JP2000357654A - 反射防止膜、光学素子、露光装置、及び電子物品 - Google Patents
反射防止膜、光学素子、露光装置、及び電子物品Info
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- JP2000357654A JP2000357654A JP11291683A JP29168399A JP2000357654A JP 2000357654 A JP2000357654 A JP 2000357654A JP 11291683 A JP11291683 A JP 11291683A JP 29168399 A JP29168399 A JP 29168399A JP 2000357654 A JP2000357654 A JP 2000357654A
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単に残存反射率が低いばかりでなく、レン
ズの曲率、等に起因するレンズ面内の膜厚のムラに対し
ても、300nm以下、特にλ0 =150〜300nm
の任意の波長範囲において高い反射防止効果を有し、か
つ広い入射角度に対しても高い反射防止効果を有する光
学反射防止膜を提供することを目的とする。 【解決手段】基板上に5層積層した反射防止膜であり、
基板側から数えて第1層、第3層および第5層が低屈折
率材料からなり、第2層および第4層が高屈折率材料か
らなり、λ0 を設計中心波長としたとき、第1層と第2
層と第3層との光学的膜厚の総和を0.6 λ0 以上1.
2λ0 以下の範囲とし、第4層と第5層との光学的膜厚
を各々0.2λ0 以上0.3λ0 以下の範囲とすること
によって上記問題を解決した。
ズの曲率、等に起因するレンズ面内の膜厚のムラに対し
ても、300nm以下、特にλ0 =150〜300nm
の任意の波長範囲において高い反射防止効果を有し、か
つ広い入射角度に対しても高い反射防止効果を有する光
学反射防止膜を提供することを目的とする。 【解決手段】基板上に5層積層した反射防止膜であり、
基板側から数えて第1層、第3層および第5層が低屈折
率材料からなり、第2層および第4層が高屈折率材料か
らなり、λ0 を設計中心波長としたとき、第1層と第2
層と第3層との光学的膜厚の総和を0.6 λ0 以上1.
2λ0 以下の範囲とし、第4層と第5層との光学的膜厚
を各々0.2λ0 以上0.3λ0 以下の範囲とすること
によって上記問題を解決した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光用、特に紫外光
用反射防止膜およびこれを具えた光学素子、および光学
系にこれを具えた露光装置、及びこの露光装置で製造さ
れた電子物品に関するものである。
用反射防止膜およびこれを具えた光学素子、および光学
系にこれを具えた露光装置、及びこの露光装置で製造さ
れた電子物品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の集積度を増すため
に、縮小投影露光装置(ステッパー)の高解像化の要求
が高まっている。一般にフォトリソグラフィーの解像度
Rは、 R=k・λ/NA で表される。ここで、kは比例定数、λとNAは各々露
光波長と光学系の開口数である。
に、縮小投影露光装置(ステッパー)の高解像化の要求
が高まっている。一般にフォトリソグラフィーの解像度
Rは、 R=k・λ/NA で表される。ここで、kは比例定数、λとNAは各々露
光波長と光学系の開口数である。
【0003】前記解像度の式よりステッパーによるフォ
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法としては
光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀ラン
プよりも短波長域の光を発振でき、かつ高出力なレーザ
ーを光源としたステッパーの実用化が始まっている。こ
のステッパーの光学系において、レンズ、等の光学素子
の表面反射による光量損失やフレア・ゴースト、等を低
減するために様々な光学素子表面に反射防止膜を形成す
る必要がある。また、光源であるレーザーにはKrFエ
キシマレーザー(λ≒248nm)やArFエキシマレ
ーザー(λ≒193nm)等があるが、これらの光に対
して吸収の大きい膜物質や耐レーザー性の低い膜物質に
よって光学薄膜を構成した場合、吸収による光量損失、
吸収発熱による膜破壊や基板面変化、等を起こしやすく
なる。このため使用する膜物質としては低吸収・高耐レ
ーザー性を有しているものが望ましい。前記レーザー波
長にて使用可能な膜物質は主にフッ化マグネシウム(M
gF2 )のようなフッ素化合物や酸化珪素(Si
O2 )、等の一部の酸化物であるが、種類が限られてい
る。また、同様にレンズ、等の光学素子に使用される基
板材料も蛍石などフッ素化合物結晶や石英ガラス、等に
限られている。このような基板材料および膜物質に対す
る制限は、光源の波長が短いほど顕著であることが知ら
れている。
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法としては
光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀ラン
プよりも短波長域の光を発振でき、かつ高出力なレーザ
ーを光源としたステッパーの実用化が始まっている。こ
のステッパーの光学系において、レンズ、等の光学素子
の表面反射による光量損失やフレア・ゴースト、等を低
減するために様々な光学素子表面に反射防止膜を形成す
る必要がある。また、光源であるレーザーにはKrFエ
キシマレーザー(λ≒248nm)やArFエキシマレ
ーザー(λ≒193nm)等があるが、これらの光に対
して吸収の大きい膜物質や耐レーザー性の低い膜物質に
よって光学薄膜を構成した場合、吸収による光量損失、
吸収発熱による膜破壊や基板面変化、等を起こしやすく
なる。このため使用する膜物質としては低吸収・高耐レ
ーザー性を有しているものが望ましい。前記レーザー波
長にて使用可能な膜物質は主にフッ化マグネシウム(M
gF2 )のようなフッ素化合物や酸化珪素(Si
O2 )、等の一部の酸化物であるが、種類が限られてい
る。また、同様にレンズ、等の光学素子に使用される基
板材料も蛍石などフッ素化合物結晶や石英ガラス、等に
限られている。このような基板材料および膜物質に対す
る制限は、光源の波長が短いほど顕著であることが知ら
れている。
【0004】従来例1の反射防止膜として図20の様な
構成のものが知られている。これは基板11上に高屈折
率層22および低屈折率層23を順次積層させた2層の
構成となっている。2層構成の反射防止膜における反射
防止条件は、基板の屈折率をnS 、媒質の屈折率を
n0 、低屈折率層の屈折率をnL および高屈折率層の屈
折率をnH としたとき、
構成のものが知られている。これは基板11上に高屈折
率層22および低屈折率層23を順次積層させた2層の
構成となっている。2層構成の反射防止膜における反射
防止条件は、基板の屈折率をnS 、媒質の屈折率を
n0 、低屈折率層の屈折率をnL および高屈折率層の屈
折率をnH としたとき、
【0005】
【数1】 であることが知られている。設計中心波長λ0 =193
nmにおいて(この設計中心波長は、薄膜の膜厚を指定
する単位として慣例的に用いられるが、通常、反射防止
の対象波長、もしくはその近傍の波長が指定される。基
板11を石英ガラス(nS =1.55)、使用可能な膜
材料として、高屈折率層22にフッ化ランタン(LaF
3 、nH =1.69)を、低屈折率層23にフッ化マグ
ネシウム(MgF2 、nL =1.42)を選び、前記反
射防止条件に当てはめると、
nmにおいて(この設計中心波長は、薄膜の膜厚を指定
する単位として慣例的に用いられるが、通常、反射防止
の対象波長、もしくはその近傍の波長が指定される。基
板11を石英ガラス(nS =1.55)、使用可能な膜
材料として、高屈折率層22にフッ化ランタン(LaF
3 、nH =1.69)を、低屈折率層23にフッ化マグ
ネシウム(MgF2 、nL =1.42)を選び、前記反
射防止条件に当てはめると、
【0006】
【数2】 となり、反射防止条件を満たさない事がわかる。前記の
ような基板および膜物質を使用した従来例1の2層反射
防止膜でλ=193nmにおいて、反射率が最も低くな
るのは、 基板 :石英ガラス 第1層:LaF3 0.25λ0 第2層:MgF2 0.25λ0 媒質 :空気 の構成の場合である。
ような基板および膜物質を使用した従来例1の2層反射
防止膜でλ=193nmにおいて、反射率が最も低くな
るのは、 基板 :石英ガラス 第1層:LaF3 0.25λ0 第2層:MgF2 0.25λ0 媒質 :空気 の構成の場合である。
【0007】図21に従来例1の反射防止膜の入射角θ
=0°における反射率特性、図22に入射角θ=0°、
λ=193nmにおける光学アドミッタンス図を示す。
図22の光学アドミッタンス図は、従来例1の2層反射
防止膜のアドミッタンスの軌跡の終点が(1.1,0)
であることを示す。図21から従来例1の2層反射防止
膜はλ=193nm、θ=0°において残存反射率が約
0.2%であることがわかる。
=0°における反射率特性、図22に入射角θ=0°、
λ=193nmにおける光学アドミッタンス図を示す。
図22の光学アドミッタンス図は、従来例1の2層反射
防止膜のアドミッタンスの軌跡の終点が(1.1,0)
であることを示す。図21から従来例1の2層反射防止
膜はλ=193nm、θ=0°において残存反射率が約
0.2%であることがわかる。
【0008】従来例2の反射防止膜として、特願平8−
147019に開示された反射防止膜は、図23に示す
