JP2000357585A - 有機el素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極と外部回路との間の接続を、モールド材
や保護テープを用いず、素子基板の小型化を図り、配線
抵抗を小さくして電気的に安定して行う。 【解決手段】 素子基板2と、素子基板2の上に形成さ
れた透明導電膜からなる陽極3と、陽極3の上に形成さ
れた発光層を含む有機層4と、有機層4の上に形成され
た金属導電膜からなる陰極5と、内部がドライ雰囲気に
保たれた状態で素子基板2上の陽極3,有機層4,陰極
5を覆い外周部分で封着される封止キャップ6とを備え
る有機EL素子1において、陽極3及び陰極5の配線3
A,5Aは、これら電極3,5に駆動信号を入力するた
めの外部の回路より延出される可撓性ケーブル10に対
し、素子基板2と封止キャップ6との封着部8より内部
の空間にて接続される。
や保護テープを用いず、素子基板の小型化を図り、配線
抵抗を小さくして電気的に安定して行う。 【解決手段】 素子基板2と、素子基板2の上に形成さ
れた透明導電膜からなる陽極3と、陽極3の上に形成さ
れた発光層を含む有機層4と、有機層4の上に形成され
た金属導電膜からなる陰極5と、内部がドライ雰囲気に
保たれた状態で素子基板2上の陽極3,有機層4,陰極
5を覆い外周部分で封着される封止キャップ6とを備え
る有機EL素子1において、陽極3及び陰極5の配線3
A,5Aは、これら電極3,5に駆動信号を入力するた
めの外部の回路より延出される可撓性ケーブル10に対
し、素子基板2と封止キャップ6との封着部8より内部
の空間にて接続される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方が
透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜
が積層された有機エレクトロルミネッセンス素子(以
下、有機EL素子と略称する)に関するものである。
透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜
が積層された有機エレクトロルミネッセンス素子(以
下、有機EL素子と略称する)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】有機EL素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を陰極と陽極の間に挟んだ構造を有し、前記薄膜
に正孔及び電子を注入して再結合させることにより励起
子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活する際
の光の放出(蛍光・燐光)を利用して表示を行う素子で
ある。
む薄膜を陰極と陽極の間に挟んだ構造を有し、前記薄膜
に正孔及び電子を注入して再結合させることにより励起
子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活する際
の光の放出(蛍光・燐光)を利用して表示を行う素子で
ある。
【0003】図7はこの種の一般的な有機EL素子10
0の構造を示す側断面図、図8は図7の平面図である。
0の構造を示す側断面図、図8は図7の平面図である。
【0004】図7に示す有機EL素子100は、絶縁性
及び透光性を有するガラス基板からなる素子基板102
を基部としている。素子基板102の上には、所定パタ
ーン形状の陽極3が形成されている。陽極3は、透光性
を有する材料、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の
仕事関数の大きい導電性材料からなる透明導電膜で形成
されている。図8の例における陽極3は、縦方向に並設
された3つの矩形状のパターンで形成されている。3つ
の陽極3の一部(図8の右側端部)からは同一材料から
なる配線3aがパターン形成されて素子基板102の外
側に向かって帯状に引き出されている。この配線3aの
端部は、図示しない外部回路と接続するための端子3b
を形成している。
及び透光性を有するガラス基板からなる素子基板102
を基部としている。素子基板102の上には、所定パタ
ーン形状の陽極3が形成されている。陽極3は、透光性
を有する材料、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の
仕事関数の大きい導電性材料からなる透明導電膜で形成
されている。図8の例における陽極3は、縦方向に並設
された3つの矩形状のパターンで形成されている。3つ
の陽極3の一部(図8の右側端部)からは同一材料から
なる配線3aがパターン形成されて素子基板102の外
側に向かって帯状に引き出されている。この配線3aの
端部は、図示しない外部回路と接続するための端子3b
を形成している。
【0005】図7に示すように、陽極3の表面には、例
えばAlq3 等の発光層を含む有機層4が積層形成され
ている。有機層4の上には、例えばAl:Li合金の金
属薄膜による導電膜からなる陰極5が積層形成されてい
る。図8の例における陰極5は、有機層4が成膜された
3つの陽極3に跨がって帯状に形成されている。この陰
極5の一部(図8の右上側端部)からは例えばITO等
の導電性材料からなる配線がパターン形成されて素子基
板102の外側に向かって帯状に引き出されている。こ
の配線5aの端部は、図示しない外部回路と接続するた
めの端子5bを形成している。そして、一対の電極をな
す陽極3と陰極5との間に挟まれた各有機層4の部分が
発光部Eを形成している。
えばAlq3 等の発光層を含む有機層4が積層形成され
ている。有機層4の上には、例えばAl:Li合金の金
属薄膜による導電膜からなる陰極5が積層形成されてい
る。図8の例における陰極5は、有機層4が成膜された
3つの陽極3に跨がって帯状に形成されている。この陰
極5の一部(図8の右上側端部)からは例えばITO等
の導電性材料からなる配線がパターン形成されて素子基
板102の外側に向かって帯状に引き出されている。こ
の配線5aの端部は、図示しない外部回路と接続するた
めの端子5bを形成している。そして、一対の電極をな
す陽極3と陰極5との間に挟まれた各有機層4の部分が
発光部Eを形成している。
【0006】素子基板102の外周縁部分と、ガラス基
板からなる蓋状の封止キャップ6の開口縁部分との間の
接合部分は、例えば紫外線硬化樹脂等の接着剤7により
固着される封着部8を構成している。そして、素子基板
102と封止キャップ6とが封着部8で封止されること
により、内部の素子を保護するパッケージ109を構成
している。パッケージ109の内部には、内部をドライ
雰囲気に保つための封入ガスGとして、例えばドライ窒
素やドライエア等が封じ込まれている。
板からなる蓋状の封止キャップ6の開口縁部分との間の
接合部分は、例えば紫外線硬化樹脂等の接着剤7により
固着される封着部8を構成している。そして、素子基板
102と封止キャップ6とが封着部8で封止されること
により、内部の素子を保護するパッケージ109を構成
している。パッケージ109の内部には、内部をドライ
雰囲気に保つための封入ガスGとして、例えばドライ窒
素やドライエア等が封じ込まれている。
【0007】上記有機EL素子100では、図8に示す
ように、3つの陽極3のいずれかに選択信号を入力し、
この選択された陽極3と陰極5との間に電圧を印加して
