JP2001237224A - Local processing unit - Google Patents

Local processing unit

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JP2001237224A
JP2001237224A JP2000046393A JP2000046393A JP2001237224A JP 2001237224 A JP2001237224 A JP 2001237224A JP 2000046393 A JP2000046393 A JP 2000046393A JP 2000046393 A JP2000046393 A JP 2000046393A JP 2001237224 A JP2001237224 A JP 2001237224A
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discharge tube
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 気体放電を安定的に効率よく発生させること
で表面処理効率を向上させることのできる局所処理装置
を提供する。 【解決手段】 電磁的遮蔽をなすケーシング部材21を
有する。前記ケーシング部材21内に処理用気体を流通
させる放電管40を設ける。前記放電管40の両側に一
対の電極46,48を対向配置する。前記放電管40と
前記一対の電極46,48との間に誘電体からなる逆T
字形状の保護部材36を設ける。これにより、前記一対
の電極同士46,48とケーシング部材21とを遮断す
る。
(57) [Problem] To provide a local processing apparatus capable of improving the surface processing efficiency by stably and efficiently generating gas discharge. SOLUTION: The casing member 21 has an electromagnetic shielding. A discharge tube 40 for circulating a processing gas is provided in the casing member 21. A pair of electrodes 46 and 48 are arranged on both sides of the discharge tube 40 so as to face each other. An inverted T made of a dielectric material is provided between the discharge tube 40 and the pair of electrodes 46 and 48.
A protection member 36 in the shape of a letter is provided. Thus, the pair of electrodes 46 and 48 and the casing member 21 are shut off.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物の表面を
エッチング、アッシング、改質し又は薄膜を形成する表
面処理技術に関し、特に大気圧又はその近傍の圧力下で
プラズマに生成される励起活性種を用いて局所的に表面
処理をする局所処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment technique for etching, ashing, modifying, or forming a thin film on the surface of an object to be treated, and more particularly, to an excitation generated in a plasma at or near atmospheric pressure. The present invention relates to a local treatment apparatus for locally performing surface treatment using active species.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、大気圧付近の圧力下でのプラ
ズマ放電により生成される励起活性種を利用することに
よって、真空設備を必要とせずに低コストで被処理物の
表面を様々に処理することができる表面処理技術が知ら
れている。大気圧下でのプラズマによる表面処理には、
電極と被処理物間で直接気体放電を生じさせ、これによ
り発生するプラズマに直接曝露させる直接放電方式と、
一対の電極間での気体放電によりプラズマを発生させ、
それにより生成される励起活性種に被処理物を曝露させ
る間接放電方式とがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, the surface of an object to be treated is variously processed at a low cost without using a vacuum facility by utilizing an excited active species generated by a plasma discharge at a pressure near the atmospheric pressure. Surface treatment techniques that can be used are known. For surface treatment with plasma under atmospheric pressure,
A direct discharge method in which a gas discharge is directly generated between the electrode and the object to be processed and is directly exposed to plasma generated by the gas discharge;
Plasma is generated by gas discharge between a pair of electrodes,
There is an indirect discharge method in which an object to be processed is exposed to the excited active species generated thereby.

【0003】間接放電方式は、直接放電方式に比して処
理レートが低いので高出力を要求される場合があるが、
チャージアップによる被処理物の損傷の虞がない点で有
利である。このような大気圧プラズマに局所表面処理に
適した表面処理装置の典型例が、特開平9−23229
3号公報に開示されている。この従来装置は、例えば内
径1mm以下の狭小な断面を有するガラス等の誘電体材
料からなる細い放電管と、当該放電管を挟むように対向
配置された一対の電極とを備え、放電管先端のノズル部
を被処理物の表面に向けて配置する。ガス供給源から放
電管内に所定のガスを導入しつつ、両電極間で気体放電
を発生させることにより生成される励起活性種を含む反
応性ガスを、ノズル部から細いガス流として被処理物表
面に噴射する。
The indirect discharge method requires a high output because the processing rate is lower than that of the direct discharge method.
This is advantageous in that there is no risk of damage to the workpiece due to charge-up. A typical example of a surface treatment apparatus suitable for local surface treatment for such atmospheric pressure plasma is disclosed in JP-A-9-23229.
No. 3 discloses this. This conventional device includes, for example, a thin discharge tube made of a dielectric material such as glass having a narrow cross section with an inner diameter of 1 mm or less, and a pair of electrodes opposed to each other so as to sandwich the discharge tube. The nozzle portion is arranged facing the surface of the workpiece. A reactive gas containing excited active species generated by generating a gas discharge between both electrodes while introducing a predetermined gas from a gas supply source into a discharge tube is converted into a thin gas flow from a nozzle to a surface of the workpiece. Spray.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来において
は以下のような問題があった。
However, there have been the following problems in the prior art.

【0005】放電管を挟むように対向配置された一対の
電極が直線的に臨めるように対向配置された場合に電極
間に高電圧を印加すると、放電管の表面を介して電流が
流れる沿面放電が発生するおそれがある。このように放
電管表面で沿面放電が発生すると、放電管内で気体放電
が発生せず、また発生した気体放電が不安定となるた
め、励起活性種が生成されず表面処理が行えなくなると
いう問題があった。
When a high voltage is applied between electrodes when a pair of electrodes facing each other with a discharge tube interposed therebetween are linearly facing each other, a creeping discharge in which a current flows through the surface of the discharge tube. May occur. When creeping discharge occurs on the discharge tube surface in this manner, gas discharge does not occur in the discharge tube, and the generated gas discharge becomes unstable, so that excited active species are not generated and surface treatment cannot be performed. there were.

