JP2000508065A - ガス分析装置の低圧入力を接続するための配置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ガス分析装置（１５）の低圧入力へ接続するための、かつテストガス入力（３）を備えた接続配置は、逃し弁（７）の形式の調整可能な圧力段を有する。この配置は弁本体（１１）とそのガイド（１９）との間の容積を接続管（１）へのダクトとして使用する。その目的は、バリアガス流（Ｓ）を発生させることか、または差動ポンプ（３２）によってポンプメインとしてこのラインを使用することである。

Description

【発明の詳細な説明】 ガス分析装置の低圧入力を接続するための配置 この発明は、より高い圧力で作動するテストガス入力を有するガス分析装置の 低圧入力を接続するための配置に関するものであり、この配置は、圧力段と、圧 力段の高圧側にガス流連結部とを備える接続管を有する。 前記のガス分析装置の典型例である質量分析器は、例えばガスの組成を分析す るために、広く使用される。特にPVD、PECVDまたはCVD工程等の真空処理プロセ スにおける、中でも臨界使用の際には、処理気圧を精確に制御することが益々必 要である。その際には、CVD工程もまた諸々の気圧条件の下で、実施される。 ガス分析装置は通常、前述の工程において利用される例えば0.1mbarから 100mbarのプロセス圧よりはるかに低い、例えば10^-3mbar領域の真空領域におい て作動する。したがって、上述のようなガス分析装置を分析さるべきテストガス 気圧に接続する際には、以下の諸問題が生じることが知られている。すなわち、 ガスを分析装置に移送する際に生じる、ガス組成の不純化、分析装置自体におけ るガス組成の不純化、ないし、検査さるべきガスによる分析装置の破損または、 少なくとも汚染、である。 これらの問題は、テストガスが反応性ガスである場合に、より顕著となる。反 応性ガスは、接続システム内および／またはガス分析装置における固体相と反応 する可能性があり、またそのような反応性ガスは、固体の反応生成物を形成し、 それらの生成物が前記接続システム内において、および／またはガス分析装置の 入力側において沈殿するかもしれない。 これらの問題を解決するには、様々な措置が知られている。 最もよく知られているのは、絞り形状の圧力段を接続管内に設ける方法である 。例えばUS-A-５ 318 752によって知られている、そのような固定圧力段を設 ける方法には、ガス分析装置において可能な最高作動圧が、そのためにしばしば 利用され得ない、という欠点がある。分析さるべきガスの圧力が変化する場合に は、したがって、絞りないし圧力段が変更可能であることが望ましいであろう。 これによってのみ、分析装置における有効信号と基礎信号との間の最適な比率が あらゆる場合に保証され得る。 これは、調整可能なリーク弁を圧力段として設けるという同様に周知の方法に よって保証される。しかしながら、前記の接続システムに弁機構を設けることに よって、以下のような重大な欠点が生じる。すなわち、ガス吸収表面の拡大、死 容積の増加および、それに伴うメモリ効果、ならびに、例えば機械的摩耗による ガス雰囲気の不純化である。 上述の機械的リーク弁の欠点は、いわゆる“仮想弁（virtual valves）”を 導入することによって部分的には解決するが、その場合、機械的弁の利点は完全 には保持され得ない。“仮想弁”とは、分析装置に向う分析ガス流に向けて封止 ガス流を対向流として対置する、気体力学的圧力段ないし気体力学的遮断を指す 。当該封止ガス流を用いると、分析装置のテスト入力から分析ガスを遠ざけるこ とが可能である。これに関しても、ＵＳ-Ａ-５ 318 752が参考となる。 “仮想弁”の本質的欠点は、例えば、分析装置が接続されるプロセス室を換気 する際に必要な完全な閉鎖を、封止ガス流では実現できない、という点にある。 さらに、封止ガス流入口が接続システムに合流する個所にメモリ効果（memory e ffect）が生じる可能性がある。これは、例えば前記のガス流入口に古い残留ガ スが吸着され、これが後に、封止ガスが止められた際に脱着されることによって 、その後の分析の質を劣化させる原因になる。 この発明は、前述のような配置においてその利点を無駄にすることなく、上記 の欠点を除去することを目的とする。