JP2000510965A - オプトアイソレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 光軸を有すると共にファラデー回転子(6)及び少なくとも１つの偏光子(7a,7b)からなるアイソレータ要素(4)と磁石(2)とを備えたオプトアイソレータ(1)。該磁石(2)は、ほぼ平坦な表面上に配置された場合に該磁石(2)と該ほぼ平坦な表面とによってオリフィス(3)が画定されるような形状の磁心開放形の永久磁石である。前記アイソレータ要素は、前記光軸が前記オリフィスを通るように前記オリフィス内に配置される。かかるアイソレータは、半導体レーザモジュールでの使用に良く適したものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】 オプトアイソレータ 本発明は、オプトアイソレータ、及びオプトアイソレータを用いた光学装置に 関し、特に、半導体レーザモジュールに関する。 オプトアイソレータは、該アイソレータを介した光の一方向への通過を許容す る一方、該アイソレータを介した光の逆方向への通過を阻止する（又は少なくと も大幅に減衰させる）ものである。かかる非可逆性の作用を実現するために、オ プトアイソレータは、光が通過する方向に応じて異なる挙動を示す構成要素を備 えていなければならない。該構成要素は一般にはファラデー回転子である。ファ ラデー回転子は、外部磁界の印加に応じて内部を通過する光の偏光面を回転させ ることが可能な材料（典型的には結晶材料）から構成される。該偏光面の回転方 向は、印加される外部磁界の方向に対するファラデー回転子を通過する光の方向 によって決まる。ファラデー回転子は、アイソレータを形成するために、１つ以 上の（通常は２つの）偏光子または複屈折ウォークオフ(walk-off)結晶と組み合 わせられる。ファラデー回転子によって偏光面が一方向に回転すると、光は両方 の偏光子を通過することが可能となるが、該偏光面がそれと逆方向に回転すると 、アイソレータを通過する光が偏光子によって阻止される。 オプトアイソレータは、光通信システム（特に、半導体レーザと共に用いられ るもの）において特定の用途を見いだしている。光通信システムで用いられる伝 送速度が（例えば数ギガビット／秒といったように）上昇するにつれて、かかる システムで用いられるレーザに必要とされる性能も向上してきた。周知のように 、光通信システムの特定部分で反射されて戻ってくる光は、かかる高性能レーザ の動作に悪影響を及ぼすものとなり、例えば、レーザのスペクトル、線幅、また は固有ノイズの変動を生じさせるものとなる。オプトアイソレータは、このよう な反射からかかる高性能半導体レーザを保護するために利用されており、研究を 目的としたシステムだけでなく、商用に配置されるシステムにおいてもますます 利用の度を高めている。アイソレータがレーザ送信機に過度 の付加コストを加えることがないように、アイソレータは、小型化し、レーザと の位置合わせが容易であり、及び低コストのものでなければならない。 いくつかの小型化されたオプトアイソレータが知られている。WO93／20465に は、光ファイバ貫通(feedthrough)管内に配置された積層アイソレータ要素が開 示されている。このアイソレータの製作及びアセンブリ技術は複雑なものであり 、したがって高コストのものとなる。更に、そのアイソレータ要素自体は小さい ものであるが、これに用いられる円筒形の磁石のため、該アイソレータ構成はか さばり扱い難いものになる。 米国特許第4,966,444号のオプトアイソレータ構成は、ファラデー回転子をレ ンズとして利用することによって、使用される部品数を減らそうとするものであ る。該構成は、アイソレータの性能を妥協するだけでなく、ファラデー回転子レ ンズにより必要とされる大きな曲率半径と使用される大形の円筒形磁石に起因し て依然としてかさばるものとなる。 米国特許第5,452,122号には、積層アイソレータ要素及び円筒形磁石を利用し た別のアイソレータ構成が開示されている。円筒形磁石を用いることに起因して 、該アイソレータは、半導体レーザの出力モードに対して回転方向での位置合わ せを行わなければならない。 