ように基板11から低屈折率層21、高屈折率層22お
よび低屈折率層23を順次3層積層してなり、各層の膜
厚の代表例としては以下のような構成をしている。 基板 :石英ガラス 第1層:MgF2 0.10λ0 第2層:LaF3 0.30λ0 第3層:MgF2 0.25λ0 媒質 :空気 ここで設計中心波長λ0 =193nmである。
147019に開示された反射防止膜は、図23に示す
ように基板11から低屈折率層21、高屈折率層22お
よび低屈折率層23を順次3層積層してなり、各層の膜
厚の代表例としては以下のような構成をしている。 基板 :石英ガラス 第1層:MgF2 0.10λ0 第2層:LaF3 0.30λ0 第3層:MgF2 0.25λ0 媒質 :空気 ここで設計中心波長λ0 =193nmである。
【0009】図24に従来例2の反射防止膜の入射角θ
=0°における反射率特性を、図25に入射角θ=0
°、λ=193nmにおける光学アドミッタンス図を示
す。前記のような3層構成にすることによって、図25
の光学アドミッタンス図において、アドミッタンスの軌
跡の終点が空気の屈折率を示す点(1,0)に近く、そ
の結果、図24からこの3層反射防止膜はλ=193n
m,θ=0°において残存反射をほぼ0%にすることが
できることが分かる。
=0°における反射率特性を、図25に入射角θ=0
°、λ=193nmにおける光学アドミッタンス図を示
す。前記のような3層構成にすることによって、図25
の光学アドミッタンス図において、アドミッタンスの軌
跡の終点が空気の屈折率を示す点(1,0)に近く、そ
の結果、図24からこの3層反射防止膜はλ=193n
m,θ=0°において残存反射をほぼ0%にすることが
できることが分かる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】前述の、従来例1、従
来例2の反射防止膜には以下のような問題がある。従来
例1の2層反射防止膜を、縮小投影露光装置に於いて現
実的な、例えば50枚のレンズからなる光学系に用いた
場合、100面の2層反射防止膜を光が透過することと
なり、この残存反射により約20%(1−(1−0.0
02)100≒0.18)近い光量が透過することができ
ず、露光効率の低下につながることとなる。
来例2の反射防止膜には以下のような問題がある。従来
例1の2層反射防止膜を、縮小投影露光装置に於いて現
実的な、例えば50枚のレンズからなる光学系に用いた
場合、100面の2層反射防止膜を光が透過することと
なり、この残存反射により約20%(1−(1−0.0
02)100≒0.18)近い光量が透過することができ
ず、露光効率の低下につながることとなる。
【0011】さらに反射光はフレア・ゴースト等の原因
ともなり、露光精度の低下を引き起こすこととなる。こ
のような残存反射を低減するためには図22の光学アド
ミッタンス図において、アドミッタンスの軌跡の終点を
媒質すなわち空気の屈折率を示す点(1,0)に近づけ
る必要がある。そのためには前記反射防止条件を満たす
ような物質として、 より低い屈折率の基板 より高い屈折率の高屈折率物質 より低い屈折率の低屈折率物質 を使用することが考えられる。ところが前述したように
使用できる基板および膜物質の種類が限られているた
め、従来例1の2層構成では若干の残存反射は避けられ
ないものであった。
ともなり、露光精度の低下を引き起こすこととなる。こ
のような残存反射を低減するためには図22の光学アド
ミッタンス図において、アドミッタンスの軌跡の終点を
媒質すなわち空気の屈折率を示す点(1,0)に近づけ
る必要がある。そのためには前記反射防止条件を満たす
ような物質として、 より低い屈折率の基板 より高い屈折率の高屈折率物質 より低い屈折率の低屈折率物質 を使用することが考えられる。ところが前述したように
使用できる基板および膜物質の種類が限られているた
め、従来例1の2層構成では若干の残存反射は避けられ
ないものであった。
【0012】従来例2の反射防止膜は、前に述べたよう
に残存反射率を殆ど0%にすることができる。しかしな
がら、一般的に反射防止膜の成膜法として用いられる真
空蒸着法を用いると、光学系で使用される曲率を有する
レンズに適用した場合、その表面に形成した反射防止膜
の膜厚は、レンズ中心部と周辺部では異なる。一般的に
は凸レンズおよび凹レンズのどちらも、その中心部から
周辺部にかけて次第に膜厚は薄くなり、この傾向は曲率
半径の小さなレンズほど顕著である。このため、レンズ
周辺部における反射防止帯域はレンズ中心部における反
射防止帯域より膜厚が薄くなった分だけ短波長にシフト
する。その結果、中心部の膜厚に対する周辺部の膜厚の
比が、ある一定値より小さくなるとレンズ周辺部におけ
る有効な反射防止帯域から外れてしまう、という問題が
ある。ここでは、基板内における最大膜厚(基準膜厚)
を1としたとき、最大膜厚に対する最小膜厚の比を「膜
厚比」と呼ぶことにする。
に残存反射率を殆ど0%にすることができる。しかしな
がら、一般的に反射防止膜の成膜法として用いられる真
空蒸着法を用いると、光学系で使用される曲率を有する
レンズに適用した場合、その表面に形成した反射防止膜
の膜厚は、レンズ中心部と周辺部では異なる。一般的に
は凸レンズおよび凹レンズのどちらも、その中心部から
周辺部にかけて次第に膜厚は薄くなり、この傾向は曲率
半径の小さなレンズほど顕著である。このため、レンズ
周辺部における反射防止帯域はレンズ中心部における反
射防止帯域より膜厚が薄くなった分だけ短波長にシフト
する。その結果、中心部の膜厚に対する周辺部の膜厚の
比が、ある一定値より小さくなるとレンズ周辺部におけ
る有効な反射防止帯域から外れてしまう、という問題が
ある。ここでは、基板内における最大膜厚(基準膜厚)
を1としたとき、最大膜厚に対する最小膜厚の比を「膜
厚比」と呼ぶことにする。
【0013】図26に従来例2の反射防止膜の膜厚比が
それぞれ1.00、0.95、0.90および0.85
での入射角θ=0°における反射率特性を、図27に入
射角θ=0°、λ=193nmにおける各々の光学アド
ミッタンス図を示す。図26において、膜厚比0.90
ですでにλ=193nmの反射率が、0.5%を超え、
膜厚比0.85では約1.3%にまで達してしまうこと
がわかる。図27の光学アドミッタンス図からも、膜厚
比が小さくなるにつれて、光学アドミッタンスの軌跡の
終点が次第に空気の屈折率を示す点(1,0)から遠ざ
かっていることがわかる。このように膜厚比が小さくな
るにつれて光学アドミッタンスの軌跡の終点が空気の屈
折率を示す点(1,0)から遠ざかり、残存反射率が増
加する性質は、従来例1の反射防止膜についても同様で
ある。
それぞれ1.00、0.95、0.90および0.85
での入射角θ=0°における反射率特性を、図27に入
射角θ=0°、λ=193nmにおける各々の光学アド
ミッタンス図を示す。図26において、膜厚比0.90
ですでにλ=193nmの反射率が、0.5%を超え、
膜厚比0.85では約1.3%にまで達してしまうこと
がわかる。図27の光学アドミッタンス図からも、膜厚
比が小さくなるにつれて、光学アドミッタンスの軌跡の
終点が次第に空気の屈折率を示す点(1,0)から遠ざ
かっていることがわかる。このように膜厚比が小さくな
るにつれて光学アドミッタンスの軌跡の終点が空気の屈
折率を示す点(1,0)から遠ざかり、残存反射率が増
加する性質は、従来例1の反射防止膜についても同様で
ある。
【0014】すなわち、従来の反射防止膜は、反射防止
効果を有する膜厚比範囲が、例えば0.5%以下の低反
射率を確保できる膜厚比範囲が狭く、そのために、膜厚
比が0.9以下になるような曲率を有したレンズに反射
防止効果を有効に発揮することができないという問題が
あった。また、前記解像度の式より、ステッパーによる
フォトリソグラフィーの解像度を上げるための方法とし
て、光源波長の短波長化の他に、ステッパー光学系の開
口数(NA)を大きくする方法がある。NAは、露光対
象物(半導体ウェハ等)に於ける法線方向に対する露光
光線の最大入射角(θ)の正弦、sinθであるから、
NAを大きくすることは、レンズ表面に入射する光線入
射角度も広くなることを意味している。つまり、前記の
反射防止膜が、より広い入射角度に対して、反射防止効
果を有していることが望まれる。
効果を有する膜厚比範囲が、例えば0.5%以下の低反
射率を確保できる膜厚比範囲が狭く、そのために、膜厚
比が0.9以下になるような曲率を有したレンズに反射
防止効果を有効に発揮することができないという問題が
あった。また、前記解像度の式より、ステッパーによる
フォトリソグラフィーの解像度を上げるための方法とし
て、光源波長の短波長化の他に、ステッパー光学系の開
口数(NA)を大きくする方法がある。NAは、露光対
象物(半導体ウェハ等)に於ける法線方向に対する露光
光線の最大入射角(θ)の正弦、sinθであるから、
NAを大きくすることは、レンズ表面に入射する光線入
射角度も広くなることを意味している。つまり、前記の
反射防止膜が、より広い入射角度に対して、反射防止効
果を有していることが望まれる。
【0015】図28に従来例2の反射防止膜のλ=19
3nmにおける入射角度特性図を示す。Rsは偏光成分
s偏光に対する反射率であり、Rpは偏光成分p偏光に
対する反射率であり、Raは平均反射率である。図28
において、反射率Raが0.5%以下を満たしている入
射角度範囲は、θ=0〜35°であり、これ以上の入射
角度では、充分な反射防止効果が得られないことがわか
る。θ=43°では反射率は1%に増大してしまう。
3nmにおける入射角度特性図を示す。Rsは偏光成分
s偏光に対する反射率であり、Rpは偏光成分p偏光に
対する反射率であり、Raは平均反射率である。図28
において、反射率Raが0.5%以下を満たしている入
