JP2000331981A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は基板を汚染すること無く乾燥処理
できるようにした半導体装置の製造方法を提供すること
にある。 【解決手段】 基板１０に薄膜を成膜して形成される半
導体装置の製造方法において、上記基板を洗浄液によっ
て洗浄する洗浄工程と、洗浄された基板に圧縮気体を噴
射してこの基板に付着した洗浄液を除去する液切り工程
と、液切りされた基板に薄膜を成膜する成膜工程とを具
備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は基板に薄膜を成膜
して形成される半導体装置の製造方法及び製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、半導体装置としての薄膜タイ
プの太陽電池パネルを製造する場合、透明な電極が形成
されたガラスなどの材料からなる基板に半導体膜や金属
膜などの薄膜を成膜するようにしている。

【０００３】基板に薄膜を成膜する際、その基板にパー
ティクルが付着していると欠陥の発生原因となる。した
がって、基板に薄膜を成膜する前に、その基板を洗浄
し、パーティクルを除去するということが行われてい
る。

【０００４】洗浄された基板を放置して乾燥させると、
基板に付着した洗浄液によりウオータマーク（染み）の
発生を招くことになるから、基板は洗浄後に強制的に乾
燥させるようにしている。

【０００５】従来、洗浄された基板を乾燥させるにはク
リーンオーブンが用いられていた。クリーンオーブン
は、ヒータを有する内部に清浄な空気を導入するととも
に、その清浄空気を上記ヒータによって加熱しながら循
環させる構成となっている。

【０００６】したがって、洗浄された基板を上記クリー
ンオーブンに収容することで、その内部を循環する加熱
された空気によって乾燥させることができるようになっ
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クリー
ンオーブンは加熱された空気を循環させながら基板を乾
燥させる構成となっているから、最初にクリーンオーブ
ン内に導入された空気が清浄であっても、その空気はク
リーンオーブン内を循環するにつれてクリーンオーブン
内に残留するパーティクルを含むようになる。

【０００８】そのため、クリーンオーブンで乾燥処理さ
れた基板にはパーティクルが付着し易いため、その基板
に成膜された薄膜に欠陥が発生し易くなるということが
あった。

【０００９】この発明は、洗浄処理された基板を乾燥処
理する際に、その基板を汚染することがないようにした
半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に薄膜を成膜する半導体装置の製造方法において、上記
基板を洗浄液によって洗浄する洗浄工程と、洗浄された
基板に圧縮気体を噴射してこの基板に付着した洗浄液を
除去する液切り工程と、液切りされた基板に薄膜を成膜
する成膜工程とを具備したことを特徴とする半導体装置
の製造方法にある。

【００１１】請求項２の発明は、上記洗浄工程は、上記
基板をブラシ洗浄するブラシ洗浄工程と、ブラシ洗浄さ
れた基板をリンス処理するリンス工程と、リンス処理さ
れた基板を超音波洗浄する超音波洗浄工程とを備えてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法にある。

【００１２】請求項３の発明は、上記液切り工程は、基
板に噴射される圧縮気体が所定温度に加熱されているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法に
ある。

【００１３】請求項４の発明は、上記液切り工程は、基
板に噴射される圧縮気体がイオン化されていることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法にある。

【００１４】請求項５の発明は、上記成膜工程は、基板
に薄膜を成膜する前に、この基板を所定温度に加熱する
加熱工程を備えていることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法にある。

【００１５】請求項６の発明は、上記液切り工程で洗浄
液が除去された基板は直ちに上記成膜工程で薄膜が成膜
されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置に製
造方法にある。

【００１６】請求項７の発明は、上記成膜工程では、上
記基板に薄膜を成膜する前に、不活性ガスをプラズマ化
して上記基板をプラズマ洗浄することを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法にある。

【００１７】請求項８の発明は、基板に薄膜を成膜する
半導体装置の製造装置において、上記基板を洗浄液によ
って洗浄する洗浄処理部と、洗浄された基板に圧縮気体
を噴射してこの基板に付着した洗浄液を除去する液切り
処理部と、液切りされた基板に薄膜を成膜する成膜処理
部とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造装置
にある。

