JP2000349059A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は基板の洗浄を確実に行うことがで
きるようにした半導体装置の製造方法を提供することに
ある。 【解決手段】 基板１０に薄膜を成膜して形成される半
導体装置の製造方法において、上記基板を洗浄液によっ
て洗浄する洗浄工程と、洗浄された基板を乾燥させる乾
燥工程とを具備し、上記洗浄工程は洗浄液をノズル体１
１ａから上記基板に向けて高圧で噴射することを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は基板に薄膜を成膜
して形成される半導体装置の製造方法及び製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、半導体装置としての薄膜タイ
プの太陽電池パネルを製造する場合、透明導電膜からな
る第１の電極が形成されたガラスなどの材料からなる基
板に半導体膜を成膜し、さらにその上に金属膜からなる
第２の電極を形成するようにしている。

【０００３】基板に半導体膜や金属膜等の薄膜を成膜す
る際、その基板にパーティクルが付着していると欠陥の
発生原因となる。とくに、薄膜タイプの太陽電池パネル
は、基板の板面ほぼ全体に半導体膜を成膜した後、溝加
工することで複数のセルに分割してからその上面に金属
膜を成膜するため、溝加工時に生じる切り滓やばりなど
のパーティクルが上記金属膜に入り込んで欠陥の発生原
因になり易いということがあった。

【０００４】したがって、上記基板は半導体膜や金属膜
などの薄膜の成膜時には、必ず洗浄を行い、パーティク
ルの残留に基づく欠陥の発生を防止するようにしてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来、基板を洗浄する
ためにはブラシ洗浄や超音波洗浄が用いられている。ブ
ラシ洗浄を単独で行うだけでは十分な洗浄効果を得るこ
とができないが、ブラシ洗浄と超音波洗浄とを組み合せ
ることで、かなりの洗浄効果を得ることが可能となる。
超音波洗浄は超音波振動が与えられた洗浄液によって基
板を洗浄するため、基板の被洗浄面において洗浄液が均
一に分布しないと洗浄も均一に行えないということがあ
る。

【０００６】しかしながら、超音波洗浄は超音波振動が
与えられた洗浄液をシャワーノズルで基板に向けて噴射
したり、洗浄槽内の洗浄液に超音波振動を与え、基板を
その洗浄槽内を通して搬送するなどしている。

【０００７】そのため、前者の場合にはシャワーノズル
から噴射される洗浄液が基板の被洗浄面で均一に分布し
にくいということがあり、又後者の場合には通常、基板
は被洗浄面を上にして搬送されるから、その場合にも被
洗浄面に洗浄液が均一に分布しにくくなるということが
あり、これらのことによって均一な洗浄が行えないこと
がある。

【０００８】さらに、ブラシ洗浄や超音波洗浄では、半
導体膜に溝加工することで、その溝のエッジ部分などに
生じたばりを確実に除去することが難しいということが
あった。

【０００９】この発明は、基板を均一に、しかもパーテ
ィクルが残留することなく確実に洗浄することができる
ようにした半導体装置の製造方法及び製造装置を提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に薄膜を成膜して形成される半導体装置の製造方法にお
いて、上記基板を洗浄液によって洗浄する洗浄工程と、
洗浄された基板を乾燥させる乾燥工程と、を具備し、上
記洗浄工程は洗浄液をノズル体から上記基板に向けて高
圧で噴射することを特徴とする半導体装置の製造方法に
ある。

【００１１】請求項２の発明は、乾燥された基板に薄膜
を成膜する工程を備えていることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法にある。

【００１２】請求項３の発明は、上記洗浄工程は、上記
ノズル体に供給される洗浄液の圧力が１０ｋｇ／ｃｍ^２
以上、２６ｋｇ／ｃｍ^２以下であり、上記ノズル体と基
板との間隔が２〜１０ｃｍであることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法にある。