これは、請求項１に記載の特徴に従って前 記配置を形成することによって、達成される。 リーク弁を設置し、かつ圧力段を変更可能なように（調整はリーク弁本体によ って行なわれる）形成することによってまた、分析装置の入口を完全に分離する ことが可能になる。さらに、弁本体とそのガイドとの間に形成される管にガス流 連結部が接続されることによって、この、さもなくば死容積となり得る中間容積 が、以下のように最適利用される。例えば、封止ガス流によって“仮想弁”を実 現するために、あるいは根本的に、分析ガス流に対する対向流の利点を利用する ために、さらには、この管を介して差動ポンプ排出を行うことによって前記容積 におけるメモリ効果の発生を阻むために、利用される。 次に、図面を例として、この発明の説明がなされる。 この図面は、この発明の接続配置、ないし、この発明による接続配置を有する この発明による質量分析器、好ましくは四極子質量分析器の概略図である。定義 テストガス 分析さるべきガスは入力を介してガス雰囲気から取り テストガス入力 出される。ガス雰囲気は室内を満たす。雰囲気とは好 テストガス雰囲気 ましくは真空雰囲気を、例えば真空処理プロセスのプ テスト室 ロセス雰囲気を指す。 弁 弁は、弁本体ガイド内において制御されて運動する弁 弁本体 本体を有する。弁本体は、その中で弁駆動装置によっ 弁駆動装置 て駆動される。 弁本体ガイド 通常“バッフル(baffle)”管として表示される接続管１の一方の側には、例え ばエッチング室等の、例えば真空処理室であるテスト室５に、例えば連結するた めの、例えばフランジ形状のテストガス入力３が設けられる。駆動ユニット９を 有するリーク弁７が、好ましくはターボ分子ポンプ17が連結された四極子質量分 析器のようなガス分析装置15の入力Ｅへの接続管１の流れ断面を、制御されて、 可変圧力段13として、閉鎖する。弁本体11は弁本体ガイド19内を移動し、ガイド 19に対して管21を規定する。この管21は、連結部23と調整弁24とを介して遮断ガ スタンク26に接続され、同様に、接続部28と調整弁30とを介して、真空ポンプ32 に連結される。 作動中は、テストガス雰囲気Ａの圧力比に応じて、弁本体11がさらに多少とも 後方に引き戻されることによって、圧力段13が調整される。同時に、連結部23を 介して対向流Ｓが提供されることによって、分圧比に関する対向流の周知の利点 がガス分析装置の入力側において利用され得る。さらに、34に破線で示されたよ うに、管21からのガス流入口とテストガス入力３との間に、さらなるポンプ連結 が追加され得る。ガス対向流Ｓは、管21の容積領域と、特にまた、その管１への 合流領域におけるテストガスの吸収を妨げる。 あるいは、連結部28を介し、管21を通してテストガス流Ａｎを提供することも 可能であり、このガス流は管21からのあらゆる逆流を阻止する。 封止期間には、入力Ｅを完全に遮断する必要はないが、相応に量定された封止 ガス流Ｓによって、質量分析器15の入力Ｅへのテストガスの侵入が阻止される。 この場合、“仮想弁”は閉じられている。雰囲気Ａが流入する際のように、完全 な遮断が必要な場合は、リーク弁が弁本体11によって閉じられる。 この発明の接続システムによると、計測器の圧力をテストガス雰囲気Ａ内の圧 力に適合させることができる。すなわち、リーク弁７によって流れの断面を相応 に調節することによって、リーク弁に通常伴う欠点を甘受することなく、適合さ せることができる。これによって、変化するテストガスの圧力に関わりなく、テ ストガス分圧と残留ガス分圧との間において、常に最善の間隔が得られる。 リーク弁７を設けることによって、ガス分析装置15の極めて高感度な入力Ｅを 、周囲の雰囲気から完全に遮断することが可能である。その際、弁本体11が流れ 断面13の完全閉鎖を絶対的に保証できなくとも、同時に封止ガス流Ｓを流すこと によって入力Ｅを最適な状態で保護することが依然として可能である。 圧力段13に応じて流れ断面を変えることによって、分析装置15に固有の背景の 査定、例えば、質量分析器においてはそのイオン供給源の査定が、可能となる。 リーク弁容積からのメモリ効果および滲出効果は、それを封止ガス管および／ま たはポンプ管として利用することによって、避けられる。対向流計測工程の周知 の利点は、柔軟に利用することができる。