JP2000514184A - 電子ピペッタおよび電気泳動バイアスのための補償手段 - Google Patents

電子ピペッタおよび電気泳動バイアスのための補償手段

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Abstract

(57)【要約】 チャネル(140)は、部分(142、144)に分割されている。各チャネル部分(142、144)の側壁は、反対の極性の表面電荷を有する。2つのチャネル部分(142、144)は、ガラスフリットまたはゲル層などの塩橋(133)によって共に物理的に接続されている。塩橋(133)は、チャネル(140)内の流体をイオン流体リザバー(135)から分離する。電気浸透および電気泳動力をパートAとパートBとの間のチャネル(140)に沿って与えるために、第3の電極(137)がリザバー(135)に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】 電子ピペッタおよび電気泳動バイアスのための補償手段 関連出願との相互参照 本願は、1996年6月28日付けで出願された米国特許出願シリアルNo.08/671,98 6号の一部継続出願である1996年12月6日付けで出願された米国特許出願シリア ルNo.08/760,446号の、一部継続出願である。これら全ての出願の全体を、本明 細書において参考のためあるゆる目的で援用する。 発明の背景 化学的および生化学的情報の取得のための、微小流体(microfluldic)システム の製造および使用に対する関心が高まってきている。通常は半導体エレクトロニ クス産業に関連する、フォトリソグラフィー、ウェット化学エッチングなどの技 術が、これらの微小流体システムの製造にも用いられている。「微小流体」の用 語は、一般にはミクロンまたはミクロン以下の規模で(例えば少なくとも1つの 断面寸法が約0.1μmから約500μmの範囲を有するような)、チャネルお よびチャンバを有するシステムまたはデバイスを指す。微小流体システムの製造 のための平面チップ技術の使用の初期的な考察が、ManzらのTrends in Anal.Ch em.(1990)10(5):144-149および、ManzらのAvd.in Chromatog.(1993)33:1-66に 記載されている。これらは、シリコンおよびグラス基板における、上述のような 流体デバイス、特に微小キャピラリーデバイスの製造を記載している。 微小流体システムの応用例は無数にある。例えば、1996年2月15日付けで公開 された国際特許出願WO 96/04547は、キャピラリー電気泳動、液体クロマトグラ フィー、フロー注入分析、ならびに化学反応および合成に微小流体システムを使 用することを記載している。1996年6月28日付けで提出された米国特許出願シリ アルNo.08/671,987号(本明細書において参考のために援用する)は、化学系、 そして好ましくは生化学系において多数の化合物の影響を素早くアッセイする際 の、微小流体システムの幅広いアプリケーションを開示している。「生化学系」 の語句は、生きた生物体中に一般に見られるタイプの分子に関わる化学的相互作 用を一般に指す。そのような相互作用には、酵素的反応、結合反応、シグナル伝 達反応(signaling reaction)およびその他の反応を含む、生存している系の中で 起こる多様な異化および同化反応が含まれる。特に関心の高い生化学系は、例え ば、レセプター−リガンド相互作用、酵素−基質相互作用、細胞シグナル伝達経 路、生体利用性スクリーニングのためのモデルバリヤ系(例えば細胞または膜画 分など)を包含する輸送反応、および様々な他の一般的な系である。 これらの微小流体システムまたはデバイス内におけるサンプル、分析物、緩衝 剤および試薬などの流体の輸送および方向付けに関して、多くの方法の記載があ る。1方法においては、微小製造されたデバイス内の流体を、デバイス内の機械 的微小ポンプおよび弁により移動させる。公開されている英国特許出願第2 248 891号(10/18/90)、公開されている欧州特許出願第568902号(5/2/92)、ならびに 米国特許第5,271,724号(8/21/91)および第5,277,556号(7/3/91)を参照のこと。 また、Miyazakiらの米国特許第5,171,132号(12/21/90)も参照のこと。別の方法 においては、音響エネルギーを用いて、音響ストリーム(acoustic streaming)効 果により、デバイス内の流体サンプルを移動させる。公開されているNorthrupお よびWhiteのPCT出願第94/05414号を参照のこと。率直な方法としては、外圧を加 えることによりデバイス内の流体を移動させる。例えば、Wildingらの米国特許 第5,304,487号における説明を参照のこと。 さらに別の方法では、電界を用いることにより微小流体システムのチャネルを 通って流体物質を移動させる。例えば、公開されているKovacsの欧州特許出願第 376 611号(12/30/88)、HarrisonらのAnal.Chem.(1992)64:1926-1932および、Ma nzらのJ.Chromatog.(1992)593:253-258、ならびにSoaneの米国特許第5,126,022 号を参照のこと。動電力は、直接制御、高速応答および単純性の利点を有する。 しかし、依然としていくつかの欠点を有する。効率を最大にするためには、対象 物質がなるべく一緒に輸送されることが望ましい。しかし物質は、他の輸送され る物質からの相互汚染なしに輸送されるべきである。さらに、ある微小流体シス テム中のある位置に存在するある状態の物質は、その微小流体システム中の別の 位置に移動された後にも同じ状態を保つべきである。これらの条件により、所望 の ときおよび場合において、化合物物質の試験、分析および反応を制御することが 可能になる。 物質が動電力によって移動される微小流体システムにおいて、対象物質領域中 およびこれらの対象物質領域を分離する領域中にある帯電された分子およびイオ ンが様々な電界に曝されることにより、流体フローを起こす。 しかしこれらの電界が印加された際、対象物質中の異なって帯電された種は、 異なる電気泳動移動度を示す。すなわち、正に帯電された種は負に帯電された種 とは異なった速度で移動する。過去においては電界に曝されたサンプル中の異な る種の分離は問題とは考えられていなく、実際、例えばキャピラリー電気泳動な どにおいては望まれた結果であった。しかし、単純な流体輸送が望まれる場合、 これらの変動する移動度は、対象物質中に望ましくない変化あるいは「電気泳動 バイアス」をもたらし得る。 相互汚染を回避するための考慮および手段なしには、微小流体システムは対象 物質を広く分離するか、最悪の場合、物質を一度につき1つずつシステムを通っ て移動させなければならない。いずれの場合でも微小流体システムの効率は大き く減少する。さらに、輸送される物質の状態が輸送中において維持されないとす ると、物質がある場所に不変のままで到達することを要求する多くのアプリケー ションを避けなければならない。 本発明は、動電学的輸送の有するこれらの問題を解決あるいは実質的に緩和す る。本発明を用いれば、微小流体システムは、効率的かつ輸送される物質中に望 ましくない変化を起こさずに、物質を移動させることができる。本発明は、化学 、生化学、バイオテクノロジー、分子生物学、および他の多くの分野などの幅広 い範囲のアプリケーションにおいて、微小流体システムのチャネルを通る物質の 移動に関して直接的、高速かつ率直な制御を有する、高スループットの微小流体 システムを提供する。 発明の要旨 本発明は、「対象物質領域」とも呼ばれる流体スラグ内のチャネルに沿って、 対象物質を微小流体システムの第1の点から第2の点に電気浸透によって移動さ せる微小流体システムを提供する。高イオン濃度の第1のスペーサ領域は、少な くとも1つの側で各対象物質領域と接触し、低イオン濃度の第2のスペーサ領域 は、対象物質の対象物質領域、および第1または高イオン濃度のスペーサ領域と 共に配置され、少なくとも1つの低イオン濃度領域は、常に、第1の点と第2の 点との間にあり、電圧降下および2つの点の間で得られる電界のほとんどが低イ オン濃度領域をわたることを確実にする。 本発明はまた、対象物質を電気浸透力で移動させる微小流体システムと適合す る電子ピペッタを提供する。電子ピペッタは、チャネルを有するキャピラリーを 備える。電極は、キャピラリーの外部の長さに沿って取り付けられ、キャピラリ ーの端部で電極リングの形態で終結する。キャピラリーの端部が物質ソースに配 置されるときにチャネルが流体連通される標的リザバーでの電極上の電圧および 電極を操作することによって、物質は、動電学的にチャネルに誘導される。一列 の対象物質領域、高および低イオン濃度緩衝剤またはスペーサ領域は、微小流体 システム内に容易に導入されようにチャネル内に形成され得る。 本発明はさらに、対象物質が、微小流体システムのチャネルに沿って動電学的 に輸送される際の電気泳動バイアスを補償する。1つの実施態様において、微小 流体システムの2つの点間のチャネルは、反対の表面電荷の側壁を備えた2つの 部分を有する。電極は、2つの部分の間に配置されている。2つの点における電 圧が実質的に等しく、2つの部分の間の中間電極が異なって設定されるとき、電 気泳動力は、2つの部分において反対の方向になり、電気浸透力は同じ方向にな る。対象物質が1つの点から他の点に輸送されるとき、電気泳動バイアスは、電 気浸透力がチャネルを通して流体物質を移動させる間に補償される。 他の実施態様において、チャンバは、微小流体システムのチャネルの交差部に おいて形成される。チャンバは、交差するチャネルの側壁を接続する側壁を有す る。対象物質領域が交差部で1つのチャネルから他のチャネルに向けられるとき 、チャンバ側壁は、対象物質領域を第2のチャネル向かって幅を狭める(funnel )。第2のチャネルは、拡散によって、対象物質が第1のチャネルに沿って移動 するときに対象物質領域において電気泳動によって付勢されたすべての対象物質 が混合されるような幅である。 さらに他の実施態様において、本発明は、少なくとも2つの交差チャネルを有 する微小流体デバイス内の流体ストリームを制御可能に送達するための微小流体 システムおよびこのシステムを用いる方法を提供する。システムは、少なくとも 2つの交差チャネルが内部に設けられた基板を有する。この点において、チャネ ルの1つは、他のチャネルよりも深い。システムはまた、電気浸透流体方向シス テムを有する。システムは、流体ストリームが異なるイオン強度を有する少なく とも2つの流体領域を含む場合に特に有用である。 本発明はまた、本発明の電子ピペッタを用いるサンプル抽出システムを提供す る。サンプル抽出システムは、サンプル基板を有し、サンプル基板には、複数の 異なるサンプルが固定されている。また、電子ピペッタをサンプル基板に対して 移動させるための移行システムも含まれる。 本発明は、上記のように、複数の異なる用途に使用され、その用途自体が進歩 的であり、例えば、以下の通りである。 