【００１３】請求項４の発明は、上記洗浄工程におい
て、上記基板は洗浄される板面をほぼ垂直にしているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法に
ある。

【００１４】請求項５の発明は、上記乾燥工程は、上記
洗浄工程で洗浄された基板に圧縮気体を噴射してこの基
板に付着した洗浄液を除去することを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法にある。

【００１５】請求項６の発明は、上記基板に噴射される
圧縮気体は所定温度に加熱されていることを特徴とする
請求項５記載の半導体装置の製造方法にある。

【００１６】請求項７の発明は、上記基板は薄膜タイプ
の太陽電池用のパネルであることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法にある。

【００１７】請求項８の発明は、基板に薄膜を成膜して
形成される半導体装置の製造装置において、上記基板を
洗浄液によって洗浄する洗浄処理部と、洗浄された基板
に圧縮気体を噴射してこの基板に付着した洗浄液を除去
する乾燥処理部と、を具備し、上記洗浄処理部は洗浄液
を基板に向けて高圧で噴射するノズル体を備えているこ
とを特徴とする半導体装置の製造装置にある。

【００１８】基板を洗浄する際に、ノズル体から基板に
向けて洗浄液を高圧で噴射するようにしたことで、基板
に付着したパーティクル、たとえば薄膜に溝を加工する
ことで生じる切り滓やばりなどのパーティクルを確実に
洗浄除去することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、この発明一実施の形態を図
１乃至図６を参照して説明する。

【００２０】図１はこの発明に係る半導体装置の製造装
置を示し、この製造装置は洗浄処理部１と、乾燥処理部
としての液切り処理部２と、成膜処理部３とを備えてい
る。

【００２１】上記洗浄処理部１は、図６に示すように予
め電極膜としての透明導電膜１０ａが形成されたガラス
製の基板１０を洗浄するようになっている。

【００２２】上記基板１０は、半導体装置としての薄膜
タイプの太陽電池パネルを構成するもので、上記成膜処
理部３で予め上記透明導電膜１０ａが形成された面（こ
の面を上面とする）に半導体膜１０ｂが成膜される。半
導体膜１０ｂは分離溝１０ｃによって複数のセル１０ｄ
に分割された後、その上面に電極膜としての金属膜１０
ｅが成膜される。上記半導体膜１０ｂや金属膜１０ｅは
この発明における薄膜である。

【００２３】上記基板１０は、上記半導体膜１０ｂや金
属膜１０ｅを成膜する前にそれぞれ上記洗浄処理部１で
洗浄処理された後、上記液切り処理部２で乾燥処理され
るようになっている。

【００２４】上記洗浄処理部１と液切り処理部２とに
は、図２と図３に示すように回転駆動される複数の搬送
ローラ４からなる搬送機構５が設けられている。上記基
板１０は、この搬送機構５によって上記洗浄処理部１か
ら液切り処理部２へと搬送されるようになっている。

【００２５】上記洗浄処理部１は図１と図２に示すよう
に高圧洗浄部６、第１の低圧洗浄部７及び第２の低圧洗
浄部８とが基板１０の搬送方向に沿って順次配置されて
なる。

【００２６】上記各洗浄部５，６，７は、基板１０の上
下面に対向し、かつ基板１０の搬送方向に沿って所定間
隔で離間して配置された上記基板１０の幅寸法よりも長
尺な複数のヘッダ管、この実施の形態では図３（ａ）に
示すように４本のヘッダ管９ａ，９ｂ，９ｃを有する。
各ヘッダ管には上記基板１０の上面及び下面にそれぞれ
対向するよう複数のノズル体１１ａ，１１ｂ，１１ｃが
設けられている。

【００２７】図２では各洗浄部５，６，７のヘッダ管９
ａ，９ｂ，９ｃは１本しか示されていないが、各洗浄部
は図３（ａ）に示すようにそれぞれ４本のヘッダ管を有
することは上述した通りである。なお、ヘッダ管９ａ，
９ｂ，９ｃの数は４本に限られず、それ以上であって
も、それ以下であってもよく、その数は基板１０の搬送
速度などに応じて適宜、設定すればよい。