本発明の第１の実施態様により提供されるオプトアイソレータは、平坦な表面 上に取り付けることが可能なものであって、光軸を有すると共にファラデー回転 子及び少なくとも１つの偏光子または複屈折ウォークオフ結晶からなるアイソレ ータ要素と、磁石とを備えたものであり、該磁石は、ほぼ平坦な表面上に配置さ れた場合に該磁石とほぼ平坦な表面とによってオリフィスが画定されるような形 状の磁心開放形の(open-core)永久磁石であり、前記アイソレータ要素が前記オ リフィス内に配置された場合に前記光軸が前記オリフィスを通るようになってい る。従って、本発明は、磁心開放形の磁石を用いることにより表面取付が可能な オプトアイソレータを提供するものである。本出願人は、磁心開放形（即ち非円 筒形）の磁石によって、ファラデー回転子を飽和させるのに十分な磁束を生成す ることが可能であることを見いだした。 本発明の実施態様では、磁石は、断面がほぼＵ字形であることが望ましく、 アイソレータ要素は、板状の偏光子間に接合された板状のファラデー回転子から なる積層体であることが望ましい。 磁石により画定されるオリフィスの縁部が矩形をなす本発明の実施態様では、 該磁石のオリフィス内におけるアイソレータ要素の回転方向の位置合わせは、こ の幾何学形状によって決まる。非円筒形磁石は、表面取り付けを行うことが可能 なものであるため、磁石と任意の光放射源（例えば半導体レーザ）との間での回 転方向の位置合わせは、やはり磁石の幾何学形状によって予め決まっている。し たがって、本発明の実施態様によるオプトアイソレータの組み立てにおいて回転 方向の位置合わせは不要である。 本発明の第２の態様により提供される光学装置は、光放射ビームを生成するた めの光放射源と、該光ビームを受容するための光導波路と、該光導波路に光ビー ムを集束させるための集束手段と、本発明によるオプトアイソレータとを備えた ものであり、この場合、前記集束手段が、収束する光放射ビームを前記アイソレ ータを介して光導波路へと送り込む。このため、本発明の実施態様は、アイソレ ータを通る収束光放射ビームを利用したとりわけコンパクトなオプトアイソレー タ構成を提供するものとなる。更に、アイソレータを通る収束光放射ビームを利 用することにより、オプトアイソレータの各構成要素からの反射が光放射源（例 えば半導体レーザ）に達するのが阻止される。 前記集束手段は、単一のレンズ（好適には球面レンズ）から構成されることが 望ましい。該集束手段は、とりわけ単純で有効で低コストのものとなる。 代替的には、本発明の第３の態様により提供される光学装置は、光放射ビーム を生成するための光放射源と、光ビームを受容する光導波路と、該光導波路に光 ビームを集束させるための集束手段と、本発明によるオプトアイソレータとを備 えたものであり、前記集束手段は、平行な光放射ビームを前記アイソレータに送 り、該アイソレータの光軸は、該平行な光ビームに対して非ゼロの角度をなして いる。このため、アイソレータを介して平行な光放射ビームを生成することが望 ましいアイソレータ構成において、本発明は、（例えば、アイソレータの構成要 素からの反射が光放射源に達するのを回避するために）オプトアイソレータ要素 が平行ビームに対して角度をなすようにするためのとりわけ 単純で有効な手段を提供するものとなる。本発明によれば、アイソレータ要素が 表面取り付け可能な磁石のオリフィス内にあるため、該取り付け表面の平面内に おいて磁石を回転させることにより、容易に、オプトアイソレータ全体が平行光 ビームに対して角度をなすようにすることが可能である。かかる回転は、光放射 源の出力に対するアイソレータ要素の光軸を中心とした回転方向の位置合わせに 影響を与えることは決してない。 本発明の第４の態様によれば、本発明によるオプトアイソレータを備えた光学 装置が収容されたパッケージからなる半導体レーザモジュールが提供される。本 発明により提供されるオプトアイソレータがとりわけコンパクトであることと、 表面取り付けが可能であることとが相俟って、該オプトアイソレータは、半導体 レーザモジュールのパッケージ内に直接取り付けることが可能となる。