【0006】また、上記したプラズマにより生成される
励起活性種は、一般に大気圧下では不安定で寿命が短
く、非常に短時間で元の安定した状態に戻る傾向があ
る。そのため、上述した間接放電式の表面処理では、放
電領域とノズル又はガス吹出し口間の距離をできる限り
短くして、常に十分な量の励起活性種が被処理物表面に
到達し得るようにする必要がある。このため、上記した
放電管を挟む一対の電極を被処理物表面の近傍となるよ
うガスの吹出口側に設ける必要がある。そして、前記放
電管は、電磁的なシールドを行わせるため金属材料のケ
ーシングにて覆わせることがあるが、上記したように放
電管を挟む一対の電極はガスの吹出口側に設けるため、
ケーシング底部と近接して対向するように設けられるこ
とになる。このため、ケーシングと電極とが近接して直
線的に臨める場合、電極とケーシングとの間に異常放電
が発生するおそれがあった。このような異常放電が発生
すると、放電管内で気体放電が発生しないため、励起活
性種が生成せず表面処理が行えなくなるという問題があ
った。
The excited active species generated by the above-mentioned plasma is generally unstable at atmospheric pressure, has a short life, and tends to return to its original stable state in a very short time. Therefore, in the above-described surface treatment of the indirect discharge type, the distance between the discharge region and the nozzle or the gas outlet is made as short as possible so that a sufficient amount of excited active species can always reach the surface of the workpiece. There is a need. For this reason, it is necessary to provide a pair of electrodes sandwiching the discharge tube on the gas outlet side so as to be near the surface of the workpiece. The discharge tube may be covered with a casing made of a metal material to perform electromagnetic shielding.However, as described above, a pair of electrodes sandwiching the discharge tube is provided on the gas outlet side,
It is provided so as to be close to and opposed to the casing bottom. For this reason, when the casing and the electrode can approach each other linearly, abnormal discharge may occur between the electrode and the casing. When such abnormal discharge occurs, gas discharge does not occur in the discharge tube, so that there is a problem that no excited active species are generated and surface treatment cannot be performed.

【0007】特に、30MHz以上の出力周波数の高周
波電力で気体放電を発生させる場合には、高周波電力が
電極の表面を伝導するため、上記した異常放電や沿面放
電の発生率が高くなり、高周波電力の伝導効率が低くな
るという問題があった。
In particular, when gas discharge is generated with high-frequency power having an output frequency of 30 MHz or more, since the high-frequency power is conducted on the surface of the electrode, the occurrence rate of the abnormal discharge and creeping discharge increases, and However, there is a problem that the conduction efficiency is reduced.

【0008】本発明の目的は、沿面放電や異常放電を防
止することにより、気体放電を安定的に効率よく発生さ
せることで表面処理効率を向上させることのできる局所
処理装置を提供することにある。
[0008] An object of the present invention is to provide a local processing apparatus capable of improving surface treatment efficiency by stably and efficiently generating gas discharge by preventing creeping discharge and abnormal discharge. .

【0009】また、本発明の他の目的は、高周波電力の
伝導効率を高めて表面処理効率を向上させることのでき
る局所処理効率を提供することにある。
It is another object of the present invention to provide a local processing efficiency capable of improving the efficiency of surface treatment by increasing the conduction efficiency of high-frequency power.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る局所処理装置においては、電磁的遮蔽
をなすケーシングを有し、当該ケーシング内に処理用気
体を流通させる放電管を設け、当該放電管の両側に一対
の電極を対向配置して、前記放電管と前記一対の電極と
の間に配置した仕切り部と、前記一対の電極の下部を覆
う受け部とからなる逆T字形状の誘電体である保護部材
を設けた構成とした。このため、電極同士とケーシング
とが遮断されることにより沿面放電や異常放電が発生せ
ず、気体放電を安定的に効率よく発生させることができ
る。また、保護部材は誘電体で形成されるため、一対の
電極の静電容量が増加して、放電管内における気体放電
の発生率を上昇させることができる。特に、出力周波数
が30MHz以上の場合には、高周波電力が電極の表面
部を伝導するが、電極同士とケーシングとが保護部材に
より遮断されているため、効果的に高周波電力を伝導す
ることができ、気体放電の発生効率を上昇させることが
できる。
In order to achieve the above object, a local processing apparatus according to the present invention has a casing which forms an electromagnetic shield, and a discharge tube for flowing a processing gas through the casing. And a pair of electrodes facing each other on both sides of the discharge tube, a partition portion disposed between the discharge tube and the pair of electrodes, and a receiving portion covering a lower portion of the pair of electrodes. The configuration is such that a protection member, which is a letter-shaped dielectric, is provided. For this reason, a creeping discharge or an abnormal discharge does not occur due to the cutoff between the electrodes and the casing, and a gas discharge can be stably and efficiently generated. Further, since the protection member is formed of a dielectric, the capacitance of the pair of electrodes increases, and the rate of occurrence of gas discharge in the discharge tube can be increased. In particular, when the output frequency is 30 MHz or more, high-frequency power is transmitted through the surface of the electrode, but since the electrodes are shielded from the casing by the protective member, the high-frequency power can be effectively transmitted. As a result, the gas discharge generation efficiency can be increased.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の局所処理装置の実施形態
について図面に従って詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the local processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0012】図1は本実施形態における局所処理装置2
0の断面図である。本実施形態における局所処理装置2
0はケーシング部材21を有している。前記ケーシング
部材21は、上部ケーシング部材22、中部ケーシング
部材24、下部ケーシング部材26、底部ケーシング部
材28にて形成される。前記上部〜底部ケーシング部材
22,24,26,28は、それぞれ略角柱形状のブロ
ック体のセンター部を略円筒形状に刳り抜いたものであ
る。前記ケーシング部材21は、前記上部〜底部ケーシ
ング部材22,24,26,28の刳り抜き部が芯合わ
せされるように密接してなっている。このように、ケー
シング部材21は前記上部〜底部ケーシング部材22,
24,26,28の一部を省略したり追加したりできる
ため、ケーシング部材21のサイズを内部に入れ込む部
材に合わせて調節することができる。本実施形態におい
ては、ケーシング部材21はアルミなどの金属材料にて
形成し、電磁波の遮蔽をなしているのである。なお、ケ
ーシング部材21の材料としては、アルミに限らずシー
ルド機能を有する材質のものであればよい。
FIG. 1 shows a local processing apparatus 2 according to this embodiment.
0 is a sectional view. Local processing device 2 in the present embodiment
0 has a casing member 21. The casing member 21 includes an upper casing member 22, a middle casing member 24, a lower casing member 26, and a bottom casing member 28. Each of the upper and lower casing members 22, 24, 26, and 28 is formed by hollowing out the center of a substantially prismatic block into a substantially cylindrical shape. The casing member 21 is in close contact so that the hollow portions of the top to bottom casing members 22, 24, 26, 28 are aligned. As described above, the casing member 21 includes the upper to bottom casing members 22,
Since a part of 24, 26, 28 can be omitted or added, the size of the casing member 21 can be adjusted according to the member to be inserted therein. In the present embodiment, the casing member 21 is formed of a metal material such as aluminum, and shields electromagnetic waves. The material of the casing member 21 is not limited to aluminum, but may be any material having a shielding function.

