JP2000357699A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2000357699A JP2000357699A JP11170257A JP17025799A JP2000357699A JP 2000357699 A JP2000357699 A JP 2000357699A JP 11170257 A JP11170257 A JP 11170257A JP 17025799 A JP17025799 A JP 17025799A JP 2000357699 A JP2000357699 A JP 2000357699A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッシベーション膜へのクラックの発生を抑
制することにより、ＴＡＢ実装の信頼性を向上させた半
導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、絶縁膜１１
上に形成された、Ａｌ合金より変形しにくい金属又は高
融点金属シリサイドからなるパッド１３，１４と、前記
パッド１３，１４の上に形成された、熱圧着によりイン
ナーリードと接合するための金属バンプ１９，２０と、
を具備するものである。前記金属は、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ又はＶ等であり、前記高融点
金属シリサイドは、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ又はＶ
Ｓｉ等である。
制することにより、ＴＡＢ実装の信頼性を向上させた半
導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、絶縁膜１１
上に形成された、Ａｌ合金より変形しにくい金属又は高
融点金属シリサイドからなるパッド１３，１４と、前記
パッド１３，１４の上に形成された、熱圧着によりイン
ナーリードと接合するための金属バンプ１９，２０と、
を具備するものである。前記金属は、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ又はＶ等であり、前記高融点
金属シリサイドは、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ又はＶ
Ｓｉ等である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関する。特には、ＴＡＢ実装時にパッシベ
ーション膜へのクラックの発生を抑制できる半導体装置
及びその製造方法に関する。
の製造方法に関する。特には、ＴＡＢ実装時にパッシベ
ーション膜へのクラックの発生を抑制できる半導体装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の半導体装置を示す断面図
である。
である。
【０００３】シリコン基板１０上に絶縁膜１１を形成し
た後、この絶縁膜１１上にスパッタ法によりＡｌ合金膜
を堆積する。次に、このＡｌ合金膜上にフォトレジスト
膜（図示せず）を設け、このフォトレジスト膜をマスク
としてＡｌ合金膜をエッチングすることにより、絶縁膜
１１上にＡｌ合金パッド２１，２２を形成する。これら
のＡｌ合金パッド２１，２２は隣接して配置されてい
る。また、Ａｌ合金パッド２１，２２は図示せぬ半導体
素子に電気的に接続されている。
た後、この絶縁膜１１上にスパッタ法によりＡｌ合金膜
を堆積する。次に、このＡｌ合金膜上にフォトレジスト
膜（図示せず）を設け、このフォトレジスト膜をマスク
としてＡｌ合金膜をエッチングすることにより、絶縁膜
１１上にＡｌ合金パッド２１，２２を形成する。これら
のＡｌ合金パッド２１，２２は隣接して配置されてい
る。また、Ａｌ合金パッド２１，２２は図示せぬ半導体
素子に電気的に接続されている。
【０００４】この後、Ａｌ合金パッド２１，２２及び絶
縁膜１１の上にパッシベーション膜１５を形成する。次
に、このパッシベーション膜１５に、Ａｌ合金パッド２
１，２２の上に位置する開口部を形成する。この後、こ
の開口部内及びパッシベーション膜１５上にＡｕのメッ
キ用金属層１７を形成する。次に、このメッキ用金属層
１７の上に、金属メッキ法によりＡｕバンプ１９，２０
を形成する。
縁膜１１の上にパッシベーション膜１５を形成する。次
に、このパッシベーション膜１５に、Ａｌ合金パッド２
１，２２の上に位置する開口部を形成する。この後、こ
の開口部内及びパッシベーション膜１５上にＡｕのメッ
キ用金属層１７を形成する。次に、このメッキ用金属層
１７の上に、金属メッキ法によりＡｕバンプ１９，２０
を形成する。
【０００５】この後、上記半導体装置にＴＡＢ(Tape Au
tomated Bonding)実装を行う。すなわわち、テープ上に
形成したＣｕ薄膜パターンにＳｎメッキしたリード２
４，２５をＡｕバンプ１９，２０上に置き、リードとＡ
ｕバンプ１９，２０を４５０〜５００℃に加熱し、リー
ド単位面積当り０．１〜０．００１ｇ／μｍ２の荷重を
かけて加圧圧着する。これにより、ＡｕとＳｎを共晶化
させてＴＡＢ実装を行う。
