例えば上記導電性物質層を網
目状に形成したり、上記マーク本体の形状に対応して、
上記荷電粒子線の直接照射を受ける部位のみに上記導電
性物質層を形成することもできる。
上記フィデュシャルマーク全体の熱膨張に影響を与え
ず、チャージアップ防止に有効なパターン形状であるこ
とが好ましい。そのため、例えば上記導電性物質層を網
目状に形成したり、上記マーク本体の形状に対応して、
上記荷電粒子線の直接照射を受ける部位のみに上記導電
性物質層を形成することもできる。
【００１２】本発明の半導体デバイス製造方法は、上記
荷電粒子線露光装置を用いてリソグラフィー工程の露光
を行うことを特徴とする。
荷電粒子線露光装置を用いてリソグラフィー工程の露光
を行うことを特徴とする。
【００１３】以下、図面を参照しつつ説明する。図３
は、本発明の１実施例に係る露光装置（電子線縮小転写
装置）の構成を示す斜視図である。マスクステージ１
は、図示せぬ照明光学系により図の上方から照明ビーム
Ｂ１を受ける。マスクステージ１上には、複数の帯状の
パターンの集合体であるビーム成形用パターン（指標マ
ーク）１１が形成されている。通常は、ビーム成形用パ
ターン１１は、マスクステージ１（又はマスク）に孔の
開いたものである。照明ビームＢ１は、ビーム成形用パ
ターン１１を通過して成形されビームＢ２となる。
は、本発明の１実施例に係る露光装置（電子線縮小転写
装置）の構成を示す斜視図である。マスクステージ１
は、図示せぬ照明光学系により図の上方から照明ビーム
Ｂ１を受ける。マスクステージ１上には、複数の帯状の
パターンの集合体であるビーム成形用パターン（指標マ
ーク）１１が形成されている。通常は、ビーム成形用パ
ターン１１は、マスクステージ１（又はマスク）に孔の
開いたものである。照明ビームＢ１は、ビーム成形用パ
ターン１１を通過して成形されビームＢ２となる。
【００１４】マスクステージ１の下には投影光学系３が
配置されている。投影光学系３中には電磁レンズやダイ
ナミックフォーカスコイル、非点補正コイル、倍率・回
転調整コイル等（いずれも図示されず）が配置されてい
る。投影光学系３に入射するビームＢ２は、投影光学系
３の作用により反転・縮小される。投影光学系３で縮小
されたビームＢ３は、ウエハステージ９上に結像され
る。
配置されている。投影光学系３中には電磁レンズやダイ
ナミックフォーカスコイル、非点補正コイル、倍率・回
転調整コイル等（いずれも図示されず）が配置されてい
る。投影光学系３に入射するビームＢ２は、投影光学系
３の作用により反転・縮小される。投影光学系３で縮小
されたビームＢ３は、ウエハステージ９上に結像され
る。
【００１５】投影光学系３の下方には、偏向器５が配置
されている。偏向器５は、静電力あるいは電磁力でビー
ムＢ３を偏向させ、ウエハステージ９上の所望の位置に
ビームＢ３を当てる。ビームＢ３は上述のようにウエハ
ステージ９上に結像する。この結像したビームを指標マ
ーク像１３とする。また、ウエハステージ９上には、フ
ィデュシャルマーク１５が形成されている。
されている。偏向器５は、静電力あるいは電磁力でビー
ムＢ３を偏向させ、ウエハステージ９上の所望の位置に
ビームＢ３を当てる。ビームＢ３は上述のようにウエハ
ステージ９上に結像する。この結像したビームを指標マ
ーク像１３とする。また、ウエハステージ９上には、フ
ィデュシャルマーク１５が形成されている。
【００１６】ウエハステージ９の上方には、反射電子検
出器７が配置されている。この反射電子検出器７は、ビ
ームＢ３がウエハステージ９上のフィデュシャル・マー
ク１５に当たって反射してくる電子を検出する。同反射
電子検出器７の信号を処理することにより、指標マーク
像１３とフィデュシャルマーク１５との相対的位置関係
を測定することができる。
出器７が配置されている。この反射電子検出器７は、ビ
ームＢ３がウエハステージ９上のフィデュシャル・マー
ク１５に当たって反射してくる電子を検出する。同反射
電子検出器７の信号を処理することにより、指標マーク
像１３とフィデュシャルマーク１５との相対的位置関係
を測定することができる。
【００１７】図１は、本発明の１実施例に係るフィデュ
シャルマークの詳細を模式的に示す図である。（Ａ）は
平面図であり、（Ｂ）は側面断面図である。このフィデ
ュシャルマーク１５は、低熱膨張率物質（例えばショッ
ト社製ゼロデュア）からなる基板３５と、その基板３５
の表面に形成された金属（Ｗ、Ｔａ等）のマーク本体３
１を有する。この例ではマーク本体３１は十字形であ
る。
シャルマークの詳細を模式的に示す図である。（Ａ）は
平面図であり、（Ｂ）は側面断面図である。このフィデ
ュシャルマーク１５は、低熱膨張率物質（例えばショッ
ト社製ゼロデュア）からなる基板３５と、その基板３５
の表面に形成された金属（Ｗ、Ｔａ等）のマーク本体３
１を有する。この例ではマーク本体３１は十字形であ
る。
【００１８】基板３５内には、網目状の導電線（導電性
物質層）３３が埋め込まれている。このような網目状と
したのは、できるだけ埋め込み面積を減らし、基板の低
熱膨張特性を阻害しないようにするためである。導電線
３３にはアース線３７が接続されており、フィデュシャ
ルマーク１５への電子線照射に伴って入射した電子が、
導電線３３からアース線３７を伝って流れる。したがっ
て、フィデュシャルマーク１５のチャージアップを避け
ることができる。
物質層）３３が埋め込まれている。このような網目状と
したのは、できるだけ埋め込み面積を減らし、基板の低
熱膨張特性を阻害しないようにするためである。導電線
３３にはアース線３７が接続されており、フィデュシャ
ルマーク１５への電子線照射に伴って入射した電子が、
導電線３３からアース線３７を伝って流れる。したがっ
て、フィデュシャルマーク１５のチャージアップを避け
ることができる。
【００１９】上記導電性物質層の埋め込み深さ（基板表
層３５の厚さ）は、例えば数十μm程度で効果があると
考えられる。具体的には、次の事項を考慮して、電子線
の加速電圧等に応じて実験で決めることができるが、 （１）導電性物質層からの反射電子によりフィデュシャ
ルマークの反射電子記号のコントラストの低下が問題と
ならない程度深くする。 （２）フィデュシャルマークに入射する電子が十分にア
ースに流れ、帯電が問題にならない程度に浅くする。
層３５の厚さ）は、例えば数十μm程度で効果があると
考えられる。具体的には、次の事項を考慮して、電子線
の加速電圧等に応じて実験で決めることができるが、 （１）導電性物質層からの反射電子によりフィデュシャ
ルマークの反射電子記号のコントラストの低下が問題と
