JP2000500291A - 冷却レーザダイオードアレイ組立体 - Google Patents

冷却レーザダイオードアレイ組立体

Info

Publication number
JP2000500291A
JP2000500291A JP9518620A JP51862097A JP2000500291A JP 2000500291 A JP2000500291 A JP 2000500291A JP 9518620 A JP9518620 A JP 9518620A JP 51862097 A JP51862097 A JP 51862097A JP 2000500291 A JP2000500291 A JP 2000500291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
assembly
array
arrays
base
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9518620A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4142099B2 (ja
Inventor
ギャレック,ブルーノ ル
ラーズ,ジェラール
Original Assignee
コミツサリア タ レネルジー アトミーク
カンパニー ジェネラル デ マティエーレ ニュークリエーレ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コミツサリア タ レネルジー アトミーク, カンパニー ジェネラル デ マティエーレ ニュークリエーレ filed Critical コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Publication of JP2000500291A publication Critical patent/JP2000500291A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4142099B2 publication Critical patent/JP4142099B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02423Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 各ダイオードが、陽極部を形成し且つ孔部(10)が形成されたベース部(6)の端部に取り付けられており、全ての孔部はダイオードアレイの線形組立体を冷却するための液体循環用のチャンネルを規定し、一つのアレイ(4)によって構成される各モジュール(20,22,24,26)、ベース部(6)及び陰極部(14)は、フラット状ジョイント(32,34,36,38)によって、それぞれ隣接するモジュールから分離されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】 冷却レーザダイオードアレイ組立体 詳細な説明 技術分野 本願発明は、複数のレーザダイオードアレイから成る組立体およびその冷却シ ステムの分野に関する。 レーザダイオードアレイ組立体の適用分野は多くあり、2つの主要なグループ に分類することができる:それは、 − 各ダイオードからのレーザ放射が、直接用いられ(光学系によって整形さ れるか又はファイバで搬送されるビーム)、実質上、医療用セクタ及び工業用セ クタ(マーキング)に関連した適用分野と; − 各ダイオードからのレーザ放射が、例えば、希土類(Nd,Er,Tm,Ho,Yb,Pr, Ce,...)のイオン又はCr,Co及び類似のイオンをドーピングした酸化物又はフッ 化物等の結晶性材料の光ポンピング、染料類及び非線形効果媒体との相互作用( 調波(harmonics)の発生、パラメトリック増幅器類又は発振器類)等のレーザ 材料の光ポンピングの如く、レーザ媒体(エネルギー蓄積媒体又は非線形効果媒 体)の光ポンピングに用いられる適用分野と;である。従来技術 レーザダイオードアレイ類及び一般的用語ではレーザダイオードは、約25〜 33%の光/電気効率を有する。従って、発熱による電力損失は、消費電力の6 6〜75%に相当する。連続20ワットアレイでは、能動容積(半導体)は、一 般に、極めて小さく(マイクロメートルのディメンション)、典型的には、0. 5〜1mm3であり、一方、熱力密度(thermal power density)は、60と160 kW/cm3 の間である。アレイは、一般には、幾っかの機能: − 堅固な、機械的支持機能、 − 電気的機能(陽極部)、 − 高熱伝導率による、熱的機能 を有するところの、(真鍮又は銅製の)ベース部に溶接される。 