【００２８】上記ノズル体１１ａ，１１ｂ，１１ｃとし
ては、この実施の形態では噴射角度が６０度のフラット
スプレータイプが用いられており、１つのノズル体の噴
射領域をＳとすると、ヘッダ管の長手方向において隣り
合うノズル体の間隔Ｗは、隣り合うノズル体の噴射領域
Ｓが離れることがないように設定されている。

【００２９】さらに、基板１０の搬送方向において隣り
合うヘッダ管９ａ，９ｂ，９ｃは、各ヘッダ管に設けら
れたノズル体が基板１の搬送方向と交差する方向に上記
間隔Ｗの２分の１づつ位置をずらして配置されている。

【００３０】それによって、各ノズル体１１ａ，１１
ｂ，１１ｃから噴射される洗浄液の領域は、図３（ｂ）
に示すように基板１０の搬送方向において、基板１０の
幅方向に位置をずらした千鳥状になるから、基板１の幅
方向を全長にわたって均一に洗浄することが可能とな
る。

【００３１】さらに、各ヘッダ管９ａ，９ｂ，９ｃは、
ノズル体１１ａ，１１ｂ，１１ｃが基板１０の板面に対
して２〜１２ｃｍの間隔で離間対向するよう配設されて
いる。

【００３２】上記高圧洗浄部６のヘッダ管９ａには純水
や洗剤を含む洗浄水などの洗浄液が高圧で供給される。
つまり、この実施の形態では、上記洗浄液は１０ｋｇ／
ｃｍ ^２以上で、２６ｋｇ／ｃｍ^２以下の圧力で供給され
る。

【００３３】実験によると、ばりの生じた半導体膜１０
ｂを有する基板１０に対して距離を２ｃｍとしてノズル
体１１ａを配置し、このノズル体１１ａに洗浄液を１０
ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で供給して噴射させたところ、上記
半導体膜１０ｂに形成されたばりを部分的に除去するこ
とができたが、１０ｋｇ／ｃｍ^２以下ではほとんど除去
することができなかった。

【００３４】上記基板１０に対するノズル体１１ａの距
離を１０ｃｍとし、洗浄液を２６ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で
供給して噴射させたところ、半導体膜１０ｂからばりが
除去されただけでなく、半導体膜１０ｂ自体も部分的に
除去されてしまった。

【００３５】したがって、以上の実験結果より、高圧洗
浄部６のノズル体１１ａに供給する洗浄液の圧力は１０
ｋｇ／ｃｍ^２以上で、２６ｋｇ／ｃｍ^２以下であること
がばりを除去する上で、好ましいことが確認された。

【００３６】上記第１の低圧洗浄部７は、そのヘッダ管
９ｂに高圧洗浄部６に比べて圧力の低い洗浄液が供給さ
れるようになっている。それによって、上記高圧洗浄部
６で洗い流されずに残留したパーティクルを、基板１０
から洗い流すようになっている。

【００３７】上記第２の低圧洗浄部８は、上記第１の低
圧洗浄部７とほぼ同じ圧力の洗浄液で基板１０を洗浄す
るようになっているが、洗浄液として第１の低圧洗浄部
７よりも高純度の純水が用いられているという点で異な
る。高純度の純水を用いることで、第１の低圧洗浄部７
で洗浄された基板１０をさらに清浄に洗浄することにな
る。

【００３８】上記第２の低圧洗浄部８で洗浄された基板
１０は上記液切り処理部２で乾燥処理される。この液切
り処理部２は搬送される基板１０の上面と下面とに対向
して設けられた一対のエアーナイフ２１からなる。この
エアーナイフ２１には清浄な圧縮気体としてたとえばア
ルパフィルタによって浄化された圧縮空気が供給される
ようになっている。なお、圧縮空気の吹き出し風速は１
０ｍ／秒程度に設定される。