定電流を流すと、その陽極3と陰極5との間に挟まれた
有機層4に対し、陽極3から正孔が、陰極5から電子が
それぞれ注入される。そして、注入された正孔と電子が
有機層4で再結合させることにより励起子を生成し、こ
の励起子が失活する際の光の放出により発光する。この
ときの発光は、透明電極による陽極3を介して素子基板
2側から観測される。
ように、3つの陽極3のいずれかに選択信号を入力し、
この選択された陽極3と陰極5との間に電圧を印加して
定電流を流すと、その陽極3と陰極5との間に挟まれた
有機層4に対し、陽極3から正孔が、陰極5から電子が
それぞれ注入される。そして、注入された正孔と電子が
有機層4で再結合させることにより励起子を生成し、こ
の励起子が失活する際の光の放出により発光する。この
ときの発光は、透明電極による陽極3を介して素子基板
2側から観測される。
【0008】ところで、図7及び図8に示すように、上
記有機EL素子100において、各電極3,5から配線
3a,5aを介して素子内部から外部へ延出形成された
端子3b,5bは、外部に設けられる図示しない駆動回
路等の外部回路と接続されるが、その接続には、従来、
図7及び図8に示すようなテープ状の可撓性ケーブル1
0を使用していた。
記有機EL素子100において、各電極3,5から配線
3a,5aを介して素子内部から外部へ延出形成された
端子3b,5bは、外部に設けられる図示しない駆動回
路等の外部回路と接続されるが、その接続には、従来、
図7及び図8に示すようなテープ状の可撓性ケーブル1
0を使用していた。
【0009】この可撓性ケーブル10は、複数並列され
る銅配線10bの一方の面を基材であるカバーレイフィ
ルム10cで被覆し、他方の面がベースフィルム10a
で被覆された、所謂多層フィルム状に形成されたもので
ある。なお、各銅配線10bのピッチは、接続対象とな
る有機EL素子100の端子3b,5bのピッチに対応
して設定される。
る銅配線10bの一方の面を基材であるカバーレイフィ
ルム10cで被覆し、他方の面がベースフィルム10a
で被覆された、所謂多層フィルム状に形成されたもので
ある。なお、各銅配線10bのピッチは、接続対象とな
る有機EL素子100の端子3b,5bのピッチに対応
して設定される。
【0010】可撓性ケーブル10の端部には、カバーレ
イフィルム10cが取り除かれて銅配線10bの一方の
面が表出し、この面には銅配線10bと端子3b,5b
との間を接続するための異方性導電膜11が設けられ
る。異方性導電膜11は、例えば熱硬化性を有するエポ
キシ樹脂系接着剤に導電性粒子を分散したものであり、
シート状の導電材料として提供される。
イフィルム10cが取り除かれて銅配線10bの一方の
面が表出し、この面には銅配線10bと端子3b,5b
との間を接続するための異方性導電膜11が設けられ
る。異方性導電膜11は、例えば熱硬化性を有するエポ
キシ樹脂系接着剤に導電性粒子を分散したものであり、
シート状の導電材料として提供される。
【0011】この異方性導電膜11は、加熱と加圧によ
って接着剤が溶融し、分散されている導電粒子が対向す
る電極間に捕捉されることによって厚さ方向に高い導電
性が得られる。面方向については、導電粒子が互いに接
触しない程度に分散されているとともに接着剤が不導体
となるので、高い絶縁性が得られる。また、導電粒子と
電極間の機械的接続は接着剤によって得られる。
って接着剤が溶融し、分散されている導電粒子が対向す
る電極間に捕捉されることによって厚さ方向に高い導電
性が得られる。面方向については、導電粒子が互いに接
触しない程度に分散されているとともに接着剤が不導体
となるので、高い絶縁性が得られる。また、導電粒子と
電極間の機械的接続は接着剤によって得られる。
【0012】そして、有機EL素子100の多数本(図
8の例では4本)の端子3b,5bは、これら端子3
b,5bに対してそれぞれ位置決めされた可撓性ケーブ
ル10の各銅配線10bのみと導通し、端子3b,5b
と可撓性ケーブル10とが機械的にも接着固定される。
8の例では4本)の端子3b,5bは、これら端子3
b,5bに対してそれぞれ位置決めされた可撓性ケーブ
ル10の各銅配線10bのみと導通し、端子3b,5b
と可撓性ケーブル10とが機械的にも接着固定される。
【0013】なお、一対の電極3,5の端子3b,5b
と、外部に設けられる図示しない外部回路との間を接続
するための接続線としては、上述した可撓性ケーブル1
0の他に、図9に示すような端子3b,5bと素子基板
102とを挟み込むクリップ型のリードフレーム15を
用いたものが知られている。
と、外部に設けられる図示しない外部回路との間を接続
するための接続線としては、上述した可撓性ケーブル1
0の他に、図9に示すような端子3b,5bと素子基板
102とを挟み込むクリップ型のリードフレーム15を
用いたものが知られている。
【0014】このリードフレーム15は、板材を打ち抜
いて長手棒状に形成した銅部材にアルミ又は銀メッキが
施された導電部材であり、端子3b,5bと接続される
一端に、略コ字状に形成されるバネ性を有するクリップ
部15aを備えている。このリードフレーム15は、接
続対象となる有機EL素子100の端子3b,5bの数
に対応して同数本有した構成となっている。
いて長手棒状に形成した銅部材にアルミ又は銀メッキが
施された導電部材であり、端子3b,5bと接続される
一端に、略コ字状に形成されるバネ性を有するクリップ
部15aを備えている。このリードフレーム15は、接
続対象となる有機EL素子100の端子3b,5bの数
に対応して同数本有した構成となっている。
【0015】そして、リードフレーム15のクリップ部
15aを各端子3b,5bに対応させて素子基板102
に挟み込むことにより、各端子3b,5bと外部回路と
の間の導通を図っている。
15aを各端子3b,5bに対応させて素子基板102
に挟み込むことにより、各端子3b,5bと外部回路と
の間の導通を図っている。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の有機EL素子100では、各電極3,5の一部
から配線を引き出し、外部回路と接続するための端子3
b,5bを封止キャップ6の外部へ延出させ、封止キャ
ップ6の外部で各電極3,5と接続線10やリードフレ
ーム15と電気的な接続を行っているので、素子基板2
上に接合部120を設けるためのスペースが必要不可欠
となる。しかも、この接合部120が素子基板2上に位
置するので、素子基板2が封止キャップ6に対して大き
くなり、素子全体を大型化させるという問題がある。
た従来の有機EL素子100では、各電極3,5の一部
から配線を引き出し、外部回路と接続するための端子3
b,5bを封止キャップ6の外部へ延出させ、封止キャ
ップ6の外部で各電極3,5と接続線10やリードフレ
ーム15と電気的な接続を行っているので、素子基板2
上に接合部120を設けるためのスペースが必要不可欠
となる。しかも、この接合部120が素子基板2上に位
置するので、素子基板2が封止キャップ6に対して大き
くなり、素子全体を大型化させるという問題がある。
【0017】また、各電極3,5を可撓性ケーブル10
やリードフレーム15と接続させるため、各電極3,5
から配線3a,5aを封止キャップ6の外部まで引き出
して端子3b,5bを形成するので、各電極3,5から
接続部分までの配線の距離が長くなり、その分だけ配線
抵抗が増加し、素子を駆動する上での負荷になるという
