JP2001196152A - セラミックスヒータ - Google Patents

セラミックスヒータ

Info

Publication number
JP2001196152A
JP2001196152A JP2000004570A JP2000004570A JP2001196152A JP 2001196152 A JP2001196152 A JP 2001196152A JP 2000004570 A JP2000004570 A JP 2000004570A JP 2000004570 A JP2000004570 A JP 2000004570A JP 2001196152 A JP2001196152 A JP 2001196152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
parts
substrate
electrode
heating element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000004570A
Other languages
English (en)
Inventor
Masuhiro Natsuhara
益宏 夏原
Hirohiko Nakada
博彦 仲田
Shunji Nagao
俊二 長尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2000004570A priority Critical patent/JP2001196152A/ja
Priority to TW089128218A priority patent/TW491822B/zh
Priority to US09/760,161 priority patent/US6548787B2/en
Priority to CA002330885A priority patent/CA2330885C/en
Priority to EP01300254A priority patent/EP1117273A3/en
Priority to KR10-2001-0002062A priority patent/KR100377700B1/ko
Priority to CNB011016736A priority patent/CN1269384C/zh
Publication of JP2001196152A publication Critical patent/JP2001196152A/ja
Priority to HK02100906.1A priority patent/HK1039436A1/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を形成する主成分に窒化アルミニウム、
窒化珪素又は炭化珪素を用いて機械的強度を高めて耐熱
衝撃性を克服し、適切な添加物を配合することで熱伝導
率を調節し、発熱体から電極への温度傾斜を緩やかにし
て、発熱体の電極と給電部のコネクターの接点の酸化を
防ぐのに有効な基板の寸法比を提供する。 【解決手段】 セラミツクス基板の表面に電極と発熱体
を形成したセラミックスヒータにおいて、発熱体2の回
路の電極3との接続始点と電極3側のセラミックス基板
1aの端までの距離をA、セラミックス基板1aの厚み
をBとしたとき、A/B≧20となる形状であって、セ
ラミックス基板1aの熱伝導率を30〜80W/m・K
に調整する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス基板
(以降、単に基板という)上に発熱体を形成したセラミ
ックスヒータに係り、特に電気、電子機器の用途に有用
なセラミックスヒータに関する。
【0002】
【従来の技術】従来からセラミックスは、その絶縁性及
び回路設計の自由度に優れていることから、種々の用途
のヒータ基板として用いられてきた。特にアルミナ焼結
体は、セラミックスの中では機械的強度が高く、その熱
伝導率も30W/m・Kに達し比較的熱伝導性や耐熱衝
撃性にも優れ、安価であることから広く用いられてき
た。しかしながら、アルミナ焼結体を基板に用いた場
合、発熱体の急激な温度変化に追従できず基板が熱衝撃
によって破断することがある。
【0003】基板の耐熱衝撃性を向上させるために、特
開平4−324276号公報には熱伝導率が160W/
m・K以上の窒化アルミニウムを用いたセラミックスヒ
ータが開示されている。この位の熱伝導率を有する基板
を用いると、急激な温度変化によってアルミナを用いた
基板のように破断することはない。この従来技術によれ
ば、セラミックスヒータ内の温度分布を均一にするた
め、4層程度の窒化アルミニウムを積層し、各層にそれ
ぞれ異なった形状の発熱体を形成すると共に、電極の位
置を概ね基板の中心部に形成することでヒータ全体の均
熱性が確保できると説明されている。
【0004】又、特開平9−197861号公報には、
定着器用ヒータ基板に窒化アルミニウムを用いることが
開示されている。この従来技術では、窒化アルミニウム
の粒子の平均粒径を6.0μm以下とし、焼結助材の組
合わせを最適化し、少なくとも1800℃以下、好まし
くは1700℃以下の温度で焼結することにより、50
W/m・K以上、好ましくは200W/m・K以上の熱
伝導率を有する基板を得ることができる。この熱伝導性
の良好な基板を定着器用ヒータに採用することで、発熱
体の熱を効率良く紙やトナーに伝えて定着速度の向上を
図るものであると説明されている。
【0005】その他、特開平11−95583号公報に
は、定着器用ヒータ基板に窒化珪素を用いることが開示
されている。この従来技術では、抗折強度490〜98
0N/mm2の比較的強度が高く、かつ40W/m・K
以上、好ましくは80W/m・K以上の熱伝導率を有す