市販されている全てのレーザダイオードアレイでは、熱伝導は、基板及び一般 には陽極ベース部を通して、底部から起こる。このベース部は、半導体における 熱力を除去し且つ温度上昇を限定するために冷却源と接触されていなければなら ない。上方部分(陰極部)の接続は、一般に、適切な熱伝導度を確保できず、周 囲空気の自然対流によって熱交換が起こる。 冷却源を作るには、金属(真鍮又は銅)の冷ボックス、又はペルチエ効果熱電 対の何れかを使うことができる。 これらの処置は、アレイベース部と冷却源間の良好な接触を保証し、接触熱抵 抗を最小にするものである。ペルチエ効果の技術は、低電力の用途において及び ダイオード数が限定される時に広く用いられている。連続電力アレイ(典型的に は、平均で21ワット)にこの技術が使われている例はない。 いわゆる"マイクロチャンネル"技術は、米国特許第5 105 429号明細 書と米国特許第5 105 430号明細書に記載されている。この技術は、そ れぞれがダイオードアレイをマイクロチャンネル冷却付き基板に配置したモジュ ール類の組立に基づいており、二次元放射構造を形成するものである。 諸改善又は諸変更は、構造の内部アーキテクチャ、スタック(積層)の構成又 は冷却液循環の方法に関連して、行われてきた。マイクロチャンネル構造による 冷却原理はそのままで、伝導材料のフィンのネットワークを装備すれば大きい交 換表面(ラジエータ)の利点がある。該材料は、実際の半導体又は、シリコン、 銅又はダイヤモンドのような、十分な熱伝導を有する材料であってよい。 マイクロチャンネルラジエータは、自律モジュールを包含するべく各アレイベ ース部に組み込んでよく、又はアレイの組立群(二次元組立の表面)に共通であ ってもよい。 マイクロチャンネル技術の適用分野は、アレイのスタック群のそれである。幅 1cm以上のアレイスタックによって、数平方センチメートルの放射面積を得るこ とが可能となる。これは、表面放射ダイオードのネットワークと連結して最も広 く用いられる代替例である。以下に示した理由から、マイクロチャンネルの方法 の開発は極めて細かい注意を要する。 第一に、このマイクロチャンネルの方法は、高度に複雑なエッチング技術があ って始めて実行できるものである。チャンネルのサイズも50〜150ミクロン の間隔で約100ミクロンである。それ故、冷却液は、マイクロチャンネルのネ ットワークを詰まらせないよう細心の注意をもって濾過しなければならない。こ れは、毎分約1リットルという妥当な液体流量に対して、(4バールを越える) 高圧を呈する著しい圧力損失となる。 最後に、光ポンピングの場合、マイクロチャンネルの既知スタックでは、例え ば、円筒状の形状をもっている媒体をポンピングすることはできない。従来から の技術として、スタック形にアレイ群を組み立てることと、それらを水箱と接触 している後部から冷却することがある。この技術は、疑似連続(quasi-continuo us)放射アレイ群について、即ち、1〜4ワットという平均電力について、対処 できるに過ぎない。 米国特許第5 031 184号明細書では、半導体ポンピングダイオード冷 却装置が記述されている。この装置は、それ自体がベース部上に置かれている、 ペルチエ素子上の組立を含む故、複雑な構造となる。その系の組立に関して、特 にベース部に関する部品類とジョイント類の保持については、何らの情報も与え られていない。 当該装置では、特に、下部及び両サイドから位置決めすることは実施が困難な ため、その系のシーリング(密封)と機械的強度を保証できるようにすることは 困難であろうと思われる。さらに、熱膨張が生じて機械的応力が発生することが あり、これらを前述の組立内で抑えることは困難である。 熱的観点から、その機能が十分な熱交換係数によって充分な熱除去を確保する ことであるところの、2つの水冷系の間にペルチエ素子がサンドイッチされる時 は、米国特許第5 031 184号明細書の装置では、ペルチエ素子によって 最終的に半導体の温度を調整することは極めて困難であろうと思われる。この原 理 は単一素子に用いてよいが、2素子には使えない、何故なら、第一ペルチエ素子 の効果は、第二素子に帰結し、第二ペルチエ素子がその欠陥を補償して、同じ結 果を第三素子に生じ、等々となるからである。本発明の説明 本発明の目的は、各アレイによって消費される熱エネルギーの除去のため、そ してエミッタの自動温度調節、即ちダイオードの放射波長の安定のために必要な 冷却システムが組み込まれた複数のレーザダイオードアレイから成る線形でかつ モジュラー式の組立体を提供することである。 