欠点がある。
やリードフレーム15と接続させるため、各電極3,5
から配線3a,5aを封止キャップ6の外部まで引き出
して端子3b,5bを形成するので、各電極3,5から
接続部分までの配線の距離が長くなり、その分だけ配線
抵抗が増加し、素子を駆動する上での負荷になるという
欠点がある。
【0018】さらに、接合部120が封止キャップ6の
外に位置するので、常に外部雰囲気にさらされることと
なり、この外部雰囲気によっては電気的な接触が不安定
となる虞れがあり、接触不良や短絡の原因となるという
問題がある。
外に位置するので、常に外部雰囲気にさらされることと
なり、この外部雰囲気によっては電気的な接触が不安定
となる虞れがあり、接触不良や短絡の原因となるという
問題がある。
【0019】なお、接合部120が外部雰囲気にさらさ
れることに起因する問題の対策として、図7及び図9に
示すように、樹脂等のモールド材16または保護テープ
等により、端子3b,5bと可撓性ケーブル10やリー
ドフレーム15との接合部120を覆っている。これに
より、電気的接続の信頼性向上や防水性能向上を図って
いる。
れることに起因する問題の対策として、図7及び図9に
示すように、樹脂等のモールド材16または保護テープ
等により、端子3b,5bと可撓性ケーブル10やリー
ドフレーム15との接合部120を覆っている。これに
より、電気的接続の信頼性向上や防水性能向上を図って
いる。
【0020】しかしながら、上記構成では、部品点数が
増加するだけでなく、製作工程も増し、更には製作コス
トの増加を招くという問題がある。
増加するだけでなく、製作工程も増し、更には製作コス
トの増加を招くという問題がある。
【0021】そこで本発明は、上記問題点を解消するた
めに、封止部材の外部に接合部のための無駄なスペース
を必要とせず、素子基板のサイズを小さく構成でき、し
かも配線抵抗を増加させることなく外部雰囲気による影
響をなくして電気的に安定した接続が行え、信頼性の向
上が図れる有機EL素子を提供することを目的としてい
る。
めに、封止部材の外部に接合部のための無駄なスペース
を必要とせず、素子基板のサイズを小さく構成でき、し
かも配線抵抗を増加させることなく外部雰囲気による影
響をなくして電気的に安定した接続が行え、信頼性の向
上が図れる有機EL素子を提供することを目的としてい
る。
【0022】
【課題を解決するための手段】次に、上記の課題を解決
するための手段を、実施の形態に対応する図面を参照し
て説明する。この発明の請求項1記載の有機EL素子1
は、少なくとも一方が透光性を有した導電膜からなる第
一の電極3(5)と第二の電極5(3)とによる一対の
電極間に、発光層を含む有機層4が素子基板2上に積層
して形成され、前記一対の電極3,5及び前記有機層4
を覆い外周部分で封着されるように封止部材6によって
封止された有機EL素子1において、前記第一の電極3
(5)及び第二の電極5(3)の一部から引き出される
配線3A,5Aは、外部の回路より延出される接続線1
0(13)に対し、前記封止部材6内に位置して接続さ
れることを特徴としている。
するための手段を、実施の形態に対応する図面を参照し
て説明する。この発明の請求項1記載の有機EL素子1
は、少なくとも一方が透光性を有した導電膜からなる第
一の電極3(5)と第二の電極5(3)とによる一対の
電極間に、発光層を含む有機層4が素子基板2上に積層
して形成され、前記一対の電極3,5及び前記有機層4
を覆い外周部分で封着されるように封止部材6によって
封止された有機EL素子1において、前記第一の電極3
(5)及び第二の電極5(3)の一部から引き出される
配線3A,5Aは、外部の回路より延出される接続線1
0(13)に対し、前記封止部材6内に位置して接続さ
れることを特徴としている。
【0023】また、この発明の請求項2記載の有機EL
素子1は、少なくとも一方が透光性を有した導電膜から
なる第一の電極3(5)と第二の電極5(3)とによる
一対の電極間に、発光層を含む有機層4が素子基板2上
に積層して形成され、前記一対の電極3,5及び前記有
機層4を覆い外周部分で封着されるように封止部材6に
よって封止された有機EL素子1において、前記第一の
電極3(5)及び第二の電極5(3)の一部から引き出
される配線3A,5Aは、外部の回路より延出される接
続線10(13)に対し、前記素子基板2と前記封止部
材6との封着部分にて接続されることを特徴としてい
る。
素子1は、少なくとも一方が透光性を有した導電膜から
なる第一の電極3(5)と第二の電極5(3)とによる
一対の電極間に、発光層を含む有機層4が素子基板2上
に積層して形成され、前記一対の電極3,5及び前記有
機層4を覆い外周部分で封着されるように封止部材6に
よって封止された有機EL素子1において、前記第一の
電極3(5)及び第二の電極5(3)の一部から引き出
される配線3A,5Aは、外部の回路より延出される接
続線10(13)に対し、前記素子基板2と前記封止部
材6との封着部分にて接続されることを特徴としてい
る。
【0024】さらに、この発明の請求項3記載の有機E
L素子1は、少なくとも一方が透光性を有した導電膜か
らなる第一の電極3(5)と第二の電極5(3)とによ
る一対の電極間に、発光層を含む有機層4が素子基板2
上に積層して形成され、前記一対の電極3,5及び前記
有機層4を覆い外周部分で封着されるように封止部材6
によって封止された有機EL素子1において、前記第一
の電極3(5)及び第二の電極5(3)の一部から引き
出される配線3A,5Aは、外部の回路より延出される
接続線10(13)に対し、前記素子基板2と前記封止
部材6との封着部分より内部の空間にて接続されること
を特徴としている。
L素子1は、少なくとも一方が透光性を有した導電膜か
らなる第一の電極3(5)と第二の電極5(3)とによ
る一対の電極間に、発光層を含む有機層4が素子基板2
上に積層して形成され、前記一対の電極3,5及び前記
有機層4を覆い外周部分で封着されるように封止部材6
によって封止された有機EL素子1において、前記第一
の電極3(5)及び第二の電極5(3)の一部から引き
出される配線3A,5Aは、外部の回路より延出される
接続線10(13)に対し、前記素子基板2と前記封止
部材6との封着部分より内部の空間にて接続されること
を特徴としている。
【0025】この構成によれば、各電極3,5の配線3
A,5Aは、封止部材6内で接続線10(13)に接続
されるので、各電極3,5と外部回路との間を安定して
電気的に接続でき、信頼性の向上も図れる。また、素子
基板2に各電極3,5と外部回路との間を接続するため
の無駄なスペースを必要とせず小型化が可能となる。し
かも、接続線10(13)を各電極3,5に近接させて
接続が行えるので、各電極3,5と接続線10(13)
との間の配線3A,5Aが短縮され、素子を駆動する上
での負荷となる配線抵抗を小さくすることができる。
A,5Aは、封止部材6内で接続線10(13)に接続
されるので、各電極3,5と外部回路との間を安定して
電気的に接続でき、信頼性の向上も図れる。また、素子
基板2に各電極3,5と外部回路との間を接続するため
の無駄なスペースを必要とせず小型化が可能となる。し
かも、接続線10(13)を各電極3,5に近接させて
接続が行えるので、各電極3,5と接続線10(13)
との間の配線3A,5Aが短縮され、素子を駆動する上
