JP2000357663A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積のIII族窒化物系化合物半導体基板を
歩留まり良く、かつ再現性良く製造できるIII族窒化物
系化合物半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 まず、基板１１上に、第１のIII族窒化
物系化合物半導体からなり、段差１３ｃを備える第１の
半導体膜１３を形成する（図１（ｂ））。その後、第１
のIII族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を
有する第２のIII族窒化物系化合物半導体からなる第２
の半導体膜１４ａを形成する（図１（ｃ））。その後、
基板１１を冷却し、第２の半導体膜１４ａを第１の半導
体膜１３から分離してIII族窒化物系化合物半導体基板
１４を得る。
歩留まり良く、かつ再現性良く製造できるIII族窒化物
系化合物半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 まず、基板１１上に、第１のIII族窒化
物系化合物半導体からなり、段差１３ｃを備える第１の
半導体膜１３を形成する（図１（ｂ））。その後、第１
のIII族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を
有する第２のIII族窒化物系化合物半導体からなる第２
の半導体膜１４ａを形成する（図１（ｃ））。その後、
基板１１を冷却し、第２の半導体膜１４ａを第１の半導
体膜１３から分離してIII族窒化物系化合物半導体基板
１４を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、III族窒化物系化
合物半導体基板の製造方法に関する。
合物半導体基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般式がＡｌXＧａ1-X-YＩｎYＮ（ただ
し、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１である）
で表されるIII族窒化物系化合物半導体は、バンドギャ
ップエネルギーを、１．９ｅＶ〜６．２ｅＶという広い
範囲で変化させることができる。このため、III族窒化
物系化合物半導体は、可視域から紫外域までをカバーす
る発光・受光デバイス用の半導体材料として有望であ
る。
し、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１である）
で表されるIII族窒化物系化合物半導体は、バンドギャ
ップエネルギーを、１．９ｅＶ〜６．２ｅＶという広い
範囲で変化させることができる。このため、III族窒化
物系化合物半導体は、可視域から紫外域までをカバーす
る発光・受光デバイス用の半導体材料として有望であ
る。
【０００３】III族窒化物系化合物半導体デバイスを作
製する際の基板として、大面積で良質なIII族窒化物系
化合物半導体基板が求められている。これに対して、従
来から、III族窒化物系化合物半導体基板を製造する方
法が報告されている（たとえば、ジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジックス第３７巻（１９
９８年）Ｌ３０９ページ〜Ｌ３１２ページ、Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．３７(１９９８)ｐｐ．Ｌ３０９-
Ｌ３１２）。以下、図８を参照しながら、この従来の製
造方法について説明する。
製する際の基板として、大面積で良質なIII族窒化物系
化合物半導体基板が求められている。これに対して、従
来から、III族窒化物系化合物半導体基板を製造する方
法が報告されている（たとえば、ジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジックス第３７巻（１９
９８年）Ｌ３０９ページ〜Ｌ３１２ページ、Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．３７(１９９８)ｐｐ．Ｌ３０９-
Ｌ３１２）。以下、図８を参照しながら、この従来の製
造方法について説明する。
【０００４】上記従来の製造方法では、まず、直径５．
０８ｃｍ（２インチ）のサファイア基板１を有機金属気
相エピタキシ装置（以下、ＭＯＶＰＥ装置という場合が
ある）内に配置する。そして、サファイア基板１上にＭ
ＯＶＰＥ法によって、ＧａＮバッファ層２とＧａＮ層３
とを順次形成する（図８（ａ））。以下、何らかの層が
形成されたサファイア基板１をウェハと呼ぶ場合があ
る。
０８ｃｍ（２インチ）のサファイア基板１を有機金属気
相エピタキシ装置（以下、ＭＯＶＰＥ装置という場合が
ある）内に配置する。そして、サファイア基板１上にＭ
ＯＶＰＥ法によって、ＧａＮバッファ層２とＧａＮ層３
とを順次形成する（図８（ａ））。以下、何らかの層が
形成されたサファイア基板１をウェハと呼ぶ場合があ
る。
【０００５】次に、ウェハをＭＯＶＰＥ装置から取り出
す。そして、ＧａＮ層３の表面にＳｉＯ2膜４を形成
し、さらにＳｉＯ2膜４に数μｍピッチでストライプ状
の窓４ａを形成する（図８（ｂ））。
す。そして、ＧａＮ層３の表面にＳｉＯ2膜４を形成
し、さらにＳｉＯ2膜４に数μｍピッチでストライプ状
の窓４ａを形成する（図８（ｂ））。
【０００６】その後、ウェハを、ハイドライド気相エピ
タキシ（以下、ＨＶＰＥという場合がある）装置内に配
置し、ＳｉＯ2膜４上にＧａＮ厚膜５ａ（膜厚約１００
μｍ）を形成する（図８（ｃ））。
タキシ（以下、ＨＶＰＥという場合がある）装置内に配
置し、ＳｉＯ2膜４上にＧａＮ厚膜５ａ（膜厚約１００
μｍ）を形成する（図８（ｃ））。
【０００７】その後、ウェハをＨＶＰＥ装置から取り出
す。最後に、サファイア基板１側からＧａＮ厚膜５ａに
達するまでウェハを研磨することによって、膜厚約８０
μｍ程度のＧａＮ基板５が得られる（図８（ｄ））。
す。最後に、サファイア基板１側からＧａＮ厚膜５ａに
達するまでウェハを研磨することによって、膜厚約８０
μｍ程度のＧａＮ基板５が得られる（図８（ｄ））。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、以下のような課題があった。
来の方法では、以下のような課題があった。
【０００９】上記方法では、サファイア基板１とＧａＮ
厚膜５ａとは、格子定数および熱膨張係数が異なるた
め、ＧａＮ厚膜５ａを結晶成長させたのちウェハの温度
を室温に戻す過程で、サファイア基板１とＧａＮ厚膜５
ａとの間に応力がかかる。このため、上記方法では、ウ
ェハが反って、ＧａＮ厚膜５ａの主面に垂直な方向にク
ラックが生じたり、ＧａＮ厚膜５ａが部分的に剥離した
りしていた。その結果、従来の方法で得られるＧａＮ基
板５の大きさはせいぜい１ｃｍ角程度であり、サファイ
ア基板１と同程度の大面積のＧａＮ基板５を歩留まり良
く、かつ再現性良く得ることが困難であった。特に、上
記従来の方法では、サファイア基板１−ＧａＮバッファ
層２−ＧａＮ層３の間に応力が集中し、さらに、これら
は互いに主面全体で密着しているため、無秩序にクラッ
クが形成されるという問題があった。
厚膜５ａとは、格子定数および熱膨張係数が異なるた
め、ＧａＮ厚膜５ａを結晶成長させたのちウェハの温度
を室温に戻す過程で、サファイア基板１とＧａＮ厚膜５
ａとの間に応力がかかる。このため、上記方法では、ウ
ェハが反って、ＧａＮ厚膜５ａの主面に垂直な方向にク
ラックが生じたり、ＧａＮ厚膜５ａが部分的に剥離した
りしていた。その結果、従来の方法で得られるＧａＮ基
板５の大きさはせいぜい１ｃｍ角程度であり、サファイ
ア基板１と同程度の大面積のＧａＮ基板５を歩留まり良
く、かつ再現性良く得ることが困難であった。特に、上
記従来の方法では、サファイア基板１−ＧａＮバッファ
層２−ＧａＮ層３の間に応力が集中し、さらに、これら
は互いに主面全体で密着しているため、無秩序にクラッ
クが形成されるという問題があった。
【００１０】上記課題を解決するため、本発明は、大面
積のIII族窒化物系化合物半導体基板を歩留まり良く、
かつ再現性良く製造できるIII族窒化物系化合物半導体
基板の製造方法を提供することを目的とする。
積のIII族窒化物系化合物半導体基板を歩留まり良く、
かつ再現性良く製造できるIII族窒化物系化合物半導体
基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方
法は、（ａ）基板上に、第１のIII族窒化物系化合物半
導体からなり段差を備える第１の半導体膜を形成する工
程と、（ｂ）第１の半導体膜上に、第１のIII族窒化物
系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する第２のII
I族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体膜を形
成する工程と、（ｃ）基板を冷却し、第２の半導体膜を
第１の半導体膜から分離する工程とを有することを特徴
とする。上記本発明の製造方法では、（ｃ）の工程にお
いて基板を冷却すると、第１の半導体膜の段差部分か
ら、第２の半導体膜内であって第２の半導体膜の主面に
平行な方向にクラックが生じる。このため、上記本発明
の製造方法によれば、大面積のIII族窒化物系化合物半