【００１８】基板に圧縮気体を噴射してその基板を乾燥
させるようにすることで、基板は常に清浄な気体によっ
て乾燥処理することが可能となるから、基板が乾燥処理
によって汚染されるのをなくすことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、この発明一実施の形態を図
面を参照して説明する。

【００２０】図１はこの発明に係る半導体装置の製造装
置を示し、この製造装置は洗浄処理部１と、液切り処理
部２と、成膜処理部３とを備えている。

【００２１】上記洗浄処理部１は図２に示すように、予
め電極膜としての透明導電膜が形成されたガラス製の基
板１０を洗浄するようになっている。この基板１０は、
半導体装置としての薄膜タイプの太陽電池パネルを構成
するもので、上記洗浄処理部１で洗浄処理された後、上
記液切り処理部２で乾燥処理されてから上記成膜処理部
３で上記電極膜が形成された面（この面を上面とする）
に半導体膜や金属膜などの薄膜が成膜されるようになっ
ている。

【００２２】上記洗浄処理部１と液切り処理部２とに
は、図２と図３に示すように回転駆動される複数の搬送
ローラ４からなる搬送機構５が設けられている。上記基
板１０は、この搬送機構５によって上記洗浄処理部１か
ら液切り処理部２へと搬送されるようになっている。

【００２３】上記洗浄処理部１は図２に示すようにブラ
シ洗浄処理部６、リンス処理部７及び超音波洗浄処理部
８とが基板１０の搬送方向に沿って順次配置されてな
る。

【００２４】上記ブラシ洗浄処理部６は上記搬送ローラ
４によって搬送される基板１０の上下面に接触する一対
の洗浄ブラシ９及び洗浄ブラシ９と基板１０との接触部
分にたとえば洗剤や純水などの洗浄液を供給するノズル
体１１とから構成されている。それによって、基板１０
はその上面が洗浄液によってブラシ洗浄されるようにな
っている。

【００２５】なお、ノズル体１１は基板１０の幅寸法よ
りも長尺な管体１１ａに複数のノズル孔１１ｂを所定間
隔で穿設されてなる。

【００２６】この実施の形態では洗浄液をノズル体１１
によって基板１０の薄膜が形成される上下両面だけに供
給するようにしているが、上面側にだけノズル体１１を
設け、基板１０の上面だけ洗浄するようにしてもよい。

【００２７】上記リンス処理部７はリンス槽１２を有す
る。このリンス槽１２には、基板１０の搬送方向上流側
に位置する一側壁に搬入口１３が形成され、下流側に位
置する他側壁に搬出口１４が形成されている。搬入口１
３と搬出口１４とは、上記搬送ローラ４によって搬送さ
れる基板１０とほぼ同じ高さ位置に形成されている。

【００２８】さらに、リンス槽１２の内部には、外部に
配置された搬送ローラ４と同じ高さレベルで上記搬送機
構５を構成する搬送ローラ４が設けられており、それに
よって基板１０は同図に矢印で示すようにリンス槽１２
の搬入口１３から内部に搬入されたのち、搬出口１４か
ら搬出されるようになっている。

【００２９】上記リンス槽１２内には純水などのリンス
液が図示しない供給ノズルによって供給されるようにな
っている。リンス槽１２に供給されたリンス液は上記搬
入口１３と搬出口１４とから流出するようになってい
る。リンス槽１２へのリンス液の供給量は、上記搬入口
１３と搬出口１４とから流出するリンス液の流出量とほ
ぼ同じあるいはわずかに多くなるよう設定されている。

【００３０】それによって、リンス槽１２内のリンス液
の液面はその内部を搬送される基板１０よりも高い位置
に維持できるようになっている。つまり、リンス槽１２
内を搬送される基板１０の上面もリンス液によって確実
にリンスできるようになっている。さらに、リンス液を
搬入口１３と搬出口１４とから常時流出させるようにし
たことで、リンス処理によって基板１０から洗い流され
るパーティクルがリンス槽１２内に残留しにくくしてい
る。