での負荷となる配線抵抗を小さくすることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】図1は本発明による有機EL素子
の第1の実施の形態を示す側断面図、図2は図1に示す
有機EL素子の平面図である。
の第1の実施の形態を示す側断面図、図2は図1に示す
有機EL素子の平面図である。
【0027】なお、以下に説明する実施の形態におい
て、上述した従来の有機EL素子100と同一又は同等
の構成部分には同一の番号を付して説明する。
て、上述した従来の有機EL素子100と同一又は同等
の構成部分には同一の番号を付して説明する。
【0028】第1の実施の形態の有機EL素子1は、図
1に示すように、、絶縁性及び透光性を有するガラス基
板からなる素子基板2を基部としている。素子基板2の
上には、透光性を有する導電材料として、ITOによる
透明導電膜が所定パターン形状に形成されている。透明
導電膜は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のPVD
(Physical Vapor Deposition)法により成膜された後、
所定のパターン形状にパターニングされ、第一の電極と
しての陽極3を構成している。図2の例における陽極3
は、縦方向に並設された3つの矩形状のパターンで形成
されている。3つの陽極3の一部(図2の右側端部)か
らは同一材料からなる配線3Aがパターン形成されて素
子基板2の外側に向かって帯状に引き出されている。こ
の配線3Aの端部は、図示しない外部回路と接続するた
めの端子3Bを形成している。
1に示すように、、絶縁性及び透光性を有するガラス基
板からなる素子基板2を基部としている。素子基板2の
上には、透光性を有する導電材料として、ITOによる
透明導電膜が所定パターン形状に形成されている。透明
導電膜は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のPVD
(Physical Vapor Deposition)法により成膜された後、
所定のパターン形状にパターニングされ、第一の電極と
しての陽極3を構成している。図2の例における陽極3
は、縦方向に並設された3つの矩形状のパターンで形成
されている。3つの陽極3の一部(図2の右側端部)か
らは同一材料からなる配線3Aがパターン形成されて素
子基板2の外側に向かって帯状に引き出されている。こ
の配線3Aの端部は、図示しない外部回路と接続するた
めの端子3Bを形成している。
【0029】図1及び図2に示すように、陽極3の上に
は、PVD法(例えば抵抗加熱の蒸着法)により有機化
合物材料の薄膜からなる発光層を含む有機層4が積層さ
れている。有機層4は、例えば陽極3の上に数10nm
の膜厚で成膜される正孔注入層としての銅フタロシアニ
ン(CuPc)有機膜と、CuPc有機膜の上に数10
nmの膜厚で成膜される正孔輸送層としてのN, N' −
ビス−(1−ナフチル)−N, N' −ジフェニルベンジ
ジン(α−NPD)有機膜と、α−NPD有機膜の上に
数10nmの膜厚で成膜される発光層兼電子輸送層とし
てのアルミキノリン(Alq3 )との3層構造からなる
は、PVD法(例えば抵抗加熱の蒸着法)により有機化
合物材料の薄膜からなる発光層を含む有機層4が積層さ
れている。有機層4は、例えば陽極3の上に数10nm
の膜厚で成膜される正孔注入層としての銅フタロシアニ
ン(CuPc)有機膜と、CuPc有機膜の上に数10
nmの膜厚で成膜される正孔輸送層としてのN, N' −
ビス−(1−ナフチル)−N, N' −ジフェニルベンジ
ジン(α−NPD)有機膜と、α−NPD有機膜の上に
数10nmの膜厚で成膜される発光層兼電子輸送層とし
てのアルミキノリン(Alq3 )との3層構造からなる
【0030】なお、有機層3は、上記3層構造に限ら
ず、発光層と電荷輸送層(正孔輸送層、正孔注入・輸送
層、電子注入層、電子注入・輸送層等)との組合せで構
成することができる。具体的には、発光層1層のみ、発
光層と正孔輸送層の2層、発光層と電子注入層の2層、
正孔輸送層と発光層と電子注入層の3層等である。
ず、発光層と電荷輸送層(正孔輸送層、正孔注入・輸送
層、電子注入層、電子注入・輸送層等)との組合せで構
成することができる。具体的には、発光層1層のみ、発
光層と正孔輸送層の2層、発光層と電子注入層の2層、
正孔輸送層と発光層と電子注入層の3層等である。
【0031】発光層の発光材料としては、発光層そのも
のを発光させる場合には、例えばアルミキノリン(Al
q3 )やジスチルアリーレン系化合物等が使用される。
発光層に別の発光材料(ドーパント)を微量ドーピング
することで発光させる場合には、ドーパントとしてキナ
クリドン(Qd)やレーザ用の色素等が使用される。
のを発光させる場合には、例えばアルミキノリン(Al
q3 )やジスチルアリーレン系化合物等が使用される。
発光層に別の発光材料(ドーパント)を微量ドーピング
することで発光させる場合には、ドーパントとしてキナ
クリドン(Qd)やレーザ用の色素等が使用される。
【0032】電子注入層としては、電子の注入を容易に
するため、例えばLi,Na,Mg,Ca等の仕事関数
の小さい金属材料単体、又は例えばAl:Li,Mg:
In,Mg:Ag等の仕事関数の小さい合金が使用され
る。
するため、例えばLi,Na,Mg,Ca等の仕事関数
の小さい金属材料単体、又は例えばAl:Li,Mg:
In,Mg:Ag等の仕事関数の小さい合金が使用され
る。
【0033】有機層4の上には金属薄膜による導電膜が
形成されている。この金属薄膜による導電膜は、例えば
Al,Li,Mg,Ag,In等の仕事関数の小さい金
属材料単体やMg:Ag,Al:Li等の仕事関数の小
さい合金からなる。金属薄膜による導電膜は、PVD法
(例えば抵抗加熱の蒸着法)により例えば数10〜数1
00nmの膜厚で成膜され、第二の電極としての陰極5
を構成している。図2における陰極5は、有機層4が成
膜された3つの陽極3に跨がって帯状に形成されてい
る。この陰極5の一部(図2の右上側端部)からは同一
材料からなる配線5Aがパターン形成されて素子基板2
の外側に向かって帯状に引き出されている。この配線5
Aの端部は、図示しない外部回路と接続するための端子
5bを形成している。そして、一対の電極をなす陽極3
と陰極5との間に挟まれた各有機層4の部分が発光部E
を形成している。
形成されている。この金属薄膜による導電膜は、例えば
Al,Li,Mg,Ag,In等の仕事関数の小さい金
属材料単体やMg:Ag,Al:Li等の仕事関数の小
さい合金からなる。金属薄膜による導電膜は、PVD法
(例えば抵抗加熱の蒸着法)により例えば数10〜数1
00nmの膜厚で成膜され、第二の電極としての陰極5
を構成している。図2における陰極5は、有機層4が成
膜された3つの陽極3に跨がって帯状に形成されてい
る。この陰極5の一部(図2の右上側端部)からは同一
材料からなる配線5Aがパターン形成されて素子基板2
の外側に向かって帯状に引き出されている。この配線5
Aの端部は、図示しない外部回路と接続するための端子
5bを形成している。そして、一対の電極をなす陽極3
と陰極5との間に挟まれた各有機層4の部分が発光部E
を形成している。
【0034】素子基板2の外周縁部分と、封止部材とし
てのガラス基板からなる略箱状の封止キャップ6の開口
縁部分との間の接合部分は、例えば紫外線硬化樹脂等の
接着剤7により固着される封着部8を構成している。そ
して、素子基板2と封止キャップ6とが封着部8で封止
されることにより、内部の素子を保護するパッケージ9
を構成している。パッケージ9内には、内部をドライ雰
囲気に保つための封入ガスGとして、例えば露点−70
℃程度の窒素、ヘリウム,ネオン,アルゴン等の不活性
ガスやドライエア等の活性の低いガスが封じ込まれてい
る。
てのガラス基板からなる略箱状の封止キャップ6の開口
縁部分との間の接合部分は、例えば紫外線硬化樹脂等の
接着剤7により固着される封着部8を構成している。そ
して、素子基板2と封止キャップ6とが封着部8で封止
されることにより、内部の素子を保護するパッケージ9
を構成している。パッケージ9内には、内部をドライ雰
囲気に保つための封入ガスGとして、例えば露点−70
℃程度の窒素、ヘリウム,ネオン,アルゴン等の不活性
ガスやドライエア等の活性の低いガスが封じ込まれてい
る。
【0035】上記有機EL素子1では、図1に示すよう
に、3つの陽極3のいずれかに選択信号を入力し、この
選択された陽極3と陰極5との間に電圧を印可して定電
流を流すと、その陽極3と陰極5との間に挟まれた有機
層4に対し、陽極3から正孔が、陰極5から電子がそれ
ぞれ注入される。そして、注入された正孔と電子が有機
層4で再結合させることにより励起子を生成し、この励
起子が失活する際の光の放出により発光する。このとき
の発光は、透明電極による陽極3を介して素子基板2側
から観測される。
に、3つの陽極3のいずれかに選択信号を入力し、この
選択された陽極3と陰極5との間に電圧を印可して定電
流を流すと、その陽極3と陰極5との間に挟まれた有機
層4に対し、陽極3から正孔が、陰極5から電子がそれ
ぞれ注入される。そして、注入された正孔と電子が有機
層4で再結合させることにより励起子を生成し、この励
起子が失活する際の光の放出により発光する。このとき
の発光は、透明電極による陽極3を介して素子基板2側
から観測される。
【0036】図1及び図2に示すように、各電極3,5
の配線3A,5Aの端部に形成された端子3B,5Bに
は、接続線としての可撓性ケーブル10が異方性導電膜
11を介して熱圧着によって接続されている。
の配線3A,5Aの端部に形成された端子3B,5Bに
は、接続線としての可撓性ケーブル10が異方性導電膜
11を介して熱圧着によって接続されている。
【0037】この可撓性ケーブル10は、複数の銅配線
10bの一方の面を基材であるカバーレイフィルム10
cで被覆し、他方の面がベースフィルム10aで被覆さ
れたものである。各銅配線10bのピッチは接続対象と
なる有機EL素子1の端子3B,5Bのピッチに対応し
て設定されている。
10bの一方の面を基材であるカバーレイフィルム10
cで被覆し、他方の面がベースフィルム10aで被覆さ
れたものである。各銅配線10bのピッチは接続対象と
なる有機EL素子1の端子3B,5Bのピッチに対応し
て設定されている。
【0038】異方性導電膜11は、エポキシ樹脂系等の
熱硬化性の接着剤に導電性粒子を分散したシート状の部
材である。この異方性導電膜11は、加熱と加圧によっ
て接着剤が溶融し、分散されている導電粒子が対向する
電極間に捕捉されることによって厚さ方向に高い導電性
が得られる。面方向については、導電粒子が互いに接触
しない程度に分散されているとともに接着剤が不導体と
なるので、高い絶縁性が得られる。
熱硬化性の接着剤に導電性粒子を分散したシート状の部
材である。この異方性導電膜11は、加熱と加圧によっ
て接着剤が溶融し、分散されている導電粒子が対向する
電極間に捕捉されることによって厚さ方向に高い導電性
が得られる。面方向については、導電粒子が互いに接触
しない程度に分散されているとともに接着剤が不導体と
なるので、高い絶縁性が得られる。
【0039】端子3B,5Bと可撓性ケーブル10との
接合方法について具体的に説明すると、素子基板2上へ
の素子(配線3A,5Aを含む一対の電極3,5、有機
層4)作製後に、ドライ窒素雰囲気下で可撓性ケーブル
10の端部のカバーレイフィルム10cを取り除いた面
と、各端子3B,5Bとの間に異方性導電膜11を介在
させ、約150℃で20秒加熱し、各電極3,5の端子
3B,5Bと可撓性ケーブル10とを接合する。その
後、素子基板2と、封止キャップ6を、封着部8の部分
に可撓性ケーブル10を挟持させた状態で接着剤7によ
り固着し、内部がドライ雰囲気に保持されたパッケージ
9を構成する。これにより、有機EL素子1が完成す
る。
接合方法について具体的に説明すると、素子基板2上へ
の素子(配線3A,5Aを含む一対の電極3,5、有機
層4)作製後に、ドライ窒素雰囲気下で可撓性ケーブル
10の端部のカバーレイフィルム10cを取り除いた面
と、各端子3B,5Bとの間に異方性導電膜11を介在
させ、約150℃で20秒加熱し、各電極3,5の端子
3B,5Bと可撓性ケーブル10とを接合する。その
後、素子基板2と、封止キャップ6を、封着部8の部分
に可撓性ケーブル10を挟持させた状態で接着剤7によ
り固着し、内部がドライ雰囲気に保持されたパッケージ
9を構成する。これにより、有機EL素子1が完成す
る。
【0040】このように、上記第1の実施の形態では、
一対の電極3,5の端子3B,5Bと可撓性ケーブル1
0との間の接合部12がパッケージ9の内部となる封止
キャップ6の内側としている。これにより、接合部12
が外部雰囲気にさらされることなく、安定した電気的接
続が得られる。しかも、可撓性ケーブル10を電極3,
5に近接させて接続することができるので、電極3,5
と可撓性ケーブル10との間の間隔が短縮できる。その
結果、各電極3,5から引き出される配線を短く形成で
き、従来に比べて素子を駆動する上で負荷となる配線抵
抗を小さくできる。
一対の電極3,5の端子3B,5Bと可撓性ケーブル1
0との間の接合部12がパッケージ9の内部となる封止
キャップ6の内側としている。これにより、接合部12
が外部雰囲気にさらされることなく、安定した電気的接
続が得られる。しかも、可撓性ケーブル10を電極3,
5に近接させて接続することができるので、電極3,5
と可撓性ケーブル10との間の間隔が短縮できる。その
結果、各電極3,5から引き出される配線を短く形成で
き、従来に比べて素子を駆動する上で負荷となる配線抵
抗を小さくできる。
【0041】また、封止キャップ6の内部に接合部12
を設け、各電極3,5の配線3A,5Aをパッケージ9
の外に引き出す必要がないので、素子基板2に無駄なス
ペースを設ける必要がなく、素子基板2のサイズを封止
キャップ6と同等の大きさにすることができ、従来に比
べて素子全体の小型化が図れる。
を設け、各電極3,5の配線3A,5Aをパッケージ9
の外に引き出す必要がないので、素子基板2に無駄なス
ペースを設ける必要がなく、素子基板2のサイズを封止
キャップ6と同等の大きさにすることができ、従来に比
べて素子全体の小型化が図れる。
【0042】さらには、接合部12の他に封着部8にお
いても可撓性ケーブル10が固定されるので、従来のよ
うな固定用のモールド材や保護テープが不要となる。
いても可撓性ケーブル10が固定されるので、従来のよ
うな固定用のモールド材や保護テープが不要となる。
【0043】次に、図3は本発明による有機EL素子の
第2の実施の形態を示す側断面図、図4は図3に示す有
機EL素子の平面図である。なお、上述した第1の実施
の形態と同一の構成部分には同一番号を付し、その説明
を省略する。