【0013】前記ケーシング部材21の軸心上には直管
状の放電管40が配置されている。前記放電管40は上
端部を上部ケーシング部材22の軸心上に位置し、放電
管40下端部を底部ケーシング部材28内壁面に臨ませ
ている。一方、前記放電管40下端部に対向する底部ケ
ーシング部材28の対向面には、ノズルチップ44が外
部に突出する形で着脱自在に設けられ、当該ノズルチッ
プ44に前記放電管40の下端部がはめ込まれている。
このように、放電管40とノズルチップ44とを分離可
能に形成させたことにより、ノズルチップ44を異なる
孔径のものに交換することができる。このため、表面処
理を行わせる領域や形状に応じて最適な孔径のノズルで
表面処理を行うことができる。また、ノズルチップ44
の材料としては、ステンレス(SUS)やアルミが好ま
しい。
A straight discharge tube 40 is arranged on the axis of the casing member 21. The discharge tube 40 has an upper end located on the axis of the upper casing member 22 and a lower end facing the inner wall surface of the bottom casing member 28. On the other hand, a nozzle tip 44 is detachably provided on a surface of the bottom casing member 28 facing the lower end of the discharge tube 40 so as to protrude to the outside, and the lower end of the discharge tube 40 is attached to the nozzle tip 44. Inlaid.
As described above, since the discharge tube 40 and the nozzle tip 44 are formed so as to be separable, the nozzle tip 44 can be replaced with one having a different hole diameter. For this reason, the surface treatment can be performed with a nozzle having an optimal hole diameter according to the region or shape to be subjected to the surface treatment. In addition, the nozzle tip 44
As a material of the above, stainless steel (SUS) or aluminum is preferable.

【0014】前記ノズルチップ44は底部ケーシング部
材28内に上端部を突出させている。前記ノズルチップ
44の上端部は略円筒形状に形成したノズルホルダ42
に螺着され、これによりノズルチップ44が固定保持さ
れる。ノズルホルダ42の材質としては、ステンレス
(SUS)やアルミが好ましい。
The nozzle tip 44 has an upper end projecting into the bottom casing member 28. The upper end of the nozzle tip 44 has a substantially cylindrical nozzle holder 42.
, And the nozzle tip 44 is fixedly held. The material of the nozzle holder 42 is preferably stainless steel (SUS) or aluminum.

【0015】前記放電管40は、下部ケーシング部材2
6に対向する面の周囲を保護部材36にて覆わせてい
る。前記保護部材36は、受け部37の中央部に仕切り
部39を一体的に垂設した逆T字形状をなしている。前
記保護部材36は仕切り部39の中心軸部に放電管40
を貫通させ、放電管40の保護をなしている。そして、
保護部材36は、受け部37下面を前記ノズルホルダ4
2の上面に当接され、ノズルホルダ42にて支持され
る。
The discharge tube 40 includes a lower casing member 2
The periphery of the surface facing 6 is covered with a protective member 36. The protection member 36 has an inverted T-shape in which a partition portion 39 is integrally provided at the center of the receiving portion 37. The protection member 36 is attached to the central axis of the partition 39 by a discharge tube 40.
To protect the discharge tube 40. And
The protection member 36 is provided so that the lower surface of the receiving portion 37
2 and is supported by the nozzle holder 42.

