JP2000349000A - 荷電粒子線用標準マーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 - Google Patents
荷電粒子線用標準マーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法Info
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- JP2000349000A JP2000349000A JP11155515A JP15551599A JP2000349000A JP 2000349000 A JP2000349000 A JP 2000349000A JP 11155515 A JP11155515 A JP 11155515A JP 15551599 A JP15551599 A JP 15551599A JP 2000349000 A JP2000349000 A JP 2000349000A
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性が高く、正確なマーク位置検出を行う
のに適した標準マークを提供する。 【解決手段】 本荷電粒子線用標準マーク１５は、低熱
膨張材からなる基板３５上に荷電粒子線照射を受けるパ
ターン３１が形成されている。パターン３１周辺の基板
表面に導電性物質層３３が形成されている。この導電性
物質層３３は、荷電粒子線が基板内に進入しない程度の
厚さを有し、アース３７に接続されている。
のに適した標準マークを提供する。 【解決手段】 本荷電粒子線用標準マーク１５は、低熱
膨張材からなる基板３５上に荷電粒子線照射を受けるパ
ターン３１が形成されている。パターン３１周辺の基板
表面に導電性物質層３３が形成されている。この導電性
物質層３３は、荷電粒子線が基板内に進入しない程度の
厚さを有し、アース３７に接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線やイオンビ
ームの照射を受ける標準マーク及びそれを有する荷電粒
子線露光装置に関する。特には、耐久性が高く、正確な
マーク位置検出を行うのに適した標準マーク、及び、そ
のような標準マークを有し高精度のパターン形成を行う
ことのできる荷電粒子線露光装置に関する。さらには、
そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半導体
デバイス製造を行う方法に関する。
ームの照射を受ける標準マーク及びそれを有する荷電粒
子線露光装置に関する。特には、耐久性が高く、正確な
マーク位置検出を行うのに適した標準マーク、及び、そ
のような標準マークを有し高精度のパターン形成を行う
ことのできる荷電粒子線露光装置に関する。さらには、
そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半導体
デバイス製造を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線露光装置においては、通常、
ビーム調整のための標準マークが感応基板ステージ上に
設けられている。ここにいうビーム調整とは、フォーカ
ス、倍率、回転などの調整、補正値の測定（キャリブレ
ーション）、ベースラインチェック（光軸とアライメン
ト光学系の位置関係のチェック）などを指す。
ビーム調整のための標準マークが感応基板ステージ上に
設けられている。ここにいうビーム調整とは、フォーカ
ス、倍率、回転などの調整、補正値の測定（キャリブレ
ーション）、ベースラインチェック（光軸とアライメン
ト光学系の位置関係のチェック）などを指す。
【０００３】ところで、標準マークの基板を低熱膨張物
質（例えばショット（SCHOTT) 社（独）製ゼロデュア
（ZERODUR ）で形成し、基板上に軽金属薄膜でコーティ
ング、重金属薄膜でパターニングを施した標準マークは
公知である。このような標準マークを用いることによ
り、露光装置内の温度変化によるベースラインの変化を
防止することができる。
質（例えばショット（SCHOTT) 社（独）製ゼロデュア
（ZERODUR ）で形成し、基板上に軽金属薄膜でコーティ
ング、重金属薄膜でパターニングを施した標準マークは
公知である。このような標準マークを用いることによ
り、露光装置内の温度変化によるベースラインの変化を
防止することができる。
【０００４】図３は、従来の標準マークの一例を示す断
面図である。この標準マーク１５′は、ショット社製の
ゼロデュア等の低熱膨張物質からなる基板４５を有し、
基板４５上には、ＴａやＷからなる重金属パターン４３
が形成されている。基板４５上には、Ｃｒ等の軽金属か
らなる金属コート層４１が形成されている。重金属パタ
ーン４３は厚い方がコントラストの面で有利であるが、
微小パターンであるために現実には厚さ１μm 程度が限
界である。金属コート層４１（クロム薄膜）の厚さは、
種々の条件（反射電子のコントラスト、金属薄膜の熱膨