る窒化珪素を用いることによって基板自体の厚さを薄く
し、熱容量を小さくすることで消費電力の削減を図って
いる。又、熱伝導率が窒化アルミニウムより低いため、
発熱体の熱が給電部のコネクターに容易に伝達されず、
発熱体の電極の酸化を防ぎ接点不良を避けることができ
ると説明されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】基板の熱伝導率を上げ
ていくと、発熱体からの熱の伝播効率は良くなるものゝ
加熱部以外への拡散量も増え、結果的に消費電力も増え
る。従って、基板周辺の均熱性に優れ、かつ発熱体の電
極周辺の温度が発熱体領域の温度より数%以上低温であ
ることが、発熱体の電極と給電部のコネクターの接点の
酸化を防ぐのに有効である。本発明は、基板を形成する
主成分に窒化アルミニウム、窒化珪素又は炭化珪素を用
いて機械的強度を高めて耐熱衝撃性を克服し、適切な添
加物を配合することで熱伝導率を調節し、発熱体から電
極への温度傾斜を緩やかにして、発熱体の電極と給電部
のコネクターの接点の酸化を防ぐのに有効な基板の寸法
比を提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックスヒ
ータは、セラミックス基板の表面に電極と発熱体を形成
した基板において、発熱体の電極との接続始点と電極側
の基板端までの距離をA、基板の厚みをBとしたとき、
A/B≧20となる形状に形成し、基板の熱伝導率を3
0〜80W/m・Kに調整する。
【0008】基板を形成する主成分が窒化アルミニウ
ム、窒化珪素又は炭化珪素であり、これに熱伝導率が5
0W/m・K以下の従成分を添加する。
【0009】セラミックスの主成分が窒化アルミニウム
の場合、その熱伝導率を調整するため窒化アルミニウム
100重量部に対し、酸化アルミニウムを5〜100重
量部添加するか又は、シリコンまたは/及びシリコン化
合物を二酸化珪素量に換算して、1〜20重量部添加す
るか又は、ジルコニウムまたは/及びジルコニウム化合
物を酸化ジルコニウム量に換算して、5〜100重量部
添加する。
【0010】そして機械的強度の高いセラミックス焼結
体を得るために、焼結助剤として窒化アルミニウム10
0重量部に対し、周期率表のアルカリ土類元素または/
及び希土類元素を1〜10重量部を含有させる。周期率
表のアルカリ土類元素はカルシュウム(Ca)を、周期
率表の希土類元素はネオジム(Nd)及びイッテリビウ
ム(Yb)を選択すると更に好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明に用いるセラミックスヒー
タの基板材質は、窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪
素(Si3N4)、炭化珪素(SiC)を主成分とするも
のが好ましい。元々これらのセラミックスは、原料粉末
に数%以下の適切な焼結助剤を加えて、焼結することに
より熱伝導率が100W/m・Kを超える基板を得るこ
とができるが、これに熱伝導率が50W/m・K以下の
従成分を添加することによって、熱伝導率を30〜80
W/m・Kに下げた基板を得ることができる。
【0012】基板の熱伝導率が30W/m・K以下であ
ると、通電された発熱体の急激な温度上昇により、基板
自身が熱衝撃によって破断する可能性が高く好ましくな
い。また熱伝導率が80W/m・Kを超えると、発熱体
の熱は基板全体に伝播され均熱性は良好であるものゝ、
加熱部以外への拡散量も増え消費電力も増えるので好ま
しくない。
【0013】窒化アルミニウム(AlN)に対して酸化
アルミニウム(Al2O3)を添加する場合、窒化アルミ
ニウム100重量部に対して5〜100重量部添加する
のが好ましい。添加される酸化アルミニウムは、焼結体
中において窒化アルミニウムに酸素を固溶させることで
熱伝導率を低下させると共に、酸化アルミニウム自身の
熱伝導率も20W/m・K程度であるため、窒化アルミ
ニウムの粒界層に存在してセラミックス焼結体の熱伝導
率を低下させる効果がある。酸化アルミニウムの添加量
が5重量部未満の場合、熱伝導率が80W/m・Kを超
えることがある。また添加量が100重量部を超える
と、窒化アルミニウムと酸化アルミニウが反応して酸窒
化アルミニウムが形成される。この物質は非常に熱伝導
率が低いため、基板全体の熱伝導率も30W/m・K未
満となることもある。
【0014】又、窒化アルミニウム(AlN)に対し
て、シリコンまたは/及びシリコン化合物を添加して熱
伝導率を調整することもできる。添加するシリコン化合
物には、二酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(Si
3N4)、炭化珪素(SiC)等がある。これらの物質は
焼結体中の粒界層に存在し、窒化アルミニウム粒子同士
の熱伝導を阻害する熱バリアー相として作用する。この
シリコンまたは/及びシリコン化合物の添加量として
は、窒化アルミニウム100重量部に対して二酸化珪素
(SiO2)の量に換算して1〜20重量部添加するの
が好ましい。添加量が1重量部未満の場合,シリコンの
熱バリアー効果が不十分となり易く、そのため熱伝導率
が80W/m・Kを超えてしまうことがある。また添加
量が20重量部を超えると、熱伝導率が30W/m・K
未満に低下し易くなる。
【0015】又、窒化アルミニウム(AlN)に対し
て、ジルコニウムまたは/及びジルコニウム化合物を添
加して熱伝導率を調整することもできる。代表的なもの
に酸化ジルコニウム(ZrO2)がある。この物質は焼
結体中の粒界層に存在し、窒化アルミニウム粒子同士の
熱伝導を阻害する熱バリアー相として作用する。酸化ジ
ルコニウムの添加量は、窒化アルミニウム100重量部
に対し5〜100重量部添加するのが好ましい。添加量