【0016】前記保護部材36は、図2(a)に示した
ように仕切り部39両面39a,39bの図2(a)の
上下方向中央にそれぞれ一対の棒状電極46,48を当
接させている。前記一対の棒状電極46,48はそれぞ
れ略直方形状をなしている。そして、前記一対の棒状電
極46,48は、前記保護部材36の仕切り部39を挟
み込むように対向配置している。すなわち、図2(a)
に示すように前記棒状電極46と保護部材36と棒状電
極48とが上面視一直線状となるように配置している。
前記仕切り部39軸心部に放電管40を上下方向に貫通
させて、当該放電管40の貫通部分内で気体放電を発生
させるのである。このように、前記一対の棒状電極4
6,48はノズルチップ44近傍に配置しているため、
気体放電により発生した励起活性種が直ちにノズルチッ
プ44から外部へ放出することができる。このため、ノ
ズルチップ44近くに配置する被処理物表面に十分な量
の励起活性種を到達させることができる。
As shown in FIG. 2 (a), the protective member 36 has a pair of rod-shaped electrodes 46, 48 in contact with the center of the partition 39 on both sides 39a, 39b in the vertical direction in FIG. 2 (a). I have. Each of the pair of rod-shaped electrodes 46 and 48 has a substantially rectangular shape. The pair of rod-shaped electrodes 46 and 48 are opposed to each other so as to sandwich the partition 39 of the protection member 36. That is, FIG.
As shown in the figure, the rod-shaped electrode 46, the protective member 36, and the rod-shaped electrode 48 are arranged so as to be linear in a top view.
The discharge tube 40 is vertically penetrated through the axis of the partition portion 39 to generate gas discharge in the penetrated portion of the discharge tube 40. Thus, the pair of rod-shaped electrodes 4
6 and 48 are arranged near the nozzle tip 44,
The excited active species generated by the gas discharge can be immediately released from the nozzle tip 44 to the outside. For this reason, a sufficient amount of excited active species can reach the surface of the workpiece to be disposed near the nozzle tip 44.

【0017】また、受け部37の長手方向の長さは棒状
電極46,48の長手方向の長さより長く形成してい
る。これにより、両電極46,48の設置面積を確保さ
せている。特に、高周波電圧を印加される棒状電極46
は、底部ケーシング部材28を直線的に臨めないため、
棒状電極46が底部ケーシング部材28と短絡すること
を防止できる。前記保護部材36はアルミナや石英にて
形成しており、両電極46,48の絶縁を保持させてい
る。なお、保護部材36の材料としては、絶縁体材料で
あればこれに限られない。
The length of the receiving portion 37 in the longitudinal direction is longer than the length of the rod-shaped electrodes 46 and 48 in the longitudinal direction. Thereby, the installation area of both electrodes 46 and 48 is secured. In particular, a rod-shaped electrode 46 to which a high-frequency voltage is applied
Does not face the bottom casing member 28 linearly,
The short-circuit of the rod-shaped electrode 46 with the bottom casing member 28 can be prevented. The protective member 36 is made of alumina or quartz, and keeps the electrodes 46 and 48 insulated. The material of the protection member 36 is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0018】そして、前記保護部材36の仕切り部39
の高さは、図2(b)に示すように、前記棒状電極4
6,48よりも高く形成してある。また、前記保護部材
36の仕切り部39a,39bは前記棒状電極46,4
8の厚み方向に対して2倍以上に十分長く形成してい
る。これにより、棒状電極46,48同士が直線的に臨
めないようにしている。棒状電極46,48同士が直線
的に臨めると、棒状電極46,48に印加させる際に、
保護部材36の表面(沿面)を伝って導通してしまう沿
面放電が発生するおそれがある。沿面放電が発生する
と、放電管40内での気体放電が発生せずまたは発生し
た気体放電を停止させてしまう。上記したように、前記
保護部材36の仕切り部39は、前記棒状電極46、4
8の厚み方向に対して十分長く形成しているため、沿面
放電を防止することができる。このため、放電管40内
を介した気体放電を確実に発生させることができ、また
発生した気体放電を安定して持続させることができる。
The partition 39 of the protection member 36
The height of the rod-shaped electrode 4 is, as shown in FIG.
It is formed higher than 6,48. The partitioning portions 39a and 39b of the protection member 36 are connected to the rod-shaped electrodes 46 and 4 respectively.
8 is twice as long as the thickness direction. Thus, the rod-shaped electrodes 46 and 48 are prevented from linearly facing each other. When the rod-shaped electrodes 46, 48 face each other linearly, when applying the voltage to the rod-shaped electrodes 46, 48,
There is a possibility that a creeping discharge which is conducted along the surface (creep surface) of the protection member 36 may occur. When the creeping discharge occurs, the gas discharge does not occur in the discharge tube 40 or the generated gas discharge is stopped. As described above, the partition 39 of the protection member 36 is
8, since it is formed sufficiently long in the thickness direction, creeping discharge can be prevented. For this reason, the gas discharge via the inside of the discharge tube 40 can be reliably generated, and the generated gas discharge can be stably maintained.

【0019】前記棒状電極46,48はアルミにて形成
しており、それぞれ表面に金めっきを施している。これ
により、棒状電極46,48の酸化による腐食を防止さ
せることができる。また、金は高い導電性を有している
ため、棒状電極46,48の伝導効率を向上させること
ができる。また、棒状電極46,48の性能の劣化を防
止することができる。
The rod electrodes 46 and 48 are formed of aluminum, and the surfaces thereof are plated with gold. Thereby, corrosion due to oxidation of the rod-shaped electrodes 46 and 48 can be prevented. Further, since gold has high conductivity, the conduction efficiency of the rod-shaped electrodes 46 and 48 can be improved. Further, it is possible to prevent the performance of the rod-shaped electrodes 46 and 48 from deteriorating.