張、作製の容易さ）を考慮して、０．１μm が適当であ
ると考えられていた。
面図である。この標準マーク１５′は、ショット社製の
ゼロデュア等の低熱膨張物質からなる基板４５を有し、
基板４５上には、ＴａやＷからなる重金属パターン４３
が形成されている。基板４５上には、Ｃｒ等の軽金属か
らなる金属コート層４１が形成されている。重金属パタ
ーン４３は厚い方がコントラストの面で有利であるが、
微小パターンであるために現実には厚さ１μm 程度が限
界である。金属コート層４１（クロム薄膜）の厚さは、
種々の条件（反射電子のコントラスト、金属薄膜の熱膨
張、作製の容易さ）を考慮して、０．１μm が適当であ
ると考えられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ただしこの場合、高加
速の電子線がクロムのコーティングを透過して基板４５
に進入し基板表面にダメージを与える恐れがある。すな
わち、低熱膨張物質の多くは電気抵抗が高いことから、
高加速の入射荷電粒子ビームが重金属パターン４３、金
属コート層４１を通過して低熱膨張物質の基板４５に進
入し、帯電・放電を起こし基板４５の表面にダメージを
与えることがある。標準マークは長時間安定した状態で
用いることが重要であるため表面へのダメージは非常に
重大な問題である。
速の電子線がクロムのコーティングを透過して基板４５
に進入し基板表面にダメージを与える恐れがある。すな
わち、低熱膨張物質の多くは電気抵抗が高いことから、
高加速の入射荷電粒子ビームが重金属パターン４３、金
属コート層４１を通過して低熱膨張物質の基板４５に進
入し、帯電・放電を起こし基板４５の表面にダメージを
与えることがある。標準マークは長時間安定した状態で
用いることが重要であるため表面へのダメージは非常に
重大な問題である。
【０００６】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たもので、耐久性が高く、正確なマーク位置検出を行う
のに適した標準マーク、及び、そのような標準マークを
有し高精度のパターン形成を行うことのできる荷電粒子
線露光装置を提供することを目的とする。さらには、そ
のような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半導体デ
バイス製造を行う方法を提供することを目的とする。
たもので、耐久性が高く、正確なマーク位置検出を行う
のに適した標準マーク、及び、そのような標準マークを
有し高精度のパターン形成を行うことのできる荷電粒子
線露光装置を提供することを目的とする。さらには、そ
のような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半導体デ
バイス製造を行う方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の荷電粒子線用標準マークは、低熱膨張材か
らなる基板上に荷電粒子線照射を受けるパターンが形成
されている標準マークであって； 該パターン周辺の基
板表面に、上記荷電粒子線が基板内に進入しない程度の
厚さを有するアース接続された導電性物質層が形成され
ていることを特徴とする。
め、本発明の荷電粒子線用標準マークは、低熱膨張材か
らなる基板上に荷電粒子線照射を受けるパターンが形成
されている標準マークであって； 該パターン周辺の基
板表面に、上記荷電粒子線が基板内に進入しない程度の
厚さを有するアース接続された導電性物質層が形成され
ていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の荷電粒子線露光装置は、感
応基板上にパターンを形成する荷電粒子線露光装置であ
って、 感応基板を載置するステージ上に荷電粒子線ビ
ーム調整用の標準マークを備え、 該標準マークが、低
熱膨張材からなる基板上に荷電粒子線照射を受けるパタ
ーンが形成されたものであり； 該パターン周辺の基板
表面に、上記荷電粒子線が基板内に進入しない程度の厚
さを有するアース接続された導電性物質層が形成されて
いることを特徴とする。
応基板上にパターンを形成する荷電粒子線露光装置であ
って、 感応基板を載置するステージ上に荷電粒子線ビ
ーム調整用の標準マークを備え、 該標準マークが、低
熱膨張材からなる基板上に荷電粒子線照射を受けるパタ
ーンが形成されたものであり； 該パターン周辺の基板
表面に、上記荷電粒子線が基板内に進入しない程度の厚
さを有するアース接続された導電性物質層が形成されて
いることを特徴とする。
【０００９】軽金属薄膜等の導電性物質層を、入射した
荷電粒子線が低熱膨張物質中に進入しない程度に厚くす
ることで、基板に進入する荷電粒子線を少なくすること
ができる。そのため、荷電粒子線が基板に進入して帯電
・放電を起こし基板表面にダメージを与える現象を防ぐ
ことができる。なお、上記導電性物質層に進入した荷電
粒子線の電子や電荷はアース線を伝って放出される。こ
れにより低熱膨張物質基板を用いた標準マークを安定し