これによ り幾つかの利点が得られる。半導体レーザと同じパッケージ内にオプトアイソレ ータを実装することにより、構成部品コスト及び組み立てコストの両者が低減す ることになる。更に、該オプトアイソレータは、半導体レーザ用のパッケージ内 に設けられた制御された環境により恩恵を受ける。例えば、多くの半導体レーザ モジュールには、半導体レーザの性能を向上させ及び安定化させる温度制御が設 けられている。ファラデー回転子のファラデー回転角は、温度に応じて変動する ので、その温度を半導体レーザモジュール内における位置により制御すれば、コ ストを追加することなくオプトアイソレータの性能を劇的に向上させることが可 能となる。 ここで、図面を参照して本発明の実施例を説明することとする。 図１は、本発明によるオプトアイソレータの概要を示す斜視図である。 図２は、本発明による半導体レーザモジュールの第１の実施態様の概要を示す 説明図である。 図３は、本発明の実施例で利用される磁石の概要を示す斜視図であり、磁石内 における磁界強度の理論的計算結果を示すものである。 図４は、本発明による半導体レーザモジュールの第２の実施例の概要を示す説 明図である。 図１は、本発明の一実施態様によるオプトアイソレータを示す斜視図である。 該アイソレータ1は、正方形の側面のオリフィス3を有する磁石2を備えており、 該オリフィス3中にアイソレータ要素4が配置されている。該磁石2は、断面がほ ぼＵ字形のものであり、オプトアイソレータ1を平坦な表面に取り付けるための 同一平面内に位置する２つの取り付け領域5を有している。アイソレータ要素4は 、２つの偏光子7a,7b間に挟まれたファラデー回転子6からなる積層体である。該 アイソレータ要素4は、磁石2のオリフィス3を通る光軸8を有している。この積層 体の製作については後述することにする。 図２は、オプトアイソレータlを利用した本発明の一実施態様による半導体レ ーザモジュールの概要を示す説明図である。半導体レーザ9は、レーザパッケー ジ11内のヒートシンク10上に取り付けられている。半導体レーザ9の光学的活性 要素の幾何学形状により、該半導体レーザの出力モード(TEoo)は、半導体レーザ パッケージ11の平坦な基部12に対して水平方向に偏光される。オプトアイソレー タ1と半導体レーザ9との間にはジルコニア球面レンズ13が配置されている。該球 面レンズ13は、直径が500μｍであり、半導体レーザ9からの出力光ビームを収集 し、この光ビームを集束させてオプトアイソレータ1に通し、及び単一モード光 ファイバ14へと送り込む働きをする。 ここで、アイソレータ要素4及び磁石2の制作について一層詳細に述べることと する。 アイソレータ要素4は、３層のサンドイッチ式アセンブリとして形成される。 該アイソレータ要素4の中央層は、偏光面を回転させる働きをするファラデー回 転子6である。このために結晶材料等の任意の適当な材料を利用することが可能 である。好適には、アイソレータ要素4のファラデー回転子6は、ビスマス鉄ガー ネット（「BiG」）結晶ウェハである。該アイソレータ要素4の外側層は、偏光子7a ,7bにより形成される。該偏光子7a,7bは、適当な接着剤によりウェハ6の主表面 に固定される。 任意の適当な結晶を利用することが可能であるが、好適には、結晶6は、ニュ ーヨーク州ニューヨーク市のNon-Ferrous Metals Division of Sumitomo Corpor ation of Americaにより販売されているLPEガーネット薄膜オプトアイソレータ ウェハ［化学的には(TbBi)₃Fe₅O₁₂］から得られる。結晶6は、所望の中心波長 に関して45度±1度の回転角を有している。製造時の歩留まりを良くするため、 結晶6を得るためのウェハは、ウェハ全体にわたる均一な回転と、約90％を超え る透過率とを備えていなければならない。好適な中心波長は1550nmであるが、13 00nmの波長も稀ではない。 所望の中心波長に関してアイソレータ要素4からの0.01％以下の反射率を得る ために、結晶6の主表面は、３層の高品質の反射防止（AR）コーティングで被覆 されるべきである。