射角度範囲は、θ=0〜35°であり、これ以上の入射
角度では、充分な反射防止効果が得られないことがわか
る。θ=43°では反射率は1%に増大してしまう。
【0016】更に、低反射率を充たす入射角度範囲が、
θ=0〜35°で許容できても、下記のようにレンズの
曲率により中心部と周辺部に膜厚差が生じるため、レン
ズ周辺部における反射特性は図28の場合よりも更に悪
化してしまう。従来例2の反射防止膜について、図29
に膜厚比がそれぞれ1.0、0.95、及び0.90に
対するλ=193nmに於ける反射率の角度特性を示
す。図29において、膜厚比が小さくなるにつれて反射
率が上昇するとともに低反射率を満足する角度範囲が狭
くなっていることがわかる。反射率0.5%以下の入射
角度範囲は膜厚比0.95でθ=0〜約25°まで狭く
なり、膜厚比0.90では、0.5%以下の角度はなく
なってしまい、垂直入射において反射率が0.6%に増
加する。
θ=0〜35°で許容できても、下記のようにレンズの
曲率により中心部と周辺部に膜厚差が生じるため、レン
ズ周辺部における反射特性は図28の場合よりも更に悪
化してしまう。従来例2の反射防止膜について、図29
に膜厚比がそれぞれ1.0、0.95、及び0.90に
対するλ=193nmに於ける反射率の角度特性を示
す。図29において、膜厚比が小さくなるにつれて反射
率が上昇するとともに低反射率を満足する角度範囲が狭
くなっていることがわかる。反射率0.5%以下の入射
角度範囲は膜厚比0.95でθ=0〜約25°まで狭く
なり、膜厚比0.90では、0.5%以下の角度はなく
なってしまい、垂直入射において反射率が0.6%に増
加する。
【0017】以上、従来例で詳しく説明したように、従
来例1の反射防止膜は、無視できない残存反射があり、
また従来例2の反射防止膜は、残存反射を殆ど0%に出
来るが、膜厚比が小さくなると、特に膜厚比が0.9以
下になると、反射率が高くなり、且つ、低反射率を充た
すことができる入射角度範囲が狭くなり、特に、0.5
%以下というような低反射にできる入射角度範囲が狭く
なる。このため、従来例2の反射防止膜は、曲率を有す
るレンズに反射防止効果を有効に発揮することができな
い、また、入射角度が大きい条件で使用できないという
問題があった。特に、従来例2の反射防止膜は、膜厚比
が0.9以下になるような曲率を有したレンズに対し
て、広い入射角度範囲で反射防止効果を有効に発揮する
ことができないという問題があった。
来例1の反射防止膜は、無視できない残存反射があり、
また従来例2の反射防止膜は、残存反射を殆ど0%に出
来るが、膜厚比が小さくなると、特に膜厚比が0.9以
下になると、反射率が高くなり、且つ、低反射率を充た
すことができる入射角度範囲が狭くなり、特に、0.5
%以下というような低反射にできる入射角度範囲が狭く
なる。このため、従来例2の反射防止膜は、曲率を有す
るレンズに反射防止効果を有効に発揮することができな
い、また、入射角度が大きい条件で使用できないという
問題があった。特に、従来例2の反射防止膜は、膜厚比
が0.9以下になるような曲率を有したレンズに対し
て、広い入射角度範囲で反射防止効果を有効に発揮する
ことができないという問題があった。
【0018】本発明は、従来のこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、レンズの曲率等に起因するレン
ズ面内の膜厚のムラがあっても、λ0 =150〜300
nmの任意の波長範囲に於いて、広い入射角度範囲で、
高い反射防止効果を有する反射防止膜及び光学素子及び
縮小投影露光装置を提供することを目的とする。
てなされたものであり、レンズの曲率等に起因するレン
ズ面内の膜厚のムラがあっても、λ0 =150〜300
nmの任意の波長範囲に於いて、広い入射角度範囲で、
高い反射防止効果を有する反射防止膜及び光学素子及び
縮小投影露光装置を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するために手段】上記課題を解決するた
め、本発明は第一に「少なくとも入射光に対して透明な
基板上に形成され、0〜50°の入射角で、反射率が
1.0%以下であることを特徴とした反射防止膜(請求
項1)」を提供する。また、本発明は第二に「基板上に
5層積層した反射防止膜であり、基板側から数えて第1
層、第3層および第5層が低屈折率材料からなり、第2
層および第4層が高屈折率材料からなり、λ0 を設計中
心波長としたとき、第1層と第2層と第3層との光学的
膜厚の総和が0.55λ0 以上1.2λ0 以下の範囲で
あり、第4層の光学的膜厚が0.2λ0 以上0.4λ0
以下の範囲であり、第5層の光学的膜厚が0.2λ0 以
上0.3λ0 以下の範囲であることを特徴とする反射防
止膜(請求項2)」を提供する。
め、本発明は第一に「少なくとも入射光に対して透明な
基板上に形成され、0〜50°の入射角で、反射率が
1.0%以下であることを特徴とした反射防止膜(請求
項1)」を提供する。また、本発明は第二に「基板上に
5層積層した反射防止膜であり、基板側から数えて第1
層、第3層および第5層が低屈折率材料からなり、第2
層および第4層が高屈折率材料からなり、λ0 を設計中
心波長としたとき、第1層と第2層と第3層との光学的
膜厚の総和が0.55λ0 以上1.2λ0 以下の範囲で
あり、第4層の光学的膜厚が0.2λ0 以上0.4λ0
以下の範囲であり、第5層の光学的膜厚が0.2λ0 以
上0.3λ0 以下の範囲であることを特徴とする反射防
止膜(請求項2)」を提供する。
【0020】また、本発明は第三に「前記第1層と第2
層と第3層との光学的膜厚の総和が0.8λ0 以上1.
2λ0 以下の範囲であり、第4層と第5層の光学的膜厚
が各々0.2λ0 以上0.3λ0 以下の範囲であること
を特徴とする請求項2記載の反射防止膜(請求項3)」
を提供する。また、本発明は第四に「前記第1層の光学
的膜厚が0.1λ0 以上0.25λ 0 以下の範囲であ
り、前記第2層の光学的膜厚が0.45λ0 以上0.6
λ0 以下の範囲であり、前記第3層の光学的膜厚が0.
25λ0 以上0.35λ0 以下の範囲であることを特徴
とする請求項3記載の反射防止膜(請求項4)」を提供
する。
層と第3層との光学的膜厚の総和が0.8λ0 以上1.
2λ0 以下の範囲であり、第4層と第5層の光学的膜厚
が各々0.2λ0 以上0.3λ0 以下の範囲であること
を特徴とする請求項2記載の反射防止膜(請求項3)」
を提供する。また、本発明は第四に「前記第1層の光学
的膜厚が0.1λ0 以上0.25λ 0 以下の範囲であ
り、前記第2層の光学的膜厚が0.45λ0 以上0.6
λ0 以下の範囲であり、前記第3層の光学的膜厚が0.
25λ0 以上0.35λ0 以下の範囲であることを特徴
とする請求項3記載の反射防止膜(請求項4)」を提供
する。
【0021】また、本発明は第五に「前記第1層及び第
3層の光学的膜厚が各々0.05λ 0 以上0.2λ0 以
下、第2層の光学的膜厚が0.5λ0 以上0.8λ0 以
下、第4層の光学的膜厚が0.25λ0 以上0.4λ0
以下、第5層の光学的膜厚が0.2λ0 以上0.3λ0
以下の範囲であることを特徴とする請求項2記載の反射
防止膜(請求項5)」を提供する。
3層の光学的膜厚が各々0.05λ 0 以上0.2λ0 以
下、第2層の光学的膜厚が0.5λ0 以上0.8λ0 以
下、第4層の光学的膜厚が0.25λ0 以上0.4λ0
以下、第5層の光学的膜厚が0.2λ0 以上0.3λ0
以下の範囲であることを特徴とする請求項2記載の反射
防止膜(請求項5)」を提供する。
【0022】また、本発明は第六に「前記第1層の光学
的膜厚が0.05λ0 以上0.15λ0 以下、前記第2
層の光学的膜厚が0.4λ0 以上0.55λ0 以下、前
記第3層の光学的膜厚が0.35λ0 以上0.5λ0 以
下であることを特徴とする請求項2、3何れか1項記載
の反射防止膜(請求項6)」を提供する。また、本発明
は第七に「前記低屈折率材料の屈折率、前記高屈折材料
の屈折率、および前記基板の屈折率を各々nL 、nH 、
およびnS としたとき、nL <n S <nH の関係を満足
することを特徴とする請求項2〜6何れか1項記載の反
射防止膜(請求項7)」を提供する。
的膜厚が0.05λ0 以上0.15λ0 以下、前記第2
層の光学的膜厚が0.4λ0 以上0.55λ0 以下、前
記第3層の光学的膜厚が0.35λ0 以上0.5λ0 以
下であることを特徴とする請求項2、3何れか1項記載
の反射防止膜(請求項6)」を提供する。また、本発明
は第七に「前記低屈折率材料の屈折率、前記高屈折材料
の屈折率、および前記基板の屈折率を各々nL 、nH 、
およびnS としたとき、nL <n S <nH の関係を満足
することを特徴とする請求項2〜6何れか1項記載の反
射防止膜(請求項7)」を提供する。
【0023】また、本発明は第八に「前記低屈折率材料
が、フッ化マグネシウム、フッ化アルミニウム、フッ化
ナトリウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、フッ
化バリウム、フッ化ストロンチウム、クリオライト、チ
オライト、および酸化硅素の群と、該群から選ばれた二
つ以上から成る混合物群と複合化合物群と、から選ばれ
た1種類以上の材料であり、前記高屈折率材料が、フッ
化ネオジム、フッ化ランタン、フッ化ガドリニウム、フ
ッ化ディスプロシウム、フッ化イットリウム、フッ化
鉛、および酸化アルミニウムの群と、該群から選ばれた
二つ以上から成る混合物群と複合化合物群と、から選ば
れた1種類以上の材料であることを特徴とする請求項2
〜7何れか1項記載の反射防止膜(請求項8)」を提供
する。
が、フッ化マグネシウム、フッ化アルミニウム、フッ化
ナトリウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、フッ
化バリウム、フッ化ストロンチウム、クリオライト、チ
オライト、および酸化硅素の群と、該群から選ばれた二
つ以上から成る混合物群と複合化合物群と、から選ばれ
た1種類以上の材料であり、前記高屈折率材料が、フッ
化ネオジム、フッ化ランタン、フッ化ガドリニウム、フ
ッ化ディスプロシウム、フッ化イットリウム、フッ化
鉛、および酸化アルミニウムの群と、該群から選ばれた
二つ以上から成る混合物群と複合化合物群と、から選ば
れた1種類以上の材料であることを特徴とする請求項2
〜7何れか1項記載の反射防止膜(請求項8)」を提供
する。
【0024】また、本発明は第九に「前記基板が波長3
00nm以下の波長範囲から選ばれた紫外光を透過する
ことを特徴とする請求項2〜8何れか1項記載の反射防
止膜(請求項9)」を提供する。また、本発明は第十に
「基板上に5層積層した反射防止膜であり、特定波長で
の反射率が、0〜50°の入射角範囲で1.0%以下で
あると共に、1〜0.85の膜厚比範囲に渡り0°の入
射角で0.5%以下であることを特徴とする反射防止膜
(請求項10)」を提供する。
00nm以下の波長範囲から選ばれた紫外光を透過する
ことを特徴とする請求項2〜8何れか1項記載の反射防
止膜(請求項9)」を提供する。また、本発明は第十に
「基板上に5層積層した反射防止膜であり、特定波長で
の反射率が、0〜50°の入射角範囲で1.0%以下で
あると共に、1〜0.85の膜厚比範囲に渡り0°の入
射角で0.5%以下であることを特徴とする反射防止膜
(請求項10)」を提供する。
【0025】また、本発明は第十一に「基板上に5層積
層した反射防止膜であり、特定波長での反射率が、1〜
0.9の膜厚比範囲に渡り0〜40°の入射角範囲で
0.5%以下であることを特徴とする反射防止膜(請求
項11)」を提供する。また、本発明は第十二に「波長
300nm以下の波長範囲から選ばれた紫外光を透過す
る基板と、請求項1〜11何れか1項記載の反射防止膜
とを具え、前記紫外光に対して低反射性であることを特
徴とする光学素子(請求項12)」を提供する。
層した反射防止膜であり、特定波長での反射率が、1〜
0.9の膜厚比範囲に渡り0〜40°の入射角範囲で
0.5%以下であることを特徴とする反射防止膜(請求
項11)」を提供する。また、本発明は第十二に「波長
300nm以下の波長範囲から選ばれた紫外光を透過す
る基板と、請求項1〜11何れか1項記載の反射防止膜
とを具え、前記紫外光に対して低反射性であることを特
徴とする光学素子(請求項12)」を提供する。
【0026】また、本発明は第十三に「光学系を具え、
前記光学系に請求項12記載の光学素子を具え、波長3
00nm以下の波長範囲から選ばれた紫外光を露光波長
として用いることを特徴とする露光装置(請求項1
3)」を提供する。また、本発明は第十四に「請求項1
3記載の露光装置により製造されたことを特徴とする電
子物品(請求項14)」を提供する。
前記光学系に請求項12記載の光学素子を具え、波長3
00nm以下の波長範囲から選ばれた紫外光を露光波長
として用いることを特徴とする露光装置(請求項1
3)」を提供する。また、本発明は第十四に「請求項1
3記載の露光装置により製造されたことを特徴とする電
子物品(請求項14)」を提供する。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態として
の反射防止膜を図面を参照しながら説明するが、本発明
はこの説明に限定されるものではない。図1、図6、図
9、図14、図17は、各々本発明の実施形態の反射防
止膜を示す。
の反射防止膜を図面を参照しながら説明するが、本発明
はこの説明に限定されるものではない。図1、図6、図
9、図14、図17は、各々本発明の実施形態の反射防
止膜を示す。
【0028】本発明にかかる反射防止膜は、基板11上
に基板側から数えて第1層として低屈折率層12、第2
層として高屈折率層13、第3層として低屈折率層1
4、第4層として高屈折率層15、および第5層として
低屈折率層16を順次5層積層した構成である。本実施
形態の反射防止膜の構成層の光学的膜厚は、λ0 を設計
中心波長としたとき、第1層と第2層と第3層との光学
的膜厚の総和が0.6λ0 以上1.2λ 0 以下の範囲で
あり、第4層の光学的膜厚が0.2λ0 以上0.4λ0
以下の範囲であり、第5層の光学的膜厚が0.2λ0 以
上0.3λ0 以下の範囲である。
に基板側から数えて第1層として低屈折率層12、第2
層として高屈折率層13、第3層として低屈折率層1
4、第4層として高屈折率層15、および第5層として
低屈折率層16を順次5層積層した構成である。本実施
形態の反射防止膜の構成層の光学的膜厚は、λ0 を設計
中心波長としたとき、第1層と第2層と第3層との光学
的膜厚の総和が0.6λ0 以上1.2λ 0 以下の範囲で
あり、第4層の光学的膜厚が0.2λ0 以上0.4λ0
以下の範囲であり、第5層の光学的膜厚が0.2λ0 以
上0.3λ0 以下の範囲である。
【0029】ここで使われる低屈折率層は、使用される
基板の屈折率よりも低いものを指し、その材料として、
フッ化マグネシウム(MgF2 )、フッ化アルミニウム
(AlF3 )、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化リ
チウム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF2 )、フ
ッ化バリウム(BaF2 )、フッ化ストロンチウム(S
rF2 )、クリオライト(Na3 AlF6 )、チオライ
ト(Na5 Al3 F14),酸化硅素(SiO2 )の群
と、該群から選ばれた二つ以上から成る混合物群と複合
化合物群と、から選ばれた1種類以上の材料が好ましく
は使用される。
基板の屈折率よりも低いものを指し、その材料として、
フッ化マグネシウム(MgF2 )、フッ化アルミニウム
(AlF3 )、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化リ
チウム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF2 )、フ
ッ化バリウム(BaF2 )、フッ化ストロンチウム(S
rF2 )、クリオライト(Na3 AlF6 )、チオライ
ト(Na5 Al3 F14),酸化硅素(SiO2 )の群
と、該群から選ばれた二つ以上から成る混合物群と複合
化合物群と、から選ばれた1種類以上の材料が好ましく
は使用される。
【0030】低屈折率層12、14および16には、各
々同種の低屈折率材料を使用しても、異なる低屈折率材
料を使用しても所望の反射防止効果を得ることができ
る。また高屈折率層とは、使用される基板の屈折率より
も高いものを指し、その材料として、フッ化ネオジム
(NdF3 )、フッ化ランタン(LaF3 )、フッ化ガ
ドリニウム(GdF3 )、フッ化ディスプロシウム(D
yF3 )、フッ化イットリウム(YF3 )、フッ化鉛
(PbF2 )、酸化アルミニウム(Al2 O3 )の群
と、該群から選ばれた二つ以上から成る混合物群と複合
化合物群と、から選ばれた1種類以上の材料が好ましく
は使用される。
々同種の低屈折率材料を使用しても、異なる低屈折率材
料を使用しても所望の反射防止効果を得ることができ
る。また高屈折率層とは、使用される基板の屈折率より
も高いものを指し、その材料として、フッ化ネオジム
(NdF3 )、フッ化ランタン(LaF3 )、フッ化ガ
ドリニウム(GdF3 )、フッ化ディスプロシウム(D
yF3 )、フッ化イットリウム(YF3 )、フッ化鉛
(PbF2 )、酸化アルミニウム(Al2 O3 )の群
と、該群から選ばれた二つ以上から成る混合物群と複合
化合物群と、から選ばれた1種類以上の材料が好ましく
は使用される。
【0031】高屈折率層13および15は、それぞれ同
種の高屈折率物質を使用しても、異なる高屈折率物質を
使用しても所望の反射防止効果を得ることができる。 [実施形態1]本実施形態の発明は、請求項1、2、
3、4、6、7、8、10、11、12、13、14に
対応し、図1に膜構成を示す。
種の高屈折率物質を使用しても、異なる高屈折率物質を
使用しても所望の反射防止効果を得ることができる。 [実施形態1]本実施形態の発明は、請求項1、2、
3、4、6、7、8、10、11、12、13、14に
対応し、図1に膜構成を示す。
【0032】本実施形態は、小さな膜厚比まで、そし
て、広い入射角度範囲に渡って低反射性の反射防止膜及
び光学素子及び半導体露光装置を提供することである。
本実施形態の反射防止膜の構成層の光学的膜厚は、好ま
しくは、基板側から数えて第1層と第2層と第3層との
総和が0.8λ0 以上1.2λ0 以下の範囲であり、第
4層と第5層の光学的膜厚が各々0.2λ0 以上0.3
λ0 以下の範囲であり、より好ましくは、第1層が0.
1λ0 以上0.25λ0 以下の範囲であり、第2層が
0.45λ0 以上0.6λ0 以下の範囲であり、第3層
が0.25λ0 以上0.35λ0 以下の範囲である。こ
こでλ0 は設計中心波長で、波長300nm以下の波長
範囲から、特に好ましくは150〜300nmの波長範
囲から適当に選ばれた波長が設定される。
て、広い入射角度範囲に渡って低反射性の反射防止膜及
び光学素子及び半導体露光装置を提供することである。
本実施形態の反射防止膜の構成層の光学的膜厚は、好ま
しくは、基板側から数えて第1層と第2層と第3層との
総和が0.8λ0 以上1.2λ0 以下の範囲であり、第
4層と第5層の光学的膜厚が各々0.2λ0 以上0.3
λ0 以下の範囲であり、より好ましくは、第1層が0.