tomated Bonding)実装を行う。すなわわち、テープ上に
形成したＣｕ薄膜パターンにＳｎメッキしたリード２
４，２５をＡｕバンプ１９，２０上に置き、リードとＡ
ｕバンプ１９，２０を４５０〜５００℃に加熱し、リー
ド単位面積当り０．１〜０．００１ｇ／μｍ２の荷重を
かけて加圧圧着する。これにより、ＡｕとＳｎを共晶化
させてＴＡＢ実装を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記ＴＡＢ実装の際、
Ａｕバンプ１９，２０に圧力が加えられるため、比較的
軟らかく変形しやすい金属であるＡｌ合金からなるパッ
ド２１，２２がその圧力で図２に示すように変形、移動
することがある。これにより、Ａｌ合金パッド２１，２
２の周辺及び開口部近傍のパッシベーション膜１５に応
力が集中し、その結果、その部分のパッシベーション膜
１５にクラック１５ａが発生してしまい、クラック１５
ａがひどくなると隣接するパッド２１，２２同士がショ
ートしてしまう。従って、このようなクラックが発生す
ると実装信頼性が低下してしまう。
Ａｕバンプ１９，２０に圧力が加えられるため、比較的
軟らかく変形しやすい金属であるＡｌ合金からなるパッ
ド２１，２２がその圧力で図２に示すように変形、移動
することがある。これにより、Ａｌ合金パッド２１，２
２の周辺及び開口部近傍のパッシベーション膜１５に応
力が集中し、その結果、その部分のパッシベーション膜
１５にクラック１５ａが発生してしまい、クラック１５
ａがひどくなると隣接するパッド２１，２２同士がショ
ートしてしまう。従って、このようなクラックが発生す
ると実装信頼性が低下してしまう。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、パッシベーション膜への
クラックの発生を抑制することにより、ＴＡＢ実装の信
頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供す
ることにある。
れたものであり、その目的は、パッシベーション膜への
クラックの発生を抑制することにより、ＴＡＢ実装の信
頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置は、絶縁膜上に形成され
た、Ａｌ合金より変形しにくい金属又は高融点金属シリ
サイドからなるパッドと、前記パッドの上に形成され
た、熱圧着によりインナーリードと接合するための金属
バンプと、を具備することを特徴とする。
め、本発明に係る半導体装置は、絶縁膜上に形成され
た、Ａｌ合金より変形しにくい金属又は高融点金属シリ
サイドからなるパッドと、前記パッドの上に形成され
た、熱圧着によりインナーリードと接合するための金属
バンプと、を具備することを特徴とする。
【０００９】上記半導体装置では、パッドをＡｌ合金よ
り変形しにくい金属又は高融点金属シリサイドにより形
成しているため、ＴＡＢ実装の際、金属バンプに圧力が
加えられても、その圧力でパッドが変形、移動すること
がない。これにより、パッドの周辺及び開口部近傍のパ
ッシベーション膜にクラックが発生することを抑制で
き、従来の半導体装置のようにパッド同士がショートし
てしまうこともない。従って、ＴＡＢ実装の信頼性を向
上させることができる。
り変形しにくい金属又は高融点金属シリサイドにより形
成しているため、ＴＡＢ実装の際、金属バンプに圧力が
加えられても、その圧力でパッドが変形、移動すること
がない。これにより、パッドの周辺及び開口部近傍のパ
ッシベーション膜にクラックが発生することを抑制で
き、従来の半導体装置のようにパッド同士がショートし
てしまうこともない。従って、ＴＡＢ実装の信頼性を向
上させることができる。
【００１０】また、本発明に係る半導体装置において
は、前記金属が、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、
Ｎｉ、Ｖ、Ｉｒ、Ｃｒ及びＮｂの群より選ばれた一つ又
はその一つの金属を含む合金であることが好ましい。
は、前記金属が、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、
Ｎｉ、Ｖ、Ｉｒ、Ｃｒ及びＮｂの群より選ばれた一つ又
はその一つの金属を含む合金であることが好ましい。
【００１１】また、本発明に係る半導体装置において
は、前記高融点金属シリサイドが、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、
ＮｉＳｉ、ＶＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＴａＳｉ、及
び、ＮｂＳｉの群より選ばれた一つであることが好まし
い。
は、前記高融点金属シリサイドが、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、
ＮｉＳｉ、ＶＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＴａＳｉ、及
び、ＮｂＳｉの群より選ばれた一つであることが好まし
い。
【００１２】また、本発明に係る半導体装置において
は、前記金属バンプが、Ａｕバンプ、Ｃｕバンプ、Ｎｉ