【0020】前記棒状電極46背面と、ケーシング部材
21内壁面との間には、ホルダ部材50が介在してい
る。前記ホルダ部材50は基端部を下部ケーシング部材
26内壁面に当接し、ホルダ部材50の先端部を前記棒
状電極46の背面部に当接させている。これにより、棒
状電極46が保護部材36側に位置決め保持されてい
る。前記ホルダ部材50の材質としては、アルミナや石
英を好ましく用いることができるが、絶縁体材料であれ
ばこれに限られない。
A holder member 50 is interposed between the back surface of the rod-shaped electrode 46 and the inner wall surface of the casing member 21. The holder member 50 has a base end in contact with the inner wall surface of the lower casing member 26 and a distal end of the holder member 50 in contact with the back surface of the rod-shaped electrode 46. Thus, the rod-shaped electrode 46 is positioned and held on the protection member 36 side. As the material of the holder member 50, alumina or quartz can be preferably used, but it is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0021】これに対して、他方の棒状電極48は、下
部ケーシング部材21の外表面まで露出した延長電極4
9に一体的に連結されている。前記延長電極49は、図
示しないアース経路に接続されている。これにより、棒
状電極48の接地が確保され、ケーシング部材21内に
おいて短絡を防止させることができる。
On the other hand, the other rod-shaped electrode 48 is connected to the extension electrode 4 exposed to the outer surface of the lower casing member 21.
9 are integrally connected. The extension electrode 49 is connected to a ground path (not shown). Thereby, the grounding of the rod-shaped electrode 48 is ensured, and a short circuit in the casing member 21 can be prevented.

【0022】前記保護部材36の上には、略円柱形状の
中間部材34が配置されている。前記中間部材34は側
面部を中部ケーシング部材24の内壁面に対向するよう
配置している。そして、前記中間部材34は下面を前記
保護部材36の仕切り部39の上面に当接して、前記保
護部材36の位置決めをなしているのである。また、前
記中間部材34の中心軸部には貫通孔が設けられ、当該
貫通孔内に放電管40を挿入させて当該放電管40を保
護しているのである。前記中間部材34は、テフロンや
マイカ系セラミックスにて形成され、これにより放電管
40外部への絶縁を保持させている。なお、前記中間部
材34としては、テフロンやマイカ系セラミックスが好
ましいが、絶縁体材料であればこれに限られない。
On the protective member 36, a substantially cylindrical intermediate member 34 is disposed. The intermediate member 34 is disposed so that a side surface portion faces the inner wall surface of the middle casing member 24. The lower surface of the intermediate member 34 contacts the upper surface of the partition 39 of the protection member 36 to position the protection member 36. Further, a through hole is provided in the central shaft portion of the intermediate member 34, and the discharge tube 40 is inserted into the through hole to protect the discharge tube 40. The intermediate member 34 is formed of Teflon or mica-based ceramics, thereby maintaining insulation to the outside of the discharge tube 40. The intermediate member 34 is preferably made of Teflon or mica ceramic, but is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0023】前記中間部材34の上側には、絶縁部材3
2が配置されている。前記絶縁部材32は前記上部ケー
シング部材22の刳り抜き部に対応する略円柱形状をな
している。前記絶縁部材32は前記上部ケーシング部材
32の刳り抜き部にはめ込まれている。これにより、ケ
ーシング部材21の上面方向における密閉がなされ、ケ
ーシング部材21内部に密閉空間を形成させることがで
きる。絶縁部材32の上面は断面凹部形状に形成してあ
り、当該凹部底面は前記中間部材34上面に対応させて
形成している。そして、絶縁部材32の下面は下方に張
り出した断面逆凸部形状に形成してあり、当該逆凸部下
面にて中間部材34上面と当接させている。前記絶縁部
材32は周面部に開口したガス流入孔33を有してい
る。上部ケーシング部材22の一側面部にも、図示しな
いガス供給源に接続したガス流入パイプ62が設けてあ
り、当該ガス流入パイプ62の先端部を前記ガス流入孔
33の上開口部に対応させている。前記ガス流入孔33
は前記上開口部から絶縁部材32の軸中心方向に向って
伸び、当該軸中心部にて軸心に沿って下方へ屈曲する。
そして、前記ガス流入孔33は前記絶縁部材32の下面
まで達し、当該下面部にて下開口部を有している。前記
絶縁部材32下面部のガス流入孔33の下開口部には、
放電管40の上端部が挿入される。このため、ガス流入
パイプ62から流入された処理気体がガス流入孔33を
介して放電管40上部に送り出されるのである。また、
前記ガス流入孔33下開口部の内壁面は、円筒形状の押
え部材35が形成されている。前記押え部材35には内
側フランジが形成してあり、当該内側フランジが前記放
電管40上部に当接して下方向に付勢する。このため、
前記放電管40の位置決めをなすことができるのであ
る。前記絶縁部材32はテフロンにて形成され、絶縁保
持を行わせている。なお、前記絶縁部材32は、絶縁体
材料であればこれに限られない。
On the upper side of the intermediate member 34, an insulating member 3
2 are arranged. The insulating member 32 has a substantially cylindrical shape corresponding to a hollow portion of the upper casing member 22. The insulating member 32 is fitted in a hollow portion of the upper casing member 32. Thereby, the casing member 21 is sealed in the upper surface direction, and a sealed space can be formed inside the casing member 21. The upper surface of the insulating member 32 is formed in a cross-sectional concave shape, and the concave bottom surface is formed corresponding to the upper surface of the intermediate member 34. The lower surface of the insulating member 32 is formed in the shape of an inverted convex section that projects downward, and the lower surface of the inverted convex portion is in contact with the upper surface of the intermediate member 34. The insulating member 32 has a gas inflow hole 33 opened on the peripheral surface. A gas inflow pipe 62 connected to a gas supply source (not shown) is also provided on one side surface of the upper casing member 22, and a distal end of the gas inflow pipe 62 corresponds to an upper opening of the gas inflow hole 33. I have. The gas inlet 33
Extends from the upper opening toward the axial center of the insulating member 32 and is bent downward along the axis at the axial center.
The gas inlet 33 reaches the lower surface of the insulating member 32 and has a lower opening at the lower surface. In the lower opening of the gas inflow hole 33 on the lower surface of the insulating member 32,
The upper end of the discharge tube 40 is inserted. Therefore, the processing gas flowing from the gas inflow pipe 62 is sent out to the upper portion of the discharge tube 40 through the gas inflow hole 33. Also,
A cylindrical pressing member 35 is formed on the inner wall surface of the lower opening of the gas inflow hole 33. The holding member 35 has an inner flange formed thereon, and the inner flange contacts the upper portion of the discharge tube 40 and urges the discharge tube 40 downward. For this reason,
The positioning of the discharge tube 40 can be performed. The insulating member 32 is made of Teflon and performs insulation holding. The insulating member 32 is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0024】また、前記上部ケーシング部材22上面の
軸中心方向からリード30が挿入配置されている。前記
リード30は、前記絶縁部材32上面付近にて直径方向
に屈曲する。そして、絶縁部材32の上面凹部内壁面に
沿って下降し、絶縁部材32を貫通する。上記したよう
に絶縁部材32の上面凹部底面は中間部材34上面に対
応して形成しているため、前記絶縁部材32を貫通する
リード30は、中間部材34の側面に当接するように下
降する。これにより中間部材34にてリード30の保護
を行わせることができる。前記リード30は、さらに下
方に伸びて棒状電極46に接続する。これにより、リー
ド30は棒状電極46との電気的導通が確保される。そ
して、前記リード30は下端部を保護部材36の受け部
37aに当接し、伝導効率を向上させるのである。
A lead 30 is inserted and arranged from the axial center of the upper surface of the upper casing member 22. The lead 30 bends in the diameter direction near the upper surface of the insulating member 32. Then, it descends along the inner wall surface of the upper surface concave portion of the insulating member 32 and penetrates the insulating member 32. As described above, since the bottom surface of the concave portion of the upper surface of the insulating member 32 is formed corresponding to the upper surface of the intermediate member 34, the lead 30 penetrating the insulating member 32 descends so as to contact the side surface of the intermediate member 34. Thereby, the lead 30 can be protected by the intermediate member 34. The lead 30 extends further downward and connects to the rod-shaped electrode 46. As a result, electrical conduction between the lead 30 and the rod-shaped electrode 46 is ensured. The lower end of the lead 30 contacts the receiving portion 37a of the protective member 36, thereby improving the conduction efficiency.