た状態で長期間使用できることになり、荷電粒子線転写
装置のビーム調整が非常に高精度に行える。
荷電粒子線が低熱膨張物質中に進入しない程度に厚くす
ることで、基板に進入する荷電粒子線を少なくすること
ができる。そのため、荷電粒子線が基板に進入して帯電
・放電を起こし基板表面にダメージを与える現象を防ぐ
ことができる。なお、上記導電性物質層に進入した荷電
粒子線の電子や電荷はアース線を伝って放出される。こ
れにより低熱膨張物質基板を用いた標準マークを安定し
た状態で長期間使用できることになり、荷電粒子線転写
装置のビーム調整が非常に高精度に行える。
【００１０】本発明の半導体デバイス製造方法は、上記
荷電粒子線露光装置を用いてリソグラフィー工程の露光
を行うことを特徴とする。
荷電粒子線露光装置を用いてリソグラフィー工程の露光
を行うことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図２は、本発明の１実施例に係る露光装置（電子線
縮小転写装置）の構成を示す斜視図である。マスクステ
ージ１は、図示せぬ照明光学系により図の上方から照明
ビームＢ１を受ける。マスクステージ１上には、複数の
帯状のパターンの集合体であるビーム成形用パターン
（指標マーク）１１が形成されている。通常は、ビーム
成形用パターン１１は、マスクステージ１（又はマス
ク）に孔の開いたものである。照明ビームＢ１は、ビー
ム成形用パターン１１を通過して成形されビームＢ２と
なる。
る。図２は、本発明の１実施例に係る露光装置（電子線
縮小転写装置）の構成を示す斜視図である。マスクステ
ージ１は、図示せぬ照明光学系により図の上方から照明
ビームＢ１を受ける。マスクステージ１上には、複数の
帯状のパターンの集合体であるビーム成形用パターン
（指標マーク）１１が形成されている。通常は、ビーム
成形用パターン１１は、マスクステージ１（又はマス
ク）に孔の開いたものである。照明ビームＢ１は、ビー
ム成形用パターン１１を通過して成形されビームＢ２と
なる。
【００１２】マスクステージ１の下には投影光学系３が
配置されている。投影光学系３中には電磁レンズやダイ
ナミックフォーカスコイル、非点補正コイル、倍率・回
転調整コイル等（いずれも図示されず）が配置されてい
る。投影光学系３に入射するビームＢ２は、投影光学系
３の作用により反転・縮小される。投影光学系３で縮小
されたビームＢ３は、ウエハステージ９上に結像され
る。
配置されている。投影光学系３中には電磁レンズやダイ
ナミックフォーカスコイル、非点補正コイル、倍率・回
転調整コイル等（いずれも図示されず）が配置されてい
る。投影光学系３に入射するビームＢ２は、投影光学系
３の作用により反転・縮小される。投影光学系３で縮小
されたビームＢ３は、ウエハステージ９上に結像され
る。
【００１３】投影光学系３の下方には、偏向器５が配置
されている。偏向器５は、静電力あるいは電磁力でビー
ムＢ３を偏向させ、ウエハステージ９上の所望の位置に
ビームＢ３を当てる。ビームＢ３は上述のようにウエハ
ステージ９上に結像する。この結像したビームを指標マ
ーク像１３とする。また、ウエハステージ９上には、フ
ィデュシャルマーク１５が形成されている。
されている。偏向器５は、静電力あるいは電磁力でビー
ムＢ３を偏向させ、ウエハステージ９上の所望の位置に
ビームＢ３を当てる。ビームＢ３は上述のようにウエハ
ステージ９上に結像する。この結像したビームを指標マ
ーク像１３とする。また、ウエハステージ９上には、フ
ィデュシャルマーク１５が形成されている。
【００１４】ウエハステージ９の上方には、反射電子検
出器７が配置されている。この反射電子検出器７は、ビ
ームＢ３がウエハステージ９上のフィデュシャルマーク
１５に当たって反射してくる電子を検出する。同反射電
子検出器７の信号を処理することにより、指標マーク像
１３とフィデュシャルマーク１５との相対的位置関係を
測定することができる。フィデュシャルマーク１５の形
成されている基板１６は図の左方向に延びており、その
右端にベースラインチェック用の光用マーク１７が形成
されている。アライメントセンサ１８は光学式のマーク
検出装置である。ベースラインチェックは、電子線で電
子線用フィデュシャルマーク１５を検出し、アライメン
トセンサ１８で光用マーク１７を検出し、電子線光軸と
アライメント光学系の位置関係を測定することにより行
う。両マーク１５、１７の距離（基板１６の長さ）が長
いため、誤差の少ないベースラインチェックを行うに
は、基板１６の低熱膨張性が不可欠である。
出器７が配置されている。この反射電子検出器７は、ビ
ームＢ３がウエハステージ９上のフィデュシャルマーク
１５に当たって反射してくる電子を検出する。同反射電
子検出器７の信号を処理することにより、指標マーク像
１３とフィデュシャルマーク１５との相対的位置関係を
測定することができる。フィデュシャルマーク１５の形
成されている基板１６は図の左方向に延びており、その
右端にベースラインチェック用の光用マーク１７が形成