適当なコーティングは、ニューヨーク州HauppaugeのKML Opt ical Industriesから入手することが可能である。各コーティングは、隣接する 接着層に対して結晶6の屈折率を整合させる(index-match)よう設計されている。 ARコーティングは、イオン蒸着により施すのが望ましい。 他の偏光子を用いることも可能であるが、好適な偏光子7a,7bは、ニューヨー ク州CorningのCorning Incorporatedにより製造され、Corning Code 1550 HC Po larcor^TMとして販売されている材料から形成される。該偏光子の一方7bは45°の エッジ角を呈し(即ち、偏光子により通される偏光面が該偏光子のエッジに対し て45°をなし)、他方の偏光子7aのエッジ角は0°である。該偏光子7a,7bは、屈 折率が整合する個々の接着層により、結晶6のコーティングを施された主表面に 取り付けられる。好適には、該接着剤は、米国マサチューセッツ州BillericaのE poxy Technologies Inc.により製造され、Epotek 353 ND接着剤として販売され ている、紫外線硬化性エポキシ接着剤である。 アイソレータ要素4は、偏光子材料7a,7bのウェハ（各々約10×10×0.2mm）を 接着剤を用いて結晶（約10×10×0.35mm）の主表面に固定することにより製作さ れる。その結果として得られるアセンブリは、硬化され、次いでダイシングを施 されて、アイソレータ1に用いられるアイソレータ要素4になる。該ダイシングは 、0.07mmの引き目幅の歯を備えたダイヤモンドダイシングソーを用いて実施され る。結果的に得られるアイソレータ要素4は、約0.4mm×0.4mmのものとなる。偏 光子7aと偏光子7bとを区別し、及び偏光子7aにより通される偏光面の方向を示す ために、偏光子7aの１つのエッジにマーキングが施される。 磁石2は、幅が2mm、高さ1.2mm、奥行き0.7mmである。該磁石2が平坦な表面上 に配置されると、アイソレータ要素4を受容するよう寸法が付与された幅0.4mm 及び高さ0.4mmのオリフィス3が画定される。該磁石2は、幾つかの磁性材料から 形成することが可能であるが、好適には、サマリウムコバルトまたはネオジウム 鉄ホウ素から形成される。磁性材料の中実ブロックを機械加工して該磁石を形成 することが可能であり、また好適には、コストが低くなるので、樹脂結合材料か ら磁石を成形することも可能である。この場合、典型的な組成は、約6％の樹脂 を含むものとなる。磁石は、その製作に次いで40キロガウスの磁界にさらすこと により磁化される。磁石2のオリフィス内の磁界は、理論的にモデル化されたも のであり、図３は、オリフィス3内で垂直面内に生成される磁界に関する理論的 に計算された重畳された磁界強度を有する磁石2の概要を示す斜視図である。同 図から分かるように、磁界強度は、オリフィス3の上部における3250ガウスから 該オリフィス3の下部における2000ガウスの範囲で変化するものとなる。ファラ デー回転子6の飽和磁界強度が1000ガウスであるため、ファラデー回転子6は、磁 石2のオリフィス3内に配置されると完全に飽和することになる。 次いで、アイソレータ要素4は、磁石2のオリフィス3内に接合される。該アイ ソレータ要素4の配向は、該アイソレータ要素4のエッジと平行な偏光面を有する 偏光子7aが磁石2内に取り付けられた際に半導体レーザ9に対向し、及び水平偏光 を通過させるようなものとなる。 次に、図２を参照して半導体レーザモジュールの組み立てについて説明する。 まず最初にヒートシンク10が半導体レーザパッケージ11の平坦な基部12上に取り 付けられる。これにより、半導体レーザ9を取り付けることが可能な基部12と平 行な表面が得られ、半導体レーザ9の出力モードの偏光を基部12に対して精確に 位置合わせすることが可能になる。更に、オプトアイソレータの光軸を中心とし た回転方向の位置合わせは、該オプトアイソレータの取り付け領域5を半導体レ ーザパッケージ11の平坦な基部12と接するよう配置することにより、簡単に達成 することができる。次いで、オプトアイソレータ1が基部12に取り付けられる。 