少なくとも第1の対象物質を少なくとも第1の位置から第2の位置にチャネル に沿って輸送し、印加電圧によりチャネルに沿って輸送される低イオン濃度の少 なくとも1つの領域を用いる際の、チャネルを有する基板の使用。 1つの領域のイオン濃度が、対象物質のイオン濃度よりも実質的に低い上記発 明の使用。 複数の対象物質が輸送され、高イオン濃度スペーサ領域によって分離される、 上記発明の使用。 少なくとも第1の対象物質が輸送され得るチャネルを有する基板の電気泳動バ イアス補償における使用であって、チャネルが第1および第2の部分に分割され 、チャネルの1つまたはそれ以上の壁が反対に帯電し、第1の部分における輸送 による少なくとも1つの対象物質上の電気泳動バイアスが、第2の部分における 輸送による電気泳動バイアスによって実質的に補償される、使用。 第1の電極が第1の部分の遠位端に配置され、第2の電極が第1の部分と第2 の部分との間の交差部に配置され、第3の電極が第2の部分の遠位端に配置され ている、上記発明の使用。 基板が微小流体システムである上記発明の使用。 基板が電子ピペッタである、上記発明の使用。 電子ピペッタが、対象物質を輸送するための主要なチャネル、および主要なチ ャネルに流体連通されている少なくとも1つの他のチャネルを有し、この他のチ ャネルから、主要なチャネルに沿って輸送される他の物質が得られる、上記発明 の使用。 他の物質が、複数の個別の対象物質のそれぞれの間の緩衝領域として主要チャ ネルに導入される、上記発明の使用。 流れ条件を最適化する際に異なる深さを有するチャネルと交差する、少なくと も第1および第2の流体チャネルを有する微小流体システムの使用。 1つのチャネルが、他のチャネルよりも2から10倍の間深い、上記発明の使 用 電気泳動補償における、第1のチャネルと第1のチャネルと交差する第2のチ ャネルとを有する微小流体システムの使用であって、チャネル間の交差が、第1 のチャネルに沿って第2のチャネルに輸送される流体が交差部で混合され、流体 内の電気泳動バイアスが拡散されるような形状になっている、使用。 図面の簡単な説明 図1は、微小流体システムの一実施形態の概略図である。 図2Aは、本発明の一実施形態に基づく、図1の微小流体システムの1つのチ ャネル中を移動する流体領域の構成を示す。図Bは、本発明による微小流体シス テムの1つのチャネル中を移動する異なる流体領域の別の構成の、一定の縮尺に よる図である。 図3Aは、微小流体システムの1つのチャネル中を移動する対象物質領域の前 に高イオン濃度スペーサ領域を有する、別の構成である。図3Bは、微小流体シ ステムの1つのチャネル中を移動する対象物質領域の後に高イオン濃度スペーサ 領域を有する構成を示す。 図4Aは、本発明による電子ピペッタの一実施形態の概略図である。図4Bは 、本発明による別の電子ピペッタの概略図である。 図5は、本発明による微小流体システムにおける、反対に帯電された側壁を有 する部分を備えたチャネルの概略図である。 図6A〜6Dは、本発明による微小流体システム中のチャネルの交差点におけ る漏斗状側壁(funneling sidewalls)の混合作用を示す。 図7Aは、低塩緩衝剤中の2つの反対に帯電された化学種からなるサンプル流 体を、低塩緩衝剤で満たしたキャピラリー内へ3回注入した結果を示す。図7B は、サンプルが高塩緩衝剤中にあり、サンプル領域の両端においてガードバンド として機能するよう高塩緩衝剤流体が注入され、低塩緩衝剤を満たしたキャピラ リー内でサンプル/ガードバンドを泳走(run)させた場合の、3回のサンプル注 入の結果を示す。図7Cは図7Bと同様な3回のサンプル注入の結果を示すが、 ただしサンプル/高塩スペーサ(ガードバンド)間の低塩スペーサ領域のサイズ を小さくすることにより、サンプル要素が後のサンプルまたは以前のサンプルを 犠牲にする(compromise)ことなくサンプル内の種の部分的な分解(resolution)を 可能にしている。 図8は、基材シートまたはマトリクス上に例えば乾燥などにより固相化された サンプルを用いるサンプル抽出システムとともに用いられる、電子ピペッタの概 略図を示す。 図9Aは、本発明に基づき電子ピペッタに定期的に注入されその中を移動され るテスト化学種からなるサンプル流体の移動を示す、蛍光対時間のプロットであ る。図9Bは、異なるパラメータ下において、電子ピペッタに接続された微小流 体基板を通る化学種を有するサンプル流体の移動を示す、別のプロットである。 図9Cは、空気摩耗(air abraded)基板から形成された電子ピペッタを通るサン プル流体および化学種の移動を示す、プロットである。 図10は、やはり本発明に基づき電子ピペッタに定期的に注入されたサンプル 流体中の化学種の移動を示すプロットである。この実験における種は低分子化合 物である。 発明の詳細な説明 I.微小流体システムの一般的構成 図1は、本発明による微小流体システム100例の代表図である。図示のよう に、デバイス全体100は、平面状基板102内に製造される。適切な基板材料 は一般的に、デバイスによって行われるべき特定の動作中において存在する条件 に対する適合性に基づいて選択される。そのような条件は、pHの極値、温度、イ オン濃度、および電界の印加を含み得る。また、基板材料も、システムによって 行われる分析または合成の重要成分に対して不活性性であるように選択される。 有用な基板材料は例えば、ガラス、石英およびシリコン、ならびに例えばプラ スチックなどの高分子基板を含む。導電性または半導電性基板の場合、基板上に 絶縁層が必要である。これは後述のように、デバイスが例えば電気的流体指向シ ステムやセンサなどの電気的要素を備えている場合、あるいは電気浸透力を用い て物質をシステムにおいて移動させる場合に特に重要である。高分子基板の場合 、使用目的に依存して基板材料は剛体、準剛体または非剛体、不透明、半透明ま たは透明であり得る。例えば、光学的または視覚的検出要素を有するデバイスは 一般に、検出を可能にするか少なくとも容易にするために、少なくとも一部は透 明材料から製造される。あるいは、これらのタイプの検出要素のために、例えば ガラスまたは石英からなる透明窓をデバイスに備えてもよい。さらに、高分子材 料は直鎖状または分岐鎖状骨格を有していてもよく、架橋されていてもされてい なくてもよい。特に好適な高分子材料の例としては、例えば、ポリジメチルシロ キサン(PDMS)、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリスチレン、ポリスル ホン、ポリカーボネートなどがある。 図1に示すシステムは、基板102の表面内に製造された一連のチャネル11 0、112、114および116を有している。「微小流体」の定義において述 べられるように、これらのチャネルは典型的には非常に小さい断面寸法、好まし くは約0.1μmから約100μmの範囲の断面寸法を有している。後述する特 定のアプリケーションにおいては、約10μmの深さおよび約60μmの幅を有 するチャネルが効果的に動作するが、これらの寸法からはずれることもまた可能 である。 これらのチャネルおよび他の微小スケール要素を基板102の表面内に製造す ることは、任意の数の当該分野で周知の微小製造技術を用いて行い得る。例えば 、半導体製造産業において周知の方法とともにリソグラフィー技術を用いてガラ ス、 石英またはシリコン基板を製造してもよい。フォトリソグラフィーマスキング、 プラズマエッチングまたはウェットエッチング、およびその他の半導体プロセス 技術は、基板内または基板上に微小スケールの要素を規定する。あるいは、レー ザドリリング、微小ミリング(micromilling)などの微小機械加工法を用いてもよ い。同様に、高分子基板に対しても、周知の製造技術が用いられ得る。これらの 技術は、例えばローリングスタンプを用いて微小スケールの基板の大きなシート を作成することにより多数の基板を作成し得る射出成形技術またはスタンプ成形 法、または、基板を微小製造鋳型内で重合する高分子微小鋳造技術を含む。 基板102に加え、微小流体システムはチャネルを作成した基板102に重な る追加的な平面状要素(図示せず)を有することにより、様々なチャネルを封じ (enclose)かつ流体的に密閉して導管を形成する。平面状カバー要素は、熱接合 、接着剤、あるいは、ガラスまたは準剛体および非剛体高分子基板の場合には、 2つの構成要素間の自然な癒着などを含む様々な手段により、基板に取り付けら れ得る。特定のスクリーニングに必要な様々な流体要素を導入するためのアクセ スポートおよび/またはレザバー(reservoir)を、平面状カバー要素にさらに設 けてもよい。 図1に示すシステム100はまた、チャネル114、116および110の端 部にそれぞれ位置しかつ流体連通された、レザバー104、106および108 を有する。図示のようにサンプルチャネル112を用いて、複数の異なる対象物 質をデバイスに導入する。このようにチャネル112は多数の別々の対象物質の ソースに流体連通され、多数の別々の対象物質は、個々にサンプルチャネル11 2中に導入された後、別のチャネル110中に導入される。図示のように、チャ ネル110は電気泳動により対象物質を分析するために用いられる。「対象物質 」の用語は単に、問題とする化合物または生物学的化合物などの物質を指すこと に留意せよ。対象化合物は、化合物、化合物の混合物(例えば多糖類)、小さい 有機分子または無機分子、生物学的マクロ分子(例えばペプチド、タンパク質、 核酸、あるいは細菌、植物、菌類、または動物細胞もしくは組織などの生物学的 物質から作成された抽出物)、天然に生じる組成物または合成組成物などを含む 、広範な異なる化合物を含み得る。 システム100は、各レザバーに選択された電圧レベル(接地を含む)を同時 に印加する能力を有する電圧コントローラから供給された動電力により、物質を チャネル110、112、114および116を通って移動させる。そのような 電圧コントローラは、複数の電圧分割器および複数のリレーを用いて選択的な電 圧レベルを得ることによって実現することができる。あるいは、複数の独立な電 圧源を用いてもよい。電圧コントローラは、複数のレザバーのそれぞれ内に位置 するあるいは製造された電極を介して、各レザバーに電気的に接続される。例え ば、公開されているRamseyの国際特許出願WO 96/04547を参照せよ。この文献全 体を本明細書において参考のためあるゆる目的で援用する。 II.動電輸送 A.概説 システム100のチャネル中の流体物質への動電力は、電気浸透力および電気 泳動力に分けることができる。本発明のシステム中に用いられる流体制御システ ムは、電気浸透力を用いて、基板102の表面上にある様々なチャネルおよび反 応チャンバ内の流体を移動、配向、および混合する。つまり、適切な流体を、表 面に官能基が存在するチャネルまたは他の流体導管に入れると、これらの基はイ オン化し得る。例えば、チャネルの表面がその表面に水酸官能基を含むとき、プ ロトンがチャネルの表面を離れて、流体へ入り得る。