JPH04338916A - 光アイソレータ用素子及び該光アイソレータ用素子を用いた光アイソレータ，半導体レーザモジュール - Google Patents

光アイソレータ用素子及び該光アイソレータ用素子を用いた光アイソレータ，半導体レーザモジュール

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JPH04338916A
JPH04338916A JP3138496A JP13849691A JPH04338916A JP H04338916 A JPH04338916 A JP H04338916A JP 3138496 A JP3138496 A JP 3138496A JP 13849691 A JP13849691 A JP 13849691A JP H04338916 A JPH04338916 A JP H04338916A
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optical isolator
isolator element
optical
polarizer
substrate
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Yukiko Tokida
常田　由紀子
Michitaka Okuda
通孝 奥田
Yasushi Sato
恭史 佐藤
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光源から発射された光
を各種光学素子や光ファイバに導入した際に生じる戻り
光を除去するために用いる光アイソレータ用素子及び該
光アイソレータ用素子を用いた光アイソレータ，半導体
レーザモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、レーザ光源等の光源から発射された
出射光は各種光学素子や光ファイバに入射されるが、該
入射光の内の一部は、該各種光学素子や光ファイバの端
面や内部で反射されたり散乱されたりする。そしてこの
反射，散乱された光の内の一部は戻り光として前記光源
に戻ろうとするが、この戻り光を防止するために光アイ
ソレータが用いられている。
【０００３】従来この種の光アイソレータは、平板状の
ファラデー回転子の両側にバルク状の偏光ビームスプリ
ッタからなる偏光子を設置し、これら３つの部品を円筒
状の磁石内に収納して構成されていた。ここで通常、フ
ァラデー回転子は飽和磁界内において所定の波長の光の
偏光面を４５°回転する厚みに構成され、また２つの偏
光子はそれぞれの透過偏光方向が４５°回転方向にずれ
るように回転調整される。
【０００４】また従来、この種の光アイソレータを用い
て大きなアイソレーションを得るためには、該光アイソ
レータを複数組用意し、これらを直列に並べて使用する
手法が取られていた。
【０００５】一方上記構造の光アイソレータにおいては
、ファラデー回転子と２つの偏光子が別部品であり、そ
の組立て工程数が多くなるばかりか、各部品間の光学上
の調整作業が煩雑である。
【０００６】このため、平板状のファラデー回転子の両
面にそれぞれ平板状（多層膜状）の偏光子を直接接着し
た構造の光アイソレータ用素子を、円筒状の磁石内に配
設した光アイソレータも提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うにファラデー回転子の両面に板状の偏光子を接着し一
体化した光アイソレータ素子を用いた光アイソレータに
おいても以下のような問題点があった。
【０００８】■光アイソレータ用素子を円筒状の磁石内
に配設・固定するには、所定の固定治具が必要で、この
ため該光アイソレータを構成する部品点数が増大し、ま
た光アイソレータ用素子の磁石内への取り付け作業が煩
雑になる。
【０００９】■光アイソレータ用素子の光入出射面に対
して、光を垂直に入出射すると、偏光子やファラデー回
転子の端面による反射光が戻り光となって半導体レーザ
等の発光源に戻ってしまう。この現象を防止するために
は、光アイソレータ用素子の光入出射面が光の入射方向
に対して垂直とならないように、所定角度傾けて設置す
ればよい。しかしながら、光アイソレータ用素子を円筒
状の磁石内で斜めに配設・固定するには、光アイソレー
タ用素子の固定治具の構造が複雑になり、また光アイソ
レータ用素子の取り付け作業がさらに煩雑になる。
【００１０】■ファラデー回転子のファラデー回転角は
、温度或いは波長によって変化するので、１つの光アイ
ソレータのみによって構成された光アイソレータのアイ
ソレーションは所定の温度或いは波長でピークを持ち、
その温度或いは波長以外ではアイソレーションがかなり
悪くなる特性を有する。そして広い温度範囲或いは波長
範囲にわたって高いアイソレーションを有するように構
成するには、アイソレーションの異なる２以上の光アイ
ソレータを直列に並べて光アイソレータを構成すればよ
い。しかしながら２以上の光アイソレータを並べて設置
するため、部品点数が多くて組立て工数が多く、その光
軸調整も煩雑で量産性が悪い。また多段型でその光路長
が長いので、有効ビーム径が小さくなる。さらに多段型
でその光路長が長いので、光アイソレータの大きさが大
きくなってしまう。
【００１１】■また複数のレーザ活性層を近接させて１
列に配列した構造の半導体レーザアレイのそれぞれのレ
ーザ活性層に対応する位置に上記光アイソレータを配設
する場合、それぞれの光アイソレータには小型化の限界
がある。何故ならば、円筒状の磁石を小型化することが
困難であり、また磁石を小型化しようとすると、その磁
力が小さくなって前記ファラデー回転子に必要な磁界が
印加できなくなるからであり、また磁石を小さくすると
、該磁石の内部に収納されている各光学部品の有効径（
ビームが透過できる面積）も小さくなってしまうからで
ある。このためたとえ各レーザ活性層間の間隔が小さく
できても、これに対応して各光アイソレータ間の間隔が
小さくできず、結局半導体レーザアレイ全体の小型化が
図れなくなってしまう。
【００１２】■また上記光アイソレータの両側或いは片
側の光軸上に結合レンズを配置し、さらに該光軸上に半
導体レーザを配置することによって、半導体レーザから
発射されたレーザ光を結合レンズと光アイソレータを介
して、例えば光ファイバに集光するように構成された半
導体レーザモジュールがある。しかしながらこの種の従
来の半導体レーザモジュールにおいては、結合レンズが
光アイソレータとは別個に必要なため、部品点数が増加
するばかりか大型化し、また結合レンズと光軸の光学的
位置調整が必要なため、この半導体レーザモジュールの
組立作業が煩雑となり時間もかかる。
【００１３】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは以下の通りである。
【００１４】■部品点数が少なくて済み、その組立作業
の容易な光アイソレータ用素子，光アイソレータ及び半
導体レーザモジュールを提供すること。
【００１５】■光アイソレータ用素子の光入出射面でレ
ーザ光が反射しても、該反射光が戻り光として半導体レ
ーザに戻らず、しかもその構造が簡単な光アイソレータ
用素子，光アイソレータ及び半導体レーザモジュールを
提供すること。
【００１６】■広い温度範囲或いは波長範囲にわたって
高いアイソレーションを有し、しかも部品点数が少なく
て組立て工数が少なく、且つその光軸調整も容易で量産
性の高い光アイソレータ用素子を提供すること。
【００１７】■半導体レーザアレイの各レーザ活性層の
間隔が小さくなってもこれに充分対応できる光アイソレ
ータ用素子を提供すること。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、１又は２以上の平板状のファラデー回転子
基板と２以上の平板状の偏光子基板を交互に接着して一
体化した後にこれを所定の形状にカットした光アイソレ
ータ用素子であって、該光アイソレータ用素子の外周側
面を、該外周側面を光軸に平行に設置した場合に光アイ
ソレータ用素子の光入出射面が光軸に対して垂直な位置
から所定角度傾斜するように、カットして光アイソレー
タ用素子を構成した。
【００１９】また本発明は、上記光アイソレータ用素子
を磁界印加用の筒状の磁石の内部に収納固定した光アイ
ソレータであって、前記磁石の内周面と前記光アイソレ
ータ用素子の外周面とを、両者が面接触するようにほぼ
同一形状に構成した。
【００２０】また本発明は、ＣＡＮタイプのケース内に
半導体レーザを収納するとともに、該半導体レーザが発
射したレーザ光を外部に導出するケースの開口内に前記
光アイソレータ用素子を取り付けた半導体レーザモジュ
ールであって、前記ケースの内周面と前記光アイソレー
タ用素子の外周面とを、両者が面接触するようにほぼ同
一形状に構成した。
【００２１】また本発明は、１又は２以上の平板状のフ
ァラデー回転子と２以上の平板状の偏光子を交互に接着
して一体化した光アイソレータ用素子と、筒状であって
その内部に前記光アイソレータ用素子を収納する磁界印
加用の磁石とを具備し、前記磁石の内周面に、前記光ア
イソレータ用素子の外周面と面接触する挿入部と、該挿
入部の内径を若干小さくして該挿入部に挿入された光ア
イソレータ用素子の外周辺を係止する段部とを設けて光
アイソレータを構成した。