が5重量部未満の場合,ジルコニウムの熱バリアー効果
が不十分となり易く、そのため熱伝導率が80W/m・
Kを超えてしまうことがある。また添加量が100重量
部を超えると、熱伝導率が30W/m・K未満に低下し
易くなる。
【0016】さらに、窒化アルミニウムの熱伝導率を下
げるために、別の従成分として酸化チタン、酸化バナジ
ウム、酸化マンガン、酸化マグネシウムを添加すること
も可能である。添加量としては窒化アルミニウム100
重量部に対して、酸化チタンでは15〜30重量部、酸
化バナジウムでは5〜20重量部、酸化マンガンでは5
〜10重量部、酸化マグネシウムでは5〜15重量部が
好適である。
【0017】そして、セラミックスの主成分が窒化珪素
(Si3N4)の場合にも、酸化アルミニウム、酸化ジル
コニウム、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化マンガ
ン、酸化マグネシウムを添加して熱伝導率を調整するこ
ともできる。添加量としては窒化珪素粉末100重量部
に対して酸化アルミニウムでは2〜10重量部、酸化ジ
ルコニウムでは5〜20重量部、酸化チタンでは10〜
30重量部、酸化バナジウムでは5〜20重量部、酸化
マンガンでは5〜10重量部、酸化マグネシウム10〜
20重量部が好適である。
【0018】又、セラミックスの主成分が炭化珪素(S
iC)の場合、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、
酸化チタン、酸化バナジウム、酸化マンガン、酸化マグ
ネシウムを添加して熱伝導率を調整することができる。
添加量としては炭化珪素粉末100重量部に対して酸化
アルミニウムでは10〜40重量部、酸化ジルコニウム
では5〜20重量部、酸化チタンでは15〜30重量
部、酸化バナジウムでは10〜25重量部、酸化マンガ
ンでは2〜10重量部、酸化マグネシウム5〜15重量
部が好適である。
【0019】また本発明において主成分を窒化アルミニ
ウム(AlN)とする場合、緻密な焼結体を得るため
に、主成分の原料粉末100重量部に対し、焼結助剤と
して周期率表のアルカリ土類元素または/及び希土類元
素を1重量部以上含有させるのが好ましい。さらに、添
加する周期率表のアルカリ土類元素がカルシュウム(C
a)であり、周期率表の希土類元素がネオジム(Nd)
及びイッテリビウム(Yb)であることが好ましい。こ
れらの元素を添加することによって、比較的低温で焼結
することができ焼結コストを低減することができる。
【0020】本発明における焼結体の製造方法は、周知
の方法に従えばよい。例えば、所定量の原料粉末に有機
溶剤、バインダー等を加え、ボールミルによる混合工程
によってスリラーを作り、それをドクターブレード法に
よって所定の厚さのシートに成形し、所定の寸法形状に
切断した後、大気中もしくは窒素中で脱脂した後非酸化
雰囲気中で焼結すればよい。
【0021】なお成形については、各種プレス法や押し
出し成形法のような通常の手段が利用できる。又、ヒー
タの作製に当たって発熱体には、タングステンやモリブ
デン等から成る高融点金属の層を焼結体上にスクリーン
印刷等の手法により、非酸化雰囲気中で焼結することで
所望のパターンに形成できる。又、発熱体への給電部と
なる電極も、焼結体上にスクリーン印刷しておくことで
同時に形成することも可能である。但し、この場合の脱
脂は、メタライズ層の酸化を防ぐために窒素等の非酸化
雰囲気中で行う必要がある。さらに、発熱体としてAg
やAg−Pd等を用いることもできる。以下半田ゴテ用
のセラミックスヒータを例に採って実施例を説明する
が、本発明は、この用途に限定されるものではない。
【0022】(実施例)実施例1 セラミックスの主成分である窒化アルミニウム(Al
N)100重量部に対して、表1に示すように酸化アル
ミニウム(Al2O3)の添加量を選択し、さらに焼結助
剤としてYb2O3を2重量部、Nd2O3を2重量部、C
aOを0.3重量部添加し、有機溶剤及びバインダーを
加え、ボールミル混合を24時間行った。この出来上が
ったスリラーをドクターブレード法により、焼結後の厚
さが0.7mmになるようにシートに形成した。
【0023】そして、図1のセラミックスヒータの平面
図に示す基板1aと1bの焼結後の寸法がいずれも50
mm×5mmになるようにシート状に切断し、大気雰囲
気中で500℃で脱脂をした。次に、この脱脂体を窒素
雰囲気中1800℃で焼結した後、厚さ(B)0.5m
mに研磨加工した。さらに基板1a上にAg−Pdペー
ストを用いて発熱体2を、Agペーストを用いて電極3
をスクリーン印刷して、大気中880℃で焼結した。セ
ラミックスヒータの寸法形状は、発熱体2の電極3との
接続始点と電極3側の基板1aの端までの距離をA、基
板1の厚みをBとしたとき、A/B≧20となる条件を
満たすよう発熱体2の回路の長手方向長さを40mmに
形成した。
【0024】さらに、発熱体2を保護するためにC−C
断面に示すようにペースト状の封止ガラス4を塗布し、
その上部に45mm×5mmの基板1bを載せ、大気中
880℃で焼結することで双方の基板1aと1bを接合
し、図2の断面図で示す半田ゴテ用ヒータを作製した。
基板1aと1bは、基板の全長に若干の相違があるだけ
で、その他の寸法、材質は同一のセラミツクスである。
実施例1における熱伝導率は、基板1aを対象にレーザ
ーフラッシュ法で測定して表1に示す。
【0025】半田ゴテ10の先端は、基板1aと1bか
ら成るコテ先11が金属薄板から成るフレーム12に保
持されている。フレーム12とコテ先11の間には、マ
イカ(雲母)またはアスベスト等から成る断熱材13が
介在し、フレーム12の外周に木製の握り手14が嵌装
されている。電極3とリード線15の接続には、半田等
の溶着金属は熱劣化を受け易いので、むしろ機械的な接