1λ0 以上0.25λ0 以下の範囲であり、第2層が
0.45λ0 以上0.6λ0 以下の範囲であり、第3層
が0.25λ0 以上0.35λ0 以下の範囲である。こ
こでλ0 は設計中心波長で、波長300nm以下の波長
範囲から、特に好ましくは150〜300nmの波長範
囲から適当に選ばれた波長が設定される。
【0033】これら低屈折率層と高屈折率層とは真空蒸
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法、等の方法で基板11上に好ましく形成される。特に
好ましい方法は真空蒸着法である。本実施形態の反射防
止膜は、特定波長での反射率を、0〜50°の入射角範
囲で1.0%以下にすると共に、1〜0.85の膜厚比
範囲に渡り0°の入射角で0.5%以下に調整すること
ができる。
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法、等の方法で基板11上に好ましく形成される。特に
好ましい方法は真空蒸着法である。本実施形態の反射防
止膜は、特定波長での反射率を、0〜50°の入射角範
囲で1.0%以下にすると共に、1〜0.85の膜厚比
範囲に渡り0°の入射角で0.5%以下に調整すること
ができる。
【0034】本実施形態の反射防止膜の具体的膜構成を
以下実施例1、2に示す。 [実施形態2]本実施形態の発明は、請求項1、2、
5、6、7、9、10、11、12、13、14に対応
し、図9に膜構成を示す。本実施形態は、小さな膜厚比
まで、同時に、広い入射角度範囲に渡って低反射性の反
射防止膜及び光学素子を提供することである。
以下実施例1、2に示す。 [実施形態2]本実施形態の発明は、請求項1、2、
5、6、7、9、10、11、12、13、14に対応
し、図9に膜構成を示す。本実施形態は、小さな膜厚比
まで、同時に、広い入射角度範囲に渡って低反射性の反
射防止膜及び光学素子を提供することである。
【0035】本実施形態の反射防止膜の構成層の光学的
膜厚は、好ましくは基板側から数えて第1層及び第3層
が各々0.05λ0 以上0.2λ0 以下の範囲であり、
第2層が0.5λ0 以上0.8λ0 以下の範囲であり、
第4層が0.25λ0 以上0.4λ0 以下の範囲であ
り、第5層が0.2λ0 以上0.3λ0 以下の範囲であ
る。ここでλ0 は設計中心波長で、波長300nm以下
の波長範囲から、特に好ましくは150〜300nmの
波長範囲から適当に選ばれた波長が設定される。
膜厚は、好ましくは基板側から数えて第1層及び第3層
が各々0.05λ0 以上0.2λ0 以下の範囲であり、
第2層が0.5λ0 以上0.8λ0 以下の範囲であり、
第4層が0.25λ0 以上0.4λ0 以下の範囲であ
り、第5層が0.2λ0 以上0.3λ0 以下の範囲であ
る。ここでλ0 は設計中心波長で、波長300nm以下
の波長範囲から、特に好ましくは150〜300nmの
波長範囲から適当に選ばれた波長が設定される。
【0036】これら低屈折率層と高屈折率層とは真空蒸
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法、等の方法で基板11上に好ましく形成される。特に
好ましい方法は真空蒸着法である。本実施形態の反射防
止膜は、特定波長での反射率を、1〜0.9の膜厚比範
囲に渡り0〜40°の入射角範囲で0.5%以下に調整
することが可能である。
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法、等の方法で基板11上に好ましく形成される。特に
好ましい方法は真空蒸着法である。本実施形態の反射防
止膜は、特定波長での反射率を、1〜0.9の膜厚比範
囲に渡り0〜40°の入射角範囲で0.5%以下に調整
することが可能である。
【0037】本発明の実施の形態の具体的膜構成を以下
実施例3に示す。 [実施形態3]本実施形態の発明は、請求項1、2、
3、6、7、9、10、11、12、13、14に対応
し、図14に膜構成を示す。本実施形態は、小さな膜厚
比まで、同時に、広い入射角度範囲に渡って低反射性の
反射防止膜及び光学素子を提供することである。
実施例3に示す。 [実施形態3]本実施形態の発明は、請求項1、2、
3、6、7、9、10、11、12、13、14に対応
し、図14に膜構成を示す。本実施形態は、小さな膜厚
比まで、同時に、広い入射角度範囲に渡って低反射性の
反射防止膜及び光学素子を提供することである。
【0038】本実施形態の反射防止膜の構成層の光学的
膜厚は、好ましくは基板側から数えて第1層の光学的膜
厚が0.05λ0 以上0.15λ0 以下の範囲であり、
第2層の光学的膜厚が0.4λ0 以上0.55λ0 以下
の範囲であり、第3層の光学的膜厚が0.35λ0 以上
0.5λ0 以下の範囲である。ここでλ0 は設計中心波
長で、波長300nm以下の波長範囲から、特に好まし
くは150〜300nmの波長範囲から適当に選ばれた
波長が設定される。
膜厚は、好ましくは基板側から数えて第1層の光学的膜
厚が0.05λ0 以上0.15λ0 以下の範囲であり、
第2層の光学的膜厚が0.4λ0 以上0.55λ0 以下
の範囲であり、第3層の光学的膜厚が0.35λ0 以上
0.5λ0 以下の範囲である。ここでλ0 は設計中心波
長で、波長300nm以下の波長範囲から、特に好まし
くは150〜300nmの波長範囲から適当に選ばれた
波長が設定される。
【0039】これら低屈折率層と高屈折率層とは真空蒸
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法、等の方法で基板11上に好ましく形成される。特に
好ましい方法は真空蒸着法である。本実施形態の反射防
止膜は、特定波長での反射率を、0〜50°の入射角範
囲で偏光に係わらず1.0%以下に抑えることができ
る。更に、本実施形態の反射防止膜は小さな膜厚比まで
低反射率を充たす。
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法、等の方法で基板11上に好ましく形成される。特に
好ましい方法は真空蒸着法である。本実施形態の反射防
止膜は、特定波長での反射率を、0〜50°の入射角範
囲で偏光に係わらず1.0%以下に抑えることができ
る。更に、本実施形態の反射防止膜は小さな膜厚比まで
低反射率を充たす。
【0040】本発明の実施の形態の具体的膜構成を以下
実施例4、5に示す。以上、実施形態1、実施形態2、
実施形態3により本発明の反射防止膜の実施形態を説明
した。これらの実施形態の反射防止膜は、光学用、特に
300nm以下の紫外光用のレンズ、プリズム、等の光
学素子に好ましく適用され、低反射性の光学素子が得ら
れ、この光学素子を縮小投影露光装置等の露光装置の光
学系に組み込むことにより、その光学系の透過率向上、
フレア低減、照度ムラの低減により露光装置の製造品
質、スループット等の性能を大幅に向上させることがで
きる。そしてこの露光装置を半導体デバイス等の電子物
品の製造工程の半導体ウェハに対するリソグラフィー工
程の露光工程に用いることにより、他の工程、酸化、拡
散、エピタキシャル成長、CVD等による絶縁膜形成、
PVD等による電極形成、イオン打込み等の工程を合わ
せて行なうことにより高精細、且つ高性能な電子物品を
安価に製造することができる。 [実施例1]図6には、実施例1の反射防止膜が示され
ている。
実施例4、5に示す。以上、実施形態1、実施形態2、
実施形態3により本発明の反射防止膜の実施形態を説明
した。これらの実施形態の反射防止膜は、光学用、特に
300nm以下の紫外光用のレンズ、プリズム、等の光
学素子に好ましく適用され、低反射性の光学素子が得ら
れ、この光学素子を縮小投影露光装置等の露光装置の光
学系に組み込むことにより、その光学系の透過率向上、
フレア低減、照度ムラの低減により露光装置の製造品
質、スループット等の性能を大幅に向上させることがで
きる。そしてこの露光装置を半導体デバイス等の電子物
品の製造工程の半導体ウェハに対するリソグラフィー工
程の露光工程に用いることにより、他の工程、酸化、拡
散、エピタキシャル成長、CVD等による絶縁膜形成、
PVD等による電極形成、イオン打込み等の工程を合わ
せて行なうことにより高精細、且つ高性能な電子物品を
安価に製造することができる。 [実施例1]図6には、実施例1の反射防止膜が示され
ている。
【0041】本実施例の反射防止膜は、基板11上に低
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.14λ0 第2層: LaF3 0.56λ0 第3層: MgF2 0.28λ0 第4層: LaF3 0.27λ0 第5層: MgF2 0.26λ0 媒質 : 空気 ここでλ0 は設計中心波長で、150〜300nmの範
囲で任意に設定できるが、ここではλ0 =193nmに
設定してある。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF
3 の屈折率はそれぞれ1.55、1.42および1.6
9である。
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.14λ0 第2層: LaF3 0.56λ0 第3層: MgF2 0.28λ0 第4層: LaF3 0.27λ0 第5層: MgF2 0.26λ0 媒質 : 空気 ここでλ0 は設計中心波長で、150〜300nmの範
囲で任意に設定できるが、ここではλ0 =193nmに
設定してある。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF
3 の屈折率はそれぞれ1.55、1.42および1.6
9である。
【0042】図2に本反射防止膜の入射角θ=0゜にお
ける反射率特性、図3にλ=193nmにおける入射角
度特性を示す。図2より入射角θ=0゜では、λ≒19
2〜228nmの波長範囲において、極めて反射率が低
く、従来例1と従来例2よりも特性が遥かに向上してい
ることがわかる。また、図3からは、λ=193nmの
光に対して、入射角θ=0〜46°の範囲で反射率はR
s、Rp、Ra(Rs、Rpの平均反射率)ともに0.
5%以下を満たしていることが分かる。
ける反射率特性、図3にλ=193nmにおける入射角
度特性を示す。図2より入射角θ=0゜では、λ≒19
2〜228nmの波長範囲において、極めて反射率が低
く、従来例1と従来例2よりも特性が遥かに向上してい
ることがわかる。また、図3からは、λ=193nmの
光に対して、入射角θ=0〜46°の範囲で反射率はR
s、Rp、Ra(Rs、Rpの平均反射率)ともに0.
5%以下を満たしていることが分かる。
【0043】図4に膜厚比が1.00、0.95、0.
90、0.85および0.80での入射角θ=0°にお
ける反射率特性を、図5に入射角θ=0°、λ=193
nmにおけるそれぞれの光学アドミッタンス図を示す。
図4より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射率特性が
短波長側にシフトして行くが、膜厚比約0.85まで
は、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が0.
5%以下であることがわかる。図5の光学アドミッタン
ス図において、アドミッタンスの軌跡の終点が空気の屈
折率を示す点(1,0)から遠ざかりはじめるのは、膜
厚比0.80からであることがわかる。
90、0.85および0.80での入射角θ=0°にお
ける反射率特性を、図5に入射角θ=0°、λ=193
nmにおけるそれぞれの光学アドミッタンス図を示す。
図4より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射率特性が
短波長側にシフトして行くが、膜厚比約0.85まで
は、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が0.
5%以下であることがわかる。図5の光学アドミッタン
ス図において、アドミッタンスの軌跡の終点が空気の屈
折率を示す点(1,0)から遠ざかりはじめるのは、膜
厚比0.80からであることがわかる。
【0044】実施例1の反射防止膜は、膜厚比が0.8
5以上になるような曲率のレンズにおいて、垂直入射で
極めて反射率の低い特性を有し、入射角に対してもθ=
0〜約46°の角度範囲まで反射率はRs、Rp、Ra
ともに極めて低い特性を有する反射防止膜である。 [実施例2]図6には、実施例2の反射防止膜が示され
ている。
5以上になるような曲率のレンズにおいて、垂直入射で
極めて反射率の低い特性を有し、入射角に対してもθ=
0〜約46°の角度範囲まで反射率はRs、Rp、Ra
ともに極めて低い特性を有する反射防止膜である。 [実施例2]図6には、実施例2の反射防止膜が示され
ている。
【0045】本実施例の反射防止膜は実施例1と同様に
基板11上に低屈折率層12、高屈折率層13、低屈折
率層14、高屈折率層15および低屈折率層16を順次
5層積層した構成である。本実施例の具体的膜構成を以
下に示す。 基板 : 蛍石 第1層: AlF3 0.15λ0 第2層: LaF3 0.54λ0 第3層: AlF3 0.32λ0 第4層: LaF3 0.26λ0 第5層: MgF2 0.26λ0 媒質 : 空気 ここでλ0 は設計中心波長で、150〜300nmの範
囲で任意に設定できるが、ここではλ0 =193nmに
設定してある。蛍石基板、AlF3 、LaF3、および
MgF2 の屈折率はそれぞれ1.50、1.38、1.
69および1.42である。
基板11上に低屈折率層12、高屈折率層13、低屈折
率層14、高屈折率層15および低屈折率層16を順次
5層積層した構成である。本実施例の具体的膜構成を以
下に示す。 基板 : 蛍石 第1層: AlF3 0.15λ0 第2層: LaF3 0.54λ0 第3層: AlF3 0.32λ0 第4層: LaF3 0.26λ0 第5層: MgF2 0.26λ0 媒質 : 空気 ここでλ0 は設計中心波長で、150〜300nmの範
囲で任意に設定できるが、ここではλ0 =193nmに
設定してある。蛍石基板、AlF3 、LaF3、および
MgF2 の屈折率はそれぞれ1.50、1.38、1.
69および1.42である。
【0046】図7に本実施例の反射防止膜の膜厚比が
1.0〜0.80での入射角θ=0°における反射率特
性を、図8にλ=193nmにおける入射角度特性を示
す。図7より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射率特
性が短波長側にシフトして行くが、膜厚比約0.85ま
では、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が
0.5%以下であることがわかる。また図8より入射角
度に対してもθ=0〜約46°の角度範囲まで反射率は
Rs、Rp、Raともに0.5%以下であることがわか
る。
1.0〜0.80での入射角θ=0°における反射率特
性を、図8にλ=193nmにおける入射角度特性を示
す。図7より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射率特
性が短波長側にシフトして行くが、膜厚比約0.85ま
では、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が
0.5%以下であることがわかる。また図8より入射角
度に対してもθ=0〜約46°の角度範囲まで反射率は
Rs、Rp、Raともに0.5%以下であることがわか
る。
【0047】以上のように、本実施例の反射防止膜は、
入射角θ=0〜約46°という広い入射角度範囲におい
て極めて低い反射率特性を示し、膜厚比が0.85に及
ぶような曲率のレンズにおいても垂直入射で極めて低い
反射率特性を示す。以上実施例1、2に於いて特に紫外
光用の反射防止膜を説明したが、本発明は紫外光用のみ
ならず、可視光、赤外光用にも適用可能なことは言う迄
もない。
入射角θ=0〜約46°という広い入射角度範囲におい
て極めて低い反射率特性を示し、膜厚比が0.85に及
ぶような曲率のレンズにおいても垂直入射で極めて低い
反射率特性を示す。以上実施例1、2に於いて特に紫外
光用の反射防止膜を説明したが、本発明は紫外光用のみ
ならず、可視光、赤外光用にも適用可能なことは言う迄
もない。
【0048】本発明の反射防止膜を光学素子に適用し、
この光学素子を縮小投影露光装置の光学系に適用する場
合、曲率の小さなレンズや入射角度範囲の広い箇所に良
好な反射防止効果を持たせることが可能となるため、残
存反射による光量損失やフレア・ゴースト等の発生を低
減でき、さらに縮小投影露光装置の光学系をより高性能
化・高NA化することが可能となるため、優れた露光効
率および露光精度が得られる。 [実施例3]図9には、実施例3の反射防止膜が示され
ている。
この光学素子を縮小投影露光装置の光学系に適用する場
合、曲率の小さなレンズや入射角度範囲の広い箇所に良
好な反射防止効果を持たせることが可能となるため、残
存反射による光量損失やフレア・ゴースト等の発生を低
減でき、さらに縮小投影露光装置の光学系をより高性能
化・高NA化することが可能となるため、優れた露光効
率および露光精度が得られる。 [実施例3]図9には、実施例3の反射防止膜が示され
ている。
【0049】本実施例の反射防止膜は、基板11上に低
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.10λ0 第2層: LaF3 0.65λ0 第3層: MgF2 0.15λ0 第4層: LaF3 0.36λ0 第5層: MgF2 0.26λ0 媒質 : 空気 λ0 は設計中心波長で、150〜300nmの範囲で任
意に設定できるが、ここではλ0 =193nmに設定し
てある。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF3 の屈
折率はそれぞれ1.55、1.42および1.69であ
る。
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.10λ0 第2層: LaF3 0.65λ0 第3層: MgF2 0.15λ0 第4層: LaF3 0.36λ0 第5層: MgF2 0.26λ0 媒質 : 空気 λ0 は設計中心波長で、150〜300nmの範囲で任
意に設定できるが、ここではλ0 =193nmに設定し
てある。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF3 の屈
折率はそれぞれ1.55、1.42および1.69であ
る。
【0050】図10に本実施例の反射防止膜の入射角θ
=0゜における反射特性を、図11にλ0 =193nm
での角度特性を示す。図10より入射角θ=0゜では、
ほぼ190〜240nmの波長範囲において、0.5%
という良好な反射防止効果が得られていることがわか
る。図11の角度特性により、約40°まで反射率が
0.5%以下であることがわかる。
=0゜における反射特性を、図11にλ0 =193nm
での角度特性を示す。図10より入射角θ=0゜では、
ほぼ190〜240nmの波長範囲において、0.5%
という良好な反射防止効果が得られていることがわか
る。図11の角度特性により、約40°まで反射率が
0.5%以下であることがわかる。
【0051】図12に本実施例の反射防止膜の膜厚比が
それぞれ1.0、0.95、0.9および0.85での
入射角θ=0°における分光反射特性を、図13にλ=
193nmに於ける反射率の膜厚比がそれぞれ1.0、
0.95、0.9および0.85での角度特性を示す。
図12より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射特性が
短波長にシフトして行くが、膜厚比0.85に至って
も、λ=193nmでの反射率が0.5%以下であるこ
とがわかる。図13より、膜厚比が小さくなるにつれ
て、低反射の角度範囲が狭くなっていることがわかる
が、従来例2の反射防止膜に比べて、膜厚比が小さくな
ったときの、低反射の角度範囲の狭くなり方がはるかに
ゆっくりであることは、図13と図29を比べれば明確
であろう。図13では反射率0.5%以下の角度範囲は
膜厚比0.9まで約40°を維持し、膜厚比0.85で
さえも、約30°までしか劣化しない。これに対して図
29では膜厚比0.9で、0°入射に対して、反射率が
0.5%を超えている。
それぞれ1.0、0.95、0.9および0.85での
入射角θ=0°における分光反射特性を、図13にλ=
193nmに於ける反射率の膜厚比がそれぞれ1.0、
0.95、0.9および0.85での角度特性を示す。
図12より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射特性が
短波長にシフトして行くが、膜厚比0.85に至って
も、λ=193nmでの反射率が0.5%以下であるこ
とがわかる。図13より、膜厚比が小さくなるにつれ
て、低反射の角度範囲が狭くなっていることがわかる
が、従来例2の反射防止膜に比べて、膜厚比が小さくな
ったときの、低反射の角度範囲の狭くなり方がはるかに
ゆっくりであることは、図13と図29を比べれば明確
であろう。図13では反射率0.5%以下の角度範囲は
膜厚比0.9まで約40°を維持し、膜厚比0.85で
さえも、約30°までしか劣化しない。これに対して図
29では膜厚比0.9で、0°入射に対して、反射率が
0.5%を超えている。
【0052】本実施例の反射防止膜を光学素子に適用
し、この光学素子を縮小投影露光装置の光学系に適用す
る場合、真空蒸着法等の製法的理由から膜厚比が小さく
なってしまう曲率の小さなレンズに対しても、高NAレ
ンズに必要な広い入射角度に渡って良好な反射防止効果
を持たせることが可能となるため、残存反射による光量
損失やフレア・ゴースト等の発生を低減でき、これによ
り縮小投影露光装置の光学系をより高性能化且つ大NA
化することが可能となるため、優れた露光効率および露
光精度が得られる。 [実施例4]図17には、実施例4の反射防止膜が示さ
れている。
し、この光学素子を縮小投影露光装置の光学系に適用す
る場合、真空蒸着法等の製法的理由から膜厚比が小さく
なってしまう曲率の小さなレンズに対しても、高NAレ
ンズに必要な広い入射角度に渡って良好な反射防止効果
を持たせることが可能となるため、残存反射による光量
損失やフレア・ゴースト等の発生を低減でき、これによ
り縮小投影露光装置の光学系をより高性能化且つ大NA
化することが可能となるため、優れた露光効率および露
光精度が得られる。 [実施例4]図17には、実施例4の反射防止膜が示さ
れている。
【0053】本実施例の反射防止膜は、基板11上に低
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.10λ0 第2層: LaF3 0.50λ0 第3層: MgF2 0.40λ0 第4層: LaF3 0.25λ0 第5層: MgF2 0.25λ0 媒質 : 空気 λ0 は設計中心波長で、λ0 =193nmに設定してあ
る。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF3 の屈折率
はそれぞれ1.55、1.42および1.69である。
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.10λ0 第2層: LaF3 0.50λ0 第3層: MgF2 0.40λ0 第4層: LaF3 0.25λ0 第5層: MgF2 0.25λ0 媒質 : 空気 λ0 は設計中心波長で、λ0 =193nmに設定してあ
る。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF3 の屈折率
はそれぞれ1.55、1.42および1.69である。
【0054】図15に本実施例の反射防止膜の膜厚比が
1.0〜0.80で、入射角θ=0゜における反射特性
を、図16にλ0 =193nmでの角度特性を示す。図
15より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射特性が短
波長側にシフトして行くが、膜厚比が約0.85まで
は、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が0.