【0025】前記リード30は、複数の板状部材にて形
成し、当該複数の板状部材を積層配置させてなってい
る。本実施形態においては、前記リード30は、前記板
状部材を3枚積層配置させたものとしている。そして、
本実施形態においては、リード30の上端部が、図示し
ない高周波電源に接続している。本実施形態において
は、高周波電源の出力周波数が40.68MHzのもの
を用いている。図示しない高周波電源から出力される高
周波電力は、前記リード30の上端部から棒状電極46
に伝導されるが、このような高周波電力はリード30の
内部ではなくリード30の表面部を伝導する。上記した
ように、リード30は複数の板状部材を積層配置してい
る。このため、高周波電力は積層させた板状部材の間隙
を介してそれぞれの板状部材の表面部を伝導する。本実
施形態においては、3枚の板状部材を積層配置させてい
るため、高周波電力の伝導効率を3倍化させることがで
きる。これにより、気体放電を発生させるのに十分な高
周波電圧を棒状電極46に印加させることができ、高周
波電圧にて気体放電を行わせることができるのである。
The lead 30 is formed of a plurality of plate members, and the plurality of plate members are stacked and arranged. In the present embodiment, the lead 30 is formed by laminating three plate members. And
In the present embodiment, the upper end of the lead 30 is connected to a high-frequency power source (not shown). In the present embodiment, a high frequency power supply having an output frequency of 40.68 MHz is used. High-frequency power output from a high-frequency power supply (not shown) is supplied from the upper end of the lead 30 to the rod-shaped electrode 46.
However, such high-frequency power is conducted not on the inside of the lead 30 but on the surface of the lead 30. As described above, the lead 30 has a plurality of plate-like members stacked and arranged. For this reason, the high-frequency power is transmitted through the surface of each plate member through the gap between the stacked plate members. In the present embodiment, since three plate-shaped members are stacked and arranged, the conduction efficiency of high-frequency power can be tripled. Thus, a high-frequency voltage sufficient to generate a gas discharge can be applied to the rod-shaped electrode 46, and the gas discharge can be performed with the high-frequency voltage.

【0026】また、前記リード30は銅にて形成され、
表面に金めっきを施している。これにより、前記リード
30の酸化を防止して安定的に高周波電力を伝導させる
ことができる。
The lead 30 is made of copper,
Gold plated on the surface. Thereby, oxidation of the lead 30 can be prevented and high-frequency power can be stably conducted.

【0027】また、前記ケーシング部材21と、リード
30及び棒状電極46そして前記保護部材36及び中間
部材34との間は、中空領域60が設けられている。前
記伝導経路の周囲をマイカ系セラミックスなどの誘電体
で囲って絶縁する形態も考えられる。しかし、図3
(b)に示したように、大気雰囲気中よりも誘電体(絶
縁体)であるマイカ系セラミックスの方が、比誘電率は
5倍以上大きい。このように、ケーシング部材21内を
誘電体で充填する構成とするよりも、中空領域60を設
けて絶縁空間を形成させる方が、高周波電力を伝導する
際の絶縁保持を効果的に行えることに本願発明者は着目
した。このように中空領域60を形成させたため、高周
波電力伝導時における絶縁保持が効果的になされ、もれ
電流を最小化することができる。
A hollow area 60 is provided between the casing member 21, the lead 30, the bar-shaped electrode 46, and the protective member 36 and the intermediate member 34. A configuration in which the periphery of the conduction path is surrounded by a dielectric such as mica-based ceramics and insulated is also conceivable. However, FIG.
As shown in (b), the relative permittivity of the mica-based ceramic, which is a dielectric (insulator), is at least five times greater than that in the air atmosphere. As described above, the provision of the hollow region 60 to form the insulating space can more effectively maintain the insulation when conducting the high-frequency power than the configuration in which the inside of the casing member 21 is filled with the dielectric. The present inventor paid attention. Since the hollow region 60 is formed in this manner, insulation is effectively maintained during high-frequency power transmission, and leakage current can be minimized.