【００２２】また本発明は、それぞれ平板状に構成され
た第１の偏光子基板と第１のファラデー回転子基板と第
２の偏光子基板と第２のファラデー回転子基板と第３の
偏光子基板をこの順番に配列し、前記第１の偏光子基板
と前記第２の偏光子基板の透過偏光方向は前記第１のフ
ァラデー回転子基板に対する最適設定位置からさらにα
°相対的にずらせた位置に配置され、前記第２の偏光子
基板と第３の偏光子基板の透過偏光方向は前記第２のフ
ァラデー回転子基板に対する最適設定位置から逆方向に
α°相対的にずらせた位置に配置され、これら各基板間
を一体に接着し、該接着して一体化された基板を所定の
形状にカットして光アイソレータ用素子を構成した。こ
こで最適設定位置とは、この光アイソレータ用素子を光
アイソレータとして機能させた時、逆方向損失が最大と
なる偏光子の設定位置を意味する。
【００２３】また本発明は、１又は２以上の平板状のフ
ァラデー回転子と２以上の平板状の偏光子を交互に接着
して一体化するとともに、該一体化したものをレーザア
レイのレーザ活性層の配列状態に合わせて横長形状にカ
ットしてレーザアレイ用の光アイソレータ用素子を構成
した。
【００２４】
【作用】上記の如く、光アイソレータ用素子を収納する
磁石或いはケースと該光アイソレータ用素子の外周面と
が直接面接触するように構成したので、光アイソレータ
用素子は直接磁石或いはケースに固定でき、このため磁
石或いはケース内で光アイソレータ用素子を固定する特
別な固定治具は不要となり部品点数が減少し、また光ア
イソレータ用素子の磁石或いはケース内への取り付け作
業が容易となるばかりか、有効開口径を大きく取ること
ができる。しかもファラデー回転子と偏光子を一体化し
た光アイソレータ用素子の外周側面は、該外周側面を光
軸に平行に設置した場合に光アイソレータ用素子の光入
出射面が光軸に対して垂直な位置から所定角度傾斜する
ようにカットしたので、光アイソレータ用素子を磁石或
いはケース内に収納するだけで、光アイソレータはその
光入出射面が光軸に対して垂直な位置から所定角度傾斜
する。従って、特別な治具を用いなくても該光アイソレ
ータ用素子自体による反射光は光源に戻らず、容易に除
去される。
【００２５】また光アイソレータ用素子を収納する筒状
磁石内に段部を設ければ、光アイソレータ用素子の磁石
内における収納位置が容易に一定となる。
【００２６】また平板状の第１の偏光子と第１のファラ
デー回転子と第２の偏光子と第２のファラデー回転子と
第３の偏光子をこの順番に配列して一体化した光アイソ
レータ用素子であって、第１，第２の偏光子間の相対的
位置関係と、第２，第３の偏光子間の相対的位置関係を
、ファラデー回転子に対してそれぞれ最適な位置から±
α°ずつずらせば、第１の偏光子と第１のファラデー回
転子と第２の偏光子が構成する第１光アイソレータ機能
部によって生ずるアイソレーションのピーク位置と、第
２の偏光子と第２のファラデー回転子と第３の偏光子が
構成する第２光アイソレータ機能部によって生ずるアイ
ソレーションのピーク位置が異なり、これによってこの
光アイソレータ用素子全体のアイソレーションの温度依
存性或いは波長依存性が小さくなる。
【００２７】さらに平板状のファラデー回転子と偏光子
を一体化した光アイソレータ用素子の形状をレーザアレ
イのレーザ活性層の配列状態に合わせて横長に形成すれ
ば、この光アイソレータ用素子１個でレーザアレイに設
けた多数のレーザ活性層に１度に対応できる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明にかかる光アイソレータ用素
子の１実施例を示す図で、同図（ａ）は斜視図、同図（
ｂ）は側面図である。
【００２９】同図に示すようにこの光アイソレータ用素
子１は、平板状のファラデー回転子２の両面にそれぞれ
２枚の平板状の偏光子３，４を接着して構成されている
。またこの光アイソレータ用素子１の外周側面１ａは光
アイソレータ用素子１の光入出射面ｍ，ｎに垂直な面か
ら所定角度θだけ傾斜せしめた円周面でカットして構成
されている。言い替えれば、光アイソレータ用素子１の
外周側面１ａは該外周側面１ａを光軸Ｌに平行に設置し
た場合に光アイソレータ用素子１の光入出射面ｍ，ｎが
光軸Ｌに対して垂直な位置から所定角度θだけ傾斜する
ような円周面でカットされている。
【００３０】以下各構成部品について説明する。ファラ
デー回転子２は、ビスマス置換ガーネット板を楕円板状
に形成して構成されている。またファラデー回転子２の
厚みは、該ファラデー回転子２に光軸Ｌ方向の飽和磁界
を印加した場合に該ファラデー回転子２に光軸Ｌ方向か
ら入射する光の偏光面が所定角度（この実施例では４５
°）光軸回りに回転するに必要な厚みに構成されている
。
【００３１】一方２枚の偏光子３，４も楕円板状に構成
されており、光軸Ｌ方向に入射する光の内の１方向の偏
光成分を吸収する機能を有する、複素誘電体媒質中に金
属分子を分散させた吸収型偏光子を用いる。即ち例えば
、ガラス中に銀，金，アルミニウム等を分散させたもの
、を用いる。
【００３２】ここで偏光子３と偏光子４はファラデー回
転子２の両面に接着されるが、両偏光子３，４のそれぞ
れの透過偏光方向は、所定角度（ファラデー回転子２に
よって光の偏光面が回転される角度であり、この実施例
では４５°）光軸Ｌ回りにずらされている。
【００３３】なお同図には示していないが、この光アイ
ソレータ用素子１の円周状の側面には、該側面からの光
の侵入を防いだり、耐久性を向上させるために、金属や
樹脂等をコートしておくことが望ましい。また筒状の金
属ケース内にこの光アイソレータ用素子１をその側面が
密着するように挿入してもよい。
【００３４】なお上記光アイソレータ用素子１の円周状
の側面にコートする樹脂を接着性の樹脂で構成すれば、
この光アイソレータ用素子１を直接他の部材に接着する
ことが可能となる。
【００３５】またこの光アイソレータ用素子１の円周状
の側面に金属をコートした場合は、この光アイソレータ
用素子１を直接他の金属部材にハンダ付け・溶接等する
ことが可能となる。
【００３６】また光アイソレータ用素子１の光入出射面
ｍ，ｎにはＡＲコートを施しておくことが望ましい。
【００３７】図２は上記光アイソレータ用素子１を円筒
状の磁石８内に挿入して構成した光アイソレータ１０を
示す図であり、同図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は正
面図である。
【００３８】ここで磁石８の内周面の形状は円周面形状
であり、同図（ａ）に示す磁石８の内部の左側の部分の
内径ａは光アイソレータ用素子１の外径とほぼ同一に、
即ち光アイソレータ用素子１の外周面の形状とほぼ同一
形状の円周面形状に形成されている。なおこの内径ａの
部分を光アイソレータ用素子１の挿入部とする。一方同
図（ａ）に示す磁石８の内部の右側の内径ｂは前記挿入
部の内径ａよりも若干小さく構成され、これによって、
磁石８の内部に段部９を設けている。なおこの段部９は
、前記光アイソレータ用素子１を磁石８内に挿入したと
きに光アイソレータ用素子１の外周辺の全体が当接する
ように、楕円形状に構成されている。
【００３９】従ってこの磁石８の挿入部内に光アイソレ
ータ用素子１を挿入した場合、該光アイソレータ用素子
１の外周面と磁石８の内周面は面接触する。従って両者
の接触面を接着剤等で接着，固定するだけで、他の治具
等を用いなくとも、容易に光アイソレータ１０が構成で
きる。なおこのとき光アイソレータ用素子１の両光入出
射面ｍ，ｎは光軸Ｌに対して垂直な位置から所定角度θ
だけ傾いた位置に固定される。
【００４０】さらにこの実施例においては磁石８内に段
部９を設けたので、磁石８内に光アイソレータ用素子１
を挿入したとき、その外周辺は該段部９に当接する。従
って、光アイソレータ用素子１の挿入位置がずれること
なく、確実に固定できる。なおこの光アイソレータ１０
の有効開口径は同図（ｂ）に示すようにその径がｂとな
る。つまり、光アイソレータ用素子１のほとんど全部が
光アイソレータとして有効に使用できるので、効果的で
ある。
【００４１】なお上記実施例においては、段部９を設け
たが、この段部９は必ずしも必要でなく、磁石８の内径
を全て光アイソレータ用素子１の外径と一致させてもよ
い。
【００４２】次にこの光アイソレータ１０の作用につい
て説明する。図２（ａ）に示すように、光アイソレータ
１０の磁石８内に左方向から光軸Ｌと平行に入射光（レ
ーザ光）を入射すると、該入射光の内、所定の偏波面を
有する光のみが偏光子３を通過する。
【００４３】そしてこの光はファラデー回転子２におい
てその偏波面を４５°回転された後に偏光子４に入射す
る。このとき偏光子３と偏光子４の透過偏光方向は相対
的に４５°回転しているので、偏光子４に入射した入射
光はそのままこれを透過していく。
【００４４】一方戻り光が偏光子４に入射してきた場合
は、所定の偏波面を有する光のみがこの偏光子４を通過
してファラデー回転子２に入射し、その偏波面がさらに
４５°回転される。このため偏光子３に入射してくる戻
り光の偏波面は、偏光子３の透過偏光方向とは９０°ず
れるので、結局この戻り光は偏光子３を透過できず、除
去されるのである。
【００４５】また光アイソレータ１０に光源側から入射
する入射光の一部は光アイソレータ用素子１の偏光子３
，４の端面やファラデー回転子２の端面によって反射さ