点接合となるように、電極3にはリード線15側の接点
16が、電極3にバネ座17とクランプボルト18によ
って圧接されている。接点16は大気中で300℃以上
の昇温を繰り返すと酸化され、接点不良を起こし易い。
19は、電極部3の温度観測用の窓である。
【0026】通常、半田ゴテ10のコテ先11の部材に
は、半田との親和性や熱伝導性の良いことで銅が用いら
れるが、半田との親和性の良いことが災いして半田の付
着を招き易く、コテ先11の半田汚れを嫌う特殊な用途
にはセラミックス製のものが使用される。なお半田材に
は、錫−鉛の合金が用いられ錫の含有量が高くなるに従
って低融点となり、通常、230〜280℃で溶着され
る。因みに、定着器用ヒータのトナー定着温度は200
〜250℃である。
【0027】そして、半田ゴテ10のコテ先11が露出
している部分の温度が300℃で安定するようにスライ
ダックスを用いて電流量を調整し、その消費電力を測定
した。同時に、その時の電極部3の温度を温度観測用の
窓19を利用して赤外線放射温度計を用いて計測した結
果を表1に示す。
【0028】
【表1】 尚、☆は比較例である。
【0029】表1の結果を考察すると、熱伝導率が本発
明の上限を超える試料1、2は、消費電力が増え、下限
未満の試料8は、熱衝撃によってしばしば陶器に見られ
るような「焼き割れ」に類似した亀裂が、基板1aに生
じた。又、発熱体2に対する電極3部の温度傾斜は、本
発明の推奨する熱伝導率範囲内であれば、緩やかな温度
傾斜を有し基板1aの均熱性が良好であることを示して
いる。
【0030】実施例2 次に、セラミックスの主成分である窒化アルミニウム
(AlN)100重量部に対して、表2に示すように二
酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(Si3N4)、炭化珪
素(SiC)の添加量を選択し、さらに焼結助剤として
Yb2O3を2重量部、Nd2O3を2重量部、CaOを
0.3重量部添加し、実施例1と同様の手法で基板を作
製した。さらに、その基板を図2に示す半田ゴテ10に
組み込むことによって、実施例1と同様の手順でセラミ
ックスヒータとしての特性を評価した結果を表2に示
す。
【0031】
【表2】 尚、☆は比較例である。
【0032】表2の結果を考察すると、添加物をSiO
2に換算した添加量が本発明の推奨する範囲内の試料1
2〜19は、熱伝導率が適正範囲に調整され、消費電力
も低く抑えられている。そして、発熱体2に対する電極
3部の温度傾斜も安定した均熱性を示した。
【0033】実施例3 次に、セラミックスの主成分である窒化アルミニウム
(AlN)100重量部に対して、表3に示すように酸
化ジルコニウム(ZrO2)の添加量を選択し、さらに
焼結助剤としてYb2O3を2重量部、Nd2O3を2重量
部、CaOを0.3重量部添加し、実施例1と同様の手
法で基板を作製した。さらに図2に示す半田ゴテ10に
よって、実施例1と同様の手順でセラミックスヒータと
しての特性を評価した結果を表3に示す。
【0034】
【表3】 尚、☆は比較例である。
【0035】表3の結果を考察すると、添加物である酸
化ジルコニウム(ZrO2)の添加量が本発明の推奨す
る範囲内の試料23〜27は、熱伝導率が適正範囲に調
整され、消費電力も低く抑えられている。そして、発熱
体2に対する電極3部の温度傾斜も安定した均熱性を示
した。
【0036】実施例4 次に、セラミックスの主成分である窒化珪素(Si
3N4)100重量部に対して、表4に示すように酸化ア
ルミニウム(Al2O3)、酸化ジルコニウム(Zr
O2)、二酸化チタン(TiO2)、酸化バナジウム(V
2O5)、酸化マンガン(MnO)、酸化マグネシウム
(MgO)の添加量を選択し、さらに焼結助剤として酸
化イットリウム10重量部添加し、実施例1と同様の手
法でシート成形を行った。その後窒素雰囲気中850℃
で脱脂を行い、1850℃の窒素雰囲気中で3時間焼結
して表4に示す各種基板を作製した。さらに図2に示す
半田ゴテ10によって、実施例1と同様の手順でセラミ
ックスヒータとしての特性を評価した結果を表4に示
す。
【0037】
【表4】 尚、☆は比較例である。
【0038】表4の結果を考察すると、各種添加物の添
加量が本発明の推奨する範囲内の試料30〜33、35
〜37、39〜40、42〜43、45〜46、48〜
49は、熱伝導率が適正範囲に調整され、消費電力も低
く抑えられている。そして、発熱体2に対する電極3部
の温度傾斜も安定した均熱性を示した。
【0039】実施例5 次に、セラミックスの主成分である炭化珪素(SiC)
100重量部に対して、表5に示すように酸化アルミニ
ウム(Al2O3)、酸化ジルコニウム(ZrO 2)、二
酸化チタン(TiO2)、酸化バナジウム(V2O5)、
酸化マンガン(MnO)、酸化マグネシウム(MgO)
の添加量を選択し、さらに焼結助剤として炭化硼素(B
4C)1.0重量部添加し、実施例1と同様の手法でシ
ート成形を行った。その後窒素雰囲気中850℃で脱脂
を行い、2000℃のアルゴン雰囲気中で3時間焼結し
て表5示す各種基板を作製した。さらに図2に示す半田
ゴテ10によって、実施例1と同様の手順でセラミック
スヒータとしての特性を評価した結果を表5に示す。
【0040】
【表5】 尚、☆は比較例である。
【0041】表5の結果を考察すると、各種添加物の添
加量が本発明の推奨する範囲内の試料52〜55、57
〜59、61〜62、64〜65、67〜68、70〜
71は、熱伝導率が適正範囲に調整され、消費電力も低
く抑えられている。そして、発熱体2に対する電極3部
の温度傾斜も安定した均熱性を示した。
【0042】実施例6 次に、セラミックスの主成分である窒化アルミニウム
(AlN)100重量部に対して、表6に示すように二
酸化チタン(TiO2)、酸化バナジウム(V2O 5)、