【００３１】この実施の形態ではリンス槽１２が１つだ
けしか設けられていないが、基板１０の搬送方向に沿っ
て複数のリンス槽１２を配置し、洗浄液によって洗浄さ
れた基板１０のリンス処理を確実に行えるようにしても
よい。

【００３２】リンス槽１２でリンス処理された基板１０
は上記超音波洗浄処理部８で洗浄処理される。この超音
波洗浄処理部８は洗浄槽１５を有する。この洗浄槽１５
には、基板１０の搬送方向上流側に位置する一側壁に搬
入口１６、下流側に位置する他側壁に搬出口１７が上記
基板１０の搬送高さとほぼ同じ高さで形成されている。

【００３３】上記洗浄槽１５の内部には、リンス槽１２
と同様、搬送ローラ４が配置され、さらに内底部には２
０〜４０ｋＨｚ程度の超音波振動を発振する超音波発生
器１８が配置されている。この洗浄槽１５内には純水が
洗浄液として供給される。それによって、洗浄液には上
記超音波発生器１８で発生した超音波振動が与えられる
ようになっている。

【００３４】上記洗浄液の供給量は上記搬入口１６と搬
出口１７とから流出する量とほぼ同じあるいはわずかに
多く設定されている。それによって、洗浄槽１５内の洗
浄液の液面は、搬送ローラ４によって搬送される基板１
０の上面よりもわずかに高くなるから、超音波振動が与
えられた洗浄液によって基板１０の上下両面が洗浄され
るようになっている。

【００３５】しかも、洗浄液の一部が搬入口１６と搬出
口１７とから流出することで、超音波洗浄によって基板
１０から除去されたパーティクルを流出させることがで
きるようになっている。

【００３６】超音波洗浄処理部８で洗浄された基板１０
は上記液切り処理部２で乾燥処理される。この液切り処
理部２は搬送される基板１０の上面と下面とに対向して
設けられた一対のエアーナイフ２１からなる。このエア
ーナイフ２１には清浄な圧縮気体としてたとえばアルパ
フィルタによって浄化された圧縮空気が供給されるよう
になっている。なお、圧縮空気の圧力は５ｋｇ／ｃｍ
^２ 程度に設定される。

【００３７】各エアーナイフ２１は図３（ａ）、（ｂ）
に示すように上記基板１０の幅寸法よりも長尺であっ
て、基板１０の上面及び下面に対向する端面には長さ方
向ほぼ全長にわたってスリット孔２２が形成されてい
る。

【００３８】それによって、エアーナイフ２１は基板１
０の搬送方向と交差する水平方向に対して所定の角度で
傾斜させ、かつスリット孔２２を垂直方向に対して基板
１０の搬送方向後方に傾斜させて配置されている。

【００３９】各エアーナイフ２１に供給された圧縮空気
は、そのスリット孔２２から基板１０の上下面に向って
噴出される。それによって、上記基板１０の上下面に付
着した洗浄液は図３（ａ）に矢印で示すように基板１０
の搬送方向後方の幅方向一端側に押し寄せられるから、
その一端から円滑に除去されることになる。

【００４０】上記エアーナイフ２１に供給される圧縮空
気は室温よりも高い温度、たとえば４０〜５０℃程度に
加熱される。そのため、基板１０に付着した洗浄液は圧
縮空気の勢いによって除去されるだけでなく、圧縮空気
の熱によっても加熱乾燥されることになるから、乾燥処
理を効率よく確実に行うことができる。

【００４１】なお、圧縮空気を加熱しなくとも、基板１
０を所定の状態に乾燥させることはできる。また、圧縮
空気をイオン化して基板１０に噴射すれば、イオン化さ
れた圧縮空気の作用によって乾燥処理と同時に基板１０
を清浄化することが可能となる。

【００４２】上記液切り処理部２で乾燥処理された基板
１０は上記成膜処理部３へ直ちに搬送される。つまり、
基板１０は液切り処理部２で処理されて搬送ローラ４に
よって搬出されると、図示しないロボットによって上記
成膜処理部３に受け渡されるようになっている。