れるが、該端面は光軸に対して垂直な位置から所定角度
θだけ傾斜しているので、該反射光が光軸Ｌ方向に戻る
ことはない。
【００４６】図３はこの光アイソレータ用素子１の製造
手順を示す図である。同図（ａ）に示すように、円柱状
のガラスの一方の面を斜めにカットしたくさび型カバー
ガラス１２の傾斜面ｐに、円板状であってその直径の大
きい大型の偏光子基板７と、この偏光子基板７と同一直
径の大型のファラデー回転子基板５を接着する。このと
き偏光子基板７とファラデー回転子基板５の間の接着に
は、光学接着剤を用い、くさび型カバーガラス１２と偏
光子基板７の間の接着には、前記光学接着剤が剥離しな
い溶剤で容易に剥離する接着剤（例えば鑞付け）を用い
る。なおくさび型カバーガラス１２の傾斜面ｐの傾き角
度θは、図１に示す光アイソレータ用素子１の傾斜角度
θと同一に構成されている。
【００４７】次に該ファラデー回転子基板５の上面に、
該ファラデー回転子基板５と同一の大きさの偏光子基板
６を光学接着剤を用いて接着する。なお偏光子基板６は
、その透過偏光方向が偏光子基板７の透過偏光方向に対
して光軸Ｌ回りに所定角度（この実施例においては４５
°）相互に回転した位置に調整後接着される。
【００４８】ここで偏光子基板６，７の厚みは前記図１
に示す偏光子３，４の厚みと同一であり、その材質も同
一である。またファラデー回転子基板５の厚みも前記図
１に示すファラデー回転子２の厚みと同一であり、その
材質も同一である。
【００４９】また、偏光子基板６とファラデー回転子基
板５の間の接着面及び偏光子基板７とファラデー回転子
基板５の間の接着面には、屈折率の違いによって生ずる
フレネル反射を防止するための反射防止膜をコートして
おくことが望ましい。
【００５０】そして同図（ａ）に示すように偏光子基板
６の上に円板状のカバーガラス１３を、前記光学接着剤
が剥離しない溶剤で容易に剥離する接着剤（例えば鑞付
け）で接着する。このときの側面図を同図（ｂ）に、平
面図を同図（ｃ）に示す。
【００５１】そして同図（ｂ），（ｃ）に点線で示すよ
うに、この一体化された各基板５，６，７とカバーガラ
ス１２，１３を加工機を用いて任意の形（この実施例に
おいては円柱形）に多数個カッティングすれば、同図（
ｄ）に示すような形状となる。
【００５２】そして同図（ｅ）に示すように、前記くさ
び型カバーガラス１２とカバーガラス１３を溶剤を用い
て剥離する。なおこの実施例ではカバーガラス１２，１
３を剥離したが、カバーガラス１２，１３に所定の反射
防止膜をコートした上で該カバーガラス１２，１３を偏
光子基板６，７に光学接着剤で接着すれば、該カバーガ
ラス１２，１３を付けたままで光アイソレータ用素子と
して使用できる。この場合、端面反射を防止するため、
平板型のカバーガラス１３側を光の入射側とする。
【００５３】次に同図（ｆ）に示すように、光アイソレ
ータ用素子１の円周状の外周側面全面に樹脂コート或い
は金属コートを施す。
【００５４】以上のようにして光アイソレータ用素子１
を製造すれば、偏光子３と偏光子４の光軸Ｌ回りの調整
は、図３（ａ）に示す偏光子基板６と偏光子基板７をフ
ァラデー回転子基板５に接着するときに１度だけ行なえ
ばよく、各々の光アイソレータ用素子１毎に光学調整を
する必要がなく、その作業性は極めて良い。また所定角
度傾斜したくさび型カバーガラス１２上に積層・一体化
した各基板５，６，７から多数個の光アイソレータ用素
子１をカッティングするので、光アイソレータ用素子１
の傾斜角度θは、くさび型カバーガラス１２の傾斜面ｐ
の傾き角度θと同じ傾斜角度θを持ち、またいずれの光
アイソレータ用素子１もその傾斜角度θが同一で、均一
な品質の光アイソレータ用素子１が多数個製造できる。
【００５５】図４は本発明にかかる光アイソレータ用素
子の他の実施例を示す斜視図である。同図に示すように
この光アイソレータ用素子１５は、平板状の３枚のファ
ラデー回転子１６，１７，１８と、平板状の３枚の複素
誘電体媒質中に金属分子を分散させた偏光子１９，２０
，２１とを具備し、各ファラデー回転子１６，１７，１
８を各偏光子１９，２０，２１と交互に接着して構成さ
れている。またこの光アイソレータ用素子１５の外周側
面１５ａは、該外周面１５ａを光軸Ｌに平行に設置した
場合に、光アイソレータ用素子１５の光入出射面ｏ，ｑ
が光軸Ｌに対して垂直な位置から所定角度θだけ傾斜す
るような円周面でカットされている。
【００５６】以下各構成部品について説明する。ファラ
デー回転子１６，１７，１８は図１に示すファラデー回
転子２と同様に、それぞれ楕円板状に形成されたビスマ
ス置換ガーネット板で構成され、またその厚みは該ファ
ラデー回転子１６，１７，１８に光軸Ｌ方向に飽和磁界
を印加した場合に該ファラデー回転子１６，１７，１８
に入射する光が所定角度（この実施例においてはそれぞ
れ４５°）光軸Ｌ回りに回転するに必要な厚みに構成さ
れている。
【００５７】一方偏光子１９，２０，２１も楕円板状に
構成されている。ここで偏光子１９，２０，２１のそれ
ぞれの透過偏光方向は、所定角度ずつ（この実施例では
４５°ずつ）光軸Ｌ回りにずらされている。
【００５８】この光アイソレータ用素子１５のように、
偏光子とファラデー回転子を多段に積層すれば、多段の
光アイソレータが構成でき、上記図１に示す光アイソレ
ータ用素子１に比べて高いアイソレーションが得られる
。
【００５９】図５はこの光アイソレータ用素子１５の製
造手順を示す図である。同図に示すようにこの光アイソ
レータ用素子１５を製造するには、まず偏光子基板２３
とファラデー回転子基板２４が接着された３枚の接着板
２５，２６，２７を用意する。ここでこれら接着板２５
，２６，２７はいずれも同一形状であり、たとえば１枚
のさらに大きな偏光子基板とファラデー回転子基板とを
接着しこれをカッティングすることによって製造される
。
【００６０】そしてこれら接着板２５，２６，２７は順
次、くさび型カバーガラス１２の傾斜面ｐ上に接着され
、その上にカバーガラス１３が接着される。このとき各
接着板２５，２６，２７はそれぞれの偏光子基板２３の
透過偏光方向が光軸Ｌに対して所定角度（この実施例に
おいては４５°）相互に回転調整された位置で接着され
る。そしてこの接着一体化された積層板から図４に示す
光アイソレータ用素子１５をカッティングする方法は前
記図３（ｂ）乃至（ｆ）の方法と同様なので、その説明
は省略する。
【００６１】なお上記実施例にかかる多段型の光アイソ
レータ用素子１５は偏光子とファラデー回転子を３枚ず
つ重ね合わせて構成したが、本発明はこれに限られず、
２枚ずつでも良く、４枚以上（なお偏光子とファラデー
回転子の枚数を異ならせてもよい）で構成してもよい。
【００６２】また上記各実施例においては、光アイソレ
ータ用素子の外周側面は、いずれも円筒形状の磁石の内
周面に密着するように、円周形状に構成されたが、この
形状は種々の変形が可能である。即ち要は光アイソレー
タ用素子の外周側面と磁石の内周面が面接触するように
、両者の形状をほぼ等しい形状に構成するものであれば
、どのような形状の組合せでもよい。
【００６３】図６は上記図１に示す光アイソレータ用素
子１にレンズを直接接着した光アイソレータ用素子の他
の実施例を示す図である。即ち光アイソレータ用素子１
（又は図４に示す光アイソレータ用素子１５）の両面に
、図６（ａ）に示すような略半球状の半球レンズ２９，
２９を接着して光アイソレータ用素子３０を構成しても
良いし、同図（ｂ）に示すようなロッドレンズ３１，３
１を接着して光アイソレータ用素子３２を構成しても良
いし、同図（ｃ）に示すようなフレネルレンズ３３，３
３を接着して光アイソレータ用素子３４を構成してもよ
いし（なおフレネルレンズは偏光子上に直接形成しても
よい）、同図（ｄ）に示すような半凸レンズ３５，３５
を接着して光アイソレータ用素子３６を構成しても良い
。いずれの場合もレンズの外周側面は光アイソレータ用
素子１の外周側面と同一の円周形状とされているので、
これらレンズを取り付けた光アイソレータ用素子を筒状
の磁石内に挿入したとき、該光アイソレータ用素子の外
周面は磁石の内周面に直接面接触させることができる。 このように構成すれば、光アイソレータ用素子自体がレ
ンズ機能を持つこととなり有効である。なおレンズは他
の構造のレンズを用いても良く、またレンズは光アイソ
レータ用素子１のいずれか一方の面のみに接着してもよ
い。
【００６４】このように光アイソレータ用素子の両面或
いは片面に直接レンズを接着すれば、この光アイソレー
タ用素子を磁石内部に組み込むような場合に、改めてレ
ンズ系の光学的位置調整をする必要がなく、組立てが容
易となり、しかも装置の小型化が図れる。
【００６５】図７は図１に示す光アイソレータ用素子１
を用いて構成されたレンズ付きの光アイソレータを示す
側断面図である。図７（ａ）に示す光アイソレータ３８
は、筒状の磁石３９の内部に、図１に示す光アイソレー
タ用素子１と、球レンズ（なお他の構造のレンズを用い
ても良い）からなる結合レンズ４０を挿入した構造とな
っている。なお磁石３９の内周面には図２に示す磁石８
の場合と同様に、光アイソレータ用素子１の外径とほぼ
同一に形成された光アイソレータ用素子１の挿入部と、
光アイソレータ用素子１を当接する段部４１が設けられ
ている。
【００６６】図７（ｂ）に示す光アイソレータ４２は、
筒状の磁石４３（その内周面形状は光アイソレータ用素