このような条件下では、特 にチャネル表面と流体との界面近くに局在して、表面は実質的に負電荷を有し、 流体は過剰なプロトンまたは正電荷を有する。 チャネルの長さ方向にわたって電界を印加することによって、カチオンが負電 極に向かって流れる。流体中の正に荷電された種が動くと、溶媒もこれらの種と 一緒に動く。このような流体運動の定常状態速度は、概ね以下の等式によって与 えられる。 但し、vは溶媒の速度、εは流体の誘電率、ξは表面のゼータ電位、Eは電界強 度、そしてηは溶媒の粘度を表す。よって、この等式から容易に判るように、溶 媒の速度は、ゼータ電位および印加電界に正比例している。 電気浸透力に加えて、システム100のチャネルを介して移動する際に荷電し た分子に影響を与える電気泳動力も存在する。システム100中の1点から他の 1点へ対象物質を輸送する場合、対象物質の組成が輸送中に影響を受けることな く残っていること、すなわち、対象物質が輸送中に電気誘導的に分別されないこ とが所望であることが多い。 本発明によると、対象物質は複数の流体スラグ(以後、「対象物質領域」と呼 ぶ)としてチャネルを移動する。こららの対象物質領域は、高いイオン濃度を有 し、これにより、特定の領域内の対象物質にかかる電気泳動力を最少化する。対 象物質領域内の電気泳動力の影響を最少化するために、スペーサ流体領域(「第 1スペーサ領域」)がスラグのいずれか一方の側面に配置される。このような第 1スペーサ領域は、以下に説明するように高いイオン濃度を有し、これにより、 これらの領域中の電界を最少化するので、対象物質が微小流体システム中のある 場所から他の場所へ輸送されることによって実質的に影響されない。対象物質は 、対象物質を含有する領域とは異なるイオン強度を持つ他の領域と共に、あるイ オン強度を持つ領域内のシステム100の代表的なチャネル110、112、1 14、116を介して輸送される。 特定の構成を図2Aに示す。図2Aは、対象物質領域200が微小流体システ ム100のチャネルに沿って点Aから点Bへ輸送されているところを示す。対象 物質領域200のいずれの側にも、高イオン強度流体の第1スペーサ領域201 がある。さらに、低イオン濃度流体の第2スペーサ領域202は、対象物質領域 200と第1スペーサ領域201との配置を一定周期で離す。低いイオン濃度の ため、点Aと点Bとの間の電圧降下のほとんどは、第2スペーサ領域202で生 じる。対象物質領域200および第1スペーサ領域201がチャネルを介して電 気浸透的にポンピングされるときに、第2の低濃度スペーサ領域202が点Aお よび点B間に常に少なくとも1つはあるように、対象物質領域200および第1 スペーサ領域201の配置の間に第2の低濃度スペーサ領域202を散在させる 。これによって、電圧降下のほとんどが、対象物質領域200および第1スペー サ領域201ではなく、第2スペーサ領域202内で生じることを確実にする。 言 い換えると、点Aと点Bとの間の電界は第2スペーサ領域202に集中し、対象 物質領域200および第1スペーサ領域201には低い電界(および低い電気泳 動力)がかかる。よって、対象物質領域200、第1スペーサ領域201および 第2スペーサ領域すなわち低イオン濃度スペーサ領域202内の相対的なイオン 濃度に依存して、対象物質領域200および第1と第2スペーサ領域201なら びに202の他の配置が形成され得る。 例えば、図2Bは、第2スペーサ領域すなわち低イオン濃度スペーサ領域2 02が、第1スペーサ領域201/対象物質領域200/第1スペーサ領域20 1のそれぞれの組み合わせの間に一定に間隔をあけられた配置を示す。このよう な配置は、点Aと点Bとの間に少なくとも1つの第2スペーサ領域すなわち低濃 度スペーサ領域202が常にあることを確実にする。さらに、図面は対象物質領 域200、第1スペーサ領域すなわち高濃度スペーサ領域201および第2スペ ーサ領域すなわち低濃度スペーサ領域202の可能な組み合わせの相対的な長さ を示すために、一定の尺度で描かれている。図2Bの実施例では、対象物質領域 200は対象物質を150mMの高いイオン濃度のNaCl中で保持している。 対象物質領域200は、チャネル中で1mm長である。2つの第1スペーサ領域 201はイオン濃度150mMのNaClを有する。各第1スペーサ領域201 は、1mm長である。第2スペーサ領域202は、2mmであり、イオン濃度5 mMのホウ酸塩緩衝剤を有する。この特定の構成は、緩衝領域201および対象 物質領域200内の迅速に電気泳動する化合物を維持し、且つ化合物が微小流体 システムの複数のチャネルを介して移動するように設計されている。例えば、こ れらの方法を使用すれば、例えば安息香酸を含む対象物質領域が過剰な電気泳動 バイアスを被らずに微小流体システム内を上向きに72秒間流れ得る。 より一般化すると、微小流体システムのチャネル内の流体の流れの速度VEoF を決定することが可能であり、測定によって対象物分子がチャネル内を移動する 合計距離ltを決定することが可能である。よって、対象物分子が合計距離を移 動する移動時間tTrは、 tTr=lT/VEoF である。対象物分子xを、対象物質領域200に隣接する第1スペーサ領域20 1内に含むためには、第1スペーサ領域201の長さlgは、第1スペーサ領域 201内の対象物分子xの電気泳動速度Vgxに運搬時間を乗算した値よりも大き くなるはずである。 lg>(vgx)(tTr) 電気泳動速度は、第1スペーサ領域201の電界に比例しているので、本発明に よって、微小流体システムチャネルを介した運送中に対象物質を含み得るように Vgxを制御することが可能になる。 図2Aおよび図2Bの配置では、第1スペーサ領域すなわち高イオン濃度スペ ーサ領域201は、対象物質領域200の近傍に対象物質の位置を維持すること を助長する。対象物質の電荷極性にかかわらず、対象物質領域200のいずれの 側にもある第1スペーサ領域201によって、対象物質領域200を離れる対象 物質が、第1スペーサ領域201の比較的高いイオン濃度のために低い電界にし かさらされない。対象物質の極性が既知である場合は、対象物質の分子にかかる 電気泳動力の方向も既知である。 図3Aは、対象物質領域200中の全ての対象物質の電荷が、対象物分子にか かる電気泳動力が電気浸透流の方向と同一方向になるような電荷である実施例を 示す。よって、第1スペーサ領域201は、流れの方向において対象物質領域よ りも前にある。対象物質領域200の後には第1スペーサ領域201はない。な ぜならば、電気泳動力が、対象物質が対象物質領域200からその方向へ逃げる のを防ぐためである。第1スペーサ領域201の半分を除去することによって、 対象物質を有する対象物質領域200をチャネル長毎に、より多く運ぶことが可 能になる。このことは、微小流体システムの輸送効率を高める。第2スペーサ領 域すなわち低イオン濃度スペーサ領域202は、高い電界が第2スペーサ領域に かかり、対象物質領域200および第1スペーサ領域201の電界(および電気 泳動力)が低く保たれるように、対象物質領域200および第1スペーサ領域す なわち高イオン濃度スペーサ領域201に対して構成される。 図3Bでは、第1スペーサ領域201が、電気浸透流の方向において対象物質 領域200の後にある。この実施例では、対象物質領域200中の全ての対象物 質の電荷は、対象物分子にかかる電気泳動力が電気浸透流の方向と反対の方向に なるような電荷である。よって、対象物質は対象物質領域の境界から逃げて、事 実上、対象物質領域200の後に残され得る。対象物質領域200の後にある第 1スペーサ領域201は、対象物質が対象物質領域200から遠くに移動しすぎ るのを防ぐ。同様に、第2スペーサ領域すなわち低イオン濃度スペーサ領域20 2は、高い電界が第2スペーサ領域202にかかり、対象物質領域200および 第1スペーサ領域201の電界は低く保たれるように、対象物質領域200およ び第1スペーサ領域すなわち高イオン濃度スペーサ領域201と共に構成される 。 第1および第2スペーサ領域201および202に対して、所望の電気導電性 を有する溶液を生成するように、様々な高いイオン強度および低いイオン強度の 溶液が選択される。水溶液に導電性を与える特定のイオンは、無機塩(例えば、 NaCl、KI、CaCl2、FeF3、(NH42SO4など)、有機塩(例え ば、安息香酸ピリジニウム、ラウリン酸べンザルコニウム)または無機/有機混 合塩(例えば安息香酸ナトリウム、デオキシル硫酸ナトリウム、ベンジルアミン ヒドロクロライド)などから誘導し得る。これらのイオンは、微小流体システム 内でおこる化学反応および分離などに適合するように選択される。水性の溶媒に 加えて、DMSOの低濃度水溶液などの水性/有機溶媒の混合液が、対象物分子 の可溶化を援助するために使用され得る。CHCl3:MeOHなどの有機溶媒 の混合もまた、例えば、ホスホリパーゼ活動の分析を促進する目的に使用され得 る。 一般に、水性溶媒が使用される場合、水溶液の導電性は無機イオンを使用して 調節される。極性のより低い溶媒が使用される場合、有機または無機/有機の混 合イオンが典型的に使用される。2つの混合不可能な溶媒(例えば、水とデカン などの炭化水素)が同時に存在し得、電流が必ず一方の溶媒から他方の溶媒へ流 れる場合、イオン透過孔(例えば、バリノマイシン、ノナクチン、様々なクラウ ンエーテルなど)およびそれらの適切なイオンを用いて、電流を無極性溶媒を介 して流すことが可能である。 B.圧力に基づいた流れ(pressure based flow)の動電制御 本明細書中に記載の動電流システム(electrokinetic flow system)では、差動 的に移動可能な(differentially mobile)(例えば、特定のシステムで異なる 動電移動度を有する)流体がチャネル内に存在すると、システム内のチャネル長 に沿って複数の異なる圧力が生じ得る。例えば、これらの動電流システムは、所 与のチャネル内に、低イオン濃度流体および高イオン濃度流体の一連の領域(例 えば、第1および第2スペーサ領域ならびに対象物質の対象物質領域)を典型的 に用い、これにより、電気浸透流を生じさせると共に、同時に、対象物質領域を 含む対象物質内の電気泳動バイアスの影響を防止する。チャネル内の低イオン濃 度領域は、最も大きい印加電圧を領域長にわたって降下させる傾向にあるので、 流体をチャネルを通して押し流す傾向がある。逆に、チャネル内の高イオン濃度 流体領域は比較的小さい電圧降下を領域長にわたって与え、粘性抵抗によって流 体の流れを減速させる傾向にある。 このような押流し(pushing)や抵抗(dragging)の影響の結果、圧力のばらつき は概ね、流体で充填されたチャネル長に沿って生成され得る。最高圧力は、低イ オン濃度領域(例えば、第2スペーサ領域)の前側または先端で典型的に見られ 、最低圧力は低イオン強度流体領域の後縁または後端で典型的に見られる。 このような圧力格差は、直線型チャネルシステムにおいては概ね無関係である が、これらの影響は、交差型チャネル配置を用いた微小流体装置、すなわち、先 に援用した米国特許出願シリアル番号08/671,987に記載のシステムに おける流体方向および操作の制御を低減する結果になり得る。