該取り付けは、「非活動的に」即ち半導体レーザ9を作動させることなく実施す ることが可能である。これは、オリフィス3及びアイソレータ要素4が十分に大き いからである。次いで「ダミー」光ファイバ14を利用して、半導体レーザ9に対 する球面レンズ13の正確な活動的な位置合わせを支援する。該ダミー ファイバ14の一端は一時的にレーザパッケージ11に取り付けられ、該ダミーファ イバ14の他端は光検出器に挿入される。半導体レーザ9に給電を行って光を放射 させ、該半導体レーザ9から該ダミー光ファイバ14へと結合される光出力を最大 にするように球面レンズ13の位置合わせが行われる。該球面レンズ13が光硬化性 樹脂を使用して所定位置に固定されると、ダミー光ファイバ14が、ファイバ管内 に取り付けられた永久的な光ファイバ14に交換される。該光ファイバ14は活動的 に位置合わせが行われ、ファイバ管はレーザパッケージ11の壁にレーザ溶接され る。 使用時には、水平偏光が、半導体レーザ9により放出されて、レンズ13を通り 、偏光子7aを介してアイソレータ1に入射する。該偏光子7aは、光学的な損失を ほとんど生じさせることなく該光を通過させる。これは、該偏光子7aの偏光面が 水平方向に位置合わせされているからである。磁石2の磁界内にあるファラデー 回転子6は光の偏光面を45°回転させる。次いで、光は、偏光子7bを介してアイ ソレータから送出されるが、該偏光子7bは、その偏光面が該偏光子のエッジに対 して45°をなすように位置合わせされているため、この場合もやはり光学的な損 失をほとんど生じさせることなく光を通過させる。光ファイバ14の端部15、また は光ファイバ14が取り付けられる他の任意の構成要素から反射された光は、半導 体レーザ9に到達することがオプトアイソレータ1により阻止される。偏光子7bの 偏光面と位置合わせされていない反射光は、偏光子によって大幅に減衰させられ る。偏光子7bの偏光面と位置合わせされている反射光は、僅かな光学的損失で、 偏光子7bを通過し、ファラデー回転子6により45°回転され、したがってその偏 光面はレーザモジュール11の基部12に対して垂直になる。偏光子7aの偏光面が水 平であるため、該光は偏光子7aにより大幅に減衰させられる。 個々の表面に施されるARコーティングにもかかわらず、アイソレータ1の各構 成要素により反射されて半導体レーザ9に向かって戻る、半導体レーザ9からの光 は、該アイソレータに当たる光ビームの収束する性質のため、半導体レーザ9に 到達するとは考えられない。オプトアイソレータ1を通る収束ビームの利用は、 光軸に対して大きい角度で受光される光ビームについて高い吸光率を有する偏光 子7a,7bを利用することにより促進される。用いられる偏光子は、光軸に対し て10°未満の角度で受光される光ビームについて30dBを超える吸光率を有してい る。 本実施態様によるオプトアイソレータで実施された測定によれば、典型的には 、33dBのアイソレーションが0.5dBの挿入損失で提供されることが分かる。 図４には、オプトアイソレータ1を通る平行ビームを生じさせるために２つの 球面レンズ13を用いる本発明の代替実施態様が示されている。オプトアイソレー タ1は、オプトアイソレータからの反射光が半導体レーザ9に達するのを阻止する ために平行光ビームに対して約2°の角度で取り付けられる。このオプトアイソ レータの角度付けは、垂直軸を中心としてアイソレータを回転させることにより 容易に実施され、これは、光軸8を中心とした偏光子7aと半導体レーザの偏光面 との位置合わせに影響を及ぼすことはない。 半導体レーザに関連して本発明の実施態様の説明を行ってきたが、本発明は、 ファイバレーザについての用途も見いだすものである。 更に、本発明によるオプトアイソレータは、光電子集積回路（OEIC）に有利に 利用することが可能であり、金属、セラミック、又はシリコン基板からなる平坦 な表面に取り付けることも可能である。かかる基板には、位置決め用の階段部分 (location step)またはＶ字状溝を設けることが可能である。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年５月９日（１９９８．