子１の外周面形状と同じ）の内部に、光アイソレータ用
素子１を挿入すると共に、その両側に結合レンズ４４，
４４を挿入して構成されている。
【００６７】また図７（ｃ）に示す光アイソレータ４５
は、筒状の磁石４６内に、図６（ａ）に示す光アイソレ
ータ用素子３０を挿入して構成されている。このように
構成すれば、光アイソレータはさらに小型化できる。
【００６８】上記光アイソレータ３８，４２，４５のい
ずれの場合も、光アイソレータ用素子１の外周側面は磁
石３９，４３，４６の内周面に面接触し、このため光ア
イソレータ用素子１の光入出射面は光軸に対して垂直な
位置から所定角度θだけ傾いて固定されている。
【００６９】図８は上述の光アイソレータ３８，４２，
４５を用いて構成された半導体レーザモジュール５０を
示す図である。同図に示すように光アイソレータ３８，
４２，４５の両側にそれぞれ半導体レーザ５１と光ファ
イバ５２を配設するだけで小型の半導体レーザモジュー
ル５０が構成できる。
【００７０】図９は図１に示す光アイソレータ用素子１
を用いたＣＡＮタイプの半導体レーザモジュール５５を
示す図であり、同図（ａ）は分解斜視図、同図（ｂ）は
斜視図である。
【００７１】同図に示すように、この半導体レーザモジ
ュール５５は、ＣＡＮタイプのケース５６の内部の下方
に半導体レーザチップ５７を収納・固定し、その上部の
開口５８を斜めにカットし、該開口５８内に、図１に示
す構造の光アイソレータ用素子１を挿入し、該光アイソ
レータ用素子１の外周側面をケース５６の内周面に直接
面接触させて接着して構成される。ここでケース５６の
内周面形状と光アイソレータ用素子１の外周側面形状は
略同一に形成されているので、両面を密着するだけで、
光アイソレータ用素子１は所定角度傾けた状態にセット
できる。
【００７２】そして光アイソレータ用素子１に外部から
必要な磁界を印加しておけば、該光アイソレータ用素子
１は光アイソレータとして機能し、半導体レーザチップ
５７への戻り光は遮断され、また該光アイソレータ用素
子１自体によって反射された反射光も半導体レーザチッ
プ５７へは戻らない。
【００７３】次に図１０は他の構造のＣＡＮタイプの半
導体レーザモジュールを示す斜視図である。まず同図（
ａ）に示す半導体レーザモジュール６１において、前記
図９に示す半導体レーザモジュール５５と相違する点は
、そのケース５６′自体を磁石で構成している点である
。このように構成すれば、別途磁石を取り付ける必要が
なくなる。なおこのケースは電磁石で構成してもよい。
【００７４】次に同図（ｂ），（ｃ）に示す半導体レー
ザモジュール６３，６５は、図９に示す光アイソレータ
用素子１の代わりに、図６に示すような、光アイソレー
タ用素子自体にレンズを接着したものを用いて構成され
た半導体レーザモジュールである。
【００７５】即ち、同図（ｂ）においては図１に示す光
アイソレータ用素子１の上面（両面でもよい）に図６（
ａ）に示すような半球レンズ２９を貼り付けた光アイソ
レータ用素子６４を用いており、また同図（ｃ）におい
ては図１に示す光アイソレータ用素子１の上面（両面で
もよい）に図６（ｃ）に示すようなフレネルレンズ３３
を貼り付けた光アイソレータ用素子６６を用いている。 なお同図（ｃ）に示す半導体レーザモジュール６５のケ
ース５６″の上部の光アイソレータ用素子６６を挿入す
る開口は斜めにカットされていないが、このように構成
してもよい。
【００７６】同図（ｂ），（ｃ）のように構成すれば、
別途結合レンズを取り付けなくても良く、装置の小型軽
量化が図れ、また各光学部品間のアライメントが容易と
なる。
【００７７】図１１は本発明の他の実施例にかかる温度
依存性の少ない光アイソレータ用素子７１を示す図であ
り、同図（ａ）は光アイソレータ用素子７１の斜視図、
同図（ｂ）は光アイソレータ用素子７１の機能を示す説
明図である。
【００７８】同図（ａ）に示すようにこの光アイソレー
タ用素子７１は、円板状の第１の偏光子７２と、円板状
の第１のファラデー回転子７３と、円板状の第２の偏光
子７４と、円板状の第２のファラデー回転子７５と、円
板状の第３の偏光子７６とをこの順番で一体に接着して
構成されている。
【００７９】ここで第１のファラデー回転子７３と第２
のファラデー回転子７５は、ビスマス置換ガーネット板
を同一形状・同一厚みにして構成されており、いずれも
温度Ｔ＝２５°のときに光軸Ｌ（面に垂直な方向）に入
射する光を４５°回転するに必要な厚みに構成されてい
る。
【００８０】一方３枚の偏光子７２，７４，７６は、い
ずれも同一形状・厚みの板状二色性偏光子、或いは複素
誘電体媒質中に金属分子を分散させた平板状の偏光子に
よって構成されている。
【００８１】ここで本発明においては、第１の偏光子７
２と第２の偏光子７４は、両者の透過偏光方向が光軸に
対して（４５−α）°だけ相対的にずれる位置となるよ
うに配置されている。また第２の偏光子７４と第３の偏
光子７６は、両者の透過偏光方向が光軸に対して（４５
＋α）°だけ相対的にずれる位置となるように配置され
ている。
【００８２】なお図示していないが、この光アイソレー
タ用素子７１の円周状の側面には、金属や樹脂等がコー
トされている。
【００８３】次にこの光アイソレータ用素子７１の作用
について図１１（ｂ）を用いて説明する。同図に示すよ
うにこの光アイソレータ用素子７１においては第１の偏
光子７２と第１のファラデー回転子７３と第２の偏光子
７４によって第１光アイソレータ機能部ａが構成され、
第２の偏光子４と第２のファラデー回転子７５と第３の
偏光子７６によって第２光アイソレータ機能部ｂが構成
されている。なお図示していないが、この光アイソレー
タ用素子７１には外部から光軸Ｌ方向に向かう磁界が印
加されている。またこの実施例にかかる光アイソレータ
用素子７１の第１と第２のファラデー回転子７３，７５
のファラデー回転角の温度特性を図１２（ｄ）に示して
おく。
【００８４】光軸Ｌと平行に第１の偏光子７２に光を入
射すると、この入射光の内所定の偏波面を有する光のみ
が該第１の偏光子７２を通過し、第１のファラデー回転
子７３によってその偏波面を所定角度（温度Ｔ＝２５°
のときにθ１＝４５°）回転された後に第２の偏光子７
４に入射する。このとき第２の偏光子７４は第１の偏光
子７２に対してその透過偏光方向θ２が４５°でなく、
θ２＝（４５−α）°だけ相対的にずれているので、こ
の第１光アイソレータ機能部ａのアイソレーションは、
図１２（ａ）に示すように、温度Ｔ＝２５°よりも高温
側にそのピークをもつ。
【００８５】次に第２の偏光子７４を透過した光は第２
のファラデー回転子７５によってその偏波面が所定角度
〔温度Ｔ＝２５°のときに４５°で、全体としてθ＝（
９０−α）°〕回転された後に第３の偏光子７６に入射
する。このとき第３の偏光子７６は第２の偏光子７４に
対してその透過偏光方向が４５°でなく、（４５＋α）
°だけ相対的にずれているので（全体としてθ４＝９０
°）、この第２光アイソレータ機能部ｂのアイソレーシ
ョンは、図１２（ｂ）に示すように、温度Ｔ＝２５°よ
りも低温側にそのピークをもつ。
【００８６】従ってこれら第１，第２光アイソレータ機
能部ａ，ｂ全体のアイソレーションは、図１２（ｃ）に
示すように、広い温度範囲にわたって高いアイソレーシ
ョンを有することとなる。
【００８７】次にこの光アイソレータ用素子７１を製造
するには、まず図１３（ａ）に示すように、円板状であ
って直径の大きい第１のファラデー回転子基板７９と、
同一直径の円板状の第２の偏光子基板８０を貼り合わせ
ると共に、同一直径の円板状の第２のファラデー回転子
基板８１と第３の偏光子基板８２を貼り合わせ、次に第
２の偏光子基板８０と第３の偏光子基板８２の透過偏光
方向が（４５＋α）°光軸Ｌ回りにずれるように調整し
て、これら４枚の基板を貼り合わせる。次に同図（ｂ）
に示すように前記各基板と同一直径の第１の偏光子基板
７８を用意し、該第１の偏光子基板７８はその透過偏光
方向が前記第２の偏光子基板８０の透過偏光方向よりも
（４５−α）°ずれ且つ前記第３の偏光子基板１４の透
過偏光方向よりも９０°ずれるように調整して前記第１
のファラデー回転子基板７９の面に貼り合わせる。これ
によって同図（ｃ）に示す状態となる。なおこれらの光
学調整は室温２５℃付近で行なう。
【００８８】次に同図（ｄ）に示すようにこの一体化さ
れた基板をカッティングして光アイソレータ用素子７１
を多数個作成し、次に同図（ｅ）に示すように光アイソ
レータ用素子７１の外周側面全面に樹脂コート或いは金
属コートを施す。そして同図（ｆ）に示すように該光ア
イソレータ用素子７１を円筒状の磁石８３内に挿入して
固定すれば、光アイソレータ８４が完成する。
【００８９】なお本発明は温度特性に限らず、波長依存
性を平坦化する場合に用いても良い。この場合は例えば
第１光アイソレータ機能部ａを所定の波長よりも低い波
長のときにアイソレーションのピークが来るように、且
つ第２光アイソレータ機能部ｂを所定の波長よりも高い
波長のときにアイソレーションのピークが来るように、
第１，第２，第３の偏光子７８，８０，８２の透過偏光
方向を調整すればよい。
【００９０】なおこの光アイソレータ用素子７１の外周
側面も、図１や図４に示すように、該外周側面を光軸に
平行に設置した場合に光アイソレータ用素子７１の光入
出射面が光軸に対して垂直な位置から所定角度傾斜する
ようにカットしてもよい。