導体基板を歩留まり良く、かつ再現性良く製造できる上
記本発明の製造方法では、（ａ）の工程は、（ａ−１）
基板上に、第１のIII族窒化物系化合物半導体からなる
膜を形成する工程と、（ａ−２）膜の一部を除去するこ
とによって複数の溝を備える第１の半導体膜を形成する
工程とを含むことが好ましい。上記構成によれば、段差
を備える第１の半導体膜を容易に形成できる。
め、本発明のIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方
法は、（ａ）基板上に、第１のIII族窒化物系化合物半
導体からなり段差を備える第１の半導体膜を形成する工
程と、（ｂ）第１の半導体膜上に、第１のIII族窒化物
系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する第２のII
I族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体膜を形
成する工程と、（ｃ）基板を冷却し、第２の半導体膜を
第１の半導体膜から分離する工程とを有することを特徴
とする。上記本発明の製造方法では、（ｃ）の工程にお
いて基板を冷却すると、第１の半導体膜の段差部分か
ら、第２の半導体膜内であって第２の半導体膜の主面に
平行な方向にクラックが生じる。このため、上記本発明
の製造方法によれば、大面積のIII族窒化物系化合物半
導体基板を歩留まり良く、かつ再現性良く製造できる上
記本発明の製造方法では、（ａ）の工程は、（ａ−１）
基板上に、第１のIII族窒化物系化合物半導体からなる
膜を形成する工程と、（ａ−２）膜の一部を除去するこ
とによって複数の溝を備える第１の半導体膜を形成する
工程とを含むことが好ましい。上記構成によれば、段差
を備える第１の半導体膜を容易に形成できる。
【００１２】また、上記本発明の製造方法では、（ａ）
の工程は、（ａ−１）基板上に、第１のIII族窒化物系
化合物半導体からなる膜と絶縁膜とをこの順序で形成す
る工程と、（ａ−２）膜の一部を除去することによっ
て、複数の溝を備える第１の半導体膜を形成する工程と
を含むことが好ましい。上記構成によれば、第１のIII
族窒化物系化合物半導体からなる膜と絶縁膜との間、ま
たは絶縁膜と第２の半導体膜との間でクラックがより生
じやすくなる。このため、上記構成によれば、特に大面
積のIII族窒化物系化合物半導体基板を容易に製造でき
る。
の工程は、（ａ−１）基板上に、第１のIII族窒化物系
化合物半導体からなる膜と絶縁膜とをこの順序で形成す
る工程と、（ａ−２）膜の一部を除去することによっ
て、複数の溝を備える第１の半導体膜を形成する工程と
を含むことが好ましい。上記構成によれば、第１のIII
族窒化物系化合物半導体からなる膜と絶縁膜との間、ま
たは絶縁膜と第２の半導体膜との間でクラックがより生
じやすくなる。このため、上記構成によれば、特に大面
積のIII族窒化物系化合物半導体基板を容易に製造でき
る。
【００１３】上記本発明の製造方法では、絶縁膜が、Ｓ
ｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１つから
なることが好ましい。上記構成によれば、ＳｉＯ2やＳ
ｉＮXとその表面に堆積されたIII族窒化物系化合物半導
体とが材料および結晶構造において互いに異なるため、
両者の界面に安定した化学結合が形成されず、第２の半
導体膜の剥離が容易になる。
ｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１つから
なることが好ましい。上記構成によれば、ＳｉＯ2やＳ
ｉＮXとその表面に堆積されたIII族窒化物系化合物半導
体とが材料および結晶構造において互いに異なるため、
両者の界面に安定した化学結合が形成されず、第２の半
導体膜の剥離が容易になる。
【００１４】上記本発明の製造方法では、（ｂ）の工程
ののちであって（ｃ）の工程の前に、絶縁膜を選択的に
除去する工程をさらに含むことが好ましい。上記構成に
よれば、第１の半導体膜からIII族窒化物系化合物半導
体基板を分離したときに、III族窒化物系化合物半導体
基板上に絶縁膜が残らないため、III族窒化物系化合物
半導体基板を歩留まりおよび生産性よく製造できる。
ののちであって（ｃ）の工程の前に、絶縁膜を選択的に
除去する工程をさらに含むことが好ましい。上記構成に
よれば、第１の半導体膜からIII族窒化物系化合物半導
体基板を分離したときに、III族窒化物系化合物半導体
基板上に絶縁膜が残らないため、III族窒化物系化合物
半導体基板を歩留まりおよび生産性よく製造できる。
【００１５】上記本発明の製造方法では、（ａ−２）の
工程において、複数の溝をストライプ状に形成すること
が好ましい。上記構成によれば、特に大面積のIII族窒
化物系化合物半導体基板を容易に製造できる。
工程において、複数の溝をストライプ状に形成すること
が好ましい。上記構成によれば、特に大面積のIII族窒
化物系化合物半導体基板を容易に製造できる。
【００１６】上記本発明の製造方法では、基板が（００
０１）面サファイア基板であり、溝が［１１−２０］方
向に形成されていることが好ましい。上記構成によれ
ば、結晶性が良好な第２の半導体膜を容易に形成でき
る。
０１）面サファイア基板であり、溝が［１１−２０］方
向に形成されていることが好ましい。上記構成によれ
ば、結晶性が良好な第２の半導体膜を容易に形成でき
る。
【００１７】上記本発明の製造方法では、第１のIII族
窒化物系化合物半導体の格子定数が第２のIII族窒化物
系化合物半導体の格子定数よりも小さいことが好まし
い。上記構成によれば、第１の半導体膜に対して引っ張
り歪が加わるため、特に大面積のIII族窒化物系化合物
半導体基板を製造できる。
窒化物系化合物半導体の格子定数が第２のIII族窒化物
系化合物半導体の格子定数よりも小さいことが好まし
い。上記構成によれば、第１の半導体膜に対して引っ張
り歪が加わるため、特に大面積のIII族窒化物系化合物
半導体基板を製造できる。
【００１８】上記本発明の製造方法では、第１のIII族
窒化物系化合物半導体がＡｌXＧａ1- XＮ（ただし、０＜
Ｘ≦１）であり、第２のIII族窒化物系化合物半導体が
ＧａＮであることが好ましい。上記構成によれば、第１
の半導体膜の格子定数を、第２の半導体膜の格子定数よ
りも小さくできる。
窒化物系化合物半導体がＡｌXＧａ1- XＮ（ただし、０＜
Ｘ≦１）であり、第２のIII族窒化物系化合物半導体が
ＧａＮであることが好ましい。上記構成によれば、第１
の半導体膜の格子定数を、第２の半導体膜の格子定数よ
りも小さくできる。
【００１９】上記本発明の製造方法では、（ｃ）の工程
は、基板を冷却したのち、さらに基板を加熱し冷却する
工程を含むことが好ましい。上記構成によれば、クラッ
クが確実に形成され、III族窒化物系化合物半導体基板
を歩留まりよく製造できる。
は、基板を冷却したのち、さらに基板を加熱し冷却する
工程を含むことが好ましい。上記構成によれば、クラッ
クが確実に形成され、III族窒化物系化合物半導体基板
を歩留まりよく製造できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら一例を説明する。
て、図面を参照しながら一例を説明する。
【００２１】本発明のIII族窒化物系化合物半導体基板
の製造方法について、工程図を図１に示す。なお、図１
の断面図は、基板の一部のみを示している。
の製造方法について、工程図を図１に示す。なお、図１
の断面図は、基板の一部のみを示している。
【００２２】本発明の製造方法では、まず、基板１１上
にIII族窒化物系化合物半導体からなるバッファ層１２
と、第１のIII族窒化物系化合物半導体からなる膜１３
ａとをこの順序で形成する（図１（ａ））。基板１１に
は、たとえば、サファイア基板、炭化ケイ素基板、スピ
ネル基板、シリコン、ガリウム砒素、インジウム燐など
を用いることができる。具体的には、（０００１）面サ
ファイア基板を用いることができる。（０００１）面サ
ファイア基板を用いることによって、基板１１上にIII
族窒化物系化合物半導体を容易に結晶成長させることが
できる。なお、基板１１の種類によってはバッファ層１
２を省略することも可能である。また、バッファ層１２
と膜１３ａとの間に、他のIII族窒化物系化合物半導体
を積層してもよい。
にIII族窒化物系化合物半導体からなるバッファ層１２
と、第１のIII族窒化物系化合物半導体からなる膜１３
ａとをこの順序で形成する（図１（ａ））。基板１１に
は、たとえば、サファイア基板、炭化ケイ素基板、スピ
ネル基板、シリコン、ガリウム砒素、インジウム燐など
を用いることができる。具体的には、（０００１）面サ
ファイア基板を用いることができる。（０００１）面サ
ファイア基板を用いることによって、基板１１上にIII
族窒化物系化合物半導体を容易に結晶成長させることが
できる。なお、基板１１の種類によってはバッファ層１
２を省略することも可能である。また、バッファ層１２
と膜１３ａとの間に、他のIII族窒化物系化合物半導体
を積層してもよい。
【００２３】次に、膜１３ａの一部を除去することによ
って、第１のIII族窒化物系化合物半導体からなり段差
を備える第１の半導体膜１３を形成する。膜１３ａの一
部の除去は、ドライエッチングやウエットエッチングに
よって行うことができる。たとえば、図１（ｂ）に示す
ように、ストライプ状の溝１３ｂを形成することによっ