【００３９】各エアーナイフ２１は図４（ａ）、（ｂ）
に示すように上記基板１０の幅寸法よりも長尺であっ
て、基板１０の上面及び下面に対向する端面には長さ方
向ほぼ全長にわたってスリット孔２２が形成されてい
る。

【００４０】そして、エアーナイフ２１は基板１０の搬
送方向と交差する水平方向に対して所定の角度で傾斜さ
せ、かつスリット孔２２を垂直方向に対して基板１０の
搬送方向後方に傾斜させて配置されている。

【００４１】各エアーナイフ２１に供給された圧縮空気
は、そのスリット孔２２から基板１０の上下面に向って
噴出される。それによって、上記基板１０の上下面に付
着した洗浄液は図４（ａ）に矢印で示すように基板１０
の搬送方向後方の幅方向一端側に押し寄せられるから、
その一端から円滑に除去されることになる。

【００４２】上記エアーナイフ２１に供給される圧縮空
気は室温よりも高い温度、たとえば４０〜１００℃程度
に加熱される。そのため、基板１０に付着した洗浄液は
圧縮空気の勢いによって除去されるだけでなく、圧縮空
気の熱によっても加熱乾燥されることになるから、乾燥
処理を効率よく確実に行うことができる。

【００４３】なお、圧縮空気を加熱しなくとも、基板１
０を所定の状態に乾燥させることはできる。また、圧縮
空気をイオン化して基板１０に噴射すれば、イオン化さ
れた圧縮空気の作用によって乾燥処理と同時に基板１０
を清浄化することが可能となる。

【００４４】上記液切り処理部２で乾燥処理された基板
１０は上記成膜処理部３へ直ちに搬送される。つまり、
基板１０は液切り処理部２で処理されて搬送ローラ４に
よって搬出されると、図示しないロボットによって上記
成膜処理部３に受け渡されるようになっている。

【００４５】液切り処理部２で乾燥処理された基板１０
を、成膜処理部３へ直ちに搬送するようにしたことで、
乾燥処理された基板１０に大気中のパーティクルが付着
する機会が少なくなる。つまり、基板１０を清浄な状態
で成膜処理部３に供給することができる。

【００４６】また、基板１０の乾燥処理を、従来のよう
にクリーンオーブンを用いず、圧縮空気によって行うよ
うにしたことで、乾燥処理を洗浄処理に連続して行うこ
とが可能となる。

【００４７】そのため、洗浄処理された基板１０をバッ
チ方式で乾燥処理する場合のように、洗浄されてから乾
燥処理されるまでに時間が掛かるということがなくなる
から、洗浄処理によって基板１０に付着した洗浄液が乾
燥処理される前に部分的に乾燥し、基板１０にウオータ
マークが形成されるのが防止される。

【００４８】上記成膜処理部３は、図４に示すように成
膜チャンバ２５を有する。この成膜チャンバ２５は上記
基板１０の上面に半導体膜をプラズマプロセス（ＣＶ
Ｄ）によって形成するもので、その成膜チャンバ２５の
一側には搬入口２６、他側には搬出口２７が形成されて
いる。また、成膜チャンバ２５には、内部にヒータ２８
ａを内蔵したテーブル２８及びこのテーブル２８の上面
に対向して高周波電極２９が配置されている。

【００４９】さらに、成膜チャンバ２５の上部には内部
に原料ガスを供給する第１の供給管３１及び不活性ガス
を供給する第２の供給管３２とが接続され、底部には排
気ポンプ３３を有する排気管３４が接続されている。

【００５０】上記成膜チャンバ２５の搬入口２６側には
ロードロックチャンバ３５が配置され、搬出口２７側に
はアン・ロードロックチャンバ３６が配置されている。
これらチャンバ３５，３６にはそれぞれ搬入口３５ａ，
３６ａと搬出口３５ｂ，３６ｂとが形成されている。