されている。アライメントセンサ１８は光学式のマーク
検出装置である。ベースラインチェックは、電子線で電
子線用フィデュシャルマーク１５を検出し、アライメン
トセンサ１８で光用マーク１７を検出し、電子線光軸と
アライメント光学系の位置関係を測定することにより行
う。両マーク１５、１７の距離（基板１６の長さ）が長
いため、誤差の少ないベースラインチェックを行うに
は、基板１６の低熱膨張性が不可欠である。
【００１５】図２においては、ライン・アンド・スペー
ス形の標準マークを用いた荷電粒子線転写装置のビーム
調整の様子を示す。この場合レチクルによりライン・ア
ンド・スペースに成形されたビームを対応するライン・
アンド・スペース状の標準マーク上でスキャンし、ビー
ム位置の設計値からのずれを測定することによりビーム
調整（キャリブレーション、ベースラインチェックな
ど）を行っている。
ス形の標準マークを用いた荷電粒子線転写装置のビーム
調整の様子を示す。この場合レチクルによりライン・ア
ンド・スペースに成形されたビームを対応するライン・
アンド・スペース状の標準マーク上でスキャンし、ビー
ム位置の設計値からのずれを測定することによりビーム
調整（キャリブレーション、ベースラインチェックな
ど）を行っている。
【００１６】図１は、本発明の１実施例に係る標準マー
クの構成を模式的に示す断面図である。この標準マーク
１５は、ショット社製のゼロデュア等からなる基板３５
を有する。この基板３５の上には、金属コート層３３が
形成されている。さらに、金属コート層３３の上に、Ｔ
ａやＷなどの重金属からなるパターン３１が形成されて
いる。金属コート層３３は、アース線３７に接続されて
いる。
クの構成を模式的に示す断面図である。この標準マーク
１５は、ショット社製のゼロデュア等からなる基板３５
を有する。この基板３５の上には、金属コート層３３が
形成されている。さらに、金属コート層３３の上に、Ｔ
ａやＷなどの重金属からなるパターン３１が形成されて
いる。金属コート層３３は、アース線３７に接続されて
いる。
【００１７】十分に厚い低熱膨張物質（ゼロデュア等）
の基板３５上に、入射した高加速の荷電粒子線が透過し
ない程度に厚い軽金属薄膜（クロム等）をコーティング
して金属コート層３３を形成する。その上に重金属薄膜
（タンタル等）でパターニングしてマークパターン３１
を形成する。軽金属薄膜によるコーティングの厚さは、
現実には数μm 〜数１０μm （一例２０μm ）程度が適
当である。入射した高加速の荷電粒子線は軽金属薄膜の
コート層３３に吸収されてアースされるため、荷電粒子
線が基板３５に進入して帯電・放電を起こし基板３５に
ダメージを与える現象を予防することができる。
の基板３５上に、入射した高加速の荷電粒子線が透過し
ない程度に厚い軽金属薄膜（クロム等）をコーティング
して金属コート層３３を形成する。その上に重金属薄膜
（タンタル等）でパターニングしてマークパターン３１
を形成する。軽金属薄膜によるコーティングの厚さは、
現実には数μm 〜数１０μm （一例２０μm ）程度が適
当である。入射した高加速の荷電粒子線は軽金属薄膜の
コート層３３に吸収されてアースされるため、荷電粒子
線が基板３５に進入して帯電・放電を起こし基板３５に
ダメージを与える現象を予防することができる。
【００１８】次に本発明の露光装置の使用形態の一例を
説明する。図４は、本発明の半導体デバイス製造方法の
一例を示すフローチャートである。この製造工程は以下
の各主工程を含む。 ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備
するウエハ準備工程） 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又
はマスクを準備するマスク準備工程） ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング
工程 ウエハ上に形成されたチップを１個づつ切り出し、動
作可能にならしめるチップ組立工程 できたチップを検査するチップ検査工程 なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程から
なっている。
説明する。図４は、本発明の半導体デバイス製造方法の
一例を示すフローチャートである。この製造工程は以下
の各主工程を含む。 ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備
するウエハ準備工程） 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又
はマスクを準備するマスク準備工程） ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング
工程 ウエハ上に形成されたチップを１個づつ切り出し、動
作可能にならしめるチップ組立工程 できたチップを検査するチップ検査工程 なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程から