5%以下であることがわかる。また図16より、入射角
度に対してもθ=0〜50°の角度範囲まで反射率の偏
光成分(Rs、Rp)ともに1%以下と極めて低いこと
がわかる。
1.0〜0.80で、入射角θ=0゜における反射特性
を、図16にλ0 =193nmでの角度特性を示す。図
15より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射特性が短
波長側にシフトして行くが、膜厚比が約0.85まで
は、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が0.
5%以下であることがわかる。また図16より、入射角
度に対してもθ=0〜50°の角度範囲まで反射率の偏
光成分(Rs、Rp)ともに1%以下と極めて低いこと
がわかる。
【0055】本実施例の反射防止膜は、膜厚比が0.8
5以上になるような曲率の大きなレンズに対しても、入
射角θ=0〜50°という広い角度範囲に於いても極め
て反射率が低い反射防止膜である。 [実施例5]図17には、実施例5の反射防止膜が示さ
れている。
5以上になるような曲率の大きなレンズに対しても、入
射角θ=0〜50°という広い角度範囲に於いても極め
て反射率が低い反射防止膜である。 [実施例5]図17には、実施例5の反射防止膜が示さ
れている。
【0056】本実施例の反射防止膜は、基板11上に低
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.10λ0 第2層: LaF3 0.60λ0 第3層: MgF2 0.15λ0 第4層: LaF3 0.35λ0 第5層: MgF2 0.25λ0 媒質 : 空気 λ0 は設計中心波長で、λ0 =193nmに設定してあ
る。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF3 の屈折率
はそれぞれ1.55、1.42および1.69である。
屈折率層12、高屈折率層13、低屈折率層14、高屈
折率層15および低屈折率層16を順次5層積層した構
成である。本実施例の具体的膜構成を以下に示す。 基板 : 石英ガラス 第1層: MgF2 0.10λ0 第2層: LaF3 0.60λ0 第3層: MgF2 0.15λ0 第4層: LaF3 0.35λ0 第5層: MgF2 0.25λ0 媒質 : 空気 λ0 は設計中心波長で、λ0 =193nmに設定してあ
る。石英ガラス基板、MgF2 およびLaF3 の屈折率
はそれぞれ1.55、1.42および1.69である。
【0057】図18に、本実施例の反射防止膜の膜厚比
が1.0〜0.80で、入射角θ=0゜における反射特
性を、図19にλ0 =193nmでの角度特性を示す。
図18より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射特性が
短波長側にシフトして行くが、膜厚比が約0.85まで
は、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が0.
5%以下であることがわかる。また図19より、入射角
度に対してもθ=0〜50°の角度範囲まで反射率の偏
光成分(Rs、Rp)ともに1%以下と極めて低いこと
がわかる。
が1.0〜0.80で、入射角θ=0゜における反射特
性を、図19にλ0 =193nmでの角度特性を示す。
図18より、膜厚比が小さくなるにつれて、反射特性が
短波長側にシフトして行くが、膜厚比が約0.85まで
は、入射角θ=0°、λ=193nmでの反射率が0.
5%以下であることがわかる。また図19より、入射角
度に対してもθ=0〜50°の角度範囲まで反射率の偏
光成分(Rs、Rp)ともに1%以下と極めて低いこと
がわかる。
【0058】本実施例の反射防止膜は、膜厚比が0.8
5以上になるような曲率の大きなレンズに対しても、入
射角θ=0〜50°という広い角度範囲に於いても極め
て反射率が低い反射防止膜である。以上実施例4、5の
反射防止膜を光学素子に適用し、この光学素子を縮小投
影露光装置の光学系に適用する場合、真空蒸着法等の製
法的理由から膜厚比が小さくなってしまう曲率の大きな
レンズに対しても、高NAレンズに必要な広い入射角度
範囲に於いても良好な反射防止効果を持たせることが可
能となるため、残存反射による光量損失やフレア・ゴー
スト等の発生を低減でき、これにより縮小投影露光装置
の光学系をより高性能化且つ大NA化することが可能と
なるため、優れた露光効率および露光精度が得られる。
5以上になるような曲率の大きなレンズに対しても、入
射角θ=0〜50°という広い角度範囲に於いても極め
て反射率が低い反射防止膜である。以上実施例4、5の
反射防止膜を光学素子に適用し、この光学素子を縮小投
影露光装置の光学系に適用する場合、真空蒸着法等の製
法的理由から膜厚比が小さくなってしまう曲率の大きな
レンズに対しても、高NAレンズに必要な広い入射角度
範囲に於いても良好な反射防止効果を持たせることが可
能となるため、残存反射による光量損失やフレア・ゴー
スト等の発生を低減でき、これにより縮小投影露光装置
の光学系をより高性能化且つ大NA化することが可能と
なるため、優れた露光効率および露光精度が得られる。
【0059】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の反射防止
膜は、300nm以下の波長範囲の紫外光のみならず、
他の可視、赤外光に対しても有効である。本発明の実施
形態1、3に依れば、広い入射角度範囲に渡って、そし
て垂直入射で小さな膜厚比まで低反射性の反射防止膜を
提供することができ、そして実施形態2に依れば、小さ
な膜厚比まで同時に広い入射角度範囲に渡って低反射性
の反射防止膜を提供することができるので、本発明の反
射防止膜を光学素子に施すことにより好ましい反射率特
性の光学素子を得ることができ、この光学素子を特に紫
外光を使用する光学装置、特に縮小投影露光装置の光学
系に適用すれば、優れた反射防止効果により装置の高性
能化、スループットの向上を図ることができ、更には縮
小投影露光装置により製造された電子物品の品質を向上
し、製造原価を低減することができる。
膜は、300nm以下の波長範囲の紫外光のみならず、
他の可視、赤外光に対しても有効である。本発明の実施
形態1、3に依れば、広い入射角度範囲に渡って、そし
て垂直入射で小さな膜厚比まで低反射性の反射防止膜を
提供することができ、そして実施形態2に依れば、小さ
な膜厚比まで同時に広い入射角度範囲に渡って低反射性
の反射防止膜を提供することができるので、本発明の反
射防止膜を光学素子に施すことにより好ましい反射率特
性の光学素子を得ることができ、この光学素子を特に紫
外光を使用する光学装置、特に縮小投影露光装置の光学
系に適用すれば、優れた反射防止効果により装置の高性
能化、スループットの向上を図ることができ、更には縮
小投影露光装置により製造された電子物品の品質を向上
し、製造原価を低減することができる。
【図1】本発明の実施の形態1の反射防止膜の断面図で
ある。
ある。
【図2】実施例1の反射防止膜の入射角θ=0°におけ
る反射率特性図である。
る反射率特性図である。
【図3】実施例1の反射防止膜のλ=193nmにおけ
る入射角度特性図である。
る入射角度特性図である。
【図4】実施例1の反射防止膜の膜厚比1.0、0.9
5、0.9、0.85および0.8での入射角θ=0°
における反射率特性図である。
5、0.9、0.85および0.8での入射角θ=0°
における反射率特性図である。
【図5】実施例1の反射防止膜の膜厚比1.0、0.9
5、0.9、0.85および0.8での入射角θ=0
°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図であ
る。
5、0.9、0.85および0.8での入射角θ=0
°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図であ
る。
【図6】本発明の実施例1、2の反射防止膜の断面図で
ある。
ある。
【図7】実施例2の反射防止膜の膜厚比1.0、0.9
5、0.9、0.85および0.8での入射角θ=0°
における反射率特性図である。
5、0.9、0.85および0.8での入射角θ=0°
における反射率特性図である。
【図8】実施例2の反射防止膜のλ=193nmにおけ
る入射角度特性図である。
る入射角度特性図である。
【図9】実施形態2、実施例3の反射防止膜の断面図で
ある。
ある。
【図10】実施例3の反射防止膜の入射角θ=0°にお
ける反射率特性図である。
ける反射率特性図である。
【図11】実施例3の反射防止膜のλ=193nmにお
ける入射角度特性図である。
ける入射角度特性図である。
【図12】実施例3の反射防止膜の膜厚比1.0、0.
95、0.9および0.85での入射角θ=0°におけ
る反射率特性図である。
95、0.9および0.85での入射角θ=0°におけ
る反射率特性図である。
【図13】実施例3の反射防止膜の膜厚比1.0、0.