【００５１】上記ロードロックチャンバ３５の内部には
プレヒータ３７及び支持テーブル３８が配置され、底部
には排気ポンプ３９を有する排気管４０が接続されてい
る。

【００５２】また、ロードロックチャンバ３５の搬出口
３５ａと上記成膜チャンバ２５の搬入口２６とは第１の
接続体４１によって気密に接続され、成膜チャンバ２５
の搬出口２７と上記アン・ロードロックチャンバ３６の
搬入口３６ａとは第２の接続体４２によって気密に接続
されている。

【００５３】各チャンバ２５，３５，３６の搬入口と搬
出口とはそれぞれ開閉自在なシャッタ４３によって気密
に閉塞されるようになっており、さらに第１、第２の接
続体４１，４２の内部には図示しない受け渡し用のロボ
ットが配置されている。また、アン・ロードロックチャ
ンバ３６内には載置テーブル４４が設けられ、底部には
排気ポンプ４５を有する排気管４６が接続されている。

【００５４】上記液切り処理部２で乾燥処理された基板
１０が上記ロードロックチャンバ３５の保持テーブル３
８上に供給されると、上記搬入口３５ａが閉じられて内
部が減圧されるとともに、プレヒータ３７によって基板
１０が予熱される。予熱時、ロードロックチャンバ３８
は排気ポンプ３９によって減圧される。

【００５５】基板１０が予熱されると、ロードロックチ
ャンバ３８の搬入口３５ａが閉じられた状態で搬出口３
５ｂが開かれ、第１の接続体４１に設けられたロボット
がロードロックチャンバ３５に侵入して上記保持テーブ
ル３８から基板１０を受け取る。

【００５６】ついで、上記ロードロック室３５の搬出口
３５ｂがシャッタ４３によって気密に閉塞されると同時
に成膜チャンバ２５の搬入口２６が開かれ、第１の接続
体４１内に設けられた上記ロボットによって予熱された
基板１０が上記成膜チャンバ２５内のテーブル２８上に
供給され、上記ロボットが後退する。そして、搬入口２
６が閉じられ、内部が排気ポンプ３３によって減圧され
る。

【００５７】成膜チャンバ２５内が所定の圧力に減圧さ
れると、第２の供給管３２から内部に不活性ガスが供給
されるとともに、高周波電極２９に高周波電力が供給さ
れて不活性ガスを活性化する。それによって、活性化さ
れたガスによる清浄化作用によって上記洗浄処理部１で
洗浄された基板１０をさらに清浄化することが可能とな
る。

【００５８】活性化された不活性ガスによる基板１０の
清浄化が所定時間行われると、成膜チャンバ２５内には
不活性ガスに代わって第１の供給管３１から原料ガスが
供給される。原料ガスは、高周波電極２９に高周波電力
が供給されることによって生じるプラズマ中で反応す
る。

【００５９】その結果、反応によって生成された固体種
が基板１０の上面に析出するから、基板１０の上面に半
導体膜が生成されることになる。

【００６０】上記基板１０は洗浄処理部１で洗浄され、
さらに液切り処理部２で汚染されることなく乾燥処理さ
れて成膜チャンバ２５に供給されている。

【００６１】そのため、基板１０に生成された半導体膜
１０ｂにパーティクルが含まれることがなくなるから、
半導体膜１０ｂに欠陥が発生するのを防止することがで
きる。つまり、半導体装置を高い歩留まりで製造するこ
とができる。

【００６２】基板１０への成膜が終了すると、成膜チャ
ンバ２５の搬出口２７が開かれ、第２の接続体４２に設
けられたロボットが内部に侵入してその基板１０を受け
取る。それと同時に、アン・ロードロックチャンバ３６
の搬入口３６ａが開かれる。