例えば、管１を流れるテストガス流は 管21をポンプ管として利用することによって増量可能である。 コンダクタンスを低下させる沈殿物が圧力段に形成されると、以前のコンダク タンスが、場合によっては自動的に自己調整も行いながら、再び調整によって回 復され得る。 したがって、この発明によるシステムは、特に分析ガスが反応性成分を含む場 合の使用にも適している。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９８年２月２６日（１９９８．２．２６） 【補正内容】 ガス分析装置の低圧入力を接続するための配置 この発明は、請求項１のプリアンブルに記載の配置と、そのような配置を備え る質量分析器と、さらに前記配置および質量分析器の使用とに関するものである 。 前記のガス分析装置の典型例である質量分析器は、例えばガスの組成を分析す るために、広く使用される。特にPVD、PECVDまたはCVD工程等の真空処理プロセ スにおける、中でも臨界使用の際には、処理気圧を精確に制御することが益々必 要である。その際には、CVD工程もまた諸々の気圧条件の下で、実施される。 ガス分析装置は通常、前述の工程において利用される例えば0.1mbarから 100mbarのプロセス圧よりはるかに低い、例えば10^-3mbar領域の真空領域におい て作動する。したがって、上述のようなガス分析装置を分析さるべきテストガス 気圧に接続する際には、以下の諸問題が生じることが知られている。すなわち、 ガスを分析装置に移送する際に生じる、ガス組成の不純化、分析装置自体におけ るガス組成の不純化、ないし、検査さるべきガスによる分析装置の破損または、 少なくとも汚染、である。 これらの問題は、テストガスが反応性ガスである場合に、より顕著となる。反 応性ガスは、接続システム内および／またはガス分析装置における固体相と反応 する可能性があり、またそのような反応性ガスは、固体の反応生成物を形成し、 それらの生成物が前記接続システム内において、および／またはガス分析装置の 入力側において沈殿するかもしれない。 これらの問題を解決するには、様々な措置が知られている。 最もよく知られているのは、絞り形状の圧力段を接続管内に設ける方法である 。例えばUS-A-５ 318 752によって知られている、そのような固定圧力段を設 ける方法には、ガス分析装置において可能な最高作動圧が、そのためにしばしば 利用され得ない、という欠点がある。分析さるべきガスの圧力が変化する場合に は、したがって、絞りないし圧力段が変更可能であることが望ましいであろう。 これによってのみ、分析装置における有効信号と基礎信号との間の最適な比率が あらゆる場合に保証され得る。 これは、調整可能なリーク弁を圧力段として設けるという同様に周知の方法に よって保証される。しかしながら、前記の接続システムに弁機構を設けることに よって、以下のような重大な欠点が生じる。すなわち、ガス吸収表面の拡大、死 容積の増加および、それに伴うメモリ効果、ならびに、例えば機械的摩耗による ガス雰囲気の不純化である。 上述の機械的リーク弁の欠点は、いわゆる“仮想弁（virtual valves）”を 導入することによって部分的には解決するが、その場合、機械的弁の利点は完全 には保持され得ない。“仮想弁”とは、分析装置に向う分析ガス流に向けて封止 ガス流を対向流として対置する、気体力学的圧力段ないし気体力学的遮断を指す 。当該封止ガス流を用いると、分析装置のテスト入力から分析ガスを遠ざけるこ とが可能である。これに関しても、US-A-５ 318 752が参考となる。 “仮想弁”の本質的欠点は、例えば、分析装置が接続されるプロセス室を換気 する際に必要な完全な閉鎖を、封止ガス流では実現できない、という点にある。 さらに、封止ガス流入口が接続システムに合流する個所にメモリ効果（memory effect）が生じる可能性がある。これは、例えば前記のガス流入口に古い残留ガ スが吸着され、これが後に、封止ガスが止められた際に脱着されることによって 、その後の分析の質を劣化させる原因になる。 ポンプ連結部が入力ノズルを介してガスクロマトグラフの入力に導がれる、所 謂ベッカー・ライヘージ（Becker-Ryhage）セパレータが、US ３ 633 027に よって知られている。