なっている。
【００１９】この主工程の中で、半導体のデバイスの性
能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハプロセッシン
グ工程である。この工程では、設計された回路パターン
をウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作す
るチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工
程は以下の各工程を含む。 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を
形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤや
スパッタリング等を用いる） この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程 薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマス
ク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成する
リソグラフィー工程 レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエ
ッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる） イオン・不純物注入拡散工程 レジスト剥離工程 さらに加工されたウエハを検査する検査工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハプロセッシン
グ工程である。この工程では、設計された回路パターン
をウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作す
るチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工
程は以下の各工程を含む。 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を
形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤや
スパッタリング等を用いる） この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程 薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマス
ク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成する
リソグラフィー工程 レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエ
ッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる） イオン・不純物注入拡散工程 レジスト剥離工程 さらに加工されたウエハを検査する検査工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
【００２０】図５は、図４のウエハプロセッシング工程
の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャート
である。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含
む。 前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレ
ジストをコートするレジスト塗布工程 レジストを露光する露光工程 露光されたレジストを現像してレジストのパターンを
得る現像工程 現像されたレジストパターンを安定化させるためのア
ニール工程 上記露光工程に本発明の露光装置を用いると、リソグラ
フィー工程のパターン形成の精度が大幅に改善される。
特に、必要な最小線幅、及びそれに見合った重ね合わせ
精度を実現することに係わる工程はリソグラフィー工
程、その中でも位置合わせ制御を含めた露光工程であ
り、本発明の適用により、今まで困難であった半導体デ
バイスの製造が可能になる。
の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャート
である。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含
む。 前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレ
ジストをコートするレジスト塗布工程 レジストを露光する露光工程 露光されたレジストを現像してレジストのパターンを
得る現像工程 現像されたレジストパターンを安定化させるためのア