【００６３】そして、上記ロボットは成膜チャンバ２５
で成膜された基板１０をアン・ロードロックチャンバ３
６へ搬入し、載置テーブル４４上に載置してから上記第
２の接続体４２へ後退する。それと同時に、成膜チャン
バ２５の搬出口２７と、アン・ロードロックチャンバ３
６の搬入口３６ａとが閉じられる。

【００６４】つまり、成膜チャンバ２５の搬入口２６側
にロードロックチャンバ３５、搬出口２７側にアン・ロ
ードロックチャンバ３６を気密に接続したことで、上記
成膜チャンバ２５の減圧状態を大きく損うことなく、基
板１０の受け渡しが可能となる。

【００６５】アン・ロードロックチャンバ３６の載置テ
ーブル４４上に載置された基板１０はこのチャンバ３６
の搬出口４３側の外部に設けられた図示しないロボット
によって取り出され、つぎのプロセスに供給されること
になる。

【００６６】つぎのプロセスでは、基板１０に形成され
た半導体層１０ｂが分離溝１０ｃによって複数のセル１
０ｄに分割されて上述した洗浄工程と乾燥工程とが行わ
れた後、成膜工程では各セルの最上面に金属膜１０ｅが
成膜される。

【００６７】金属膜１０ｅを成膜する前に、セル１０ｄ
に分割された半導体層１０ｂは洗浄処理部１の高圧洗浄
部６で洗浄される。そのため、半導体層１０ｃに分離溝
１０ｃを加工することで発生する切り粉やばりなどのパ
ーティクルを良好に洗浄除去することができるから、上
記金属膜１０ｅにパーティクルが含まれることによって
欠陥が発生するのを防止できる。

【００６８】上記一実施の形態では基板１０を水平方向
に搬送して洗浄処理部１でその上下面を洗浄処理するよ
うにしたが、洗浄処理部１においては、図示しないが基
板１０の被洗浄面をほぼ垂直にし、かつ垂直方向下方か
ら上方に向って搬送してもよい。

【００６９】そのようにして基板１０を搬送すれば、基
板１０の被洗浄面に向って噴射された洗浄液は基板１０
の搬送方向後方、つまり下方に向って流れるから、その
洗浄液の流れによって基板１０の板面から除去されたパ
ーティクルを良好に洗い流すことが可能となる。なお、
基板１０は垂直方向上方から下方に向って搬送するよう
にしてもよい。

【００７０】洗浄処理部１だけでなく液切り処理部２に
おいても、基板１０を被洗浄面が垂直になるよう搬送す
れば、エアーナイフ２１から噴射される圧縮気体によっ
て基板１０に付着した洗浄液を効率よく除去することが
可能となる。

【００７１】また、図示しないが、成膜処理部は成膜チ
ャンバの上流側に基板を予熱し、かつ成膜チャンバの減
圧状態を維持するためにロードロックチャンバを１つ設
けたが、基板の予熱効果を高めたり、洗浄処理部と液切
り処理部とでの処理に掛かる時間と、成膜処理部での成
膜に掛かる時間とをほぼ同じにして基板の一連の処理
を、各処理部で待ち時間が発生することなく、連続的に
行えるようにするため、ロードロックチャンバを複数設
けるようにしてもよい。

【００７２】また、この発明における半導体装置は太陽
電池パネルに限られず、液晶用表示パネルや半導体ウエ
ハなどであってもよく、要は基板に半導体膜を成膜する
場合に適用することができる。

【００７３】

【発明の効果】請求項１と請求項８の発明によれば、基
板を洗浄液によって洗浄するときに、その洗浄液を上記
基板に向けて高圧で噴射するようにした。

【００７４】そのため、基板から除去されにくいような
パーティクルであっても、高圧の洗浄液によって良好に
洗浄除去することが可能となるから、洗浄後に上記基板
への成膜を欠陥の発生を招くことなく行うことが可能と
なる。