第2の実施の形態を示す側断面図、図4は図3に示す有
機EL素子の平面図である。なお、上述した第1の実施
の形態と同一の構成部分には同一番号を付し、その説明
を省略する。
【0044】この第2の実施の形態の有機EL素子1で
は、図3及び図4に示すように、各電極3,5の一部か
ら引き出されてパターン形成された配線3A,5Aの端
子3B,5Bと可撓性ケーブル10との間が、封着部
8、すなわち、素子基板2の外周縁部分と、封止キャッ
プ6の開口縁部分とが固着される部分にて異方性導電膜
11を介して熱圧着によって接続されており、他の構成
については上述した第1の実施の形態と同一である。
は、図3及び図4に示すように、各電極3,5の一部か
ら引き出されてパターン形成された配線3A,5Aの端
子3B,5Bと可撓性ケーブル10との間が、封着部
8、すなわち、素子基板2の外周縁部分と、封止キャッ
プ6の開口縁部分とが固着される部分にて異方性導電膜
11を介して熱圧着によって接続されており、他の構成
については上述した第1の実施の形態と同一である。
【0045】端子3B,5Bと可撓性ケーブル10との
接合方法について説明すると、素子基板2上への素子
(配線3A,5Aを含む一対の電極3,5、有機層4)
作製後に、ドライ窒素雰囲気下で可撓性ケーブル10の
端部のカバーレイフィルム10cを取り除いた面と、各
端子3B,5Bとの間に異方性導電膜11を用いて、約
150℃で20秒加熱し、各電極3,5の端子3B,5
Bと可撓性ケーブル10を接合する。その後、この接合
部12を素子基板2の外周縁部分と、封止キャップ6の
開口縁部分とで挟むようにして接着剤7により固着し、
内部がドライ雰囲気に保持されたパッケージ9を構成す
る。これにより、有機EL素子1が完成する。
接合方法について説明すると、素子基板2上への素子
(配線3A,5Aを含む一対の電極3,5、有機層4)
作製後に、ドライ窒素雰囲気下で可撓性ケーブル10の
端部のカバーレイフィルム10cを取り除いた面と、各
端子3B,5Bとの間に異方性導電膜11を用いて、約
150℃で20秒加熱し、各電極3,5の端子3B,5
Bと可撓性ケーブル10を接合する。その後、この接合
部12を素子基板2の外周縁部分と、封止キャップ6の
開口縁部分とで挟むようにして接着剤7により固着し、
内部がドライ雰囲気に保持されたパッケージ9を構成す
る。これにより、有機EL素子1が完成する。
【0046】このように、上記第2の実施の形態では、
素子基板2と、封止キャップ6との封着部8に一対の電
極3,5の端子3B,5Bと可撓性ケーブル10との間
の接合部12を設けている。これにより、接合部12は
素子基板2の外周縁部分と、封止キャップ6の開口縁部
分とで挟まれる構造となり、接合部12が外部雰囲気に
さらされることなく、安定した電気的接続が得られる。
また、電極3,5と可撓性ケーブル10との間の間隔を
従来よりも短縮できる。その結果、各電極3,5から引
き出される配線を短く形成でき、従来に比べて素子を駆
動する上で負荷となる配線抵抗を小さくできる。
素子基板2と、封止キャップ6との封着部8に一対の電
極3,5の端子3B,5Bと可撓性ケーブル10との間
の接合部12を設けている。これにより、接合部12は
素子基板2の外周縁部分と、封止キャップ6の開口縁部
分とで挟まれる構造となり、接合部12が外部雰囲気に
さらされることなく、安定した電気的接続が得られる。
また、電極3,5と可撓性ケーブル10との間の間隔を
従来よりも短縮できる。その結果、各電極3,5から引
き出される配線を短く形成でき、従来に比べて素子を駆
動する上で負荷となる配線抵抗を小さくできる。
【0047】また、封着部8に接合部12を設ける構成
としたので、この接合部12を設けるためのスペースを
封止キャップ6の縁部分より外方に形成する必要がなく
なり、すなわち、素子基板2を延出形成する必要がなく
なる。その結果、素子基板2に無駄なスペースがなくな
り、表示領域を十分に確保した上で素子基板2のサイズ
を小さくすることができる。
としたので、この接合部12を設けるためのスペースを
封止キャップ6の縁部分より外方に形成する必要がなく
なり、すなわち、素子基板2を延出形成する必要がなく
なる。その結果、素子基板2に無駄なスペースがなくな
り、表示領域を十分に確保した上で素子基板2のサイズ
を小さくすることができる。
【0048】さらに、接合部12を含む封着部8は、素
子基板2の外周縁部分と封止キャップ6の開口縁部分と
で挟まれる構造となり、封止キャップ6における内方及
び外方に突出することなく接着剤7にて固着されるの
で、従来のような固定用のモールド材や保護テープが不
要となる。
子基板2の外周縁部分と封止キャップ6の開口縁部分と
で挟まれる構造となり、封止キャップ6における内方及
び外方に突出することなく接着剤7にて固着されるの
で、従来のような固定用のモールド材や保護テープが不
要となる。
【0049】なお、この第2実施の形態では、各端子3
B,5Bと接続される接続線として、可撓性ケーブル1
0を用いる例について述べたが、この接続線としては、
図5及び図6に示すように、リードフレーム13を用い
る構成としてもよい。
B,5Bと接続される接続線として、可撓性ケーブル1
0を用いる例について述べたが、この接続線としては、
図5及び図6に示すように、リードフレーム13を用い
る構成としてもよい。
【0050】このリードフレーム13は、板材を打ち抜
き加工し、一端を略L字状に曲げ加工を施した銅部材に
アルミ又は銀メッキを施したものである。このリードフ
レーム13は、有機EL素子1の端子3B,5Bの数に
対応して同数本用いられる。そして、このリードフレー
ム13を用いる場合では、図5及び図6に示すように、
一端を素子基板2の外周縁部分と封止キャップ6の開口
縁部分とで挟みこんで固定させ、リードフレーム13の
他端が素子基板2の板面に対して直交する方向に延出す
るように構成する。
き加工し、一端を略L字状に曲げ加工を施した銅部材に
アルミ又は銀メッキを施したものである。このリードフ
レーム13は、有機EL素子1の端子3B,5Bの数に
対応して同数本用いられる。そして、このリードフレー
ム13を用いる場合では、図5及び図6に示すように、
一端を素子基板2の外周縁部分と封止キャップ6の開口
縁部分とで挟みこんで固定させ、リードフレーム13の
他端が素子基板2の板面に対して直交する方向に延出す
るように構成する。
【0051】なお、上述した各実施の形態では、封止部
材として封止キャップ6をガラス基板を用いた構成とし
て述べたが、例えば厚さ0.3mm程度のアルミニウム
やステンレス等の金属板を封止キャップ6として用いて
もよい。この場合にも、前述した各実施の形態と同様の
効果を得ることができる。
材として封止キャップ6をガラス基板を用いた構成とし
て述べたが、例えば厚さ0.3mm程度のアルミニウム
やステンレス等の金属板を封止キャップ6として用いて
もよい。この場合にも、前述した各実施の形態と同様の
効果を得ることができる。
【0052】また、この封止部材としては、上記各実施
の形態で図示した蓋状の封止キャップ6に限らず、平板
状に形成されたものにて構成してもよい。この場合、素
子基板2の外周縁部分と、平板状封止部材の外周縁部分
を接着剤7により固着する。この平板状封止部材によれ
ば、封止部材を略箱状に形成するなどの加工が必要な
く、製作が容易になる。
の形態で図示した蓋状の封止キャップ6に限らず、平板