例えば、第2チャ ネルが、イオン強度が異なる複数の流体領域を含む第1チャネルと交差するよう に構成されている場合、上述の圧力変動は、これらの異なる流体領域が交差点を 通り過ぎて移動するときに流体を交差する第2チャネルに流出入させ得る。この 変動する流れは、第2チャネルからの定量的電気浸透で駆動された流体の流れを 潜在的に顕著に乱し(disturb)、および/またはチャネル内の様々な流体領域を 乱し(perturb)得る。 交差するチャネル、例えば第2チャネルの深さを第1チャネルすなわちメイン チャネルに対して低減することによって、流体の流れの変動が実質的に排除され 得る。特に、所与の電圧勾配に対する電気浸透流体の推進または方向において、 流速(容積/時間)は、概ね、>10のアスペクト比(幅:深さ)を有するチャ ネルのチャネルの深さの逆数として変動する。小さく些細な誤差が多少あるとし ても、このようなおおよその比は例えば、>5のアスペクト比等の低いアスペク ト比についても成り立つ。逆に、同一のチャネルに対する圧力誘発流は、チャネ ル深さの逆数の3乗として変化する。よって、異なるイオン強度の流体領域が同 時に存在することによるチャネル中の圧力の増大は、チャネルの深さの逆数の平 方として変化する。 従って、交差する第2チャネルの深さを第1チャネルすなわちメインチャネル の深さに対して、X分の1に低減することによって、圧力誘発流を、例えばX3 分の1に顕著に低減し得るが、電気浸透的に誘発された流れは、例えば若干X分 の1にしか低減し得ない。例えば、第2チャネルの深さを第1チャネルに対して オーダの大きさを1減少させる場合、圧力誘発流は1000分の1に低減される が、電気浸透的に誘発される流れは10分の1にしか低減されない。従って、い くつかの局面では、本発明は、本明細書に概略的に記載される微小流体装置を提 供する。この装置は、例えば装置内に配置される、第1チャネルが第2チャネル よりも深い、少なくとも第1および第2交差するチャネルを有する。一般的に、 チャネルの深さは、所望の用途に対して最適な流れの状態を得るように変化され 得る。このように、用途に依存して、第1チャネルは第2チャネルよりも約2倍 よりも深く、約5倍よりも深く、および約10倍よりもずっと深くなり得る。 圧力の影響を抑えるための使用に加えて、様々な異なるチャネル深さを用いて 、同一装置の異なるチャネル内に流体を差動的に(differentially)流す、例えば 、異なる供給源からの異なる割合の流体を混合することなどが可能である。 III.電子ピペッタ 上記したように、いずれの対象物質も、対象物質領域200内または近傍の微 小流体システム100を介して効率的に輸送される。第1および第2のスペーサ 領域201および202により、対象物質は、システムのチャネルを移動するに つれて局在化される。対象物質の、微小流体システムへの効率的な導入のために 、本発明はさらに、対象物質を、対象物質領域200並びに第1および第2のス ペーサ領域201および202の組み合わせの同一の直列的ストリームで微小流 体システムに導入する電子ピペッタを提供する。 A.構造および動作 図4Aに示すように、電子ピペッタ250は中空のキャピラリーチューブ25 1により形成されている。キャピラリーチューブ251は、微小流体システム1 00のチャネルのディメンションを有するチャネル254を有し、チャネル25 4は微小流体システム100に流体連通している。図4Aに示すように、チャネ ル254は、1〜100μmの範囲の断面直径を有する円筒であり、直径は約3 0μmが好適である。電極252は、キャピラリーチューブ251の外壁に沿っ て下降し、管251の端部の周囲のリング電極253となる。対象物質領域20 0並びに緩衝剤領域201および202内の対象物質を電子ピペッタチャネル2 54に引き出すために、電極252は、チャネル254に流体連通しているター ゲットリザバー(図示せず)の電圧に対する電圧まで駆動される。ターゲットリ ザバーは、すでにチャネル254内にある対象物質領域200並びに緩衝剤領域 201および202が電子ピペッタからシステム100に直列的に移送されるよ うに、微小流体システム100内にある。 手順としては、電子ピペッタ250のキャピラリーチャネル端部が対象物質の ソースに入れられる。ターゲットリザバー内の電極に対して電極252に電圧が 印加される。リング電極253は対象物質ソースに接して載置されており、ソー スに電気的バイアスをかけることにより、対象物質ソースとターゲットリザバー との間の電圧降下を生成する。実際には、対象物質ソースおよびターゲットリザ バーが微小流体システムにおいて、すなわち図2Aに示すように、点Aおよび点 Bになる。対象物質は動電学的にキャピラリーチャネル254に導入されること により、対象物質領域200を形成する。電極252への電圧は、その後、オフ にされて、キャピラリーチャネル端部が、高イオン濃度を有する緩衝剤物質のソ ースに入れられる。再び、ターゲットリザバー電極に対して電極252に電圧が 印加され、その結果、第1のスペーサ領域201は、対象物質領域200に隣接 するキャピラリーチャネル254に動電学的に導入される。その際に、第2のス ペーサ領域すなわち低イオン濃度スペーサ領域202が電子ピペッタチャネル2 54内で所望である場合、キャピラリーチャネル254の端部が、低イオン濃度 緩衝剤物質のソースに挿入され、電極252に電圧が印加される。電子ピペッタ 250はその後、対象物質の別のソースに移動することにより、チャネル254 内に別の対象物質領域200を形成する。 上記の工程を反復することにより、第1および第2のスペーサ領域201およ び202により分離された、異なる対象物質を有する複数の対象物質領域200 は、キャピラリーチャネル254および微小流体システム100に動電学的に導 入される。 対象物質および緩衝剤物質(低および高イオン濃度を有する)のソースがそれ 自体の電極を有する場合、電極252は必要でない。ターゲットリザバーとソー ス電極との間の電圧が電子ピペッタを動作させる。あるいは、電極252は、キ ャピラリーチューブ251と固定関係にあるがキャピラリーチューブ251とは 分離していることがあり得、それにより、管251の端部がリザバーに接触する と、電極252もまたリザバーに接触する。動作は、図4Aの電子ピペッタに関 して記載したものと同一である。 図4Bは、図4Aの電子ピペッタ250の変形例を示す。この変形例において 、電子ピペッタ270は、ピペッタ内に第1および第2のスペーサ領域201お よび202を形成するために、対象物質ソースと緩衝剤物質ソースとの間を移動 する必要はない。電子ピペッタ270は、3つのキャピラリーチャネル274、 275および276を有する本体271を有する。メインチャネル274は、既 に述べた電子ピペッタ250のチャネル254と同一に動作する。しかし、2つ の補助キャピラリーチャネル275および276は一端で、緩衝剤ソースリザバ ー(図示せず)と流体連通しており、チャネル275および276の他端は、メ インチャネル274と流体連通している。一方のリザバー(すなわち、補助チャ ネル275に連通している)は、高イオン濃度を有する緩衝剤物質を保持し、他 方のリザバー(すなわち、チャネル276に連通している)は、低イオン濃度を 有する緩衝剤物質を保持する。 リザバーの全ては、電子ピペッタ270の動作のために、これらのリザバーに 電気的バイアスをかける電極に接続している。電子ピペッタ270はさらに、本 体271の壁に沿った電極272を有し得る。電極272は、メインチャネル2 74の端部のリング電極273となる。電極272(およびリング電極273) に電圧を印加してチャネル274、275および276に沿った電圧降下を生成 することにより、対象物質が対象物質ソースからメインチャネル274に引き込 まれ得るのみならず、高および低イオン濃度を有する緩衝剤物質もまた補助チャ ネル275および276からメインチャネル274に引き込まれ得る。 電子ピペッタ270を電極272により動作させるために、メインキャピラリ ーチャネル274の端部は対象物質のソース280内に入れられる。ターゲット リザバー内の電極に対して電極272に電圧が印加されることにより、対象物質 ソース280とターゲットリザバーとの間に電圧降下を引き起こす。対象物質は 、キャピラリーチャネル274に動電学的に引き込まれる。その後、キャピラリ ーチャネル端部は、対象物質ソース280から除去され、チャネル274に連通 するターゲットリザバーとチャネル275に連通するリザバーとの間に電圧降下 が生成される。第1のスペーサ領域すなわち高イオン強度スペーサ領域201は 、チャネル274内に形成される。緩衝剤物質が補助チャネル275から引き込 まれるため、毛細作用が、チャネル274への空気の導入を阻止する。その際に 、第2のスペーサ領域又は低イオン濃度スペーサ領域202がメインチャネル2 74で所望である場合、ターゲットリザバーおよび低イオン濃度緩衝剤物質を有 するリザバー内の電極に電圧が印加される。第2のスペーサ領域202はその後 、第2の補助チャネル276からキャピラリーチャネル274に動電学的に導入 される。その後、電子ピペッタ270もまた、対象物質の別のソースに移動する ことにより、チャネル274内に別の対象物質領域200を形成する。 上記の工程を反復することにより、第1および第2のスペーサ領域201およ び202により分離された、異なる対象物質を有する複数の対象物質領域200 がキャピラリーチャネル274および微小流体システム100に動電学的に導入 される。 対象物質のソースをリング電極273からの酸化/還元反応に曝すことが望ま れない場合、電子ピペッタは電極272なしで動作し得る。電気浸透流は、より 高いイオン強度を有する溶液内においてより遅いため、チャネル274に連通す るリザバーからチャネル275に連通するリザバーに電位(−〜+)を印加する ことは、チャネル274および275が交差する点に真空を形成するという結果 になる。この真空は、対象物質のソースからチャネル274にサンプルを引き込 む。このモードで動作するとき、対象物質はチャネル275および276内で溶 液によりある程度希釈される。この希釈は、チャネル274に対する、チャネル 276および275の相対的寸法を減少させることにより軽減され得る。 第1および第2のスペーサ領域201および202をキャピラリーチャネル2 74に導入するために、電子ピペッタ270は上記したように動作する。キャピ ラリーチャネル端部は、対象物質ソース280から除去され、チャネル274用 のターゲットリザバーと選択されたチャネル275または276に連通するリザ バーとの間に電圧降下が生成される。 概して2つの補助チャネルおよびメインチャネルを有することに照らして述べ たが、追加の流体、緩衝剤、希釈液、および試薬などをメインチャネルに導入す るためには、追加の補助チャネルも供給され得ることが理解される。 