て、段差１３ｃを備える第１の半導体膜１３を形成すれ
ばよい。図１（ｂ）の工程における第１の半導体膜１３
の平面図を図２に示す。図２に示すように、複数の溝１
３ｂは、略平行に形成されている。ストライプ状の溝１
３ｂは、基板１１が（０００１）面サファイア基板から
なる場合には、［１１−２０］方向に形成されることが
好ましい。なお、「［１１−２０］方向」という表現の
中の２の前にあるマイナスはバーを意味し、［１１−２
０］は、
って、第１のIII族窒化物系化合物半導体からなり段差
を備える第１の半導体膜１３を形成する。膜１３ａの一
部の除去は、ドライエッチングやウエットエッチングに
よって行うことができる。たとえば、図１（ｂ）に示す
ように、ストライプ状の溝１３ｂを形成することによっ
て、段差１３ｃを備える第１の半導体膜１３を形成すれ
ばよい。図１（ｂ）の工程における第１の半導体膜１３
の平面図を図２に示す。図２に示すように、複数の溝１
３ｂは、略平行に形成されている。ストライプ状の溝１
３ｂは、基板１１が（０００１）面サファイア基板から
なる場合には、［１１−２０］方向に形成されることが
好ましい。なお、「［１１−２０］方向」という表現の
中の２の前にあるマイナスはバーを意味し、［１１−２
０］は、
【００２４】
【数１】
【００２５】を表す。また、［１１−２０］方向とは、
＜１１−２０＞方向ならびにそれと等価な方向すなわち
＜１−２１０＞方向および＜−２１１０＞方向を表す。
＜１１−２０＞方向ならびにそれと等価な方向すなわち
＜１−２１０＞方向および＜−２１１０＞方向を表す。
【００２６】溝１３ｂの拡大図を図３に示す。溝１３ｂ
の開口部の幅Ｗｏｐは、１μｍ〜１０μｍであることが
好ましい。また、溝１３ｂの深さＤは０．５μｍ以上で
あることが好ましい。深さＤを０．５μｍ以上とするこ
とによって、第２の半導体膜にかかる応力が大きくな
り、III族窒化物系化合物半導体基板を剥離することが
容易になる。また、溝１３ｂの中心と隣接する溝１３ｂ
の中心との距離（周期）Ｐと、幅Ｗｏｐとは、Ｐ≧０．
５Ｗｏｐの関係を満たすことが好ましい。これによっ
て、応力が加わる部分の体積が大きくなり、剥離を容易
に行うことができる。また、溝１３ｂでは、開口部の幅
Ｗｏｐが底の幅Ｗｂｔよりも大きいことが好ましい。な
お、図３には、断面形状が順メサ型の溝を示したが、他
の形状の段差を形成してもよい。たとえば、断面形状が
逆メサ型の段差や側面が垂直な段差を形成してもよい。
また、溝１３ｂは、ストライプ状ではなく格子状に形成
してもよい。
の開口部の幅Ｗｏｐは、１μｍ〜１０μｍであることが
好ましい。また、溝１３ｂの深さＤは０．５μｍ以上で
あることが好ましい。深さＤを０．５μｍ以上とするこ
とによって、第２の半導体膜にかかる応力が大きくな
り、III族窒化物系化合物半導体基板を剥離することが
容易になる。また、溝１３ｂの中心と隣接する溝１３ｂ
の中心との距離（周期）Ｐと、幅Ｗｏｐとは、Ｐ≧０．
５Ｗｏｐの関係を満たすことが好ましい。これによっ
て、応力が加わる部分の体積が大きくなり、剥離を容易
に行うことができる。また、溝１３ｂでは、開口部の幅
Ｗｏｐが底の幅Ｗｂｔよりも大きいことが好ましい。な
お、図３には、断面形状が順メサ型の溝を示したが、他
の形状の段差を形成してもよい。たとえば、断面形状が
逆メサ型の段差や側面が垂直な段差を形成してもよい。
また、溝１３ｂは、ストライプ状ではなく格子状に形成
してもよい。
【００２７】次に、第１の半導体膜１３を覆うように、
第２のIII族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導
体膜１４ａを第１の半導体膜１３上に形成する（図１
（ｃ））。ここで、第２のIII族窒化物系化合物半導体
は、第１のIII族窒化物系化合物半導体とは組成および
熱膨張係数が異なる。なお、第２の半導体膜１４ａの形
成は、基板１１を加熱しながら行われる。
第２のIII族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導
体膜１４ａを第１の半導体膜１３上に形成する（図１
（ｃ））。ここで、第２のIII族窒化物系化合物半導体
は、第１のIII族窒化物系化合物半導体とは組成および
熱膨張係数が異なる。なお、第２の半導体膜１４ａの形
成は、基板１１を加熱しながら行われる。
【００２８】最後に、第２の半導体膜１４ａが形成され
た基板１１を冷却し、第２の半導体膜１４ａを第１の半
導体膜１３から分離し、III族窒化物系化合物半導体基
板１４を得る（図１（ｄ）参照）。なお、図１（ｄ）に
示すように、第２の半導体膜１４ａのうち溝１３ｂ内に
形成された部分１５は、溝１３ｂ内に残る場合がある。
このようにして、III族窒化物系化合物半導体基板を製
造できる。なお、第２の半導体膜１４ａの分離を容易に
するために、基板１１を冷却したのち、さらに加熱・冷
却を繰り返してもよい。また、必要に応じて、III族窒
化物系化合物半導体基板１４の裏面側（第１の半導体膜
１３に接していた側）を研磨してもよい。III族窒化物
系化合物半導体基板１４の裏面に第２の半導体膜１３の
一部が付着しているような場合であっても、それらの膜
は薄いため、研磨によって容易に除去できる。
た基板１１を冷却し、第２の半導体膜１４ａを第１の半
導体膜１３から分離し、III族窒化物系化合物半導体基
板１４を得る（図１（ｄ）参照）。なお、図１（ｄ）に
示すように、第２の半導体膜１４ａのうち溝１３ｂ内に
形成された部分１５は、溝１３ｂ内に残る場合がある。
このようにして、III族窒化物系化合物半導体基板を製
造できる。なお、第２の半導体膜１４ａの分離を容易に
するために、基板１１を冷却したのち、さらに加熱・冷
却を繰り返してもよい。また、必要に応じて、III族窒
化物系化合物半導体基板１４の裏面側（第１の半導体膜
１３に接していた側）を研磨してもよい。III族窒化物
系化合物半導体基板１４の裏面に第２の半導体膜１３の
一部が付着しているような場合であっても、それらの膜
は薄いため、研磨によって容易に除去できる。
【００２９】上記工程において、第１のIII族窒化物系
化合物半導体（第１の半導体膜１３）および第２のIII
族窒化物系化合物半導体（第２の半導体膜１４ａ）に
は、それぞれ、組成がＡｌXＧａ1-X-YＩｎYＮ（ただ
し、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表さ
れる化合物半導体を用いることができる。そして、上述
したように、第１のIII族窒化物系化合物半導体と第２
のIII族窒化物系化合物半導体とは、組成が異なり、熱
膨張係数が異なる。なお、第２の半導体膜１４ａに不純
物を添加し、ｐ形またはｎ形の半導体膜を形成してもよ
い。これによって、ｐ形またはｎ形のIII族窒化物系化
合物半導体基板が得られる。
化合物半導体（第１の半導体膜１３）および第２のIII
族窒化物系化合物半導体（第２の半導体膜１４ａ）に
は、それぞれ、組成がＡｌXＧａ1-X-YＩｎYＮ（ただ
し、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表さ
れる化合物半導体を用いることができる。そして、上述
したように、第１のIII族窒化物系化合物半導体と第２
のIII族窒化物系化合物半導体とは、組成が異なり、熱
膨張係数が異なる。なお、第２の半導体膜１４ａに不純
物を添加し、ｐ形またはｎ形の半導体膜を形成してもよ
い。これによって、ｐ形またはｎ形のIII族窒化物系化
合物半導体基板が得られる。
【００３０】また、第１の半導体膜１３と第２の半導体
膜１４ａとは、熱膨張係数が大きく異なることが好まし
い。たとえば、ＧａＮからなる基板を製造する場合に
は、第２の半導体膜１４ａがＧａＮからなり、第１の半
導体膜１３がＡｌXＧａ1-XＮ（ただし、０．１≦Ｘ≦
０．３）からなることが好ましい。また、ＡｌXＧａ1-X
Ｎ（ただし、０．１≦Ｘ≦０．２）からなる基板を製造
する場合には、第２の半導体膜１４ａがＡｌXＧａ1-XＮ
（ただし、０．１≦Ｘ≦０．２）からなり、第１の半導
体膜１３がＧａＮからなることが好ましい。
膜１４ａとは、熱膨張係数が大きく異なることが好まし
い。たとえば、ＧａＮからなる基板を製造する場合に
は、第２の半導体膜１４ａがＧａＮからなり、第１の半
導体膜１３がＡｌXＧａ1-XＮ（ただし、０．１≦Ｘ≦
０．３）からなることが好ましい。また、ＡｌXＧａ1-X
Ｎ（ただし、０．１≦Ｘ≦０．２）からなる基板を製造
する場合には、第２の半導体膜１４ａがＡｌXＧａ1-XＮ
（ただし、０．１≦Ｘ≦０．２）からなり、第１の半導
体膜１３がＧａＮからなることが好ましい。
【００３１】また、第２の半導体膜１４ａは、厚さが２
００μｍ以上であることが好ましい。厚さを２００μｍ
以上とすることによって、第１の半導体膜１３と第２の
半導体膜１４ａとの界面に応力を集中させることができ
るため、第２の半導体膜１４ａの剥離が容易になる。
００μｍ以上であることが好ましい。厚さを２００μｍ
以上とすることによって、第１の半導体膜１３と第２の
半導体膜１４ａとの界面に応力を集中させることができ
るため、第２の半導体膜１４ａの剥離が容易になる。
【００３２】上記工程において、第１のIII族窒化物系
化合物半導体からなる膜１３ａ、および第２の半導体膜
１４ａは、たとえば、ＨＶＰＥ法、ＭＯＶＰＥ法などに
よって形成することができる。
化合物半導体からなる膜１３ａ、および第２の半導体膜