【００９１】図１４は本発明にかかる光アイソレータ用
素子を用いた半導体レーザアレイモジュール９０を示す
図であり、同図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は同図（
ａ）のＡ−Ａ線上断面図、同図（ｃ）は半導体レーザア
レイモジュール９０の主要部分の平面図である。
【００９２】同図に示すようにこの半導体レーザアレイ
モジュール９０は、ケース９１内に半導体レーザアレイ
９２と、球レンズ９３と、光アイソレータ用素子１００
と、球レンズ９４と、光ファイバ９５とを１直線に配列
するとともに、前記光アイソレータ用素子１００の周囲
に磁石９６を配設して構成されている。以下各構成部品
について説明する。
【００９３】ここで図１５は半導体レーザアレイ９２の
一部を示す斜視図である。同図及び図１４に示すように
半導体レーザアレイ９２は、６個のレーザ活性層９２ａ
を近接させて１列に配列した構造を有している。
【００９４】次に球レンズ９３，９４は、図１４に示す
ように、それぞれ６個ずつ並列に配列され、前記半導体
レーザアレイ９２の６個のレーザ活性層９２ａに対応す
るようにそれぞれ配設されている。
【００９５】図１６は光アイソレータ用素子１００を示
す斜視図である。同図に示すように光アイソレータ用素
子１００は、横長平板状のファラデー回転子１０１の両
面に、これと同様な横長平板状の２枚の偏光子１０２，
１０３をそれぞれ貼り付けて一体化して構成されている
。
【００９６】ここでファラデー回転子１０１の材質と厚
み、及び２枚の偏光子１０２，１０３の材質は、前記図
１に示すファラデー回転子２と２枚の偏光子３，４と同
等のものが用いられているのでその詳細な説明は省略す
る。また２枚の偏光子１０２，１０３は、それぞれの透
過偏光方向が所定角度（この実施例では４５°）光軸回
りにずらされた位置でファラデー回転子１０１に接着さ
れている。
【００９７】なお前記光アイソレータ用素子１００の外
周側面の形状は、磁石９６の内周面に密着する形状とす
る。
【００９８】図１７はこの光アイソレータ用素子１００
を製造する手順を示す図である。まず同図（ａ）に示す
ように平板状の大きな面積を有する２枚の偏光子基板１
０４，１０５をそれぞれファラデー回転子基板１０６の
両側に接着する。このとき２枚の偏光子基板１０４，１
０５は、両者の透過偏光方向が所定角度（この実施例で
は４５°）相互に回転した位置で接着される。そして同
図（ｂ）に示すように、この接着一体化された板をカッ
ティングして前記図１６に示すような形状の光アイソレ
ータ用素子１００を多数個切り出せばよい。
【００９９】次に磁石９６は、図１４に示すように、前
記光アイソレータ用素子１００を囲むように配設されて
いる。そしてこの磁石９６は前記ファラデー回転子１０
１に磁界を印加する。
【０１００】次に６本の光ファイバ９５は、図１４に示
すように、その端部がケース９１に並列に取り付けられ
ている。なお図１４に示す９７は、モニタ用ＰＤである
。
【０１０１】次にこの半導体レーザアレイモジュール９
０の動作を説明する。まず半導体レーザアレイ９２の各
レーザ活性層９２ａから発射されたレーザ光は、それぞ
れ球レンズ９３で平行光とされ、光アイソレータ用素子
１００に入射し、所定の直線偏光のみが該光アイソレー
タ用素子１００を透過していく。そして該透過光は球レ
ンズ９４によって再び集光されて、光ファイバ９５のコ
ア内に導入される。
【０１０２】一方光ファイバ９５の端面や、伝送路中の
光学素子端面，コネクタ等で反射された光の一部は、光
アイソレータ用素子１００に戻って来る。そしてこの戻
り光は光アイソレータ用素子１００を透過できずに除去
されるため、レーザ活性層９２ａには戻らない。
【０１０３】以上のように構成すれば、１つの光アイソ
レータ用素子１００のみで多数個のレーザ活性層９２ａ
に対応でき、半導体レーザアレイモジュール９０の小型
化が図れる。
【０１０４】図１８は上記光アイソレータ用素子１００
を用いた他の構造の半導体レーザアレイモジュール１１
０を示す図であり、同図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＢ−Ｂ線上断面図である。
【０１０５】同図に示す実施例において、上記半導体レ
ーザアレイモジュール９０と相違する点は、磁石９６を
ケース９２の外側に配設した点と、球レンズ９４を用い
ずに球レンズ９３によってレーザ活性層９２ａから発射
されたレーザ光を直接光ファイバ９５のコアに集光せし
めた点である。
【０１０６】なおこのとき同図に示すように、光アイソ
レータ用素子１００の外周側面は、ケース９１の内周面
に密着する形状に構成しておく。
【０１０７】光アイソレータ用素子１００は、図１４，
図１８に示すように、その外周側面を磁石９６或いはケ
ース９１の内周面に直接面接触させるように構成したの
で、両者の接触面を接着剤等で接着するだけで、他の治
具を用いなくても、両者は容易に固定できる。
【０１０８】図１９は本発明にかかる光アイソレータ用
素子の他の実施例を示す斜視図である。同図に示すよう
にこの光アイソレータ用素子１１５は、横長平板状の３
枚のファラデー回転子１１６と、これと同様な横長平板
状の３枚の偏光子１１７とを交互に張り合わせて一体化
されて構成されている。
【０１０９】ここで３枚のファラデー回転子１１６の厚
みは、所定の磁界を印加したときに該ファラデー回転子
１１６に入射する光の偏光面が４５°光軸回りに回転す
るに必要な厚みに構成されている。また３枚の偏光子１
１７は、それぞれその透過偏光方向が４５°ずつ光軸回
りにずらされて貼り付けられている。
【０１１０】このように偏光子とファラデー回転子を多
段に積層すれば、図１６に示す光アイソレータ用素子１
００に比べて高いアイソレーションが得られる。
【０１１１】図２０はこの光アイソレータ用素子１１５
の製造手順を示す図である。まず同図（ａ）に示すよう
に平板状の大型の偏光子基板１１８とファラデー回転子
基板１１９とが接着された３枚の接着板１２０を用意し
、同図（ｂ）に示すようにこれら各接着板１２０を接着
して積層する。
【０１１２】このとき各接着板１２０の各偏光子基板１
１８はそれぞれの偏光面が４５°ずつ相互に回転した位
置で接着される。
【０１１３】そして同図（ｃ）に示すように、該接着さ
れた積層板から図１９に示す光アイソレータ用素子１１
５をカッティングすれば、該光アイソレータ用素子１１
５が多数個得られる。
【０１１４】なおファラデー回転子と偏光子の積層数は
上記の数に限定されないことは言うまでもない。
【０１１５】次に図２１は本発明にかかる光アイソレー
タ用素子の他の実施例を示す図であり、同図（ａ）は斜
視図、同図（ｂ）は側面図である。同図に示す光アイソ
レータ用素子１２５において前記図１６に示す光アイソ
レータ用素子１００と相違する点は、その横断面が平行
四辺形となるように、光アイソレータ用素子１２５の光
が入出射する面を、光軸Ｌに対して垂直な面から所定角
度θだけ傾けてカットした点である。言い替えれば、光
アイソレータ用素子１２５の外周側面を光軸Ｌに平行に
設置した場合に光アイソレータ用素子１２５の光入出射
面が光軸Ｌに対して垂直な位置から所定角度θだけ傾斜
するようにカットした点である。
【０１１６】このようにカットした光アイソレータ用素
子１２５を、その外周側面が密着するように図１４に示
す磁石９６内や図１８に示すケース９１内に挿入し接着
すれば、該光アイソレータ用素子１２５の光入出射面は
光軸に対して垂直とならず、従って該光アイソレータ用
素子１２５によって反射される光は、レーザ活性層９２
ａに戻らない。この効果は前記図１や図４の効果と同一
である。
【０１１７】図２２は本発明のさらに他の実施例にかか
る光アイソレータを示す側断面図である。なお同図にお
いて図２に示す光アイソレータ１０と同一部分には同一
符号を付してその説明は省略する。同図に示す光アイソ
レータ１３０において、図２に示す光アイソレータ１０
と相違する点は、光アイソレータ用素子１３１を円柱状
に形成し、これに合わせて段部１３２の形状を変更した
点である。光アイソレータ用素子１３１自身による戻り
光を問題としない場合は、このように光アイソレータ用
素子１３１の光入出射面を光軸Ｌに対して垂直としても
よい。
【０１１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、以下のような優れた効果を有する。
【０１１９】■平板状のファラデー回転子と偏光子を一
体化した光アイソレータ用素子の外周側面は、該外周側
面を光軸に平行に設置した場合に光アイソレータ用素子
の光入出射面が光軸に対して垂直な位置から所定角度傾
斜するようにカットされ、また該光アイソレータ用素子
を磁石或いはケース内に収納する際に、該光アイソレー
タ用素子の外周面と磁石或いはケースの内周面が直接面
接触するように構成したので、光アイソレータ用素子を
磁石或いはケース内に挿入するだけで、光アイソレータ
はその光入出射面が光軸に対して垂直な位置から所定角
度傾斜するので、特別な治具を用いなくても該光アイソ
レータ用素子自体による反射光は光源に戻らず、容易に
除去される。また、磁石或いはケース内で光アイソレー
タ用素子を固定する特別な固定治具は不要となり部品点
数が減少し、また光アイソレータ用素子の磁石或いはケ
ース内への取り付け作業が容易となるばかりか、有効開