したがって、本発明は、複数のN型レーザダイオードアレイ(N laser diode arrays)から成る組立体であって: − 各ダイオードは、陽極部を形成し且つ孔部が形成されたベース部の端部に 組み立てられており、全ての孔は各ダイオードアレイの線形組立体を冷却するた めの液体循環用のチャンネルを規定し、一つのアレイによって構成される各モジ ュール、ベース部及び陰極部は、フラット状のジョイントによって、それぞれ隣 接するモジュールから分離され、 − 各ベース部には、第二の孔部が形成されているとともに、全ての第二の孔 部には、各アレイが動作位置に並置されたときに整列配置されるようにされ、 − 二つの保持フランジが、各アレイの線形組立体の両端部に配置され、前記 各フランジは、第二の孔全てを介して組立体を貫通するネジによって締結されて いることを特徴とする。 この装置によって、機械的及び熱的な機能の最適な統合が可能となる。 したがって、本発明によれば、複数のレーザダイオードから成る線形に組み立 てられた組立体が可能になると同時に、組立体の熱伝導抵抗(thermal resistan ce)の低下を可能にするベース部の直接冷却を保証することができるのである。 冷却により、一方では、各アレイで消費される熱エネルギーを排除し、他方では 、ダイオードの放射波長を安定化させることが可能となる。二つの隣接した各モ ジュール間にフラット状ジョイント又はガスケットが配置されているため、冷却 液のシーリングのみならず、各モジュール間の電気的絶縁が確保されることとな る。 前述の線形組立体即ち装置によって、細長又は円柱形状を有するレーザ媒体の ポンピングが可能となる。 二つの保持用又は止め用フランジは、複数アレイから成る線形組立体の両端に 配置されており、固定手段(全ての第二の孔部とネジ)によって必要な機械的強 度を確保することができる。ネジは、両フランジを締結することができる。この ネジは、組立体を貫通するとともに、絶縁用外被で外周部が覆われているものと することができる。 各ダイオードアレイに電力供給するための電気接続手段を設けることができる 。 例えば、直列供給とすることができ、この場合、各アレイと結合された陽極部 は隣接アレイの陰極部に接続される。図面の簡単な説明 本発明の諸々の特徴と利点は、下記の説明から推察することができる。この説 明は、例示的であって且つ非限定的実施例に関し、本発明によるダイオードアレ イ群の組立体を示す添付の単一図面を参照するものである。発明の実施の形態の詳細な説明 図1は、冷却システムが組み込まれた複数のレーザダイオードアレイ(laser diode arrays)の線形モジュラー式組立体の実施形態を示す。組立体は、並置さ れた組立てられた(単一組立体)、複数の同一部品(単位モジュール)から構成 されている。 各レーザダイオードアレイ4(主要寸法:幅1cm、奥行き0.5〜0.6mm、高 さ0.1〜0.2mm)は、現行においては陽極ベース部とされているとともに、ア レイの幅よりも僅かに大きな幅を有するベース部6に溶接されている。ベース部 は、例えば、銅又は真鍮等の金属から形成されているとともに、任意に、電解堆 積法によって、ろう付による溶接を可能にする金及びニッケルのコーティングに より覆われている。各アレイからの放射は、数ミクロン又は数十ミクロンの寸法 を有するグループ状に組立てられた(半導体間の)接合面5で生ずる。 アレイ4は、ベース部の幅方向に完全に貫通した2つの孔部10、12を有す るベース部6の端部8の1つに取付けられている。第一の孔部10は、アレイと 冷却液との間の充分な熱交換を保証できるようにアレイ4の位置にできるだけ近 づけて配置されているとともに、冷却液の循環に用いられている。前記第一孔部 10は、例えば、直径2mmを有するとともに、アレイ4から2.5mm以内に配置 されており、これにより、充分な熱交換が確保されることになる。その熱交換は 、乱流状態の液体による強制対流により行われる。孔部10の直径および液体の 流量は、好ましくは、圧力損失が最適化されるように定められる。好ましくは、 液体は、圧力損失が最適化されるように循環される。 例えば5.2mmの直径を有し且つ中央に形成された前記第二の孔部12は、各 モジュールを相互に保持するネジが挿通可能とされている。 各陽極部6に対応して陰極部14が設けられているとともに、絶縁体16は、 陽極部6と陰極部14との間に配置されている。 図において、単位モジュール20,22,24,26は、直線状に並置されて いる。各モジュールは、それぞれ隣接するモジュールに対して複数のジョイント 32,34,36,38によって分離されている。各ジョイントにおいて、各ベ ース部に形成された各孔部10,12に対応する孔部によって、冷却液の循環が 自由に行われるとともに、組立体を確実に保持する固定手段42が自由に挿通さ れることになる。隣接した各陰極部間の電気絶縁は、陰極部が陽極部よりも幅が 狭いということで確保されている。 