酸化マンガン(MnO)、酸化マグネシウム(MgO)
の添加量を選択し、さらに焼結助剤としてYb2O3を2
重量部、Nd2O3を2重量部、CaOを0.3重量部添
加し、実施例1と同様の手法で基板を作製した。さらに
図2に示す半田ゴテ10によって、実施例1と同様の手
順でセラミックスヒータとしての特性を評価した結果を
表6に示す。
【0043】
【表6】 尚、☆は比較例である。
【0044】表6の結果を考察すると、各種添加物の添
加量が本発明の推奨する範囲内の試料74〜75、77
〜78、80〜81、83〜84は、熱伝導率が適正範
囲に調整され、消費電力も低く抑えられている。そし
て、発熱体2に対する電極3部の温度傾斜も安定した均
熱性を示した。
【0045】実施例7 次に、セラミックスの主成分である窒化アルミニウム
(AlN)100重量部に対して、酸化アルミニウム
(Al2O3)を4重量部添加した試料2a、b、c、2
5重量部添加した試料5a、b、c、二酸化珪素(Si
O2)を5重量部添加した試料15a、b、c、酸化ジ
ルコニウム(ZrO2)を25重量部添加した試料25
a、b、cの基板を用いて、発熱体2の回路の始点から
電極3側の基板1a端までの距離Aを、5、10、20
mmに設定した図1の基板を作製した。そして、実施例
1と同様の基板を図2に示す半田ゴテ10に組み込むこ
とによって、実施例1と同様の手順でセラミックスヒー
タとしての特性を評価した結果を表7に示す。
【0046】
【表7】 尚、☆は比較例である。
【0047】基板の長さを一定とし、発熱体と電極側の
基板端迄の距離Aを次第に大きくすれば、発熱体の回路
が短くなるので消費電力が少なくなるのは当然である。
表7の結果を考察すると、本発明の推奨する熱伝導率の
上限を越えている試料2a、b、cの電極部の温度は、
電極部の酸化を助勢するような温度領域に至らないもの
ゝ、消費電力が過大である。同様に、基板端迄の距離A
と基板の厚さBの関係が、A/B≧20を満たしていな
い試料5a、15a、25aは、共に消費電力が過大で
ある。その他の試料は、発熱体から電極部に至る温度傾
斜が緩やかであると共に、消費電力も低く抑えられてい
る。
【発明の効果】
【0048】本発明のセラミックスヒータは、主成分が
窒化アルミニウム、窒化珪素又は炭化珪素の原料に、熱
伝導率が50W/m・K以下の従成分を添加して、熱伝
導率を30〜80W/m・Kに調整し、かつ基板上の発
熱体の回路の接続始点から電極側の基板端までの距離A
と基板の厚みBとの関係を、A/B≧20となる形状に
することによつて、基板の機械的強度を高めて耐熱衝撃
性を克服し、発熱体から電極への温度傾斜を緩やかにし
て、電極部の接点の酸化を抑え接点不良を防ぐことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセラミツクスヒータの平面図である。
【図2】本発明の半田ゴテ用ヒータの断面図である。
【符号の説明】
1a、1b 基板 2 発熱体 3 電極 4 封止ガラス 10 半田ゴテ 11 コテ先 12 フレーム 13 断熱材 14 握り手 15 リード線 16 接点 17 バネ座 18 クランプボルト 19 窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C04B 35/581 C04B 35/58 102D H05B 3/02 104D (72)発明者 長尾 俊二 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目1番1号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 Fターム(参考) 3K092 PP20 QA05 RF03 RF11 RF27 VV35 VV40 4G001 BA03 BA04 BA06 BA07 BA08 BA09 BA12 BA13 BA14 BA22 BA32 BA36 BB03 BB04 BB06 BB07 BB08 BB09 BB12 BB13 BB14 BB22 BB32 BB36 BB61 BB62 BB67 BC17 BC34 BC52 BC54 BD01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】セラミックス基板の表面に電極と発熱体を
    形成したセラミックスヒータにおいて、発熱体の回路の
    前記電極との接続始点と前記電極側のセラミックス基板
    端までの距離をA、前記セラミックス基板の厚みをBと
    したとき、A/B≧20となる形状であって、前記セラ
    ミックス基板の熱伝導率が30〜80W/m・Kである
    ことを特徴とするセラミックスヒータ。
  2. 【請求項2】前記セラミックス基板を形成する主成分が
    窒化アルミニウム、窒化珪素又は炭化珪素であり、これ
    に熱伝導率が50W/m・K以下の従成分を添加したこ
    とを特徴とする請求項1に記載のセラミックスヒータ。
  3. 【請求項3】前記窒化アルミニウム100重量部に対
    し、従成分として酸化アルミニウムを5〜100重量部
    添加して成ることを特徴とする請求項2に記載のセラミ
    ックスヒータ。
  4. 【請求項4】前記窒化アルミニウム100重量部に対
    し、従成分としてシリコンまたは/及びシリコン化合物
    を二酸化珪素量に換算して、1〜20重量部添加して成
    ることを特徴とする請求項2に記載のセラミックスヒー
    タ。
  5. 【請求項5】前記窒化アルミニウム100重量部に対
    し、従成分としてジルコニウムまたは/及びジルコニウ
    ム化合物を酸化ジルコニウム量に換算して、5〜100
    重量部添加して成ることを特徴とする請求項2に記載の