口径を大きく取ることができ、装置全体の小型化も図れ
る。
【０１２０】■また光アイソレータ用素子を収納する筒
状磁石内に段部を設ければ、光アイソレータ用素子の磁
石内における収納位置が容易に一定となる。
【０１２１】■光アイソレータ用素子を構成する複数枚
の偏光子の設定位置をその最適設定位置から所定角度ず
つずらせば、小型で温度依存性或いは波長依存性の小さ
い光アイソレータ用素子が実現できる。
【０１２２】■平板状のファラデー回転子と偏光子を一
体化した光アイソレータ用素子の形状をレーザアレイの
レーザ活性層の配列状態に合わせて横長に形成したので
、この光アイソレータ用素子１個でレーザアレイに設け
た多数のレーザ活性層に１度に対応できる。従って従来
のようにレーザ活性層の数に応じた多数の光アイソレー
タ用素子は不要で、装置の小型化が図れる。またこの光
アイソレータ用素子は横長に形成されるので、縦方向の
スペースをとらず、小型化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる光アイソレータ用素子の１実施
例を示す斜視図である。
【図２】光アイソレータ用素子１を用いて構成した光ア
イソレータ１０を示す図である。
【図３】光アイソレータ用素子１の製造手順を示す図で
ある。
【図４】本発明にかかる光アイソレータ用素子の他の実
施例を示す斜視図である。
【図５】光アイソレータ用素子１５の製造手順を示す図
である。
【図６】光アイソレータ用素子１にレンズを直接接着し
た光アイソレータ用素子の他の実施例を示す図である。
【図７】光アイソレータ用素子１を用いて構成されたレ
ンズ付きの光アイソレータを示す側断面図である。
【図８】光アイソレータ３８，４２，４５を用いて構成
された半導体レーザモジュール５０を示す図である。
【図９】光アイソレータ用素子１を用いたＣＡＮタイプ
の半導体レーザモジュール５５を示す図であり、同図（
ａ）は分解斜視図、同図（ｂ）は斜視図である。
【図１０】それぞれ他の構造のＣＡＮタイプの半導体レ
ーザモジュールを示す斜視図である。
【図１１】本発明の他の実施例にかかる温度依存性の少
ない光アイソレータ用素子７１を示す図である。
【図１２】光アイソレータ用素子７１のアイソレーショ
ンの温度特性と、ファラデー回転子７３，７５のファラ
デー回転角の温度特性の一例を示す図である。
【図１３】光アイソレータ用素子７１の製造方法を示す
図である。
【図１４】本発明にかかる光アイソレータ用素子１００
を用いた半導体レーザアレイモジュール９０を示す図で
ある。
【図１５】半導体レーザアレイ９２の一部を示す斜視図
である。
【図１６】光アイソレータ用素子１００を示す斜視図で
ある。
【図１７】光アイソレータ用素子１００を製造する手順
を示す図である。
【図１８】光アイソレータ用素子１００を用いた他の構
造の半導体レーザアレイモジュール１１０を示す図であ
る。
【図１９】本発明の他の実施例にかかる光アイソレータ
用素子１１５を示す斜視図である。
【図２０】光アイソレータ用素子１１５の製造手順を示
す図である。
【図２１】本発明の他の実施例にかかる光アイソレータ
用素子１２５を示す図である。
【図２２】本発明のさらに他の実施例にかかる光アイソ
レータ１３０を示す側断面図である。
【符号の説明】
１，１５，７１，１００，１１５，１２５，１３１　　
光アイソレータ用素子 １ａ　　外周側面 ２，１６，１７，１８，１０１，１１６　　ファラデー
回転子 ３，４，１９，２０，２１，１０２，１０３，１１７　
　偏光子 ５，２４，１０６，１１９　　ファラデー回転子基板６
，７，２３，１０４，１０５，１１８　　偏光子基板８
，３９，４３，４６，９６　　磁石 ９，４１，１３２　　段部 １０，３８，４２，４５，１３０　　光アイソレータＬ
　　光軸 ５０，５５　　半導体レーザモジュール５６　　ケース ５７　　半導体レーザチップ ５８　　開口 ７２　　第１の偏光子 ７３　　第１のファラデー回転子 ７４　　第２の偏光子 ７５　　第２のファラデー回転子 ７６　　第３の偏光子 ９０，１１０　　半導体レーザアレイモジュール９２　
　半導体レーザアレイ ９２ａ　　レーザ活性層

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】１又は２以上の平板状のファラデー回転子
    基板と２以上の平板状の偏光子基板を交互に接着して一
    体化したものを所定の形状にカットして構成される光ア
    イソレータ用素子であって、光アイソレータ用素子の外
    周側面は、該外周側面を光軸に平行に設置した場合に光
    アイソレータ用素子の光入出射面が光軸に対して垂直な
    位置から所定角度傾斜するように、カットされているこ
    とを特徴とする光アイソレータ用素子。
  2. 【請求項２】請求項１記載の光アイソレータ用素子を磁
    界印加用の筒状の磁石の内部に収納固定した光アイソレ
    ータであって、前記筒状の磁石の内周面と前記光アイソ
    レータ用素子の外周面は、両者が面接触するようにほぼ
    同一形状に構成されていることを特徴とする光アイソレ
    ータ。
  3. 【請求項３】ＣＡＮタイプのケース内に半導体レーザを
    収納するとともに、該半導体レーザが発射したレーザ光
    を外部に導出するケースの開口内に前記請求項１記載の
    光アイソレータ用素子を取り付けた半導体レーザモジュ
    ールであって、前記ケースの内周面と前記光アイソレー
    タ用素子の外周面は、両者が面接触するようにほぼ同一
    形状に構成されていることを特徴とする半導体レーザモ
    ジュール。
  4. 【請求項４】１又は２以上の平板状のファラデー回転子
    と２以上の平板状の偏光子を交互に接着して一体化した
    光アイソレータ用素子と、筒状であってその内部に前記
    光アイソレータ用素子を収納する磁界印加用磁石とを具
    備し、前記磁界印加用磁石の内周面には、前記光アイソ
    レータ用素子の外周面が面接触するように該光アイソレ
    ータ用素子の外周面形状とほぼ同一形状に構成された挿
    入部と、該挿入部の内径を若干小さくして該挿入部に挿
    入された光アイソレータ用素子の外周辺を係止する段部
    を設けたことを特徴とする光アイソレータ。
  5. 【請求項５】それぞれ平板状に構成された第１の偏光子
    基板と第１のファラデー回転子基板と第２の偏光子基板
    と第２のファラデー回転子基板と第３の偏光子基板をこ
    の順番に配列し、前記第１の偏光子基板と前記第２の偏
    光子基板の透過偏光方向は前記第１のファラデー回転子
    基板に対する最適設定位置からさらにα°相対的にずら
    せた位置に配置され、前記第２の偏光子基板と第３の偏
    光子基板の透過偏光方向は前記第２のファラデー回転子
    基板に対する最適設定位置から逆方向にα°相対的にず
    らせた位置に配置され、これら各基板間を一体に接着し
    、該接着して一体化された基板を所定の形状にカットし
    て構成されることを特徴とする光アイソレータ用素子。
  6. 【請求項６】前記光アイソレータ用素子の外周側面は、
    該外周側面を光軸に平行に設置した場合に光アイソレー
    タ用素子の光入出射面が光軸に対して垂直な位置から所
    定角度傾斜するように、カットされていることを特徴と
    する請求項５記載の光アイソレータ用素子。
  7. 【請求項７】複数個のレーザ活性層を並列に配列したレ
    ーザアレイの前面に配設される光アイソレータ用素子に
    おいて、前記光アイソレータ用素子は、１または２以上
    の平板状のファラデー回転子と２以上の平板状の偏光子
    を具備し、これらファラデー回転子と偏光子を交互に接
    着して一体化するとともに、前記レーザアレイのレーザ
    活性層の配列状態に合わせて横長形状に構成されたこと
    を特徴とする光アイソレータ用素子。
  8. 【請求項８】前記光アイソレータ用素子の外周側面は、
    該外周側面を光軸に平行に設置した場合に光アイソレー
    タ用素子の光入出射面が光軸に対して垂直な位置から所
    定角度傾斜するように、カットされていることを特徴と
    する請求項７記載の光アイソレータ用素子。
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US07/919,283 US5402260A (en) 1990-08-06 1992-07-24 Element for optical isolator and optical isolator employing the same, together with semiconductor laser module employing the optical isolator element

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996020423A1 (fr) * 1994-12-27 1996-07-04 Tokin Corporation Ensemble de dispositifs optiques pour isolateur optique et son procede de fabrication