各ジョイントは、一方では、各アレイ間の相互電気絶縁を確保し、他方では、 図に矢印44で示されている冷却液の循環に対して組立体のシーリングを保証す るものである。 液体は、各単位モジュールの全てを同一方向に通過し、組立体により、複数の ベース部と複数のジョイントとから成る連続体を通る液体の循環が自動的に確保 されることとなる。 組立体は、冷却液の入口部及び出口部として機能する二つのフランジ46,4 8を両端部において使用することにより保持される。これら二つのフランジは、 各モジュールを互いに保持する固定手段42によって組立体と一体化して保持さ れる。図示した実施の形態において、各フランジは、組立体を貫通するネジ42 で締結されている。前記ネジは、各モジュール間の相互電気絶縁を確保するため に、絶縁用外被でその外周部が覆われている。 本発明による線形組立体により、各ダイオードアレイに対して、相互に電気的 に独立して(電力)供給することができる。 したがって、様々な方式の電気接続、特に、各アレイ(ベース部)の陽極部を その隣の陰極部に接続する直列方式の供給を考えることができる。何れの解決手 段が採られようと、組立体の後面に取り付けられたコネクタ50によって実施す ることができる。このコネクタは、絶縁性材料(例えばDelrin又はLucoflex)か ら作ることができ、そのコネクタに、所望の組立体および供給される電流に適合 する大きさと形状を有する複数の金属コネクタに対して接続されている。電気接 続は、絶縁ブロックを介して、陽極部及び陰極部における金属ネジ52を用いて 行われる。 上述した装置は、例えば、約1リットル/分という水の流量に対して約0.7 ℃/Wの低い熱伝導抵抗によって、連続配置された電力アレイ(continuous power arrays)の冷却を効果的に行うことを保証するものである。 さらに、追加的な支持体を何ら必要とせずに、アレイ相互間の機械的組立が確 実になされるので、自律的なものとされる。 最後に、前記装置は、モジュール構造であるという利点を有しており、例えば 1〜約10個とされた多数の単位モジュールの組立を可能にするものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラーズ,ジェラール フランス国 91940 レ−ズリ バティマ ン エー3(番地なし)レズィダンス ミ ユペルトュイ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 複数のN型レーザダイオードアレイ(4)から成る組立体であって: − 各ダイオードが、陽極部を形成し且つ孔部(10)が形成されたベース部 (6)の端部に組み立てられており、全ての前記孔部は、前記各ダイオードアレ イの線形組立体を冷却するための液体循環用のチャンネルを規定し、一つの前記 アレイ(4)により構成される各モジュール(20,22,24,26)、ベー ス部(6)及び陰極部(14)は、フラット状ジョイント(32,34,36, 38)によって、それぞれ隣接するモジュールから分離され、 − 前記各ベース部には、第二の孔部(12)が形成されているとともに、こ れら全ての第二の孔部は、前記各アレイが動作位置に並置されたときに整列配置 されるように形成されており、 − 二つの保持フランジ(46,48)が、前記各アレイの前記線形組立体の 両端部に配置され、前記各フランジは、前記第二の孔部全てを介して前記組立体 を貫通するネジ(42)によって締結されていることを特徴とする組立体。 2. 前記ネジは、絶縁用外被によって外周部が覆われていることを特徴とする 請求項1記載の組立体。 3. 前記各ダイオードアレイに電力供給するための電気手段(50)を有する ことを特徴とする請求項1または2に記載の組立体。 4. 前記各アレイ(4)と結合された前記陽極部(6)が、隣接する前記アレ イの陰極部(14)に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか 1つに記載の組立体。
JP51862097A 1995-11-13 1996-11-08 冷却レーザダイオードアレイモジュール組立体 Expired - Fee Related JP4142099B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9513400A FR2741208B1 (fr) 1995-11-13 1995-11-13 Assemblage de barrettes de diodes laser refroidies
FR95/13400 1995-11-13
PCT/FR1996/001772 WO1997018606A1 (fr) 1995-11-13 1996-11-08 Assemblage de barrettes de diodes laser refroidies