微小流体装置、例えば、チップ内の交差するチャネルに関して上記したように 、異なるピペッタチャネル内の異なる移動流体の結果得られる圧力差もまた、ピ ペッタチャネル内の流体の流れの制御に影響を与える。従って、上記したように 、流体制御を最適化するために互いに変化するチャネル深さを有する、様々なピ ペッタもまた供給され得る。 B.電子ピペッタの製造方法 電子ピペッタは、図4Aに関して上記したように中空のキャピラリーチューブ から形成され得る。しかし、より複雑な構造の場合、電子ピペッタは最適には、 上記した微小チャネルシステムの基板物質と同一の基板物質から形成される。電 子ピペッタチャネル(およびリザバー)は、微小流体システム用の微小チャネル と同一の様式で基板内に形成され、チャネルを有する基板が、これも上記した平 面カバー要素によって覆われる。基板およびカバー要素のエッジは、その後、必 要に応じて、ピペッタの、特に端部の、適切な水平ディメンションに整形され得 る。エッチング、エアーアブレーション(粒子および強制的に供給された空気を 表面に吹き付ける)、粉砕、およびカッティングなどの技術が用いられ得る。そ の後、電極が基板の表面上、および可能性としては必要に応じてカバー上に形成 される。あるいは、基板およびカバー要素のエッジは、取り付けられる前に整形 され得る。この製造方法は、図4Bを参照して直前に述べ且つ図8を参照して以 下に述べるマルチチャネル電子ピペッタに特に適している。 IV.サンプリングシステム 上記したように、上記した方法、システム、および装置は、概して、様々な分 野において広範囲の利用性を見い出す。例えば、既に述べたように、これらの方 法およびシステムは、例えば、1996年6月28日に出願され既に参考のため 援用している、同時係属中の米国特許出願シリアル番号08/671,987号 に記載されているような薬物送達に適用される、高スループット化学スクリーニ ングというタスクに特に適している。 A.サンプルマトリクス 本発明のピペッティングおよび流体輸送システムは、概して、液体サンプル、 すなわちマルチウェルプレートからのサンプルの数に関して記載される。しかし 、多くの例において、サンプリングされるべき液体ベースのサンプルの数および 性質は、サンプル取り扱い上の問題を発生させ得る。例えば、化学スクリーニン グまたは薬物送達に適用される、スクリーニング用化合物のライブラリーの数は 、数千〜数万又はさらには数十万から数百万、数千万にも及び得る。その結果、 このようなライブラリーは、非常に多数のサンプルプレートを要し、そのことが 、ロボティックシステムの助けを借りても、サンプルの保存、操作、および識別 に数しれない困難性を作り出す。さらに、いくつかの場合には、特定のサンプル 化合物が、液状で保存された場合、劣化、複合化、又はそうでなければ比較的短 い活性半減期を有し得る。このことは、潜在的に、サンプルがスクリーニング前 に長期間、液状で保存されるときに疑わしい結果を引き起こし得る。 従って、本発明は、サンプリングされるべき化合物を固定化された形態で提供 することにより、これらの更なる問題点に取り組むサンプリングシステムを提供 する。「固定化された形態」とは、サンプルを、与えられたロケーションに維持 する固定されたマトリクス、すなわち多孔性マトリクス、チャージされたマトリ クス、疎水性または親水性マトリクスのいずれかへの組み込みにより、サンプル 材料が固定された位置に供給されることを意味する。あるいは、このような固定 化されたサンプルは、与えられたサンプルマトリクス上にスポットされ且つ乾燥 したサンプルを含む。好適な局面において、スクリーニングすべき化合物は、乾 燥した形態でサンプルマトリクス上に提供される。典型的には、このようなサン プルマトリクスは、例えば、セルロース、ニトロセルロース、PVDF、ナイロ ン、およびポリスルホンなどの膜を含む物質のスポッティングまたは固定化にお いて用いられ得る多数の材料のいずれをも含む。典型的には、容易な保存および 取り扱いのために、多くの異なるサンプル化合物を固定化された状態で有するサ ンプルマトリクスの折り畳み又は巻き込みを可能にするために、フレキシブルな サンプルマトリクスが好適である。 概して、サンプルは、多くの周知の方法のいずれかによってサンプルマトリク スに適用され得る。例えば、サンプルライブラリーは、多数の化合物のスポッテ ィングを可能にするロボティックピペッティングシステムを用いて、サンプルマ トリクスのシート上にスポットされ得る。あるいは、サンプルマトリクスは、サ ンプル局在化用の所定の領域、例えば、凹部を有するウェル、疎水性バリアに囲 まれた親水性領域、または親水性バリアに囲まれた疎水性領域(例えば、サンプ ルが元々疎水性溶液中にある場合)を提供するように処理され得る。このような 領域において、スポットされた材料は、乾燥プロセス中、保持される。このよう な処理はその後、米国特許第5,474,796号に記載されているような、よ り進んだサンプル適用方法の使用を可能にする。上記特許において、液体サンプ ルを表面に向けるために、圧電ポンプおよびノズルシステムが用いられている。 しかし、概して、’796号特許に記載された方法は、追加の液体サンプルとの 後の反応のために、液体サンプルを表面に適用することに関する。しかし、これ らの方法は、乾燥しスポットされたサンプルを基板上に供給するように容易に改 変され得る。 他の固定化またはスポッティング方法が同様に用いられ得る。例えば、サンプ ルが液体形態において安定である場合、サンプルマトリクスは、過剰な拡散また は蒸発などを許容することなく液体サンプルを保持するが、所望であればサンプ ル材料の少なくとも一部の抜き取りを可能にする、多孔性層、ゲルまたは他のポ リマー材料を含み得る。サンプルをピペッタに引き込むために、ピペッタは、例 えば、マトリクスの分解、イオン交換、およびサンプルの希釈などにより、サン プルの一部をマトリクスから遊離させる。 B.再可溶化ピペッタ 上記したように、本発明のサンプリングおよび流体輸送方法およびシステムは 、スクリーニング、アッセイ、又はそれ以外には、これらのサンプルフォーマッ トで固定化されたサンプルを処理することに容易に適用可能である。例えば、サ ンプル材料がサンプルマトリクス上に乾燥した形態で供給された場合、エレクト ロピペッティングシステムがマトリクスの表面に適用され得る。電子ピペッタは その後、マトリクス表面上の既に乾燥したサンプルを可溶化する(保持マトリク スを分解するか、または固定化支持体からサンプルを溶出する)少量の液体を逃 がすように動作する。このことは、例えば、ピペッタに印加される電界の極性を 反転させるか、または上記したように低イオン濃度緩衝剤リザバーから高イオン 濃度緩衝剤リザバーに電位を印加することによって行われる。サンプルが一旦再 可溶化されると、ピペッタはその後、典型的前方フォーマットで動作することに より、既に述べたように、可溶化したサンプルをピペッタチャネルに引き込む。 上記の機能を実行するのに有用な電子ピペッタおよびその動作の1つの実施形 態の概略図を、図8に示す。簡単に述べれば、(図示するような)ピペッタ80 0の上端802は、一般に、アッセイシステム、例えば微小流体チップに、電圧 がピペッタの3つのチャネル804、806および808に個別に供給され得る ように接続される。チャネル804および808は、典型的には、それぞれイオ ン濃度が低いおよび高い流体を含む緩衝剤レザバーに流体接続される。動作にお いては、ピペッタの先端810が、固定された(例えば乾燥)サンプル814が 位置するサンプルマトリクス12の表面に接触する。電圧は、低イオン濃度緩衝 剤チャネル804から高イオン濃度緩衝剤チャネル808に印加され、これによ り、緩衝剤はピペッタ先端部から押し出されて、サンプルに接触しこれに溶解す る。図示するように、ピペッタ先端816は、窪み領域すなわち「サンプルカッ プ」818を含み、これにより、ピペッタ先端とマトリクス表面との間に放出さ れた溶液を維持し得る。場合によっては、例えば、有機サンプルをスクリーニン グする場合は、サンプルの溶解を確実にするために、適切な濃度の受容可能な溶 媒、例えばDMSOを低イオン濃度緩衝剤と共に含んでもよい。次に高イオン濃 度緩衝剤チャネルからサンプルチャネル806に電圧が印加されて、サンプルを サンプルプラグ820の形態でピペッタに吸引する。サンプルがサンプルカップ からピペッタに完全に吸引されると、サンプルチャネルに空気が入って表面張力 が高くなるため、サンプルの吸引は終了し、高イオン濃度の緩衝剤溶液がサンプ ルチャネルへの流入を開始して、サンプルに続いて第1のスペーサ領域822を 形成する。次に、低イオン濃度緩衝剤チャネル804からサンプルチャネル80 6に電圧を印加することによって、低イオン濃度緩衝剤溶液が、サンプルチャネ ルに、第2のスペーサ領域824として注入され得る。マトリクス上の次のサン プル位置を提示する前にまたは提示中に、高イオン濃度緩衝剤チャネルとサンプ ルチャネルとの間に電圧を印加することによって、第1のまたは高イオン濃度の スペーサ領域822がサンプルチャネルに導入され得る。前述のように、スクリ ーニングされる何千または何十万もの異なる化合物を有するサンプルマトリクス の単数または多数のロール、シート、プレートがこのようにして提示され得、こ れにより、適切な装置またはシステムでの連続スクリーニングが可能となる。 V.電気泳動バイアスの除去 上述のように、微小流体システム100のチャネルを通して対象物質を輸送す るために動電力が用いられる。対象物質が溶液中で帯電されている場合は、これ は電気浸透力だけではなく、電気泳動力も受ける。従って、対象物質は、微小流 体システムのチャネルに沿って1つの地点から別の地点に移動するとき電気泳動 を受ける傾向がある。よって、開始地点での対象物質領域200内の対象物質の 混合または帯電の異なる種の配置は、到着地点での混合または配置とは異なる傾 向がある。さらに、第1のスペーサ領域201が存在するにもかかわらず、到着 地点で対象物質が対象物質領域200内にいないという可能性がある。 従って、本発明の別の局面は、対象物質が微小流体システム100を通って輸 送されるとき、電気泳動バイアスを補償する。電気泳動バイアスを補償する1つ の方法を図5に示す。上述の微小流体システム100では、チャネル110、1 12、114および116のそれぞれは、その長さに沿った単一構造(unitary s tructure)であるとみなした。図5では、一例としてのチャネル140は2つの 部分142および144に分割される。各チャネル部分142および144の側 壁は、反対極性の表面電荷を有する。2つのチャネル部分142および144は 、ガラスフリットまたはゲル層などの塩橋133によって物理的に接続されてい る。塩橋133は、チャネル140内の流体を、塩橋133によって一部が規定 されるレザバー135内のイオン流体から分離する一方で、イオンが塩橋133 を通過するのは可能にする。従って、レザバー135は、チャネル140と電気 的な連通状態にはあるが、流体連通の状態にはない。 地点AおよびB間のチャネル140に沿って電気浸透力および電気泳動力を与 えるために、地点AおよびBにそれぞれ電極132および134が配置される。 さらに、第3の電極137が、2つの部分142および144の接合部のレザバ ー135内に配置される。電極132および134は同じ電圧に維持され、電極 137は別の電圧に維持される。図5に示す例では、2つの電極132および1 34は負の電圧であり、電極137、従って2つの部分142および144の接 合部はゼロ電圧、すなわち接地電圧である。よって、電圧は降下し、このため部 分142および144内での電界は正反対の方向を向く。具体的には、電界は互 いから離れる方向を指す。従って、特定の帯電する分子に働く電気泳動力は、チ ャネル部分142内とチャネル部分144内とでは方向が反対である。2つの部 分142および144を通過した後は、対象物質への電気泳動バイアスはすべて 補償される。 しかし、両部分142および144内の電気浸透力は依然として同じ方向であ る。例えば、図5に示すように、チャネル部分142の側壁が正の表面電荷を有 し、溶液中の負のイオンを引きつけ、チャネル部分144の側壁が負の表面電荷 を有し、溶液中の正のイオンを引きつけると仮定すると、両部分142および1 44内の電気浸透力は図面の右側に向かう。従って、電気泳動力が、一方の部分 142と他方の部分144とでは正反対の方向である一方、対象物質は、電気浸 透力の下に地点Aから地点Bに輸送される。 正または負の表面電荷を有する側壁をもつチャネルを形成するためには、チャ ネルの一方または両方の部分を、ポリマーなどの、表面電荷を有する絶縁膜物質 でコーティングする。例えば、微小流体システム100では、基板102および チャネルはガラスにより形成され得る。各チャネルの一部が、例えばポリリジン などの、反対の表面電荷を有するポリマーによりコーティングされるか、または 、例えばアミノプロピルトリクロロシランなどの、アミノ官能基を含むシラン化 剤により化学的に修飾される。さらに、両方のチャネル部分の表面電荷密度およ び体積はほぼ同じにして、電気泳動バイアスが補償されるようにすべきである。 チャネルは、固体の平面基板内に形成されるのではなく、2つのキャピラリー チューブにより形成され得る。キャピラリーチューブは、イオン性流体レザバー をキャピラリーチューブ内の流体から分離する塩橋により接合される。この場合 もイオン性流体レザバー内に電極が配備される。一方のキャピラリーチューブは 負の表面電荷を有し、他方のキャピラリーチューブは正の表面電荷を有する。得 られるキャピラリーチャネルは上述のように作動する。 図6A〜6Dは本発明の別の実施形態を示す。ここでは、対象物質が地点Aか ら地点Bに移動する際に誘引される電気泳動バイアスの効果が補償される。この 実施形態では、図1に示したように、対象物質は、2つのチャネル間の交差部で ある地点Bで混合される。 図6A〜図6Dは、チャンバ160がチャネル150、152、154および 156の交差部に形成されている様子を示す。チャンバ160は、4つの側壁1 62、164、166および168を有する。側壁162は、チャネル152の 側壁をチャネル150の側壁に接続する。側壁164は、チャネル154の側壁 をチャネル152の側壁に接続する。側壁166は、チャネル156の側壁をチ ャネル154の側壁に接続する。そして側壁168は、チャネル156の反対の 側壁をチャネル150の反対の側壁に接続する。チャネル152を通ってチャネ ル156に向かう物質の流れについてみると、側壁162および168は、物質 がチャネル150の方に反れる場合は漏斗を形成する。 側壁162および168の寸法は、チャネル152に沿って移動する対象物質 プラグ200の長さに適応する。側壁162および168は、プラグ200をチ ャネル150の幅へと漏斗状に流し入れる。チャネル150の幅は、対象物質が チャネル150の幅を横断して拡散するような、すなわち、混合が生じて、チャ ネル162に沿って移動する対象物質領域200内で生成された対象物質の電気 泳動バイアスが除去されるような大きさとされる。例えば、チャネル150の幅 が50μmである場合は、チャネルを横断する拡散は、拡散定数が1×10-5c m2/秒の分子では約1秒で行われる。 図6Aでは、カチオン性対象物質のプラグ200が、チャネル152に沿って チャネル156に向かって移動している。プラグ200がチャンバ160に到着 するまでに対象物質は電気泳動を受け、このため物質は対象物質領域200の前 方端により多く集中している。これは図6Bに示される。次に、チャネル152 および156に沿って与えられた電圧降下は終わり、チャネル154および15 0に沿った電圧降下が生成され、これにより対象物質領域200がチャネル15 0に吸引される。チャンバ160の側壁162および168が、電気泳動により バイアスされた対象物質を有する対象物質領域200を漏斗に導く。これは図6 Cに示される。拡散によって、対象物質は、対象物質がチャネル150に沿って 有意の距離だけ移動する前に、チャネル150の幅を横断して広がる。対象物質 領域200内の対象物質は混合され、微小流体システム100での次の動作ステ ップへの準備が完了する。 単一サンプル内の電気泳動バイアスを訂正するために使用するのに加えて、図 6に示す構造は、微小流体装置内の流体要素、例えば2つの別個の対象物質、緩 衝剤、試薬などを混合するのに有用で有り得る。 実施例実施例1−電子ピペッタ型フォーマットでの、帯電の異なる種の強制共同移動 電気泳動バイアスを除去または低減するために使用される方法の効力を示すた めに、2つの反対に帯電された種をキャピラリーチャネル内に動電学的に吸引し て、単一サンプルプラグ内で共同移動させた。ベックマンキャピラリーチューブ 電気泳動システムを用いて、キャピラリーチャネル内の電気泳動力をモデル化し た。 簡単に述べれば、この実験では、低イオン濃度(または「低塩」)(5mMホ ウ酸塩)かまたは高イオン濃度(または「高塩」)(500mMホウ酸塩)の緩 衝剤、pH8.6中にベンジルアミンおよび安息香酸を含有するサンプルを用い た。安息香酸は、ベンジルアミンの約2倍の濃度で存在させた。すべての注入を 0.17分間とした。注入プラグの長さは、注入電圧8または30kVによって 決定した。低塩および高塩緩衝剤は上述の通りとした。 第1の実験では、低塩緩衝剤を満たしたキャピラリーチューブに、低塩緩衝剤 中のサンプルを連続して3回注入した。注入は8kVで行い、30kVでの低塩 の注入を間に挟んだ。これらの注入から得られたデータを図7Aに示す。これら のデータは、1回目および2回目の注入からのベンジルアミン(より低い濃度の 結果、短いピークとして識別可能)が、1回目の注入からの安息香酸のピーク( 高いピーク)に先行していることが分かる。さらに、3回目の注入からのベンジ ルアミンのピークは1回目の安息香酸のピークとほとんど同時に発生する。従っ て、この実験は電気泳動バイアスの効果、つまり、サンプルピークは、キャピラ リーチャネルに入ったのと同じ順序で退出しないことがあり得るということを示 している。明瞭に示されるように、このような分離は、実質的には、単一サンプ ルの特性に干渉するか、もっと悪い場合では、既に導入されたかまたは続いて導 入されるサンプルを犠牲にし(compromize)得る。 第2の実験では、キャピラリーチューブを低塩緩衝剤で満たした。先ず高塩緩 衝剤を8kVでキャピラリーチューブに導入/注入することによって(第1スペ ーサ領域1)、サンプルを注入した。これに続いて、高塩緩衝剤中のサンプルを 8kVで注入し、続いて、高塩緩衝剤の2回目の注入を8kVで行った(第1ス ペーサ領域2)。このようにして3つのサンプルを注入し、30kVで低塩緩衝 剤を注入することによって間隔を開けた。図7Bに見られ得るように、サンプル 中に含まれる両化合物が、同じサンプルプラグ内でキャピラリーチャネルを通っ て強制的に共同移動させられ、これらは各注入からの単一のピークによって表さ れる。これは、電気泳動による移動度に関係なく、サンプルが整合されているこ とを示している。 サンプルのサイズに対して、サンプル間の低塩スペーサプラグのサイズを小さ くすることによって、各サンプル注入の成分の部分溶解が実現され得る。これは 、 続いて注入されるか既に注入されたサンプルを犠牲にせずに、動電学的なポンピ ング中にサンプルのいくらかの分離が所望される場合には有用であり得る。これ は、30kVではなく、8kVで低塩スペーサプラグを注入することによって実 行された。この実施例からのデータを図7Cに示す。実施例2−対象物質の電子ピペッタを通って微小流体システム基板に至る移動 図9A〜9Cは、上述のような、対象物質、すなわちサンプルを電子ピペッタ を通して微小流体システムの基板に導入する実験試験の結果を示す。サンプルは 、燐酸塩緩衝化生理食塩水pH7.4中のローダミンBである。また、燐酸塩緩 衝化生理食塩水pH7.4から高イオン濃度(「高塩」)緩衝剤を形成した。低 イオン濃度(「低塩」)緩衝剤は、5mMのNaホウ酸塩pH8.6溶液から形 成した。 試験では、蛍光ローダミンBを含む対象物質領域を、微小流体システムの基板 に接続される電子ピペッタのキャピラリーチャネルに定期的に注入した。高塩お よび低塩緩衝剤もまた、上述のように対象物質領域間に注入した。図9Aは、キ ャピラリーチャネルに沿った基板のチャネルとの接合部近くの地点でモニタされ たローダミンBの蛍光強度の時間に対するプロットである。(ちなみに、図9A 〜図9Cおよび図10の蛍光強度軸の数字は、絶対値ではなく比較参照のための ものであることに注意されたい。)注入サイクル時間は7秒であり、対象物質領 域を電子ピペッタを通って移動させる電界は1000ボルト/cmであった。ホ トダイオードがキャピラリーチャネルからの光をモニタする総和時間は10ミリ 秒に設定した。図9Aのプロットから、光強度スパイクは7秒間隔で現れ、これ は蛍光ローダミンBの注入サイクル時間に一致することが明らかであろう。 別の実験では、同じ緩衝剤をローダミンBサンプルと共に用いた。モニタ地点 を、電子ピペッタに接続された基板のチャネル内とした。注入サイクル時間は1 3.1秒に設定し、ローダミンBを含むソースレザバーと基板内の目的レザバー との間の電圧を−3000ボルトに設定した。ホトダイオードによるモニタの総 和時間は400ミリ秒であった。図9Bに示すように、蛍光強度スパイクは、ロ ーダミンBの注入サイクル時間に極めて一致する。 第3の実験試験の結果を図9Cに示す。この実験では、電子ピペッタを基板か ら形成し、空気侵食によって形状を決定(shaping)した。モニタ地点は、基板( および平面カバー)内に形成されたキャピラリーチャネルに沿った位置である。 この場合は、サンプル物質は、PBSの緩衝剤、pH7.4中の100μMのロ ーダミンBである。PBSの高塩緩衝剤溶液、pH7.4、および5mMのNa ホウ酸塩の低塩緩衝剤溶液、pH8.6もまた使用した。この場合も、蛍光強度 の定期的なスパイクは、ローダミンBの電子ピペッタへの周期的な注入に一致す る。 図10は、本発明の電子ピペッタへの別の対象物質の周期的な注入の結果を示 す。この実験では、サンプルは、燐酸塩緩衝化生理食塩水、pH7.4中の1% DMSOを有する100μMの低分子化合物であった。同じ燐酸塩緩衝化生理食 塩水の高塩緩衝剤、pH7.4、および5mMのNaホウ酸塩の低塩緩衝剤、p H8.6もまた使用した。対象物質領域を電子ピペッタを通して移動させるため の印加電圧は−4000ボルトとし、ホトダイオードがキャピラリーチューブチ ャネルからの光をモニタする総和時間は400ミリ秒に設定した。上述のように 、サンプルを電子ピペッタに定期的に注入した。前回の結果と同様に、図10の プロットから、低分子化合物に対して、電子ピペッタはサンプルを均等に間隔を 開けた時間(および空間)間隔で移動させることが分かる。 以上、本発明を明瞭および理解のために幾分か詳細に記載したが、本発明の精 神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細において様々な変更がなさ れ得ることは、本開示を読むことにより当業者には自明で有り得る。例えば、上 述の技術すべては様々な組み合わせで使用され得る。本出願で引用したすべての 出版物および特許書類は、各出版物または特許書類が個別に示されるのと同じ程 度まですべての目的のためにそれぞれの全体が参考として援用されている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG ,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT ,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA, CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,F I,GB,GE,GH,HU,IL,IS,JP,KE ,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS, LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,M X,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE ,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT, UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 ナップ,マイケル アール. アメリカ合衆国 カリフォルニア 94062, レッドウッド シティ,グレンメーレ ウ ェイ 738

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.電気泳動バイアスを補償する微小流体システムであって、 側部と、第1の端部と、第2の端部とを有し、第1および第2の部分にさらに 分割され、該第1および第2の部分の該側部が、反対極性の表面電荷を有するキ ャピラリーチャネルと、 該第1の端部にある第1の電極と、 該キャピラリーのチャネルの該第1の部分と該第2の部分との間の第2の電極 と、 該第2の端部にある第3の電極であって、該第1、第2、および第3の電極が 、流体が該第1および第2の部分を通って該第1の端部から該第2の端部に電気 浸透によってポンプされ、該第2の部分における電気泳動移動が、該第1の部分 における電気泳動移動と反対になるような電圧に設定される、微小流体システム 。 2.前記キャピラリーチャネルの前記第1および第2の部分が、それぞれ、ほぼ 等しい表面電荷密度を有する、請求項1に記載の微小流体システム。 3.前記キャピラリーチャネルの前記第1および第2の部分が、それぞれ、ほぼ 等しい体積を有する、請求項2に記載の微小流体システム。 4.前記キャピラリーチャネルの少なくとも1つの前記部分の前記側部が、フィ ルムによって規定され、該フィルムが、前記1つの部分の前記表面電荷を有する 、請求項1に記載の微小流体システム。 5.電気泳動バイアスを補償する微小流体システムであって、 第1のキャピラリーチャネルと、 該第1のキャピラリーチャネルと交差する第2のキャピラリーチャネルと、 該第1のキャピラリーチャネルから該第2のキャピラリーチャネルに移動する 対象物質を含む領域が混合され、該第1のキャピラリーチャネルに沿って移動す る際に電気泳動バイアスを補償するような形状を有する該第1および第2のキャ ピラリーチャネルの該交差部にあるチャンバと、 を有する微小流体システム。 6.前記チャンバが、前記第2のキャピラリーチャネルに向かって幅が狭くなっ ている第1のキャピラリーチャネルの長さに沿った側部によって規定される、請 求項5に記載の微小流体システム。 7.前記チャンバの側部が直線である、請求項6に記載の微小流体システム。 8.前記第2のキャピラリーチャネルの幅が、前記対象物質領域の長さとほぼ等 しい、請求項6に記載の微小流体システム。 9.前記対象物質が拡散定数を有し、前記第2のキャピラリーチャネルが、前記 対象物質が前記第2のチャネルからそれる前に、該第2のチャネル幅にわたって 拡散するような幅を有する、請求項5に記載の微小流体システム。 10.前記対象物質が、約1×10-5cm2/sec.の拡散定数を有し、前記 第2のチャネルの幅が、約10μmである、請求項9に記載の微小流体システム 。 11.微小流体システムに流体連通された、物質を該微小流体システムに導入す るための電子ピペッタであって、 該物質の少なくとも1つのソースに接触するための端部を有するキャピラリー チャネルと、 該キャピラリーチャネルの端部が該物質の該1つのソースに接触するとき、該 1つのソースからの物質が該微小流体システムに向かって該電子ピペッタに動電 学的に導入されるように、該物質の該1つのソースと該微小流体システムにおけ る第2の電極との間に電圧を印加するための電圧ソースと、 を有する電子ピペッタ。 12.前記キャピラリーチャネルは、約10から100(μm)2の断面積を有 する、請求項11に記載の電子ピペッタ。 13.前記電圧ソースが、前記第2の電極に対して負電圧を前記第1の電極に印 加する、請求項11に記載の電子ピペッタ。 14.前記キャピラリーチャネルが、基板においておよび該基板上のカバー要素 によって規定される、請求項11に記載の電子ピペッタ。 15.微小流体システムに流体連通された、対象物質を微小流体システムに導入 するための電子ピペッタであって、 該対象物質の少なくとも1つのソースと接触するための第1の端部および該微 小流体システムにおいて終結する第2の端部を有する第1のキャピラリーチャネ ルと、 該第1のキャピラリーチャネルの該第1の端部付近で終結する第1の端部およ び第1のスペーサ物質のソースにおいて終結する第2の端部を有する第2のキャ ピラリーチャネルと、 該1つの対象物質のソースからの対象物質および該第1のスペーサ物質のソー スからのスペーサ物質が、該微小流体システムに向かって該電子ピペッタに動電 学的に導入されるように、該少なくとも1つの対象物質のソースと該微小流体シ ステムとの間、および該第1のスペーサ物質のソースと該微小流体システムとの 間に電圧を印加する電圧ソースと、 を有する電子ピペッタ。 16.前記第1のキャピラリーチャネルの前記第1の端部付近で終結する第1の 端部および第2のスペーサ物質のソースで終結する第2の端部を有する第3のキ ャピラリーチャネルをさらに有し、 該第2のスペーサ物質のソースからの対象物質が、前記微小流体システムに向 かって前記電子ピペッタに動電学的に導入されるように、該電圧ソースが、該第 2のスペーサ物質のソースおよび該微小流体システムに電圧を印加する、請求項 15に記載の電子ピペッタ。 17.前記第1のスペーサ物質のソースが、前記第2のスペーサ物質のソースの イオン濃度よりも数桁大きいイオン濃度のスペーサ物質を保持する、請求項16 に記載の電子ピペッタ。 18.前記第1のキャピラリーチャネルの端部が、前記対象物質の少なくとも1 つのソースに配置されるとき、前記電極が、前記対象物質のソースに接触し、前 記電圧ソースが、該電極に接続され、該少なくとも1つの対象物質のソースと、 前記微小流体システムとの間に電圧を印加するように、該第1のキャピラリーチ ャネルに沿って配置された電極をさらに有する、請求項15に記載の電子ピペッ タ。 19.前記第1および第2のキャピラリーチャネルが、前記基板内において、お よび基板上のカバー部材によって規定される、請求項15に記載の電子ピペッタ 。 20.複数のソースから微小流体(microfluidic)システムに物質を導入する方 法であって、該微小流体システムは、端部を有するキャピラリーチャネルと、電 圧電位を該微小流体システムの電極に印加するための電圧ソースとを有し、該方 法は、 該キャピラリーチャネルの端部を対象物質ソースに接触させる工程と、 該ソースからの該対象物質が、該微小流体システムに向かって該キャピラリー チャネル内に動電学的に導入されるように、該電極に関して該対象物質ソースに 電圧を印加する工程と、 所定のイオン濃度を有するスペーサ物質のソースを選択する工程と、 該スペーサ物質が、該対象物質の次に、該キャピラリーチャネル内に動電学的 に導入されるように、該電極に関して該スペーサ物質ソースに電圧を印加する工 程と、 スペーサ物質によって分離される複数の異なる物質が、該異なる物質間で混合 することなく、該キャピラリーチャネル内に動電学的に導入され、該微小流体シ ステムに向かって輸送されるように、異なる物質ソースを用いて上記工程を繰り 返す工程とを包含する、方法。 21.前記スペーサ物質が、高イオン強度の溶液を含む、請求項20に記載の方 法。 22.前記スペーサ物質が、実質的に混合不可能な流体を含む、請求項20に記 載の方法。 23.前記スペーサ物質が、イオン透過孔を含む、請求項20に記載の方法。 24.前記キャピラリーチャネルが、約10〜1000(μm)2の断面積を有 する、請求項20に記載の方法。 25.前記キャピラリーチャネルの端部を前記対象物質ソースに接触させる前記 工程と、前記スペーサ物質が該キャピラリーチャネル内に動電学的に導入される ように、前記第1の電極に関して前記スペーサ物質ソースに電圧を印加する前記 工程とが、 該キャピラリーチャネルの端部を第1のスペーサ物質のソースに配置する工程 と、 該第1のスペーサ物質が、該キャピラリーチャネル内に動電学的に導入される ように、該電極に関して該第1のスペーサ物質のソースに電圧を印加する工程と 、 該キャピラリーチャネルの端部を第2のスペーサ物質のソースに配置する工 程と、 該第2のスペーサ物質が、該キャピラリーチャネル内に動電学的に導入される ように、該電極に関して該第2のスペーサ物質のソースに電圧を印加する工程と 、 複数の異なる対象物質が該第1、第2および第1のスペーサ物質の領域によっ て分離されるように、上記工程のうちの最初の2工程を繰り返す工程とをさらに 包含する、請求項20に記載の方法。 26.前記第1のスペーサ物質が、高イオン強度の溶液を含み、前記第2のスペ ーサ物質が、低イオン強度の溶液を含む、請求項25に記載の方法。 27.前記キャピラリーチャネルの端部が前記物質またはスペーサソースに接す るときに前記第2の電極がソースに接するように、該第2の電極を該キャピラリ ーチャネルから該キャピラリーチャネルの端部に沿って配置する工程をさらに包 含し、前記電圧印加工程が、前記微小流体システムの電極と、前記第2の電極と の間に電圧差を作り出す工程を包含する、請求項20に記載の方法。 28.前記電圧印加工程が、前記微小流体システムの電極に関して、前記対象物 質またはスペーサソースに負の電圧を印加する工程を包含する、請求項20に記 載の方法。 29.複数の対象物質を、チャネルに沿って第1の場所から第2の場所に移動さ せるための微小流体システムであって、該微小流体システムが、 該第1の位置および該第2の位置に電圧差を作り出すためのソースと、 該チャネルにある複数の対象物質領域であって、高イオン強度の第1のスペー サ領域と、低イオン濃度の少なくとも1つの第2のスペーサ領域とによって分離 される複数の対象物質領域とを含む、システム。 30.複数の対象物質領域を、チャネル上の第1の点から第2の点に輸送するた めの微小流体システムであって、該微小流体システムが、 各対象物質領域の両側にある一対の第1のスペーサ領域であって、高イオン濃 度を有する第1のスペーサ領域と、 少なくとも1つの第2のスペーサ領域であって、低イオン濃度を有する第2の スペーサ領域とを含む、システム。 31.前記第2のスペーサ領域が、前記第1のスペーサ領域よりも少なくとも2 桁(two orders)小さい大きさのイオン濃度を有する、請求項30に記載のシス テム。 32.前記第2のスペーサ領域が、1〜10mMの範囲のイオン濃度を有し、前 記第1のスペーサ領域が、100〜1000mMの範囲のイオン濃度を有する、 請求項31に記載の微小流体システム。 33.該基板に配置される少なくとも第1のチャネルおよび少なくとも第2のチ ャネルを有する基板であって、該少なくとも第2のチャネルは該第1のチャネル と交差しており、該第1のチャネルは、該第2のチャネルよりも深い基板と、 電気浸透流体方向付けシステムとを含む、微小流体システム。 34.前記少なくとも第1のチャネルが、前記第2のチャネルよりも少なくとも 2倍深い、請求項33に記載の微小流体システム。 35.前記少なくとも第1のチャネルが、前記第2のチャネルよりも少なくとも 5倍深い、請求項33に記載の微小流体システム。 36.前記少なくとも第1のチャネルが、前記第2のチャネルよりも少なくとも 約10倍深い、請求項33に記載の微小流体システム。 37.電気浸透流体方向付けシステムにおいて、流体ストリームを第1のチャネ ルに沿って制御可能に送達する方法であって、前記第1のチャネルが、少なくと も第2のチャネルと交差し、該流体ストリームが、異なるイオン強度を有する少 なくとも2つの流体領域を含み、該方法が、該第1のチャネルに、該第2のチャ ネルよりも大きい深さを与える工程を包含する、方法。 38.微小流体チャネル内で流体サンプルを輸送する方法であって、 少なくとも、第1のイオン強度を有する第1の流体物質のプラグを、該チャネ ルに導入する工程と、 少なくとも第1のサンプル流体プラグを該チャネルに導入する工程と、 少なくとも、該第1のイオン強度を有する第2の流体物質プラグを、該チャネ ルに導入する工程と、 少なくとも、第2のイオン強度を有する第3の流体物質プラグを導入する工程 とを包含し、該第2のイオン強度は、該第1のイオン強度よりも低く、 該チャネルに電圧を印加する工程をさらに包含する、方法。 39.前記少なくとも第1の流体物質プラグ、前記少なくともサンプル流体プラ グ、前記少なくとも第2の流体物質プラグ、および前記少なくとも第3の流体物 質プラグを導入する前記工程が、 前記チャネルの端部を、該少なくとも第1の流体物質のソースと接触させて、 該少なくとも第1の流体物質のソースから該チャネルに電圧を印加し、それによ り、該第1の流体物質が、該チャネルに導入される工程と、 該チャネルの端部を、該少なくとも第1のサンプル流体のソースと接触させて 、該少なくとも第1のサンプル流体の該ソースから該チャネルに電圧を印加し、 それにより、該第1のサンプル流体が、該チャネルに導入される工程と、 該チャネルの端部を、該少なくとも第2の流体物質のソースと接触させて、該 少なくとも第2の流体物質の該ソースから該チャネルに電圧を印加し、それによ り、該第2の流体物質が、該チャネルに導入される工程と、 該チャネルの端部を、該少なくとも第3の流体物質のソースと接触させて、該 少なくとも第3の流体物質の該ソースから該チャネルに電圧を印加し、それによ り、該第3の流体物質が、該チャネルに導入される工程とを包含する、請求項3 8に記載の方法。 40.請求項16に記載の電子ピペッタと、 複数の異なるサンプルが固定されるサンプル基板と、 該電子ピペッタを該サンプル基板に対して移動させるための並進システムとを 含む、サンプル抽出システム。 41.前記第1のキャピラリーチャネルの前記第1の端部と、前記第2のキャピ ラリーチャネルの前記第1の端部とが、前記電子ピペッタの先端の流体保持壁で 終結する、請求項40に記載のサンプル抽出システム。 42.前記複数の異なるサンプルが、前記サンプル基板の表面上で乾燥され、前 記電子ピペッタが、前記サンプル基板上の前記サンプルを再溶解させるための流 体量を放出することができる、請求項40に記載のサンプル抽出システム。 43.前記サンプルが、流体の形態で前記サンプル基板表面に塗布され、該基板 表面が、複数の流体局在領域を含む、請求項42に記載のサンプル抽出システム 。 44.前記流体局在領域が、比較的疎水性の領域によって囲まれる比較的親水性 の領域を含む、請求項43に記載のサンプル抽出システム。 45.前記流体局在領域が、比較的親水性の領域によって囲まれる比較的疎水性 の領域を含む、請求項43に記載のサンプル抽出システム。 46.前記流体局在領域が、前記サンプル基板の前記表面上に窪みを含む、請求 項43に記載のサンプル抽出システム。 47.チャネルを有する基板の使用であって、少なくとも第1の対象物質を、該 チャネルに沿って少なくとも第1の場所から第2の場所に輸送する際に、印加電 圧のために該チャネルに沿って輸送される少なくとも1つの低イオン濃度領域を 用いる、使用。 48.前記1つの領域のイオン濃度が、前記対象物質のイオン濃度よりも低い、 請求項47に記載の使用。 49.高イオン濃度のスペーサ領域によって分離される複数の対象物質が輸送さ れる、請求項47または48に記載の使用。 50.電気泳動バイアス補償における基板の使用であって、該基板がチャネルを 有し、少なくとも第1の対象物質が、該チャネルに沿って輸送され得、該チャネ ルが、第1および第2の部分に分割され、該チャネルの1つまたは複数の壁が、 反対の極性に帯電され、該第1の部分での輸送のために生じる該少なくとも第1 の対象物質についての電気泳動バイアスが、該第2の部分での輸送のために生じ る電気泳動バイアスによって実質的に補償される、使用。 51.第1の電極が、前記第1の部分の遠隔端に配置され、第2の電極が、該部 分の交差部に配置され、第3の電極が、前記第2の部分の遠隔端に配置される、 請求項50に記載の使用。 52.前記基板が、微小流体システムである、請求項47から51のいずれかに 記載の使用。 53.前記基板が、電子ピペッタである、請求項47から51のいずれかに記載 の使用。 54.前記電子ピペッタが、前記対象物質の輸送のための主チャネルと、該主チ ャネルに流体連通される少なくとも1つの別のチャネルとを有し、該別のチャネ ルから、該主チャネルに沿って輸送される別の物質が得られる、請求項53に記 載の使用。 55.前記別の物質が、複数の別個の対象物質の各々の間の緩衝領域として、前 記主チャネルに引き込まれる、請求項54に記載の使用。 56.流れ状態を最適にする際の微小流体システムの使用であって、該微小流体 システムが、少なくとも第1および第2の流体チャネルを有し、該チャネルが、 異なる深さを有する、使用。 57.一方のチャネルが、他方のチャネルよりも2倍〜10倍深い、請求項56 に記載の使用。 58.電気泳動補償における微小流体システムの使用であって、該微小流体シス テムが、第1のチャネルと、該第1のチャネルと交差する第2のチャネルとを有 し、該チャネルの交差部が、該第1のチャネルに沿って該第2のチャネルの方に 輸送される流体が該交差部で混合されて、該流体中のすべての電気泳動バイアス が分散されるような形状にされる、使用。 59.チャネルを有する基板を含む微小流体システムであって、印加電圧のため に該チャネルに沿って輸送される少なくとも1つの低イオン濃度領域を用いて、 少なくとも第1の対象物質が該チャネルに沿って少なくとも第1の場所から第2 の場所に輸送される、微小流体システム。 60.前記1つの領域のイオン濃度が、前記対象物質のイオン濃度よりも実質的 に低い、請求項59に記載のシステム。 61.高イオン濃度のスペーサ領域によって分離される複数の対象物質が輸送さ れる、請求項59または60に記載のシステム。 62.電気泳動バイアス補償における基板であって、該基板がチャネルを有し、 少なくとも第1の対象物質が、該チャネルに沿って輸送され得、該チャネルが、 第1および第2の部分に分割され、該チャネルの1つまたは複数の壁が、反対の 極性に帯電され、該第1の部分での輸送のために生じる該少なくとも第1の対象 物質についての電気泳動バイアスが、該第2の部分での輸送のために生じる電気 泳動バイアスによって実質的に補償される、基板。 63.第1の電極が、前記第1の部分の遠隔端に配置され、第2の電極が、該部 分の交差点に配置され、第3の電極が、前記第2の部分の遠隔端に配置される、 請求項62に記載の基板。 64.請求項59〜61のいずれかに記載のシステム、または請求項62もしく は63に記載の基板を含む電子ピペッタ。 65.前記対象物質の輸送のための主チャネルと、該主チャネルに流体連通され る少なくとも1つの別のチャネルとを有し、該別のチャネルから、該主チャネル に沿って輸送される別の物質が得られる、請求項64に記載の電子ピペッタ。 66.前記別の物質が、複数の別個の対象物質の各々の間の緩衝領域として、前 記主チャネルに引き込まれる、請求項65に記載の電子ピペッタ。 67.流れ状態を最適にするために、互いに交差する少なくとも第1および第2 の流体チャネルを有し、該チャネルが、異なる深さを有する、微小流体システム 。 68.一方のチャネルが、他方のチャネルよりも2倍〜10倍深い、請求項67 に記載のシステム。 69.第1のチャネルと、該第1のチャネルと交差する第2のチャネルとを有す る微小流体システムであって、該チャネルの交差部が、該第1のチャネルに沿っ て該第2のチャネルの方に輸送される流体が該交差部で混合されて、該流体中の すべての電気泳動バイアスが分散されるような形状にされる、システム。
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