    セラミックスヒータ。
  6. 【請求項6】前記窒化アルミニウム100重量部に対
    し、焼結助剤として周期率表のアルカリ土類元素または
    /及び希土類元素を1〜10重量部含有することを特徴
    とする請求項2乃至5のいずれかに記載のセラミックス
    ヒータ。
  7. 【請求項7】添加される周期率表のアルカリ土類元素が
    カルシュウム(Ca)であることを特徴とする請求項6
    に記載のセラミックスヒータ。
  8. 【請求項8】添加される周期率表の希土類元素がネオジ
    ム(Nd)及びイッテリビウム(Yb)であることを特
    徴とする請求項6に記載のセラミックスヒータ。
JP2000004570A 2000-01-13 2000-01-13 セラミックスヒータ Withdrawn JP2001196152A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000004570A JP2001196152A (ja) 2000-01-13 2000-01-13 セラミックスヒータ
TW089128218A TW491822B (en) 2000-01-13 2000-12-29 Ceramic heater
US09/760,161 US6548787B2 (en) 2000-01-13 2001-01-11 Ceramic heater
CA002330885A CA2330885C (en) 2000-01-13 2001-01-11 Ceramic heater
EP01300254A EP1117273A3 (en) 2000-01-13 2001-01-12 Ceramic heater
KR10-2001-0002062A KR100377700B1 (ko) 2000-01-13 2001-01-13 세라믹스 히터
CNB011016736A CN1269384C (zh) 2000-01-13 2001-01-15 陶瓷加热器
HK02100906.1A HK1039436A1 (zh) 2000-01-13 2002-02-06 陶瓷加熱器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000004570A JP2001196152A (ja) 2000-01-13 2000-01-13 セラミックスヒータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001196152A true JP2001196152A (ja) 2001-07-19

Family

ID=18533343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000004570A Withdrawn JP2001196152A (ja) 2000-01-13 2000-01-13 セラミックスヒータ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6548787B2 (ja)
EP (1) EP1117273A3 (ja)
JP (1) JP2001196152A (ja)
KR (1) KR100377700B1 (ja)
CN (1) CN1269384C (ja)
CA (1) CA2330885C (ja)
HK (1) HK1039436A1 (ja)
TW (1) TW491822B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6991684B2 (en) 2000-09-29 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Heat-treating apparatus and heat-treating method
KR101540963B1 (ko) * 2014-04-11 2015-07-31 송미선 건축용 석재패널 받침앵글 지지부재 설치 시스템 및 이를 이용한 지지부재 설치방법
JP2019522335A (ja) * 2016-07-27 2019-08-08 ヘレウス ノーブルライト ゲーエムベーハー 赤外線パネル・ラジエータおよび赤外線パネル・ラジエータを生産するための方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040086156A (ko) * 2002-03-13 2004-10-08 스미토모덴키고교가부시키가이샤 반도체 제조 장치용 유지체
JP2004006299A (ja) * 2002-04-22 2004-01-08 Canon Inc 基板に発熱抵抗体を有するヒータ及びこのヒータを用いた像加熱装置
JP2003317906A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒータ
JP3833974B2 (ja) * 2002-08-21 2006-10-18 日本碍子株式会社 加熱装置の製造方法
KR100459868B1 (ko) * 2002-09-25 2004-12-03 한국과학기술연구원 저온 소성 세라믹 히터용 조성물 및 세라믹 히터 제조방법
CN100387099C (zh) * 2003-12-21 2008-05-07 马放 碳陶加热管及加工方法
EP1937033A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-25 Adrianus Gerardus De Ruiter Composite solid state semiconductive material for generating electro-magnetic radiation and use of said material in an infrared heating device