ニール工程 上記露光工程に本発明の露光装置を用いると、リソグラ
フィー工程のパターン形成の精度が大幅に改善される。
特に、必要な最小線幅、及びそれに見合った重ね合わせ
精度を実現することに係わる工程はリソグラフィー工
程、その中でも位置合わせ制御を含めた露光工程であ
り、本発明の適用により、今まで困難であった半導体デ
バイスの製造が可能になる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、低熱膨張物質基板を用いた荷電粒子線用標準
マークに対するダメージを予防できるため、低熱膨張の
標準マークを安定した状態で長期間使用することができ
る。これによりビーム調整が高精度かつ効率よく行える
ため、高解像度、高重ね合わせ精度、高スループットの
転写露光を安定して長期間行えるようになる。さらに
は、そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半
導体デバイス製造を行う方法を提供できる。
によれば、低熱膨張物質基板を用いた荷電粒子線用標準
マークに対するダメージを予防できるため、低熱膨張の
標準マークを安定した状態で長期間使用することができ
る。これによりビーム調整が高精度かつ効率よく行える
ため、高解像度、高重ね合わせ精度、高スループットの
転写露光を安定して長期間行えるようになる。さらに
は、そのような荷電粒子線露光装置を用い、高精度の半
導体デバイス製造を行う方法を提供できる。
【図１】本発明の１実施例に係る標準マークの構成を模
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
【図２】本発明の１実施例に係る露光装置（電子線縮小
転写装置）の構成を示す斜視図である。
転写装置）の構成を示す斜視図である。
【図３】従来の標準マークの一例を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図５】図４のウエハプロセッシング工程の中核をなす
リソグラフィー工程を示すフローチャートである。
リソグラフィー工程を示すフローチャートである。
１ レチクル ３ 投影光学系 ５ 偏向器 ７ 反射電子検出
器 ９ ウェハステージ １１ ビーム成形用
パターン １３ 成形ビーム １５ 指標マーク ３１ 重金属パターン ３３ 金属コート
層 ３５ 低熱膨張物質基板 ３７ アース線
器 ９ ウェハステージ １１ ビーム成形用
パターン １３ 成形ビーム １５ 指標マーク ３１ 重金属パターン ３３ 金属コート
層 ３５ 低熱膨張物質基板 ３７ アース線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 低熱膨張材からなる基板上に荷電粒子線
照射を受けるパターンが形成されている標準マークであ
って；該パターン周辺の基板表面に、上記荷電粒子線が
基板内に進入しない程度の厚さを有するアース接続され
た導電性物質層が形成されていることを特徴とする荷電
粒子線用標準マーク。 - 【請求項２】 感応基板上にパターンを形成する荷電粒
子線露光装置であって、 感応基板を載置するステージ上に荷電粒子線ビーム調整
用の標準マークを備え、 該標準マークが、低熱膨張材からなる基板上に荷電粒子
線照射を受けるパターンが形成されたものであり、 該パターン周辺の基板表面に、上記荷電粒子線が基板内
に進入しない程度の厚さを有するアース接続された導電
性物質層が形成されていることを特徴とする荷電粒子線
露光装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の荷電粒子線露光装置を用
いてリソグラフィー工程の露光を行うことを特徴とする
半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP11155515A JP2000349000A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 荷電粒子線用標準マーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11155515A JP2000349000A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 荷電粒子線用標準マーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
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|---|---|
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ID=15607751
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Cited By (1)
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