【００７５】しかも、高圧の洗浄液を基板に均一に噴射
することが可能であるから、それによって基板の洗浄を
均一に行うことが可能となる。

【００７６】請求項２の発明によれば、高圧の洗浄液に
よって均一かつ良好に洗浄された基板に成膜するため、
その成膜を欠陥の発生を招くことなく確実に行うことが
できる。

【００７７】請求項３の発明によれば、ノズル体に供給
される洗浄液の圧力の上限と下限とを規定したことで、
薄膜を損傷させることなく、この薄膜に付着したパーテ
ィクルを確実に洗浄除去することが可能となる。

【００７８】請求項４の発明によれば、洗浄工程におい
て、洗浄される基板の板面をほぼ垂直にしたことで、洗
浄液が基板の板面に沿って円滑に流れるから、その洗浄
液の流れによって上記基板の板面からパーティクルを効
率よく除去することが可能となる。

【００７９】請求項５の発明によれば、乾燥工程では基
板に圧縮空気を噴射するため、洗浄処理された基板の清
浄度を維持しつつ乾燥処理することができる。

【００８０】請求項６の発明によれば、基板に噴射され
る圧縮空気を加熱するようにしたことで、その基板の乾
燥処理を効率よく確実に行うことが可能となる。

【００８１】請求項７の発明によれば、基板が太陽電池
用のパネルであるため、太陽電池を高い歩留まりで製造
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態に係る半導体装置の製
造装置の全体構成の説明図。

【図２】同じく洗浄処理部の概略的構成図。

【図３】（ａ）は同じく洗浄処理部の基板上面における
ノズル体の配置状態の説明図、（ｂ）は同じく各ノズル
体から基板に噴射される洗浄液の分布状態の説明図。

【図４】（ａ）は同じく液切り処理部の平面図、（ｂ）
は同じく側面図。

【図５】同じく成膜処理部の概略的構成図。

【図６】同じく太陽電池パネルの一部を拡大して示す断
面図。

【符号の説明】

１…洗浄処理部 ２…液切り処理部 ３…成膜処理部 ６…高圧洗浄部 ７…第１の低圧洗浄部 ８…第２の洗浄部 １０…基板 ２１…エアーナイフ ２５…成膜チャンバ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に薄膜を成膜して形成される半導体
   装置の製造方法において、 上記基板を洗浄液によって洗浄する洗浄工程と、 洗浄された基板を乾燥させる乾燥工程とを具備し、 上記洗浄工程は洗浄液をノズル体から上記基板に向けて
   高圧で噴射することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】 乾燥された基板に薄膜を成膜する成膜工
   程を備えていることを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置の製造方法。
3. 【請求項３】 上記洗浄工程は、上記ノズル体に供給さ
   れる洗浄液の圧力が１０ｋｇ／ｃｍ^２以上、２６ｋｇ／
   ｃｍ^２以下であり、上記ノズル体と基板との間隔が２〜
   １０ｃｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置の製造方法。
4. 【請求項４】 上記洗浄工程において、上記基板は洗浄
   される板面をほぼ垂直にしていることを特徴とする請求
   項１記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 上記乾燥工程は、上記洗浄工程で洗浄さ
   れた基板に圧縮気体を噴射してこの基板に付着した洗浄
   液を除去することを特徴とする請求項１記載の半導体装
   置の製造方法。
6. 【請求項６】 上記基板に噴射される圧縮気体は所定温
   度に加熱されていることを特徴とする請求項５記載の半
   導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 上記基板は薄膜タイプの太陽電池用のパ
   ネルであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
   の製造方法。
8. 【請求項８】基板に薄膜を成膜して形成される半導体装
   置の製造装置において、 上記基板を洗浄液によって洗浄する洗浄処理部と、 洗浄された基板に圧縮気体を噴射してこの基板に付着し
   た洗浄液を除去する乾燥処理部とを具備し、 上記洗浄処理部は洗浄液を基板に向けて高圧で噴射する
   ノズル体を備えていることを特徴とする半導体装置の製
   造装置。