KR101120599B1 (ko) * 2008-08-20 2012-03-09 주식회사 코미코 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
DE102010000042A1 (de) * 2010-01-11 2011-07-14 HE System Electronic GmbH & Co. KG, 90587 Elektrisches Heizungselement und ein Verfahren zu dessen Herstellung
KR101329315B1 (ko) * 2011-06-30 2013-11-14 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN102924066B (zh) * 2012-11-05 2014-06-18 刘贡友 硅质复合板材及其制备方法和应用
CN103288464B (zh) * 2013-06-05 2014-12-24 中能恒源环保科技有限公司 一种黑体材料及由黑体材料制成的节能辐射杯
JP6262598B2 (ja) * 2014-05-12 2018-01-17 住友電気工業株式会社 AlN焼結体、AlN基板およびAlN基板の製造方法
CN104072143B (zh) * 2014-07-16 2016-03-30 苏州立瓷电子技术有限公司 一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法
CN104072144A (zh) * 2014-07-16 2014-10-01 苏州立瓷电子技术有限公司 一种高导热氮化铝陶瓷材料及其制备方法
CN106686770B (zh) * 2016-02-03 2019-09-10 黄伟聪 一种涂覆基质具有高导热能力的厚膜元件
DE102016111234B4 (de) * 2016-06-20 2018-01-25 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung für die thermische Behandlung eines Substrats sowie Trägerhorde und Substrat-Trägerelement dafür
CN107365155B (zh) * 2017-06-27 2020-09-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种氮化铝陶瓷的低温烧结助剂体系
KR20200143691A (ko) 2018-03-27 2020-12-24 에스씨피 홀딩스 언 어숨드 비지니스 네임 오브 나이트라이드 이그나이터스 엘엘씨 쿡탑용 고온 표면 점화기
CN111246601B (zh) * 2018-11-29 2023-04-25 湖北中烟工业有限责任公司 一种新型陶瓷发热体的组合物及其发热体制备和应用
GB2605629B (en) * 2021-04-08 2024-10-02 Dyson Technology Ltd A heater
KR102673503B1 (ko) * 2021-11-17 2024-06-10 한국공학대학교산학협력단 반도체 히터 소자 및 그의 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55126989A (en) * 1979-03-24 1980-10-01 Kyoto Ceramic Ceramic heater
JPS5826077A (ja) * 1981-08-10 1983-02-16 株式会社東芝 セラミツクス焼結体及びその製造方法
JPS5921579A (ja) * 1982-07-29 1984-02-03 大森 守 炭化珪素焼結成形体とその製造方法
DE3247985C2 (de) * 1982-12-24 1992-04-16 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Keramischer Träger
US5001089A (en) * 1985-06-28 1991-03-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Aluminum nitride sintered body
US4804823A (en) * 1986-07-31 1989-02-14 Kyocera Corporation Ceramic heater
KR920007315Y1 (ko) * 1987-08-31 1992-10-12 주식회사 금성사 스테레오 및 모노 겸용 발광다이오드 구동회로
JP2949586B2 (ja) * 1988-03-07 1999-09-13 株式会社日立製作所 電導材及びその製造法
US5264681A (en) * 1991-02-14 1993-11-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic heater
JPH04324276A (ja) 1991-04-24 1992-11-13 Kawasaki Steel Corp AlNセラミックヒータ及びその製造方法
JP2804393B2 (ja) * 1991-07-31 1998-09-24 京セラ株式会社 セラミックヒータ
US5470806A (en) * 1993-09-20 1995-11-28 Krstic; Vladimir D. Making of sintered silicon carbide bodies
JP2828575B2 (ja) * 1993-11-12 1998-11-25 京セラ株式会社 窒化珪素質セラミックヒータ
JPH09197861A (ja) 1995-11-13 1997-07-31 Sumitomo Electric Ind Ltd ヒーターおよびそれを備えた加熱定着装置
JP3160226B2 (ja) * 1996-03-29 2001-04-25 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ
JP3769841B2 (ja) 1996-10-28 2006-04-26 住友電気工業株式会社 加熱定着装置
US6025579A (en) * 1996-12-27 2000-02-15 Jidosha Kiki Co., Ltd. Ceramic heater and method of manufacturing the same
JPH1195583A (ja) 1997-09-17 1999-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd トナー画像定着用セラミックスヒーター
TW444514B (en) * 1998-03-31 2001-07-01 Tdk Corp Resistance device
KR100544865B1 (ko) * 1999-06-09 2006-01-24 이비덴 가부시키가이샤 세라믹히터 및 발열체용 도전 페이스트

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6991684B2 (en) 2000-09-29 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Heat-treating apparatus and heat-treating method
KR101540963B1 (ko) * 2014-04-11 2015-07-31 송미선 건축용 석재패널 받침앵글 지지부재 설치 시스템 및 이를 이용한 지지부재 설치방법
JP2019522335A (ja) * 2016-07-27 2019-08-08 ヘレウス ノーブルライト ゲーエムベーハー 赤外線パネル・ラジエータおよび赤外線パネル・ラジエータを生産するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1320010A (zh) 2001-10-31
KR100377700B1 (ko) 2003-03-29
HK1039436A1 (zh) 2002-04-19
KR20010076266A (ko) 2001-08-11
US6548787B2 (en) 2003-04-15
CA2330885C (en) 2003-03-18
EP1117273A2 (en) 2001-07-18
TW491822B (en) 2002-06-21
US20010010310A1 (en) 2001-08-02
CN1269384C (zh) 2006-08-09
EP1117273A3 (en) 2001-08-01
CA2330885A1 (en) 2001-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6548787B2 (en) Ceramic heater
EP0701979B1 (en) Alumina-based sintered material for ceramic heater and ceramic heater
KR101590051B1 (ko) 세라믹 히터
JP6591455B2 (ja) 高熱伝導性窒化珪素焼結体、それを用いた窒化珪素基板および窒化珪素回路基板並びに半導体装置
JP3636075B2 (ja) 積層ptcサーミスタ
KR20010099730A (ko) 가열장치
TW201043593A (en) Alumina sintered body, method for manufacturing the same, and semiconductor manufacturing apparatus member
JP6694301B2 (ja) 接合体及び接合体の製造方法
JP2004015016A (ja) チップ型電子部品及びチップ型電子部品の製造方法
JP3820706B2 (ja) 窒化アルミニウムヒーター
JP5644161B2 (ja) 半導体保持用の静電チャックおよびその製造方法
JP7251001B2 (ja) セラミック焼結体及び半導体装置用基板
JP2632347B2 (ja) セラミックヒータ
TWI668199B (zh) 陶瓷電路板及其製造方法
CN116917255A (zh) 陶瓷烧结体及半导体装置用基板
JP3886684B2 (ja) セラミックヒータ
JP3125976B2 (ja) セラミックヒータ
JP2537606B2 (ja) セラミツクヒ−タ
JP2002356376A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2004342622A (ja) セラミックヒータ
WO2011007664A1 (ja) セラミックヒーター
JP4874038B2 (ja) 電極内蔵セラミック構造体
JP3965467B2 (ja) セラミック抵抗体及びその製造方法並びに静電チャック
JP2003277132A (ja) アルミナ基焼結体並びにそれを用いたセラミックヒータ及びガスセンサ素子
JPH05182802A (ja) 抵抗素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090422

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090522