１４ａは、たとえば、ＨＶＰＥ法、ＭＯＶＰＥ法などに
よって形成することができる。
【００３３】なお、本発明の製造方法では、以下の実施
例で説明するように、第１の半導体膜１３と第２の半導
体膜１４ａとの界面の一部に、絶縁膜を形成する工程を
さらに含んでもよい。これによって、第２の半導体膜１
４ａをさらに容易に剥離できる。絶縁膜には、たとえ
ば、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、またはＡｌ2Ｏ3などを用いる
ことができる。この場合には、第２の半導体膜１４ａを
形成した後に、絶縁膜を選択的に除去する工程をさらに
含んでもよい。絶縁膜を選択的に除去することよって、
第２の半導体膜１４ａの剥離がさらに容易になる。
例で説明するように、第１の半導体膜１３と第２の半導
体膜１４ａとの界面の一部に、絶縁膜を形成する工程を
さらに含んでもよい。これによって、第２の半導体膜１
４ａをさらに容易に剥離できる。絶縁膜には、たとえ
ば、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、またはＡｌ2Ｏ3などを用いる
ことができる。この場合には、第２の半導体膜１４ａを
形成した後に、絶縁膜を選択的に除去する工程をさらに
含んでもよい。絶縁膜を選択的に除去することよって、
第２の半導体膜１４ａの剥離がさらに容易になる。
【００３４】上記本発明の製造方法では、第１の半導体
膜１３の熱膨張係数と第２の半導体膜１４ａの熱膨張係
数とが異なり、第１の半導体膜１３には段差１３ｃが形
成されている。したがって、段差１３ｃの部分から、第
２の半導体膜１４ａの表面に平行にクラックが生じる。
このため、本発明の製造方法によれば、大面積のIII族
窒化物系化合物半導体基板を容易に製造できる。
膜１３の熱膨張係数と第２の半導体膜１４ａの熱膨張係
数とが異なり、第１の半導体膜１３には段差１３ｃが形
成されている。したがって、段差１３ｃの部分から、第
２の半導体膜１４ａの表面に平行にクラックが生じる。
このため、本発明の製造方法によれば、大面積のIII族
窒化物系化合物半導体基板を容易に製造できる。
【００３５】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００３６】（実施例１）実施例１では、本発明の製造
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
た一例について、図４を参照しながら説明する。
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
た一例について、図４を参照しながら説明する。
【００３７】まず、基板であるサファイア基板４１（直
径５．０８ｃｍ（２インチ）、厚さ３００μｍ）を、リ
ン酸と塩酸の混合溶液（９０℃に加熱）中で１５分間浸
漬することによって、サファイア基板４１の表面をエッ
チングした。次に、サファイア基板４１を水洗して乾燥
した。次に、サファイア基板４１をＭＯＶＰＥ装置に導
入した。そして、１．０１３×１０-5Ｐａ（１気圧）の
窒素雰囲気下で、サファイア基板４１を３０分間１０５
０℃に加熱することによって、サファイア基板４１のサ
ーマルクリーニングを行った。
径５．０８ｃｍ（２インチ）、厚さ３００μｍ）を、リ
ン酸と塩酸の混合溶液（９０℃に加熱）中で１５分間浸
漬することによって、サファイア基板４１の表面をエッ
チングした。次に、サファイア基板４１を水洗して乾燥
した。次に、サファイア基板４１をＭＯＶＰＥ装置に導
入した。そして、１．０１３×１０-5Ｐａ（１気圧）の
窒素雰囲気下で、サファイア基板４１を３０分間１０５
０℃に加熱することによって、サファイア基板４１のサ
ーマルクリーニングを行った。
【００３８】次に、結晶成長温度（サファイア基板４１
の温度）が５００℃の条件で、ＧａＮバッファ層４２
（厚さ５０ｎｍ）をサファイア基板４１上にエピタキシ
ャル成長させた。次に、結晶成長温度が１０００℃の条
件で、ＧａＮ層４３とＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａとを、
それぞれが１μｍの厚さになるようにエピタキシャル成
長させた（図４（ａ））。結晶成長には、トリメチルガ
リウム、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアを原
料ガスとして用いた。Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａが、図
１の膜１３ａに対応する。以下、何らかの層が形成され
たサファイア基板４１をウェハという。
の温度）が５００℃の条件で、ＧａＮバッファ層４２
（厚さ５０ｎｍ）をサファイア基板４１上にエピタキシ
ャル成長させた。次に、結晶成長温度が１０００℃の条
件で、ＧａＮ層４３とＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａとを、
それぞれが１μｍの厚さになるようにエピタキシャル成
長させた（図４（ａ））。結晶成長には、トリメチルガ
リウム、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアを原
料ガスとして用いた。Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａが、図
１の膜１３ａに対応する。以下、何らかの層が形成され
たサファイア基板４１をウェハという。
【００３９】次に、ウェハをＭＯＶＰＥ装置から取り出
した。そして、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａの［１１−２
０］方向に、複数の溝４４ｂ（開口部の幅Ｗｏｐが約５
μｍ、深さＤが約０．８μｍ）をドライエッチングによ
って形成し、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４を形成した（図４
（ｂ））。Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４が第１の半導体膜１
３に相当する。このとき、溝４４ｂによって段差４４ｃ
が形成された。溝４４ｂはストライプ状に形成し、隣接
する溝４４ｂ間の距離Ｐ（図３参照）は、１０μｍとし
た。
した。そして、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａの［１１−２
０］方向に、複数の溝４４ｂ（開口部の幅Ｗｏｐが約５
μｍ、深さＤが約０．８μｍ）をドライエッチングによ
って形成し、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４を形成した（図４
（ｂ））。Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４が第１の半導体膜１
３に相当する。このとき、溝４４ｂによって段差４４ｃ
が形成された。溝４４ｂはストライプ状に形成し、隣接
する溝４４ｂ間の距離Ｐ（図３参照）は、１０μｍとし
た。
【００４０】その後、ウェハをハイドライド気相成長装
置（以下、ＨＶＰＥ装置という場合がある）に導入し、
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４上にＧａＮ膜４５ａ（厚さ２０
０μｍ）をエピタキシャル成長させた（図４（ｃ））。
なお、ＧａＮとＡｌ0.1Ｇａ0 .9Ｎとは、表１に示すよう
に、線熱膨張係数が異なる。
置（以下、ＨＶＰＥ装置という場合がある）に導入し、
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４上にＧａＮ膜４５ａ（厚さ２０
０μｍ）をエピタキシャル成長させた（図４（ｃ））。
なお、ＧａＮとＡｌ0.1Ｇａ0 .9Ｎとは、表１に示すよう
に、線熱膨張係数が異なる。
【００４１】
【表１】
【００４２】ＧａＮ膜４５ａの形成方法について以下に
説明する。ＨＶＰＥ装置の一例について、断面図を図５
に模式的に示す。なお、図５では、理解を容易にするた
め、部分的にハッチングを省略している。図５を参照し
て、ＨＶＰＥ装置は、石英製の反応炉５１と、反応炉５
１の内部に配置されたサセプタ５２と、反応炉５１に取
り付けられた窒素導入管５３ａ、アンモニア導入管５３
ｂ、塩化水素導入管５３ｃおよび排気管５４と、塩化水
素導入管５３ｃの先端に配置された原料室５５とを備え
る。原料室５５内には、原料（金属ガリウム）５６が入
れられたトレー５７が配置されている。ＨＶＰＥ装置
は、さらに、サセプタ５２に配置されるウェハ５２ａを
加熱するための基板加熱ヒータ５８と、原料５６を加熱
するための原料加熱ヒータ５９とを備える。なお、基板
加熱ヒータ５８は、反応炉５１に対して平行にスライド
できるようになっている。
説明する。ＨＶＰＥ装置の一例について、断面図を図５
に模式的に示す。なお、図５では、理解を容易にするた
め、部分的にハッチングを省略している。図５を参照し
て、ＨＶＰＥ装置は、石英製の反応炉５１と、反応炉５
１の内部に配置されたサセプタ５２と、反応炉５１に取
り付けられた窒素導入管５３ａ、アンモニア導入管５３
ｂ、塩化水素導入管５３ｃおよび排気管５４と、塩化水
素導入管５３ｃの先端に配置された原料室５５とを備え
る。原料室５５内には、原料（金属ガリウム）５６が入
れられたトレー５７が配置されている。ＨＶＰＥ装置