状に形成されたものにて構成してもよい。この場合、素
子基板2の外周縁部分と、平板状封止部材の外周縁部分
を接着剤7により固着する。この平板状封止部材によれ
ば、封止部材を略箱状に形成するなどの加工が必要な
く、製作が容易になる。
【0053】さらに、上記各実施の形態では、素子基板
2の上に透明電極による陽極3を形成した構成とした
が、透明電極からなる陽極3と金属薄膜からなる陰極5
を逆転させた構成としてもよい。その場合、陽極側3か
ら発光が観測されるため、素子基板2は必ずしも透光性
を有する必要はなく、絶縁性を有するガラス基板で構成
することができる。
2の上に透明電極による陽極3を形成した構成とした
が、透明電極からなる陽極3と金属薄膜からなる陰極5
を逆転させた構成としてもよい。その場合、陽極側3か
ら発光が観測されるため、素子基板2は必ずしも透光性
を有する必要はなく、絶縁性を有するガラス基板で構成
することができる。
【0054】さらに、一対の電極をなす陽極3と陰極5
は、少なくとも一方が透明性を有する導電材料(透明電
極)で形成されていればよい。その際、両方の電極3,
5が透明性を有する導電材料の場合には、一方の電極3
(5)に仕事関数の大きい透明性を有する導電材料(I
TO)を使用し、他方の電極5(3)に仕事関数の小さ
い透明性を有する導電材料を使用する。
は、少なくとも一方が透明性を有する導電材料(透明電
極)で形成されていればよい。その際、両方の電極3,
5が透明性を有する導電材料の場合には、一方の電極3
(5)に仕事関数の大きい透明性を有する導電材料(I
TO)を使用し、他方の電極5(3)に仕事関数の小さ
い透明性を有する導電材料を使用する。
【0055】
【発明の効果】以上説明したように本発明による有機E
L素子では、第一の電極及び第二の電極から引き出され
る配線と、これらの各電極に対し駆動信号を入力するた
めの外部の回路より延出される接続線とが、前記封止部
材内に位置して接続される構造としたので、各電極と接
続線との接続部分は外部雰囲気にさらされることがなく
安定した電気的接続が得られ、かつ信頼性を向上させる
ことが可能となるという効果がある。
L素子では、第一の電極及び第二の電極から引き出され
る配線と、これらの各電極に対し駆動信号を入力するた
めの外部の回路より延出される接続線とが、前記封止部
材内に位置して接続される構造としたので、各電極と接
続線との接続部分は外部雰囲気にさらされることがなく
安定した電気的接続が得られ、かつ信頼性を向上させる
ことが可能となるという効果がある。
【0056】また、各電極の配線と接続線との接続部分
が封止部材の内部であることから、接続線は封止部材と
素子基板とに挟持される構造となり、このことから接続
線が確実に固定されることとなる。その結果、接続部分
に従来技術のようなモールド材や保護テープが不要とな
る効果がある。
が封止部材の内部であることから、接続線は封止部材と
素子基板とに挟持される構造となり、このことから接続
線が確実に固定されることとなる。その結果、接続部分
に従来技術のようなモールド材や保護テープが不要とな
る効果がある。
【0057】さらに、各電極と接続線との接続部分を封
止部材の内部としたことで、各電極の配線を封止部材の
外側に延出させて引き出す構成としなくてもよく、この
ことから、接続線を各電極に近接させて接続でき、各電
極と接続線との間隔が短縮され、従来に比べて素子を駆
動する上での負荷となる配線抵抗を小さくすることが可
能となる。
止部材の内部としたことで、各電極の配線を封止部材の
外側に延出させて引き出す構成としなくてもよく、この
ことから、接続線を各電極に近接させて接続でき、各電
極と接続線との間隔が短縮され、従来に比べて素子を駆
動する上での負荷となる配線抵抗を小さくすることが可
能となる。
【0058】また、各電極の配線と接続線との接続部分
を封止部材の内部としたことで、従来封止部材の外部に
必要であった接続部分のためのスペースが不要となり、
このことから、従来、この接続部分のためのスペースで
あった素子基板の一部が不要となり、すなわち、有機E
L素子としての全体外形を小型化することが可能となる
という効果がある。
を封止部材の内部としたことで、従来封止部材の外部に
必要であった接続部分のためのスペースが不要となり、
このことから、従来、この接続部分のためのスペースで
あった素子基板の一部が不要となり、すなわち、有機E
L素子としての全体外形を小型化することが可能となる
という効果がある。
【0059】特に、各電極の配線と接続線との接続部分
を、封止部材の封着部分にて構成すると、この接続部分
が封止部材内方に突出せず、有機EL素子の表示領域を
十分に確保することができるという効果が得られる。
を、封止部材の封着部分にて構成すると、この接続部分
が封止部材内方に突出せず、有機EL素子の表示領域を
十分に確保することができるという効果が得られる。
【図1】本発明による有機EL素子の第1の実施の形態
を示す側断面図
を示す側断面図
【図2】同有機EL素子の平面図
【図3】本発明による有機EL素子の第2の実施の形態
の一例を示す側断面図
の一例を示す側断面図
【図4】同有機EL素子の平面図
【図5】本発明による有機EL素子の他の実施の形態の
一例を示す側断面図
一例を示す側断面図
【図6】同有機EL素子の平面図
【図7】従来の有機EL素子の一例を示す側断面図
【図8】従来の有機EL素子の一例を示す平面図
【図9】従来の有機EL素子の一例を示す側断面図
1…有機EL素子 2…素子基板 3…陽極 3A…陽極の配線 4…有機層 5…陰極 5A…陰極の配線 6…封止部材(封止キャップ) 8…封着部 10,13…接続線(可撓性ケーブル,リードフレー
ム)
ム)
Claims (3)
- 【請求項1】 少なくとも一方が透光性を有した導電膜
からなる第一の電極と第二の電極とによる一対の電極間
に、発光層を含む有機層が素子基板上に積層して形成さ
れ、前記一対の電極及び前記有機層を覆い外周部分で封
着されるように封止部材によって封止された有機EL素
子において、 前記第一の電極及び第二の電極の一部から引き出される
配線は、外部の回路より延出される接続線に対し、前記
封止部材内に位置して接続されることを特徴とする有機
EL素子。 - 【請求項2】 少なくとも一方が透光性を有した導電膜
からなる第一の電極と第二の電極とによる一対の電極間
に、発光層を含む有機層が素子基板上に積層して形成さ
れ、前記一対の電極及び前記有機層を覆い外周部分で封
着されるように封止部材によって封止された有機EL素
子において、 前記第一の電極及び第二の電極の一部から引き出される
配線は、外部の回路より延出される接続線に対し、前記
素子基板と前記封止部材との封着部分にて接続されるこ
とを特徴とする有機EL素子。 - 【請求項3】 少なくとも一方が透光性を有した導電膜
からなる第一の電極と第二の電極とによる一対の電極間
に、発光層を含む有機層が素子基板上に積層して形成さ
れ、前記一対の電極及び前記有機層を覆い外周部分で封
着されるように封止部材によって封止された有機EL素
子において、 前記第一の電極及び第二の電極の一部から引き出される
配線は、外部の回路より延出される接続線に対し、前記
素子基板と前記封止部材との封着部分より内部の空間に