【００４３】液切り処理部２で乾燥処理された基板１０
を、成膜処理部３へ直ちに搬送するようにしたことで、
乾燥処理された基板１０に大気中のパーティクルが付着
する機会が少なくなる。つまり、基板１０を清浄な状態
で成膜処理部３に供給することができるまた、基板１０
の乾燥処理を、従来のようにクリ−ンオーブンを用い
ず、圧縮空気によって行うようにしたことで、乾燥処理
を洗浄処理に連続して行うことが可能となる。

【００４４】そのため、洗浄処理された基板１０をバッ
チ方式で乾燥処理する場合のように、洗浄されてから乾
燥処理されるまでに時間が掛かるということがなくなる
から、洗浄処理によって基板１０に付着した洗浄液が乾
燥処理される前に部分的に乾燥し、基板１０にウオータ
マークが形成されるのが防止される。

【００４５】上記成膜処理部３は、図４に示すように成
膜チャンバ２５を有する。この成膜チャンバ２５は上記
基板１０の上面に薄膜をプラズマプロセス（ＣＶＤ）に
よって形成するもので、その成膜チャンバ２５の一側に
は搬入口２６、他側には搬出口２７が形成されている。
また、成膜チャンバ２５には、内部にヒータ２８ａを内
蔵したテーブル２８及びこのテーブル２８の上面に対向
して高周波電極２９が配置されている。

【００４６】さらに、成膜チャンバ２５の上部には内部
に原料ガスを供給する第１の供給管３１及び不活性ガス
を供給する第２の供給管３２とが接続され、底部には排
気ポンプ３３を有する排気管３４が接続されている。

【００４７】上記成膜チャンバ２５の搬入口２６側には
ロードロックチャンバ３５が配置され、搬出口２７側に
はアン・ロードロックチャンバ３６が配置されている。
これらチャンバ３５，３６にはそれぞれ搬入口３５ａ，
３６ａと搬出口３５ｂ，３６ｂとが形成されている。

【００４８】上記ロードロックチャンバ３５の内部には
プレヒータ３７及び支持テーブル３８が配置され、底部
には排気ポンプ３９を有する排気管４０が接続されてい
る。

【００４９】また、ロードロックチャンバ３５の搬出口
３５ａと上記成膜チャンバ２５の搬入口２６とは第１の
接続体４１によって気密に接続され、成膜チャンバ２５
の搬出口２７と上記アン・ロードロックチャンバ３６の
搬入口３６ａとは第２の接続体４２によって気密に接続
されている。

【００５０】各チャンバ２５，３５，３６の搬入口と搬
出口とはそれぞれ開閉自在なシャッタ４３によって気密
に閉塞されるようになっており、さらに第１、第２の接
続体４１，４２の内部には図示しない受け渡し用のロボ
ットが配置されている。また、アン・ロードロックチャ
ンバ３６内には載置テーブル４４が設けられ、底部には
排気ポンプ４５を有する排気管４６が接続されている。

【００５１】上記液切り処理部２で乾燥処理された基板
１０が上記ロードロックチャンバ３５の保持テーブル３
８上に供給されると、上記搬入口３５ａが閉じられて内
部が減圧されるとともに、プレヒータ３７によって基板
１０が予熱される。予熱時、ロードロックチャンバ３８
は排気ポンプ３９によって減圧される。

【００５２】基板１０が予熱されると、ロードロックチ
ャンバ３８の搬入口３５ａが閉じられた状態で搬出口３
５ｂが開かれ、第１の接続体４１に設けられたロボット
がロードロックチャンバ３５に侵入して上記保持テーブ
ル３８から基板１０を受け取る。

【００５３】ついで、上記ロードロック室３５の搬出口
３５ｂがシャッタ４３によって気密に閉塞されると同時
に成膜チャンバ２５の搬入口２６が開かれ、第１の接続
体４１内に設けられた上記ロボットによって予熱された
基板１０が上記成膜チャンバ２５内のテーブル２８上に
供給され、上記ロボットが後退する。そして、搬入口２
６が閉じられ、内部が排気ポンプ３３によって減圧され
る。