は、さらに、サセプタ５２に配置されるウェハ５２ａを
加熱するための基板加熱ヒータ５８と、原料５６を加熱
するための原料加熱ヒータ５９とを備える。なお、基板
加熱ヒータ５８は、反応炉５１に対して平行にスライド
できるようになっている。
【００４３】ＧａＮ膜４５ａの結晶成長の方法につい
て、以下に説明する。
て、以下に説明する。
【００４４】まず、アンモニア導入管５３ｂおよび原料
室５５に対向するようにサセプタ５２上にウェハを載置
した。そして、窒素導入管５３ａから反応炉５１に窒素
を導入し、反応炉５１内を１．０１３×１０-5Ｐａ（１
気圧）の窒素雰囲気で満たした。
室５５に対向するようにサセプタ５２上にウェハを載置
した。そして、窒素導入管５３ａから反応炉５１に窒素
を導入し、反応炉５１内を１．０１３×１０-5Ｐａ（１
気圧）の窒素雰囲気で満たした。
【００４５】その後、基板加熱ヒータ５８および原料加
熱ヒータ５９を用い、ウェハの温度を１０００℃、原料
５６の温度を８００℃とした。そして、アンモニア導入
管５３ｂからアンモニアを反応炉５１に導入した。ま
た、塩化水素導入管５３ｃから塩化水素を原料室５５に
導入し、原料室５５において原料５６の金属ガリウムと
塩化水素とを反応させて塩化ガリウムを発生させた。
熱ヒータ５９を用い、ウェハの温度を１０００℃、原料
５６の温度を８００℃とした。そして、アンモニア導入
管５３ｂからアンモニアを反応炉５１に導入した。ま
た、塩化水素導入管５３ｃから塩化水素を原料室５５に
導入し、原料室５５において原料５６の金属ガリウムと
塩化水素とを反応させて塩化ガリウムを発生させた。
【００４６】そして、反応室５１内に導入した塩化ガリ
ウムとアンモニアとを原料ガスとして、ウェハ上にＧａ
Ｎ膜４５ａを結晶成長させた（図４（ｃ））。
ウムとアンモニアとを原料ガスとして、ウェハ上にＧａ
Ｎ膜４５ａを結晶成長させた（図４（ｃ））。
【００４７】その後、ＧａＮ膜４５ａとＡｌ0.1Ｇａ0.9
Ｎ層４４とを分離することによって、ＧａＮ基板４５を
得た。具体的には、ＧａＮ膜４５ａを結晶成長させたの
ち、窒素雰囲気のＨＶＰＥ装置中で２０分間自然冷却す
ることによって、ウェハの温度を室温まで下げ、ＧａＮ
膜４５ａをＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４から分離した。最後
に、分離されたＧａＮ基板４５をＨＶＰＥ装置より取り
出した。このようにして、ＧａＮ基板４５を得た。この
とき、ＧａＮ膜４５ａの一部４６が溝４４ｂ内に残っ
た。
Ｎ層４４とを分離することによって、ＧａＮ基板４５を
得た。具体的には、ＧａＮ膜４５ａを結晶成長させたの
ち、窒素雰囲気のＨＶＰＥ装置中で２０分間自然冷却す
ることによって、ウェハの温度を室温まで下げ、ＧａＮ
膜４５ａをＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４から分離した。最後
に、分離されたＧａＮ基板４５をＨＶＰＥ装置より取り
出した。このようにして、ＧａＮ基板４５を得た。この
とき、ＧａＮ膜４５ａの一部４６が溝４４ｂ内に残っ
た。
【００４８】ＧａＮ膜４５ａに形成されるクラックの様
子を見るために、ＧａＮ膜４５ａに代えて、膜厚が２μ
ｍのＧａＮ層６１を結晶成長させたウェハを作製し、上
記実施例１と同様の方法で冷却した。そして、このウェ
ハを劈開し、劈開面を電子顕微鏡で観察して、ＧａＮ層
６１内に生じた欠陥やクラックの様子を調べた。その結
果を図６に模式的に示す。なお、図６では、ＧａＮ層６
１のハッチングを省略する。
子を見るために、ＧａＮ膜４５ａに代えて、膜厚が２μ
ｍのＧａＮ層６１を結晶成長させたウェハを作製し、上
記実施例１と同様の方法で冷却した。そして、このウェ
ハを劈開し、劈開面を電子顕微鏡で観察して、ＧａＮ層
６１内に生じた欠陥やクラックの様子を調べた。その結
果を図６に模式的に示す。なお、図６では、ＧａＮ層６
１のハッチングを省略する。
【００４９】図６に示すように、ＧａＮ層６１内には、
貫通転移６２とクラック６３とが形成されている。クラ
ック６３は、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４に形成された段差
部分４４ｃから溝４４ｂの中央方向に向かって、ＧａＮ
層６１の主面に平行に形成されていた。このクラック６
３は、（１）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４とＧａＮ層６１と
で熱膨張係数が異なること、（２）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎの
格子定数がＧａＮの格子定数よりも小さく、Ａｌ0.1Ｇ
ａ0.9Ｎ層４４に対して引っ張り歪が加わったこと、お
よび（３）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４に段差４４ｃが形成
され、段差４４ｃの斜面上にもＧａＮが結晶成長したこ
と、のためであると考えられる。ＧａＮ膜４５ａの場合
も、ＧａＮ層６１と同様に、段差４４ｃ部分から主面に
平行にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａが剥離しやすく
なるものと考えられる。
貫通転移６２とクラック６３とが形成されている。クラ
ック６３は、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４に形成された段差
部分４４ｃから溝４４ｂの中央方向に向かって、ＧａＮ
層６１の主面に平行に形成されていた。このクラック６
３は、（１）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４とＧａＮ層６１と
で熱膨張係数が異なること、（２）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎの
格子定数がＧａＮの格子定数よりも小さく、Ａｌ0.1Ｇ
ａ0.9Ｎ層４４に対して引っ張り歪が加わったこと、お
よび（３）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４に段差４４ｃが形成
され、段差４４ｃの斜面上にもＧａＮが結晶成長したこ
と、のためであると考えられる。ＧａＮ膜４５ａの場合
も、ＧａＮ層６１と同様に、段差４４ｃ部分から主面に
平行にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａが剥離しやすく
なるものと考えられる。
【００５０】実際に、実施例１においては、ウェハの約
６０％の領域において、ＧａＮ膜４５ａの段差４４ｃの
部分にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径約２．５４ｃｍ（約１イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
６０％の領域において、ＧａＮ膜４５ａの段差４４ｃの
部分にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径約２．５４ｃｍ（約１イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
【００５１】以上のように、実施例１の製造方法では、
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４の熱膨張係数とＧａＮ膜４５ａ
の熱膨張係数とが異なり、かつＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４
には段差４４ｃが形成された。このため、ＧａＮ膜４５
ａ中において、ＧａＮ膜４５ａの表面に対して平行に段
差４４ｃからクラックが生じ、ＧａＮ厚膜４５ａを分離
することができた。その結果面積の大きなＧａＮ基板４
５を得ることができた。
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４の熱膨張係数とＧａＮ膜４５ａ
の熱膨張係数とが異なり、かつＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４
には段差４４ｃが形成された。このため、ＧａＮ膜４５
ａ中において、ＧａＮ膜４５ａの表面に対して平行に段
差４４ｃからクラックが生じ、ＧａＮ厚膜４５ａを分離
することができた。その結果面積の大きなＧａＮ基板４
５を得ることができた。
【００５２】特に、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎの格子定数はＧａ
Ｎの格子定数よりも小さく、Ａｌ0. 1Ｇａ0.9Ｎ層４４に
対して引っ張り歪が加わるので、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４
４とＧａＮ膜４５ａとの間においてクラックが生じやす
くなり、大面積のＧａＮ膜４５ａを分離することができ
た。その結果、大面積のＧａＮ基板４５が得られた。
Ｎの格子定数よりも小さく、Ａｌ0. 1Ｇａ0.9Ｎ層４４に
対して引っ張り歪が加わるので、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４
４とＧａＮ膜４５ａとの間においてクラックが生じやす
くなり、大面積のＧａＮ膜４５ａを分離することができ