５．９） 【補正内容】 請求の範囲 １．平坦な表面に取り付け可能なオプトアイソレータであって、 １つの光軸を有しており、及びファラデー回転子(6)及び少なくとも１つの 偏光子(7a,7b)又は複屈折ウォークオフ結晶を備えている、アイソレータ要素 (4)と、 磁石(2)とを備えており、 該磁石(2)が、ほぼ平坦な表面上に配置された際に該磁石(2)と該ほぼ平坦 な表面とによってオリフィスが画定されるような形状を有している磁心開放 形の永久磁石であり、前記光軸が前記オリフィスを通るように前記アイソレ ータ要素(4)が前記オリフィス内に配置されることを特徴とする、オプトアイ ソレータ。 ２．前記磁石(2)が、該磁石を平坦な表面上に取り付けるためのほぼ同一平面内 に位置する２つの取り付け領域を備えている、請求項１に記載のオプトアイ ソレータ。 ３．前記磁石がほぼＵ字形の断面を有している、請求項１及び請求項２に記載 のオプトアイソレータ。 ４．前記磁石(2)により前記オリフィス内に生成される磁束が前記アイソレータ 要素の光軸とほぼ平行である、請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載 のオプトアイソレータ。 ５．前記オリフィスの縁部が矩形を画定するものである、請求項１ないし請求 項４の何れか１項に記載のオプトアイソレータ。 ６．前記オリフィスの縁部がほぼ正方形を画定するものである、請求項５に記 載のオプトアイソレータ。 ７．前記アイソレータ要素(4)が、板状の形状を有する偏光子(7a,7b)間に結合 された板状の形状を有するファラデー回転子(6)からなる積層体である、請求 項１ないし請求項６の何れか１項に記載のオプトアイソレータ。 ８．光学装置であって、 光放射ビームを生成するための光放射源(9)と、 光ビームを受容するための光導波路(14)と、 該光導波路(14)に光ビームを集束させるための集束手段(13)と、 請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載のオプトアイソレータ(4)と を備えており、前記集束手段(13)により、収束する光放射ビームが前記アイ ソレータ(1)を通って光導波路(14)に送り込まれることを特徴とする、 光学装置。 ９．前記集束手段(13)が単一のレンズから構成される、請求項８に記載の光学 装置。 10．大型のオプトアイソレータ(1)の１つの偏光子または複数の偏光子(7a,7b) の各々が、光軸に対して大きな角度で受光した光ビームについて高い吸光率 を有している、請求項８または請求項９に記載の光学装置。 11．前記１つの偏光子または複数の偏光子(7a,7b)の各々が、光軸に対して10° 未満の角度で受光した光ビームについて30dBを超える吸光率を有している、 請求項10に記載の光学装置。 12．前記１つの偏光子または複数の偏光子(7a,7b)の各々が格子型のものである 、請求項8ないし請求項11の何れか１項に記載の光学装置。 13．光学装置であって、 光放射ビームを生成するための光放射源(9)と、 光ビームを受容するための光導波路(14)と、 該光導波路(14)に光ビームを集束させるための集束手段(13)と、 請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載のオプトアイソレータ(1)と を備えており、前記集束手段(13)が前記オプトアイソレータに平行な光放射 ビームを送り、該平行ビームに対してアイソレータ要素の光軸が非ゼロの角 度をなすことを特徴とする、光学装置。 14．前記集束手段(13)が２つの共焦点レンズから構成される、請求項13に記載 の光学装置。 15．前記光導波路(14)が光ファイバである、請求項８ないし請求項14の何れか １項に記載の光学装置。 16．前記光導波路(14)が平面導波路である、請求項８ないし請求項14の何れか １項に記載の光学装置。 17．前記光放射源(9)が半導体レーザである、請求項８ないし請求項16の何れか １項に記載の光学装置。 18．前記光放射源(9)がファイバレーザである、請求項８ないし請求項16の何れ か１項に記載の光学装置。 19．