【００５４】成膜チャンバ２５内が所定の圧力に減圧さ
れると、第２の供給管３２から内部に不活性ガスが供給
されるとともに、高周波電極２９に高周波電力が供給さ
れて不活性ガスを活性化する。それによって、活性化さ
れたガスによる清浄化作用によって上記洗浄処理部１で
洗浄された基板１０をさらに清浄化することが可能とな
る。

【００５５】活性化された不活性ガスによる基板１０の
清浄化が所定時間行われると、成膜チャンバ２５内には
不活性ガスに代わって第１の供給管３１から原料ガスが
供給される。原料ガスは、高周波電極２９に高周波電力
が供給されることによって生じるプラズマ中で反応す
る。

【００５６】その結果、反応によって生成された固体種
が基板１０の上面に析出するから、基板１０の上面に薄
膜が生成されることになる。

【００５７】上記基板１０は洗浄処理部１で洗浄され、
さらに液切り処理部２で汚染されることなく乾燥処理さ
れて成膜チャンバ２５に供給されている。

【００５８】そのため、基板１０に生成された薄膜にパ
ーティクルが含まれることがなくなるから、薄膜に欠陥
が発生するのを防止することができる。つまり、半導体
装置を高い歩留まりで製造することができる。

【００５９】実験によると、５０段直列のセルを有する
太陽電池パネルを製造するに際し、基板１０の乾燥処理
を従来のようにクリーンオーブンを用いて行った場合、
セルの欠陥は４０段であったが、この発明のように圧縮
気体によって基板１０を乾燥処理した場合には１０段以
下に減少することが確認された。

【００６０】なお、セルに欠陥があるか否かを検査する
にはセルに逆電圧を印加する。成膜中にパーティクルが
含まれていれば、そのパーティクルによってショ−トす
る。そのため、印加電圧の変化によって欠陥の有無を検
査することができる。

【００６１】基板１０への成膜が終了すると、その基板
成膜チャンバ２５の搬出口２７が開かれ、第２の接続体
４２に設けられたロボットが内部に侵入してその基板１
０を受け取る。それと同時に、アン・ロードロックチャ
ンバ３６の搬入口３６ａが開かれる。

【００６２】そして、上記ロボットは成膜チャンバ２５
で成膜された基板１０をアン・ロードロックチャンバ３
６へ搬入し、載置テーブル４４上に載置してから上記第
２の接続体４２へ後退する。それと同時に、成膜チャン
バ２５の搬出口２７と、アン・ロードロックチャンバ３
６の搬入口３６ａとが閉じられる。

【００６３】つまり、成膜チャンバ２５の搬入口２６側
にロードロックチャンバ３５、搬出口２７側にアン・ロ
ードロックチャンバ３６を気密に接続したことで、上記
成膜チャンバ２５の減圧状態を大きく損うことなく、基
板１０の受け渡しが可能となる。

【００６４】アン・ロードロックチャンバ３６の載置テ
ーブル４４上に載置された基板１０はこのチャンバ３６
の搬出口４３側の外部に設けられた図示しないロボット
によって取り出され、つぎのプロセスに供給されること
になる。

【００６５】この発明は上記一実施の形態に限定される
ものでなく、たとえば洗浄処理部におけるブラシ洗浄処
理部、リンス処理部及び超音波洗浄部は１つでなく、複
数設けるようにしてもよく、また上記３種類の処理部を
組み合せずに、１つまたは２つの種類の処理部で洗浄処
理するようにしてもよい。

【００６６】さらに超音波振動が与えられた洗浄液をノ
ズルから基板に向けて噴射するノズル洗浄部を上述した
洗浄部と組み合せたり、単独で用いるなどしてもよい。

【００６７】また、成膜処理部は成膜チャンバの上流側
に基板を予熱し、かつ成膜チャンバの減圧状態を維持す
るためにロードロックチャンバを１つ設けたが、基板の
予熱効果を高めたり、洗浄処理部と液切り処理部とでの
処理に掛かる時間と、成膜処理部での成膜に掛かる時間
とをほぼ同じにして基板の一連の処理を、各処理部で待
ち時間が発生することなく、連続的に行えるようにする
ため、ロードロックチャンバを複数設けるようにしても
よい。