た。その結果、大面積のＧａＮ基板４５が得られた。
【００５３】（実施例２）実施例２では、本発明の製造
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
た他の一例について説明する。実施例２の製造方法で
は、実施例１の製造方法とは基板の冷却方法のみが異な
るため、重複する説明は省略する。
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
た他の一例について説明する。実施例２の製造方法で
は、実施例１の製造方法とは基板の冷却方法のみが異な
るため、重複する説明は省略する。
【００５４】図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程を行い、Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４上にＧａＮ膜４５ａ（厚さ２００
μｍ）を結晶成長させた。その後、窒素雰囲気のＨＶＰ
Ｅ装置中で２０分間自然冷却することによって、ウェハ
の温度を室温まで下げた。その後、窒素雰囲気のＨＶＰ
Ｅ装置中で、３０分の時間をかけてウェハの温度を１０
００℃まで上げた。１０００℃まで加熱したのち室温ま
で冷却する熱サイクルを５回繰り返すことによって、Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４からＧａＮ膜４５ａを分離し、Ｇ
ａＮ基板４５を得た（図４（ｄ）参照）。最後に、分離
されたＧａＮ基板４５をＨＶＰＥ装置より取り出した。
このようにして、III族窒化物系化合物半導体基板を得
た。
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４上にＧａＮ膜４５ａ（厚さ２００
μｍ）を結晶成長させた。その後、窒素雰囲気のＨＶＰ
Ｅ装置中で２０分間自然冷却することによって、ウェハ
の温度を室温まで下げた。その後、窒素雰囲気のＨＶＰ
Ｅ装置中で、３０分の時間をかけてウェハの温度を１０
００℃まで上げた。１０００℃まで加熱したのち室温ま
で冷却する熱サイクルを５回繰り返すことによって、Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４からＧａＮ膜４５ａを分離し、Ｇ
ａＮ基板４５を得た（図４（ｄ）参照）。最後に、分離
されたＧａＮ基板４５をＨＶＰＥ装置より取り出した。
このようにして、III族窒化物系化合物半導体基板を得
た。
【００５５】実施例２の製造方法では、実施例１の製造
方法で得られる効果に加え、ＧａＮ基板を分離する際に
熱サイクルを行うことによる効果が得られる。したがっ
て、実施例２の製造方法では、実施例１よりも大面積の
ＧａＮ膜４５ａを分離することができ、大面積のＧａＮ
基板を得ることができた。
方法で得られる効果に加え、ＧａＮ基板を分離する際に
熱サイクルを行うことによる効果が得られる。したがっ
て、実施例２の製造方法では、実施例１よりも大面積の
ＧａＮ膜４５ａを分離することができ、大面積のＧａＮ
基板を得ることができた。
【００５６】実際、実施例２においては、ウェハの全面
にわたって、段差４４ｃから溝４４ｂの中央部に向かっ
て、ＧａＮ膜４５ａの表面に平行な方向にＧａＮ膜４５
ａ内にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径が約５．０８ｃｍ（約２イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
にわたって、段差４４ｃから溝４４ｂの中央部に向かっ
て、ＧａＮ膜４５ａの表面に平行な方向にＧａＮ膜４５
ａ内にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径が約５．０８ｃｍ（約２イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
【００５７】熱サイクルを行うことによって、より大面
積のＧａＮ基板４５を分離することができるのは、Ａｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４とＧａＮ膜４５ａとの界面に繰り返
し応力が加わり、クラックがより生じやすくなったため
であると考えられる。
積のＧａＮ基板４５を分離することができるのは、Ａｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４とＧａＮ膜４５ａとの界面に繰り返
し応力が加わり、クラックがより生じやすくなったため
であると考えられる。
【００５８】（実施例３）実施例３では、本発明の製造
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
たその他の一例について説明する。実施例３の製造方法
は、実施例１の製造方法とは基板の冷却方法のみが異な
るため、重複する説明は省略する。
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
たその他の一例について説明する。実施例３の製造方法
は、実施例１の製造方法とは基板の冷却方法のみが異な
るため、重複する説明は省略する。
【００５９】図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程を行い、Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４上にＧａＮ膜４５ａ（厚さ２００
μｍ）を結晶成長させた。そして、ＧａＮ膜４５ａを結
晶成長させた直後に、基板加熱ヒータ５８をスライドさ
せ、窒素ガスをウェハに吹き付けてウェハを急速（３分
以内）に冷却し、ウェハの温度を室温まで下げた。この
窒素ガスによる冷却によってＧａＮ膜４５ａを分離し、
ＧａＮ基板４５を得た。そして、得られたＧａＮ基板４
５をＨＶＰＥ装置より取り出した。
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４上にＧａＮ膜４５ａ（厚さ２００
μｍ）を結晶成長させた。そして、ＧａＮ膜４５ａを結
晶成長させた直後に、基板加熱ヒータ５８をスライドさ
せ、窒素ガスをウェハに吹き付けてウェハを急速（３分
以内）に冷却し、ウェハの温度を室温まで下げた。この
窒素ガスによる冷却によってＧａＮ膜４５ａを分離し、
ＧａＮ基板４５を得た。そして、得られたＧａＮ基板４
５をＨＶＰＥ装置より取り出した。
【００６０】ウェハを冷却する際に基板加熱ヒータ５８
をスライドさせたのは、基板加熱ヒータ５８が有する熱
によって、ウェハの冷却に時間がかかるのを防止するた
めである。基板加熱ヒータ５８をスライドさせることに
よって、ウェハを室温まで急速に冷却することができ
た。
をスライドさせたのは、基板加熱ヒータ５８が有する熱
によって、ウェハの冷却に時間がかかるのを防止するた
めである。基板加熱ヒータ５８をスライドさせることに
よって、ウェハを室温まで急速に冷却することができ
た。
【００６１】実施例３の製造方法では、実施例１の製造
方法と同様の効果に加え、実施例１に比べてウェハをよ
り急速に冷却する効果が得られる。したがって実施例３
の製造方法では、より大面積のＧａＮ膜４５ａを分離す
ることができ、その結果、より大面積のＧａＮ基板を得
ることができた。
方法と同様の効果に加え、実施例１に比べてウェハをよ
り急速に冷却する効果が得られる。したがって実施例３
の製造方法では、より大面積のＧａＮ膜４５ａを分離す
ることができ、その結果、より大面積のＧａＮ基板を得
ることができた。
【００６２】実際、実施例３においては、ウェハの全面
にわたって、段差４４ｃから溝４４ｂの中央部に向かっ
て、ＧａＮ膜４５ａの表面に平行な方向にＧａＮ膜４５
ａ内にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径が約５．０８ｃｍ（約２イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
にわたって、段差４４ｃから溝４４ｂの中央部に向かっ
て、ＧａＮ膜４５ａの表面に平行な方向にＧａＮ膜４５
ａ内にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径が約５．０８ｃｍ（約２イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
【００６３】実施例３の製造方法で大面積のＧａＮ基板
が得られるのは、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４とＧａＮ膜４
５ａとの界面に応力が急速にかかり、クラックがより生
じやすくなったためであると考えられる。
が得られるのは、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４とＧａＮ膜４
５ａとの界面に応力が急速にかかり、クラックがより生
じやすくなったためであると考えられる。
【００６４】（実施例４）実施例４では、本発明の製造
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
たその他の一例について図７を参照しながら説明する。
実施例４の製造方法は、第１の半導体膜と第２の半導体
膜との間に絶縁膜を形成する方法である。なお、実施例
１と同様の部分については、重複する説明を省略する。