95、0.9および0.85での反射率の入射角度特性
図である。
95、0.9および0.85での反射率の入射角度特性
図である。
【図14】本発明の実施形態3の反射防止膜の断面図で
ある。
ある。
【図15】本発明の実施例4の反射防止膜の膜厚比1.
00、0.95、0.90、0.85、および0.80
での入射角θ=0°における反射率特性図である。
00、0.95、0.90、0.85、および0.80
での入射角θ=0°における反射率特性図である。
【図16】本発明の実施例4の反射防止膜のλ=193
nmにおける入射角度特性図である。
nmにおける入射角度特性図である。
【図17】本発明の実施例4、5の反射防止膜の断面図
である。
である。
【図18】本発明の実施例5の反射防止膜の膜厚比1.
00、0.95、0.90、0.85、および0.80
での入射角θ=0°における反射率特性図である。
00、0.95、0.90、0.85、および0.80
での入射角θ=0°における反射率特性図である。
【図19】本発明の実施例5の反射防止膜のλ=193
nmにおける入射角度特性図である。
nmにおける入射角度特性図である。
【図20】従来例1の2層構成の反射防止膜の断面図で
ある。
ある。
【図21】従来例1の2層構成の反射防止膜の入射角θ
=0°における反射率特性図である。
=0°における反射率特性図である。
【図22】従来例1の2層構成の反射防止膜の入射角θ
=0°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図で
ある。
=0°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図で
ある。
【図23】従来例2の3層構成の反射防止膜の断面図で
ある。
ある。
【図24】従来例2の3層構成の反射防止膜の入射角θ
=0°における反射率特性図である。
=0°における反射率特性図である。
【図25】従来例2の3層構成の反射防止膜の入射角θ
=0°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図で
ある。
=0°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図で
ある。
【図26】従来例2の反射防止膜の膜厚比1.0、0.
95、0.9および0.85での入射角θ=0°におけ
る反射率特性図である。
95、0.9および0.85での入射角θ=0°におけ
る反射率特性図である。
【図27】従来例2の3層構成の反射防止膜の膜厚比
1.00、0.95、0.90及び0.85での入射角
θ=0°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図
である。
1.00、0.95、0.90及び0.85での入射角
θ=0°、λ=193nmにおける光学アドミタンス図
である。
【図28】従来例2の3層構成の反射防止膜のλ=19
3nmにおける入射角度特性図である。
3nmにおける入射角度特性図である。
【図29】従来例2の3層構成の反射防止膜の膜厚比
1.0、0.95および0.9でのλ=193nmにお
ける入射角度特性図である。
1.0、0.95および0.9でのλ=193nmにお
ける入射角度特性図である。
11・・・基板 12、14、16・・・低屈折率層 13、15・・・高屈折率層 21、23・・・低屈折率層 22・・・高屈折率層 30・・・光学アドミッタンスの始点 40・・・光学アドミッタンスの終点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H081 AA76 2K009 AA08 BB02 CC06 DD03 DD04 DD07 4F100 AA06H AA20H AG00 AT00A BA02 BA05 BA07 BA08 BA10A BA10E BA25 EH66 EH662 GB41 JN01A JN02B JN02C JN02D JN02E JN06 JN06B JN06C JN06D JN06E JN08A JN18B JN18C JN18D JN18E YY00B YY00C YY00D YY00E 5F046 CB10 CB12
Claims (14)
- 【請求項1】少なくとも入射光に対して透明な基板上に
形成され、0〜50°の入射角で、反射率が1.0%以
下であることを特徴とした反射防止膜。 - 【請求項2】基板上に5層積層した反射防止膜であり、
基板側から数えて第1層、第3層および第5層が低屈折
率材料からなり、第2層および第4層が高屈折率材料か
らなり、λ0 を設計中心波長としたとき、第1層と第2
層と第3層との光学的膜厚の総和が0.55λ0 以上
1.2λ0 以下の範囲であり、第4層の光学的膜厚が
0.2λ0 以上0.4λ0 以下の範囲であり、第5層の
光学的膜厚が0.2λ0 以上0.3λ0 以下の範囲であ
ることを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項3】前記第1層と第2層と第3層との光学的膜
厚の総和が0.8λ 0 以上1.2λ0 以下の範囲であ
り、第4層と第5層の光学的膜厚が各々0.2λ0 以上
0.3λ0 以下の範囲であることを特徴とする請求項2
記載の反射防止膜。 - 【請求項4】前記第1層の光学的膜厚が0.1λ0 以上
0.25λ0 以下の範囲であり、前記第2層の光学的膜
厚が0.45λ0 以上0.6λ0 以下の範囲であり、前
記第3層の光学的膜厚が0.25λ0 以上0.35λ0
以下の範囲であることを特徴とする請求項3記載の反射
防止膜。 - 【請求項5】前記第1層及び第3層の光学的膜厚が各々
0.05λ0 以上0.2λ0 以下、第2層の光学的膜厚
が0.5λ0 以上0.8λ0 以下、第4層の光学的膜厚
が0.25λ0 以上0.4λ0 以下、第5層の光学的膜
厚が0.2λ 0 以上0.3λ0 以下の範囲であることを
特徴とする請求項2記載の反射防止膜。 - 【請求項6】前記第1層の光学的膜厚が0.05λ0 以
上0.15λ0 以下、前記第2層の光学的膜厚が0.4
λ0 以上0.55λ0 以下、前記第3層の光学的膜厚が
0.35λ0 以上0.5λ0 以下であることを特徴とす
る請求項2、3何れか1項記載の反射防止膜。 - 【請求項7】前記低屈折率材料の屈折率、前記高屈折材
料の屈折率、および前記基板の屈折率を各々nL 、
nH 、およびnS としたとき、nL <nS <nHの関係
を満足することを特徴とする請求項2〜6何れか1項記
載の反射防止膜。 - 【請求項8】前記低屈折率材料が、フッ化マグネシウ
ム、フッ化アルミニウム、フッ化ナトリウム、フッ化リ
チウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ス
トロンチウム、クリオライト、チオライト、および酸化
硅素の群と、該群から選ばれた二つ以上から成る混合物
群と複合化合物群と、から選ばれた1種類以上の材料で
あり、前記高屈折率材料が、フッ化ネオジム、フッ化ラ
ンタン、フッ化ガドリニウム、フッ化ディスプロシウ
ム、フッ化イットリウム、フッ化鉛、および酸化アルミ
ニウムの群と、該群から選ばれた二つ以上から成る混合
物群と複合化合物群と、から選ばれた1種類以上の材料
であることを特徴とする請求項2〜7何れか1項記載の
反射防止膜。 - 【請求項9】前記基板が波長300nm以下の波長範囲
から選ばれた紫外光を透過することを特徴とする請求項
2〜8何れか1項記載の反射防止膜。 - 【請求項10】基板上に5層積層した反射防止膜であ
り、特定波長での反射率が、0〜50°の入射角範囲で
1.0%以下であると共に、1〜0.85の膜厚比範囲
に渡り0°の入射角で0.5%以下であることを特徴と
する反射防止膜。 - 【請求項11】基板上に5層積層した反射防止膜であ
り、特定波長での反射率が、1〜0.9の膜厚比範囲に
渡り0〜40°の入射角範囲で0.5%以下であること
を特徴とする反射防止膜。 - 【請求項12】波長300nm以下の波長範囲から選ば
れた紫外光を透過する基板と、請求項1〜11何れか1
項記載の反射防止膜とを具え、前記紫外光に対して低反
射性であることを特徴とする光学素子。 - 【請求項13】光学系を具え、前記光学系に請求項12
記載の光学素子を具え、波長300nm以下の波長範囲
から選ばれた紫外光を露光波長として用いることを特徴
とする露光装置。 - 【請求項14】請求項13記載の露光装置により製造さ
れたことを特徴とする電子物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11291683A JP2000357654A (ja) | 1998-10-13 | 1999-10-13 | 反射防止膜、光学素子、露光装置、及び電子物品 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29058298 | 1998-10-13 | ||
| JP10440899 | 1999-04-12 | ||
| JP11-104408 | 1999-04-12 | ||
| JP10-290582 | 1999-04-12 | ||
| JP11291683A JP2000357654A (ja) | 1998-10-13 | 1999-10-13 | 反射防止膜、光学素子、露光装置、及び電子物品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357654A true JP2000357654A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=27310224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11291683A Pending JP2000357654A (ja) | 1998-10-13 | 1999-10-13 | 反射防止膜、光学素子、露光装置、及び電子物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000357654A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068566A1 (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-12 | Nikon Corporation | 真空紫外用光学系及び投影露光装置 |
| JP2005136244A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 露光方法 |
| US7057820B2 (en) | 2003-05-14 | 2006-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system |
| US7256948B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-08-14 | Nikon Corporation | Anti-reflection coating, and optical element and optical system with anti-reflection coating |
| US7336421B2 (en) | 2004-03-30 | 2008-02-26 | Nikon Corporation | Optical system with anti-reflection coating |
| JP2009507366A (ja) * | 2005-09-03 | 2009-02-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置 |
| JP2017187729A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | 光学素子、光学系、撮像装置及びレンズ装置 |
-
1999
- 1999-10-13 JP JP11291683A patent/JP2000357654A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068566A1 (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-12 | Nikon Corporation | 真空紫外用光学系及び投影露光装置 |
| US7057820B2 (en) | 2003-05-14 | 2006-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system |
| JP2005136244A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 露光方法 |
| US7256948B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-08-14 | Nikon Corporation | Anti-reflection coating, and optical element and optical system with anti-reflection coating |
| US7336421B2 (en) | 2004-03-30 | 2008-02-26 | Nikon Corporation | Optical system with anti-reflection coating |
| JP2009507366A (ja) * | 2005-09-03 | 2009-02-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置 |
| JP2017187729A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | 光学素子、光学系、撮像装置及びレンズ装置 |
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