【００６８】また、この発明における半導体装置は太陽
電池パネルに限られず、液晶用表示パネルや半導体ウエ
ハなどであってもよく、要は基板に薄膜を成膜する場合
に適用することができる。

【００６９】

【発明の効果】請求項１と請求項８の発明によれば、洗
浄液によって洗浄処理された基板を圧縮気体によって乾
燥処理するようにしたから、洗浄処理された基板を清浄
な状態を維持して乾燥処理することが可能となる。

【００７０】請求項２の発明によれば、基板の洗浄処理
をブラシ洗浄、リンス洗浄及び超音波洗浄とを組み合せ
て行うようにしたから、その基板の洗浄を高い清浄度で
行うことが可能となる。

【００７１】請求項３の発明によれば、基板を乾燥処理
するための圧縮気体を所定温度に加熱することで、基板
の乾燥処理を迅速かつ確実に行うことが可能となる。

【００７２】請求項４の発明によれば、基板を乾燥処理
するための圧縮気体をイオン化することで、乾燥処理時
に基板の清浄化を計ることができる。

【００７３】請求項５の発明によれば、基板に成膜する
前に、その基板を加熱するようにしたことで、基板への
成膜を確実かつ効率よくに行うことが可能となる。

【００７４】請求項６の発明によれば、液切り工程で乾
燥処理された基板を直ちに成膜工程で成膜するようにし
たことで、乾燥処理されて清浄な状態にある基板を、成
膜前に汚すのを防止することができる。

【００７５】請求項７の発明によれば、基板に成膜する
前に、その基板を活性化された不活性ガスによって洗浄
するようにしたから、基板をより一層、清浄な状態にし
て成膜することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態に係る半導体装置の製
造装置の全体構成の説明図。

【図２】同じく洗浄処理部の概略的構成図。

【図３】（ａ）は同じく液切り処理部の平面図、（ｂ）
は同じく側面図。

【図４】同じく成膜処理部の概略的構成図。

【符号の説明】

１…洗浄処理部 ２…液切り処理部 ３…成膜処理部 ６…ブラシ洗浄処理部 ７…リンス処理部 ８…超音波洗浄処理部 １０…基板 ２１…エアーナイフ ２５…成膜チャンバ ３５…ロードロックチャンバ ３７…プレヒータ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に薄膜を成膜して形成される半導体
   装置の製造方法において、 上記基板を洗浄液によって洗浄する洗浄工程と、 洗浄された基板に圧縮気体を噴射してこの基板に付着し
   た洗浄液を除去する液切り工程と、 液切りされた基板に薄膜を成膜する成膜工程とを具備し
   たことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 上記洗浄工程は、上記基板をブラシ洗浄
   するブラシ洗浄工程と、ブラシ洗浄された基板をリンス
   処理するリンス工程と、リンス処理された基板を超音波
   洗浄する超音波洗浄工程とを備えていることを特徴とす
   る請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 上記液切り工程は、基板に噴射される圧
   縮気体が所定温度に加熱されていることを特徴とする請
   求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 上記液切り工程は、基板に噴射される圧
   縮気体がイオン化されていることを特徴とする請求項１
   記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 上記成膜工程は、基板に薄膜を成膜する
   前に、この基板を所定温度に加熱する加熱工程を備えて
   いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
   方法。
6. 【請求項６】 上記液切り工程で洗浄液が除去された基
   板は直ちに上記成膜工程で薄膜が成膜されることを特徴
   とする請求項１記載の半導体装置に製造方法。
7. 【請求項７】 上記成膜工程では、上記基板に薄膜を成
   膜する前に、不活性ガスをプラズマ化して上記基板をプ
   ラズマ洗浄することを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置の製造方法。
8. 【請求項８】 基板に薄膜を成膜して形成される半導体
   装置の製造装置において、 上記基板を洗浄液によって洗浄する洗浄処理部と、 洗浄された基板に圧縮気体を噴射してこの基板に付着し
   た洗浄液を除去する液切り処理部と、 液切りされた基板に薄膜を成膜する成膜処理部とを具備
   したことを特徴とする半導体装置の製造装置。