ならない程度深くする。 （２）フィデュシャルマークに入射する電子が十分にア
ースに流れ、帯電が問題にならない程度に浅くする。
【００２０】このようなフィデュシャルマークを製作す
る方法は、基板の成形時に導電性物質層を埋め込む方法
や、基板３５の基層３５ｂの上に導電線３３を形成した
後に、導電性物質層上の基板表層（図１の３５ａ）を成
膜により形成する方法等を採用できる。
る方法は、基板の成形時に導電性物質層を埋め込む方法
や、基板３５の基層３５ｂの上に導電線３３を形成した
後に、導電性物質層上の基板表層（図１の３５ａ）を成
膜により形成する方法等を採用できる。
【００２１】図２は、本発明の他の１実施例に係るフィ
デュシャルマークの構成を模式的に示す図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面断面図である。この例の
フィデュシャルマーク１５′は、基板４５の表面にＣｒ
などの金属のコート層４１が設けられており、同表面の
一部分が基板４５が露出したマーク開口４２となってい
る。そしてマーク開口４２の下に、マーク開口と同形状
又は少し大き目の導電体層パターン４３を配置する。図
の左側のマーク開口４２及び導電体層パターン４３は、
十字形であり、図の右側のマーク開口４２′及び導電体
層パターン４３′は正方形である。各導電体層パターン
４３、４３′はアース線４７、４７′に接続されてい
る。なお表面コート層４１もアース線４７に接続されて
いる。
デュシャルマークの構成を模式的に示す図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面断面図である。この例の
フィデュシャルマーク１５′は、基板４５の表面にＣｒ
などの金属のコート層４１が設けられており、同表面の
一部分が基板４５が露出したマーク開口４２となってい
る。そしてマーク開口４２の下に、マーク開口と同形状
又は少し大き目の導電体層パターン４３を配置する。図
の左側のマーク開口４２及び導電体層パターン４３は、
十字形であり、図の右側のマーク開口４２′及び導電体
層パターン４３′は正方形である。各導電体層パターン
４３、４３′はアース線４７、４７′に接続されてい
る。なお表面コート層４１もアース線４７に接続されて
いる。
【００２２】導電体層のパターンは、局所的なアースル
ープなどを作らないようにするなど、ゼロデュア表面の
マークに対して最適な形状を設計、配置できる。なお、
アースループがあると、ループ内の電位差が生じた場合
に電流が流れて有害な磁場が生じたり、アースラインに
ノイズが乗るおそれがある。
ープなどを作らないようにするなど、ゼロデュア表面の
マークに対して最適な形状を設計、配置できる。なお、
アースループがあると、ループ内の電位差が生じた場合
に電流が流れて有害な磁場が生じたり、アースラインに
ノイズが乗るおそれがある。
【００２３】次に本発明の露光装置の使用形態の一例を
説明する。図４は、本発明の半導体デバイス製造方法の
一例を示すフローチャートである。この例の製造工程は
以下の各主工程を含む。 ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備
するウエハ準備工程） 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又
はマスクを準備するマスク準備工程） ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング
工程 ウエハ上に形成されたチップを１個づつ切り出し、動
作可能にならしめるチップ組立工程 できたチップを検査するチップ検査工程 なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程から
なっている。
説明する。図４は、本発明の半導体デバイス製造方法の
一例を示すフローチャートである。この例の製造工程は
以下の各主工程を含む。 ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備
するウエハ準備工程） 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又
はマスクを準備するマスク準備工程） ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング
工程 ウエハ上に形成されたチップを１個づつ切り出し、動
作可能にならしめるチップ組立工程 できたチップを検査するチップ検査工程 なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程から
なっている。
【００２４】この主工程の中で、半導体のデバイスの性
能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハプロセッシン
グ工程である。この工程では、設計された回路パターン
をウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作す
るチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工
程は以下の各工程を含む。 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を
形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤや
スパッタリング等を用いる） この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程 薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマス
ク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成する
リソグラフィー工程 レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエ
ッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる） イオン・不純物注入拡散工程 レジスト剥離工程 さらに加工されたウエハを検査する検査工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハプロセッシン
グ工程である。この工程では、設計された回路パターン
をウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作す
るチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工
程は以下の各工程を含む。 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を
形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤや
スパッタリング等を用いる） この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程 薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマス
ク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成する
リソグラフィー工程 レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエ
ッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる） イオン・不純物注入拡散工程 レジスト剥離工程 さらに加工されたウエハを検査する検査工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
【００２５】図５は、図４のウエハプロセッシング工程
の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャート
である。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含
む。 前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレ
ジストをコートするレジスト塗布工程 レジストを露光する露光工程 露光されたレジストを現像してレジストのパターンを
得る現像工程 現像されたレジストパターンを安定化させるためのア
ニール工程 上記露光工程に本発明の露光装置を用いると、リソグラ
フィー工程のパターン形成の精度が大幅に改善される。
特に、必要な最小線幅、及びそれに見合った重ね合わせ
精度を実現することに係わる工程はリソグラフィー工
程、その中でも位置合わせ制御を含めた露光工程であ
り、本発明の適用により、今まで困難であった半導体デ
バイスの製造が可能になる。
の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャート
である。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含
む。 前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレ
ジストをコートするレジスト塗布工程 レジストを露光する露光工程 露光されたレジストを現像してレジストのパターンを
得る現像工程 現像されたレジストパターンを安定化させるためのア
ニール工程 上記露光工程に本発明の露光装置を用いると、リソグラ
フィー工程のパターン形成の精度が大幅に改善される。
特に、必要な最小線幅、及びそれに見合った重ね合わせ
精度を実現することに係わる工程はリソグラフィー工
程、その中でも位置合わせ制御を含めた露光工程であ
り、本発明の適用により、今まで困難であった半導体デ
バイスの製造が可能になる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、非導電性物質からなる低熱膨張率基板のチャ
ージアップを防止でき、正確なマーク位置検出が可能な
フィデュシャルマークを提供できる。また、そのような
フィデュシャルマークを有する、高精度のパターン形成
が可能な荷電粒子線露光装置を提供できる。さらには、
そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半導体
デバイス製造を行う方法を提供できる。
によれば、非導電性物質からなる低熱膨張率基板のチャ
ージアップを防止でき、正確なマーク位置検出が可能な
フィデュシャルマークを提供できる。また、そのような
フィデュシャルマークを有する、高精度のパターン形成
が可能な荷電粒子線露光装置を提供できる。さらには、
そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半導体
デバイス製造を行う方法を提供できる。
【図１】本発明の１実施例に係るフィデュシャルマーク
の詳細を模式的に示す図である。（Ａ）は平面図であ
り、（Ｂ）は側面断面図である。
の詳細を模式的に示す図である。（Ａ）は平面図であ
り、（Ｂ）は側面断面図である。
【図２】本発明の他の１実施例に係るフィデュシャルマ
ークの構成を模式的に示す図である。（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は側面断面図である。
ークの構成を模式的に示す図である。（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は側面断面図である。
【図３】本発明の１実施例に係る露光装置（電子線縮小
転写装置）の構成を示す斜視図である。
転写装置）の構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図５】図４のウエハプロセッシング工程の中核をなす
リソグラフィー工程を示すフローチャートである。
リソグラフィー工程を示すフローチャートである。
１ マスクステージ ３ 投影光学
系 ５ 偏向器 ７ 反射電子
検出器 ９ ウエハステージ １１ ビーム成
形用パターン １３ 成形ビーム １５ フィデ
ュシャルマーク ３１ マーク本体 ３３ 網目
状導電線 ３５ 基板 ３５ａ 表層 ３５ｂ 基層 ３７ アー
ス線 ４１ 金属コート層 ４２ マー
ク開口 ４３ 導電性物質層 ４５ 基板 ４７ アース線
系 ５ 偏向器 ７ 反射電子
検出器 ９ ウエハステージ １１ ビーム成
形用パターン １３ 成形ビーム １５ フィデ
ュシャルマーク ３１ マーク本体 ３３ 網目
状導電線 ３５ 基板 ３５ａ 表層 ３５ｂ 基層 ３７ アー
ス線 ４１ 金属コート層 ４２ マー
ク開口 ４３ 導電性物質層 ４５ 基板 ４７ アース線
Claims (6)
- 【請求項１】 低熱膨張率で非導電性の物質からなる基
板と、 該基板表面に形成された荷電粒子線照射を受けるマーク
本体と、 該基板内又は裏面に設けられアース接続された導電性物