【0028】また、下部ケーシング部材26の一側面部
には空気供給管52を突設するとともに、下部ケーシン
グ部材26の他側面部には空気放出管54を突設してい
る。空気供給管52より冷却空気をケーシング部材21
内に案内する。そして、ケーシング部材21内の中空領
域60を通ってケーシング部材21内部の熱交換を行
い、空気放出管54よりケーシング部材21外部に放出
される。これにより、電極のプラズマ生成過程における
過熱状態を防止することができ、ケーシング部材21内
部の温度を一定に保持することができ、放電を安定させ
ることができる。電極部の熱膨張等による破損を防止す
ることができる。なお、ケーシング部材21内の電極部
を空冷できるような構造であれば特に上記構造に限られ
ない。
An air supply pipe 52 projects from one side of the lower casing member 26, and an air discharge pipe 54 projects from the other side of the lower casing member 26. Cooling air is supplied from the air supply pipe 52 to the casing member 21.
I will guide you inside. Then, heat exchange inside the casing member 21 is performed through the hollow region 60 in the casing member 21, and the heat is released to the outside of the casing member 21 from the air discharge pipe 54. Thus, it is possible to prevent the electrode from being overheated during the plasma generation process, to keep the temperature inside the casing member 21 constant, and to stabilize the discharge. Damage due to thermal expansion or the like of the electrode portion can be prevented. Note that the structure is not particularly limited to the above structure as long as the electrode portion in the casing member 21 can be air-cooled.

【0029】以上のように構成した局所処理装置20の
作用は以下のようになる。被処理物の表面処理を行う場
合には、局所処理装置20はノズルチップ44の先端を
図示しない被処理物の上方に臨ませている。
The operation of the local processing device 20 configured as described above is as follows. When performing the surface treatment of the processing target, the local processing apparatus 20 faces the tip of the nozzle tip 44 above the processing target (not shown).

【0030】表面処理を行うための処理用気体は上部ケ
ーシング部材22側壁に設けたガス流入パイプ62より
ケーシング部材21内に流入する。この処理用気体は絶
縁部材32のガス流入孔33を介して放電管40上部に
流入し、放電管40内を下方に進行する。一方、前記放
電管40に対向配置した棒状電極46には上記したよう
に高周波電圧が印加される。このような高周波電圧を棒
状電極46に印加すると、棒状電極46,48に挟まれ
た真空管40内で電子が高周波振動する。上気したよう
に、前記真空管40内には処理用気体が流入しているた
め、前記高周波振動する電子が処理用気体に衝突してプ
ラズマ化され、励起活性種のプラズマが発生する。従っ
て、高密度のプラズマを発生させることができるととも
に、プラズマの生成率を高くすることができ、異常放電
を起こりにくくすることができる。前記励起活性種はノ
ズルチップ44の先端より、直ちに被処理物の表面上に
送りだすことができる。このため、十分な励起活性種を
被処理物上に送り出し、被処理物の表面処理を行わせる
ことができる。被処理物としては半導体チップ、ウエハ
等がある。処理工程としては、エッチング、アッシン
グ、被処理物表面の改質や薄膜形成等があるが、特に用
途はこれに限られない。
The processing gas for performing the surface treatment flows into the casing member 21 from a gas inflow pipe 62 provided on the side wall of the upper casing member 22. The processing gas flows into the upper portion of the discharge tube 40 through the gas inflow hole 33 of the insulating member 32, and proceeds downward in the discharge tube 40. On the other hand, a high-frequency voltage is applied to the rod-shaped electrode 46 arranged opposite to the discharge tube 40 as described above. When such a high-frequency voltage is applied to the rod-shaped electrodes 46, the electrons vibrate at high frequencies in the vacuum tube 40 interposed between the rod-shaped electrodes 46 and 48. As described above, since the processing gas flows into the vacuum tube 40, the high-frequency oscillating electrons collide with the processing gas and are turned into plasma, thereby generating plasma of excited active species. Therefore, high-density plasma can be generated, the plasma generation rate can be increased, and abnormal discharge can be suppressed. The excited active species can be immediately sent out from the tip of the nozzle tip 44 onto the surface of the workpiece. For this reason, sufficient excitation active species can be sent out onto the object to be processed, and the surface treatment of the object can be performed. The object to be processed includes a semiconductor chip and a wafer. The processing steps include etching, ashing, modification of the surface of the object to be processed, formation of a thin film, and the like, but the application is not particularly limited to this.