方法によってIII族窒化物系化合物半導体基板を製造し
たその他の一例について図７を参照しながら説明する。
実施例４の製造方法は、第１の半導体膜と第２の半導体
膜との間に絶縁膜を形成する方法である。なお、実施例
１と同様の部分については、重複する説明を省略する。
【００６５】まず、（０００１）面サファイア基板４１
（直径５．０８ｃｍ（２インチ）、厚さ３００μｍ）を
用意し、実施例１と同様の方法で、洗浄、エッチング、
およびサーマルクリーニングを行った。そして、実施例
１と同様の方法で、サファイア基板４１上に、ＧａＮバ
ッファ層４２（厚さ５０ｎｍ）、ＧａＮ層４３（厚さ１
μｍ）、およびＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａ（厚さ１μ
ｍ）を、順次結晶成長させた（図７（ａ））。
（直径５．０８ｃｍ（２インチ）、厚さ３００μｍ）を
用意し、実施例１と同様の方法で、洗浄、エッチング、
およびサーマルクリーニングを行った。そして、実施例
１と同様の方法で、サファイア基板４１上に、ＧａＮバ
ッファ層４２（厚さ５０ｎｍ）、ＧａＮ層４３（厚さ１
μｍ）、およびＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａ（厚さ１μ
ｍ）を、順次結晶成長させた（図７（ａ））。
【００６６】次に、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａが形成さ
れたサファイア基板４１（以下、ウェハという場合があ
る）を、常圧ＣＶＤ装置内に配置した。そして、ＣＶＤ
法によって、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａ上に、ＳｉＯ2
膜７１（厚さ約０．３μｍ）を形成した。
れたサファイア基板４１（以下、ウェハという場合があ
る）を、常圧ＣＶＤ装置内に配置した。そして、ＣＶＤ
法によって、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａ上に、ＳｉＯ2
膜７１（厚さ約０．３μｍ）を形成した。
【００６７】その後、ウェハを常圧ＣＶＤ装置から取り
出した。そして、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａの［１１−
２０］方向に、幅Ｗｏｐが５μｍ、深さＤが０．８μ
ｍ、距離（周期）Ｐが１０μｍの溝４４ｂをドライエッ
チングによって形成し、Ａｌ0. 1Ｇａ0.9Ｎ層４４を形成
した（図７（ｂ））。
出した。そして、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４ａの［１１−
２０］方向に、幅Ｗｏｐが５μｍ、深さＤが０．８μ
ｍ、距離（周期）Ｐが１０μｍの溝４４ｂをドライエッ
チングによって形成し、Ａｌ0. 1Ｇａ0.9Ｎ層４４を形成
した（図７（ｂ））。
【００６８】さらに、実施例１と同様の方法で、膜厚２
００μｍのＧａＮ膜４５ａを結晶成長させた（図７
（ｃ））。なお、結晶成長温度は、実施例１と同様に１
０００℃とした。
００μｍのＧａＮ膜４５ａを結晶成長させた（図７
（ｃ））。なお、結晶成長温度は、実施例１と同様に１
０００℃とした。
【００６９】その後、Ｎ2雰囲気のＨＶＰＥ装置内で、
２０分間ウェハを自然冷却し、ウェハの温度を室温まで
下げ、ＧａＮ膜４５ａを分離した。最後に、分離された
ＧａＮ基板４５をＨＶＰＥ装置より取り出し、ＧａＮ基
板４５を得た（図７（ｄ））。
２０分間ウェハを自然冷却し、ウェハの温度を室温まで
下げ、ＧａＮ膜４５ａを分離した。最後に、分離された
ＧａＮ基板４５をＨＶＰＥ装置より取り出し、ＧａＮ基
板４５を得た（図７（ｄ））。
【００７０】実施例４の製造方法では、（１）Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎ層４４の熱膨張係数とＧａＮ膜４５ａの熱膨
張係数とが異なり、（２）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４に、
溝型の段差４４ｃが形成されており、（３）Ａｌ0.1Ｇ
ａ0.9Ｎ４４上にＳｉＯ2膜７１が形成されている。
Ｇａ0.9Ｎ層４４の熱膨張係数とＧａＮ膜４５ａの熱膨
張係数とが異なり、（２）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４に、
溝型の段差４４ｃが形成されており、（３）Ａｌ0.1Ｇ
ａ0.9Ｎ４４上にＳｉＯ2膜７１が形成されている。
【００７１】実施例４の製造方法では、ＳｉＯ2膜７１
を用いているため、溝４４ｂ部分のＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
４４からＳｉＯ2膜７１に回り込むように結晶が成長す
る。したがって、ＳｉＯ2膜７１とＧａＮ膜４５ａとの
界面に結晶の歪みによる応力が加わり、この界面でクラ
ックがさらに生じやすくなる。したがって、実施例４の
製造方法によれば、より大面積のＧａＮ基板４５を得る
ことができた。
を用いているため、溝４４ｂ部分のＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
４４からＳｉＯ2膜７１に回り込むように結晶が成長す
る。したがって、ＳｉＯ2膜７１とＧａＮ膜４５ａとの
界面に結晶の歪みによる応力が加わり、この界面でクラ
ックがさらに生じやすくなる。したがって、実施例４の
製造方法によれば、より大面積のＧａＮ基板４５を得る
ことができた。
【００７２】実際、実施例４においては、ウェハの全面
にわたって、段差４４ｃから溝４４ｂの中央部に向かっ
て、ＧａＮ膜４５ａの表面に平行な方向にＧａＮ膜４５
ａ内にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径が約５．０８ｃｍ（約２イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
にわたって、段差４４ｃから溝４４ｂの中央部に向かっ
て、ＧａＮ膜４５ａの表面に平行な方向にＧａＮ膜４５
ａ内にクラックが生じ、ＧａＮ膜４５ａを分離すること
ができた。その結果、直径が約５．０８ｃｍ（約２イン
チ）のＧａＮ基板４５を得ることができた。
【００７３】なお、実施例４において、ＨＶＰＥ装置よ
りウェハを取り出した後に、ウェハを希フッ酸（体積比
でＨ2Ｏ：ＨＦ＝１０：１）に３０分間浸漬し、ＳｉＯ2
膜７１のみを選択的にエッチングしてもよい。そして、
さらに熱サイクルを行い、ＧａＮ基板を分離してもよ
い。このようにすれば、ＧａＮ膜４５ａを分離する際
に、ＧａＮ基板４５の表面にＳｉＯ2膜７１が残留しな
いので、面積の大きなＧａＮ基板４５をより歩留まり良
く得ることができる。
りウェハを取り出した後に、ウェハを希フッ酸（体積比
でＨ2Ｏ：ＨＦ＝１０：１）に３０分間浸漬し、ＳｉＯ2
膜７１のみを選択的にエッチングしてもよい。そして、
さらに熱サイクルを行い、ＧａＮ基板を分離してもよ
い。このようにすれば、ＧａＮ膜４５ａを分離する際
に、ＧａＮ基板４５の表面にＳｉＯ2膜７１が残留しな
いので、面積の大きなＧａＮ基板４５をより歩留まり良
く得ることができる。
【００７４】また、実施例４の製造方法において、上記
実施例と同様に、熱サイクルを行ったり、ウェハを急速
に冷却してもよい。
実施例と同様に、熱サイクルを行ったり、ウェハを急速
に冷却してもよい。
【００７５】また、ＳｉＯ2膜７１の代わりに、Ｓｉ3Ｎ
4からなる膜を用いてもよい。
4からなる膜を用いてもよい。
【００７６】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。
【００７７】たとえば、上記実施例では、Ａｌ0.1Ｇａ
0.9Ｎ層４４に形成する溝４４ｂの深さＤを、ＧａＮ層
４３に達しない深さである０．８μｍとした。しかし、
深さＤを、ＧａＮ層４３に達する深さとしてもよく、サ
ファイア基板４１が露出する深さとしてもよい。溝を形
成することによってＧａＮ層４３またはサファイア基板
４１が露出する場合でも、ＧａＮ膜４５ａの成長初期の
ガス流量や成長温度などの成長条件を最適化することに
よって、良好な結晶性を有するＧａＮ膜４５ａを得るこ
とができる。
0.9Ｎ層４４に形成する溝４４ｂの深さＤを、ＧａＮ層
４３に達しない深さである０．８μｍとした。しかし、
深さＤを、ＧａＮ層４３に達する深さとしてもよく、サ
ファイア基板４１が露出する深さとしてもよい。溝を形
成することによってＧａＮ層４３またはサファイア基板
４１が露出する場合でも、ＧａＮ膜４５ａの成長初期の
ガス流量や成長温度などの成長条件を最適化することに
よって、良好な結晶性を有するＧａＮ膜４５ａを得るこ
とができる。
【００７８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のIII族窒
化物系化合物半導体基板の製造方法は、第１のIII族窒
化物系化合物半導体からなり段差を備える第１の半導体
膜を形成する工程と、第１の半導体膜上に、第１のIII
族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する
第２のIII族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導
体膜を形成する工程と、基板を冷却し、第２の半導体膜
を第１の半導体膜から分離する工程とを有する。したが