請求項８ないし請求項17の何れか１項に記載の光学装置が収容されたパッ ケージを備えていることを特徴とする、半導体レーザモジュール。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．平坦な表面に取り付け可能なオプトアイソレータであって、 １つの光軸を有しており、及びファラデー回転子及び少なくとも１つの偏 光子又は複屈折ウォークオフ結晶を備えている、アイソレータ要素と、 磁石とを備えており、 該磁石が、ほぼ平坦な表面上に配置された際に該磁石と該ほぼ平坦な表面 とによってオリフィスが画定されるような形状を有している磁心開放形の永 久磁石であり、前記光軸が前記オリフィスを通るように前記アイソレータ要 素が前記オリフィス内に配置されることを特徴とする、オプトアイソレータ。 ２．前記磁石が、該磁石を平坦な表面上に取り付けるためのほぼ同一平面内に 位置する２つの取り付け領域を備えている、請求項１に記載のオプトアイソ レータ。 ３．前記磁石がほぼＵ字形の断面を有している、請求項１及び請求項２に記載 のオプトアイソレータ。 ４．前記磁石により前記オリフィス内に生成される磁束が前記アイソレータ要 素の光軸とほぼ平行である、請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の オプトアイソレータ。 ５．前記オリフィスの縁部が矩形を画定するものである、請求項１ないし請求 項４の何れか１項に記載のオプトアイソレータ。 ６．前記オリフィスの縁部がほぼ正方形を画定するものである、請求項５に記 載のオプトアイソレータ。 ７．前記アイソレータ要素が、板状の形状を有する偏光子間に結合された板状 の形状を有するファラデー回転子からなる積層体である、請求項１ないし請 求項６の何れか１項に記載のオプトアイソレータ。 ８．光学装置であって、 光放射ビームを生成するための光放射源と、 光ビームを受容するための光導波路と、 該光導波路に光ビームを集束させるための集束手段と、 請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載のオプトアイソレータと を備えており、前記集束手段により、収束する光放射ビームが前記アイソレ ータを通って光導波路に送り込まれることを特徴とする、 光学装置。 ９．前記集束手段が単一のレンズから構成される、請求項８に記載の光学装置。 10．オプトアイソレータの１つの偏光子または複数の偏光子の各々が、光軸に 対して大きな角度で受光した光ビームについて高い吸光率を有している、請 求項８または請求項９に記載の光学装置。 11．前記１つの偏光子または複数の偏光子の各々が、光軸に対して10°未満の 角度で受光した光ビームについて30dBを超える吸光率を有している、請求項1 0に記載の光学装置。 12．前記１つの偏光子または複数の偏光子の各々が格子型のものである、請求 項8ないし請求項11の何れか１項に記載の光学装置。 13．光学装置であって、 光放射ビームを生成するための光放射源と、 光ビームを受容するための光導波路と、 該光導波路に光ビームを集束させるための集束手段と、 請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載のオプトアイソレータと を備えており、前記集束手段が前記オプトアイソレータに平行な光放射ビー ムを送り、該平行ビームに対してアイソレータ要素の光軸が非ゼロの角度を なすことを特徴とする、光学装置。 14．前記集束手段が２つの共焦点レンズから構成される、請求項13に記載の光 学装置。 15．前記光導波路が光ファイバである、請求項８ないし請求項14の何れか１項 に記載の光学装置。 16．前記光導波路が平面導波路である、請求項８ないし請求項14の何れか１項 に記載の光学装置。 17．前記光放射源が半導体レーザである、請求項８ないし請求項16の何れか１ 項に記載の光学装置。 18．前記光放射源がファイバレーザである、請求項８ないし請求項16の何れか １項に記載の光学装置。 19．請求項８ないし請求項17の何れか１項に記載の光学装置が収容されたパッ ケージを備えていることを特徴とする、半導体レーザモジュール。