て接続されることを特徴とする有機EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11166969A JP2000357585A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11166969A JP2000357585A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 有機el素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357585A true JP2000357585A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15840984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11166969A Pending JP2000357585A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 有機el素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000357585A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003001851A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Neoview Co., Ltd. | Metal cap for encapsulating organic light-emitting device and method for producing the same |
| JP2003100450A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| WO2003037041A1 (en) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Light emitting apparatus |
| JP2003142258A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
| US7420208B2 (en) | 2001-06-20 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2009088515A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光装置、照明装置および発光材 |
| US7728326B2 (en) | 2001-06-20 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| US7919919B2 (en) | 2004-02-20 | 2011-04-05 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent display having a specific structure for a pad supplying the drive signal |
| JP2012084474A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Rohm Co Ltd | 有機el装置 |
-
1999
- 1999-06-14 JP JP11166969A patent/JP2000357585A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952101B2 (en) | 2001-06-20 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8822982B2 (en) | 2001-06-20 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| US9276224B2 (en) | 2001-06-20 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device having dual flexible substrates |
| US9178168B2 (en) | 2001-06-20 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | White light emitting device |
| US7420208B2 (en) | 2001-06-20 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9166180B2 (en) | 2001-06-20 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having an organic light emitting diode that emits white light |
| US7728326B2 (en) | 2001-06-20 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| US8415660B2 (en) | 2001-06-20 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2003100450A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| US8134149B2 (en) | 2001-06-20 | 2012-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| WO2003001851A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Neoview Co., Ltd. | Metal cap for encapsulating organic light-emitting device and method for producing the same |
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| US7919919B2 (en) | 2004-02-20 | 2011-04-05 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent display having a specific structure for a pad supplying the drive signal |
| US8791633B2 (en) | 2007-09-27 | 2014-07-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting device |
| JP2009088515A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光装置、照明装置および発光材 |
| JP2012084474A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Rohm Co Ltd | 有機el装置 |
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