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000500291A true JP2000500291A (ja) 2000-01-11
JP4142099B2 JP4142099B2 (ja) 2008-08-27

Family

ID=9484490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51862097A Expired - Fee Related JP4142099B2 (ja) 1995-11-13 1996-11-08 冷却レーザダイオードアレイモジュール組立体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6091746A (ja)
EP (1) EP0861511B1 (ja)
JP (1) JP4142099B2 (ja)
DE (1) DE69604082T2 (ja)
FR (1) FR2741208B1 (ja)
WO (1) WO1997018606A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141221A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Shindengen Electric Mfg Co Ltd ソレノイド
JP3473540B2 (ja) 2000-02-23 2003-12-08 日本電気株式会社 半導体レーザの冷却装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9720376D0 (en) * 1997-09-26 1997-11-26 Marconi Gec Ltd A semi-conductor laser diode bar assembly
JP3830364B2 (ja) * 2001-07-24 2006-10-04 ファナック株式会社 固体レーザ励起用光源装置
US7305016B2 (en) * 2005-03-10 2007-12-04 Northrop Grumman Corporation Laser diode package with an internal fluid cooling channel
CN100492787C (zh) * 2006-07-27 2009-05-27 中国科学院半导体研究所 大功率激光二极管线列阵冷却装置
DE102007019576A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modulträger für ein elektronisches Modul, elektronisches Modul mit einem derartigen Modulträger, Modulanordnung mit einer Mehrzahl von Modulen und Bausatz für eine Modulanordnung
WO2014177616A1 (en) * 2013-05-02 2014-11-06 Koninklijke Philips N.V. Cooling device for cooling a laser arrangement and laser system comprising cooling devices
DE202014007923U1 (de) 2014-01-21 2014-10-28 Bjb Gmbh & Co. Kg Lampenfassung und Lampensockel, System aus Lampenfassung und Lampensockel
CN104577707A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 西安炬光科技有限公司 一种叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4315225A (en) * 1979-08-24 1982-02-09 Mcdonnell Douglas Corporation Heat sink laser diode array
DE8908049U1 (de) * 1989-07-01 1989-08-24 Carl Zeiss, 89518 Heidenheim Kühleinrichtung für Halbleiterpumplichtquellen
US5105429A (en) * 1990-07-06 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Modular package for cooling a laser diode array
US5105430A (en) * 1991-04-09 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes
US5317585A (en) * 1992-08-17 1994-05-31 Hughes Aircraft Company Laser reflecting cavity with ASE suppression and heat removal
US5394427A (en) * 1994-04-29 1995-02-28 Cutting Edge Optronics, Inc. Housing for a slab laser pumped by a close-coupled light source

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3473540B2 (ja) 2000-02-23 2003-12-08 日本電気株式会社 半導体レーザの冷却装置
JP2002141221A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Shindengen Electric Mfg Co Ltd ソレノイド

Also Published As

Publication number Publication date
DE69604082T2 (de) 2000-05-31
DE69604082D1 (de) 1999-10-07
WO1997018606A1 (fr) 1997-05-22
US6091746A (en) 2000-07-18
EP0861511B1 (fr) 1999-09-01
FR2741208A1 (fr) 1997-05-16
EP0861511A1 (fr) 1998-09-02
JP4142099B2 (ja) 2008-08-27
FR2741208B1 (fr) 1997-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5930279A (en) Diode laser device arranged in the form of semiconductor arrays
US5828683A (en) High density, optically corrected, micro-channel cooled, v-groove monolithic laser diode array
US7305016B2 (en) Laser diode package with an internal fluid cooling channel
RU2117371C1 (ru) Матрица лазерных диодов
US5140607A (en) Side-pumped laser with angled diode pumps
JPH05508265A (ja) 端面発光レーザダイオードのアレーの冷却用薄板パッケージ
US7016383B2 (en) Immersion-cooled monolithic laser diode array and method of manufacturing the same
JP7228856B2 (ja) 高パワーレーザシステムにおける熱インタフェース材料のポンピングの対処のためのシステム及び方法
WO2014070593A1 (en) Macro-channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars
US20110069731A1 (en) Scalable thermally efficient pump diode assemblies
JP2000500291A (ja) 冷却レーザダイオードアレイ組立体
CN101164163B (zh) 散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置
US20020110165A1 (en) Method and system for cooling at least one laser diode with a cooling fluid
EP0973237A1 (en) Semiconductor laser device
US20060107986A1 (en) Peltier cooling systems with high aspect ratio
Loosen Cooling and packaging of high-power diode lasers
US9941658B2 (en) Stackable electrically-isolated diode-laser bar assembly
US4864584A (en) Laser diode pumped ND:YAG laser and method of making same
US20070253458A1 (en) Diode pumping of a laser gain medium
JP3154689B2 (ja) 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置
JP3153856B2 (ja) 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置
JP2003152259A (ja) 半導体レーザ組立体
JP4017269B2 (ja) 平行光発生装置
JP4536404B2 (ja) レーザアレイユニット
JP3224775B2 (ja) 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060316

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080422

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080612

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees