JP2000516789A - 差動増幅器、集積回路、及び電話機 - Google Patents

差動増幅器、集積回路、及び電話機

Info

Publication number
JP2000516789A
JP2000516789A JP10529411A JP52941198A JP2000516789A JP 2000516789 A JP2000516789 A JP 2000516789A JP 10529411 A JP10529411 A JP 10529411A JP 52941198 A JP52941198 A JP 52941198A JP 2000516789 A JP2000516789 A JP 2000516789A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
differential amplifier
main current
control input
differential
current stream
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10529411A
Other languages
English (en)
Inventor
ジェラルドゥス マリア バルトゥス,ペトルス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics NV filed Critical Philips Electronics NV
Publication of JP2000516789A publication Critical patent/JP2000516789A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45484—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45547—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by using feedforward means
    • H03F3/45551—Measuring at the input circuit of the differential amplifier
    • H03F3/4556—Controlling the common emitter circuit of the differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085—Long tailed pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45098—PI types
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45484—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45488—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H03F3/45493—Measuring at the loading circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45502—Controlling the common emitter circuit of the differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45371—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising parallel coupled multiple transistors at their source and gate and drain or at their base and emitter and collector, e.g. in a cascode dif amp, only those forming the composite common source transistor or the composite common emitter transistor respectively
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45406—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a common source node of a long tail FET pair as an addition circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45454—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising biasing means controlled by the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45508—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a voltage generating circuit as bias circuit for the CSC
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45702—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 差動増幅器は、差動主電流ストリームと、主電流ストリームを制御するための制御入力を有する、主電流ストリームへ電流を供給する被制御電流源手段と、主電流ストリームと制御入力との間に結合され、主電流ストリームのうちの少なくとも1つにおいて検出された飽和に依存して制御入力信号を発生するための飽和検出回路とを含む。差動増幅器は、低い電力消費及び増加された効率で、改善された大きな信号の挙動を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 差動増幅器、集積回路、及び電話機 本発明は請求項1の前段部に記載される差動増幅器に関する。 本発明はまた、係る差動増幅器を設けられた集積回路及び係る集積回路を設け られた電話機に関する。 係る差動増幅器は、米国特許第3,440,554号より既知である。既知の 差動増幅器は、制御用の制御入力を有する制御された電流源トランジスタ手段に よって供給される2段差動トランジスタ対を有する差動主電流(路、経路)、以 下ストリームと称する、を含み、主電流ストリームと制御された電流源トランジ スタ手段の制御入力との間に結合される共通モード負帰還ループとして実施され るループ回路を含む。共通モード負帰還ループは、弁別係数(差動モードと共通 モード利得との比率として定義される)を改善し、共通モード除去係数(共通モ ード電圧入力と同一の出力電圧を発生するための差動モード電圧入力との比率と して定義される)を改善するよう作用する。負帰還に加え、差動主電流ストリー ム中ではこのストリームのコレクタ抵抗の除去を許すようバイアスループが実施 される。既知の差動増幅器の動作により、共通モード負帰還ループと負帰還バイ アスループとの組み合わせは、コレクタバイアス電圧定数を維持するための協働 する効果を生ずる。既知の差動増幅器の欠点は、大きな交流信号の挙動が乏しく 、入力振幅の限られた範囲のみが効果的に増幅されうることである。 従って、本発明は、改善された大きな交流信号の挙動を有し、より広い用途に 適用される差動増幅器を提供することを目的とする。 そのため本発明による差動増幅器は、請求項1記載の特徴を有する。本発明は 、既知の差動増幅器の大きな交流信号の挙動の乏しさ は電源電圧に近い最大振幅を有する大きな交流出力信号から生ずる飽和効果によ るものであること、また、この不利な作用は、飽和である間に飽和効果を補償す るために被制御電流源手段によって与えられる差動主電流が一時的に増加される よう被制御電流源手段が制御される場合に改善されるという概念を利用している 。本発明による差動回路は、低い電力消費及び/又は高い効率が要求される用途 に使用されうる。本発明による差動増幅器は、低い周波数の他に、適用される半 導体の帯域幅に依存してRF用途にも使用されうる。ダイナミックレンジ要件を 達成するのに必要とされる電流よりも低い電流において過剰な帯域幅を提供する 過程における用途は特に注目に値する。過剰な帯域幅は、電力消費を減少させ効 率を増加させるために本発明による差動増幅器を通じて使用されうるが、それと 共に、電力消費を、処理されている信号レベルに適合可能にさせる。これは本発 明による差動増幅器が、移動無線及び移動電話機用途のためのフロントエンド回 路、例えばGSM及びAMPS式フロントエンドに適用される可能性を広げる。 更に、容易な集積が可能となり、集積することにより夫々の差動主電流ストリー ムにおいてよりよく整合された適合可能な半導体構成要素及び小型な装置が与え られるため、改善された特徴が与えられる。 本発明による差動回路の1つの実施例は、請求項2に記載される特徴を有する 。本発明による差動増幅器のこの実施例では、係る検出回路は、飽和のない動作 に対して許容可能な最大電圧を検出することによって主電流ストリーム中の飽和 を検出する。 1つの種類の半導体のみを使用して、即ちPNP又はNPNのいずれかの半導 体を集積することによって、容易に実施可能であるという利点を有する実施例は 、請求項3に記載される特徴を有する。 本発明による差動増幅器の更なる実施例は、請求項4に記載される特徴を有す る。抵抗バイアス要素又は無効バイアス要素のいずれかである係るバイアス要素 は、被制御電流源手段によって与えられ るテール電流、即ち両方の主電流ストリーム中の結合された電流、を制御するた めの有効利得制御のために使用されうる。 本発明による差動増幅器の更なる実施例は、請求項5に記載される特徴を有す る。縮退要素を与えること、例えば差動主電流ストリーム中に抵抗器を与えるこ とは、これらの要素がクロスオーバ点の周辺の線形性を改善するため有利であり 、これの要素が与えられなければ厄介な3次歪みが生じうる。 本発明による差動増幅器の更なる実施例は、請求項6に記載される特徴を有す る。本発明による差動増幅器のこの実施例は、バイアス制御要素として主に半導 体要素を含むという利点を有し、従ってバイアス抵抗器手段によって実施される 係るバイアス制御要素の変形を形成する。 本発明による差動増幅器の更なる実施例は、上記差動増幅器の作用の電源電圧 に対する依存性を減少させるという利点を与えるため、請求項7に記載される利 点を有する。 以下、添付の図面を参照して本発明を説明する。図中、 図1は本発明による差動増幅器の組み合わされた実施例を概略的に示す図であ り、 図2は、図1に示される増幅器に出現するVce,Ibias及びVout(=V7− V6)を夫々、時間(t)の関数のグラフとして示す図であり、 図3は、本発明による差動増幅器の更なる実施例を示す図であり、 図4は、本発明による差動増幅器の更なる他の実施例を示す図であり、 図5は、本発明による差動増幅器を含む集積回路を有する電話機を設けられた 電気通信システムを示す図であり、 図6は、本発明による差動増幅器の実施例を示す図である。 全ての図について、同一の特徴に対して同一の参照番号が使用される。 図1は、2つの制御半導体トランジスタ2及び3のコレクターエミッタ鎖によ って形成される差動主電流路(差動主電流ストリーム)A及びBを含む差動増幅 器1を示す図である。増幅器1に含まれる被制御電流源手段4は、主電流ストリ ームA及びBに電流を供給する。1つの電流源トランジスタを示す被制御電流源 手段4は、主電流ストリーム中の電流を制御するための制御入力5を有する。ト ランジスタ2及び3の夫々のコレクタ6及び7は、抵抗器8及び9並びに可能な 共通抵抗器10を通じて電源電圧Vccに接続される。トランジスタ2及び3の夫 々のベース11及び12は増幅されるべき入力信号用の入力端子を形成し、一方 増幅された信号はコレクタ6及び7から取り出すことができる。図示されるよう に、主電流ストリームA,Bは、接地されたエミッタを有する電流源トランジス タ4のコレクタ13において組み合わされる。係る差動増幅器の動作は一般的に 知られている。 差動増幅器1は更に、図示される実施例では、バイアス要素16に相互接続さ れたエミッタを夫々有する2つの半導体14及び15を有する飽和検出回路を更 に含み、この飽和検出回路14,15,16は、主電流ストリームA,Bと被制 御電流源手段4の制御入力5との間に結合されている。トランジスタ14,15 の夫々のベースはコレクタ6及び7に接続され、一方そのコレクタはVccに相互 接続される。飽和検出回路14−16は、主電流ストリームA及びBのうちの少 なくとも1つにおいて飽和を検出するよう動作する。図中、検出回路14−16 は主電流ストリーム最大電圧検出回路として実施されて示され、飽和は、コレク タ6及び7のうちのいずれかの最大電圧を検出することによって検出され、最大 電圧VceはVccに接近し、図2に示される飽和の徴候を示す。 検出回路14−16は、コレクタ6,7上の2つの出力電圧の最大によって制 御されるバイアス電流Ibias(図2参照)をより多く発生させるよう動作する。 この最大電圧は、最も低い電流、従って 最も低い入力電圧を含むストリームの中で発生する。増加されたバイアス電流は 電流源4の制御入力5において流入され、従って電流源4を通るテール電流を増 加させ、この増加は本質的には最も高い電流が流れるストリームA又はBの中の 電流を増加させるだけである。他のストリーム中の電流はゼロよりも高い略一定 の値に維持される。このように更に増加されたより高い電流ストリームは、飽和 の間、対応するコレクタ出力を一時的に低下させる。結果として、飽和効果のな い図2に示される増幅された差動電圧Voutが得られる。 抵抗器を含むとして図示されたバイアス要素16は、電流源4を通るテール電 流を制御することによって単に利得制御のために使用されうる。抵抗器を含む縮 退要素17及び18は、トランジスタ2,3のうちの一方の伝導が他方によって 取って代わられるクロスオーバ点の周辺の線形性を改善するために使用される。 これは3次高調波歪みを減少する。 差動増幅器1は、更に被制御電流源手段4の制御入力5に結合されたリプル制 御出力を有するリプル電源電圧検出手段を更に含む。リプル電源電圧検出手段は 、エミッタフォロアとして抵抗器20に接続されたトランジスタ19と、アース に直列に接続された電流源21とを含み、接続点はトランジスタ19のベース2 2に接続されている。トランジスタ19のエミッタ23は、抵抗器24及び接合 25の直列配置を通じてアースに接続される。抵抗器24と接合25との接続点 は、制御入力5に接続されたミラー主電流ストリームを有するトランジスタ27 のベース26に接続される。 差動増幅器1の電源電圧の変化は、トランジスタ4へのベース電流の対応する 変化を引き起こし、抵抗器16を通るバイアス電流は影響を受けないままにする ため、リプル電源電圧検出手段19−27は、電源電圧Vccに依存するバイアス 電流を減少させるよう動作する。 図3は、本発明による差動増幅器の更なる実施例を示す図であり、被制御電流 源手段は2つの別個の電流源半導体4−1及び4−2を含み、夫々のバイアス電 流は半導体4−1及び4−2の相互接続された夫々のベース28及び29への唯 一のVbiasによって要求に応じて電圧制御される。 図4は、差動増幅器1の更なる実施例を示す図である。この実施例では、3d Bの3次高調波歪みを低下させるため、更なる回路が追加されている。回路は本 質的には、並列入力トランジスタ32及び33によって夫々制御され、従って上 述のクロスオーバ点において線形性を改善するために電流源4に対して追加的な 制御を与える2つの電流源30及び31を含む。バイアス要素16は、速度制御 特徴を改善するための抵抗器41及びコンデンサ34の並列配置を含む。 差動増幅器1は、図5に示される電話機35といった電気通信装置の中の用途 のためにICの中に実施されうる。係る電話機は移動式電話機又は固定式電話機 等でありえ、電気通信システム36の中で実施されうる。電話機35は、マイク ロプロセッサ37、関連するメモリ38、表示スクリーン39及びキーボード4 0を含む。もちろん電話機35は、正しく実施され、電話機の動作のために必要 とされる全ての更なる特徴及びを含み、ハンドフリー式動作の可能性、聴取用特 徴、スピーカ設備、ダイアル特徴、充電設備等を更に含みうる。 図6は、トランジスタ40,41,42,43,44及び45と、抵抗器46 ,47,48,49,50,51,52,53,54及び55と、更なるコンデ ンサ56及び57と、トランジスタ40及び41のエミッタ間の抵抗器58とを 含む本発明による差動増幅器1の1つの実施例を示す図である。この実施例は他 の実施例と同様の性質を有するが、作動中の装置から充分な帯域幅が使用可能で ある場合のより大きな出力電圧OUTによって、より高い効率を与え る。抵抗器58は利得を設定する。バイアス電圧Vbiasは動作のA級領域のため の限界を設定する。出力電圧OUTはNPNのみの回路では可能な限り大きく、 CMOS実施もまた適応可能である。コンデンサ56及び57は、従来技術で周 知のレベルシフト回路によって置き換えられ得る。 上述より、当業者によって、以下添付の請求項によって定義される本発明の精 神及び範囲を逸脱することなく様々な変更がなされることが可能であり、従って 本発明は本願に記載される実施例に制限されるものではない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 差動主電流ストリームと、 上記主電流ストリームを制御するための制御入力を有する、上記主電流ストリ ームへ電流を供給する被制御電流源手段と、 上記主電流ストリームと上記制御入力との間に結合されたループ回路とを含む 、差動増幅器であって、 上記ループ回路は、上記主電流ストリームのうち少なくとも1つにおいて検出 された飽和に依存して制御入力信号を発生するための飽和検出回路であることを 特徴とする差動増幅器。 2. 上記飽和検出回路は、主電流ストリーム最大電圧検出回路であることを特 徴とする、請求項1記載の差動増幅器。 3. 上記主電流ストリーム最大電圧検出回路は、共通のコレクタで接続された 半導体を含むことを特徴とする、請求項2記載の差動増幅器。 4. 上記差動増幅器は、上記主電流ストリームと上記被制御電流源手段の制御 入力との間に結合されるバイアス要素を含むことを特徴とする、請求項1乃至3 のうちいずれか1項記載の差動増幅器。 5. 上記差動増幅器は、上記差動主電流ストリームの中に含まれる縮退要素を 含むことを特徴とする、請求項1乃至4のうちいずれか1項記載の差動増幅器。 6. 上記被制御電流源手段は、夫々が対応する差動主電流ストリームに結合さ れる別々に制御される電流源を含むことを特徴とする、請求項1乃至5のうちい ずれか1項記載の差動増幅器。 7. 上記差動増幅器は、上記被制御電流源手段の上記制御入力に結合されたリ プル制御出力を有するリプル電源電圧検出手段を含むことを特徴とする、請求項 1乃至6のうちいずれか1項記載の差動増幅器。 8. 差動主電流ストリームと、 上記主電流ストリームを制御するための制御入力を有する、上記主電流ストリ ームへ電流を供給する被制御電流源手段と、 上記主電流ストリームと上記制御入力との間に結合されたループ回路とを含む 、請求項1乃至7のうちいずれか1項記載の差動増幅器を有する集積回路であっ て、 上記ループ回路は、上記主電流ストリームのうち少なくとも1つにおいて検出 された飽和に依存して制御入力信号を発生するための飽和検出回路であることを 特徴とする差動増幅器。 9. 差動主電流ストリームと、 上記主電流ストリームを制御するための制御入力を有する、上記主電流ストリ ームへ電流を供給する被制御電流源手段と、 上記主電流ストリームと上記制御入力との間に結合されたループ回路とを含む 、請求項1乃至7のうちいずれか1項記載の差動増幅器を有する電話機であって 、 上記ループ回路は、上記主電流ストリームのうち少なくとも1つにおいて検出 された飽和に依存して制御入力信号を発生するための飽和検出回路であることを 特徴とする電話機。
JP10529411A 1997-06-25 1998-04-16 差動増幅器、集積回路、及び電話機 Pending JP2000516789A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP97201944.2 1997-06-25
EP97201944 1997-06-25
PCT/IB1998/000572 WO1998059416A1 (en) 1997-06-25 1998-04-16 A differential amplifier, an integrated circuit, and a telephone

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000516789A true JP2000516789A (ja) 2000-12-12

Family

ID=8228482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10529411A Pending JP2000516789A (ja) 1997-06-25 1998-04-16 差動増幅器、集積回路、及び電話機

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5999050A (ja)
EP (1) EP0919082B1 (ja)
JP (1) JP2000516789A (ja)
CN (1) CN1166054C (ja)
DE (1) DE69821197T2 (ja)
WO (1) WO1998059416A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001320243A (ja) * 2000-05-12 2001-11-16 Sony Corp バイアス回路およびこれを用いた無線通信装置
IL144811A (en) * 2000-08-11 2005-12-18 Ibm Amplifier with suppression of harmonics
US7190712B2 (en) * 2001-05-18 2007-03-13 Global Locate, Inc Method and apparatus for performing signal correlation
US6888406B2 (en) * 2002-08-12 2005-05-03 Microtune (Texas), L.P. Highly linear variable gain amplifier
US6879534B2 (en) * 2002-11-01 2005-04-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for minimizing differential amplifier power supply sensitivity
DE102004024082A1 (de) * 2004-05-14 2005-12-08 Infineon Technologies Ag Eingangsschaltung zum Empfangen eines Eingangssignals sowie ein Verfahren zum Anpassen eines Arbeitspunktes einer Eingangsschaltung
FR2872648B1 (fr) * 2004-06-30 2006-09-08 St Microelectronics Sa Amplificateur a transconductance rapide
CN103546107A (zh) * 2013-10-25 2014-01-29 苏州贝克微电子有限公司 一种宽带线性载流放大器
US9391577B2 (en) * 2014-05-07 2016-07-12 Linear Technology Corporation Low-voltage analog variable gain amplifier with enhanced linearity
US10848109B2 (en) 2017-01-26 2020-11-24 Analog Devices, Inc. Bias modulation active linearization for broadband amplifiers

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3440554A (en) * 1966-09-14 1969-04-22 Burr Brown Res Corp Differential dc amplifier
US4272728A (en) * 1979-08-28 1981-06-09 Rca Corporation Differential-input amplifier circuit
US4442408A (en) * 1982-05-13 1984-04-10 International Business Machines Corporation Differential amplifier with auto bias adjust
GB9019178D0 (en) * 1990-09-03 1990-10-17 Lsi Logic Europ Power amplifiers
US5287071A (en) * 1992-11-20 1994-02-15 Harris Corporation Amplifier with high common mode rejection

Also Published As

Publication number Publication date
EP0919082B1 (en) 2004-01-21
CN1237287A (zh) 1999-12-01
DE69821197D1 (de) 2004-02-26
DE69821197T2 (de) 2004-12-02
US5999050A (en) 1999-12-07
WO1998059416A1 (en) 1998-12-30
EP0919082A1 (en) 1999-06-02
CN1166054C (zh) 2004-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4262790B2 (ja) 低電圧演算増幅器の入力段および方法
US4586000A (en) Transformerless current balanced amplifier
EP0664605B1 (en) Amplifier device
US6930555B2 (en) Amplifier power control circuit
US5150076A (en) Emitter-grounded amplifier circuit with bias circuit
JPH08250941A (ja) 低歪差動増幅回路
US6236268B1 (en) High-gain amplifier having a limited output dynamic range
EP0730345B1 (en) Variable gain circuit
CN1166054C (zh) 差动放大器、集成电路和电话机
US4451800A (en) Input bias adjustment circuit for amplifier
EP0475507B1 (en) Amplifier arrangement
JPH0447488B2 (ja)
US3851269A (en) Hum reduction in transistor amplifiers
JPH05206751A (ja) クラスa増幅器用動的バイアス
EP0420341B1 (en) Balanced filter circuit
JP2000244261A (ja) 信号入力回路及びこれを用いた可変利得増幅器
JPH07312525A (ja) 広帯域定インピーダンス増幅器
CA1312359C (en) Operational amplifier stages
US4945314A (en) Amplifier arrangement with saturation detection
JPH04223603A (ja) 演算増幅器
US7612609B1 (en) Self-stabilizing differential load circuit with well controlled complex impedance
US7019590B1 (en) Self-stabilizing differential load circuit with well controlled impedance
JPH08167819A (ja) 送信回路
JP3821594B2 (ja) コンデンサマイクロホンの電源供給方式及びその増幅回路並びにそれを用いた電話端末装置
JP2881770B2 (ja) Agc回路