【0031】図3(a)に実施例である局所処理装置2
0と比較例の局所処理装置におけるアッシングレイトの
比較図を示す。実施例は保護部材36にて一対の46,
48とケーシング部材21とを遮断した電極局所処理装
置20であり、比較例は前記保護部材36を有さない局
所処理装置である。処理条件としては、He流量は2l
/minであり、O2流量は30ml/minである。
ノズルチップ先端から被処理物までの距離は、0.5m
m程度である。ノズルチップの外径は3.0mmであ
り、内径は1.5mmである。上記処理条件において実
施例と比較例のアッシングレイトを比較すると、図3
(a)に示すように同じ出力でも処理効率を3倍以上に
上昇させることができるという結果を得た。
FIG. 3A shows a local processing apparatus 2 according to an embodiment.
FIG. 5 shows a comparison diagram of the ashing rates of the local processing devices of 0 and the comparative example. In the embodiment, a pair of 46,
The electrode local processing device 20 in which the casing member 21 is shut off from the electrode 48, and the comparative example is a local processing device having no protective member 36. As processing conditions, the He flow rate is 2 l
/ Min, and the O 2 flow rate is 30 ml / min.
The distance from the tip of the nozzle tip to the workpiece is 0.5m
m. The outer diameter of the nozzle tip is 3.0 mm and the inner diameter is 1.5 mm. When the ashing rates of the embodiment and the comparative example are compared under the above processing conditions, FIG.
As shown in (a), the result was obtained that the processing efficiency could be increased three times or more even with the same output.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る局所
処理装置においては、電磁的遮蔽をなすケーシングを有
し、当該ケーシング内に処理用気体を流通させる放電管
を設け、当該放電管の両側に一対の電極を対向配置し
て、前記放電管と前記一対の電極との間に配置した仕切
り部と、前記一対の電極の下部を覆う受け部とからなる
逆T字形状の誘電体である保護部材を設けたため、電極
同士とケーシングとが遮断されることにより沿面放電や
異常放電が発生せず、気体放電を安定的に効率よく発生
させることができる。また、保護部材は誘電体で形成さ
れるため、一対の電極の静電容量が増加して、放電管内
における気体放電の発生率を上昇させることができる。
特に、出力周波数が30MHz以上の場合には、高周波
電力が電極の表面部を伝導するが、電極同士とケーシン
グとが保護部材により遮断されているため、効果的に高
周波電力を伝導することができ、気体放電の発生効率を
上昇させることができる。
As described above, the local processing apparatus according to the present invention has a casing which forms an electromagnetic shield, a discharge tube through which a processing gas flows is provided in the casing, and a discharge tube for the discharge tube is provided. An inverted T-shaped dielectric composed of a pair of electrodes facing each other on both sides, a partition portion disposed between the discharge tube and the pair of electrodes, and a receiving portion covering a lower portion of the pair of electrodes. Since a certain protective member is provided, creepage discharge and abnormal discharge do not occur due to the cutoff between the electrodes and the casing, and gas discharge can be stably and efficiently generated. Further, since the protection member is formed of a dielectric, the capacitance of the pair of electrodes increases, and the rate of occurrence of gas discharge in the discharge tube can be increased.
In particular, when the output frequency is 30 MHz or more, high-frequency power is transmitted through the surface of the electrode, but since the electrodes are shielded from the casing by the protective member, the high-frequency power can be effectively transmitted. As a result, the gas discharge generation efficiency can be increased.

【0033】[0033]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態における局所処理装置を示す
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a local processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態における局所処理装置の要部
上面図及び斜視図である。
FIG. 2 is a top view and a perspective view of a main part of the local processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明における局所処理装置の処理効率と材質
の比誘電率を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the processing efficiency of the local processing apparatus and the relative dielectric constant of a material according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20………局所表面処理装置 21………ケーシング部材 22………上部ケーシング部材 24………中部ケーシング部材 26………下部ケーシング部材 28………底部ケーシング部材 30………リード 32………絶縁部材 33………ガス流入孔 34………中間部材 35………押え部材 36………保護部材 37………受け部 39………仕切り部 40………放電管 42………ノズルホルダ 44………ノズルチップ 46………棒状電極 48………棒状電極 49………延長電極 50………ホルダ部材 52………空気供給管 54………空気放出管 60………中空領域 62………ガス流入パイプ 20 Local surface treatment device 21 Casing member 22 Upper casing member 24 Middle casing member 26 Lower casing member 28 Bottom casing member 30 Lead 32 ... Insulating member 33 ... Gas inflow hole 34 ... Intermediate member 35 ... Pressing member 36 ... Protective member 37 ... Receiving part 39 ... Partition part 40 ... Discharge tube 42 ... Nozzle holder 44 Nozzle tip 46 Rod electrode 48 Rod electrode 49 Extension electrode 50 Holder member 52 Air supply pipe 54 Air discharge pipe 60 Hollow area 62 ... Gas inflow pipe

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/302 H (72)発明者 秋山 博明 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 4K030 FA01 KA15 KA30 4K057 DA16 DD01 DD10 DE14 DE20 DM02 DM06 DM39 DN01 5F004 AA16 BA06 BA20 BB11 BB32 BD01 BD04 5F045 AA08 AC17 EF02 EF11 EH04 EH08 EH13 EJ05 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/302 H (72) Inventor Hiroaki Akiyama 3-5-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano Prefecture Seiko Epson Corporation F term (reference) 4K030 FA01 KA15 KA30 4K057 DA16 DD01 DD10 DE14 DE20 DM02 DM06 DM39 DN01 5F004 AA16 BA06 BA20 BB11 BB32 BD01 BD04 5F045 AA08 AC17 EF02 EF11 EH04 EH08 EH13 EJ05

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電磁的遮蔽をなすケーシングを有し、当
該ケーシング内に処理用気体を流通させる放電管を設
け、当該放電管の両側に一対の電極を対向配置して、前
記放電管と前記一対の電極との間に配置した仕切り部
と、前記一対の電極の下部を覆う受け部とからなる逆T
字形状の誘電体である保護部材を設けたことを特徴とす
る局所処理装置。
A discharge tube through which a processing gas flows, and a pair of electrodes disposed on both sides of the discharge tube to oppose each other. An inverted T comprising a partition portion disposed between the pair of electrodes and a receiving portion covering a lower portion of the pair of electrodes.
A local processing apparatus provided with a protection member made of a V-shaped dielectric.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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