って、本発明の製造方法によれば、大面積のIII族窒化
物系化合物半導体基板を歩留まり良く、かつ再現性良く
製造できる。
化物系化合物半導体基板の製造方法は、第１のIII族窒
化物系化合物半導体からなり段差を備える第１の半導体
膜を形成する工程と、第１の半導体膜上に、第１のIII
族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する
第２のIII族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導
体膜を形成する工程と、基板を冷却し、第２の半導体膜
を第１の半導体膜から分離する工程とを有する。したが
って、本発明の製造方法によれば、大面積のIII族窒化
物系化合物半導体基板を歩留まり良く、かつ再現性良く
製造できる。
【図１】 本発明のIII族窒化物系化合物半導体基板の
製造方法について一例を示す工程図である。
製造方法について一例を示す工程図である。
【図２】 図１（ｂ）の工程における溝１３ｂの形状の
一例を示す平面図である。
一例を示す平面図である。
【図３】 溝１３ｂの形状の一例を示す断面図である。
【図４】 本発明のIII族窒化物系化合物半導体基板の
製造方法について他の一例を示す工程図である。
製造方法について他の一例を示す工程図である。
【図５】 本発明のIII族窒化物系化合物半導体基板の
製造方法に用いるＨＶＰＥ装置について一例を模式的に
示す断面図である。
製造方法に用いるＨＶＰＥ装置について一例を模式的に
示す断面図である。
【図６】 Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層４４とＧａＮ層７１との
境界に生じるクラックの様子を模式的に示す図である。
境界に生じるクラックの様子を模式的に示す図である。
【図７】 本発明のIII族窒化物系化合物半導体基板の
製造方法についてその他の一例を示す工程図である。
製造方法についてその他の一例を示す工程図である。
【図８】 従来のIII族窒化物系化合物半導体基板の製
造方法について一例を示す工程図である。
造方法について一例を示す工程図である。
１１ 基板 １２ バッファ層 １３ 第１の半導体膜 １３ａ 膜 １３ｂ、４４ｂ 溝 １３ｃ、４４ｃ 段差 １４ａ 第２の半導体膜 １４ III族窒化物系化合物半導体基板 ４１ サファイア基板 ４２ ＧａＮバッファ層 ４３ ＧａＮ層 ４４、４４ａ Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層 ４５ ＧａＮ基板 ４５ａ ＧａＮ膜 ６１ ＧａＮ層 ６２ 貫通転移 ６３ クラック ７１ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 真嗣 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 石田 昌宏 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 折田 賢児 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 III族窒化物系化合物半導体基板の製造
方法であって、 （ａ）基板上に、第１のIII族窒化物系化合物半導体か
らなり段差を備える第１の半導体膜を形成する工程と、 （ｂ）前記第１の半導体膜上に、前記第１のIII族窒化
物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する第２の
III族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体膜を
形成する工程と、 （ｃ）前記基板を冷却し、前記第２の半導体膜を前記第
１の半導体膜から分離する工程とを有することを特徴と
するIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記（ａ）の工程は、 （ａ−１）前記基板上に、前記第１のIII族窒化物系化
合物半導体からなる膜を形成する工程と、 （ａ−２）前記膜の一部を除去することによって複数の
溝を備える第１の半導体膜を形成する工程とを含む請求
項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方
法。 - 【請求項３】 前記（ａ）の工程は、 （ａ−１）前記基板上に、前記第１のIII族窒化物系化
合物半導体からなる膜と絶縁膜とをこの順序で形成する
工程と、 （ａ−２）前記膜の一部を除去することによって、複数
の溝を備える第１の半導体膜を形成する工程とを含む請
求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体基板の製造
方法。 - 【請求項４】 前記絶縁膜が、ＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4
から選ばれる少なくとも１つからなる請求項３に記載の
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記（ｂ）の工程ののちであって前記
（ｃ）の工程の前に、前記絶縁膜を選択的に除去する工
程をさらに含む請求項３に記載のIII族窒化物系化合物
半導体基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記（ａ−２）の工程において、前記複
数の溝をストライプ状に形成する請求項２〜５のいずれ
かに記載のIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方
法。 - 【請求項７】 前記基板が（０００１）面サファイア基
板であり、前記溝が［１１−２０］方向に形成されてい
る請求項６に記載のIII族窒化物系化合物半導体基板の
製造方法。 - 【請求項８】 前記第１のIII族窒化物系化合物半導体
の格子定数が前記第２のIII族窒化物系化合物半導体の
格子定数よりも小さい請求項１〜７のいずれかに記載の
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１のIII族窒化物系化合物半導体
がＡｌXＧａ1-XＮ（ただし、０＜Ｘ≦１）であり、前記
第２のIII族窒化物系化合物半導体がＧａＮである請求
項１〜７のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導
体基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記（ｃ）の工程は、前記基板を冷却
したのち、さらに前記基板を加熱し冷却する工程を含む
請求項１〜７のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物
半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000108497A JP4231189B2 (ja) | 1999-04-14 | 2000-04-10 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-106276 | 1999-04-14 | ||
| JP10627699 | 1999-04-14 | ||
| JP2000108497A JP4231189B2 (ja) | 1999-04-14 | 2000-04-10 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357663A true JP2000357663A (ja) | 2000-12-26 |
| JP4231189B2 JP4231189B2 (ja) | 2009-02-25 |
Family
ID=26446398
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000108497A Expired - Fee Related JP4231189B2 (ja) | 1999-04-14 | 2000-04-10 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4231189B2 (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299254A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体基板の製造方法及び半導体素子 |
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| US6860943B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor |
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| US6979584B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-12-27 | Toyoda Gosei Co, Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
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