ガスクロマトグラフへの入力ノズルに対して、二つ目の、 質量分析器段階への出力ノズルが設けられる。二つの非連続の位置において調整 可能なスライダーがガイド・ハウジング内を導かれ、前記ノズルを閉鎖または開 口する。 DE-OS 29 39 893によってさらに、二つの連結部と、質量分析器のための第 三の連結部とを備える接続管を介して、質量分析器に圧力を供給することが知ら れている。この接続管は。その際、パルス運転で作動する弁本体が、接続管から 質量分析器への流れ断面を制御する。 この発明の課題は、上記のような配置においてメモリ効果に関する前述の欠点 を除去することである。これは、その配置を請求項１の特徴に従って形成するこ とによって、達成される。 リーク弁を設置し、かつ圧力段を変更可能なように（調整はリーク弁本体によ って行なわれる）形成することによってまた、分析装置の入口を完全に分離する ことが可能になる。さらに、弁本体とそのガイドとの間に形成される管にガス流 連結部が接続されることによって、この、さもなくば死容積となり得る中間容積 が、以下のように最適利用される。例えば、封止ガス流によって“仮想弁”を実 現するために、あるいは根本的に、分析ガス流に対する対向流の利点を利用する ために、さらには、この管を介して差動ポンプ排出を行うことによって前記容積 におけるメモリ効果の発生を阻むために、利用される。 次に、図面を例として、この発明の説明がなされる。 請求の範囲： １．―低圧連結部（Ｅ）のための連結部と、テストガス連結部（Ａ）のための連 結部とを備える接続管と、 ―接続管内に合流する、さらなるガス流連結部（21）と、 ―接続管（１）内において作動し、低圧連結部に連結する、前記接続管のガス流 断面を制御する弁本体（11）とを含む、 より高い圧力水準で作動するテストガス連結部（Ａ）を有するガス分析装置（15 ）の低圧連結部（Ｅ）を接続するための配置であって、 弁本体（11）が、さらなるガス流連結部において接続管と接続される管セグメン ト（21）の内部において導かれ、かつ、管セグメント（21）のガス流断面が前記 セグメントの内壁と弁本体との間において形成されることを特徴とする、配置。 ２．ガス供給源（26）および／または真空ポンプ（32）が管セグメント（21）に 接続されることを特徴とする、請求項１に記載の配置。 ３．弁本体（11）によって制御される、接続管内の圧力段と、テストガス連結部 （Ａ）のための連結部との間において、ポンプ連結部（34）が接続管（１）に合 流することを特徴とする、請求項１または２に記載の配置。 ４．弁本体によって接続管内に形成される圧力段の流れ断面が、弁本体によって 制御されて変化可能であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載 の配置。 ５．請求項１から４のいずれかに記載の配置を低圧連結部に備える、質量分析器 、好ましくは四極子質量分析器。 ６．反応性成分を有するガスを分析するための、請求項１から４のいずれかに記 載の配置の、ないし請求項５に記載の質量分析器の、使用。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．より高い圧力水準で作動するテストガス入力（Ａ）と、圧力段（13）を有す る接続管（１）と、圧力段（13）の高圧側に接続管（１）へのガス流連結部（21 、23、28）とを備える、ガス分析装置（15）の低圧入力（Ｅ）を接続するための 配置であって、圧力段（13）は、リーク弁本体（11）によって貫流断面が調整可 能な、接続管（１）の管セグメントに形成され、かつ、ガス流連結部は、弁本体 （11）とそのガイド（19）との間において規定される管（21）に連結されること を特徴とする、配置。 ２．管（21）がガス供給源（26）および／または真空ポンプ（32）に連結される ことを特徴とする、請求項１に記載の配置。 ３．圧力段（13）と、計測連結部（Ａ）との間において、ポンプ連結部（34）が 接続管（１）に合流することを特長とする、請求項１または２に記載の配置。 ４．請求項１から３のいずれかに記載の接続配置を、質量分析器の入力に備える 質量分析器、好ましくは四極子質量分析器。 ５．反応性成分を有するガスを分析するための、請求項１から３のいずれかに記 載の配置の、ないし請求項４に記載の質量分析器の、使用。