US5917643A (en) * 1993-03-12 1999-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical isolator
JP2000241763A (ja) * 1999-02-24 2000-09-08 Tokin Corp 光アイソレータ
US7253956B2 (en) 2003-01-29 2007-08-07 Kyocera Corporation Optical isolator element, a method for producing such an element, and an optical isolator using such an element
JP2010152297A (ja) * 2008-11-27 2010-07-08 Kyocera Corp 偏光子、光アイソレータおよびそれを用いた光デバイス

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6084674A (en) * 1999-01-04 2000-07-04 J. A. Woollam Co., Inc. Parallelogram shaped optical retarder element for use in spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems
US6100981A (en) * 1999-01-04 2000-08-08 J.A. Woollam Co. Inc. Dual horizontally oriented triangle shaped optical retarder element for use in spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems
US6353477B1 (en) 1992-09-18 2002-03-05 J. A. Woollam Co. Inc. Regression calibrated spectroscopic rotating compensator ellipsometer system with pseudo-achromatic retarder system
US6141102A (en) * 1999-01-19 2000-10-31 J. A. Woolam Co. Inc Single trianglular shaped optical retarder element for use in spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems
US6118537A (en) * 1999-01-04 2000-09-12 J. A. Woollam Co. Inc. Multiple tipped berek plate optical retarder elements for use in spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems
US5867314A (en) * 1993-12-09 1999-02-02 Fuji Electrochemical Co., Ltd. Structure of optical passive device and assembling method therefor
TW294810B (ja) * 1994-09-23 1997-01-01 Philips Electronics Nv
US5712728A (en) * 1994-10-06 1998-01-27 Chen; Peter Methods and devices incorporating wideband faraday rotation
US5726801A (en) * 1994-12-21 1998-03-10 E-Tek Dynamics, Inc. Reduced optical isolator module for a miniaturized laser diode assembly
US5757538A (en) * 1995-02-16 1998-05-26 Tokin Corporation Optical isolator
US5946098A (en) * 1997-12-23 1999-08-31 J.A. Woollam Co. Inc. Optical elements for use in spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems
US5808793A (en) * 1996-01-17 1998-09-15 Hewlett-Packard Company Low-cost compact optical isolators
GB9610621D0 (en) * 1996-05-21 1996-07-31 Hewlett Packard Co Optical isolator
US6275336B1 (en) * 1996-07-30 2001-08-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical isolator
US6235141B1 (en) 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
KR100200210B1 (ko) * 1996-11-30 1999-06-15 윤종용 광 아이솔레이터
JP3206536B2 (ja) * 1997-02-21 2001-09-10 住友電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
EP0991516A4 (en) * 1997-06-26 2002-04-24 Corning Inc OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR THEIR ASSEMBLY
JPH11218721A (ja) * 1997-11-07 1999-08-10 Samsung Electronics Co Ltd 多段複合光学装置
US6043933A (en) * 1997-11-21 2000-03-28 Hewlett-Packard Company Split optical element and a low cost fabrication approach
KR100275653B1 (ko) * 1998-03-04 2001-01-15 박호군 편광의존형 방향성 고립기 및 이를 이용한 고리형 공진기레이저
US6421176B1 (en) * 1998-09-18 2002-07-16 3M Innovative Properties Company Optical isolator
US6167174A (en) * 1998-10-27 2000-12-26 Adc Telecommunications, Inc. Multiple port, fiber optic isolator
US6289152B1 (en) 1998-10-27 2001-09-11 Adc Telecommunications, Inc. Multiple port, fiber optic coupling device
US6207950B1 (en) * 1999-01-11 2001-03-27 Lightlogic, Inc. Optical electronic assembly having a flexure for maintaining alignment between optical elements
AU2321800A (en) 1999-01-29 2000-08-18 Nec Tokin Corporation Optical isolator comprising a faraday rotator
US6137618A (en) * 1999-02-08 2000-10-24 J. A. Woollam Co. Inc. Compact, high extinction coefficient combination brewster angle and other than brewster angle polarizing system, and method of use
US6600601B1 (en) * 1999-04-12 2003-07-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polarization-independent optical isolator and production method thereof
JP2001125047A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Minebea Co Ltd 光アイソレータ
JP3924104B2 (ja) * 2000-01-28 2007-06-06 信越化学工業株式会社 光ファイバ付きフェルール接続型光アイソレータ
JP2001242363A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Ngk Insulators Ltd 光学部品の接着構造