バンプ又ははんだバンプであることが好ましい。
は、前記金属バンプが、Ａｕバンプ、Ｃｕバンプ、Ｎｉ
バンプ又ははんだバンプであることが好ましい。
【００１３】本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶
縁膜上に、Ａｌ合金より変形しにくい金属又は高融点金
属シリサイドからなるパッドを形成する工程と、前記パ
ッドの上に、熱圧着によりインナーリードと接合するた
めの金属バンプを形成する工程と、を具備することを特
徴とする。
縁膜上に、Ａｌ合金より変形しにくい金属又は高融点金
属シリサイドからなるパッドを形成する工程と、前記パ
ッドの上に、熱圧着によりインナーリードと接合するた
めの金属バンプを形成する工程と、を具備することを特
徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施の形態による半導体
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【００１６】この半導体装置はシリコン基板１０を有
し、このシリコン基板１０上には絶縁膜１１が形成され
ている。この絶縁膜１１上には、Ａｌ合金より変形しに
くい金属又は高融点金属シリサイドからなるパッド１
３，１４が形成されている。パッド１３，１４は、回路
の入出力及び電源電圧を供給するためのものである。ま
た、パッド１３，１４を構成する金属としては、例え
ば、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｖ、Ｉ
ｒ、Ｃｒ又はＮｂ等、その一つの金属を含む合金等が用
いられる。また、前記高融点金属シリサイドとしては、
ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＶＳｉ、ＴｉＳｉ、Ｃｏ
Ｓｉ、ＴａＳｉ、又は、ＮｂＳｉ等が用いられる。
し、このシリコン基板１０上には絶縁膜１１が形成され
ている。この絶縁膜１１上には、Ａｌ合金より変形しに
くい金属又は高融点金属シリサイドからなるパッド１
３，１４が形成されている。パッド１３，１４は、回路
の入出力及び電源電圧を供給するためのものである。ま
た、パッド１３，１４を構成する金属としては、例え
ば、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｖ、Ｉ
ｒ、Ｃｒ又はＮｂ等、その一つの金属を含む合金等が用
いられる。また、前記高融点金属シリサイドとしては、
ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＶＳｉ、ＴｉＳｉ、Ｃｏ
Ｓｉ、ＴａＳｉ、又は、ＮｂＳｉ等が用いられる。
【００１７】パッド１３，１４及び絶縁膜１１の上には
パッシベーション膜１５が形成されている。このパッシ
ベーション膜１５には、パッド１３，１４上に位置する
開口部が形成されている。この開口部内及びパッシベー
ション膜１５上にはＴｉＷ又はＴｉからなるバリアメタ
ル層（図示せず）が形成されており、このバリアメタル
層の上にはＡｕ又はＰｔからなるメッキ用金属層１７が
形成されている。このメッキ用金属層１７の上には金属
メッキバンプ１９，２０が形成されている。この金属メ
ッキバンプ１９，２０としては、Ａｕバンプ、Ｎｉバン
プ又ははんだバンプ等が用いられる。
パッシベーション膜１５が形成されている。このパッシ
ベーション膜１５には、パッド１３，１４上に位置する
開口部が形成されている。この開口部内及びパッシベー
ション膜１５上にはＴｉＷ又はＴｉからなるバリアメタ
ル層（図示せず）が形成されており、このバリアメタル
層の上にはＡｕ又はＰｔからなるメッキ用金属層１７が
形成されている。このメッキ用金属層１７の上には金属
メッキバンプ１９，２０が形成されている。この金属メ
ッキバンプ１９，２０としては、Ａｕバンプ、Ｎｉバン
プ又ははんだバンプ等が用いられる。
【００１８】上記実施の形態による半導体装置によれ
ば、パッド１３，１４をＡｌ合金より変形しにくい金属
又は高融点金属シリサイドにより形成しているため、後
述するＴＡＢ実装の際、Ａｕバンプ１９，２０に圧力が
加えられても、その圧力でパッド１３，１４が変形、移
動することがない。これにより、パッド１３，１４の周
辺及び開口部近傍のパッシベーション膜１５にクラック
が発生することを抑制でき、従来の半導体装置のように
パッド同士がショートしてしまうこともない。従って、
ＴＡＢ実装の信頼性を向上させることができる。
ば、パッド１３，１４をＡｌ合金より変形しにくい金属
又は高融点金属シリサイドにより形成しているため、後
述するＴＡＢ実装の際、Ａｕバンプ１９，２０に圧力が
加えられても、その圧力でパッド１３，１４が変形、移
動することがない。これにより、パッド１３，１４の周
辺及び開口部近傍のパッシベーション膜１５にクラック
が発生することを抑制でき、従来の半導体装置のように
パッド同士がショートしてしまうこともない。従って、
ＴＡＢ実装の信頼性を向上させることができる。
【００１９】また、上記のようにＴＡＢ実装を確実に行
うことができるため、さらにパッドピッチを狭くして
も、パッシベーション膜へのクラックの発生を抑制でき