質層と、を備えることを特徴とするフィデュシャルマー
ク。 - 【請求項２】 感応基板上に荷電粒子線を照射してパタ
ーンを形成する荷電粒子線露光装置であって；該感応基
板を載置するステージ上に、荷電粒子線照射位置と該ス
テージとの相対的位置関係あるいは荷電粒子線束形状を
測定するフィデュシャルマークが設置されており、 このフィデュシャルマークが、 低熱膨張率で非導電性の物質からなる基板と、 該基板表面に形成された荷電粒子線照射を受けるマーク
本体と、 該基板内又は裏面に設けられアース接続された導電性物
質層と、を備えることを特徴とする荷電粒子線露光装
置。 - 【請求項３】 上記導電性物質層が網目状に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のフィデュシャルマ
ーク又は請求項２記載の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項４】 上記マーク本体の形状に対応して、上記
荷電粒子線の直接照射を受ける部位のみに上記導電性物
質層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の
フィデュシャルマーク又は請求項２記載の荷電粒子線露
光装置。 - 【請求項５】 上記導電性物質層が、上記フィデュシャ
ルマーク全体の熱膨張に影響を与えず、チャージアップ
防止に有効なパターン形状であることを特徴とする請求
項１記載のフィデュシャルマーク又は請求項２記載の荷
電粒子線露光装置。 - 【請求項６】 請求項２〜５のいずれかに記載の荷電粒
子線露光装置を用いてリソグラフィー工程の露光を行う
ことを特徴とする半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155192A JP2000348997A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | フィデュシャルマーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
| US09/513,308 US6429090B1 (en) | 1999-03-03 | 2000-02-25 | Fiducial mark bodies for charged-particle-beam (CPB) microlithography, methods for making same, and CPB microlithography apparatus comprising same |
| US10/068,172 US6632722B2 (en) | 1999-03-03 | 2002-02-06 | Fiducial mark bodies for charged-particle-beam (CPB) microlithography, methods for making same, and CPB microlithography apparatus comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155192A JP2000348997A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | フィデュシャルマーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000348997A true JP2000348997A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15600511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11155192A Pending JP2000348997A (ja) | 1999-03-03 | 1999-06-02 | フィデュシャルマーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000348997A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531786B1 (en) | 1999-06-02 | 2003-03-11 | Nikon Corporation | Durable reference marks for use in charged-particle-beam (CPB) microlithography, and CPB microlithography apparatus and methods comprising same |
| US6830873B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-12-14 | Infineon Technologies Ag | Method for adjusting and expposing the second level of a phase-shift mask |
-
1999
- 1999-06-02 JP JP11155192A patent/JP2000348997A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531786B1 (en) | 1999-06-02 | 2003-03-11 | Nikon Corporation | Durable reference marks for use in charged-particle-beam (CPB) microlithography, and CPB microlithography apparatus and methods comprising same |
| US6830873B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-12-14 | Infineon Technologies Ag | Method for adjusting and expposing the second level of a phase-shift mask |
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|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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