JP2002267842A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Nippon Sheet Glass Co Ltd 偏光素子及びその製造方法
US20030002128A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd Optical isolator
US20030081906A1 (en) * 2001-10-26 2003-05-01 Filhaber John F. Direct bonding of optical components
US6814833B2 (en) * 2001-10-26 2004-11-09 Corning Incorporated Direct bonding of articles containing silicon
US20030079503A1 (en) * 2001-10-26 2003-05-01 Cook Glen B. Direct bonding of glass articles for drawing
US6836602B2 (en) 2001-10-26 2004-12-28 Corning Incorporated Direct bonding of optical components
US20030188553A1 (en) * 2002-04-08 2003-10-09 Mann Larry G. Direct bonding methods using lithium
US6791748B2 (en) 2002-05-02 2004-09-14 Corning Incorporated Optical isolators and methods of manufacture
US6950235B2 (en) * 2002-05-02 2005-09-27 Corning Incorporated Optical isolators and methods of manufacture
US20030230113A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Patrick Gedeon Methods for manufacturing glass articles
US7196744B1 (en) * 2002-10-18 2007-03-27 Finisar Corporation Optical transceiver package with a liquid crystal variable optical attenuator
WO2004062140A2 (en) * 2002-12-30 2004-07-22 Corning Incorporated Fast-switching scalable optical interconnection design with fast contention resolution
US20070110361A1 (en) * 2003-08-26 2007-05-17 Digital Optics Corporation Wafer level integration of multiple optical elements
US7474813B2 (en) * 2003-11-10 2009-01-06 Finisar Corporation Connector mountable asymmetric free space optical isolators
JP2005266182A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Nec Tokin Corp 光アイソレータ
US7961391B2 (en) * 2008-03-13 2011-06-14 Finisar Corporation Free space isolator optical element fixture
EP2571117A1 (de) * 2011-09-15 2013-03-20 Axetris AG Lasereinheit mit unterdrückter Rückkopplung
JP6860436B2 (ja) * 2017-06-29 2021-04-14 信越化学工業株式会社 光アイソレータモジュール
US20250328033A1 (en) * 2024-04-17 2025-10-23 Electro-Optics Technology, Incorporated Compact polarization-dependent faraday isolator

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58139082A (ja) * 1982-02-15 1983-08-18 Hitachi Ltd 磁界測定装置
US4461543A (en) * 1982-03-26 1984-07-24 Sperry Corporation Electro optic switch
JPS60202415A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Hoya Corp 光アイソレ−タ
US4686678A (en) * 1984-03-27 1987-08-11 Nec Corporation Semiconductor laser apparatus with isolator
JPS60238813A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Fujitsu Ltd 光アイソレ−タ
JPS6273227A (ja) * 1985-09-27 1987-04-03 Fujitsu Ltd 光アイソレ−タ
JPS62192718A (ja) * 1986-02-20 1987-08-24 Fujitsu Ltd 光アイソレ−タ
JPS62242915A (ja) * 1986-04-16 1987-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光アイソレ−タ及びその製造方法
JPS6317426A (ja) * 1986-07-09 1988-01-25 Nec Corp 光アイソレ−タ
JP2628575B2 (ja) * 1986-08-19 1997-07-09 住友電気工業株式会社 縦接接続型アイソレータ及びその製造方法
JPS6474524A (en) * 1987-09-16 1989-03-20 Fujitsu Ltd Semiconductor laser module incorporating optical isolator
WO1989008278A1 (fr) * 1988-02-26 1989-09-08 Fujitsu Limited Dispositif isolant polarisant et isolateur optique l'utilisant
JPH0229714A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Fuji Elelctrochem Co Ltd 光アイソレータ
JPH02123321A (ja) * 1988-11-02 1990-05-10 Shojiro Kawakami 光アイソレータの製造方法および同製造方法に用いられる偏光素子アレイ並びに同製造方法で得られた光アイソレータを一体化した光学モジュール

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917643A (en) * 1993-03-12 1999-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical isolator
WO1996020423A1 (fr) * 1994-12-27 1996-07-04 Tokin Corporation Ensemble de dispositifs optiques pour isolateur optique et son procede de fabrication
JP2000241763A (ja) * 1999-02-24 2000-09-08 Tokin Corp 光アイソレータ
US7253956B2 (en) 2003-01-29 2007-08-07 Kyocera Corporation Optical isolator element, a method for producing such an element, and an optical isolator using such an element
JP2010152297A (ja) * 2008-11-27 2010-07-08 Kyocera Corp 偏光子、光アイソレータおよびそれを用いた光デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
US5402260A (en) 1995-03-28
US5452122A (en) 1995-09-19

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