る。従って、更なる高密度化が可能となる。
うことができるため、さらにパッドピッチを狭くして
も、パッシベーション膜へのクラックの発生を抑制でき
る。従って、更なる高密度化が可能となる。
【００２０】次に、この半導体装置の製造方法について
説明する。
説明する。
【００２１】シリコン基板１０上に絶縁膜１１を形成
し、この絶縁膜１１上にスパッタ法によりＡｌ合金より
変形しにくい金属膜又は高融点金属シリサイド膜を堆積
する。この金属膜又は高融点金属シリサイドの具体例
は、前述したものと同様である。
し、この絶縁膜１１上にスパッタ法によりＡｌ合金より
変形しにくい金属膜又は高融点金属シリサイド膜を堆積
する。この金属膜又は高融点金属シリサイドの具体例
は、前述したものと同様である。
【００２２】この後、この金属膜又は高融点金属シリサ
イド膜の上にフォトレジスト膜（図示せず）を設け、こ
のフォトレジスト膜をマスクとして該金属膜又は高融点
金属シリサイド膜をドライエッチングする。これによ
り、絶縁膜１１上にはパッド１３，１４が形成される。
イド膜の上にフォトレジスト膜（図示せず）を設け、こ
のフォトレジスト膜をマスクとして該金属膜又は高融点
金属シリサイド膜をドライエッチングする。これによ
り、絶縁膜１１上にはパッド１３，１４が形成される。
【００２３】次に、パッド１３，１４及び絶縁膜１１の
上にＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法によりシリ
コン窒化膜からなるパッシベーション膜１５を堆積す
る。この後、このパッシベーション膜１５上にフォトレ
ジスト膜（図示せず）を設け、このフォトレジスト膜を
マスクとして該パッシベーション膜１５をエッチングす
る。これにより、パッシベーション膜１５には、パッド
１３，１４上に位置する開口部が形成される。
上にＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法によりシリ
コン窒化膜からなるパッシベーション膜１５を堆積す
る。この後、このパッシベーション膜１５上にフォトレ
ジスト膜（図示せず）を設け、このフォトレジスト膜を
マスクとして該パッシベーション膜１５をエッチングす
る。これにより、パッシベーション膜１５には、パッド
１３，１４上に位置する開口部が形成される。
【００２４】次に、この開口部内及びパッシベーション
膜１５上にＴｉＷ膜からなるバリアメタル層（図示せ
ず）をスパッタ法により堆積し、その後連続してスパッ
タ法によりＡｕ膜からなるメッキ用金属層１７を堆積す
る。
膜１５上にＴｉＷ膜からなるバリアメタル層（図示せ
ず）をスパッタ法により堆積し、その後連続してスパッ
タ法によりＡｕ膜からなるメッキ用金属層１７を堆積す
る。
【００２５】この後、メッキ用金属層１７上に、金属メ
ッキバンプ１９，２０を形成する領域を開口した厚さ３
０μｍのフォトレジスト膜（図示せず）を設ける。次
に、図示せぬメッキ用給電部を用いてフォトレジスト膜
の開口部にＡｕ等を析出、成長させることにより、パッ
ド１３，１４の上に金属メッキバンプ１９，２０を形成
する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
ッキバンプ１９，２０を形成する領域を開口した厚さ３
０μｍのフォトレジスト膜（図示せず）を設ける。次
に、図示せぬメッキ用給電部を用いてフォトレジスト膜
の開口部にＡｕ等を析出、成長させることにより、パッ
ド１３，１４の上に金属メッキバンプ１９，２０を形成
する。この後、フォトレジスト膜を剥離する。
【００２６】次に、金属メッキバンプ１９，２０をマス
クとしてヨウ化カリウムとヨウ素の混合液を用いて前記
メッキ用金属層１７をエッチングする。続いて、金属メ
ッキバンプ１９，２０をマスクとして過酸化水素水と水
の混合液を用いて前記バリアメタル層をエッチングす
る。このようにして半導体装置が形成される。
クとしてヨウ化カリウムとヨウ素の混合液を用いて前記
メッキ用金属層１７をエッチングする。続いて、金属メ
ッキバンプ１９，２０をマスクとして過酸化水素水と水
の混合液を用いて前記バリアメタル層をエッチングす
る。このようにして半導体装置が形成される。
【００２７】この後、この半導体装置にＴＡＢ実装を行
う。
う。
【００２８】すなわち、テープ上に形成したＣｕ薄膜パ
ターンにＳｎメッキしたリード（図示せず）をＡｕバン
プ１９，２０上に置き、これらを４５０〜５００℃に加
熱し、リード単位面積当り０．１〜０．００１ｇ／μｍ
２の荷重をかけて加圧圧着する。これにより、ＡｕとＳ
ｎの共晶化を行い、リードとＡｕバンプ１９，２０を電
気的に接続し、ＴＡＢ実装を行う。
ターンにＳｎメッキしたリード（図示せず）をＡｕバン
プ１９，２０上に置き、これらを４５０〜５００℃に加
熱し、リード単位面積当り０．１〜０．００１ｇ／μｍ
２の荷重をかけて加圧圧着する。これにより、ＡｕとＳ
ｎの共晶化を行い、リードとＡｕバンプ１９，２０を電
気的に接続し、ＴＡＢ実装を行う。
【００２９】上記実施の形態による半導体装置の製造方
法によれば、従来の半導体装置と同じ工数で、パッシベ
ーション膜１５へのクラックの発生を抑制することがで
き、ＴＡＢ実装の信頼性を向上させることができる。つ
まり、Ａｌ合金より変形しにくい金属膜又は高融点金属
シリサイド膜はスパッタ法により容易に堆積することが
可能であり、金属膜又は高融点金属シリサイド膜の加工
もドライエッチングにより容易である。従って、従来と
同じ工数で、パッシベーション膜１５へのクラックの発
生を抑制できる。
法によれば、従来の半導体装置と同じ工数で、パッシベ
ーション膜１５へのクラックの発生を抑制することがで
き、ＴＡＢ実装の信頼性を向上させることができる。つ
まり、Ａｌ合金より変形しにくい金属膜又は高融点金属
シリサイド膜はスパッタ法により容易に堆積することが
可能であり、金属膜又は高融点金属シリサイド膜の加工
もドライエッチングにより容易である。従って、従来と
同じ工数で、パッシベーション膜１５へのクラックの発
生を抑制できる。
【００３０】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ッドをＡｌ合金より変形しにくい金属又は高融点金属シ
リサイドにより形成している。したがって、パッシベー
ション膜へのクラックの発生を抑制することにより、Ｔ
ＡＢ実装の信頼性を向上させた半導体装置及びその製造
方法を提供することができる。
ッドをＡｌ合金より変形しにくい金属又は高融点金属シ
リサイドにより形成している。したがって、パッシベー
ション膜へのクラックの発生を抑制することにより、Ｔ
ＡＢ実装の信頼性を向上させた半導体装置及びその製造
方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図２】従来の半導体装置を示す断面図である。
１０ シリコン基板 １１ 絶縁膜 １３，１４ パッド １５ パッシベ
ーション膜 １５ａ クラック １７ メッキ用
金属層 １９，２０ 金属メッキバンプ ２１，２２ パ
ッド ２４，２５ インナーリード
ーション膜 １５ａ クラック １７ メッキ用
金属層 １９，２０ 金属メッキバンプ ２１，２２ パ
ッド ２４，２５ インナーリード
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁膜上に形成された、Ａｌ合金より変
形しにくい金属又は高融点金属シリサイドからなるパッ
ドと、 前記パッドの上に形成された、熱圧着によりインナーリ
ードと接合するための金属バンプと、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記金属が、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｖ、Ｉｒ、Ｃｒ及びＮｂの群より選ば
れた一つ又はその一つの金属を含む合金であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記高融点金属シリサイドが、ＷＳｉ、
ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＶＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉ、Ｔ
ａＳｉ、及び、ＮｂＳｉの群より選ばれた一つであるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記金属バンプが、Ａｕバンプ、Ｃｕバ
ンプ、Ｎｉバンプ又ははんだバンプであることを特徴と
する請求項１〜３のうちいずれか１項記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 絶縁膜上に、Ａｌ合金より変形しにくい
金属又は高融点金属シリサイドからなるパッドを形成す
る工程と、 前記パッドの上に、熱圧着によりインナーリードと接合
するための金属バンプを形成する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11170257A JP2000357699A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11170257A JP2000357699A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357699A true JP2000357699A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15901597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11170257A Withdrawn JP2000357699A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000357699A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108878758A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-11-23 | 深圳市达俊宏科技股份有限公司 | 锂电池极耳制备方法 |
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